CN115706052A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，能够抑制同时进行从晶片的器件区域分离外周区域和从器件区域的正面侧分离背面侧时发生器件破损，并且能够抑制能够从晶片制造的芯片的数量减少。在晶片的内部形成沿着第一底面位于晶片的正面侧且直径比该第一底面短的第二底面位于晶片的内部的圆锥台的侧面那样的第一剥离层以及沿着该圆锥台的上底面那样的第二剥离层。并且，通过沿着晶片的厚度方向对晶片赋予外力，以第一剥离层和第二剥离层为分割起点而将晶片分割。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法。
背景技术
半导体器件(以下也简称为“器件”)的芯片通常利用由硅(Si)等半导体材料形成的圆盘状的晶片而制造。具体而言，该晶片由呈格子状设定的分割预定线划分，在多个区域各自的正面侧形成有器件。并且，将该晶片沿着分割预定线进行分割而制造芯片。
另外，以包含多个芯片的封装的高集成化等为目的，有时在晶片上设置硅贯通电极(TSV(Through-Silicon Via))。在该封装中，例如能够借助TSV而将不同的芯片所包含的电极电连接。
TSV例如按照以下的顺序设置于晶片。首先，在晶片的正面侧形成槽。接着，在该槽中设置TSV。接着，将晶片的正面侧贴合于支承晶片。接着，对晶片的背面侧进行磨削直至TSV在晶片的背面露出为止。
这里，在晶片中，以防止碎裂等为目的，大多对晶片的外周区域进行倒角。并且，当将外周区域进行了倒角的晶片的背面侧磨削至晶片的厚度成为一半以下时，该外周区域的背面侧成为刀刃那样的形状。
在该情况下，在磨削晶片的过程中，应力集中于外周区域的背面侧，晶片容易碎裂，担心从晶片得到的芯片的成品率降低。因此，提出了如下的方案：在进行这样的晶片的背面侧的磨削之前，进行外周区域的正面侧的一部分的去除(所谓的边缘修剪)(例如参照专利文献1)。
由此，在将外周区域的背面侧的剩余部分通过磨削去除的时刻，晶片的侧面与正面和背面大致垂直。因此，在晶片的磨削中，在外周区域的背面侧不会产生应力集中，晶片不容易碎裂。其结果是，能够抑制芯片的成品率降低。
不过，在边缘修剪之后，在对晶片的背面侧进行磨削直至TSV在晶片的背面露出为止的情况下，晶片的磨削量增多，为了磨削该晶片而需要的磨具的磨损量增多。在该情况下，使用该晶片而制造的芯片或封装的成本增加，并且担心这样的加工长期化。
鉴于该点，提出了如下的方法：利用透过晶片的波长的激光束而将晶片分割(例如参照专利文献2)。在该方法中，首先对于当照射了激光束时不产生漫反射的晶片的区域(简而言之，比进行了倒角的外周区域靠内侧的区域)，以将聚光点定位于晶片的正面侧的状态呈圆环状照射激光束。
由此，形成沿着底面位于晶片的正面侧且上表面位于晶片的内部的圆柱的侧面那样的剥离层(圆筒状的剥离层)。接着，对于比该圆筒状的剥离层靠内侧的区域，以将聚光点定位于上述圆柱的上表面的状态照射激光束。由此，形成沿着上述圆柱的上表面那样的剥离层(圆盘状的剥离层)。
接着，通过对该晶片赋予外力，在圆筒状的剥离层和圆盘状的剥离层处将晶片分割。即，从晶片的形成有器件的区域(器件区域)分离外周区域，并且从该器件区域的正面侧分离背面侧。
在这样将晶片分割的情况下，能够降低至TSV在晶片的背面露出为止所需的晶片的磨削量，能够减少为了磨削该晶片而需要的磨具的磨损量。其结果是，能够抑制使用该晶片而制造的芯片或封装的成本增加和加工长期化。
专利文献1：日本特开2007-158239号公报
专利文献2：日本特开2020-136442号公报
在如上述那样将晶片在圆筒状的剥离层和圆盘状的剥离层处分割的情况下，需要使晶片的外周区域沿着晶片的径向从器件区域离开，并且使该器件区域的背面侧沿着晶片的厚度方向从正面侧离开。
