DE19905737A1 - Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterscheibe - Google Patents
Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit und Verfahren zur Herstellung der HalbleiterscheibeInfo
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Abstract
Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite, und Ebenheitswerten, bezogen auf Teilbereiche eines Flächenrasters auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe, die gekennzeichnet ist durch einen maximalen lokalen Ebenheitswert SFQR¶max¶ von gleich oder kleiner 0,13 mum und SFQR-Einzelwerten, die sich in einem Randbereich der Halbleiterscheibe nicht signifikant unterscheiden von denen in einem Zentrumsbereich der Halbleiterscheibe. DOLLAR A Gegenstand der Erfindung ist auch ein Verfahren zur Herstellung einer derartigen Halbleiterscheibe, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Eingangsdicke der Halbleiterscheibe um 20 bis 200 mum größer ist als die Läuferscheibendicke und die Halbleiterscheibe poliert wird, bis die Enddicke der Halbleiterscheibe um 2 bis 20 mum größer ist als die Läuferscheibe.
Description
Die Erfindung betrifft eine Halbleiterscheibe mit verbesserter
Ebenheit im Randbereich und ein Verfahren zur Herstellung einer
derartigen Halbleiterscheibe. Halbleiterscheiben mit einer ho
hen Ebenheit eignen sich für die Verwendung in der Halbleiter
industrie, insbesondere zur Fabrikation von elektronischen Bau
elementen mit Linienbreiten gleich oder kleiner 0,13 µm.
Eine Halbleiterscheibe, die insbesondere zur Fabrikation von
elektronischen Bauelementen mit Linienbreiten gleich oder klei
ner 0,13 µm geeignet sein soll, muß eine Vielzahl besonderer
Eigenschaften aufweisen. Eine besonders wichtige Eigenschaft
ist die lokale Ebenheit der Halbleiterscheibe. Die moderne
Steppertechnologie verlangt optimale lokale Ebenheiten in allen
Teilbereichen einer Seite der Halbleiterscheibe. Anstelle der
in der Vergangenheit vielfach üblichen rückseitenbezogenen glo
balen (GBIR; früher als TTV bezeichnet) und lokalen Ebenheits
maße (SBIR; früher als LTV bezeichnet) treten Ebenheitsmaße,
die den Fokussierungsmöglichkeiten eines Steppers in allen
Teilbereichen der Scheibenseite Rechnung tragen. Ein solches
Ebenheitsmaß ist der SFQR (site front-surface referenced least
squares/range = Bereich der positiven und negativen Abwei
chung von einer über Fehlerquadratminimierung definierten Vor
derseite für eine Bauelementefläche definierter Dimension). Die
Größe SFQRmax gibt den höchsten SFQR-Wert für alle Bauele
menteflächen auf einer Halbleiterscheibe an. Eine allgemein an
erkannte Faustregel besagt, daß der SFQRmax-Wert einer Halblei
terscheibe gleich oder kleiner der auf dieser Scheibe möglichen
Linienbreite von darauf herzustellenden Halbleiterbauelementen
sein muß. Eine Überschreitung dieses Wertes führt zu Fokussie
rungsproblemen des Steppers und damit zum Verlust des betref
fenden Bauelementes.
Die endgültige Ebenheit einer Halbleiterscheibe wird in der Re
gel durch einen Polierprozeß erzeugt. Zur Verbesserung der
Ebenheitswerte einer Halbleiterscheibe wurden Apparate und Ver
fahren zum gleichzeitigen Polieren von Vorder- und Rückseite
der Halbleiterscheibe bereitgestellt und weiterentwickelt. Die
se sogennante Doppelseiten-Politur ist beispielsweise in der US 3,691,694
beschrieben. Gemäß einer in der EP 208 315 B1 be
schriebenen Ausführungsform der Doppelseitenpolitur werden
Halbleiterscheiben in Läuferscheiben aus Metall oder Kunst
stoff, die über geeignet dimensionierte Aussparungen verfügen,
zwischen zwei rotierenden, mit einem Poliertuch belegten Po
liertellern in Gegenwart eines Poliersols auf einer durch die
Maschinen- und Prozeßparameter vorbestimmten Bahn bewegt und
dadurch poliert (in der englischsprachigen Literatur werden
Läuferscheiben als "carrier" oder "templates" bezeichnet). Um
die bei der Doppelseitenpolitur angewandten Anpreßkräfte bevor
zugt auf die zu polierende Halbleiterscheibe und nicht auf die
Läuferscheibe wirken zu lassen, ist die Enddicke von nach dem
Stand der Technik doppelseitenpolierten Halbleiterscheiben
deutlich dicker als die Dicke der eingesetzten Läuferscheiben.
Von E. Mendel und J. R. Hause werden im IBM Technical Report
TR22.2342, präsentiert auf dem Spring Meeting of the Electro
chemical Society in Boston, Massachusetts am 10. 05. 1979, bei
spielsweise 2 bis 3 mil Überstand (entspricht 51 bis 76 µm)
empfohlen. Dieser Überstand kann entweder durch Festlegung der
notwendigen Polierdauer anhand der in Vorversuchen für eine be
stimmte Versuchsführung ermittelten Abtragsrate oder durch auf
die Läuferscheibe angebrachte Abstandshalter, wie sie in US 5,422,316
vorgeschlagen sind, gewährleistet werden.
