DE102022208279A1 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

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Hayato Iga
Kazuya Hirata
Shunichiro Hirosawa
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Abstract

Eine erste Abziehschicht, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine erste Bodenoberfläche, die nahe einer Vorderseite eines Wafers positioniert ist, und eine zweite Bodenoberfläche aufweist, die innerhalb des Wafers positioniert ist und einen kleineren Durchmesser als die erste Bodenoberfläche aufweist, und eine zweite Abziehschicht, die sich entlang der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfes erstreckt, werden in dem Wafer ausgebildet. Dann werden äußere Kräfte in der Dickenrichtung des Wafers ausgeübt, wodurch der Wafer entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht, die als Teilungsstartpunkte fungieren, geteilt wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bearbeiten eines Wafers.
  • Beschreibung der verwandten Technik
  • Chips von Halbleiterbauelementen, im Folgenden einfach als „Bauelemente“ bezeichnet, werden im Wesentlichen aus scheibenförmigen Wafern hergestellt, die aus einem Halbleitermaterial wie beispielsweise Silizium (Si) hergestellt sind. Konkret weist ein scheibenförmiger Wafer mehrere Bereiche, die durch ein Gitter aus vorgesehenen Teilungslinien unterteilt sind, und mehrere Bauelemente auf, die an einer Vorderseite der jeweiligen Bereiche ausgebildet sind. Der Wafer wird entlang der vorgesehenen Teilungslinien in Chips geteilt.
  • Einige Wafer weisen Durchkontaktierungen (TSVs) auf, um beispielsweise hochintegrierte Packungen herzustellen, die mehrere Chips aufweisen. Solche Gehäuse ermöglichen es beispielsweise, dass in verschiedenen Chips vorhandene Elektroden durch TSVs elektrisch miteinander verbunden werden können.
  • Ein TSV wird gemäß der folgenden Abfolge von Schritten in einem Wafer ausgebildet. Zunächst wird an einer Vorderseite eines Wafers eine Nut ausgebildet. Dann wird ein TSV in der Nut vorgesehen. Dann wird die Vorderseite des Wafers an einem Tragwafer befestigt. Dann wird eine Rückseite des Wafers geschliffen, bis der TSV an der Rückseite freiliegt.
  • Ein Wafer weist häufig einen schrägen äußeren Bereich auf, um eine Abplatzung zu verhindern. Wenn die Rückseite des Wafers mit dem schrägen äußeren Umfangsbereich geschliffen wird, bis die Dicke des Wafers auf die Hälfte oder weniger reduziert ist, wird die Rückseite des äußeren Umfangsbereichs zu einer Art Messerrand geformt.
  • Während die Rückseite des Wafers auf diese Weise geschliffen wird, konzentrieren sich die Spannungen tendenziell auf die Rückseite des äußeren Umfangsbereichs, wodurch der Wafer zu Rissen neigt. Infolgedessen sinkt die Ausbeute an Chips aus dem Wafer. Um derartige Probleme zu vermeiden, wurde in der Technik vorgeschlagen, einen Teil der Vorderseite des äußeren Umfangsbereichs des Wafers zu entfernen, d.h. das, was im Wesentlichen als Randbeschneidung bezeichnet wird, durchzuführen, bevor die Rückseite des Wafers geschliffen wird (siehe beispielsweise das offengelegte japanische Patent Nr. 2007-158239 ).
  • Zu dem Zeitpunkt, zu dem der Rest der Rückseite des Wafers geschliffen ist, weist der Wafer eine äußere Umfangsseitenfläche auf, die im Wesentlichen senkrecht zu den Vorder- und Rückseiten des Wafers verläuft. Folglich kommt es beim Schleifen des Wafers zu keiner Spannungskonzentration an der Rückseite des äußeren Umfangsbereichs, so dass die Wahrscheinlichkeit eines Risses auf dem Wafer geringer ist. Infolgedessen wird verhindert, dass die Abplatzung des Wafers abnimmt.
  • Wenn jedoch die Rückseite des Wafers so lange geschliffen wird, bis nach dem Randbeschnneiden TSVs an der Rückseite des Wafers freiliegen, wird viel Material vom Wafer abgeschliffen, so dass Schleifsteine, die zum Schleifen des Wafers verwendet werden, in hohem Maße abgenutzt werden. Dementsprechend werden die aus dem Wafer hergestellten Chips oder Pakete wahrscheinlich kostspielig, und die Bearbeitung des Wafers kann sich in die Länge ziehen.
  • In Anbetracht der vorgenannten Mängel wurde in der Technik vorgeschlagen, einen Wafer mit einem Laserstrahl zu teilen, dessen Wellenlänge durch den Wafer transmittierbar ist (siehe beispielsweise das offengelegte japanische Patent Nr. 2020-136442 ). Gemäß dem vorgeschlagenen Verfahren wird der Laserstrahl in einem ringförmigen Muster auf einen Bereich des Wafers aufgebracht, der keine unregelmäßige Reflexion des Laserstrahls veranlasst, d.h. einen Bereich, der radial innerhalb des schrägen äußeren Umfangsbereichs positioniert ist, während der fokussierte Punkt des Laserstrahls an der Vorderseite des Wafers positioniert wird.
  • Der aufgebrachte Laserstrahl bildet im Wafer eine Abziehschicht aus, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Zylinders erstreckt, d.h. eine Abziehschicht, die als ein Hohlzylinder geformt ist, wobei der Zylinder eine Bodenoberfläche hat, die an der Vorderseite des Wafers positioniert ist, und eine obere Oberfläche, die im Wafer positioniert ist. Dann wird der Laserstrahl erneut auf einen Bereich des Wafers aufgebracht, der sich radial innerhalb der Abziehschicht befindet, während der fokussierte Spot des Laserstrahls an einer oberen Oberfläche des Zylinders positioniert wird. Der aufgebrachte Laserstrahl bildet entlang der oberen Oberfläche des Zylinders eine Abziehschicht aus, d.h. eine Abziehschicht in Form einer Scheibe.
  • Dann werden äußere Kräfte auf den Wafer ausgeübt, um den Wafer entlang der Abziehschicht in Form des Hohlzylinders und der Abziehschicht in Form der Scheibe zu teilen. Mit anderen Worten: Der äußere Umfangsbereich des Wafers wird von einem Bereich des Wafers getrennt, in dem Bauelemente ausgebildet sind, d.h. einem Bauelementbereich, und eine Rückseite des Bauelementbereichs wird von einer Vorderseite des Bauelementbereichs getrennt.
  • Wenn der Wafer auf die oben beschriebene Weise geteilt wird, wird die Menge an Material, die von der Rückseite des Wafers abgeschliffen wird, bis die TSVs freiliegen, reduziert, und Schleifsteine, die zum Schleifen des Wafers verwendet werden, werden weniger stark abgenutzt. Infolgedessen wird verhindert, dass die Herstellung von Chips oder Packungen aus dem Wafer kostspielig wird und dass sich die Bearbeitung des Wafers in die Länge zieht.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • Um den Wafer wie oben beschrieben entlang der als Hohlzylinder geformten Abziehschicht und der als Scheibe geformten Abziehschicht zu teilen, ist es notwendig, den äußeren Umfangsbereich des Wafers radial vom Wafer vom Bauelementbereich zu trennen und auch die Rückseite des Bauelementbereichs von der Vorderseite davon in der Dickenrichtung des Wafers zu trennen.
