JP2024063935A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄化ウエーハの形成に伴うデバイスの破損を抑制するとともに、ウエーハから製造可能なチップの数の減少を抑制できるウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの内部に剥離層を形成した後、剥離層においてウエーハを分割するウエーハの加工方法であって、円錐台の側面に沿うような第一剥離層及び上面に沿うような第二剥離層を形成する剥離層形成ステップと、第一剥離層において分割されることによって露出する第一剥離面と、第二剥離層において分割されることによって露出する第二剥離面と、を有する薄化ウエーハが形成されるようにウエーハを分割する分割ステップと、少なくとも第一剥離面に対してウェットエッチングを施すウェットエッチングステップと、第二剥離面に対して研削を施す研削ステップと、第一剥離面及び第二剥離面に対して研磨を施す研磨ステップと、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、表面側に複数のデバイスが形成され、かつ、外周領域が面取りされているウエーハに対してウエーハを透過する波長のレーザービームを照射することによってウエーハの内部に剥離層を形成した後、ウエーハの厚さ方向に沿ってウエーハに外力を付与することによって剥離層においてウエーハを分割するウエーハの加工方法に関する。

集積回路（ＩＣ）又はメモリ等のデバイスのチップは、一般的に、シリコン（Ｓｉ）等の半導体材料からなる円盤状のウエーハを利用して製造される。具体的には、このウエーハは格子状に設定された分割予定ラインによって区画されており、複数の領域のそれぞれの表面側にはデバイスが形成されている。

そして、このウエーハを分割予定ラインに沿って分割することによってチップが製造される。さらに、ウエーハには、複数のチップを含むパッケージの高集積化等を目的として、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）が設けられることがある。このパッケージにおいては、例えば、ＴＳＶを介して異なるチップに含まれる電極を電気的に接続することができる。

ＴＳＶは、例えば、以下の順序でウエーハに設けられる。まず、ウエーハの表面側に溝を形成する。次いで、この溝にＴＳＶを設ける。次いで、ウエーハの表面側を支持ウエーハに貼り合わせる。次いで、ＴＳＶがウエーハの裏面において露出するまで、ウエーハの裏面に対して研削を施す。

ここで、ウエーハにおいては、割れの防止等を目的として、その外周領域が面取りされていることが多い。そして、外周領域が面取りされたウエーハの裏面をウエーハの厚さが半分以下になるまで研削すると、この外周領域の裏面側がナイフエッジのような形状になる。

この場合、ウエーハを研削中に外周領域の裏面側に応力が集中してウエーハが割れやすくなり、ウエーハから得られるチップの歩留まりが低下するおそれがある。そこで、ウエーハの裏面に対する研削に先立って、外周領域の表面側の一部の除去（所謂エッジトリミング）等を実施することが提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。

また、ウエーハの裏面においてＴＳＶが露出するまでウエーハの裏面に対して研削を施す場合、ウエーハの研削量が多くなり、このウエーハを研削するために必要な砥石の摩耗量が多くなる。この場合、このウエーハを用いて製造されるチップ又はパッケージのコストが増加し、また、その加工が長期化するおそれがある。

これらの点に鑑み、ウエーハを透過する波長のレーザービームを利用してウエーハを分割する方法が提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方法においては、まず、レーザービームを照射した時に乱反射が生じないウエーハの領域（端的には、面取りされている外周領域よりも内側の領域）に対して、ウエーハの表面側に集光点を位置付けた状態で円環状にレーザービームを照射する。

これにより、下面がウエーハの表面側に位置し、かつ、上面がウエーハの内部に位置する円柱の側面に沿うような剥離層（円筒状の剥離層）が形成される。次いで、この円筒状の剥離層よりも内側の領域に対して、上記の円柱の上面に集光点を位置付けた状態でレーザービームを照射する。これにより、上記の円柱の上面に沿うような剥離層（円盤状の剥離層）が形成される。

次いで、このウエーハに外力を付与することによって、円筒状の剥離層及び円盤状の剥離層においてウエーハを分割する。これにより、円筒状の剥離層において分割されることによって露出する側面と、円盤状の剥離層において分割されることによって露出する上面と、を有する薄化ウエーハが形成される。

特開２００７－１５８２３９号公報 特開２０２０－５７７０９号公報 特開２０２０－１３６４４２号公報

上述のように円筒状の剥離層及び円盤状の剥離層においてウエーハを分割する場合、ウエーハの外周領域をウエーハの径方向に沿ってデバイス領域から離隔させ、また、このデバイス領域の裏面側をウエーハの厚さ方向に沿って表面側から離隔させることが必要になる。

ここで、ウエーハの外周領域をデバイス領域から離隔させるために必要な外力の方向とデバイス領域の裏面側を表面側から離隔させるために必要な外力の方向とは直交する。そのため、ウエーハに対して特定の方向に沿った外力を付与することによって、円筒状の剥離層及び円盤状の剥離層においてウエーハを同時に分割することは必ずしも容易ではない。

例えば、ウエーハの厚さ方向に沿った外力をウエーハに付与することによってウエーハを分割する場合には、ウエーハの分割によって形成される薄化ウエーハの側面と、このウエーハの残部（外周領域を含む部分）の内側面と、が互いに接触するおそれがある。そして、この場合には、両者の接触に起因した亀裂が形成されるおそれがある。

また、円筒状の剥離層は、上述のとおり、レーザービームを照射した時に乱反射が生じないウエーハの領域（端的には、面取りされている外周領域よりも内側の領域）に形成される。そのため、この円筒状の剥離層においてウエーハが分割される場合には、薄化ウエーハの表面側に形成されているデバイスに向かって亀裂が伸展し、デバイスが破損するおそれがある。

なお、薄化ウエーハの側面近傍の領域にデバイスを形成しなければ、このようなデバイスの破損を防止できる。ただし、この場合には、ウエーハから製造可能なチップの数が減少するおそれがある。

以上の点に鑑み、本発明の目的は、薄化ウエーハの形成に伴うデバイスの破損を抑制するとともに、ウエーハから製造可能なチップの数の減少を抑制できるウエーハの加工方法を提供することである。

本発明によれば、表面側に複数のデバイスが形成され、かつ、外周領域が面取りされているウエーハに対して該ウエーハを透過する波長のレーザービームを照射することによって該ウエーハの内部に剥離層を形成した後、該ウエーハの厚さ方向に沿って該ウエーハに外力を付与することによって該剥離層において該ウエーハを分割するウエーハの加工方法であって、該ウエーハの該表面側に位置する第一底面と、該第一底面の外周と重なる一端を有し、かつ、該ウエーハの該表面側から遠ざかるほど該外周領域から遠ざかるように傾斜する側面と、該側面の他端と重なる外周を有し、かつ、該第一底面と平行な第二底面と、によって画定される円錐台の該側面に沿うような第一剥離層及び該第二底面に沿うような第二該剥離層を形成する剥離層形成ステップと、該剥離層形成ステップを実施した後、該第一剥離層において分割されることによって露出する第一剥離面と、該第二剥離層において分割されることによって露出する第二剥離面と、を有する薄化ウエーハが形成されるように該ウエーハを分割する分割ステップと、該分割ステップを実施した後、少なくとも該第一剥離面に対してウェットエッチングを施すウェットエッチングステップと、該ウェットエッチングステップを実施した後、該第二剥離面に対して研削を施す研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該第一剥離面及び該第二剥離面に対して研磨を施す研磨ステップと、を備えるウエーハの加工方法が提供される。

本発明のウエーハの加工方法は、該分割ステップを実施する前に、該ウエーハの該表面側を、該ウエーハとは異なる第二ウエーハの表面側に貼り合わせる貼り合わせステップを更に備えることが好ましい。

さらに、該剥離層形成ステップにおいては、該第一剥離層及び該第二剥離層の一方を形成してから他方を形成することが好ましい。

あるいは、該ウエーハは、それぞれが所定の方向に沿って延在する第一領域及び第二領域を含み、該第一剥離層は、該第一領域に形成される一対の第一傾斜部と、該第二領域に形成される一対の第二傾斜部と、を含み、該第二剥離層は、該第一領域に形成され、かつ、該所定の方向において該一対の第一傾斜部の間に位置する第一直線部と、該第二領域に形成され、かつ、該所定の方向において該一対の第二傾斜部の間に位置する第二直線部と、を含み、該剥離層形成ステップにおいては、該一対の第一傾斜部及び該第一直線部を形成してから該一対の第二傾斜部及び該第二直線部を形成することが好ましい。

本発明においては、ウエーハの表面側に位置する第一底面と、第一底面の外周と重なる一端を有し、かつ、ウエーハの表面側から遠ざかるほど外周領域から遠ざかるように傾斜する側面と、側面の他端と重なる外周を有し、かつ、第一底面と平行な第二底面と、によって画定される円錐台の側面に沿うような第一剥離層及び第二底面に沿うような第二剥離層をウエーハの内部に形成する。

そして、本発明においては、第一剥離層において分割されることによって露出する第一剥離面（側面）と、第二剥離層において分割されることによって露出する第二剥離面（上面）と、を有する薄化ウエーハが形成されるようにウエーハを分割する。