Die Integration der Doppelseiten-Politur in Prozeßketten zur
Herstellung von Halbleiterscheiben ist bekannt. In der EP 754 785 A1
ist die Abfolge Sägen eines Halbleiterkristalls, gefolgt
von Kantenverrunden, Doppelseitenpolieren und Endpolieren der
gewonnenen Halbleiterscheiben beschrieben. In der EP 755 751 A1
wird vorgeschlagen, zwischen Kantenverrundung und Doppel
seitenpolitur ein Doppelseiten-Schleifverfahren anzuwenden. Zu
den bevorzugten Ausführungsformen, die in der US 5,756,399 be
schrieben sind, zählt die Prozeßkette Sägen - Kantenverrunden -
Schleifen - alkalisches Ätzen - Doppelseitenpolieren. In der
deutschen Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen 198 33 257.2 ist
die Prozeßkette Sägen - Kantenverrunden - Schleifen - Ätzen -
Doppelseitenpolieren - Endpolieren beansprucht, wobei das Ätzen
mit einem verbesserten sauren Ätzverfahren durchgeführt wird.
Diesen Prozeßketten ist gemeinsam, daß sie nach der Doppelsei
tenpolitur zu einer Halbleiterscheibe führen, die im Rand
bereich höhere lokale Geometriewerte, ausgedrückt als SFQR,
aufweisen, als im Zentrumsbereich der Halbleiterscheibe. Vorge
hensweisen wie die in der EP 187 307 A1 vorgeschlagene, den
Randabfall durch eine schüsselförmige Eingangsgeometrie zu kom
pensieren, führen zwar unter günstigen Bedingungen eventuell zu
einer Verbesserung der rückseitenbezogenen Geometriewerte GBIR
und SBIR, sind jedoch für die im Hinblick auf die Bauelemente
herstellung relevanten SFQR-Werte von Nachteil.
Es war daher die Aufgabe gestellt, eine Halbleiterscheibe be
reitzustellen, die insbesondere zur Fabrikation von elektroni
schen Bauelementen mit Linienbreiten gleich oder kleiner 0,13 µm
geeignet ist und die erwähnten Nachteile hinsichtlich der
lokalen Geometrie im Randbereich, ausgedrückt als SFQR, nicht
aufweist. Ferner sollten die weiteren Eigenschaften der Halb
leiterscheibe mindestens genau so gut sein, wie die von nach
dem Stand der Technik hergestellten Halbleiterscheiben, und es
sollten Vorteile im Hinblick auf ihre Herstellkosten bestehen.
Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterscheibe mit einer
Vorderseite und einer Rückseite, und Ebenheitswerten, bezogen
auf Teilbereiche eines Flächenrasters auf der Vorderseite der
Halbleiterscheibe, die gekennzeichnet ist durch einen maximalen
lokalen Ebenheitswert SFQRmax von gleich oder kleiner 0,13 µm
und SFQR-Einzelwerten, die sich in einem Randbereich der Halb
leiterscheibe nicht signifikant unterscheiden von denen in ei
nem Zentrumsbereich der Halbleiterscheibe.
Vorzugsweise wird es dann als nicht signifikanter Unterschied
zwischen SFQR-Einzelwerten im Randbereich und im Zentrums
bereich angesehen, wenn der arithmetische Mittelwert der SFQR-
Werte für den Randbereich um maximal 0,03 µm vom arithmetischen
Mittelwert der SFQR-Werte für den Zentrumsbereich differiert.
Gegenstand der Erfindung ist ferner ein Verfahren zur Herstel
lung einer Halbleiterscheibe durch gleichzeitiges Polieren ei
ner Vorderseite und einer Rückseite der Halbleiterscheibe zwi
schen sich drehenden Poliertellern unter Zuführen eines Polier
sols, wobei die Halbleiterscheibe in einer Aussparung einer
Läuferscheibe liegt und auf einer bestimmten geometrischen Bahn
gehalten wird, und die Läuferscheibe eine bestimmte Läufer
scheibendicke besitzt, und die Halbleiterscheibe vor dem Polie
ren eine Eingangsdicke und nach dem Polieren eine Enddicke auf
weist, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Eingangsdicke
der Halbleiterscheibe um 20 bis 200 µm größer ist, als die Läu
ferscheibendicke und die Halbleiterscheibe poliert wird, bis
die Enddicke der Halbleiterscheibe um 2 bis 20 µm größer ist,
als die Läuferscheibendicke.
Wesentliches Merkmal der Erfindung ist es, daß die Halbleiter
scheibe solange einer Doppelseitenpolitur unterzogen werden
muß, bis die Dicke der fertig polierten Halbleiterscheibe nur
wenig höher ist als die Dicke der eingesetzten Läuferscheibe,
wobei die Dickendifferenz in einem engen Fenster von 2 bis 20 µm
liegen muß. Wie die später folgenden Beispiele verdeutlichen
werden, war das Auffinden des Fensters überraschend und nicht
vorhersehbar.
Ausgangsprodukt des Verfahrens ist eine Halbleiterscheibe, die
auf bekannte Weise von einem Kristall abgetrennt wurde, bei
spielsweise von einem abgelängten und rundgeschliffenen Einkri
stall aus Silicium, und deren Vorder- und/oder Rückseite mit
tels eines Oberflächenschleifschrittes bearbeitet wurde. Falls
dies gewünscht wird, kann der Kristall mit einem oder mehreren
Orientierungsmerkmalen zur Identifizierung der Kristallachsen
versehen werden, beispielweise einem Notch und/oder einem Flat.
Ebenso kann die Kante der Halbleiterscheibe an einer geeigneten
Stelle in der Prozeßkette mittels einer geeignet profilierten
Schleifscheibe verrundet werden. Außerdem besteht die Möglich
keit, daß die Oberfläche der Halbleiterscheiben nach dem
Schleifschritt geätzt wird.