这里，为了使晶片的外周区域从器件区域离开而需要的外力的方向与为了使器件区域的背面侧从正面侧离开而需要的外力的方向垂直。因此，通过对晶片赋予沿着特定方向的外力而在圆筒状的剥离层和圆盘状的剥离层处将晶片同时分割未必容易。
例如在通过对晶片赋予沿着晶片的厚度方向的外力而将晶片分割的情况下，担心通过在圆筒状的剥离层处将晶片分割而新露出的器件区域的侧面与外周区域的内侧面相互接触。并且，在该情况下，担心龟裂朝向形成于器件区域的正面侧的器件伸展而使器件破损。
另外，圆筒状的剥离层如上所述形成于在照射了激光束时不产生漫反射的晶片的区域(简而言之，比进行了倒角的外周区域靠内侧的区域)。因此，在将晶片在该圆筒状的剥离层处分割的情况下，无法将晶片的外周区域的内侧附近的区域用于器件的芯片的制造。在该情况下，担心能够从该晶片制造的芯片的数量减少。
发明内容
鉴于上述方面，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够抑制同时进行从晶片的器件区域分离外周区域和从器件区域的正面侧分离背面侧时的器件破损，并且能够抑制能够从晶片制造的芯片的数量减少。
根据本发明，提供晶片的加工方法，在对正面侧形成有多个器件且外周区域进行了倒角的第一晶片照射透过该第一晶片的波长的激光束而在该第一晶片的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为分割起点而将该第一晶片分割，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：贴合步骤，将该第一晶片的该正面侧贴合于第二晶片的正面侧；第一剥离层形成步骤，对该第一晶片的比该外周区域靠内侧的区域按照聚光点越靠近该外周区域越靠近该第一晶片的该正面的方式照射该激光束，由此形成沿着圆锥台的侧面那样的第一剥离层，该圆锥台的第一底面位于该第一晶片的该正面侧，并且直径比该第一底面短的第二底面位于该第一晶片的内部；第二剥离层形成步骤，对该第一晶片的比该第一剥离层靠内侧的区域按照将该聚光点定位于该圆锥台的该第二底面的方式照射该激光束，由此形成沿着该圆锥台的该第二底面那样的第二剥离层；以及分割步骤，在实施了该贴合步骤、该第一剥离层形成步骤和该第二剥离层形成步骤之后，通过沿着该第一晶片的厚度方向对该第一晶片赋予外力而以该第一剥离层和该第二剥离层为该分割起点将该第一晶片分割。
优选该第一剥离层形成步骤在实施该第二剥离层形成步骤之前实施。
另外，优选在该第一剥离层形成步骤中，按照产生俯视时沿着该第一晶片的径向排列的多个聚光点的方式将该激光束分支。
在本发明中，在晶片的内部形成沿着第一底面位于晶片的正面侧且直径比该第一底面短的第二底面位于晶片的内部的圆锥台的侧面那样的第一剥离层以及沿着该圆锥台的第二底面那样的第二剥离层。并且，在本发明中，通过沿着晶片的厚度方向对晶片赋予外力，以第一剥离层和第二剥离层为分割起点而将晶片分割。
这里，在该晶片中，按照沿着圆锥台的侧面的方式形成有第一剥离层。在该情况下，在将晶片分割时，通过在第一剥离层处将晶片分割而新露出的形成有器件的区域(器件区域)的侧面与外周区域的内侧面相互接触的概率低。因此，在本发明中，龟裂朝向形成于器件区域的正面侧的器件伸展的概率也低，能够抑制器件的破损。
另外，在该晶片中，龟裂容易在从第一剥离层沿着圆锥台的侧面的方向上伸展。在该情况下，龟裂朝向形成于器件区域的正面侧的器件伸展的概率降低。因此，在本发明中，能够抑制能够从晶片制造的芯片的数量减少。
附图说明
图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。
图2是示意性示出晶片的加工方法的一例的流程图。
图3是示意性示出将晶片的正面侧贴合于支承晶片的正面侧的情况的剖视图。