ここで、このウエーハにおいては第一剥離層が円錐台の側面に沿うように形成されている。この場合、ウエーハを分割する際に、薄化ウエーハの側面と、このウエーハの残部（外周領域を含む部分）の内側面と、が互いに接触する蓋然性が低い。そのため、本発明においては、両者の接触に起因した亀裂の発生を抑制できる。

さらに、このウエーハにおいては、第一剥離層から円錐台の側面に沿った方向に亀裂が伸展しやすくなる。この場合、薄化ウエーハの表面側に形成されているデバイスに向かって亀裂が伸展する蓋然性が低くなる。そのため、本発明においては、薄化ウエーハの形成に伴うデバイスの破損を抑制するとともに、ウエーハから製造可能なチップの数の減少を抑制できる。

図１（Ａ）は、ウエーハの一例を模式的に示す上面図であり、図１（Ｂ）は、ウエーハの一例を模式的に示す断面図である。 図２は、ウエーハの加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。 図３は、ウエーハの表面側を支持ウエーハの表面側に貼り合わせる様子を模式的に示す断面図である。 図４は、レーザー加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。 図５は、レーザービーム照射ユニットにおいてレーザービームが進行する様子を模式的に示す図である。 図６は、ウエーハの外周領域よりも内側の領域に対して、レーザービームを照射する様子を模式的に示す一部断面正面図である。 図７は、ウエーハの第一剥離層よりも内側の領域に対して、レーザービームを照射する様子を模式的に示す一部断面正面図である。 図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のそれぞれは、ウエーハを分割する様子を模式的に示す一部断面正面図である。 図９は、薄化ウエーハの側面に対してウェットエッチングを施す様子を模式的に示す一部断面側面図である。 図１０は、加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。 図１１は、薄化ウエーハの上面に対して研削を施す様子を模式的に示す一部断面側面図である。 図１２は、薄化ウエーハの側面及び上面に対して研磨を施す様子を模式的に示す一部断面側面図である。

添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１（Ａ）は、ウエーハの一例を模式的に示す上面図であり、図１（Ｂ）は、ウエーハの一例を模式的に示す断面図である。なお、図１（Ａ）においては、このウエーハを構成する単結晶材料（ここでは、単結晶シリコン）の結晶方位も示されている。

図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示されるウエーハ１１は、結晶面｛１００｝に含まれる特定の結晶面（ここでは、便宜上、結晶面（１００）とする。）が表面１１ａ及び裏面１１ｂのそれぞれにおいて露出する円柱状の単結晶シリコンからなる。すなわち、このウエーハ１１は、表面１１ａ及び裏面１１ｂのそれぞれの垂線（結晶軸）が結晶方位［１００］に沿う円柱状の単結晶シリコンからなる。

なお、ウエーハ１１は、表面１１ａ及び裏面１１ｂのそれぞれに結晶面（１００）が露出するように製造されるものの、製造時の加工誤差等に起因して、その表面１１ａ及び裏面１１ｂのそれぞれが結晶面（１００）から僅かに傾いた面となっていてもよい。具体的には、ウエーハ１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂのそれぞれは、結晶面（１００）との間で形成される鋭角の角度が１°以下の面であってもよい。

すなわち、ウエーハ１１の結晶軸は、結晶方位［１００］との間で形成される鋭角の角度が１°以下の方向に沿っていてもよい。また、ウエーハ１１の側面１１ｃにはノッチ１３が形成されており、このノッチ１３からみて結晶方位＜１１０＞に含まれる特定の結晶面（ここでは、便宜上、結晶方位［０１１］とする。）にウエーハ１１の中心が位置する。

さらに、ウエーハ１１は、互いに交差する複数の分割予定ラインで複数の領域に区画されており、各領域の表面１１ａ側にはＩＣ又はメモリ等のデバイス１５が形成されている。さらに、ウエーハ１１の表面１１ａ側には、ＴＳＶが設けられる溝が形成されていてもよい。

また、ウエーハ１１の外周領域は、面取りされている。すなわち、ウエーハ１１の側面１１ｃは、外側に凸になるように湾曲している。なお、ウエーハ１１の外周領域には、デバイス１５が形成されていない。すなわち、ウエーハ１１のデバイス１５が形成されている領域（デバイス領域）は、その外周領域に囲まれている。

なお、ウエーハ１１の材質、形状、構造及び大きさ等に制限はない。ウエーハ１１は、例えば、シリコン以外の半導体材料（例えば、炭化シリコン（ＳｉＣ）又は窒化ガリウム（ＧａＮ）等）からなっていてもよい。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ及び配置等にも制限はない。

図２は、ウエーハの加工方法の一例を模式的に示すフローチャートである。この方法においては、まず、ウエーハ１１の表面１１ａ側を支持ウエーハ（第二ウエーハ）の表面側に貼り合わせる（貼り合わせステップＳ１）。図３は、ウエーハ１１の表面１１ａ側を支持ウエーハの表面側に貼り合わせる様子を模式的に示す断面図である。

なお、ウエーハ１１と貼り合わせられる支持ウエーハ１７は、例えば、ウエーハ１１と同様の形状を有する。また、ウエーハ１１と同様に、支持ウエーハ１７の表面１７ａ側には複数のデバイスが形成されていてもよい。また、支持ウエーハ１７の表面１７ａには、例えば、アクリル系接着剤又はエポキシ系接着剤等の接着剤１９が設けられている。

そして、貼り合わせステップＳ１においては、支持ウエーハ１７の裏面１７ｂ側を支持した状態で、接着剤１９を介して、ウエーハ１１の表面１１ａを支持ウエーハ１７の表面１７ａに押し当てる。これにより、ウエーハ１１の表面１１ａ側が支持ウエーハ１７の表面１７ａ側に貼り合わせられた貼り合わせウエーハが形成される。

貼り合わせステップＳ１を実施した後には、裏面１１ｂが上を向くように配置されたウエーハ１１に対してウエーハ１１を透過する波長のレーザービームを上から照射することによってウエーハ１１の内部に剥離層を形成する。具体的には、円錐台の側面に沿うような第一剥離層及び上面に沿うような第二剥離層をウエーハ１１の内部に形成する（剥離層形成ステップＳ２）。

なお、この円錐台は、ウエーハ１１の表面１１ａ側に位置する下面（第一底面）と、下面の外周と重なる下端（一端）を有し、かつ、ウエーハ１１の表面１１ａ側から遠ざかるほど外周領域から遠ざかるように傾斜する側面と、側面の上端（他端）と重なる外周を有し、かつ、下面と平行な上面（第二底面）とを含む仮想の構造物である。また、この円錐台においては、第一底面と側面とがなす角が、例えば、１°以上８０°以下になる。

図４は、剥離層形成ステップＳ２において用いられるレーザー加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図４に示されるＸ軸方向（左右方向）及びＹ軸方向（前後方向）は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｚ軸方向（上下方向）は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）である。

図４に示されるレーザー加工装置２は、各構成要素を支持する基台４を有する。この基台４の上面には、水平移動機構６が配置されている。そして、水平移動機構６は、基台４の上面に固定され、かつ、Ｙ軸方向に沿って延在する一対のＹ軸ガイドレール８を有する。

一対のＹ軸ガイドレール８の上面側には、一対のＹ軸ガイドレール８に沿ってスライド可能な態様でＹ軸移動プレート１０が連結されている。また、一対のＹ軸ガイドレール８の間には、Ｙ軸方向に沿って延在するねじ軸１２が配置されている。このねじ軸１２の前端部（一端部）には、ねじ軸１２を回転させるためのモータ１４が連結されている。

また、ねじ軸１２の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸１２の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸１２が回転すると多数のボールがナット内を循環してナットがＹ軸方向に沿って移動する。

さらに、このナットは、Ｙ軸移動プレート１０の下面側に固定されている。そのため、モータ１４でねじ軸１２を回転させれば、ナット部とともにＹ軸移動プレート１０がＹ軸方向に沿って移動する。また、Ｙ軸移動プレート１０の上面には、Ｘ軸方向に沿って延在する一対のＸ軸ガイドレール１６が固定されている。

一対のＸ軸ガイドレール１６の上面側には、一対のＸ軸ガイドレール１６に沿ってスライド可能な態様でＸ軸移動プレート１８が連結されている。また、一対のＸ軸ガイドレール１６の間には、Ｘ軸方向に沿って延在するねじ軸２０が配置されている。このねじ軸２０の一端部には、ねじ軸２０を回転させるためのモータ２２が連結されている。

また、ねじ軸２０の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸２０の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸２０が回転すると多数のボールがナット内を循環してナットがＸ軸方向に沿って移動する。

さらに、このナットは、Ｘ軸移動プレート１８の下面側に固定されている。そのため、モータ２２でねじ軸２０を回転させれば、ナットとともにＸ軸移動プレート１８がＸ軸方向に沿って移動する。

Ｘ軸移動プレート１８の上面側には、円柱状のテーブル基台２４が配置されている。このテーブル基台２４の上部には、例えば、上述した貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６が配置されている。この保持テーブル２６は、例えば、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に対して平行な円状の上面（保持面）を有し、この保持面においてはポーラス板２６ａが露出している。

