CN110828361B - 光器件晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供光器件晶片的加工方法，提高光器件芯片的光的取出效率。该光器件晶片的加工方法具有如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具在基板的背面上的与分割预定线对应的区域形成规定的深度的切削槽；研磨工序，一边向基板的背面提供研磨液一边通过研磨垫对基板的背面进行研磨；改质层形成工序，从基板的背面侧沿着切削槽将对于基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于基板的内部，从而形成改质层；以及分割工序，将光器件晶片分割成各个光器件芯片，在研磨工序中，用规定的力将研磨垫按压至基板的背面，从而使研磨垫一边陷入切削槽一边进行研磨，从而在切削槽的位于基板的背面侧的角部形成倾斜面或曲面。

Description

光器件晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及光器件晶片的加工方法，在光器件晶片的背面上形成规定的深度的切削槽，然后利用研磨垫对光器件晶片的背面进行研磨，从而对研磨后的光器件晶片进行分割。
背景技术
LED(Light Emitting Diode：发光二极管)和LD(Laser Diode：激光二极管)等光器件芯片被用于照明器具、各种电子设备的背光等。这些光器件芯片例如是将光器件晶片分割成一个一个而制造的，该光器件晶片是在蓝宝石基板、碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板等晶体生长用的基板的正面上层叠具有n型和p型半导体层的发光层而得到的。
作为光器件芯片的制造方法，已知有如下的方法：沿着分割预定线形成从光器件晶片的基板的背面至规定的厚度的改质层，沿着所形成的改质层将光器件晶片分割成光器件芯片，然后对分割后的光器件芯片的背面进行磨削，直至将改质层去除为止(例如，参照专利文献1)。
但是，LED和LD等光器件芯片要求进一步提高亮度。为了提高亮度，需要提高发光层的光效率、光的取出效率等。
专利文献1：日本特开2005-86161号公报
通过专利文献1记载的加工方法所制造的光器件芯片的基板呈具有与基板的正面和背面垂直的侧面的长方体形状。因此，从发光层向基板侧射出的光在基板的侧面发生全反射的比例较高，在反复发生全反射的期间，光会在基板内部发生衰减，因此存在从基板向发光层侧取出的光的取出效率容易降低的问题。
发明内容
本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供光器件晶片的加工方法，通过提高光器件芯片的光的取出效率而提高光器件芯片的亮度。
根据本发明的一个方式，提供光器件晶片的加工方法，该光器件晶片在基板的正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的多个区域内分别形成有光器件，将该光器件晶片沿着该分割预定线进行分割，其中，该光器件晶片的加工方法具有如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具在该基板的背面的与该分割预定线对应的区域形成规定的深度的切削槽；研磨工序，一边向该基板的该背面提供研磨液一边通过研磨垫对该基板的该背面进行研磨；改质层形成工序，从该基板的该背面侧沿着该切削槽将对于该基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该基板的内部，从而形成改质层；以及分割工序，对该基板赋予外力而将该光器件晶片分割成各个光器件芯片，在该研磨工序中，用规定的力将该研磨垫按压至该基板的该背面，从而使该研磨垫一边陷入该切削槽一边进行研磨，由此在该切削槽的位于该基板的该背面侧的角部形成倾斜面或曲面。
优选该研磨垫是由肖氏硬度(A型)为50以上且90以下的聚氨酯构成的软质的研磨垫。
在本发明的光器件晶片的研磨工序中，使研磨垫一边陷入切削槽一边进行研磨，从而在切削槽的位于基板的背面侧的角部形成倾斜面或曲面。由此，从光器件晶片分割得到的光器件芯片在与切削槽对应的角部具有倾斜面或曲面。