图4是示意性示出在第一剥离层形成步骤和第二剥离层形成步骤中使用的激光加工装置的一例的立体图。
图5是示意性示出激光束在激光束照射单元中行进的情况的图。
图6是示意性示出对晶片的比外周区域靠内侧的区域照射激光束的情况的剖视图。
图7是示意性示出对晶片的比第一剥离层靠内侧的区域照射激光束的情况的剖视图。
图8是示意性示出将晶片分割的情况的局部剖视侧视图。
标号说明
11：晶片(第一晶片)(11a：正面、11b：背面、11c：侧面)；13：器件；15：支承晶片(第二晶片)(15a：正面、15b：背面)；17：粘接剂；19：改质区域；21：龟裂；2：激光加工装置；4：基台；6：水平移动机构；8：Y轴导轨；10：Y轴移动板；12：丝杠轴；14：电动机；16：X轴导轨；18：X轴移动板；20：丝杠轴；22：电动机；24：工作台基台；26：卡盘工作台(保持单元)(26a：保持面)；30：支承构造；32：铅垂移动机构；34：Z轴导轨；36：Z轴移动板；38：电动机；40：支承件；42：激光束照射单元；44：激光振荡器；46：衰减器；48：空间光调制器；50：反射镜；52：照射头；54：壳体；56：拍摄单元；58：触摸面板；60：分割装置；62：保持工作台；64：分割单元；66：支承部件；68：把持爪基台；70：把持爪(70a：立设部、70b：爪部)。
具体实施方式
参照附图，对本发明的实施方式进行说明。图1的(A)是示意性示出晶片的一例的俯视图，图1的(B)是示意性示出晶片的一例的剖视图。图1的(A)和图1的(B)所示的晶片11例如由硅形成，具有大致平行的正面11a和背面11b。
该晶片11由相互交叉的多条分割预定线划分成多个区域，在各区域的正面11a侧形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)和LSI(Large Scale Integration，大规模集成)、半导体存储器或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器等器件13。
另外，可以在晶片11的正面11a侧形成有设置TSV的槽。另外，晶片11的外周区域进行了倒角。即，晶片11的侧面11c按照向外侧呈凸状的方式弯曲。另外，在晶片11的外周区域未形成器件13。即，晶片11的形成有器件13的区域(器件区域)被晶片11的外周区域围绕。
另外，对于晶片11的材质、形状、构造和大小等没有限制。晶片11例如可以由硅以外的半导体材料(例如碳化硅(SiC)或氮化镓(GaN)等)形成。同样地，对于器件13的种类、数量、形状、构造、大小和配置等也没有限制。
图2是示意性示出晶片的加工方法的一例的流程图。简而言之，在该方法中，在通过对晶片11照射透过晶片11的波长的激光束而在晶片11的内部形成了剥离层之后，以该剥离层作为分割起点而将晶片11分割。
具体而言，在该方法中，首先将晶片(第一晶片)11的正面11a侧贴合于支承晶片(第二晶片)的正面侧(贴合步骤：S1)。图3是示意性示出将晶片11的正面11a侧贴合于支承晶片的正面侧的情况的剖视图。
另外，与晶片11贴合的支承晶片15例如具有与晶片11同样的形状。另外，也可以在支承晶片15的正面15a侧与晶片11同样地形成多个器件。另外，在支承晶片15的正面15a例如设置有丙烯酸系粘接剂或环氧系粘接剂等粘接剂17。
并且，在贴合步骤(S1)中，在对支承晶片15的背面15b侧进行支承的状态下，隔着粘接剂17而将晶片11的正面11a按压于支承晶片15的正面15a。由此，形成晶片11的正面11a侧贴合于支承晶片15的正面15a侧而得的贴合晶片。
接着，形成沿着圆锥台的侧面那样的剥离层(第一剥离层)(第一剥离层形成步骤：S2)，该圆锥台的第一底面(下底面)位于晶片(第一晶片)11的正面11a侧，并且直径比该第一底面短的第二底面(上底面)位于晶片11的内部，另外，形成沿着该圆锥台的上底面那样的剥离层(第二剥离层)(第二剥离层形成步骤：S3)。