また、テーブル基台２４の下部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持面の中心を通り、かつ、Ｚ軸方向に平行な直線を回転軸として保持テーブル２６が回転する。また、上述した水平移動機構６を動作させると、Ｘ軸方向及び／又はＹ軸方向に沿って保持テーブル２６が移動する。

さらに、ポーラス板２６ａは、保持テーブル２６の内部に設けられた流路等を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）と連通している。そして、この吸引源を動作させると、保持テーブル２６の保持面近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、例えば、上述した貼り合わせウエーハが保持テーブル２６に置かれた状態で吸引源を動作させると、保持テーブル２６において貼り合わせウエーハを保持できる。

また、水平移動機構６の後方には、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に対して概ね平行な側面を有する支持構造３０が設けられている。この支持構造３０の側面には、鉛直移動機構３２が配置されている。そして、鉛直移動機構３２は、支持構造３０の側面に固定され、かつ、Ｚ軸方向に沿って延在する一対のＺ軸ガイドレール３４を有する。

一対のＺ軸ガイドレール３４の表面側には、一対のＺ軸ガイドレール３４に沿ってスライド可能な態様でＺ軸移動プレート３６が連結されている。また、一対のＺ軸ガイドレール３４の間には、Ｚ軸方向に沿って延在するねじ軸（不図示）が配置されている。このねじ軸の上端部（一端部）には、ねじ軸を回転させるためのモータ３８が連結されている。

また、ねじ軸の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、このねじ軸が回転すると多数のボールがナット内を循環してナットがＺ軸方向に沿って移動する。

さらに、このナットは、Ｚ軸移動プレート３６の裏面側に固定されている。そのため、モータ３８で一対のＺ軸ガイドレール３４の間に配置されているねじ軸を回転させれば、ナットとともにＺ軸移動プレート３６がＺ軸方向に沿って移動する。

Ｚ軸移動プレート３６の表面側には、支持具４０が固定されている。この支持具４０は、レーザービーム照射ユニット４２の一部を支持する。図５は、レーザービーム照射ユニット４２においてレーザービームＬＢが進行する様子を模式的に示す図である。なお、図５においては、レーザービーム照射ユニット４２の構成要素の一部が機能ブロックで示されている。

レーザービーム照射ユニット４２は、基台４に固定されたレーザー発振器４４を有する。このレーザー発振器４４は、例えば、レーザー媒質としてＮｄ：ＹＡＧ等を有し、ウエーハ１１を透過する波長（例えば、１０６４ｎｍ又は１３４２ｎｍ）のレーザービームＬＢを出射する。このレーザービームＬＢは、例えば、周波数が６０ｋＨｚのパルスレーザービームである。

そして、レーザービームＬＢは、その出力が減衰器４６において調整された後、空間光変調器４８に供給される。この空間光変調器４８においては、レーザービームＬＢが分岐される。例えば、空間光変調器４８は、後述する照射ヘッド５２から出射されるレーザービームＬＢがＸ軸方向及びＹ軸方向に平行な平面（ＸＹ座標平面）における位置（座標）及び／又はＺ軸方向における位置（高さ）が互いに異なる複数の集光点を形成するように、減衰器４６において調整されたレーザービームＬＢを分岐する。

また、空間光変調器４８において分岐されたレーザービームＬＢは、ミラー５０によって反射されて照射ヘッド５２へと導かれる。この照射ヘッド５２には、レーザービームＬＢを集光する集光レンズ（不図示）等が収容されている。そして、この集光レンズで集光されたレーザービームＬＢは、保持テーブル２６の保持面側に出射される。

なお、図４に示されるように、照射ヘッド５２は、円柱状のハウジング５４の前端部に設けられている。そして、このハウジング５４の後側の側面には、支持具４０が固定されている。さらに、このハウジング５４の前側の側面には、撮像ユニット５６が固定されている。

この撮像ユニット５６は、例えば、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源と、対物レンズと、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ又はＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ等の撮像素子とを有する。

そして、上述した鉛直移動機構３２を動作させると、Ｚ軸方向に沿って、レーザービーム照射ユニット４２及び撮像ユニット５６が移動する。さらに、基台４上には、上述した構成要素を覆うカバー（不図示）が設けられている。また、このカバーの前面には、タッチパネル５８が配置されている。

このタッチパネル５８は、例えば、静電容量方式又は抵抗膜方式のタッチセンサ等の入力装置と、液晶ディスプレイ又は有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）ディスプレイ等の表示装置とによって構成され、ユーザインターフェースとして機能する。

レーザー加工装置２においては、例えば、以下の順序で剥離層形成ステップＳ２が実施される。具体的には、まず、上述した貼り合わせウエーハの支持ウエーハ１７の裏面１７ｂの中心と保持テーブル２６の保持面の中心とを一致させるように、貼り合わせウエーハを保持テーブル２６に置く。

次いで、貼り合わせウエーハが保持テーブル２６によって保持されるように、ポーラス板２６ａと連通する吸引源を動作させる。次いで、撮像ユニット５６が貼り合わせウエーハのウエーハ１１の裏面１１ｂ側を撮像して画像を形成する。

次いで、この画像を参照して、レーザービーム照射ユニット４２の照射ヘッド５２がウエーハ１１の外周領域よりも僅かに内側の領域の真上に位置付けられるように水平移動機構６を動作させる。

また、この画像を参照して、保持テーブル２６を回転させてウエーハ１１を構成する単結晶シリコンの結晶方位［０１０］がＸ軸方向に平行になり、かつ、結晶方位［００１］がＹ軸方向に平行になるように、テーブル基台２４の下部に連結されている回転駆動源を動作させてもよい。

次いで、上記の円錐台の側面に沿うような剥離層（第一剥離層）をウエーハ１１の外周領域よりも内側の領域に形成する。具体的には、まず、分岐されたレーザービームＬＢをウエーハ１１に照射するようにレーザービーム照射ユニット４２を動作させる。この時、レーザービームＬＢは、複数の集光点がウエーハ１１の表面１１ａから遠ざかるほど外周領域から遠ざかって配列されるように分岐される。

図６は、ウエーハ１１の外周領域よりも内側の領域に対して、レーザービームＬＢを照射する様子を模式的に示す一部断面正面図である。このレーザービームＬＢは、例えば、ウエーハ１１の径方向（Ｚ軸方向に垂直な方向）及び厚さ方向（Ｚ軸方向）のそれぞれにおいて、隣接する集光点の位置がウエーハ１１の内部で１０μｍだけずれる複数（例えば、８個）の集光点を形成する。

この場合、複数の集光点のそれぞれを中心として、ウエーハ１１の内部にウエーハ１１を構成する材料の結晶構造が乱れた改質部２１が形成される。すなわち、平面視においてウエーハ１１の径方向に沿って直線状に並び、かつ、この直線とウエーハ１１の表面１１ａとがなす鋭角の角度が４５°となるような複数の改質部２１が形成される。

なお、直線状に並ぶ複数の改質部２１とウエーハ１１の表面１１ａとがなす鋭角の角度は、４５°に限定されない。すなわち、隣接する集光点のウエーハ１１の径方向における間隔がその厚さ方向における間隔と異なる複数の集光点が形成されるように、レーザービームＬＢをウエーハ１１に照射してもよい。

ただし、この角度は、１°以上であることが好ましい。すなわち、上記の円錐台の下面と側面とがなす角は、１°以上であることが好ましい。これにより、上記の円錐台の上面に沿うような剥離層を形成する際に、レーザービームＬＢによってウエーハ１１の表面１１ａ側に形成されているデバイス１５が損傷することを防止できる。

さらに、複数の改質部２１のそれぞれからは、隣接する一対の改質部２１を接続させるように亀裂２３が伸展する。これにより、複数の改質部２１と、複数の改質部２１のそれぞれから伸展する亀裂２３とを含む剥離層がウエーハ１１の内部に形成される。

次いで、レーザービーム照射ユニット４２を動作させたまま、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６を少なくとも一回転させるように、テーブル基台２４の下部に連結されている回転駆動源を動作させる。その結果、上記の円錐台の側面に沿うような剥離層（第一剥離層）がウエーハ１１の外周領域よりも内側の領域に形成される。

次いで、上記の円錐台の上面（第二底面）に沿うような剥離層（第二剥離層）をウエーハ１１の第一剥離層よりも内側の領域に形成する。具体的には、まず、レーザービーム照射ユニット４２の照射ヘッド５２がウエーハ１１の第一剥離層よりも僅かに内側の領域の真上に位置付けられるように水平移動機構６を動作させる。

この時、必要であれば、保持テーブル２６を回転させてウエーハ１１を構成する単結晶シリコンの結晶方位［０１０］がＸ軸方向に平行になり、かつ、結晶方位［００１］がＹ軸方向に平行になるように、テーブル基台２４の下部に連結されている回転駆動源を動作させてもよい。なお、この保持テーブル２６の回転は、例えば、撮像ユニット５６による撮像によって形成されるウエーハ１１の裏面１１ｂ側の画像を参照して行われる。