Endprodukt des Verfahrens ist eine doppelseitenpolierte Halb
leiterscheibe, die den Anforderungen an Halbleiterscheiben als
Ausgangsmaterial für Halbleiterbauelemente-Prozesse mit Linien
breiten gleich oder kleiner 0,13 µm genügt und aufgrund redu
zierter Materialabträge den nach dem Stand der Technik her
gestellten Halbleiterscheiben bezüglich ihrer Herstellkosten
überlegen ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann prinzipiell zur Herstellung
eines scheibenförmigen Körpers eingesetzt werden, der aus einem
Material besteht, welches mit dem eingesetzten chemo-mechani
schen Doppelseiten-Polierverfahren bearbeitet werden kann. Der
artige Materialien, deren Weiterverarbeitung vorwiegend in der
Halbleiterindustrie stattfindet, jedoch nicht auf diese be
schränkt ist, sind zum Beispiel Silicium, Silicium/Germanium,
Siliciumdioxid, Siliciumnitrid, Galliumarsenid und weitere so
genannte III-V-Halbleiter. Silicium in einkristalliner Form,
beispielsweise kristallisiert durch einen Czochralski- oder ei
nen Zonenziehprozeß, ist bevorzugt. Silicium mit einer Kri
stallorientierung (100), (110) oder (111) ist besonders bevor
zugt.
Das Verfahren eignet sich besonders zur Herstellung von Silici
umscheiben mit Durchmessern von insbesondere 200 mm, 300 mm,
400 mm und 450 mm und Dicken von wenigen 100 µm bis einigen cm,
bevorzugt von 400 µm bis 1200 µm. Die Halbleiterscheiben können
entweder direkt als Ausgangsmaterial für die Herstellung von
Halbleiterbauelementen eingesetzt werden oder nach Durchführung
eines Endpolierschrittes nach dem Stand der Technik und/oder
nach Aufbringen von Schichten wie Rückseitenversiegelungen oder
einer epitaktischen Beschichtung der Scheibenvorderseite mit
Silicium oder geeigneten weiteren Halbleitermaterialien und/oder
nach Konditionierung durch eine Wärmebehandlung beispiels
weise unter Wasserstoff- oder Argonatmosphäre ihrem Bestim
mungszweck zugeführt werden. Neben der Herstellung von Scheiben
aus einem homogenen Material kann die Erfindung natürlich auch
zur Herstellung von mehrschichtig aufgebauten Halbleitersub
straten wie SOI-Scheiben (silicon-on-insulator) und sogenannten
bonded wafers eingesetzt werden.
Die weitere Beschreibung des Verfahrens erfolgt am Beispiel der
Herstellung einer Siliciumscheibe.
Prinzipiell ist es möglich, eine bespielsweise durch ein Innen
loch- oder Drahtsägeverfahren gesägte Siliciumscheibe, die je
nach Durchmesser und Art des Sägeprozesses ein Damage bis in
eine Tiefe im Bereich von 10 bis 40 µm aufweist, direkt dem er
findungsgemäßen Doppelseitenpolierschritt zu unterziehen. Es
ist jedoch sinnvoll und daher bevorzugt, die scharf begrenzte
und daher mechanisch sehr empfindliche Scheibenkante mit Hilfe
einer geeignet profilierten Schleifscheibe zu verrunden. Wei
terhin ist es zwecks Verbesserung der Geometrie und teilweisem
Abtrag der zerstörten Kristallschichten möglich, die Silicium
scheibe einem mechanischen Abtragsschritt wie Läppen oder
Schleifen zu unterziehen, um den Materialabtrag im erfindungs
gemäßen Polierschritt zu reduzieren. Bevorzugt ist, die Silici
umscheibe einem Oberflächen-Schleifschritt zu unterziehen, wo
bei entweder eine Seite geschliffen wird oder beide Seiten se
quentiell oder beide Seiten gleichzeitig geschliffen werden.
Sequentielles Oberflächenschleifen der Scheibenvorder- und -rück
seite ist besonders bevorzugt. Zum Entfernen des in den me
chanischen Prozeßschritten zwangsläufig erzeugten Damage der
Scheibenoberfläche und -kante und zum Entfernen von gegebenen
falls vorhandenen Verunreinigungen, beispielsweise im Damage
gebundenen metallischen Verunreinigungen, kann an dieser Stelle
ein Ätzschritt folgen. Dieser Ätzschritt kann entweder als naß
chemische Behandlung der Siliciumscheibe in einer alkalischen
oder sauren Ätzmischung oder als Plasmabehandlung ausgeführt
werden. Ein saurer Ätzschritt in einer Mischung aus konzen
trierter wäßriger Salpetersäure und konzentrierter wäßriger
Flußsäure gemäß der in der deutschen Patentanmeldung mit dem
Aktenzeichen 198 33 257.2 beanspruchten Ausführungsform ist be
vorzugt.
Ein besonders bevorzugtes Ausgangsmaterial für das erfindungs
gemäße Polierverfahren sind Halbleiterscheiben aus Silicium mit
einem Durchmesser von gleich oder größer 200 mm, hergestellt
durch Sägen eines Silicium-Einkristalls, gefolgt von Kantenver
runden, sequentiellem Oberflächenschleifen beider Scheibensei
ten unter Abtrag von 10 µm bis 100 µm Silicium pro Seite und
naßchemischem Ätzen in einer sauren Ätzmischung unter Abtrag
von 5 µm bis 50 µm Silicium pro Scheibenseite.
Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Polierschrittes kann ei
ne handelsübliche Doppelseitenpoliermschine geeigneter Größe
verwendet werden, wie sie beispielsweise im IBM Technical Re
port TR22.2342 beschrieben ist. Die Poliermaschine besteht im
wesentlichen aus einem frei horizontal drehbaren unteren Po
lierteller und einem frei horizontal drehbaren oberen Polier
teller, die beide mit jeweils einem Poliertuch bedeckt sind,
und erlaubt unter kontinuierlicher Zuführung eines Poliersols
geeigneter chemischer Zusammensetzung das beidseitige abtragen
de Polieren von Halbleiterscheiben, in diesem Falle von Silici
umscheiben.
