TWI791121B - 光元件晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]使光元件晶片之光的取出效率提升。 [解決手段]提供一種光元件晶圓的加工方法，其具備以下步驟：切割溝形成步驟，以切割刀片在基板的背面之對應於分割預定線的區域形成預定深度的切割溝；研磨步驟，一邊對基板的背面供給研磨液一邊藉由研磨墊研磨基板的背面；改質層形成步驟，從基板的背面側將對基板具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點定位在基板的內部，並沿著切割溝來形成改質層；及分割步驟，將光元件晶圓分割成一個個的光元件晶片，在研磨步驟中是藉由以預定之力將研磨墊對基板的背面按壓而使研磨墊一邊陷入切割溝一邊研磨，藉此在切割溝之基板的背面側的角部形成傾斜面或曲面。

Description

光元件晶圓的加工方法
發明領域 本發明是有關於一種在光元件晶圓的背面形成預定深度的切割溝後，以研磨墊研磨光元件晶圓的背面而將研磨後的光元件晶圓分割的光元件晶圓的加工方法。
發明背景 LED(發光二極體，Light Emitting Diode)及LD(雷射二極體，Laser Diode)等的光元件晶片可用於照明器具、各種電子機器的背光等。此等光元件晶片是以將光元件晶圓分割成一個個的方式來製造，其中前述光元件晶圓在例如藍寶石基板、碳化矽(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板等的結晶成長用的基板的正面積層有具有n型及p型半導體層之發光層。
作為光元件晶片的製造方法而已知的有下述方法：從光元件晶圓的基板的背面到預定厚度沿著分割預定線來形成改質層，並沿著已形成的改質層將光元件晶圓分割成光元件晶片，之後磨削分割後的光元件晶片的背面直到去除改質層(參照例如專利文獻1)。
然而，對於LED及LD等的光元件晶片會要求讓亮度變得更高。為了提升亮度，必須提升發光層的光效率、光的取出效率等。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2005-86161號公報
發明概要 發明欲解決之課題 根據專利文獻1記載的加工方法而製造出的光元件晶片的基板是成為長方體形狀，前述長方體形狀具有相對於基板的正面及背面為垂直的側面。於是，由於從發光層往基板側射出的光在基板的側面全反射的比例比較高，並且導致光在反覆全反射當中在基板內部衰減，因此存在有易於使從基板往發光層側取出之光的取出效率降低的問題。
本發明是有鑒於所述的問題點而作成之發明，目的在於提供一種以提升光元件晶片之光的取出效率的方式來提升光元件晶片的亮度之光元件晶圓的加工方法。 用以解決課題之手段
依據本發明的一態樣，可提供一種光元件晶圓的加工方法，前述光元件晶圓在藉由於基板的正面形成為格子狀的分割預定線所區劃出的複數個區域的每一個中形成有光元件，前述光元件晶圓的加工方法是沿著該分割預定線分割前述光元件晶圓，並具備以下步驟： 切割溝形成步驟，以切割刀片在該基板的背面之對應於該分割預定線的區域形成預定深度的切割溝； 研磨步驟，一邊對該基板的該背面供給研磨液一邊藉由研磨墊研磨該基板的該背面； 改質層形成步驟，從該基板的該背面側將對該基板具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點定位在該基板的內部，並沿著該切割溝來形成改質層；及 分割步驟，對該基板賦與外力而將該光元件晶圓分割成一個個的光元件晶片， 在該研磨步驟中是藉由以預定之力將該研磨墊對該基板的該背面按壓而使該研磨墊一邊陷入該切割溝一邊研磨，藉此在該切割溝之該基板的該背面側的角部形成傾斜面或曲面。