次いで、分岐されたレーザービームＬＢを照射するようにレーザービーム照射ユニット４２を動作させる。この時、レーザービームＬＢは、複数の集光点の全てが上記の円錐台の上面（第二底面）に位置付けられるように分岐される。

図７は、ウエーハ１１の第一剥離層よりも内側の領域に対して、レーザービームＬＢを照射する様子を模式的に示す一部断面正面図である。このレーザービームＬＢは、Ｙ軸方向（結晶方位［００１］）において等間隔（例えば、５μｍ～１５μｍ）に配列する複数（例えば、２～１０個）の集光点を形成するように分岐される。

この場合、上述したように、複数の改質部２１と、複数の改質部２１のそれぞれから伸展する亀裂２３とがウエーハ１１の内部に形成される。次いで、レーザービームＬＢをウエーハ１１に照射したまま、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＸ軸方向に沿って移動させるように水平移動機構６を動作させる。

その結果、ウエーハ１１の第一剥離層よりも内側の領域に含まれるＸ軸方向（結晶方位［０１０］）に沿った直線状の領域に剥離層が形成される。なお、結晶方位［００１］に沿って配列する複数の集光点を形成するレーザービームＬＢを結晶方位［０１０］に沿った直線状の領域に照射することによって剥離層が形成される場合には、剥離層を幅広かつ薄くすることができる。

以下、この点について詳細に説明する。まず、単結晶シリコンは、一般的に、結晶面｛１１１｝に含まれる特定の結晶面において最も劈開しやすく、結晶面｛１１０｝に含まれる特定の結晶面において２番目に劈開しやすい。そのため、例えば、ウエーハ１１を構成する単結晶シリコンの結晶方位＜１１０＞に含まれる特定の結晶方位（例えば、結晶方位［０１１］）に沿って改質部が形成されると、この改質部から結晶面｛１１１｝に含まれる特定の結晶面に沿って伸展する亀裂が多く発生する。

他方、単結晶シリコンの結晶方位＜１００＞に含まれる特定の結晶方位に沿った領域に、平面視において、この領域が延在する方向と直交する方向に沿って並ぶように複数の改質部が形成されると、この複数の改質部のそれぞれから結晶面｛Ｎ１０｝（Ｎは、１０以下の自然数）のうち当該領域が延在する方向に平行な結晶面に沿って伸展する亀裂が多く発生する。

例えば、上述したように、結晶方位［０１０］に沿った領域に、結晶方位［００１］に沿って並ぶように複数の改質部２１が形成されると、この複数の改質部２１のそれぞれから結晶面｛Ｎ１０｝のうち結晶方位［０１０］に平行な結晶面に沿って伸展する亀裂が多くなる。

具体的には、このように複数の改質部２１が形成される場合には、以下の結晶面において亀裂が伸展しやすくなる。

そして、ウエーハ１１の表面１１ａ及び裏面１１ｂに露出する結晶面（１００）が結晶面｛Ｎ１０｝のうち結晶方位［０１０］に平行な結晶面に対してなす角は、４５°以下である。他方、結晶面（１００）が結晶面｛１１１｝に含まれる特定の結晶面に対してなす角は、５４．７°程度である。

そのため、上述したように剥離層が形成される場合には、単結晶シリコンの結晶方位［０１１］に沿った領域に、平面視において、この領域が延在する方向と直交する方向に沿って並ぶように複数の改質部が形成される場合と比較して、剥離層を幅広かつ薄くすることができる。

次いで、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＹ軸方向に沿って移動させるように水平移動機構６を動作させる。次いで、既に剥離層が形成されている直線状の領域に平行な直線状の領域に剥離層が形成されるようにレーザービーム照射ユニット４２及び水平移動機構６を動作させる。

さらに、ウエーハ１１の第一剥離層よりも内側の全領域に剥離層が形成されるまで、同様の操作を繰り返す。その結果、上記の円錐台の上面（第二底面）に沿うような剥離層（第二剥離層）がウエーハ１１の第一剥離層よりも内側の領域に形成される。以上によって、剥離層形成ステップＳ２が完了する。

なお、剥離層形成ステップＳ２においては、第二剥離層を形成してから第一剥離層が形成されてもよい。すなわち、剥離層形成ステップＳ２においては、ウエーハ１１に含まれる複数の直線状の領域に対して順番にレーザービームＬＢを照射することによって第二剥離層を形成してから、これらの領域の外側に位置する円環状の領域にレーザービームＬＢを照射することによって第一剥離層を形成してもよい。

あるいは、剥離層形成ステップＳ２においては、第一剥離層及び第二剥離層が同時並行で形成されてもよい。具体的には、第一剥離層及び第二剥離層は、以下のように形成されてもよい。

まず、ウエーハ１１の外周領域よりも僅かに内側の領域の真上にレーザービーム照射ユニット４２の照射ヘッド５２を位置付ける。次いで、ウエーハ１１を構成する単結晶シリコンの結晶方位［０１０］がＸ軸方向に平行になり、かつ、結晶方位［００１］がＹ軸方向に平行になるように、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６を回転させる。

次いで、分岐されたレーザービームＬＢを照射するようにレーザービーム照射ユニット４２を動作させる。この時、レーザービームＬＢは、例えば、上記の円錐台の下面のうちＸ軸方向における一端近傍に複数の集光点の全てが位置付けられるように分岐される。

次いで、上記の円錐台の上面のうちＸ軸方向における一端近傍に複数の集光点の全てが位置付けられるまで、複数の集光点の位置を高くしながら貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、第一剥離層の一部（第一傾斜部）がウエーハ１１に含まれる結晶方位［０１０］に沿った直線状の領域（第一領域）の内部に形成される。

次いで、上記の円錐台の上面のうちＸ軸方向における他端近傍に複数の集光点の全てが位置付けられるまで、複数の集光点の全てを上記の円錐台の上面と同じ高さに位置付けたまま貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、第二剥離層の一部（第一直線部）がウエーハ１１の第一領域の内部に形成される。

次いで、上記の円錐台の下面のうちＸ軸方向における他端近傍に複数の集光点の全てが位置付けられるまで、複数の集光点の位置を低くしながら貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＸ軸方向に沿って移動させる。これにより、第一剥離層の別の一部（第一傾斜部）がウエーハ１１の第一領域の内部に形成される。

すなわち、以上のようなレーザービームＬＢの照射によって、一対の第一傾斜部と結晶方位［０１０］において一対の第一傾斜部の間に位置する第一直線部とがウエーハ１１の第一領域の内部に形成される。次いで、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル２６をＹ軸方向に沿って移動させる。

次いで、既に一対の傾斜部及び第一直線部が形成されている第一領域に平行な直線状の領域（第二領域）に別の一対の傾斜部（第二傾斜部）及び別の直線部（第二直線部）が形成されるように、レーザービーム照射ユニット４２及び水平移動機構６を動作させる。さらに同様の操作を繰り返すことによって、第一剥離層及び第二剥離層が同時並行で形成される。

剥離層形成ステップＳ２を実施した後には、第一剥離層において分割されることによって露出する側面（第一剥離面）と、第二剥離層において分割されることによって露出する上面（第二剥離面）と、を有する薄化ウエーハが形成されるようにウエーハ１１を分割する（分割ステップＳ３）。

図８（Ａ）及び図８（Ｂ）のそれぞれは、第一剥離層及び第二剥離層が形成されたウエーハ１１を分割する様子を模式的に示す一部断面側面図である。この分割ステップＳ３は、例えば、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示される分割装置６０において実施される。

この分割装置６０は、ウエーハ１１を含む貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル６２を有する。保持テーブル６２は、円状の上面（保持面）を有し、この保持面においてはポーラス板（不図示）が露出している。さらに、このポーラス板は、保持テーブル６２の内部に設けられた流路等を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）と連通している。

そして、この吸引源を動作させると、保持テーブル６２の保持面近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、例えば、上述した貼り合わせウエーハが保持テーブル６２に置かれた状態で吸引源を動作させると、保持テーブル６２において貼り合わせウエーハを保持できる。

また、保持テーブル６２の上方には、分割ユニット６４が設けられている。この分割ユニット６４は、円柱状の支持部材６６を有する。この支持部材６６の上部には、例えば、ボールねじ式の昇降機構（不図示）が連結されており、この昇降機構を動作させることによって分割ユニット６４が昇降する。

また、支持部材６６の下端部は、円盤状の支持台６８の上部の中央に固定されている。この支持台６８の外周領域の下側には、支持台６８の周方向に沿って概ね等しい角度の間隔で複数の可動部材７０が設けられている。この可動部材７０は、下方に向かって延在する板状の垂設部７０ａを有する。

この垂設部７０ａの上端部は支持台６８に内蔵されたエアシリンダ等のアクチュエータに連結されており、このアクチュエータを動作させることによって可動部材７０が支持台６８の径方向に沿って移動する。また、この垂設部７０ａの下端部の内側面には、支持台６８の中心に向かって延在し、かつ、支持台６８の中心に近付くほど厚さが薄くなる板状の爪部７０ｂが設けられている。