在该光器件芯片中，从光器件入射至基板的内部的一部分光从倾斜面或曲面漏出到外部，因此与切削槽的背面侧的角部是直角的基板相比，能够抑制光在基板的内部发生衰减。因此，能够提高从基板向光器件侧取出的光的取出效率，从而提高光器件芯片的亮度。
附图说明
图1的(A)是光器件晶片的立体图，图1的(B)是图1的(A)的I-I剖视图。
图2是示出保护部件粘贴工序(S10)的立体图。
图3是示出切削槽形成工序(S20)的立体图。
图4是切削槽形成工序(S20)后的光器件晶片和保护部件的局部剖视图。
图5是示出研磨工序(S30)的立体图。
图6的(A)是研磨工序(S30)中的研磨垫和光器件晶片的局部剖视侧视图，图6的(B)是研磨工序(S30)后的光器件晶片的局部剖视图。
图7是示出改质层形成工序(S40)的立体图。
图8是改质层形成工序(S40)后的光器件晶片的局部剖视图。
图9是示出框架单元形成工序(S50)的立体图。
图10的(A)是示出基板的分割前的状态的图，图10的(B)是示出基板的分割后的状态的图。
图11是光器件晶片的加工方法的流程图。
图12的(A)是切削槽的角部为倾斜面的光器件芯片的剖视图，图12的(B)是切削槽的角部为曲面的光器件芯片的剖视图。
标号说明
11：基板；11a：正面；11b：背面；13：分割预定线(间隔道)；13a：改质层；13b：裂纹；15：光器件；17：切削槽；17a：角部；17b：底部；19：光器件晶片；19a：正面；21：保护部件；23：扩展带；25：框架；27：框架单元；29：光器件芯片；30：切削装置；32：卡盘工作台；34：切削构件(切削单元)；34a：主轴壳体；34b：基台；34c：切刃；34d：安装座螺母；36：切削刀具；38：相机(拍摄构件)；50：研磨装置；52：卡盘工作台；52a：多孔板；52b：保持面；52c、52d：吸引路；54：研磨构件(研磨单元)；54a：主轴；54b：磨轮安装座；54c：支承板；54d：研磨垫；56：研磨液提供路；56a：开口；58：研磨液；60：激光加工装置；62：卡盘工作台；64：激光加工单元；66：相机(拍摄构件)；70：分割装置；72：鼓；74：框架支承台；76：夹具；78：框架保持单元；80：驱动构件(驱动单元)；82：活塞杆；84：气缸；L：激光束。
具体实施方式
参照附图，对本发明的一个方式的实施方式进行说明。图1的(A)是光器件晶片19的立体图，图1的(B)是图1的(A)的I-I剖视图。光器件晶片19具有基板11，该基板11是形成为圆盘状的蓝宝石基板。
另外，对于基板11的材质、形状、构造、大小等没有限制。例如，作为基板11，也可以代替蓝宝石基板而使用碳化硅(SiC)基板、氮化镓(GaN)基板等半导体基板。
在基板11的正面11a上设置有通过外延生长法等晶体生长法而形成的光器件15。光器件15例如包含：发光层，其包含n型和p型半导体层；以及电极，其对这些半导体层施加电压。另外，对于光器件15的种类、数量、形状、构造、大小、配置等没有限制。
光器件15分别设置于由呈格子状配置的多条分割预定线(间隔道)13划分的多个区域内。分割预定线13按照规定的宽度呈格子状形成于基板的正面上，位于各光器件15之间。
基板11的与正面11a相反的一侧的面是露出到外部的基板11的背面11b。基板11的背面11b也是光器件晶片19的背面。另外，在本实施方式中，将光器件15的与基板11相反的一侧的面称为光器件晶片19的正面19a。
接着，对将保护部件21粘贴于光器件晶片19的正面19a的保护部件粘贴工序(S10)进行说明。图2是示出保护部件粘贴工序(S10)的立体图。
在本实施方式中，在光器件晶片19的正面19a上粘贴具有与光器件晶片19同等的直径的树脂制的保护部件21。通过设置保护部件21，能够防止后述的加工工序中的光器件15的损伤。
在保护部件粘贴工序(S10)之后，在基板11的背面11b上形成切削槽17(切削槽形成工序(S20))。图3是示出切削槽形成工序(S20)的立体图，图4是切削槽形成工序(S20)后的光器件晶片19和保护部件21的局部剖视图。
