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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schneidvorrichtung.
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BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
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Für den Fall eines Bearbeitens eines Wafers, der mehrere Halbleiterbauelemente aufweist, um den Wafer in einzelne Bauelementchips zu trennen, wird der Wafer in dem in Beziehung stehenden Stand der Technik als erstes unter Verwendung eines Schleifrads geschliffen, um dadurch die Dicke des Wafers zu vermindern. Danach wird der Wafer unter Verwendung einer Schneidklinge geschnitten, um dadurch die einzelnen Bauelementchips zu erhalten.
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Um die Nachfrage für eine Miniaturisierung der Bauelementchips zu befriedigen, ist es notwendig, dünnere und kleinere Bauelementchips herzustellen. Wenn der Wafer in einer Schneidvorrichtung unter Verwendung einer Schneidklinge einem Dicing ausgesetzt wird, gibt es den Fall, dass an der Kante von jedem Bauelementchip ein Absplittern auftreten kann, was eine Verminderung der Rohchipfestigkeit von jedem Bauelementchip verursacht. Dementsprechend kann ein solcher dünner und kleiner Bauelementchip dem Dienst als Bauelement nicht standhalten.
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Als ein Bearbeitungsverfahren zum Herstellen von Bauelementchips mit einer hohen Rohchipfestigkeit, ist ein Bearbeitungsverfahren bekannt, das „Dicing Before Grinding“ genannt wird. Bei diesem Bearbeitungsverfahren wird als Erstes die Vorderseite des Wafers, wo die Bauelemente ausgebildet werden, durch Verwendung einer Schneidklinge geschnitten, um entlang jeweiliger Trennlinien an der Vorderseite des Wafers mehrere Nuten auszubilden. Danach wird die Rückseite des Wafers geschliffen, bis die Nuten exponiert sind, um dadurch den Wafer in die einzelnen Bauelementchips zu teilen (siehe das japanische Patent mit der Nummer
3464388 ). Insbesondere offenbart das japanische Patent mit der Nummer
3464388 ein Wafertrennverfahren, das den Schritt eines Ausbildens einer Schnittnut entlang jeder Trennlinie auf der Vorderseite eines Halbleiterwafers, ein Anbringen eines Schutzbands an den Halbleiterwafer, sodass eine Haftfläche des Schutzbands der Vorderseite des Halbleiterwafers gegenüberliegt, das heißt, dass die Rückseite des Halbleiterwafers exponiert ist, ein Montieren des Wafers über das Schutzband an einer Haltefläche eines Spanntischs, der drehbar an einem Drehtisch vorgesehen ist, ein Drehen des Drehtischs, um den Spanntisch zu einer Position unter einem Schleifmittel zu bewegen, und ein Schleifen der Rückseite des Halbleiterwafers unter Verwendung des Schleifmittels bei einem Drehen des Spanntischs umfasst, bis die Schnittnut entlang jeder Trennlinie an der Rückseite des Halbleiterwafers exponiert ist.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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In Übereinstimmung mit dem in dem japanischen Patent mit der Nummer
3464388 beschriebenen Bearbeitungsverfahren kann das sogenannte Rückseitenabsplittern stark vermindert werden, wodurch ermöglicht wird, Bauelementchips mit einer hohen Rohchipfestigkeit herzustellen. Jedoch ist der Wafer bei dem Schritt eines teilweisen Schneidens des Wafers in einer Schneidvorrichtung nicht an einem Dicingband angebracht, das normalerweise beim Dicing verwendet wird. Dementsprechend gibt es den Fall, dass Fremdkörper zwischen dem Wafer und dem Spanntisch liegen kann, was die Herstellung eines fehlerhaften Wafers verursacht.
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Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Schneidvorrichtung bereitzustellen, die eine Herstellung eines fehlerhaften Wafers verhindern kann.