分割装置６０においては、例えば、以下の順序で分割ステップＳ３が実施される。具体的には、まず、第一剥離層及び第二剥離層が形成されたウエーハ１１を含む貼り合わせウエーハに含まれる支持ウエーハ１７の裏面１７ｂの中心と保持テーブル６２の保持面の中心とを一致させるように、貼り合わせウエーハを保持テーブル６２に置く。

次いで、貼り合わせウエーハが保持テーブル６２によって保持されるように、この保持面において露出するポーラス板と連通する吸引源を動作させる。次いで、複数の可動部材７０のそれぞれを支持台６８の径方向外側に位置付けるようにアクチュエータを動作させる。

次いで、複数の可動部材７０のそれぞれの爪部７０ｂの先端を貼り合わせウエーハの接着剤１９に対応する高さに位置付けるように昇降機構を動作させる。次いで、爪部７０ｂを貼り合わせウエーハに接触させるようにアクチュエータを動作させる。次いで、爪部７０ｂを上昇させるように昇降機構を動作させる（図８（Ａ）参照）。

これにより、ウエーハ１１の外周領域に上向きの外力、すなわち、ウエーハ１１の厚さ方向に沿った外力が付与される。その結果、第一剥離層及び第二剥離層に含まれる亀裂２３がさらに伸展してウエーハ１１が分割されて、ウエーハ１１の複数のデバイス１５が形成されている領域と外周領域とが分離され、かつ、その表面１１ａ側と裏面１１ｂ側とが分離される（図８（Ｂ）参照）。

すなわち、第一剥離層において分割されることによって露出する側面（第一剥離面）２５ａと、第二剥離層において分割されることによって露出する上面（第二剥離面）２５ｂと、を有する薄化ウエーハ２５が形成される。なお、この側面２５ａには第一剥離層に含まれる亀裂２３の形状を反映した凹凸が存在し、また、この上面２５ｂには第二剥離層に含まれる亀裂２３の形状を反映した凹凸が存在する。以上によって、分割ステップＳ３が完了する。

分割ステップＳ３を実施した後には、薄化ウエーハ２５の側面２５ａに対してウェットエッチングを施す（ウェットエッチングステップＳ４）。図９は、薄化ウエーハ２５の側面２５ａに対してウェットエッチングを施す様子を模式的に示す一部断面側面図である。

このウェットエッチングステップＳ４は、例えば、図９に示されるエッチング装置７２において実施される。エッチング装置７２は、薄化ウエーハ２５を含む貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル７４を有する。

保持テーブル７４は、円状の上面（保持面）を有し、この保持面においてはポーラス板（不図示）が露出している。さらに、このポーラス板は、保持テーブル７４の内部に設けられた流路等を介してエジェクタ等の吸引源（不図示）と連通している。

そして、この吸引源を動作させると、保持テーブル７４の保持面近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、例えば、上述した貼り合わせウエーハが保持テーブル７４に置かれた状態で吸引源を動作させると、保持テーブル７４において貼り合わせウエーハを保持できる。

また、保持テーブル７４は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持面の中心を通り、かつ、鉛直方向に平行な直線を回転軸として保持テーブル７４が回転する。さらに、保持テーブル７４は、水平方向に沿って保持テーブル７４を移動させるための水平移動機構（不図示）に連結されてもよい。

また、保持テーブル７４の上方には、エッチング液供給ノズル７６が設けられている。このエッチング液供給ノズル７６は、その先端から直下にエッチング剤Ｅを供給する。なお、エッチング剤Ｅは、例えば、フッ酸等を含む。さらに、エッチング液供給ノズル７６は、水平方向において移動可能である。例えば、エッチング液供給ノズル７６は、その基端を中心として旋回するように移動可能である。

エッチング装置７２においては、例えば、以下の順序でウェットエッチングステップＳ４が実施される。具体的には、まず、薄化ウエーハ２５を含む貼り合わせウエーハの支持ウエーハ１７の裏面１７ｂの中心と保持テーブル７４の保持面の中心とを一致させるように、貼り合わせウエーハを保持テーブル７４に置く。

次いで、貼り合わせウエーハが保持テーブル７４によって保持されるように、この保持面において露出するポーラス板と連通する吸引源を動作させる。次いで、エッチング液供給ノズル７６の先端の直下に薄化ウエーハ２５の側面２５ａが位置付けられるように、保持テーブル７４及びエッチング液供給ノズル７６を相対的に移動させる。

次いで、エッチング液供給ノズル７６の先端から薄化ウエーハ２５の側面２５ａに向けてエッチング剤Ｅを供給しながら、所定の期間に渡って貼り合わせウエーハを回転させるように回転駆動源を動作させる。これにより、薄化ウエーハ２５の側面２５ａがエッチング剤Ｅによってエッチングされて、側面２５ａに存在する凹凸が緩和される。以上によって、ウェットエッチングステップＳ４が完了する。

なお、ウェットエッチングステップＳ４においては、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂのうち外周近傍の領域等がエッチング剤Ｅによってエッチングされてもよい。同様に、ウェットエッチングステップＳ４においては、支持ウエーハ１７の側面がエッチング剤Ｅによってエッチングされてもよい。

さらに、ウェットエッチングステップＳ４においては、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂの全域がエッチング剤Ｅによってエッチングされてもよい。この場合、ウェットエッチングステップＳ４において薄化ウエーハ２５の上面２５ｂに存在する凹凸も緩和されるため、後述する研削ステップＳ５の所要時間を低減し、かつ／又は、研削ステップＳ５において用いられる研削砥石の摩耗を抑制することができる。

ウェットエッチングステップＳ４を実施した後には、薄化ウエーハ２５の上面（第二剥離面）２５ｂに対して研削を施す（研削ステップＳ５）。また、この研削ステップＳ５を実施した後には、薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂに対して研磨を施す（研磨ステップＳ６）。

図１０は、研削ステップＳ５及び研磨ステップＳ６において用いられる加工装置の一例を模式的に示す斜視図である。なお、図１０に示されるＵ軸方向及びＶ軸方向は、水平面上において互いに直交する方向であり、また、Ｗ軸方向（上下方向）は、Ｕ軸方向及びＶ軸方向のそれぞれに直交する方向（鉛直方向）である。

図１０に示される加工装置１０２は、各構造を支持する基台１０４を備える。基台１０４の上面前側には開口１０４ａが形成されており、この開口１０４ａ内には薄化ウエーハ２５を含む貼り合わせウエーハを吸引して保持した状態で搬送する搬送機構１０６が設けられている。さらに、搬送機構１０６は、この貼り合わせウエーハを保持した状態で、その上下を反転させることもできる。

また、開口１０４ａの前方には、カセットテーブル１０８ａ、１０８ｂが設けられている。このカセットテーブル１０８ａ、１０８ｂには、複数の貼り合わせウエーハを収容できるカセット１１０ａ、１１０ｂがそれぞれ置かれている。また、開口１０４ａの斜め後方には、貼り合わせウエーハの位置を調整するための位置調整機構１１２が設けられている。

この位置調整機構１１２は、例えば、貼り合わせウエーハの中央の部分を支持できるように構成されたテーブル１１２ａと、テーブル１１２ａよりも外側においてテーブル１１２ａに対して接近及び離隔できるように構成された複数のピン１１２ｂとを備える。このテーブル１１２ａには、例えば、搬送機構１０６によってカセット１１０ａから搬出された貼り合わせウエーハが搬入される。

そして、位置調整機構１１２においては、テーブル１１２ａに搬入された貼り合わせウエーハの位置合わせが行われる。具体的には、テーブル１１２ａに搬入された貼り合わせウエーハの側面に接触するまで複数のピン１１２ｂをテーブル１１２ａに接近させることによって、Ｕ軸方向及びＶ軸方向に平行な面（ＵＶ平面）において、貼り合わせウエーハの中心の位置が所定の位置に合わせられる。

また、位置調整機構１１２の近傍には、貼り合わせウエーハを吸引して保持した状態で旋回して搬送する搬送機構１１４が設けられている。この搬送機構１１４は、貼り合わせウエーハの上面側を吸引できる吸引パッドを備え、位置調整機構１１２で位置が調整された貼り合わせウエーハを後方に搬送する。また、搬送機構１１４の後方には、円盤状のターンテーブル１１６が設けられている。

このターンテーブル１１６は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、ターンテーブル１１６の中心を通り、かつ、Ｗ軸方向に平行な直線を回転軸としてターンテーブル１１６が回転する。また、ターンテーブル１１６の上面には、複数（例えば、４個）の保持テーブル１１８がターンテーブル１１６の周方向に沿って概ね等間隔に設けられている。

そして、搬送機構１１４は、貼り合わせウエーハを位置調整機構１１２のテーブル１１２ａから搬出して搬送機構１１４の近傍の搬入搬出位置に配置された保持テーブル１１８へと搬入する。ターンテーブル１１６は、例えば、図１０に示される矢印の方向に回転し、各保持テーブル１１８を、搬入搬出位置、粗研削位置、仕上げ研削位置及び研磨位置の順に移動させる。