切削槽17可以使用切削装置30来形成。切削装置30具有对光器件晶片19进行吸引保持的卡盘工作台32。卡盘工作台32与电动机等旋转机构(未图示)连结，能够绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转。另外，在卡盘工作台32的下方设置有工作台移动机构(未图示)，卡盘工作台32通过该工作台移动机构而在X轴方向(加工进给方向)上移动。
卡盘工作台32的上表面的一部分作为隔着保护部件21而对光器件晶片19的正面19a侧进行吸引保持的保持面。另外，在图3中，将位于光器件晶片19的正面19a侧的光器件15用虚线示出。
卡盘工作台32的保持面经由形成于卡盘工作台32的内部的吸引路(未图示)等而与吸引源(未图示)连接。将吸引源的负压作用于保持面，从而通过卡盘工作台32对光器件晶片19进行吸引保持。
另外，切削装置30还具有用于对基板11进行切削加工的切削构件(切削单元)34。在与切削构件34相邻的位置设置有用于对光器件晶片19进行拍摄的相机(拍摄构件)38。所拍摄的光器件晶片19的图像用于光器件晶片19与切削构件34的对位等。
切削构件34具有：主轴(未图示)，其作为与Y轴方向(分度进给方向)大致平行的旋转轴；以及筒状的主轴壳体34a，其对该主轴进行部分地收纳。主轴壳体34a能够通过所谓的空气轴承将主轴支承为能够旋转。
切削构件34还具有与主轴的一端侧连结的包含电动机的旋转驱动源(未图示)。另外，切削构件34具有圆环状的刀具安装座(未图示)，其固定于主轴的另一端侧，该主轴的另一端侧露出到主轴壳体34a的外部，位于主轴的与旋转驱动源相反的一侧。
在刀具安装座的与主轴相反的一侧安装有所谓的轮毂型的切削刀具36。本实施方式的切削刀具36具有：圆环状的基台34b；以及圆环状的切刃34c，其设置于该基台34b的外周。切刃34c例如是在金属或树脂等结合材料中混合金刚石或CBN(Cubic Boron Nitride：立方氮化硼)等磨粒而形成的。
在基台34b的与刀具安装座相反的一侧设置有安装座螺母34d。利用安装座螺母34d和刀具安装座来夹持基台34b的两个面，从而将安装座螺母34d、基台34b以及刀具安装座一体地固定。另外，基台34b和主轴通过螺栓等固定构件以能够旋转的方式一体地固定。
在切削槽形成工序(S20)中，首先使粘贴于光器件晶片19的保护部件21与卡盘工作台32的保持面接触，并作用吸引源的负压。由此，光器件晶片19在基板11的背面11b侧向上方露出的状态下被吸引保持于卡盘工作台32。
并且，一边使切削刀具36高速旋转一边使切削构件34朝向卡盘工作台32下降，按照切削刀具36的切刃34c的底部与未到达基板11的正面11a的规定的深度对应的方式调节切刃34c的位置。
接着，在维持切刃34c的切入深度的状态下，使切削构件34和卡盘工作台32沿着X轴方向相对地移动。由此，从沿着X轴方向的一条分割预定线13的一端至另一端，在基板11上形成规定的深度的切削槽17(参照图4)。
在切削槽17形成至分割预定线13的另一端之后，使切削构件34在Y轴方向上移动。并且，从在Y轴方向上与上述一条分割预定线13相邻的另一分割预定线13的一端至另一端，同样地形成切削槽17。
在沿着在X轴方向上的所有分割预定线13形成了切削槽17之后，通过旋转机构使卡盘工作台32旋转90度，再次同样地沿着在Y轴方向上的所有分割预定线13形成切削槽17。
由此，在背面11b侧的与分割预定线13对应的所有区域形成规定的深度的切削槽17。另外，切削刀具36的切刃34c的切口宽度(即，切削槽17的宽度)例如为10μm以上且100μm以下的规定的值，本实施方式的切口宽度与分割预定线13的宽度大致一致。
形成切削槽17后的基板11在切削槽17的背面11b侧具有角部17a。即，基板11具有角部17a，该角部17a是背面11b上的切削槽17的缘部。角部17a也是通过切削槽17而形成的基板11的背面11b侧的角部。如图4所示，刚形成切削槽17之后的角部17a是直角形状。
在切削槽形成工序(S20)之后，通过研磨装置对基板11的背面11b进行研磨(研磨工序(S30))。图5是示出研磨工序(S30)的立体图。另外，图6的(A)是研磨工序(S30)中的研磨垫54d和光器件晶片19的局部剖视侧视图，图6的(B)是研磨工序(S30)后的光器件晶片19的局部剖视图。