較佳的是，該研磨墊是藉由蕭氏硬度(A型)為50以上且90以下的聚氨酯所構成的軟質的研磨墊。 發明效果
在本發明之光元件晶圓的研磨步驟中，是藉由讓研磨墊一邊陷入切割溝一邊研磨，而在切割溝之基板的背面側的角部形成傾斜面或曲面。藉此，從光元件晶圓分割出的光元件晶片會在對應於切割溝的角部具有傾斜面或曲面。
在此光元件晶片中，由於是讓從光元件射入基板的內部之光的一部分從傾斜面或曲面往外部穿出，因此相較於切割溝的背面側的角部為直角的基板，可以抑制光在基板的內部衰減之情形。於是，可以提升從基板往光元件側被取出之光的取出效率，並提升光元件晶片的亮度。
用以實施發明之形態 參照附加圖式，說明本發明的一個態樣之實施形態。圖1(A)是光元件晶圓19的立體圖，圖1(B)是圖1(A)的I-I截面圖。光元件晶圓19具有形成為圓盤狀的藍寶石基板即基板11。
再者，對於基板11的材質、形狀、構造、或大小等並無限制。例如作為基板11，也可以使用碳化矽(SiC)基板、氮化鎵(GaN)基板等的半導體基板來代替藍寶石基板。
於基板11的正面11a上設有藉由磊晶成長法等之結晶成長法所形成的光元件15。光元件15包含發光層與電極，前述發光層包含例如n型及p型半導體層，前述電極會對這些半導體層施加電壓。再者，對於光元件15的種類、數量、形狀、構造、大小、配置等並無限制。
光元件15是設置在藉由配置成格子狀的複數條分割預定線(切割道)13所區劃出的複數個區域的每一個中。分割預定線13是以預定的寬度於基板的正面形成為格子狀，並且位於各光元件15之間。
與基板11的正面11a為相反的相反側之面，是露出於外部之基板11的背面11b。基板11的背面11b亦為光元件晶圓19的背面。再者，在本實施形態中是將光元件15之與基板11為相反的相反側之面稱為光元件晶圓19的正面19a。
接著，說明將保護構件21貼附到光元件晶圓19的正面19a之保護構件貼附步驟(S10)。圖2是顯示保護構件貼附步驟(S10)的立體圖。
在本實施形態中，是將具有與光元件晶圓19同等的直徑之樹脂製的保護構件21貼附到光元件晶圓19的正面19a。藉由設置保護構件21，可以防止後述的加工步驟中的光元件15的損傷。
在保護構件貼附步驟(S10)後，於基板11的背面11b形成切割溝17(切割溝形成步驟(S20))。圖3是顯示切割溝形成步驟(S20)的立體圖，圖4是切割溝形成步驟(S20)後之光元件晶圓19及保護構件21的局部截面圖。
切割溝17可以使用切割裝置30來形成。切割裝置30具備吸引保持光元件晶圓19的工作夾台32。工作夾台32是與馬達等的旋轉機構(未圖示)連結，且可以繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸旋轉。又，在工作夾台32的下方設置有工作台移動機構(未圖示)，工作夾台32是藉由此工作台移動機構而在X軸方向(加工進給方向)上移動。
工作夾台32的上表面的一部分是形成為隔著保護構件21來吸引保持光元件晶圓19的正面19a側的保持面。再者，在圖3中以虛線表示位於光元件晶圓19的正面19a側的光元件15。
工作夾台32的保持面是透過形成在工作夾台32的內部之吸引路(未圖示)等而連接到吸引源(未圖示)。可藉由讓吸引源的負壓作用於保持面，而以工作夾台32吸引保持光元件晶圓19。
又，切割裝置30更具備用於切割加工基板11的切割組件(切割單元)34。與切割組件34相鄰的位置設置有用於拍攝光元件晶圓19的相機(拍攝組件)38。所拍攝到的光元件晶圓19的圖像是利用在光元件晶圓19與切割組件34的對位等。