さらに、保持テーブル１１８は、エジェクタ等の吸引源（不図示）に連結されている。そして、この吸引源を動作させると、保持テーブル１１８の上面（保持面）近傍の空間に吸引力が作用する。そのため、貼り合わせウエーハが保持テーブル２６に置かれた状態で吸引源を動作させると、保持テーブル１１８において貼り合わせウエーハを保持できる。

また、保持テーブル１１８は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されている。そして、この回転駆動源を動作させると、保持テーブル１１８の中心を通り、かつ、Ｗ軸方向に平行な直線を回転軸として保持テーブル１１８が回転する。

粗研削位置及び仕上げ研削位置のそれぞれの後方（ターンテーブル１１６の後方）には、柱状の支持構造１２０が設けられている。また、支持構造１２０の前面（ターンテーブル１１６側の面）には、Ｗ軸移動機構１２２が設けられている。このＷ軸移動機構１２２は、支持構造１２０の前面に固定され、かつ、Ｗ軸方向に沿って延在する一対のＷ軸ガイドレール１２４を有する。

また、一対のＷ軸ガイドレール１２４の前面側には、一対のＷ軸ガイドレール１２４に沿ってスライド可能な態様でＷ軸移動プレート１２６が連結されている。また、一対のＷ軸ガイドレール１２４の間には、Ｗ軸方向に沿って延在するねじ軸１２８が配置されている。このねじ軸１２８の上端部には、ねじ軸１２８を回転させるためのモータ１３０が連結されている。

そして、ねじ軸１２８の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸１２８の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸２８が回転すると、多数のボールがナット内を循環して、ナットがＷ軸方向に沿って移動する。

また、このナットは、Ｗ軸移動プレート１２６の後面（裏面）側に固定されている。そのため、モータ１３０でねじ軸１２８を回転させれば、ナットとともにＷ軸移動プレート１２６がＷ軸方向に沿って移動する。さらに、Ｗ軸移動プレート１２６の表面（前面）には、固定具１３２が設けられている。

この固定具１３２は、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂに対して研削を施すための研削ユニット１３４を支持する。研削ユニット１３４は、固定具１３２に固定されるスピンドルハウジング１３６を備える。このスピンドルハウジング１３６には、Ｗ軸方向に沿って延在するスピンドル１３８が回転可能な態様で収容されている。

そして、スピンドル１３８の上端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル１３８は、この回転駆動源の動力によって、Ｗ軸方向に平行な直線を回転軸として回転できる。また、スピンドル１３８の下端部は、スピンドルハウジング１３６の下面から露出し、この下端部には、円盤状のマウント１４０が固定されている。

粗研削位置側の研削ユニット１３４のマウント１４０の下面には、粗研削用の研削ホイール１４２ａが装着されている。この粗研削用の研削ホイール１４２ａは、マウント１４０と概ね同径の円盤状のホイール基台を有する。そして、このホイール基台の下面には、それぞれが直方体状の複数の研削砥石（粗研削用研削砥石）が固定されている。

同様に、仕上げ研削位置側の研削ユニット１３４のマウント１４０の下面には、仕上げ研削用の研削ホイール１４２ｂが装着されている。この仕上げ研削用の研削ホイール１４２ｂは、マウント１４０と概ね同径の円盤状のホイール基台を有する。そして、このホイール基台の下面には、それぞれが直方体状の複数の研削砥石（仕上げ研削用研削砥石）が固定されている。

そして、粗研削用研削砥石及び仕上げ研削用研削砥石のそれぞれは、例えば、ダイヤモンド又はｃＢＮ（ｃｕｂｉｃ Ｂｏｒｏｎ Ｎｉｔｒｉｄｅ）等からなる砥粒と、この砥粒を保持する結合材とを含む。また、この結合材としては、例えば、メタルボンド、レジンボンド又はビトリファイドボンド等が用いられる。

なお、仕上げ研削用研削砥石に含まれる砥粒の平均粒径は、一般的に、粗研削用研削砥石に含まれる砥粒の平均粒径よりも小さい。例えば、粗研削用研削砥石に含まれる砥粒の平均粒径は、０．５μｍ以上３０μｍ以下であり、仕上げ研削用研削砥石に含まれる砥粒の平均粒径は、０．５μｍ未満である。

さらに、研削ホイール１４２ａ，１４２ｂの近傍には、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂを研削する際の加工点に純水等の液体（研削液）を供給するための研削液供給ノズル（不図示）が配置されている。あるいは、この研削液供給ノズルに換えて又は加えて、液体を供給するための開口が研削ホイール１４２ａ，１４２ｂに設けられ、この開口を介して加工点に研削液が供給されてもよい。

また、研磨位置の側方（ターンテーブル１１６の側方）には、支持構造１４４が設けられている。そして、支持構造１４４のターンテーブル１１６側の側面には、Ｕ軸移動機構１４６が設けられている。このＵ軸移動機構１４６は、支持構造１４４のターンテーブル１１６側の側面に固定され、かつ、Ｕ軸方向に沿って延在する一対のＵ軸ガイドレール１４８を有する。

また、一対のＵ軸ガイドレール１４８のターンテーブル１１６側には、一対のＵ軸ガイドレール１４８に沿ってスライド可能な態様でＵ軸移動プレート１５０が連結されている。また、一対のＵ軸ガイドレール１４８の間には、Ｕ軸方向に沿って延在するねじ軸１５２が配置されている。このねじ軸１５２の前端部には、ねじ軸１５２を回転させるためのモータ１５４が連結されている。

そして、ねじ軸１５２の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸１５２の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。すなわち、ねじ軸１５２が回転すると、多数のボールがナット内を循環して、ナットがＵ軸方向に沿って移動する。

また、このナットは、Ｕ軸移動プレート１５０の支持構造１４４と対向する面（裏面）側に固定されている。そのため、モータ１５４でねじ軸１５２を回転させれば、ナットとともにＵ軸移動プレート１５０がＵ軸方向に沿って移動する。さらに、Ｕ軸移動プレート１５０のターンテーブル１１６側の面（表面）には、Ｗ軸移動機構１５６が設けられている。

このＷ軸移動機構１５６は、Ｕ軸移動プレート１５０の表面に固定され、かつ、Ｗ軸方向に沿って延在する一対のＷ軸ガイドレール１５８を有する。また、一対のＷ軸ガイドレール１５８のターンテーブル１１６側には、一対のＷ軸ガイドレール１５８に沿ってスライド可能な態様でＷ軸移動プレート１６０が連結されている。

また、一対のＷ軸ガイドレール１５８の間には、Ｗ軸方向に沿って延在するねじ軸１６２が配置されている。このねじ軸１６２の上端部には、ねじ軸１６２を回転させるためのモータ１６４が連結されている。そして、ねじ軸１６２の螺旋状の溝が形成された表面には、回転するねじ軸１６２の表面を転がる多数のボールを収容するナット（不図示）が設けられ、ボールねじが構成されている。

すなわち、ねじ軸１６２が回転すると、多数のボールがナット内を循環して、ナットがＷ軸方向に沿って移動する。また、このナットは、Ｗ軸移動プレート１６０のＵ軸移動プレート１５０と対向する面（裏面）側に固定されている。そのため、モータ１６４でねじ軸１６２を回転させれば、ナットとともにＷ軸移動プレート１６０がＷ軸方向に沿って移動する。

さらに、Ｗ軸移動プレート１６０のターンテーブル１１６側の面（表面）には、固定具１６６が設けられている。この固定具１６６は、薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂに対して研磨を施すための研磨ユニット１６８を支持する。研磨ユニット１６８は、固定具１６６に固定されるスピンドルハウジング１７０を備える。

このスピンドルハウジング１７０には、Ｗ軸方向に沿って延在するスピンドル１７２が回転可能な態様で収容されている。そして、スピンドル１７２の上端部には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されており、スピンドル１７２は、この回転駆動源の動力によって回転する。

また、スピンドル１７２の下端部は、スピンドルハウジング１７０の下面から露出し、この下端部には、円盤状のマウント１７４が固定されている。マウント１７４の下面には、円盤状の研磨パッド１７６が装着されている。この研磨パッド１７６は、マウント１７４と概ね同径の円盤状の基台を有する。

そして、この基台の下面には、マウント１７４と概ね同径の円盤状の研磨層が固定されている。この研磨層は、内部に砥粒が分散された固定砥粒層である。例えば、研磨層は、ポリエステル製の不織布に平均粒径が０．４μｍ～０．６μｍの砥粒が分散されたウレタン溶液を含侵させた後、乾燥させることで製造される。

なお、研磨層の内部に分散される砥粒は、ＳｉＣ、ｃＢＮ、ダイヤモンド又は金属酸化物微粒子等の材料からなる。また、この金属酸化物微粒子としては、ＳｉＯ_２（シリカ）、ＣｅＯ_２（セリア）、ＺｒＯ_２（ジルコニア）又はＡｌ_２Ｏ_３（アルミナ）等からなる微粒子が用いられる。

また、研磨層は、柔軟であり、研磨の際に加わる圧力に応じて弾性変形する。例えば、この研磨層は、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂを研磨する際に加わる圧力に応じて、薄化ウエーハ２５が研磨層に埋没するように、すなわち、薄化ウエーハ２５の側面２５ａを覆うように弾性変形する。この場合、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとともに側面２５ａに対して研磨が施される。