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In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Schneidvorrichtung zum Schneiden eines Wafers bereitgestellt, der eine Vorderseite und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite aufweist, wobei die Vorderseite des Wafers entlang mehrerer sich kreuzender Trennlinien unterteilt ist, um mehrere getrennte Bereiche zu definieren, wo mehrere Bauelemente einzeln ausgebildet werden, wobei die Schneidvorrichtung aufweist: einen Spanntisch, der eine Haltefläche zum Halten des Wafers in einem Zustand aufweist, in dem die Rückseite des Wafers mit der Haltefläche des Spanntischs in Kontakt ist; eine Schneideinheit, die eine Schneidklinge zum Schneiden des an dem Spanntisch gehaltenen Wafers aufweist, um dadurch entlang jeder Trennlinie an der Vorderseite des Wafers eine Nut auszubilden; eine Transfereinheit zum Halten der Vorderseite des Wafers über einen Unterdruck und Laden des Wafers auf den Spanntisch oder Entladen des Wafers von dem Spanntisch; eine Überprüfungseinheit zum Überprüfen der Haltefläche des Spanntischs oder der Rückseite des durch die Transfereinheit gehaltenen Wafers; eine Benachrichtigungseinheit zum Benachrichtigen eines Bedieners zu einer Information über ein Ergebnis einer durch die Überprüfungseinheit erhaltenen Überprüfung; und eine Steuerungseinheit zum Steuern des Spanntischs, der Schneideinheit, der Transfereinheit, der Überprüfungseinheit und der Benachrichtigungseinheit. Die Überprüfungseinheit schließt eine Bildgebungseinheit zum Abbilden der Haltefläche des Spanntischs oder der Rückseite des durch die Transfereinheit gehaltenen Wafers ein. Die Steuerungseinheit schließt einen Bestimmungsabschnitt zum Vergleichen eines Referenzbildes der Haltefläche des Spanntischs oder der Rückseite des Wafers, das zuvor erfasst worden ist, und eines durch die Bildgebungseinheit erhaltenen aktuellen Bildes und zum anschließenden Bestimmen, ob entsprechend einem Unterschied zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild eine Anomalie an der Haltefläche des Spanntischs oder an der Rückseite des Wafers aufgetreten ist oder nicht ein. Wenn der Unterschied größer ist als ein Grenzwert, stellt der Bestimmungsabschnitt das Auftreten der Anomalie fest, und wenn der Bestimmungsabschnitt der Steuerungseinheit das Auftreten der Anomalie feststellt, steuert die Steuerungseinheit die Benachrichtigungseinheit, um den Bediener über das Auftreten der Anomalie zu benachrichtigen.
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Vorzugsweise schließt die Bildgebungseinheit einen Linienscanner ein, der eingerichtet ist, um der Haltefläche des Spanntischs oder der Rückseite des durch die Transfereinheit gehaltenen Wafers gegenüberzuliegen.
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Vorzugsweise schließt die Schneidvorrichtung ferner eine Reinigungseinheit zum Reinigen der Haltefläche des Spanntischs oder der Rückseite des durch die Transfereinheit gehaltenen Wafers ein. Wenn der Bestimmungsabschnitt das Auftreten einer Anomalie feststellt, steuert die Steuerungseinheit die Reinigungseinheit, um die Haltefläche des Spanntischs oder die Rückseite des Wafers zu reinigen, und steuert als Nächstes die Überprüfungseinheit, um die Haltefläche des Spanntischs oder die Rückseite des Wafers erneut zu überprüfen.
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In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung wird die Haltefläche des Spanntischs oder die Rückseite des durch die Transfereinheit gehaltenen Wafers überprüft, um dadurch eine mögliche Einlagerung von Fremdkörpern zwischen dem Spanntisch und dem Wafer zu erfassen. Ferner kann der Bediener über diese Anomalie benachrichtigt werden. Dementsprechend ist es möglich, dem Auftreten einer Einlagerung von Fremdkörpern zwischen dem Spanntisch und dem Wafer beim Ausführen eines Schneidvorgangs entgegenzuwirken.