切割組件34具有主軸(未圖示)與筒狀的主軸殼體34a，前述主軸是成為與Y軸方向(分度進給方向)大致平行的旋轉軸，前述主軸殼體34a是供此主軸部分地容置。主軸殼體34a可以藉由所謂的空氣軸承而可旋轉地支撐主軸。
切割組件34更具有包含馬達的旋轉驅動源(未圖示)，前述馬達是連結於主軸的一端側。又，切割組件34具有圓環狀的刀片安裝座(未圖示)，前述刀片安裝座是露出於主軸殼體34a的外部，並且固定在位於主軸之與旋轉驅動源為相反的相反側的另一端側。
刀片安裝座之與主軸為相反的相反側上，裝設有所謂的輪轂型的切割刀片36。本實施形態的切割刀片36具有圓環狀的基台34b、設置於此基台34b的外周之圓環狀的切割刃34c。切割刃34c是在例如金屬或樹脂等的黏結材(結合材)中混合鑽石或CBN(立方氮化硼，Cubic Boron Nitride)等的磨粒而形成。
在基台34b之與刀片安裝座為相反的相反側上設有安裝座螺帽34d。藉由以安裝座螺帽34d與刀片安裝座來夾持基台34b的兩面，可將安裝座螺帽34d、基台34b、及刀片安裝座一體地固定。又，基台34b與主軸是藉由螺栓等的固定組件，而以可旋轉的態樣一體地被固定。
在切割溝形成步驟(S20)中，首先使已貼附於光元件晶圓19之保護構件21接觸於工作夾台32的保持面，並使吸引源的負壓作用。藉此，光元件晶圓19是以基板11的背面11b側露出於上方的狀態被工作夾台32所吸引保持。
然後，使切割刀片36高速地旋轉並且使切割組件34朝向工作夾台32下降，而將切割刃34c的位置調節成對應於不使切割刀片36的切割刃34c的底部到達基板11的正面11a的預定深度。
接著，原樣維持切割刃34c的切入深度，並且使切割組件34與工作夾台32沿X軸方向相對地移動。藉此，於基板11上從沿著X軸方向的1條分割預定線13的一端到另一端形成預定深度的切割溝17(參照圖4)。
在到分割預定線13的另一端而形成有切割溝17後，使切割組件34朝Y軸方向移動。然後，從與上述之1條分割預定線13在Y軸方向上相鄰的其他的分割預定線13的一端到另一端來同樣地形成切割溝17。
依循沿著X軸方向的全部的分割預定線13來形成切割溝17後，藉由旋轉機構使工作夾台32旋轉90度，並再次同樣地依循沿著X軸方向上的全部的分割預定線13來形成切割溝17。
藉此，在背面11b側之對應於分割預定線13的全部的區域形成預定深度的切割溝17。再者，切割刀片36的切割刃34c的切口(kerf)寬度(即切割溝17的寬度)是例如10μm以上且100μm以下的預定之值，本實施形態的切口寬度與分割預定線13的寬度為大致一致。
切割溝17形成後的基板11，在切割溝17的背面11b側具有角部17a。亦即，基板11具有背面11b中的切割溝17的緣部即角部17a。角部17a亦可為藉由切割溝17所形成之基板11的背面11b側的角部。如圖4所示，切割溝17剛形成後的角部17a是直角形狀。
切割溝形成步驟(S20)之後，藉由研磨裝置研磨基板11的背面11b(研磨步驟(S30))。圖5是顯示研磨步驟(S30)的立體圖。又，圖6(A)是研磨步驟(S30)中的研磨墊54d及光元件晶圓19的局部截面側面圖，圖6(B)是研磨步驟(S30)後的光元件晶圓19的局部截面圖。
在研磨步驟(S30)中是使用圖5所示的研磨裝置50來研磨基板11的背面11b。研磨裝置50具備支撐光元件晶圓19之工作夾台52。此工作夾台52是與馬達等的旋轉機構(未圖示)連結，且可以繞著與Z軸方向大致平行的旋轉軸高速地旋轉。
工作夾台52在上表面側具備有圓盤狀的多孔板52a，並且多孔板52a的上表面是形成為隔著保護構件21來吸引保持光元件晶圓19的正面19a側的保持面52b。