在研磨工序(S30)中，使用图5所示的研磨装置50，对基板11的背面11b进行研磨。研磨装置50具有对光器件晶片19进行支承的卡盘工作台52。该卡盘工作台52与电动机等旋转机构(未图示)连结，能够绕与Z轴方向大致平行的旋转轴高速旋转。
卡盘工作台52在上表面侧具有圆盘状的多孔板52a，多孔板52a的上表面作为隔着保护部件21而对光器件晶片19的正面19a侧进行吸引保持的保持面52b。
该保持面52b经由形成于卡盘工作台52的内部的吸引路52c和吸引路52d等而与吸引源(未图示)连接。将吸引源的负压作用于保持面52b，从而通过卡盘工作台52对光器件晶片19的正面19a侧进行吸引保持。
研磨装置50在与卡盘工作台52对置的位置还具有研磨构件(研磨单元)54。研磨构件54具有绕与Z轴方向大致平行的旋转轴旋转的主轴54a。该主轴54a通过升降机构(未图示)进行升降。圆盘状的磨轮安装座54b固定于主轴54a的下端侧。
在磨轮安装座54b的下表面上安装有直径与磨轮安装座54b大致相同的支承板54c。支承板54c由铝或不锈钢等金属材料形成。
在支承板54c的下表面上粘接有直径与支承板54c大致相同的研磨垫54d。本实施方式的研磨垫54d由不含有磨粒的聚氨酯(即，氨基甲酸酯树脂)构成。研磨垫54d是依据ISO7619的利用A型硬度计所测量的硬度(即，肖氏硬度(A型))为50以上且90以下的软质的研磨垫。
另外，肖氏硬度(A型)越低，研磨垫54d越柔软，肖氏硬度(A型)50是适合对本实施方式的基板11进行研磨的最小硬度。另外，肖氏硬度(A型)越高，研磨垫54d越硬，肖氏硬度(A型)90是适合研磨垫54d陷入本实施方式的切削槽17的最大硬度。
研磨垫54d、支承板54c、磨轮安装座54b以及主轴54a以能够旋转的方式一体地进行固定，按照沿着旋转轴呈直线状贯通各自的内部的方式设置有研磨液提供路56。在研磨时，从位于研磨液提供路56的端部的研磨垫54d的开口56a提供研磨液58。作为研磨液58，例如使用包含磨粒、研磨促进剂以及水的混合物。磨粒例如是氧化铝颗粒、金刚石颗粒、CBN颗粒。
在研磨工序(S30)中，首先利用卡盘工作台52的保持面52b对光器件晶片19的正面19a侧进行吸引保持。并且，一边使研磨构件54和卡盘工作台52向规定的方向旋转一边使研磨构件54朝向卡盘工作台52下降。另外，从研磨垫54d的开口56a向基板11的背面11b上提供包含磨粒的研磨液58。
研磨垫54d的下表面一边旋转一边与基板11的背面11b接触而对该背面11b进行研磨。此时，用规定的力将研磨垫54d按压至背面11b，从而使研磨垫54d一边陷入切削槽17一边对背面11b进行研磨。软质的研磨垫54d与切削槽17的背面11b侧的角部17a接触而对角部17a进行研磨(参照图6的(A))。
例如，分别使研磨构件54按照750rpm、使卡盘工作台52按照745rpm进行旋转，同时用240N的力(负载)将研磨垫54d按压至背面11b，从而能够使研磨垫54d一边陷入切削槽17一边对背面11b进行研磨。
如上所述，本实施方式的研磨垫54d不具有磨粒，因此提供例如包含磨粒、研磨促进剂以及水的研磨液58。另外，在研磨垫54d具有磨粒的情况下，也可以提供包含研磨促进剂和水且不包含磨粒的研磨液58。
在本实施方式中，通过研磨工序(S30)，在切削槽17的背面11b侧的角部17a形成倾斜面。该倾斜面例如从背面11b连续地形成至切削槽17的深度位置的1/100处、1/10处或1/2处。另外，角部17a的形状不限于倾斜面，也可以是曲面。
作为一例，在基板11的厚度为420μm的情况下，切削槽17的深度为110μm，切口宽度为30μm以上且35μm以下。另外，形成于切削槽17的角部17a的倾斜面或曲面从基板11的背面11b形成至1.3μm的深度。
通过在角部17a设置倾斜面或曲面，与基板11的角部17a是直角的情况相比，能够抑制在基板11的内部，光发生全反射而衰减的情况。因此，能够提高从基板11向光器件晶片19的正面19a侧取出的光的取出效率。
在研磨工序(S30)之后，从背面11b侧沿着分割预定线13照射激光束L，在基板11的内部形成改质层13a(改质层形成工序(S40))。图7是示出改质层形成工序(S40)的立体图。图8是改质层形成工序(S40)后的光器件晶片19的局部剖视图。
在改质层形成工序(S40)中，例如可以使用图7所示的激光加工装置60来形成改质层13a。激光加工装置60具有对光器件晶片19进行吸引保持的卡盘工作台62。