图4是示意性示出在第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)中使用的激光加工装置的一例的立体图。另外，图4所示的X轴方向(左右方向)和Y轴方向(前后方向)是在水平面上相互垂直的方向，另外，Z轴方向(上下方向)是与X轴方向和Y轴方向分别垂直的方向(铅垂方向)。
图4所示的激光加工装置2具有支承各构成要素的基台4。在该基台4的上表面上配置有水平移动机构6。并且，水平移动机构6具有固定于基台4的上表面且沿着Y轴方向延伸的一对Y轴导轨8。
在一对Y轴导轨8的上表面侧以能够沿着一对Y轴导轨8滑动的方式连结有Y轴移动板10。另外，在一对Y轴导轨8之间配置有沿着Y轴方向延伸的丝杠轴12。在该丝杠轴12的前端部(一端部)连结有用于使丝杠轴12旋转的电动机14。
另外，在丝杠轴12的形成有螺旋状的槽的表面上设置有对在旋转的丝杠轴12的表面上滚动的大量滚珠进行收纳的螺母部(未图示)，构成滚珠丝杠。即，当丝杠轴12进行旋转时，大量滚珠在螺母部内循环，螺母部沿着Y轴方向移动。
另外，该螺母部固定于Y轴移动板10的下表面侧。因此，若利用电动机14使丝杠轴12旋转，则Y轴移动板10与螺母部一起沿着Y轴方向移动。另外，在Y轴移动板10的上表面上固定有沿着X轴方向延伸的一对X轴导轨16。
在一对X轴导轨16的上表面侧以能够沿着一对X轴导轨16滑动的方式连结有X轴移动板18。另外，在一对X轴导轨16之间配置有沿着X轴方向延伸的丝杠轴20。在该丝杠轴20的一端部连结有用于使丝杠轴20旋转的电动机22。
另外，在丝杠轴20的形成有螺旋状的槽的表面上设置有对在旋转的丝杠轴20的表面上滚动的大量滚珠进行收纳的螺母部(未图示)，构成滚珠丝杠。即，当丝杠轴20进行旋转时，大量滚珠在螺母部内循环，螺母部沿着X轴方向移动。
另外，该螺母部固定于X轴移动板18的下表面侧。因此，若利用电动机22使丝杠轴20旋转，则X轴移动板18与螺母部一起沿着X轴方向移动。
在X轴移动板18的上表面侧配置有圆柱状的工作台基台24。在该工作台基台24的上部配置有对上述贴合晶片进行保持的保持工作台26。该保持工作台26例如具有与X轴方向和Y轴方向平行的圆状的上表面(保持面)，多孔板26a露出于该保持面。
另外，在工作台基台24的下部连结有电动机等旋转驱动源(未图示)。并且，当该旋转驱动源进行动作时，保持工作台26以通过保持面的中心且与Z轴方向平行的直线为旋转轴而旋转。另外，当上述水平移动机构6进行动作时，保持工作台26沿着X轴方向和/或Y轴方向移动。
另外，多孔板26a经由设置于保持工作台26的内部的流路等而与真空泵等吸引源(未图示)连通。并且，当该吸引源进行动作时，在保持工作台26的保持面附近的空间产生负压。
另外，在基台4的后方的区域上设置有具有与Y轴方向和Z轴方向大致平行的侧面的支承构造30。在该支承构造30的侧面上配置有铅垂移动机构32。并且，铅垂移动机构32具有固定于支承构造30的侧面且沿着Z轴方向延伸的一对Z轴导轨34。
在一对Z轴导轨34的正面侧以能够沿着一对Z轴导轨34滑动的方式连结有Z轴移动板36。另外，在一对Z轴导轨34之间配置有沿着Z轴方向延伸的丝杠轴(未图示)。在该丝杠轴的上端部(一端部)连结有用于使丝杠轴旋转的电动机38。
另外，在丝杠轴的形成有螺旋状的槽的表面上设置有对在旋转的丝杠轴的表面上滚动的大量滚珠进行收纳的螺母部(未图示)，构成滚珠丝杠。即，当该丝杠轴进行旋转时，大量滚珠在螺母部内循环，螺母部沿着Z轴方向移动。
另外，该螺母部固定于Z轴移动板36的背面侧。因此，若利用电动机38使配置于一对Z轴导轨34之间的丝杠轴旋转，则Z轴移动板36与螺母部一起沿着Z轴方向移动。