  • Die Richtung von äußeren Kräften, die ausgeübt werden, um den äußeren Umfangsbereich des Wafers vom Bauelementbereich zu trennen, und die Richtung von äußeren Kräften, die ausgeübt werden, um die Rückseite des Bauelementbereichs der Vorderseite davon zu trennen, stehen senkrecht zueinander. Daher ist es nicht unbedingt einfach, den Wafer gleichzeitig entlang der als Hohlzylinder geformten Abziehschicht und der als Scheibe geformten Abziehschicht zu teilen, indem äußere Kräfte in bestimmten Richtungen auf den Wafer ausgeübt werden.
  • Beispielsweise neigen eine Seitenoberfläche des Bauelementbereichs, die durch das Teilen des Wafers entlang der als Hohlzylinder geformten Abziehschicht neu freiliegt, und eine innere Seitenoberfläche des äußeren Umfangsbereichs des Wafers dazu, einander zu berühren, wenn der Wafer durch ein Ausüben äußerer Kräfte in der Dickenichtung des Wafers geteilt wird. In diesem Fall könnten Risse in Richtung der Bauelemente entstehen, die an der Vorderseite des Bauelementbereichs ausgebildet sind, wodurch die Bauelemente möglicherweise beschädigt werden.
  • Wie oben beschrieben, wird die als Hohlzylinder geformte Abziehschicht in dem Bereich des Wafers ausgebildet, der keine unregelmäßige Reflexion des Laserstrahls veranlasst, d.h. in dem Bereich, der radial innerhalb des schrägen Außenumfangsbereichs positioniert ist. Daher kann in einem Fall, in dem der Wafer entlang der als Hohlzylinder geformten Abziehschicht geteilt ist, ein Bereich in der Nähe einer Innenseite des äußeren Umfangsbereichs des Wafers nicht bei der Herstellung von Bauelementchips verwendet werden, was möglicherweise zu einer Verringerung der Anzahl von Chips führt, die aus dem Wafer hergestellt werden können.
  • In Anbetracht der oben beschriebenen Nachteile ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer vorzusehen, um zu verhindern, dass auf dem Wafer ausgebildete Bauelemente zu dem Zeitpunkt zerbrechen, zu dem die Trennung eines äußeren Umfangsbereichs des Wafers von einem Bauelementbereich davon und die Trennung einer Rückseite des Bauelementbereichs von einer Vorderseite davon gleichzeitig ausgeführt werden, und auch um zu verhindern, dass die Anzahl der Chips, die aus dem Wafer hergestellt werden können, verringert wird.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines ersten Wafers, der mehrere Bauelemente, die an einer Vorderseite davon ausgebildet sind, und einen schrägen äußeren Umfangsbereich aufweist, durch ein Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die durch den ersten Wafer hindurch übertragbar ist, auf den ersten Wafer, um eine Abziehschicht in dem ersten Wafer auszubilden, und danach ein Teilen des ersten Wafers entlang der Abziehschicht, die als ein Teilungsstartpunkt fungiert, bereitgestellt. Das Verfahren weist auf: einen Befestigungsschritt eines Befestigens der Vorderseite des ersten Wafers an einer Vorderseite eines zweiten Wafers, einen ersten Abziehschichtausbildungsschritt eines Aufbringens des Laserstrahls auf einen Bereich des ersten Wafers, der radial innerhalb des äußeren Umfangsbereichs des ersten Wafers positioniert ist, derart, dass ein fokussierter Spot des Laserstrahls voranschreitend näher an der Vorderseite des ersten Wafers liegt, je näher der fokussierte Spot an dem äußeren Umfangsbereich liegt, wodurch eine erste Abziehschicht in dem ersten Wafer ausgebildet wird, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine erste Bodenoberfläche, die in der Nähe der Vorderseite des ersten Wafers positioniert ist, und eine zweite Bodenoberfläche aufweist, die innerhalb des ersten Wafers positioniert ist und einen kleineren Durchmesser aufweist als die erste Bodenoberfläche, einen zweiten Abziehschichtausbildungsschritt eines Aufbringens des Laserstrahls auf einen Bereich des ersten Wafers, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist, während der fokussierte Spot des Laserstrahls an der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfs positioniert wird, wodurch eine zweite Abziehschicht in dem ersten Wafer ausgebildet wird, die sich entlang der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfs erstreckt, und einen Teilungsschritt, nach dem Befestigungsschritt, dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt und dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt, eines Ausübens von äußeren Kräften auf den ersten Wafer in der Dickenrichtung des ersten Wafers, um den ersten Wafer entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht zu teilen, die als Teilungsstartpunkte dienen.
  • Bevorzugt wird der erste Abziehschichtausbildungsschritt vor dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt ausgeführt.
  • Bevorzugt wird der Laserstrahl in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt so aufgeteilt, dass mehrere fokussierte Spots ausgebildet werden, die in einer Draufsicht in einer radialen Richtung des ersten Wafers angeordnet sind.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung werden die erste Abziehschicht, die sich entlang der Seitenoberfläche des Kegelstumpfes erstreckt, dessen erste Bodenoberfläche in der Nähe der der Vorderseite des Wafers positioniert ist und dessen zweite Bodenoberfläche innerhalb des Wafers positioniert ist und einen kleineren Durchmesser als die erste Bodenoberfläche aufweist, und die zweite Abziehschicht, die sich entlang der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfes erstreckt, im Wafer ausgebildet. Dann werden äußere Kräfte in der Dickenrichtung des Wafers ausgeübt, wodurch der Wafer entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht, die als Teilungsstartpunkte fungieren, geteilt wird.
  • Im Wafer wird die erste Abziehschicht entlang der Seitenoberfläche des Kegelstumpfes ausgebildet. Wenn der Wafer geteilt wird, ist die Wahrscheinlichkeit, dass eine Seitenoberfläche eines Bereichs, in dem die Bauelemente ausgebildet sind, d.h. ein Bauelementbereich, der durch ein Teilen des Wafers entlang der ersten Abziehschicht neu freigelegt ist, und eine innere Seitenoberfläche des äußeren Umfangsbereichs des Wafers einander berühren, gering. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist daher die Wahrscheinlichkeit, dass Risse zu den Bauelementen, die an der Vorderseite des Bauelementbereichs ausgebildet sind, entstehen, ebenfalls gering, wodurch verhindert wird, dass die Bauelemente beschädigt werden können.
  • Darüber hinaus neigen Risse im Wafer dazu, sich von der ersten Abziehschicht entlang der Seitenoberfläche des Kegelstumpfes zu entwickeln. In diesem Fall ist die Wahrscheinlichkeit, dass sich Risse in Richtung der Bauelemente entwickeln, die an der Vorderseite des Bauelementbereichs ausgebildet sind, gering. Gemäß der vorliegenden Erfindung wird daher verhindert, dass die Anzahl der Chips, die aus dem Wafer hergestellt werden können, reduziert wird.