Es ist möglich, nur eine Siliciumscheibe zu polieren. In der
Regel wird jedoch aus Kostengründen eine Vielzahl von Silici
umscheiben gleichzeitig poliert, wobei die Anzahl von den bau
lichen Gegebenheiten der Poliermaschine abhängt. Die Sili
ciumscheiben werden dabei durch Läuferscheiben, die über aus
reichend dimensionierte Aussparungen zur Aufnahme der Silici
umscheiben verfügen, während des Polierens auf einer durch Ma
schinen- und Prozeßparameter bestimmten geometrischen Bahn ge
halten. Die Läuferscheiben sind beispielsweise mit einer Trieb
stock-Stiftverzahnung oder einer Evolventenverzahnung mit der
Poliermaschine über einen sich drehenden inneren und einen sich
in der Regel gegenläufig drehenden äußeren Stift- oder Zahn
kranz in Kontakt und werden dadurch in eine rotierende Bewegung
zwischen den beiden Poliertellern versetzt.
Einflußparameter für die Bahn der Siliciumscheiben in Relation
zum oberen und unteren Polierteller während des Poliervorganges
sind beispielsweise die Abmessungen der Polierteller, die Kon
struktion der Läuferscheiben sowie die Drehzahlen vom oberen
Polierteller, unteren Polierteller und Läuferscheibe. Befindet
sich jeweils eine Siliciumscheibe im Zentrum einer Läuferschei
be, bewegt sich die Siliciumscheibe kreisförmig um das Zentrum
der Poliermaschine. Sind mehrere Siliciumscheiben anzentrisch
in einer Läuferscheibe positioniert, ergibt sich durch Drehung
der Läuferscheiben um ihre eigene Achse eine Hypozykloidenbahn.
Für den erfindungsgemäßen Polierprozeß ist eine Hypozykloiden
bahn bevorzugt. Besonders bevorzugt ist der gleichzeitige Ein
satz von vier bis sechs Läuferscheiben, die mit jeweils minde
stens drei in gleichen Abständen auf einer kreisförmigen Bahn
angeordneten Siliciumscheiben belegt sind.
Prinzipiell können die beim erfindungsgemäßen Verfahren einge
setzten Läuferscheiben aus jedem Material gefertigt werden, das
gegenüber den durch den Antrieb verursachten mechanischen Bean
spruchungen, vor allem den Druck- und Zugbelastungen, ausrei
chende mechanische Stabilität ausweist. Außerdem darf das Mate
rial von dem verwendeten Poliersol und den Poliertüchern che
misch und mechanisch nicht nennenswert angegriffen werden, um
eine ausreichend hohe Lebensdauer der Läuferscheiben zu gewähr
leisten und eine Kontamination der polierten Siliciumscheiben
zu vermeiden. Darüber hinaus muß das Material zur Herstellung
sehr ebener, spannungs- und wellenfreier Läuferscheiben in der
gewünschten Dicke und Geometrie geeignet sein. Grundsätzlich
können die Läuferscheiben beispielsweise aus Metall, Kunst
stoff, faserverstärktem Kunststoff oder kunststoffbeschichtetem
Metall gefertigt sein. Läuferscheiben aus Stahl oder aus faser
verstärktem Kunststoff sind bevorzugt; Läuferscheiben aus rost
freiem Chromstahl sind besonders bevorzugt.
Die Läuferscheiben besitzen eine oder mehrere Aussparungen be
vorzugt in Kreisform zur Aufnahme von einer oder mehrerer Sili
ciumscheiben. Um eine freie Beweglichkeit der Siliciumscheibe
in der rotierenden Läuferscheibe zu gewährleisten, muß die Aus
sparung geringfügig größer im Durchmesser sein als die zu po
lierenden Siliciumscheiben. Ein um 0,1 mm bis 2 mm größerer
Durchmesser ist bevorzugt; ein um 0,3 bis 1,3 mm größerer
Durchmesser ist besonders bevorzugt. Um während des Polierens
eine Beschädigung der Scheibenkante durch die Innenkante der
Aussparung in der Läuferscheibe zu verhindern, ist es sinnvoll
und daher bevorzugt, die Innenseite der Aussparungen mit einer
Kunststoffbeschichtung von gleicher Dicke wie die Läuferschei
be auszukleiden, wie in der EP 208 315 B1 vorgeschlagen wird.
Geeignete Kunststoffe sind dabei beispielsweise Polyamid, Po
lyethylen, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polytetrafluorethy
len oder Polyvinylidendifluorid, die alle gleichermaßen bevor
zugt sind. Es besteht jedoch auch die Möglichkeit, gemäß der in
der EP 776 030 A2 beschriebenen Vorgehensweise die Innenseite
der Aussparungen mit einer Vorrichtung zu versehen, die während
der Doppelseitenpolitur eine gleichzeitige Politur der Kante
der Siliciumscheibe ermöglicht.