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Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch ein Studium der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der durch eine Schneidvorrichtung in Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist;
- 2 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau der Schneidvorrichtung darstellt;
- 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Waferbearbeitungsverfahren unter Verwendung der Schneidvorrichtung darstellt;
- 4 ist eine seitliche Teilschnittansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem Abbilden der Rückseite des Wafers;
- 5 ist eine seitliche Teilschnittansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem Abbilden einer Haltefläche eines Spanntischs;
- 6 ist eine Draufsicht, die ein Bild der Rückseite des Wafers darstellt, das durch den in 4 dargestellten Vorgang erhalten worden ist;
- 7 ist eine seitliche Teilschnittansicht, die einen Schneidschritt mit einem halben Schneiden der Vorderseite des Wafers unter Verwendung der Schneidvorrichtung darstellt;
- 8 ist eine seitliche Teilschnittansicht, die einen Schleifschritt mit einem Schleifen der Rückseite des Wafers darstellt, der durch den in 7 dargestellten Schneidschritt bearbeitet worden ist; und
- 9 ist ein Flussdiagramm, das eine Abwandlung des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform darstellt.
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AUSFÜHRLICHE ERLÄUTERUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Es wird nunmehr eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen im Detail beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht auf diese bevorzugte Ausführungsform beschränkt. Ferner können die bei dieser bevorzugten Ausführungsform verwendeten Komponenten jene einschließen, die durch den Fachmann auf einfache Weise angenommen werden oder die im Wesentlichen gleiche Elemente sind, die aus dem Stand der Technik bekannt sind. Ferner können die nachfolgend beschriebenen Ausführungen auf geeignete Weise kombiniert werden. Zudem können die Ausführungen auf verschiedenste Weise weggelassen, ersetzt oder verändert werden, ohne den Schutzbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
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1 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der durch eine Schneidvorrichtung in Übereinstimmung mit einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zu bearbeiten ist. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die den Aufbau der Schneidvorrichtung in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform darstellt. 3 ist ein Flussdiagramm, das ein Waferbearbeitungsverfahren unter Verwendung der Schneidvorrichtung in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform darstellt. 4 ist eine Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem Abbilden der Rückseite (unteren Fläche) des Wafers. 5 ist eine Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem Abbilden einer Haltefläche (oberen Fläche) eines Spanntischs, der zu der in 2 dargestellten Schneidvorrichtung gehört. 6 ist eine Draufsicht, die ein Bild der Rückseite des Wafers darstellt, wie es durch den in 4 dargestellten Vorgang erhalten worden ist. 7 ist eine Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem halben Schneiden des Wafers durch Verwenden einer Schneidklinge, die zu der in 2 dargestellten Schneidvorrichtung gehört. 8 ist eine Seitenansicht zum Veranschaulichen eines Vorgangs mit einem Schleifen der Rückseite des Wafers nach dem halben Schneiden der Vorderseite des Wafers. Diese bevorzugte Ausführungsform wird nunmehr unter Bezugnahme auf die 1 bis 8 beschrieben.
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Bezug nehmend auf 1 wird ein Wafer 100 als ein Werkstück dargestellt. Der Wafer 100 ist ein scheibenförmiger Halbleiterwafer oder ein Optikbauelementwafer, der ein Substrat aufweist, das zum Beispiel aus Silizium, Saphir oder Galliumarsenid ausgebildet ist. Der Wafer 100 weist eine Vorderseite 102 und eine der Vorderseite 101 gegenüberliegende Rückseite 109 auf. Mehrere sich kreuzende Trennlinien 103 sind an der Vorderseite 102 des Wafers 100 ausgebildet, um dadurch mehrere getrennte Bereiche zu definieren, wo respektive mehrere Bauelemente 104 ausgebildet sind. Bei dieser bevorzugten Ausführungsform sind die sich kreuzenden Trennlinien 103 aus einer Vielzahl erster paralleler Trennlinien und einer Vielzahl zweiter paralleler Trennlinien, die senkrecht zu der ersten Vielzahl paralleler Trennlinien sind, aufgebaut. Beim Schneiden des Wafers 100 wird die Rückseite 109 des Wafers 100 an einem Spanntisch gehalten, der zu der in 2 dargestellten Schneidvorrichtung 1 gehört.