  • Die obigen und andere Gegenstände, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1A ist eine Draufsicht, die schematisch und beispielhaft einen Wafer darstellt;
    • 1B ist eine Querschnittsansicht des in 1A dargestellten Wafers;
    • 2 ist ein Flussdiagramm einer Sequenz eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Wafers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
    • 3 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Art und Weise darstellt, in der eine Vorderseite des Wafers an einer Vorderseite eines Tragwafers befestigt wird;
    • 4 ist eine perspektivische Ansicht, die schematisch und beispielhaft eine Laserbearbeitungsvorrichtung darstellt, die in einem ersten Abziehschichtausbildungsschritt und einem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt verwendet wird;
    • 5 ist eine Ansicht, die schematisch eine Art und Weise darstellt, in der sich ein von einer Laserstrahl-Aufbringeinheit emittierter Laserstrahl bewegt;
    • 6 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Art und Weise darstellt, in der ein Laserstrahl auf einen Bereich des Wafers aufgebracht wird, der radial einwärts von einem äußeren Umfangsbereich positioniert ist;
    • 7 ist eine Querschnittsansicht, die schematisch eine Art und Weise darstellt, in der ein Laserstrahl auf einen Bereich des Wafers aufgebracht wird, der radial innerhalb einer ersten Abziehschicht positioniert ist; und
    • 8 ist eine Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, die schematisch eine Art und Weise darstellt, in der der Wafer geteilt wird.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
  • Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. 1A stellt schematisch einen Wafer in der Draufsicht dar, und 1B zeigt den in 1A dargestellten Wafer im Querschnitt. Der in 1A und 1B dargestellte Wafer 11 besteht beispielsweise aus Silizium und weist eine Vorderseite 11a und eine Rückseite 11b auf, die im Wesentlichen parallel zueinander liegen.
  • Der Wafer 11 weist mehrere Bereiche auf, die durch mehrere sich kreuzende, vorgesehene Teilungslinien unterteilt sind. An der Vorderseite 11a sind in den jeweiligen Bereichen Bauelemente 13 wie beispielsweise integrierte Schaltungen (ICs), LSI-Schaltungen (Large-Scale-Integration), Halbleiterspeicher oder CMOS-Abbildungssensoren (Complementary-Metal-Oxide-Semiconductor) ausgebildet.
  • Darüber hinaus könnten an der Vorderseite 11a des Wafers 11 Nuten ausgebildet sein, in denen TSVs vorgesehen sind. Der z.B. scheibenförmige Wafer 11 weist einen schrägen äußeren Umfangsbereich auf. Mit anderen Worten, der Wafer 11 weist eine äußere Umfangsseitenfläche 11c auf, die so gekrümmt ist, dass sie nach außen vorsteht. Der äußere Umfangsbereich des Wafers 11 ist frei von Bauelementen 13. Ein Bereich des Wafers 11, in dem die Bauelemente 13 ausgebildet sind, d.h. ein Bauelementbereich, ist radial innerhalb des Außenumfangsbereichs angeordnet und von diesem umgeben.
  • Der Wafer 11 ist nicht auf bestimmte Materialien, Formen, Aufbauten, Größen usw. beschränkt. Der Wafer 11 könnte aus einem anderen Halbleitermaterial als Silizium bestehen, z.B. aus Siliziumkarbid (SiC) oder Galliumnitrid (GaN). Ebenso sind die Bauelemente 13 nicht auf bestimmte Arten, Zahlen, Formen, Aufbauten, Größen, Anordnungen usw. beschränkt.
  • 2 ist ein Flussdiagramm einer Sequenz eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Wafers gemäß der vorliegenden Ausführungsform. Gemäß dem Verfahren wird ein Laserstrahl mit einer durch den Wafer 11 transmittierbaren Wellenlänge auf den Wafer 11 aufgebracht, wodurch Abziehschichten in dem Wafer 11 ausgebildet werden, und dann wird der Wafer 11 entlang der Abziehschichten geteilt, die als Teilungsstartpunkte dienen.
  • Insbesondere wird gemäß dem Verfahren die Vorderseite 11a des Wafers 11, d.h. eines ersten Wafers, an einer Vorderseite eines Tragwafers, d.h. eines zweiten Wafers, befestigt (Befestigungsschritt S1). 3 stellt schematisch im Querschnitt dar, wie die Vorderseite 11a des Wafers 11 an einer Vorderseite 15a des Tragwafers befestigt wird, die mit 15 bezeichnet ist.
  • Der Tragwafer 15, an dem der Wafer 11 befestigt werden soll, hat beispielsweise die gleiche Form wie der Wafer 11. Wie der Wafer 11 könnte auch der Tragwafer 15 mehrere Bauelemente aufweisen, die an ihrer Vorderseite 15a ausgebildet sind. An der Vorderseite 15a der Tragwafer 15 ist ein Haftmittel 17 wie beispielsweise ein Acrylat- oder Epoxidkleber angeordnet.
  • Im Befestigungsschritt S1 wird, während eine Rückseite 15b der Tragwafers 15 getragen wird, die Vorderseite 11a des Wafers 11 durch das dazwischen angeordnete Haftmittel 17 gegen die Vorderseite 15a des Tragwafers 15 gedrückt. Die Vorderseite 11a des Wafers 11 ist somit an der Vorderseite 15a der Tragwafer 15 befestigt, wodurch eine Schichtstruktur entsteht.
  • Dann wird eine Abziehschicht, d.h. eine erste Abziehschicht, in dem Wafer 11 derart ausgebildet, dass sie sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine erste Bodenoberfläche, d.h. eine untere Bodenoberfläche, die nahe der Vorderseite 11a des Wafers 11 positioniert ist, und eine zweite Bodenoberfläche, d.h. eine obere Bodenoberfläche, aufweist, die innerhalb des Wafers 11 positioniert ist und einen kleineren Durchmesser als die erste Bodenoberfläche hat (erster Abziehschichtausbildungsschritt S2). Danach wird eine Abziehschicht, d.h. eine zweite Abziehschicht, in dem Wafer 11 so ausgebildet, dass sie sich entlang der oberen Bodenoberfläche des Kegelstumpfes erstreckt (zweiter Abziehschichtausbildungsschritt S3).
  • 4 stellt schematisch und perspektivisch beispielhaft eine Laserbearbeitungsvorrichtung 2 dar, die für den ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 und den zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 verwendet wird. In 4 erstrecken sich die X-Achsen-Richtungen oder die Richtungen nach links und nach rechts, die durch einen Pfeil X angezeigt werden, und die Y-Achsen-Richtungen oder die Richtungen nach vorne und nach hinten, die durch einen Pfeil Y angezeigt werden, senkrecht zueinander in einer horizontalen Ebene, und die Z-Achsen-Richtungen oder die Richtungen nach oben und nach unten, die durch einen Pfeil Z angezeigt werden, erstrecken sich vertikal senkrecht zu den X-Achsen-Richtungen und den Y-Achsen-Richtungen.
  • Wie in 4 dargestellt, weist die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 eine Basis 4 auf, die verschiedene Komponenten davon trägt. Ein Horizontalbewegungsmechanismus 6 ist an einer oberen Oberfläche der Basis 4 angeordnet. Der Horizontalbewegungsmechanismus 6 weist ein Paar Y-Achsen-Führungsschienen 8 auf, die an der oberen Oberfläche der Basis 4 befestigt sind und sich entlang der Y-Achsen-Richtungen erstrecken.