なお、このように薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとともに側面２５ａを研磨するためには、上面２５ｂと側面２５ａとがなす角が１００°以上になることが好ましい。換言すると、上記の円錐台の側面と上面とがなす角が１００°以上になること、すなわち、上記の円錐台の下面と側面とがなす角が８０°以下になることが好ましい。

さらに、スピンドル１７２、マウント１７４並びに研磨パッド１７６の基台及び研磨層の径方向の中心位置は、概ね一致しており、これらの中心位置を貫通するように、円柱状の貫通孔が形成されている。そして、この貫通孔は、薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂを研磨する際の加工点に純水等の液体（研磨液）を供給する研磨液供給源（不図示）に連通している。

この研磨液供給源は、研磨液の貯留槽及び送液ポンプ等を有する。また、研磨液供給源は、スピンドル１７２等に形成された貫通孔を介して、研磨位置に位置付けられた保持テーブル１１８に向けて研磨液を供給する。なお、研磨液には、砥粒が含有されてもよいし、されなくてもよい。

また、搬送機構１１４の側方には、貼り合わせウエーハを吸引して保持した状態で旋回して搬送する搬送機構１７８が設けられている。この搬送機構１７８は、貼り合わせウエーハの上面側を吸引できる吸引パッドを備え、搬入搬出位置に位置付けられた保持テーブル１１８に載せられた貼り合わせウエーハを前方に搬送する。

また、搬送機構１７８の前方、かつ、開口１０４ａの後方側には、搬送機構１７８によって搬出された貼り合わせウエーハの上面側を洗浄できるように構成された洗浄機構１８０が配置されている。また、この洗浄機構１８０で洗浄された貼り合わせウエーハは、搬送機構１０６によって搬送され、例えば、カセット１１０ｂに収容される。

加工装置１０２においては、例えば、以下の順序で研削ステップＳ５及び研磨ステップＳ６が実施される。まず、薄化ウエーハ２５を含む貼り合わせウエーハを搬送機構１０６がカセット１１０ａから搬出して薄化ウエーハ２５が上になるように位置調整機構１１２のテーブル１１２ａに搬入する。次いで、複数のピン１１２ｂを貼り合わせウエーハに接触させることによって貼り合わせウエーハの位置合わせを行う。

次いで、搬送機構１１４が貼り合わせウエーハをテーブル１１２ａから搬出して薄化ウエーハ２５が上になるように搬入搬出位置に配置された保持テーブル１１８に搬入する。次いで、貼り合わせウエーハが搬入された保持テーブル１１８が貼り合わせウエーハの支持ウエーハ１７側を吸引して保持する。

次いで、図１１に示されるように、薄化ウエーハ２５の上面（第二剥離面）２５ｂに対して研削を施す。具体的には、まず、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル１１８が粗研削位置に位置付けられるように、ターンテーブル１１６を回転させる。

次いで、保持テーブル１１８と粗研削位置側の研削ユニット１３４のスピンドル１３８との双方を回転させながら、研削ホイール１４２ａの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとを接触させるように、粗研削位置側の研削ユニット１３４を下降させる。

これにより、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂに対して粗研削が施されて、上面２５ｂの凹凸が緩和される。この時、研削ホイール１４２ａの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとの接触界面（加工点）には研削液が供給される。

次いで、研削ホイール１４２ａの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとが離隔するように、粗研削位置側の研削ユニット１３４を上昇させる。次いで、保持テーブル１１８と粗研削位置側の研削ユニット１３４のスピンドル１３８との双方の回転を停止させる。

次いで、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル１１８が仕上げ研削位置に位置付けられるように、ターンテーブル１１６を回転させる。次いで、保持テーブル１１８と仕上げ研削位置側の研削ユニット１３４のスピンドル１３８との双方を回転させながら、研削ホイール１４２ｂの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとを接触させるように、仕上げ研削位置側の研削ユニット１３４を下降させる。

これにより、薄化ウエーハ２５の上面２５ｂに対して仕上げ研削が施されて、上面２５ｂの凹凸がさらに緩和される。この時、研削ホイール１４２ｂの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとの接触界面（加工点）には研削液が供給される。

次いで、研削ホイール１４２ｂの研削砥石と薄化ウエーハ２５の上面２５ｂとが離隔するように、仕上げ研削位置側の研削ユニット１３４を上昇させる。次いで、保持テーブル１１８と仕上げ研削位置側の研削ユニット１３４のスピンドル１３８との双方の回転を停止させる。以上によって、研削ステップＳ５が完了する。

次いで、図１２に示されるように、薄化ウエーハ２５の側面（第一剥離面）及び上面（第二剥離面）２５ｂに対して研磨を施す。具体的には、まず、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル１１８が研磨位置に位置付けられるように、ターンテーブル１１６を回転させる。

次いで、保持テーブル１１８と研磨ユニット１６８のスピンドル１７２との双方を回転させながら、薄化ウエーハ２５が研磨パッド１７６の研磨層に埋没するように、すなわち、薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂを覆うように研磨層が弾性変形するまで研磨ユニット１６８を下降させる。

これにより、薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂが研磨されて、それぞれが平坦化される。この時、スピンドル１７２、マウント１７４並びに研磨パッド１７６を貫通する貫通孔１８２を介して研磨液供給源から薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂには研磨液Ｐが供給される。

次いで、研磨パッド１７６の研磨層と薄化ウエーハ２５の側面２５ａ及び上面２５ｂとが離隔するように、研磨ユニット１６８を上昇させる。次いで、保持テーブル１１８とスピンドル１７２との双方の回転を停止させる。以上によって、研磨ステップＳ６が完了する。

ここで、研磨ステップＳ６は、薄化ウエーハ２５の側面２５ａの凹凸を緩和するためのウェットエッチングステップＳ４と、その上面２５ｂの凹凸を緩和するための研削ステップＳ５と、を実施してから実施される。この場合、ウェットエッチングステップＳ４が実施されることなく研削ステップＳ５及び研磨ステップＳ６が実施される場合と比較して、研磨パッド１７６の研磨層の負担を軽減できる点で好ましい。

具体的には、ウェットエッチングステップＳ４が実施されない場合には、薄化ウエーハ２５の側面２５ａの凹凸の存在に起因して研磨層のうち側面２５ａと接触する部分の摩耗が激しくなる。これに対して、ウェットエッチングステップＳ４が実施されている場合には、薄化ウエーハ２５の側面２５ａの凹凸が緩和されるため、研磨層の局所的な摩耗を防止することができる。

次いで、貼り合わせウエーハを保持する保持テーブル１１８が搬入搬出位置に位置付けられるように、ターンテーブル１１６を回転させる。次いで、搬入搬出位置に位置付けられた保持テーブル１１８が貼り合わせウエーハの支持ウエーハ１７側の吸引を停止する。

次いで、搬送機構１７８が貼り合わせウエーハを保持テーブル１１８から搬出して薄化ウエーハ２５が上になるように洗浄機構１８０に搬入する。次いで、洗浄機構１８０が貼り合わせウエーハの側面２５ａ及び上面２５ｂを洗浄する。次いで、搬送機構１０６が貼り合わせウエーハをカセット１１０ｂに搬入する。

図２に示されるウエーハの加工方法においては、ウエーハ１１の表面１１ａ側に位置する下面（第一底面）と、下面の外周と重なる一端を有し、かつ、ウエーハ１１の表面１１ａ側から遠ざかるほど外周領域から遠ざかるように傾斜する側面と、側面の他端と重なる外周を有し、かつ、下面と平行な上面（第二底面）と、によって画定される円錐台の側面に沿うような第一剥離層及び上面に沿うような第二剥離層をウエーハ１１の内部に形成する。

そして、この方法においては、第一剥離層において分割されることによって露出する側面（第一剥離面）２５ａと、第二剥離層において分割されることによって露出する上面（第二剥離面）２５ｂと、を有する薄化ウエーハ２５が形成されるようにウエーハ１１を分割する。

ここで、このウエーハ１１においては第一剥離層が円錐台の側面に沿うように形成されている。この場合、ウエーハ１１を分割する際に、薄化ウエーハ２５の側面２５ａと、このウエーハ１１の残部（外周領域を含む部分）の内側面と、が互いに接触する蓋然性が低い。そのため、この方法においては、両者の接触に起因した亀裂の発生を抑制できる。

さらに、このウエーハ１１においては、第一剥離層から円錐台の側面に沿った方向に亀裂が伸展しやすくなる。この場合、薄化ウエーハ２５の表面側に形成されているデバイス１５に向かって亀裂が伸展する蓋然性が低くなる。そのため、この方法においては、薄化ウエーハ２５の形成に伴うデバイス１５の破損を抑制するとともに、ウエーハ１１から製造可能なチップの数の減少を抑制できる。

なお、上述したウエーハの加工方法は本発明の一態様であって、本発明は上述した方法に限定されない。例えば、本発明においては、貼り合わせステップＳ１が実施されなくてもよい。すなわち、本発明は、単体のウエーハ１１を分割して薄化ウエーハ２５を形成するウエーハの加工方法であってもよい。