在卡盘工作台62的下方设置有工作台移动机构(未图示)，卡盘工作台62通过该工作台移动机构沿着X轴方向(加工进给方向)和Y轴方向(分度进给方向)移动。
卡盘工作台62的上表面的一部分作为对粘贴于光器件晶片19的保护部件21进行吸引保持的保持面。通过形成于卡盘工作台62的内部的流路(未图示)等而对该保持面作用吸引源(未图示)的负压，产生用于对保护部件21进行吸引的吸引力。
在卡盘工作台62的上方配置有激光加工单元64。在与激光加工单元64相邻的位置设置有用于对光器件晶片19进行拍摄的相机(拍摄构件)66。所拍摄的光器件晶片19的图像用于光器件晶片19与激光加工单元64的对位等。
激光加工单元64按照将从激光振荡器(未图示)射出的激光束L的聚光点定位于基板11的内部的方式将激光束L照射至基板11的规定的位置。激光振荡器构成为能够射出对于基板11具有透过性的波长(即，透过基板11的波长)的激光束L。
在改质层形成工序(S40)中，首先使粘贴于光器件晶片19的保护部件21与卡盘工作台62的保持面接触并作用吸引源的负压。由此，光器件晶片19在背面11b侧向上方露出的状态下被吸引保持于卡盘工作台62上。
接着，使保持着光器件晶片19的卡盘工作台62移动和旋转，从而使分割预定线13与加工进给方向一致，使激光加工单元64对齐在分割预定线13的端部。并且，一边从激光加工单元64朝向基板11的背面11b照射激光束L一边使卡盘工作台62在与加工对象的分割预定线13平行的方向上移动。即，从基板11的背面11b侧沿着分割预定线13照射激光束L。
此时，将激光束L的聚光点的位置对齐在基板11的内部。由此，在激光束L的聚光点附近产生多光子吸收，因此能够形成沿着分割预定线13的改质层13a(参照图8)。
在本实施方式中，从沿着规定的方向的一条分割预定线13的一端至另一端照射激光束L，从而在沿着该一条分割预定线13的规定的深度位置形成改质层13a(一次激光束L的扫描)。
另外，改变聚光点的深度位置而进行多次上述一次激光束L的扫描。由此，沿着一条分割预定线13在不同的深度位置形成多个改质层13a。
接着，使卡盘工作台62旋转90度，从与上述一条分割预定线13交叉的另一分割预定线13的一端至另一端，与上述一条分割预定线13同样地，在不同的深度位置形成多个改质层13a。这样，沿着所有的分割预定线13形成改质层13a。
另外，与改质层13a一起形成从最靠近切削槽17的底部17b的改质层13a至切削槽17的底部17b的裂纹13b以及从最靠近光器件晶片19的正面19a的改质层13a至正面19a的裂纹13b。
在改质层形成工序(S40)之后，在扩展带23上粘贴基板11的背面11b侧和环状的框架25，将光器件晶片19的正面19a侧的保护部件21剥离(框架单元形成工序(S50))。图9是示出框架单元形成工序(S50)的立体图。
在框架单元形成工序(S50)中，首先按照基板11的背面11b露出的方式将由金属形成的环状的框架25和基板11配置在台上。此时，将基板11配置在框架25的开口内。并且，在框架25和基板11的背面11b上粘贴扩展带23，该扩展带23具有伸缩性，直径大于光器件晶片19。
由此，光器件晶片19借助扩展带23而支承于框架25。并且，将保护部件21从光器件晶片19的正面19a剥离而结束框架单元形成工序(S50)。
在框架单元形成工序(S50)之后，对光器件晶片19的基板11赋予外力而将光器件晶片19分割成各个光器件芯片29(分割工序(S60))。图10的(A)是示出基板11的分割前的状态的图，图10的(B)是示出基板11的分割后的状态的图。
分割工序(S60)可以使用图10的(A)所示的分割装置70来执行。分割装置70具有圆筒状的鼓72，该圆筒状的鼓72具有比光器件晶片19的直径大的直径。另外，分割装置70具有框架支承台74，该框架支承台74设置成从外周侧围绕鼓72的上端部。
框架支承台74具有直径大于鼓72的直径的开口，将鼓72配置在该开口内。另外，在框架支承台74的外周侧的多个部位设置有夹具76。框架支承台74和夹具76构成框架保持单元78。
当将框架单元27载置于框架支承台74上并通过夹具76对框架单元27的框架25进行固定时，将框架单元27固定于框架保持单元78。