在Z轴移动板36的正面侧固定有支承件40。该支承件40对激光束照射单元42的一部分进行支承。图5是示意性示出激光束LB在激光束照射单元42中行进的情况的图。另外，在图5中，将激光束照射单元42的构成要素的一部分用功能块示出。
激光束照射单元42具有固定于基台4的激光振荡器44。该激光振荡器44例如具有作为激光介质的Nd：YAG等，射出透过晶片11的波长(例如为1342nm)的激光束LB。该激光束LB例如是频率为60kHz的脉冲激光束。
并且，激光束LB在衰减器46中调整了输出之后被提供至空间光调制器48。在该空间光调制器48中，激光束LB进行分支。例如空间光调制器48按照从后述的照射头52射出的激光束LB形成与X轴方向和Y轴方向平行的平面(XY坐标平面)中的位置(坐标)和Z轴方向的位置(高度)这双方相互不同的多个聚光点的方式对在衰减器46中进行了调整的激光束LB进行分支。
另外，在空间光调制器48中进行了分支的激光束LB通过反射镜50反射而引导至照射头52。在该照射头52中收纳有使激光束LB会聚的聚光透镜(未图示)等。并且，利用该聚光透镜会聚的激光束LB向保持工作台26的保持面侧射出。
另外，如图4所示，照射头52设置于圆柱状的壳体54的前端部。并且，在该壳体54的后侧的侧面上固定有支承件40。另外，在该壳体54的前侧的侧面上固定有拍摄单元56。
该拍摄单元56例如具有：LED(Light EmittingDiode，发光二极管)等光源；物镜；以及CCD(Charge Coupled Device，电感耦合元件)图像传感器或CMOS(ComplementaryMetal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器等拍摄元件。
并且，当上述铅垂移动机构32进行动作时，激光束照射单元42和拍摄单元56沿着Z轴方向移动。另外，在基台4上设置有覆盖上述的构成要素的罩(未图示)。在该罩的前表面上配置有触摸面板58。
该触摸面板58例如由静电容量方式或电阻膜方式的触摸传感器等输入装置和液晶显示器或有机EL(Electro Luminescence，电致发光)显示器等显示装置构成，作为用户接口发挥功能。
在激光加工装置2中，例如按照以下的顺序实施第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)。具体而言，首先按照使上述贴合晶片的支承晶片15的背面15b的中心与保持工作台26的保持面的中心一致的方式将贴合晶片载置于保持工作台26。
接着，按照通过保持工作台26保持贴合晶片的方式使与多孔板26a连通的吸引源进行动作。接着，拍摄单元56对贴合晶片的晶片11的背面11b侧进行拍摄而形成图像。
接着，参照该图像，按照将激光束照射单元42的照射头52定位于晶片11的比外周区域略微靠内侧的区域的正上方的方式使水平移动机构6进行动作。
接着，按照对晶片11照射分支成聚光点越靠近外周区域越靠近晶片11的正面11a的激光束LB的方式使激光束照射单元42进行动作。
图6是示意性示出对晶片11的比外周区域靠内侧的区域照射激光束LB的情况的剖视图。该激光束LB例如形成多个(例如8个)聚光点，在晶片11的径向(与Z轴方向垂直的方向)和厚度方向(Z轴方向)的各个方向上，相邻的该聚光点的位置在晶片11的内部按照10μm的量偏移。
在该情况下，分别以多个聚光点为中心，在晶片11的内部形成构成晶片11的材料的结晶构造发生紊乱的改质区域19。即，形成俯视时沿着晶片11的径向呈直线状排列且该直线与晶片11的正面11a所成的锐角的角度为45°的多个改质区域19。
另外，呈直线状排列的多个改质区域19与晶片11的正面11a所成的锐角的角度不限于45°。即，可以按照形成使相邻的聚光点的晶片11的径向上的间隔与晶片11的厚度方向上的间隔不同的多个聚光点的方式将激光束LB照射至晶片11。