此保持面52b是透過形成於工作夾台52的內部的吸引路52c及吸引路52d等而連接到吸引源(未圖示)。可藉讓吸引源的負壓作用於保持面52b的方式，來藉由工作夾台52吸引保持光元件晶圓19的正面19a側。
研磨裝置50在相向於工作夾台52的位置上更具備有研磨組件(研磨單元)54。研磨組件54具有繞著在Z軸方向上大致平行的旋轉軸旋轉的主軸54a。此主軸54a是藉由升降機構(未圖示)而進行升降。於主軸54a的下端側固定有圓盤狀的輪座54b。
於輪座54b的下表面裝設有與輪座54b大致相同直徑的支撐板54c。支撐板54c是以鋁或不鏽鋼等的金屬材料所形成。
支撐板54c的下表面黏結有與支撐板54c大致相同直徑的研磨墊54d。本實施形態的研磨墊54d是由未含磨粒的聚氨酯(即胺基甲酸乙脂樹脂)所構成。研磨墊54d是遵循ISO7619之以A型硬度計所測定之硬度(即蕭氏硬度(A型))為50以上且90以下之軟質的研磨墊。
再者，若蕭氏硬度(A型)越低，研磨墊54d會越柔軟，蕭氏硬度(A型)50是適合於研磨本實施形態中的基板11之最小的硬度。又，若蕭氏硬度(A型)越高，研磨墊54d會越硬，蕭氏硬度(A型)90是適合於本實施形態之讓研磨墊54d陷入切割溝17的最大的硬度。
研磨墊54d、支撐板54c、輪座54b及主軸54a均是以可旋轉的態樣而一體地固定，並且將研磨液供給路56設置成沿著旋轉軸直線狀地貫通於各個的內部。研磨時，是從位於研磨液供給路56的端部之研磨墊54d的開口56a來供給研磨液58。作為研磨液58可使用例如包含磨粒、研磨促進劑與水的混合物。磨粒為例如氧化鋁粒子、鑽石粒子、CBN粒子。
在研磨步驟(S30)中，首先是以工作夾台52的保持面52b吸引保持光元件晶圓19的正面19a側。然後，使研磨組件54與工作夾台52朝預定的方向旋轉，並且使研磨組件54朝工作夾台52下降。又，從研磨墊54d的開口56a對基板11的背面11b供給包含磨粒的研磨液58。
研磨墊54d的下表面是一邊旋轉一邊接觸於基板11的背面11b來研磨此背面11b。此時，藉由以預定之力將研磨墊54d對背面11b按壓，而使研磨墊54d一邊陷入切割溝17一邊研磨背面11b。軟質的研磨墊54d碰到切割溝17的背面11b側的角部17a，角部17a即受到研磨(參照圖6(A))。
例如藉由分別使研磨組件54以750rpm旋轉，使工作夾台52以745rpm旋轉，並且以240N之力(荷重)將研磨墊54d對背面11b按壓，而可以使研磨墊54d一邊陷入切割溝17一邊研磨背面11b。
如上述，由於本實施形態的研磨墊54d不具有磨粒，因此是例如供給包含磨粒、研磨促進劑與水的研磨液58。再者，在研磨墊54d具有磨粒的情況下，亦可供給包含研磨促進劑與水且不包含磨粒的研磨液58。
在本實施形態中是藉由研磨步驟(S30)，而在切割溝17的背面11b側的角部17a形成傾斜面。此傾斜面例如是從背面11b連續地形成到切割溝17的深度位置的1/100為止、1/10為止、或1/2為止。又，角部17a的形狀並不限定為傾斜面，亦可為曲面。
作為一例，在基板11的厚度為420μm的情況下，切割溝17的深度為110μm，切口寬度為30μm以上且35μm以下。又，形成於切割溝17的角部17a之傾斜面或曲面可從基板11的背面11b形成到1.3μm的深度為止。
相較於基板11的角部17a為直角的情況，藉由在角部17a設置傾斜面或曲面之作法，可以抑制光在基板11的內部全反射而衰減的情形。於是，可以提升從基板11往光元件晶圓19的正面19a側取出之光的取出效率。
在研磨步驟(S30)後，從背面11b側沿著分割預定線13照射雷射光束L，而在基板11的內部形成改質層13a(改質層形成步驟(S40))。圖7是顯示改質層形成步驟(S40)的立體圖。圖8是改質層形成步驟(S40)後的光元件晶圓19的局部截面圖。