  • Der Horizontalbewegungsmechanismus 6 weist auch eine entlang der Y-Achse bewegbare Platte 10 auf, die verschiebbar an den Y-Achsen-Führungsschienen 8 angebracht ist, um eine Verschiebebewegung entlang der Y-Achse zu ermöglichen. Ein sich entlang den Y-Achsen-Richtungen erstreckender Gewindeschaft 12 ist zwischen den Y-Achsen-Führungsschienen 8 angeordnet. Ein Elektromotor 14 ist mit einem Ende, d.h. einem vorderen Ende, des Gewindeschafts 12 gekoppelt, um den Gewindeschaft 12 um seine Mittelachse zu drehen.
  • Eine nicht dargestellte Mutter, die eine Anzahl von Kugeln enthält, die in einer schraubenförmigen Nut an einer äußeren Oberfläche des Gewindeschafts 12 beweglich sind, wird auf den Gewindeschaft 12 geschraubt, wodurch eine Kugelgewindespindel entsteht. Wenn der Elektromotor 14 mit Energie versorgt wird, um den Gewindeschaft 12 um ihre zentrale Achse zu drehen, rollen die Kugeln in der schraubenförmigen Rille und zirkulieren durch die Mutter, was die Mutter veranlasst, sich jeweils entlang einer der Y-Achsen-Richtungen zu bewegen.
  • Die Mutter ist an der unteren Oberfläche der um die entlang der Y-Achse bewegbaren Platte 10 befestigt. Wenn also der Gewindeschaft 12 durch den Elektromotor 14 um seine Mittelachse gedreht wird, werden die Mutter und die entlang der Y-Achse bewegbare Platte 10 entlang einer der Y-Achsen-Richtungen bewegt. Ein Paar X-Achsen-Führungsschienen 16 sind an einer oberen Oberfläche der entlang der Y-Achse bewegbaren Platte 10 befestigt und erstrecken sich entlang der X-Achsen-Richtungen.
  • Auf den X-Achsen-Führungsschienen 16 ist eine entlang der X-Achse bewegbare Platte 18 verschiebbar angebracht. Zwischen den X-Achsen-Führungsschienen 16 ist ein sich entlang der X-Achsen-Richtungen erstreckender Gewindeschaft 20 angeordnet. Ein Elektromotor 22 ist mit einem Ende des Gewindeschafts 20 gekoppelt, um den Gewindeschaft 20 um seine Mittelachse zu drehen.
  • Eine nicht dargestellte Mutter, die eine Anzahl von Kugeln enthält, die in einer schraubenförmigen Nut, die in einer äußeren Oberfläche des Gewindeschafts 20 definiert ist, rollend beweglich sind, wird funktionsfähig auf den Gewindeschaft 20 geschraubt, wodurch eine Kugelgewindespindel konstruiert wird. Wenn der Elektromotor 22 mit Energie versorgt wird, um den Gewindeschaft 20 um seine zentrale Achse zu drehen, rollen die Kugeln in der schraubenförmigen Nut und kreisen durch die Mutter, was die Mutter veranlasst, sich jeweils entlang einer der X-Achsen-Richtungen zu bewegen.
  • Die Mutter ist an einer unteren Oberfläche der entlang der X-Achse bewegbaren Platte 18 befestigt. Wenn also der Gewindeschaft 20 durch den Elektromotor 22 um seine Mittelachse gedreht wird, werden die Mutter und die entlang der X-Achse bewegbare Platte 18 entlang einer der X-Achsen-Richtungen bewegt.
  • Eine zylindrische Tischbasis 24 ist an einer oberen Oberfläche der entlang der X-Achse bewegbaren Platte 18 angeordnet. An einem oberen Abschnitt der Tischbasis 24 ist ein Haltetisch 26 angebracht, an dem die oben erwähnte Schichtstruktur gehalten wird. Der Haltetisch 26 weist eine kreisförmige obere Oberfläche als Halteoberfläche auf, die beispielsweise parallel zu den X-Achsen-Richtungen und den Y-Achsen-Richtungen liegt. An dieser Halteoberfläche ist eine poröse Platte 26a freiliegend.
  • Die Tischbasis 24 weist einen unteren Abschnitt auf, der mit einem nicht dargestellten Drehantrieb, wie beispielsweise einem Elektromotor, gekoppelt ist. Wenn der Drehantrieb mit Energie versorgt wird, dreht er den Haltetisch 26 um seine Mittelachse. Die Mittelachse des Haltetischs 26 ist eine gerade Linie durch die Mitte der Halteoberfläche und parallel zu den Z-Achsen-Richtungen. Wenn der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt wird, wird der Haltetisch 26 entlang der X-Achsen-Richtungen und/oder der Y-Achsen-Richtungen bewegt.
  • Die poröse Platte 26a steht mit einer nicht dargestellten Ansaugquelle wie beispielsweise einer Vakuumpumpe über einen nicht dargestellten Fluidkanal in Verbindung, der am Haltetisch 26 definiert ist. Wenn die Ansaugquelle betätigt wird, erzeugt sie einen Unterdruck, der durch den Fluidkanal in einen Raum nahe der Halteoberfläche transmittiert wird.
  • Eine Tragstruktur 30, die eine Seitenoberfläche im Wesentlichen parallel zu den Y-Achsen-Richtungen und den Z-Achsen-Richtungen aufweist, ist an einem hinteren Bereich der Basis 4 hinter dem Horizontalbewegungsmechanismus 6 angeordnet. An der Seitenoberfläche der Tragstruktur 30 ist ein Vertikalbewegungsmechanismus 32 angeordnet. Der Vertikalbewegungsmechanismus 32 weist ein Paar Z-Achsen-Führungsschienen 34 auf, die an der Seitenoberfläche der Tragstruktur 30 befestigt sind und sich entlang der Z-Achsen-Richtungen erstrecken.
  • Der Vertikalbewegungsmechanismus 32 weist auch eine entlang der Z-Achse bewegbare Platte 36 auf, die verschiebbar an den Z-Achsen-Führungsschienen 34 angebracht ist, um eine Gleitbewegung entlang der Z-Achse zu ermöglichen. Ein nicht dargestellter Schaft, der sich entlang der Z-Achsen-Richtungen erstreckt, ist zwischen den Z-Achsen-Führungsschienen 34 angeordnet. Ein Elektromotor 38 ist mit einem Ende, d.h. einem oberen Ende, des Schafts verbunden, um den Schaft um seine Mittelachse zu drehen.
  • Eine nicht dargestellte Mutter, die eine Anzahl von Kugeln enthält, die in einer schraubenförmigen Nut an einer äußeren Oberfläche des Schafts beweglich sind, wird auf den Schaft aufgeschraubt, wodurch eine Kugelgewindespindel gebildet wird. Wenn der Elektromotor 38 mit Energie versorgt wird, um den Spindelschaft um seine zentrale Achse zu drehen, rollen die Kugeln in der schraubenförmigen Nut und zirkulieren durch die Mutter, was die Mutter veranlasst, sich jeweils entlang einer der Z-Achsen-Richtungen zu bewegen.
  • Die Mutter ist an der Rückseite der entlang der Z-Achse bewegbaren Platte 36 befestigt. Wenn der Elektromotor 38 den Schaft um seine Mittelachse dreht, werden die Mutter und die entlang der Z-Achse bewegbare Platte 36 entlang einer der Z-Achsen-Richtungen gleichzeitig bewegt.