另外，龟裂21从多个改质区域19分别按照将相邻的一对改质区域19连接的方式伸展。由此，在晶片11的内部形成包含多个改质区域19和从多个改质区域19分别进展的龟裂21的剥离层。
接着，保持使激光束照射单元42进行动作的状态不变，按照使保持贴合晶片的保持工作台26至少旋转一周的方式，使与工作台基台24的下部连结的旋转驱动源进行动作。
其结果是，在晶片11的比外周区域靠内侧的区域形成有沿着下底面位于晶片11的正面11a侧且上底面位于晶片11的内部的圆锥台的侧面那样的剥离层(第一剥离层)。
接着，按照将激光束照射单元42的照射头52定位于晶片11的比第一剥离层略微靠内侧的区域的正上方的方式使水平移动机构6进行动作。接着，按照照射分支成使所有的聚光点定位于上述圆锥台的上底面的激光束LB的方式使激光束照射单元42进行动作。
图7是示意性示出对晶片11的比第一剥离层靠内侧的区域照射激光束LB的情况的剖视图。该激光束LB例如按照形成在与Z轴方向垂直的方向(图7的纸面的进深方向)上等间隔(例如为5μm～15μm)地排列的多个(例如2个～10个)聚光点的方式进行分支。
接着，保持使激光束照射单元42进行动作的状态不变，按照使保持贴合晶片的保持工作台26移动的方式使水平移动机构6进行动作。例如在按照形成沿X轴方向等间隔地排列的多个聚光点的方式将激光束LB分支的情况下，按照使保持工作台26沿着Y轴方向移动的方式使水平移动机构6进行动作。
由此，在晶片11的比第一剥离层靠内侧的直线状的区域内形成包含多个改质区域19和从多个改质区域19分别进展的龟裂21的剥离层。接着，停止激光束照射单元42的动作。
接着，按照使保持工作台26沿着与已经形成有剥离层的直线状的区域垂直的方向移动的方式使水平移动机构6进行动作。即，在按照形成沿X轴方向等间隔地排列的多个聚光点的方式将激光束LB分支的情况下，按照使保持工作台26沿着X轴方向移动的方式使水平移动机构6进行动作。
接着，按照在与已经形成有剥离层的直线状的区域平行的直线状的区域内形成剥离层的方式使激光束照射单元42和水平移动机构6进行动作。另外，重复进行同样的操作，直至从晶片11的比第一剥离层靠内侧的一端侧的区域至另一端侧的区域形成剥离层为止。
其结果是，在晶片11的比第一剥离层靠内侧的区域形成沿着上述圆锥台的上底面那样的剥离层(第二剥离层)。通过以上，完成第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)。
在图3所示的方法中，在实施了第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)之后，通过沿着晶片11的厚度方向对晶片11赋予外力而以第一剥离层和第二剥离层为分割起点将晶片11分割(分割步骤：S4)。
图8是示意性示出将晶片11分割的情况的局部剖视侧视图。分割步骤(S4)例如在图8所示的分割装置60中实施。该分割装置60具有保持工作台62，该保持工作台62对包含形成有第一剥离层和第二剥离层的晶片11的贴合晶片进行保持。
该保持工作台62具有圆状的上表面(保持面)，多孔板(未图示)露出于该保持面。另外，该多孔板经由设置于保持工作台62的内部的流路等而与真空泵等吸引源(未图示)连通。并且，当该吸引源进行动作时，在保持工作台62的保持面附近的空间产生负压。
另外，在保持工作台62的上方设置有分割单元64。该分割单元64具有圆柱状的支承部件66。在该支承部件66的上部例如连结有滚珠丝杠式的升降机构(未图示)，通过使该升降机构进行动作而使分割单元64升降。
另外，在支承部件66的下端部固定有圆盘状的把持爪基台68的上部的中央。在该把持爪基台68的外周区域的下侧沿着把持爪基台68的周向大致等间隔地设置有多个把持爪70。该把持爪70具有朝向下方延伸的板状的立设部70a。