Die Läuferscheiben für das erfindungsgemäße Polierverfahren be
sitzen eine bevorzugte Dicke von 400 bis 1200 µm, die sich nach
der Enddicke der polierten Siliciumscheiben richtet, welche
letztlich vom Durchmesser der Siliciumscheiben und vom geplan
ten Anwendungszweck abhängt. Charakteristisch für die Erfindung
ist, daß die Eingangsdicke der zu polierenden Siliciumscheiben
bevorzugt um 20 bis 200 µm größer ist als die Läuferscheiben
dicke, wobei der Bereich von 30 bis 70 µm besonders bevorzugt
ist, und die Enddicke der polierten Scheiben bevorzugt um 2 bis
20 µm größer ist als die Läuferscheibendicke, wobei der Bereich
von 5 bis 15 µm besonders bevorzugt ist. Jedoch sind auch ge
ringe Abweichungen von den angegebenen Dickenbereichen möglich,
ohne daß eine gravierende Erhöhung der lokalen Ebenheitswerte
SFQR im Randbereich der Scheiben beobachtet wird. Der Silicium
abtrag durch den Polierschritt beträgt 5 bis 100 µm, bevorzugt
10 µm bis 60 µm, und besonders bevorzugt 20 bis 50 µm.
Im Rahmen der hinsichtlich der Dickenverhältnisse gemachten
Ausführungen wird der Doppelseiten-Polierschritt bevorzugt in
der dem Fachmann bekannten Art und Weise durchgeführt. Polier
tücher sind am Markt in einer großen Bandbreite von Eigenschaf
ten erhältlich. Bevorzugt wird mit einem handelsüblichen Poly
urethan-Poliertuch einer Härte von 40 bis 120 (Shore A) po
liert. Besonders bevorzugt sind Polyurethantücher mit einge
arbeiteten Polyethylenfasern in einem Härtebereich von 60 bis
90 (Shore A). Im Falle der Politur von Siliciumscheiben emp
fiehlt sich die kontinuierliche Zuführung eines Poliersols mit
einem pH-Wert von bevorzugt 9 bis 12, besonders bevorzugt 10
bis 11, aus bevorzugt 1 bis 10 Gew.-%, besonders bevorzugt 1
bis 5 Gew.-% SiO2 in Wasser, wobei der Polierdruck bevorzugt
0,05 bis 0,5 bar, besonders bevorzugt 0,1 bis 0,3 bar beträgt.
Die Silicium-Abtragsrate liegt bevorzugt bei 0,1 bis 1,5 µm/min
und besonders bevorzugt bei 0,4 bis 0,9 µm/min.
Die Siliciumscheiben werden nach Beendigung der Politur gegebe
nenfalls von anhaftendem Poliersol gereinigt und getrocknet und
können anschließend auf einem handelsüblichen, beispielsweise
kapazitiv oder optisch arbeitenden Geometriemeßgerät hinsicht
lich ihrer lokalen Geometrie SFQR vermessen werden.
Abhängig von ihrer weiteren Bestimmung kann es notwendig sein,
die Scheibenvorderseite einer Endpolitur nach dem Stand der
Technik zu unterziehen, beispielsweise mit einem weichen Po
liertuch unter Zuhilfenahme eines alkalischen Poliersols auf
SiO2-Basis. Zum Erhalt der im erfindungsgemäßen Polierschritt
erzeugten sehr niedrigen und gleichmäßig verteilten lokalen
Geometriewerte sollte der Siliciumabtrag von der Scheibe dabei
relativ niedrig sein und beispielsweise bei 0,1 bis 0,7 µm lie
gen.
Falls notwendig, kann an einer beliebigen Stelle der Prozeß
kette eine Wärmebehandlung der Halbleiterscheibe eingefügt wer
den, beispielsweise um thermische Donatoren zu vernichten oder
um eine Störung von oberflächennahen Kristallschichten auszu
heilen. Weiterhin können eine Laserbeschriftung zur Scheiben
identifizierung und/oder ein Kantenpolierschritt an geeigneter
Stelle der Prozeßkette eingefügt werden, zum Beispiel vor oder
nach dem Schleifen im Falle der Lasermarkierung sowie vor, im
oder nach der Doppelseitenpolitur im Falle des Kantenpolierens.
Eine Reihe weiterer, für bestimmte Produkte erforderliche Pro
zeßschritte wie beispielsweise die Aufbringung von Rückseiten
beschichtungen aus Polysilicium, Siliciumdioxid oder Silicium
nitrid oder die Aufbringung einer Epitaxieschicht aus Silicium
oder weiteren halbleitenden Materialien auf die Vorderseite der
Siliciumscheibe läßt sich ebenfalls nach dem Fachmann bekannten
Verfahren an den geeigneten Stellen in die Prozeßkette einbau
en. Es kann darüber hinaus auch zweckmäßig sein, die Halblei
terscheibe vor oder nach einzelnen Prozeßschritten einer Batch-
oder Einzelscheibenreinigung nach dem Stand der Technik zu un
terziehen.
Hinsichtlich der weiteren üblicherweise zur Scheibencharakte
risierung herangezogenen, dem Fachmann wohlbekannten Parameter
wie beispielsweise Oberflächenfehler, Rauhigkeit und Metallkon
tamination der Scheibenoberfläche, und Magic-Mirror-Defekte
weist eine erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterscheibe keine
Nachteile gegenüber einer Halbleiterscheibe auf, die nach dem
Stand der Technik hergestellt wird.
Eine erfindungsgemäß hergestellte Halbleiterscheibe, insbeson
dere eine Siliciumscheibe erfüllt die Anforderungen für die
Herstellung von Halbleiterbauelementen mit Linienbreiten gleich
oder kleiner 0,13 µm. Das erfindungsgemäße Verfahren hat sich
als optimale Lösung zur Herstellung von Siliciumscheiben mit
den geschilderten Merkmalen erwiesen. Überraschend und nicht zu
erwarten ist, daß nur ein relativ enges Fenster für den Über
stand der Dicke der fertig polierten Scheibe über die Läufer
scheibendicke zur Eliminierung des für nach dem Stand der Tech
nik doppelseitenpolierte Halbleiterscheiben charakteristischen
Randabfalls mit den damit verbundenen erhöhten SFQR-Werten
führt. An das Ausgangsprodukt werden minimale Geometrieanforde
rungen gestellt, was die Anforderungen an die Vorprozesse redu
ziert. Die die im erfindungsgemäßen Schritt erzielte gute Geo
metrie tritt schon nach relativ geringen Materialabträgen und
durch die erhöhte Prozeßsicherheit, gepaart mit einem verrin
gerten Bruchrisiko, in sehr hohen Ausbeuten auf, ohne daß ko
stenintensive Schritte zur lokalen Geometriekorrektur bei
spielsweise durch Plasmaätzen notwendig sind. Deshalb ist das
vorgeschlagene Verfahren auch wirtschaftlich konkurrenzfähig
und kann sogar zur Nacharbeit von Ausfallscheiben und zur Bear
beitung von Reclaimscheiben herangezogen werden.