  • Ein Tragblock 40 ist an einer Vorderseite der entlang der Z-Achse bewegbaren Platte 36 befestigt. Der Tragblock 40 trägt einen Abschnitt einer Laserstrahl-Aufbringeinheit 42. 5 stellt schematisch dar, wie sich ein von der Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 emittierter Laserstrahl LB bewegt. Einige der Komponenten der Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 sind als Funktionsblöcke dargestellt.
  • Die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 weist einen Laseroszillator 44 auf, der an der Basis 4 angebracht ist. Der Laseroszillator 44 weist als Lasermedium Nd:YAG oder ähnliches auf und emittiert den Laserstrahl LB, der beispielsweise eine Wellenlänge von 1342 nm aufweist und durch den Wafer 11 transmittierbar ist. Der Laserstrahl LB ist ein gepulster Laserstrahl, der beispielsweise eine Frequenz von 60 kHz aufweist.
  • Der vom Laseroszillator 44 emittierte Laserstrahl LB weist eine durch eine Dämpfungseinrichtung 46 eingestellte Ausgabeleistung auf und wird dann einem räumlich-optischen Modulator 48 zugeführt. Der Laserstrahl LB wird in dem räumlich-optischen Modulator 48 aufgeteilt. Insbesondere teilt der räumlich-optische Modulator 48 den Laserstrahl LB so auf, dass er mehrere fokussierte Spots ausbildet, die in einer Ebene parallel zu den X-Achsen-Richtungen und den Y-Achsen-Richtungen, d.h. einer XY-Koordinatenebene, und beispielsweise in den Z-Achsen-Richtungen an verschiedenen Positionen, d.h. Höhenpositionen, positioniert sind.
  • Der von dem räumlich-optischen Modulator 48 emittierte Laserstrahl LB wird auf einen Spiegel 50 aufgebracht und von diesem reflektiert, um zum Applikationskopf 52 zu gelangen. Im Applikationskopf 52 ist eine Kondensorlinse (nicht dargestellt) untergebracht, die den Laserstrahl LB bündelt. Der von der Kondensorlinse gebündelte Laserstrahl LB wird an die Halteoberfläche des Haltetisches 26 emittiert.
  • Wie in 4 dargestellt, ist der Applikationskopf 52 an einem vorderen Ende eines zylindrischen Gehäuses 54 angebracht. Der Tragblock 40 ist an einer hinteren Seitenoberfläche des Gehäuses 54 befestigt. Eine Abbildungsaufnahmeeinheit 56 ist an einer vorderen Seitenoberfläche des Gehäuses 54 befestigt.
  • Die Abbildungsaufnahmeeinheit 56 weist beispielsweise eine Lichtquelle wie eine lichtemittierende Diode (LED), eine Objektivlinse und ein Bauelement zur Aufnahme von Abbildungen wie einen Bildsensor mit Ladungsübertragung (CCD) oder einen CMOS-Bildsensor auf.
  • Wenn der Vertikalbewegungsmechanismus 32 betätigt wird, werden die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 und die Abbildungsaufnahmeeinheit 56 jeweils entlang einer der Z-Achsen-Richtungen bewegt. Die oben erwähnten Komponenten der Laserbearbeitungsvorrichtung 2 sind in einer nicht dargestellten Abdeckung eingeschlossen, die an der Basis 4 angebracht ist. An einer vorderen Oberfläche der Abdeckung ist ein Touchpanel 58 angeordnet.
  • Das Touchpanel 58 weist eine Eingabevorrichtung wie beispielsweise einen elektrostatischen Kapazitäts- oder Widerstandsfolien-Tastsensor und eine Anzeigevorrichtung wie beispielsweise eine Flüssigkristallanzeige oder eine organische Elektrolumineszenz-(EL)-Anzeige auf. Das Touchpanel 58 dient als Benutzerschnittstelle.
  • Die Laserbearbeitungsvorrichtung 2 führt den ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 und den zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 gemäß der folgenden Reihenfolge aus, beispielsweise. Zunächst wird der Schichtstruktur-Wafer so an dem Haltetisch 26 platziert, dass die Mitte der Rückseite 15b des Tragwafers 15 des Schichtstruktur-Wafers und die Mitte der Halteoberfläche des Haltetisches 26 aufeinander ausgerichtet sind.
  • Dann wird die mit der porösen Platte 26a verbundene Ansaugquelle betätigt, um den Schichtstruktur-Wafer unter Ansaugen an dem Haltetisch 26 zu halten. Als nächstes nimmt die Abbildungsaufnahmeeinheit 56 eine Abbildung der Rückseite 11b des Wafers 11 des Schichtstruktur-Wafers auf.
  • Dann wird auf der Grundlage der aufgenommenen Abbildung der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Applikationskopf 52 der Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 direkt über einem Bereich des Wafers 11 zu positionieren, der geringfügig radial einwärts vom äußeren Umfangsbereich desselben liegt.
  • Danach wird die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 mit Energie versorgt, um den verzweigten Laserstrahl LB von dem Applikationskopf 52 auf den Wafer 11 derart aufzubringen, dass die fokussierten Spots des Laserstrahls LB in dem Wafer 11 so positioniert werden, dass sie zunehmend näher an der Vorderseite 11a des Wafers 11 sind, wenn sie zunehmend näher an dem äußeren Umfangsbereich des Wafers 11 sind.
  • 6 stellt schematisch im Querschnitt dar, wie der Laserstrahl LB auf den Bereich des Wafers 11 aufgebracht wird, der radial innerhalb des äußeren Umfangsbereichs des Wafers positioniert ist. In 6 bildet der Laserstrahl LB mehrere, z.B. acht, fokussierte Spots aus, die in Abständen von 10 um im Wafer 11 in jeder seiner radialen Richtungen, d.h. Richtungen senkrecht zu den Z-Achsen-Richtungen, und in Dickenrichtung, d.h. Richtungen entlang der Z-Achsen-Richtungen, ausgebildet sind.
  • Der so aufgebrachte Laserstrahl LB entwickelt modifizierte Bereiche 19 um die jeweiligen fokussierten Spots im Wafer 11, in denen ein kristalliner Aufbau des Materials des Wafers 11 gestört ist. Die modifizierten Bereiche 19 sind in der Draufsicht in einer geraden Anordnung radial zum Wafer 11 angeordnet. Die gerade Anordnung der modifizierten Bereiche 19 ist der Vorderseite 11a des Wafers 11 in einem spitzen Winkel von 45° zugewandt.
  • Der Winkel, der zwischen der geraden Anordnung der modifizierten Bereiche 19 und der Vorderseite 11a des Wafers 11 ausgebildet ist, ist nicht auf 45° beschränkt. Anders ausgedrückt, könnte der Laserstrahl LB so auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass er seine jeweiligen fokussierten Spots im Wafer 11 entwickelt, die in radialen Richtungen und in Dickenrichtungen voneinander beabstandet sind, wobei sich die Abstände in den radialen Richtungen von den Abständen in den Dickenrichtungen unterscheiden.