また、本発明の貼り合わせステップＳ１においては、接着剤１９を利用することなく、ウエーハ１１の表面１１ａと支持ウエーハ１７の表面１７ａ側とが貼り合わせられてもよい。例えば、本発明の貼り合わせステップＳ１は、それぞれの表面１１ａ，１７ａの異物を除去するとともに活性化した状態で両表面１１ａ，１７ａを接触させることによって実施されてもよい。

また、本発明においては、第一剥離層及び第二剥離層がウエーハ１１に形成された後に、ウエーハ１１の表面１１ａ側を支持ウエーハ１７の表面１７ａ側に貼り合わせてもよい。すなわち、本発明においては、剥離層形成ステップＳ２を実施した後に貼り合わせステップＳ１を実施してもよい。

また、本発明の剥離層形成ステップＳ２において用いられるレーザー加工装置の構造は、上述したレーザー加工装置２の構造に限定されない。例えば、本発明の剥離層形成ステップＳ２は、レーザービーム照射ユニット４２の照射ヘッド５２等をＸ軸方向及び／又はＹ軸方向のそれぞれに沿って移動させる水平移動機構が設けられているレーザー加工装置を用いて実施されてもよい。

あるいは、本発明の剥離層形成ステップＳ２は、照射ヘッド５２から照射されるレーザービームＬＢの方向を変更することが可能な走査光学系がレーザービーム照射ユニット４２に設けられているレーザー加工装置を用いて実施されてもよい。なお、この走査光学系は、例えば、ガルバノスキャナ、音響光学素子（ＡＯＤ）及び／又はポリゴンミラー等を含む。

すなわち、本発明の剥離層形成ステップＳ２において用いられるレーザー加工装置においては、保持テーブル２６とレーザービームＬＢが集光される集光点とがＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向のそれぞれに沿って相対的に移動できればよく、そのための構造に限定はない。

また、本発明の剥離層形成ステップＳ２においては、第一剥離層の形成方法は上述した方法に限定されない。例えば、本発明の剥離層形成ステップＳ２においては、テーブル基台２４の下部に連結されている回転駆動源に換えて水平移動機構６を動作させることによって、ウエーハ１１に対して円環状にレーザービームＬＢを照射することで第一剥離層が形成されてもよい。

また、本発明の剥離層形成ステップＳ２においては、分岐されていないレーザービームＬＢをウエーハ１１に対して照射することで第一剥離層が形成されてもよい。この場合には、例えば、ウエーハ１１に内部において上に行くほど回転半径が小さくなる螺旋階段のような軌跡が描かれるように、レーザービームＬＢが集光される集光点とウエーハ１１とを相対的に移動させればよい。

また、本発明の剥離層形成ステップＳ２においては、第二剥離層の形成方法は上述した方法に限定されない。例えば、本発明の剥離層形成ステップＳ２においては、水平移動機構６に加えてテーブル基台２４の下部に連結されている回転駆動源を動作させることによって、ウエーハ１１に対して螺旋状にレーザービームＬＢを照射することで第二剥離層が形成されてもよい。

また、本発明の分割ステップＳ３においては、第一剥離層及び第二剥離層が形成されているウエーハ１１の分割に先立って、このウエーハ１１に超音波を付与してもよい。この場合、第一剥離層及び第二剥離層に含まれる亀裂２３が伸展するため、ウエーハ１１の分離が容易になる。

その他、上述した実施形態にかかる構造及び方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

２ ：レーザー加工装置
４ ：基台
６ ：水平移動機構
８ ：Ｙ軸ガイドレール
１０ ：Ｙ軸移動プレート
１１ ：ウエーハ（１１ａ：表面、１１ｂ：裏面、１１ｃ：側面）
１２ ：ねじ軸
１３ ：ノッチ
１４ ：モータ
１５ ：デバイス
１６ ：Ｘ軸ガイドレール
１７ ：支持ウエーハ（第二ウエーハ）（１７ａ：表面、１７ｂ：裏面）
１８ ：Ｘ軸移動プレート
１９ ：接着剤
２０ ：ねじ軸
２１ ：改質部
２２ ：モータ
２３ ：亀裂
２４ ：テーブル基台
２５ ：薄化ウエーハ（２５ａ：側面（第一剥離面）、２５ｂ：上面（第二剥離面））
２６ ：保持テーブル（２６ａ：ポーラス板）
３０ ：支持構造
３２ ：鉛直移動機構
３４ ：Ｚ軸ガイドレール
３６ ：Ｚ軸移動プレート
３８ ：モータ
４０ ：支持具
４２ ：レーザービーム照射ユニット
４４ ：レーザー発振器
４６ ：減衰器
４８ ：空間光変調器
５０ ：ミラー
５２ ：照射ヘッド
５４ ：ハウジング
５６ ：撮像ユニット
５８ ：タッチパネル
６０ ：分割装置
６２ ：保持テーブル
６４ ：分割ユニット
６６ ：支持部材
６８ ：支持台
７０ ：可動部材（７０ａ：垂設部、７０ｂ：爪部）
７２ ：エッチング装置
７４ ：保持テーブル
７６ ：エッチング液供給ノズル
１０２：加工装置
１０４：基台（１０４ａ：開口）
１０６：搬送機構
１０８ａ，１０８ｂ：カセットテーブル
１１０ａ，１１０ｂ：カセット
１１２：位置調整機構（１１２ａ：テーブル、１１２ｂ：ピン）
１１４：搬送機構
１１６：ターンテーブル
１１８：保持テーブル
１２０：支持構造
１２２：Ｗ軸移動機構
１２４：Ｗ軸ガイドレール
１２６：Ｗ軸移動プレート
１２８：ねじ軸
１３０：モータ
１３２：固定具
１３４：研削ユニット
１３６：スピンドルハウジング
１３８：スピンドル
１４０：マウント
１４２ａ，１４２ｂ：研削ホイール
１４４：支持構造
１４６：Ｕ軸移動機構
１４８：Ｕ軸ガイドレール
１５０：Ｕ軸移動プレート
１５２：ねじ軸
１５４：モータ
１５６：Ｗ軸移動機構
１５８：Ｗ軸ガイドレール
１６０：Ｗ軸移動プレート
１６２：ねじ軸
１６４：モータ
１６６：固定具
１６８：研磨ユニット
１７０：スピンドルハウジング
１７２：スピンドル
１７４：マウント
１７６：研磨パッド
１７８：搬送機構
１８０：洗浄機構
１８２：貫通孔

Claims (4)

1. 表面側に複数のデバイスが形成され、かつ、外周領域が面取りされているウエーハに対して該ウエーハを透過する波長のレーザービームを照射することによって該ウエーハの内部に剥離層を形成した後、該ウエーハの厚さ方向に沿って該ウエーハに外力を付与することによって該剥離層において該ウエーハを分割するウエーハの加工方法であって、
   該ウエーハの該表面側に位置する第一底面と、該第一底面の外周と重なる一端を有し、かつ、該ウエーハの該表面側から遠ざかるほど該外周領域から遠ざかるように傾斜する側面と、該側面の他端と重なる外周を有し、かつ、該第一底面と平行な第二底面と、によって画定される円錐台の該側面に沿うような第一剥離層及び該第二底面に沿うような第二剥離層を形成する剥離層形成ステップと、
   該剥離層形成ステップを実施した後、該第一剥離層において分割されることによって露出する第一剥離面と、該第二剥離層において分割されることによって露出する第二剥離面と、を有する薄化ウエーハが形成されるように該ウエーハを分割する分割ステップと、
   該分割ステップを実施した後、少なくとも該第一剥離面に対してウェットエッチングを施すウェットエッチングステップと、
   該ウェットエッチングステップを実施した後、該第二剥離面に対して研削を施す研削ステップと、
   該研削ステップを実施した後、該第一剥離面及び該第二剥離面に対して研磨を施す研磨ステップと、
   を備えるウエーハの加工方法。
2. 該分割ステップを実施する前に、該ウエーハの該表面側を、該ウエーハとは異なる第二ウエーハの表面側に貼り合わせる貼り合わせステップを更に備える請求項１に記載のウエーハの加工方法。
3. 該剥離層形成ステップにおいては、該第一剥離層及び該第二剥離層の一方を形成してから他方を形成する請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。
4. 該ウエーハは、それぞれが所定の方向に沿って延在する第一領域及び第二領域を含み、
   該第一剥離層は、該第一領域に形成される一対の第一傾斜部と、該第二領域に形成される一対の第二傾斜部と、を含み、
   該第二剥離層は、該第一領域に形成され、かつ、該所定の方向において該一対の第一傾斜部の間に位置する第一直線部と、該第二領域に形成され、かつ、該所定の方向において該一対の第二傾斜部の間に位置する第二直線部と、を含み、
   該剥離層形成ステップにおいては、該一対の第一傾斜部及び該第一直線部を形成してから該一対の第二傾斜部及び該第二直線部を形成する請求項１又は２に記載のウエーハの加工方法。

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