Zu den nachfolgend beschriebenen Beispielen und Vergleichs
beispielen gehören Figuren, die die Erfindung verdeutlichen.
Fig. 1 zeigt die Verteilung der lokalen Ebenheitswerte SFQR für
flächendeckend angeordnete Teilbereiche (52 Flächenelemente)
der Größe 25 mm × 25 mm einer gemäß Beispiel B1f hergestellten
doppelseitenpolierten Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von
200 mm.
Fig. 2 zeigt die Verteilung der lokalen Ebenheitswerte SFQR für
flächendeckend angeordnete Teilbereiche (52 Flächenelemente)
der Größe 25 mm × 25 mm einer gemäß Vergleichsbeispiel 2c her
gestellten doppelseitenpolierten Siliciumscheibe mit einem
Durchmesser von 200 mm.
Fig. 3 zeigt die Verteilung der lokalen Ebenheitswerte SFQR für
flächendeckend angeordnete Teilbereiche (112 Flächenelemente)
der Größe 25 mm × 25 mm einer gemäß Beispiel 2 hergestellten
doppelseitenpolierten Siliciumscheibe mit einem Durchmesser von
300 mm.
Fig. 4 zeigt die Verteilung der lokalen Ebenheitswerte SFQR für
flächendeckend angeordnete Teilbereiche (112 Flächenelemente)
der Größe 25 mm × 25 mm einer gemäß Vergleichsbeispiel 3 herge
stellten doppelseitenpolierten Siliciumscheibe mit einem Durch
messer von 300 mm.
Alle im folgenden aufgeführten Beispiele und Vergleichsbeispie
le betreffen die Herstellung von Siliciumscheiben mit einem
Durchmesser von entweder (200±0,1) mm oder (300±0,2) mm, einem
Sauerstoffgehalt von (6±1).1017 Atomen/cm3 und einer Bor-Dotie
rung, die zu einem Widerstand im Bereich von 10 bis 20 Ω.cm
führt. Die dazu benötigten Einkristalle wurden nach dem Stand
der Technik gezogen, abgelängt, rundgeschliffen und auf einer
handelsüblichen Drahtsäge in Scheiben mit einer auf das Endpro
dukt zugeschnittenen Dicke zersägt. Nach dem Verrunden der Kan
ten folgte auf einer Rotationsschleifmaschine ein Oberflächen-
Schleifschritt mit Diamanten der Körnung 600 Mesh, wobei nach
einander von der Scheibenvorder- und -rückseite je 30 µm Sili
cium abgetragen wurden. Daran schloß sich ein saurer Ätzschritt
nach dem Strömungsätzverfahren an, wobei durch Eintauchen der
sich drehenden Scheiben in eine Mischung aus 90 Gew.-% konzen
trierter Salpetersäure (70 Gew.-% in wäßriger Lösung), 10 Gew.-%
konzentrierter Flußsäure (50 Gew.-% in wäßriger Lösung) und
0,1 Gew.-% Ammoniumlaurylsulfat pro Scheibenseite gleichzeitig
je 10 µm Silicium abgetragen wurde. Die Ätzmischung war auf
(20±1)°C temperiert und wurde mit Stickstoffgas durchströmt.
Nach den aufgeführten Prozeßschritten sowie nach dem in den
nachfolgenden Beispielen und Vergleichsbeispielen beschriebenen
Polierschritt wurden Reinigungs- und Trocknungsschritte nach
dem Stand der Technik durchgeführt.
Es standen zwei Gruppen von 200-mm-Siliciumscheiben mit geätz
ter Oberfläche und Dicken von 770 µm und 780 µm zur Verfügung.
Außerdem standen fünf Läuferscheiben aus rostfreiem Chromstahl
mit geläppter Oberfläche und einer Dicke von 720 µm zur Verfü
gung, die über jeweils sechs kreisförmige, in gleichen Abstän
den auf einer Kreisbahn angeordnete, mit Polyamid ausgekleidete
Aussparungen vom Innendurchmesser 200,5 mm verfügten und die
gleichzeitige Politur von 30 200-mm-Siliciumscheiben auf einer
handelsüblichen Doppelseitenpoliermaschine ermöglichten.