  • Risse 21 erstrecken sich von jedem der modifizierten Bereiche 19 in einer solchen Weise, dass sie benachbarte modifizierte Bereiche 19 in jedem Paar miteinander verbinden. Die modifizierten Bereiche 19 und die Risse 21, die sich von jedem der modifizierten Bereiche 19 aus erstrecken, bilden zusammen eine abziehbare Schicht auf dem Wafer 11.
  • Dann wird, während die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 mit Energie versorgt wird, der mit dem unteren Abschnitt der Tischbasis 24 gekoppelte Drehantrieb betätigt, um den Haltetisch 26, der die Schichtstruktur daran hält, um mindestens eine Umdrehung zu drehen.
  • Als Ergebnis wird eine Abziehschicht, d.h. eine erste Abziehschicht, in dem Bereich des Wafers 11 ausgebildet, der leicht radial einwärts von dessen äußerem Umfangsbereich positioniert ist, wobei sich die erste Abziehschicht entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine untere Bodenoberfläche aufweist, die nahe der Vorderseite 11a des Wafers 11 zugewandt ist, und eine obere Bodenoberfläche, die innerhalb des Wafers 11 positioniert ist.
  • Danach wird der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Applikationskopf 52 der Laserstrahl-Aufbringungseinheit 42 direkt über einem Bereich des Wafers 11 zu positionieren, der sich leicht radial innerhalb der ersten Abziehschicht befindet. Dann wird die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 mit Energie versorgt, um einen verzweigten Laserstrahl LB so auf den Wafer 11 aufzubringen, dass alle fokussierten Spots davon auf der oberen Bodenoberfläche des Kegelstumpfs positioniert werden.
  • 7 stellt schematisch im Querschnitt dar, wie der Laserstrahl LB auf den Bereich des Wafers 11 aufgebracht wird, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist. In 7 bildet der Laserstrahl LB mehrere, z.B. zwei bis zehn, fokussierte Spots aus, die in gleichen Abständen, z.B. im Bereich von 5 bis 15 um, im Wafer 11 in einer Richtung senkrecht zu den Z-Achsen-Richtungen, d.h. beispielsweise in einer Richtung senkrecht zur Folie von 7, angeordnet sind.
  • Dann, während die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 mit Energie versorgt wird, wird der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Haltetisch 26 zu bewegen, der die Schichtstruktur daran hält. Beispielsweise wird in einem Fall, in dem der Laserstrahl LB so verzweigt ist, dass der verzweigte Laserstrahl LB mehrere fokussierte Spots in dem Wafer 11 ausbildet, die in gleichen Abständen in den X-Achsen-Richtungen aufgeteilt sind, der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Haltetisch 26 jeweils in eine der Y-Achsen-Richtungen zu bewegen.
  • Auf diese Weise wird in dem Wafer 11 in einem geraden Bereich, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist, eine Abziehschicht ausgebildet, die mehrere modifizierte Bereiche 19 und Risse 21 aufweist, die sich von jedem der modifizierten Bereiche 19 erstrecken. Dann hört die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 auf, betätigt zu werden.
  • Danach wird der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Haltetisch 26 in eine Richtung senkrecht zu dem geraden Bereich im Wafer 11 zu bewegen, in dem die Abziehschicht bereits ausgebildet ist. Insbesondere in einem Fall, in dem der Laserstrahl LB derart verzweigt ist, dass der verzweigte Laserstrahl LB mehrere fokussierte Spots in dem Wafer 11 ausbildet, die in gleichen Abständen in der X-Achsen-Richtungen aufgeteilt sind, wird der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um den Haltetisch 26 jeweils in eine der X-Achsen-Richtungen zu bewegen.
  • Dann wird die Laserstrahl-Aufbringeinheit 42 mit Energie versorgt und der Horizontalbewegungsmechanismus 6 betätigt, um eine Abziehschicht in dem Wafer 11 in einem geraden Bereich parallel zu dem geraden Bereich in dem Wafer 11 auszubilden, in dem die Abziehschicht bereits ausgebildet worden ist. Das obige Verfahren wird wiederholt, bis Abziehschichten in dem Wafer 11 von einem Endbereich des Wafers 11, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist, bis zu einem gegenüberliegenden Endbereich des Wafers 11, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist, ausgebildet sind.
  • Infolgedessen wird eine Abziehschicht, d.h. eine zweite Abziehschicht, in dem Wafer 11 so ausgebildet, dass sie sich entlang der oberen Bodenoberfläche des oben erwähnten Kegelstumpfes in dem Bereich erstreckt, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist. Nun sind der erster Abziehschichtausbildungsschritt S2 und der zweite Abziehschichtausbildungsschritt S3 abgeschlossen.
  • Gemäß dem in 2 dargestellten Verfahren werden nach dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 und dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 äußere Kräfte auf den Wafer 11 in einer der Dickenrichtungen des Wafers 11 ausgeübt, wodurch der Wafer 11 entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht geteilt wird, die als Teilungsstartpunkte dienen (Teilungsschritt S4).
  • 8 stellt schematisch in der Seitenansicht, teilweise im Querschnitt, dar, wie der Wafer 11 geteilt wird. Der Teilungsschritt S4 wird unter Verwendung einer in 8 dargestellten Teilungsvorrichtung 60 ausgeführt. Wie in 8 dargestellt, weist die Teilungsvorrichtung 60 einen Haltetisch 62 auf, um daran den laminierten Wafer einschließlich des Wafers 11 zu halten, in dem die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht ausgebildet wurden.
  • Der Haltetisch 62 weist eine kreisförmige obere Oberfläche als Halteoberfläche auf. An der Halteoberfläche ist eine nicht dargestellte, poröse Platte freiliegend. Die poröse Platte steht mit einer nicht dargestellten Ansaugquelle, wie beispielsweise einer Vakuumpumpe, über einen im Haltetisch 62 definierten Fluidkanal oder dergleichen in Verbindung, der nicht dargestellt ist. Wenn die Ansaugquelle betätigt wird, erzeugt sie einen Unterdruck, der durch den Fluidkanal in einen Raum nahe der Halteoberfläche transmittiert wird.
  • Die Teilungsvorrichtung 60 weist auch eine oberhalb des Haltetisches 62 angeordnete Teilungseinheit 64 auf. Die Teilungseinheit 64 weist eine zylindrische Tragestange 66 auf, deren oberer Abschnitt beispielsweise mit einer nicht dargestellten Kugelgewindespindel-Anhebe- und Absenkeinrichtung verbunden ist. Wird der Kugelgewindespindel-Anhebe- und Absenkmechanismus betätigt, hebt und senkt er selektiv die Teilungseinheit 64.
  • Die Tragestange 66 weist ein unteres Ende auf, das mittig an einem oberen Abschnitt einer scheibenförmigen Greiferklauenbasis 68 befestigt ist. Mehrere Greiferklauen 70, die im Wesentlichen in gleichen Abständen um die Greiferklauenbasis 68 herum angeordnet sind, sind an einer unteren Oberfläche eines äußeren Umfangsbereichs der Greiferklauenbasis 68 angebracht. Die Greiferklauen 70 weisen jeweils plattenförmige vertikale Stange 70a auf, die sich nach unten erstrecken.