该立设部70a的上端部与内置于把持爪基台68的气缸等致动器连结，通过使该致动器进行动作而使把持爪70沿着把持爪基台68的径向移动。另外，在该立设部70a的下端部的内侧面上设置有板状的爪部70b，该爪部70b朝向把持爪基台68的中心延伸且越靠近把持爪基台68的中心厚度越薄。
在分割装置60中，例如按照以下的顺序实施分割步骤(S4)。具体而言，首先按照包含形成有第一剥离层和第二剥离层的晶片11的贴合晶片的支承晶片15的背面15b的中心与保持工作台62的保持面的中心一致的方式将贴合晶片载置于保持工作台62。
接着，按照通过保持工作台62保持贴合晶片的方式使与露出于该保持面的多孔板连通的吸引源进行动作。接着，按照将多个把持爪70分别定位于把持爪基台68的径向外侧的方式使致动器进行动作。
接着，按照将多个把持爪70各自的爪部70b的前端定位于与贴合晶片的粘接剂17同样的高度的方式使升降机构进行动作。接着，按照使爪部70b与贴合晶片接触的方式使致动器进行动作。接着，按照使爪部70b上升的方式使升降机构进行动作。
由此，对晶片11的外周区域赋予朝上的外力即沿着晶片11的厚度方向的外力。由此，第一剥离层和/或第二剥离层所包含的龟裂21进一步伸展而将晶片11分离成正面11a侧(下表面侧)的部分和背面11b侧(上表面侧)的部分。
在图2所示的方法中，在晶片11的内部形成有沿着下底面位于晶片11的正面11a侧且上底面位于晶片11的内部的圆锥台的侧面那样的第一剥离层以及沿着该圆锥台的上底面那样的第二剥离层。并且，在该方法中，通过沿着晶片11的厚度方向对晶片11赋予外力，以第一剥离层和第二剥离层为分割起点而将晶片11分割。
这里，在该晶片11中，按照沿着圆锥台的侧面的方式形成有第一剥离层。在该情况下，在将晶片11分割时，通过在第一剥离层处将晶片分割而新露出的形成有器件的区域(器件区域)的侧面与外周区域的内侧面相互接触的概率低。因此，在图2所示的方法中，龟裂朝向形成于器件区域的正面侧的器件13伸展的概率也低，能够抑制器件13的破损。
另外，在该晶片11中，龟裂容易在从第一剥离层沿着圆锥台的侧面的方向上伸展。在该情况下，龟裂朝向形成于器件区域的正面侧的器件13伸展的概率降低。因此，在图2所示的方法中，能够抑制能够从晶片11制造的芯片的数量减少。
另外，上述晶片的加工方法是本发明的一个方式，本发明不限于上述方法。例如在本发明中，可以在对晶片11形成了第一剥离层和第二剥离层之后，将晶片11的正面11a侧贴合于支承晶片15的正面15a侧。即，在本发明中，可以在实施了第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)之后实施贴合步骤(S1)。
另外，在本发明中，关于第一剥离层形成步骤(S2)和第二剥离层形成步骤(S3)的先后没有限定。即，在本发明中，可以在实施了第二剥离层形成步骤(S3)之后实施第一剥离层形成步骤(S2)。
另外，在本发明的第一剥离层形成步骤(S2)中，只要能够形成沿着下底面位于晶片11的正面11a侧且上底面位于晶片11的内部的圆锥台的侧面那样的剥离层即可，用于形成剥离层的方法不限于上述方法。
例如在本发明的第一剥离层形成步骤(S2)中，可以在与工作台基台24的下部连结的旋转驱动源的基础上或取而代之，一边使水平移动机构6和铅垂移动机构32进行动作一边对晶片11照射激光束LB。即，可以不仅使晶片11旋转，而且一边变更聚光点的XY坐标平面的坐标和高度一边对晶片11照射激光束LB。
另外，在该情况下，可以利用未分支的激光束LB。换言之，即使在使用仅存在一个聚光点的激光束LB的情况下，通过使晶片11旋转且一边变更聚光点的XY坐标平面的坐标和高度一边对晶片11照射激光束LB，也能够在晶片11中形成沿着圆锥台的侧面那样的剥离层。