Der Doppelseitenpolierschritt wurde mit einem handelsüblichen,
mit Polyethylenfasern verstärkten Polyurethan-Poliertuch der
Härte 74 (Shore A), welches jeweils auf dem oberen und dem un
teren Polierteller aufgeklebt war, unter Verwendung eines Po
liersols mit einem SiO2-Feststoffgehalt von 4 Gew.-% und einem
pH-Wert von 11 unter einem Anpreßdruck von 0,15 bar durchge
führt. Die Politur erfolgte bei einer Temperatur des oberen und
des unteren Poliertellers von jeweils 40°C und führte zu einer
Abtragsrate von 0,55 µm/min. Es wurden insgesamt sieben Polier
fahrten mit den Siliciumscheiben der Dicke 770 µm und fünf Po
lierfahrten mit den Siliciumscheiben der Dicke 780 µm unter
Realisierung verschiedener Polierabträge durchgeführt. Die Si
liciumscheiben werden nach Beendigung der Politur von anhaften
dem Poliersol gereinigt, getrocknet und auf einem handelsübli
chen, nach dem kapazitiven Prinzip arbeitenden Geometriemeßge
rät mit 3 mm Randausschluß hinsichtlich ihrer lokalen Geometrie
SFQR (Raster 25 mm × 25 mm) gemessen. Die nachfolgende Tabelle
gibt neben dem Polierabtrag den Dickenunterschied zwischen fer
tig polierter Siliciumscheibe und Läuferscheibe ("Überstand")
und den Mittelwert der höchsten SFQR-Werte für jede der 30 Si
liciumscheiben der jeweiligen Polierfahrt ("SFQRmax") an. Die
SFQR-Werte für den Randbereich der polierten Siliciumscheiben
aus den Beispielen B1d bis B1k liegen nicht signifikant höher
als für den Zentrumsbereich, wie für eine Siliciumscheibe aus
Beispiel B1f in Fig. 1 verdeutlicht ist. Im Gegensatz dazu
liegen die höchsten SFQR-Werte für die polierten Siliciumschei
ben aus den Vergleichsbeispielen V1a bis V1c sowie V11 im
Randbereich.
Es wurden 200-mm-Siliciumscheiben poliert wie in Beispiel 1 be
schrieben mit dem Unterschied, daß analog aufgebaute Läufer
scheiben mit einer Dicke von 600 µm eingesetzt wurden, die Si
liciumscheiben eine in vier Gruppen abgestufte Eingangsdicke
zwischen 680 µm und 800 µm besaßen und jeweils 40 µm Silicium
durch die Politur entfernt wurden. Die relevanten Daten für
vier Polierfahrten mit jeweils 30 Siliciumscheiben sind in
nachfolgender Tabelle enthalten. Die SFQR-Werte für den Randbe
reich der Siliciumscheiben aus den Vergleichsbeispielen 2a bis
2d liegen signifikant höher als für den Zentrumsbereich, wie
für eine Siliciumscheibe aus Vergleichsbeispiel 2c in Fig. 2
verdeutlicht ist.
Es wurde vorgegangen wie in Beispiel 1 beschrieben mit folgen
den Unterschieden: Es standen 300-mm-Siliciumscheiben mit ge
ätzter Oberfläche und einer Dicke von 820 µm zur Verfügung. Au
ßerdem standen fünf Läuferscheiben aus rostfreiem Chromstahl
mit geläppter Oberfläche und einer Dicke von 770 µm zur Verfü
gung, die über jeweils drei kreisförmige, in gleichen Abständen
auf einer Kreisbahn angeordnete, mit Polyamid ausgekleidete
Aussparungen vom Innendurchmesser 301 mm verfügten und die
gleichzeitige Politur von 15 300-mm-Siliciumscheiben ermögli
chten. In Analogie zu dem in Beispiel 1 angegebenen Verfahren
wurden die Siliciumscheiben mit einem Abtrag von 40 µm Silicium
bei einer Abtragsrate von 0,55 µm/min poliert, gereinigt, ge
trocknet und hinsichtlich ihrer Geometrie auf einem handelsüb
lichen, kapazitiv arbeitenden Meßgerät unter Vorgabe von 3 mm
Randausschluß und einem Raster von 25 mm × 25 mm charakteri
siert. Angaben zu Überstand und lokaler Ebenheit finden sich in
der Tabelle weiter unten. Die SFQR-Werte für den Randbereich
der Siliciumscheiben aus Beispiel 2 liegen nicht signifikant
höher als für den Zentrumsbereich, wie in Fig. 3 verdeutlicht
ist.
Es wurde vorgegangen wie in Beispiel 2 beschrieben mit den bei
den Ausnahmen, daß ein entsprechend aufgebautes Poliertuch der
Härte 82 (Shore A) verwendet wird und bei einer Abtragsrate von
0,82 µm/min 42 µm Silicium durch die Politur entfernt wurden.
Die relevanten Daten sind ebenfalls in der Tabelle weiter unten
enthalten. Die SFQR-Werte für den Randbereich der Silicium
scheiben aus Beispiel 3 liegen nicht signifikant höher als für
den Zentrumsbereich.
Es wurde vorgegangen wie in Beispiel 2 beschrieben mit der Aus
nahme, daß die Eingangsdicke der 300-mm-Siliciumscheiben 835 µm
betrug. Die relevanten Daten sind ebenfalls in der Tabelle wei
ter unten enthalten. Die SFQR-Werte für den Randbereich der Si
liciumscheiben aus Vergleichsbeispiel 3 liegen signifikant hö
her als für den Zentrumsbereich, wie in Fig. 4 verdeutlicht
ist.
Es wurde vorgegangen wie in Vergleichsbeispiel 3 beschrieben
mit der Ausnahme, daß die Läuferscheibendicke 700 µm betrug.
Die relevanten Daten sind ebenfalls in der Tabelle weiter unten
enthalten. Die SFQR-Werte für den Randbereich der Silicium
scheiben aus Vergleichsbeispiel 4 liegen signifikant höher als
für den Zentrumsbereich.
Die Siliciumscheiben aus Vergleichsbeispiel 3 wurden gemäß der
in Beispiel 2 beschriebenen Vorgehensweise erneut poliert, wo
bei diesmal Läuferscheiben der Dicke 770 µm eingesetzt und 18 µm
Silicium durch die Politur entfernt wurde. Die relevanten
Daten sind ebenfalls in der Tabelle weiter unten enthalten. Die
SFQR-Werte für den Randbereich der Siliciumscheiben aus Bei
spiel 4 liegen nicht mehr signifikant höher als für den Zent
rumsbereich.