  • Die vertikalen Stangen 70a weisen jeweils obere Endabschnitte auf, die mit einem Betätigungselement wie beispielsweise einem Luftzylinder verbunden sind, der in der Greiferklauenbasis 68 untergebracht ist. Wenn der Aktuator betätigt wird, bewegt er die Greiferklauen 70 radial nach innen oder nach außen von der Greiferklauenbasis 68. Die Greiferklauen 70 weisen auch entsprechende plattenförmige Klauenspitzen 70b auf, die sich von den jeweiligen inneren Seitenoberflächen der unteren Enden der vertikalen Stangen 70a in Richtung der Mitte der Greiferklauenbasis 68 erstrecken. Die Klauenspitzen 70b sind zur Mitte der Greiferklauenbasis 68 hin zunehmend dünner ausgestaltet.
  • Die Teilungsvorrichtung 60 führt den Teilungsschritt S4 gemäß der folgenden Abfolge aus, beispielsweise. Zunächst wird der laminierte Wafer an dem Haltetisch 62 so platziert, dass die Mitte der Rückseite 15b der Schichtstruktur des laminierten Wafers, der den Wafer 11 aufweist, auf dem die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht ausgebildet wurden, und die Mitte der Halteoberfläche des Haltetisches 62 aufeinander ausgerichtet sind.
  • Dann wird die Ansaugquelle, die mit der an der Halteoberfläche freiliegenden porösen Platte verbunden ist, betätigt, um den laminierten Wafer unter Ansaugen an dem Haltetisch 62 zu halten. Als nächstes wird das in Greiferklauenbasis 68 untergebrachte Betätigungselement betätigt, um die Greiferklauen 70 radial außerhalb der Greiferklauenbasis 68 zu positionieren.
  • Dann wird der Anhebe- und Absenkmechanismus betätigt, um die Spitzen der Klauenspitzen 70b der jeweiligen Greiferklauen 70 auf der gleichen Höhe wie das Haftmittel 17 der Schichtstruktur zu positionieren. Als nächstes wird das Betätigungselement in der Greiferklauenbasis 68 betätigt, um die Klauenspitzen 70b radial nach innen in Kontakt mit der Schichtstruktur zu bringen. Danach wird der Anhebe- und Absenkmechanismus betätigt, um die Klauenspitzen 70b anzuheben.
  • Die Klauenspitzen 70b üben beim Anheben äußere Kräfte nach oben auf den äußeren Umfangsbereich des Wafers 11 aus, d.h. äußere Kräfte entlang einer der Dickenrichtungen des Wafers 11. Unter den so ausgeübten äußeren Kräften entwickeln sich die Risse 21, die in der ersten Abziehschicht und/oder der zweiten Abziehschicht enthalten sind, und trennen den Wafer 11 in zwei Teile, d.h. einen Teil, der zur Vorderseite 11a, d.h. einer unteren Oberfläche des Wafers 11, gehört, und einen Teil, der zur Rückseite 11b, d.h. einer oberen Oberfläche des Wafers 11, gehört.
  • Gemäß dem in 2 dargestellten Verfahren werden in dem Wafer 11 eine erste Abziehschicht, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine untere Bodenoberfläche aufweist, die nahe der Vorderseite 11a des Wafers 11 zugewandt ist, und eine obere Bodenoberfläche, die innerhalb des Wafers 11 positioniert ist, sowie eine zweite Abziehschicht, die sich entlang der oberen Bodenoberfläche des Kegelstumpfes erstreckt, ausgebildet. Dann werden gemäß dem Verfahren äußere Kräfte auf den Wafer 11 in einer seiner Dickenrichtungen ausgeübt, wodurch der Wafer 11 entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht geteilt wird, die als Teilungsstartpunkte dienen.
  • In dem Wafer 11 ist die erste Abziehschicht entlang der Seitenoberfläche des Kegelstumpfes ausgebildet. Wenn der Wafer 11 geteilt wird, ist die Wahrscheinlichkeit gering, dass eine Seitenoberfläche des Bereichs, in dem die Bauelemente ausgebildet werden, d.h. der Bauelementbereich, der durch das Teilen des Wafers 11 entlang der ersten Abziehschicht neu freiliegt, und eine innere Seitenoberfläche des äußeren Umfangsbereichs des Wafers 11 einander berühren. Gemäß dem in 2 dargestellten Verfahren ist daher die Wahrscheinlichkeit, dass sich Risse zu den Bauelementen 13, die an der Vorderseite des Bauelementbereichs ausgebildet sind, entwickeln, ebenfalls gering, so dass die Bauelemente 13 nicht beschädigt werden.
  • Darüber hinaus neigen Risse im Wafer 11 dazu, sich von der ersten Abziehschicht entlang der Seitenoberfläche des Kegelstumpfes zu entwickeln. In diesem Fall ist die Wahrscheinlichkeit, dass sich Risse in Richtung der Bauelemente 13 entwickeln, die an der Vorderseite des Bauelementbereichs ausgebildet sind, gering. Gemäß dem in 2 dargestellten Verfahren wird daher verhindert, dass die Anzahl der Chips, die aus dem Wafer 11 hergestellt werden können, reduziert wird.
  • Das oben beschriebene Verfahren zur Bearbeitung eines Wafers stellt einen Aspekt der vorliegenden Erfindung dar, und die vorliegende Erfindung ist nicht auf das obige Verfahren beschränkt. Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte beispielsweise, nachdem die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht in dem Wafer 11 ausgebildet sind, die Vorderseite 11a des Wafers 11 an der Vorderseite 15a des Tragwafers 15 befestigt werden. Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte mit anderen Worten der Befestigungsschritt S1 nach dem erster Abziehschichtausbildungsschritt S2 und dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 ausgeführt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnten außerdem der erste Abziehschichtausbildungsschritt S2 und der zweite Abziehschichtausbildungsschritt S3 in beliebiger Reihenfolge ausgeführt werden. Mit anderen Worten könnte gemäß der vorliegenden Erfindung der erste Abziehschichtausbildungsschritt S2 ausgeführt werden, nachdem der zweite Abziehschichtausbildungsschritt S3 ausgeführt worden ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es ausreichend, wenn in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 eine Abziehschicht in dem Wafer 11 derart ausgebildet wird, dass sie sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine untere Bodenoberfläche aufweist, die nahe der Vorderseite 11a des Wafers 11 zugewandt ist, und eine obere Bodenoberfläche, die innerhalb des Wafers 11 positioniert ist. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Bearbeitung eines Verfahrens zum Ausbilden einer solchen Abziehschicht beschränkt.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte beispielsweise in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 der Laserstrahl LB auf den Wafer 11 aufgebracht werden, während der Horizontalbewegungsmechanismus 6 und der Vertikalbewegungsmechanismus 32 zusätzlich zu oder anstelle des mit dem unteren Abschnitt der Tischbasis 24 gekoppelten Drehantriebs betätigt werden. Mit anderen Worten, der Laserstrahl LB könnte auf den Wafer 11 aufgebracht werden, während nicht nur der Wafer 11 gedreht wird, sondern auch die Koordinaten der fokussierten Spots des Laserstrahls LB in der XY-Koordinatenebene und die Höhen der fokussierten Spots verändert werden.