在改質層形成步驟(S40)中可以使用例如圖7所示之雷射加工裝置60來形成改質層13a。雷射加工裝置60具備有吸引保持光元件晶圓19的工作夾台62。
於工作夾台62的下方設有工作台移動機構(未圖示)，工作夾台62是藉由此工作台移動機構而沿著X軸方向(加工進給方向)及Y軸方向(分度進給方向)移動。
工作夾台62的上表面的一部分是成為吸引保持已貼附在光元件晶圓19的保護構件21的保持面。在此保持面上，是通過形成於工作夾台62的內部的流路(未圖示)等使吸引源(未圖示)的負壓作用，而產生用於吸引保護構件21的吸引力。
在工作夾台62的上方配置有雷射加工單元64。在與雷射加工單元64相鄰的位置設置有用於拍攝光元件晶圓19的相機(拍攝組件)66。所拍攝到的光元件晶圓19的圖像是利用於光元件晶圓19與雷射加工單元64的對位等。
雷射加工單元64是以將從雷射振盪器(未圖示)所射出的雷射光束L的聚光點定位在基板11的內部的方式，來將雷射光束L照射於基板11的預定的位置。雷射振盪器是構成為可以射出對基板11具有穿透性之波長(即於基板11穿透的波長)的雷射光束L。
在改質層形成步驟(S40)中，首先是使已貼附於光元件晶圓19之保護構件21接觸於工作夾台62的保持面，並使吸引源之負壓作用。藉此，光元件晶圓19會以背面11b側露出於上方之狀態被工作夾台62所吸引保持。
接著，藉由使保持有光元件晶圓19的工作夾台62移動及旋轉，而將分割預定線13對齊於加工進給方向，並將雷射加工單元64對齊於分割預定線13的端部。然後，從雷射加工單元64朝向基板11的背面11b照射雷射光束L，並且使工作夾台62在與加工對象之分割預定線13平行的方向上移動。亦即，從基板11的背面11b側沿著分割預定線13來照射雷射光束L。
此時，將雷射光束L的聚光點的位置對準於基板11的內部。藉此，由於在雷射光束L的聚光點附近產生多光子吸收，因此可以形成沿著分割預定線13的改質層13a(參照圖8)。
在本實施形態中是藉由從沿著預定的方向的1條分割預定線13的一端到另一端來照射雷射光束L，而在沿著此1條分割預定線13的預定的深度位置上形成改質層13a(1次的雷射光束L的掃描)。
進一步改變聚光點的深度位置來將上述之1次的雷射光束L的掃描進行複數次。藉此，沿著1條分割預定線13在不同的深度位置上形成複數個改質層13a。
接著，使工作夾台62旋轉90度，而從與上述之1條分割預定線13交叉的其他的分割預定線13的一端到另一端，與上述之1條分割預定線13同樣地在不同的深度位置上形成複數個改質層13a。如此進行來沿著全部的分割預定線13形成改質層13a。
又，與改質層13a一起而形成有從最靠近切割溝17的底部17b的改質層13a到切割溝17的底部17b之裂隙13b、以及從最靠近光元件晶圓19的正面19a的改質層13a到正面19a之裂隙13b。
在改質層形成步驟(S40)之後，將基板11的背面11b側與環狀的框架25貼附到擴張膠帶23，並將光元件晶圓19的正面19a側的保護構件21剝下(框架單元形成步驟(S50))。圖9是顯示框架單元形成步驟(S50)的立體圖。
在框架單元形成步驟(S50)中，首先是以露出基板11的背面11b的方式，將以金屬所形成的環狀的框架25及基板11配置於台上。此時，將基板11配置於框架25的開口內。然後，在框架25及基板11的背面11b貼附擴張膠帶23，前述擴張膠帶23為直徑比光元件晶圓19更大且具有伸縮性。
藉此，可透過擴張膠帶23將光元件晶圓19支撐在框架25上。然後，從光元件晶圓19的正面19a將保護構件21剝離而結束框架單元形成步驟(S50)。