Die Vorderseiten, Rückseiten und Kanten der nach den oben auf
geführten Beispielen und Vergleichsbeispielen hergestellten
200-mm- und 300-mm-Siliciumscheiben wurden mit den üblichen,
dem Fachmann bekannten Methoden hinsichtlich Oberflächenfehler,
Rauhigkeit und Metallkontamination und in ihrer Gesamtheit hin
sichtlich Magic-Mirror-Defekten, Minoritätsträger-Lebenszeiten
und Metallkontamination charakterisiert. Es wurden keine stati
stisch relevanten Abweichungen zwischen den einzelnen Versuchs
gruppen beobachtet.
Claims (15)
1. Halbleiterscheibe mit einer Vorderseite und einer Rückseite,
und Ebenheitswerten, bezogen auf Teilbereiche eines Flächenra
sters auf der Vorderseite der Halbleiterscheibe, die gekenn
zeichnet ist durch einen maximalen lokalen Ebenheitswert SFQRmax
von gleich oder kleiner 0,13 µm und SFQR-Einzelwerten, die sich
in einem Randbereich der Halbleiterscheibe nicht signifikant
unterscheiden von denen in einem Zentrumsbereich der Halblei
terscheibe.
2. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe durch
gleichzeitiges Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite
der Halbleiterscheibe zwischen sich drehenden Poliertellern un
ter Zuführen eines Poliersols, wobei die Halbleiterscheibe in
einer Aussparung einer Läuferscheibe liegt und auf einer be
stimmten geometrischen Bahn gehalten wird, und die Läuferschei
be eine bestimmte Läuferscheibendicke besitzt, und die Halblei
terscheibe vor dem Polieren eine Eingangsdicke und nach dem Po
lieren eine Enddicke aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die
Eingangsdicke der Halbleiterscheibe um 20 bis 200 µm größer
ist, als die Läuferscheibendicke und die Halbleiterscheibe po
liert wird, bis die Enddicke der Halbleiterscheibe um 2 bis 20 µm
größer ist, als die Läuferscheibendicke.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Eingangsdicke der Halbleiterscheibe um 30 bis 70 µm größer ist
als die Läuferscheibendicke.
4. Verfahren nach Anspruch 2 oder Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Enddicke der Halbleiterscheibe um 5 bis 15 µm
größer ist, als die Läuferscheibendicke.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Polierteller mit einem Poliertuch bedeckt
sind und während des Polierens der Halbleiterscheibe ein alka
lisches Poliersol kontinuierlich zugeführt wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekenn
zeichnet, daß das Poliersol einen SiO2-Feststoffgehalt von 1 bis
10 Gew.-% und einen pH-Wert von 9 bis 12 besitzt.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß durch das Polieren eine Dickenreduktion der Halb
leiterscheibe um 15 bis 65 µm bewirkt wird.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Läuferscheibendicke 400 bis 1200 µm beträgt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Halbleiterscheibe durch Aufsägen eines
Halbleiterkristalls erzeugt und vor der Politur einem Schleif
schritt unterworfen wird, wobei eine oder beide Seiten der
Halbleiterscheibe geschliffen werden und ein Materialabtrag von
10 bis 100 µm erzielt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß vor
oder nach dem Schleifen der Halbleiterscheibe eine Kante der
Halbleiterscheibe verrundet wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 10, dadurch ge
kennzeichnet, daß vor dem Polieren der Halbleiterscheibe ein
Ätzschritt durchgeführt wird, mit dem ein Materialabtrag von 5
bis 50 µm von jeder der beiden Scheibenseiten erzielt wird.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß nach dem Polieren der Halbleiterscheibe ein
Endpolierschritt durchgeführt wird, bei dem unter Anwendung ei
nes weichen Poliertuchs ein Materialabtrag von 0,2 bis 2 µm von
der Scheibenvorderseite erzielt wird.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 12, dadurch ge
kennzeichnet, daß nach dem Polieren der Halbleiterscheibe oder
nach dem Endpolierschritt eine halbleitende epitaktische Be
schichtung mit einer Dicke von 1 µm bis 10 µm auf die Scheiben
vorderseite aufgebracht wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 13, dadurch ge
kennzeichnet, daß zusammen mit der Halbleiterscheibe mindestens
eine weitere Halbleiterscheibe auf die selbe Weise poliert
wird, wobei die weitere Halbleiterscheibe in einer weiteren
Aussparung der Läuferscheibe oder in einer Aussparung einer an
deren Läuferscheibe liegt.
15. Verwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 2 bis 14
zur Herstellung von Scheiben aus einem Material, das ausgewählt
ist aus einer Gruppe, die Silicium, Silicium/Germanium, Silici
umdioxid, Siliciumnitrid, Galliumarsenid und andere III-V-
Halbleiter umfaßt.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: ALTMANN, THOMAS, DIPL.-ING. (FH), 84489 BURGHAUSEN, DE WENSKI, GUIDO, DIPL.-CHEM. DR., 84489 BURGHAUSEN, DE BERNWINKLER, WILLI, 84364 BAD BIRNBACH, DE FEUCHTINGER, ERNST, 84384 WITTIBREUT, DE HEIER, GERHARD, 84561 MEHRING, DE WINKLER, WOLFGANG, 84529 TITTMONING, DE |
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8364 | No opposition during term of opposition | ||
8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: WACKER SILTRONIC AG, 84489 BURGHAUSEN, DE |
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
Owner name: SILTRONIC AG, 81737 MUENCHEN, DE |
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R071 | Expiry of right |