  • Darüber hinaus könnte in diesem Fall ein Laserstrahl LB verwendet werden, der nicht aufgespalten ist. Anders ausgedrückt, selbst wenn ein Laserstrahl LB verwendet wird, der einen einzelnen fokussierten Spot ausbildet, könnte eine Abziehschicht, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, im Wafer 11 ausgebildet werden, indem der Laserstrahl LB auf den Wafer 11 aufgebracht wird, während der Wafer 11 gedreht wird und die Koordinaten in der XY-Koordinatenebene und die Höhe des fokussierten Spots verändert werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte der Laserstrahl LB in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 in mehreren Zyklen so auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass die fokussierten Spots an gleichen oder nahe beieinander liegenden Stellen positioniert werden. In diesem Fall werden die modifizierten Bereiche 19, die die erzeugte Abziehschicht aufweist, größer, und die Risse 21, die die erzeugte Abziehschicht aufweist, werden ferner ausgedehnt. Folglich kann der Wafer 11 im Teilungsschritt S4 leichter geteilt werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 der Laserstrahl LB so auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass benachbarte der modifizierten Bereiche 19 nicht durch Risse 21 miteinander verbunden sind, sondern direkt miteinander verbunden sind. Da in diesem Fall die Form der Abziehschicht unabhängig von der Form der Risse 21, die sich von den modifizierten Bereichen 19 aus erstrecken, bestimmt werden kann, kann der Wafer 11 stabil bearbeitet werden.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung ist es ausreichend, wenn im zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 eine Abziehschicht derart ausgebildet wird, dass sie sich entlang der oberen Bodenoberfläche des oben genannten Kegelstumpfes erstreckt. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Bearbeitung eines Verfahrens zum Ausbilden einer solchen Abziehschicht beschränkt. Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte in dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 beispielsweise ein Laserstrahl LB verwendet werden, der nicht aufgespalten ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte in dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 der Laserstrahl LB auf den Wafer 11 aufgebracht werden, während der mit dem unteren Abschnitt der Tischbasis 24 gekoppelte Drehantrieb zusätzlich zu oder anstelle des Horizontalbewegungsmechanismus 6 mit Energie versorgt wird. Mit anderen Worten könnte der Laserstrahl LB in einem ringförmigen Muster auf den Wafer 11 in dem Bereich aufgebracht werden, der radial nach innen von der ersten Abziehschicht positioniert ist.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnte der Laserstrahl LB in dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt S3 wie in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt S2 in mehreren Zyklen so auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass seine fokussierten Spots an gleichen oder nahe beieinander liegenden Stellen positioniert werden. Darüber hinaus könnte der Laserstrahl LB so auf den Wafer 11 aufgebracht werden, dass benachbarte der modifizierten Bereiche 19 nicht durch Risse 21 miteinander verbunden sind, sondern direkt miteinander verbunden sind.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung könnten im Teilungsschritt S4 vor dem Teilen des Wafers 11, in dem die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht ausgebildet sind, Ultraschallwellen auf den Wafer 11 aufgebracht werden. In diesem Fall kann der Wafer 11 leichter geteilt werden, da die Risse 21, die die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht aufweisen, entstanden sind.
  • In einem Fall, in dem es möglich ist, die Risse 21 im Teilungsschritt S4 zu entwickeln, könnten die erste Abziehschicht und die zweite Abziehschicht nicht miteinander verbunden sein. Beispielsweise könnte die zweite Abziehschicht im Wafer 11 an einer Position ausgebildet sein, die etwas weiter oder näher an der Vorderseite 11a des Wafers 11 liegt als die obere Bodenoberfläche des oben erwähnten Kegelstumpfs. In ähnlicher Weise könnte die zweite Abziehschicht in einem scheibenförmigen Bereich ausgebildet werden, der einen kleineren Durchmesser als die obere Bodenoberfläche des Kegelstumpfes hat.
  • Der Aufbau, das Verfahren usw. gemäß der obigen Ausführungsform könnte in geeigneter Weise geändert oder modifiziert werden, ohne vom Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2007158239 [0006]
    • JP 2020136442 [0009]

Claims (4)

  1. Verfahren zum Bearbeiten eines ersten Wafers, der mehrere Bauelemente, die an einer Vorderseite davon ausgebildet sind, und einen schrägen äußeren Umfangsbereich aufweist, durch ein Aufbringen eines Laserstrahls mit einer Wellenlänge, die durch den ersten Wafer hindurch übertragbar ist, auf den ersten Wafer, um eine Abziehschicht in dem ersten Wafer auszubilden, und danach ein Teilen des ersten Wafers entlang der Abziehschicht, die als ein Teilungsstartpunkt fungiert, wobei das Verfahren aufweist: einen Befestigungsschritt eines Befestigens der Vorderseite des ersten Wafers an einer Vorderseite eines zweiten Wafers; einen ersten Abziehschichtausbildungsschritt eines Aufbringens des Laserstrahls auf einen Bereich des ersten Wafers, der radial innerhalb des äußeren Umfangsbereichs des ersten Wafers positioniert ist, derart, dass ein fokussierter Spot des Laserstrahls voranschreitend näher an der Vorderseite des ersten Wafers liegt, wenn der fokussierte Spot zunehmend näher an dem äußeren Umfangsbereich liegt, wodurch eine erste Abziehschicht in dem ersten Wafer ausgebildet wird, die sich entlang einer Seitenoberfläche eines Kegelstumpfes erstreckt, der eine erste Bodenoberfläche, die in der Nähe der Vorderseite des ersten Wafers positioniert ist, und eine zweite Bodenoberfläche aufweist, die innerhalb des ersten Wafers positioniert ist und einen kleineren Durchmesser aufweist als die erste Bodenoberfläche; einen zweiten Abziehschichtausbildungsschritt eines Aufbringens des Laserstrahls auf einen Bereich des ersten Wafers, der radial innerhalb der ersten Abziehschicht positioniert ist, wobei der fokussierte Spot des Laserstrahls an der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfs positioniert wird, wodurch eine zweite Abziehschicht in dem ersten Wafer ausgebildet wird, die sich entlang der zweiten Bodenoberfläche des Kegelstumpfs erstreckt; und einen Teilungsschritt, nach dem Befestigungsschritt, dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt und dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt, eines Ausübens von äußeren Kräften auf den ersten Wafer in der Dickenrichtung des ersten Wafers, um den ersten Wafer entlang der ersten Abziehschicht und der zweiten Abziehschicht zu teilen, die als Teilungsstartpunkte dienen.
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der erste Abziehschichtausbildungsschritt vor dem zweiten Abziehschichtausbildungsschritt ausgeführt wird.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei der Laserstrahl in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt so aufgeteilt wird, dass mehrere fokussierte Spots ausgebildet werden, die in einer Draufsicht in einer radialen Richtung des ersten Wafers angeordnet sind.
  4. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei der Laserstrahl in dem ersten Abziehschichtausbildungsschritt so aufgeteilt wird, dass mehrere fokussierte Spots ausgebildet werden, die in einer Draufsicht in einer radialen Richtung des ersten Wafers angeordnet sind.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158239A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の切削加工方法
JP2020136442A (ja) 2019-02-18 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007158239A (ja) 2005-12-08 2007-06-21 Disco Abrasive Syst Ltd 基板の切削加工方法
JP2020136442A (ja) 2019-02-18 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 レーザー加工装置の設定方法、レーザー加工方法、レーザー加工装置、薄化システム、および基板処理方法

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