另外，在本发明的第一剥离层形成步骤(S2)中，可以实施相互的聚光点的位置相同或接近的多次的激光束LB的照射。在该情况下，剥离层所包含的改质区域19的尺寸增大且剥离层所包含的龟裂21进一步伸展。因此，在该情况下，分割步骤(S4)中的晶片11的分割更容易。
另外，在本发明的第一剥离层形成步骤(S2)中，可以按照相邻的改质区域19不经由龟裂21连接而相互直接连接的方式对晶片11照射激光束LB。在该情况下，能够不依赖于从改质区域19进展的龟裂21的形状而决定剥离层的形状，因此能够实现晶片11的稳定的加工。
另外，在本发明的第二剥离层形成步骤(S3)中，只要能够形成上述的沿着圆锥台的上底面那样的剥离层即可，用于形成剥离层的方法不限于上述方法。例如在本发明的第二剥离层形成步骤(S3)中，可以利用未分支的激光束LB。
另外，在本发明的第二剥离层形成步骤(S3)中，可以在水平移动机构6的基础上或取而代之，一边使与工作台基台24的下部连结的旋转驱动源进行动作一边对晶片11照射激光束LB。即，可以对晶片11的比第一剥离层靠内侧的区域呈环状照射激光束LB。
另外，在本发明的第二剥离层形成步骤(S3)中，可以与本发明的第一剥离层形成步骤(S2)同样地实施相互的聚光点的位置相同或接近的多次的激光束LB的照射，另外可以按照相邻的改质区域19不经由龟裂21连接而相互直接连接的方式对晶片11照射激光束LB。
另外，在本发明的分割步骤(S4)中，可以在将形成有第一剥离层和第二剥离层的晶片11分割之前对该晶片11赋予超声波。在该情况下，第一剥离层和第二剥离层所包含的龟裂21伸展，因此晶片11的分割更容易。
另外，在能够在分割步骤(S4)中使龟裂21伸展的情况下，第一剥离层和第二剥离层可以不连接。例如第二剥离层可以形成于比上述圆锥台的上底面略微远离或靠近晶片11的正面11a的位置。同样地，第二剥离层可以形成于直径比上述圆锥台的上底面短的圆盘状的区域。
除此以外，上述实施方式的构造和方法等只要不脱离本发明的目的的范围，则可以适当地变更并实施。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，在对正面侧形成有多个器件且外周区域进行了倒角的第一晶片照射透过该第一晶片的波长的激光束从而在该第一晶片的内部形成了剥离层之后，以该剥离层为分割起点而将该第一晶片分割，其特征在于，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
贴合步骤，将该第一晶片的该正面侧贴合于第二晶片的正面侧；
第一剥离层形成步骤，对该第一晶片的比该外周区域靠内侧的区域按照聚光点越靠近该外周区域越靠近该第一晶片的该正面的方式照射该激光束，由此形成沿着圆锥台的侧面那样的第一剥离层，该圆锥台的第一底面位于该第一晶片的该正面侧，并且直径比该第一底面短的第二底面位于该第一晶片的内部；
第二剥离层形成步骤，对该第一晶片的比该第一剥离层靠内侧的区域按照将该聚光点定位于该圆锥台的该第二底面的方式照射该激光束，由此形成沿着该圆锥台的该第二底面那样的第二剥离层；以及
分割步骤，在实施了该贴合步骤、该第一剥离层形成步骤和该第二剥离层形成步骤之后，通过沿着该第一晶片的厚度方向对该第一晶片赋予外力而以该第一剥离层和该第二剥离层为该分割起点将该第一晶片分割。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该第一剥离层形成步骤在实施该第二剥离层形成步骤之前实施。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
在该第一剥离层形成步骤中，按照产生俯视时沿着该第一晶片的径向排列的多个聚光点的方式将该激光束分支。
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