在框架單元形成步驟(S50)之後，對光元件晶圓19的基板11賦與外力，而將光元件晶圓19分割成一個個的光元件晶片29(分割步驟(S60))。圖10(A)是顯示基板11的分割前的狀態的圖，圖10(B)是顯示基板11的分割後的狀態的圖。
分割步驟(S60)可以使用圖10(A)所示的分割裝置70來實行。分割裝置70具備圓筒狀的滾筒72，前述滾筒72具有比光元件晶圓19的直徑更大的直徑。又，分割裝置70具備設置成從外周側包圍滾筒72的上端部的框架支撐台74。
框架支撐台74具有直徑比滾筒72的直徑更大的開口，且滾筒72是配置於此開口內。又，在框架支撐台74的外周側的複數處設有夾具76。框架支撐台74與夾具76構成框架保持單元78。
當將框架單元27載置於框架支撐台74之上，且藉由夾具76固定框架單元27的框架25時，即可將框架單元27固定在框架保持單元78。
框架支撐台74是受沿著鉛直方向伸長的複數個活塞桿82所支撐。各活塞桿82的下端部設有受圓盤狀的基座(未圖示)所支撐並且使活塞桿82升降的汽缸84。當將各汽缸84設為拉入狀態時，即可相對於滾筒72而將框架支撐台74下拉。像這樣，活塞桿82及汽缸84即構成驅動組件(驅動單元)80。
在分割步驟(S60)中，首先使汽缸84作動以將框架支撐台74的高度調節成使分割裝置70的滾筒72的上端之高度、與框架支撐台74的上表面之高度一致。
接著，使框架單元27載置於分割裝置70的滾筒72及框架支撐台74之上。之後，藉由夾具76將框架單元27的框架25固定在框架支撐台74之上。
接著，使汽缸84作動，而將框架支撐台74相對於滾筒72下拉。如此一來，即如圖10(B)所示，將擴張膠帶23朝外周方向擴張。
當將擴張膠帶23朝外周方向擴張時，會以沿著分割預定線13而形成的改質層13a為起點將光元件晶圓19分割成複數個光元件晶片29，且將光元件晶片29彼此的間隔擴大。藉此，由於光元件晶片29彼此在X-Y平面方向上相遠離，因此變得容易進行一個個的光元件晶片29的拾取。
本實施形態之光元件晶圓19的加工方法是依上述之保護構件貼附步驟(S10)、切割溝形成步驟(S20)、研磨步驟(S30)、改質層形成步驟(S40)、框架單元形成步驟(S50)、及分割步驟(S60)的順序來進行。圖11是光元件晶圓19的加工方法的流程圖。
接著，針對藉由本實施形態之光元件晶圓19的加工方法所製造出的光元件晶片29作說明。圖12(A)是切割溝17的角部17a為傾斜面之光元件晶片29的截面圖，圖12(B)是切割溝17的角部17a為曲面之光元件晶片29的截面圖。
光元件晶片29在上述之切割溝形成步驟(S20)及研磨步驟(S30)中所形成的角部17a上具有傾斜面(圖12(A))或曲面(圖12(B))。角部17a成為傾斜面或成為曲面是因應於例如研磨墊54d的硬度、在研磨步驟(S30)中按壓研磨墊54d之力等而決定。
研磨墊54d是不具有磨粒之研磨墊54d比具有磨粒者硬度會變得較低(即變得更柔軟)。由於研磨墊54d越柔軟，在研磨步驟(S30)中研磨墊54d會變得越易於進入切割溝17，因此變得易於在切割溝17的角部17a形成傾斜面或曲面。
於是，比起具有磨粒之研磨墊54d，宜使用不具有磨粒的研磨墊54d。再者，上述之研磨墊54d的蕭氏硬度(A型)宜設為50以上且80以下、亦可設為50以上且70以下、亦可設為50以上且60以下。
從光元件15入射到基板11內部之光的一部分會從傾斜面或曲面的角部17a往外部穿出。於是，相較於基板11的背面11b側的角部17a為直角的情況，可以抑制光在光元件15的基板11內部全反射而衰減的情形。藉此，可以提升從基板11往光元件晶圓19的正面19a側被取出之光的取出效率，並提升光元件晶片29的亮度。
另外，上述實施形態之構造、方法等，只要在不脫離本發明的目的之範圍內，均可適當變更而實施。