框架支承台74通过沿着铅垂方向延伸的多个活塞杆82进行支承。在各活塞杆82的下端部设置有气缸84，该气缸84通过圆盘状的基座(未图示)进行支承，使活塞杆82升降。当使各气缸84为吸入状态时，将框架支承台74相对于鼓72下拉。这样，活塞杆82和气缸84构成驱动构件(驱动单元)80。
在分割工序(S60)中，首先按照分割装置70的鼓72的上端的高度与框架支承台74的上表面的高度一致的方式使气缸84进行动作而调节框架支承台74的高度。
接着，将框架单元27载置于分割装置70的鼓72和框架支承台74上。然后，通过夹具76将框架单元27的框架25固定于框架支承台74上。
接着，使气缸84进行动作而将框架支承台74相对于鼓72下拉。于是，如图10的(B)所示，扩展带23向外周方向扩展。
当扩展带23向外周方向扩展时，光器件晶片19以沿着分割预定线13形成的改质层13a为起点而分割成多个光器件芯片29，并且光器件芯片29彼此之间的间隔扩展。由此，光器件芯片29彼此在X-Y平面方向上分开，因此各个光器件芯片29的拾取变得容易。
本实施方式的光器件晶片19的加工方法按照上述的保护部件粘贴工序(S10)、切削槽形成工序(S20)、研磨工序(S30)、改质层形成工序(S40)、框架单元形成工序(S50)以及分割工序(S60)的顺序进行。图11是光器件晶片19的加工方法的流程图。
接着，对通过本实施方式的光器件晶片19的加工方法制造的光器件芯片29进行说明。图12的(A)是切削槽17的角部17a为倾斜面的光器件芯片29的剖视图，图12的(B)是切削槽17的角部17a为曲面的光器件芯片29的剖视图。
光器件芯片29利用上述切削槽形成工序(S20)和研磨工序(S30)而在所形成的角部17a上具有倾斜面(图12的(A))或曲面(图12的(B))。角部17a是倾斜面还是曲面根据例如研磨垫54d的硬度、在研磨工序(S30)中按压研磨垫54d的力等而确定。
与具有磨粒的研磨垫54d相比，不具有磨粒的研磨垫54d的硬度较低(即，更柔软)。研磨垫54d越柔软，研磨垫54d越容易在研磨工序(S30)中进入至切削槽17，因此容易在切削槽17的角部17a形成倾斜面或曲面。
因此，与具有磨粒的研磨垫54d相比，优选使用不具有磨粒的研磨垫54d。另外，上述研磨垫54d的肖氏硬度(A型)可以为50以上且80以下，可以为50以上且70以下，也可以为50以上且60以下。
从光器件15入射至基板11内部的一部分光从倾斜面或曲面的角部17a漏出至外部。因此，与基板11的背面11b侧的角部17a是直角的情况相比，能够抑制在光器件15的基板11内部，光发生全反射而衰减的情况。由此，能够提高从基板11向光器件晶片19的正面19a侧取出的光的取出效率，能够提高光器件芯片29的亮度。
除此之外，上述实施方式的构造、方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当变更并实施。

Claims (2)

1.一种光器件晶片的加工方法，该光器件晶片在基板的正面上的由呈格子状形成的分割预定线划分的多个区域内分别形成有光器件，将该光器件晶片沿着该分割预定线进行分割，其特征在于，
该光器件晶片的加工方法具有如下的工序：
切削槽形成工序，将切削刀具从该基板的背面的与该分割预定线对应的区域切入该基板而形成规定的深度的切削槽；
研磨工序，一边向该基板的该背面提供研磨液一边通过研磨垫以使该研磨垫绕与该背面垂直的旋转轴旋转的方式对该基板的该背面进行研磨；
改质层形成工序，从该基板的该背面侧沿着该切削槽将对于该基板具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该基板的内部，从而形成改质层；以及
分割工序，对该基板赋予外力而将该光器件晶片分割成各个光器件芯片，
在该研磨工序中，用规定的力将该研磨垫按压至该基板的该背面，从而使该研磨垫一边陷入该切削槽一边进行研磨，由此在该切削槽的位于该基板的该背面侧的角部形成倾斜面或曲面。
2.根据权利要求1所述的光器件晶片的加工方法，其特征在于，
该研磨垫是由肖氏硬度(A型)为50以上且90以下的聚氨酯构成的软质的研磨垫。
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