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Wie in 2 dargestellt, ist die Schneidvorrichtung 1 eine Vorrichtung zum Schneiden des Wafers 100 als ein Werkstück. Die Schneidvorrichtung 1 schließt ein Basisgehäuse 2, einen Kassettenaufzug 3, einen bewegbaren Tisch 5, einen Tischbewegungsmechanismus 6, eine staubdichte und tropfdichte Abdeckung 7, einen Spanntisch 8, ein Paar Bewegungsmechanismen 19, ein Paar Schneideinheiten 20, eine erste Reinigungseinheit 24, eine Bildgebungseinheit 40, eine zweite Reinigungseinheit 46, eine Benachrichtigungseinheit 50 und eine Steuerungseinheit 60 ein.
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Das Basisgehäuse 2 dient dazu, jede Struktur zu unterstützen. Eine rechtwinklige Öffnung 2a ist an der oberen Fläche des Basisgehäuses 2 bei einem Abdeckabschnitt davon ausgebildet. Der Kassettenaufzug 3 ist so in der rechtwinkligen Öffnung 2a vorgesehen, dass er in vertikaler Richtung bewegbar ist. Eine Kassette 4 ist eingerichtet, um an der oberen Fläche des Kassettenaufzugs 3 angebracht bzw. abgelegt zu werden. Die Kassette 4 ist im Stande, mehrere Wafer (Werkstücke) 100 zu lagern. In 2 wird der Umriss der Kassette 4 für eine einfachere Veranschalichung durch eine gestrichelte Linie dargestellt.
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Eine rechtwinklige Öffnung 2b ist an der oberen Fläche des Basisgehäuses 2 bei einer Position ausgebildet, die benachbart zu der rechtwinkligen Öffnung 2a ist. Die rechtwinklige Öffnung 2b ist in der X-Richtung (Zuführrichtung) länglich, wie durch einen Pfeil X dargestellt wird. Der bewegbare Tisch 5, der Tischbewegungsmechanismus 6 und die staubdichte und tropfdichte Abdeckung 7 sind in der rechtwinkligen Öffnung 2b vorgesehen. Der Tischbewegungsmechanismus 6 dient dazu, den bewegbaren Tisch 5 in der X-Richtung zu bewegen. Die staubdichte und tropfdichte Abdeckung 7 dient dazu, den Tischbewegungsmechanismus 6 abzudecken. Das Bezugszeichen 30 kennzeichnet ein Handhabungsmittel als einen Mechanismus zum Herausnehmen von einem der Vielzahl von Wafern 100 aus der Kassette 4 vor einer Bearbeitung und nach der Bearbeitung einem Zurückführen des Wafers 100 in die Kassette 4.
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Der Spanntisch 8 ist an dem bewegbaren Tisch 5 vorgesehen. Der Spanntisch 8 dient dazu, den Wafer 100 unter einem Unterdruck zu halten. Der Spanntisch 8 ist mit einer nicht dargestellten Rotationsantriebsquelle, wie zum Beispiel einem Motor, verbunden, sodass der Spanntisch 8 um seine vertikale Achse drehbar ist, die sich in der durch einen Pfeil Z dargestellten Z-Richtung (vertikale Richtung) erstreckt. Durch Betätigen des Tischbewegungsmechanismus 6, um den bewegbaren Tisch 5 in der X-Richtung zu bewegen, kann der Spanntisch 8 in der X-Richtung zugeführt werden. Der Spanntisch 8 weist eine obere Fläche als eine Haltefläche 8a zum Halten des Wafers 100 auf. Die Haltefläche 8a ist im Wesentlichen parallel zu der X-Richtung und zu der durch einen Pfeil Y dargestellten Y-Richtung (Einteilungsrichtung bzw. Weiterbewegungsrichtung), wobei die Y-Richtung in einer horizontalen Ebene senkrecht zu der X-Richtung ist. Die Haltefläche 8a ist über einen nicht dargestellten Saugdurchgang mit einer nicht dargestellten Vakuumquelle verbunden, wobei dieser Saugdurchgang im Inneren des Spanntischs 8 ausgebildet ist.