11‧‧‧基板 11a、19a‧‧‧正面 11b‧‧‧背面 13‧‧‧分割預定線(切割道) 13a‧‧‧改質層 13b‧‧‧裂隙 15‧‧‧光元件 17‧‧‧切割溝 17a‧‧‧角部 17b‧‧‧底部 19‧‧‧光元件晶圓 21‧‧‧保護構件 23‧‧‧擴張膠帶 25‧‧‧框架 27‧‧‧框架單元 29‧‧‧光元件晶片 30‧‧‧切割裝置 32、52、62‧‧‧工作夾台 34‧‧‧切割組件(切割單元) 34a‧‧‧主軸殼體 34b‧‧‧基台 34c‧‧‧切割刃 34d‧‧‧安裝座螺帽 36‧‧‧切割刀片 38、66‧‧‧相機(拍攝組件) 50‧‧‧研磨裝置 52a‧‧‧多孔板 52b‧‧‧保持面 52c、52d‧‧‧吸引路 54‧‧‧研磨組件(研磨單元) 54a‧‧‧主軸 54b‧‧‧輪座 54c‧‧‧支撐板 54d‧‧‧研磨墊 56‧‧‧研磨液供給路 56a‧‧‧開口 58‧‧‧研磨液 60‧‧‧雷射加工裝置 64‧‧‧雷射加工單元 70‧‧‧分割裝置 72‧‧‧滾筒 74‧‧‧框架支撐台 76‧‧‧夾具 78‧‧‧框架保持單元 80‧‧‧驅動組件(驅動單元) 82‧‧‧活塞桿 84‧‧‧汽缸 L‧‧‧雷射光束 X、Y、Z‧‧‧方向 S10、S20、S30、S40、S50、S60‧‧‧步驟
圖1(A)是光元件晶圓的立體圖，圖1(B)是圖1(A)的I-I截面圖。 圖2是顯示保護構件貼附步驟(S10)的立體圖。 圖3是顯示切割溝形成步驟(S20)的立體圖。 圖4是切割溝形成步驟(S20)後的光元件晶圓及保護構件的局部的截面圖。 圖5是顯示研磨步驟(S30)的立體圖。 圖6(A)是研磨步驟(S30)中的研磨墊及光元件晶圓的局部截面側面圖，圖6(B)是研磨步驟(S30)後的光元件晶圓的局部截面圖。 圖7是顯示改質層形成步驟(S40)的立體圖。 圖8是改質層形成步驟(S40)後的光元件晶圓的局部截面圖。 圖9是顯示框架單元形成步驟(S50)的立體圖。 圖10(A)是顯示基板的分割前的狀態的圖，圖10(B)是顯示基板的分割後的狀態的圖。 圖11是光元件晶圓的加工方法的流程圖。 圖12(A)是切割溝的角部為傾斜面之光元件晶片的截面圖，圖12(B)是切割溝的角部為曲面之光元件晶片的截面圖。
11‧‧‧基板
11a、19a‧‧‧正面
11b‧‧‧背面
13‧‧‧分割預定線(切割道)
15‧‧‧光元件
17‧‧‧切割溝
17a‧‧‧角部
17b‧‧‧底部
19‧‧‧光元件晶圓
21‧‧‧保護構件
54d‧‧‧研磨墊

Claims (2)

  1. 一種光元件晶圓的加工方法，前述光元件晶圓在藉由於基板的正面形成為格子狀的分割預定線所區劃出的複數個區域的每一個中形成有光元件，前述光元件晶圓的加工方法是沿著該分割預定線分割前述光元件晶圓，且特徵在於具備以下步驟： 切割溝形成步驟，以切割刀片在該基板的背面之對應於該分割預定線的區域形成預定深度的切割溝； 研磨步驟，一邊對該基板的該背面供給研磨液一邊藉由研磨墊研磨該基板的該背面； 改質層形成步驟，從該基板的該背面側將對該基板具有穿透性之波長的雷射光束的聚光點定位在該基板的內部，並沿著該切割溝來形成改質層；及 分割步驟，對該基板賦與外力而將該光元件晶圓分割成一個個的光元件晶片， 在該研磨步驟中是藉由以預定之力將該研磨墊對該基板的該背面按壓而使該研磨墊一邊陷入該切割溝一邊研磨，藉此在該切割溝之該基板的該背面側的角部形成傾斜面或曲面。
  2. 如請求項1之光元件晶圓的加工方法，其中該研磨墊是藉由蕭氏硬度(A型)為50以上且90以下的聚氨酯所構成的軟質的研磨墊。
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