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Eine doppelsäulenartige erste Stützstruktur 11 ist an der oberen Fläche des Basisgehäuses 2 vorgesehen, um die Öffnung 2b zu überbrücken. Eine erste Schiene 12 ist an der vorderen Fläche der ersten Stützstruktur 11 befestigt, sodass sie sich in der Y-Richtung erstreckt. Ein erster Transfermechanismus (Haltemechanismus) 14 ist über einen ersten Bewegungsmechanismus 13 mit der ersten Schiene 12 verbunden. Der erste Transfermechanismus 14 ist durch den ersten Bewegungsmechanismus 13 vertikal bewegbar und zudem durch den ersten Bewegungsmechanismus 13 entlang der ersten Schiene 12 in der Y-Richtung bewegbar. Der erste Transfermechanismus 14 ist ein scheibenförmiges Element, und mehrere Saugpads (Bernoulli-Pads als kontaktfreie Saughalter) sind an der unteren Fläche des scheibenförmigen Elements vorgesehen. Jedes Saugpad dient dazu, den Wafer 100 in dem Zustand über einen Unterdruck zu halten, in dem jedes Saugpad nicht mit dem Wafer 100 in Kontakt ist.
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Eine zweite Schiene 15 ist an der vorderen Fläche der ersten Stützstruktur 11 befestigt, sodass sie sich über der ersten Schiene 12 in der Y-Richtung erstreckt. Ein zweiter Transfermechanismus (Haltemechanismus) 17 ist über einen zweiten Bewegungsmechanismus 16 mit der zweiten Schiene 15 verbunden. Der zweite Transfermechanismus 17 ist durch den zweiten Bewegungsmechanismus 16 in vertikaler Richtung bewegbar und zudem durch den zweiten Bewegungsmechanismus 16 entlang der zweiten Schiene 15 in der Y-Richtung bewegbar. Der zweite Transfermechanismus 17 ist ein scheibenförmiges Element, und mehrere Saugpads (Bernoulli-Pads als kontaktfreie Saughalter) sind an der unteren Fläche des scheibenförmigen Elements vorgesehen. Jedes Saugpad dient dazu, den Wafer 100 in dem Zustand über einen Unterdruck zu halten, in dem jedes Saugpad mit dem Wafer 100 in kontaktfreiem Zustand ist. Der erste Bewegungsmechanismus 13, der erste Transfermechanismus 14, der zweite Bewegungsmechanismus 16 und der zweite Transfermechanismus 17 gehören bei der vorliegenden Erfindung zu einer Transfereinheit zum Überführen des Wafers 100.
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Eine doppelsäulenartige zweite Stützstruktur 18 ist an der oberen Fläche des Basisgehäuses 2 hinter der ersten Stützstruktur 11 vorgesehen, sodass sie die Öffnung 2b überbrückt. Ein Paar Bewegungsmechanismen 19 ist an der vorderen Fläche der zweiten Stützstruktur 18 bei einem Paar Säulenabschnitte davon vorgesehen (auf der Seite, wo die erste Stützstruktur 11 vorhanden ist). Ein Paar Schneideinheiten (Bearbeitungseinheiten) 20 ist respektive bei den unteren Enden des Paars von Bewegungsmechanismen 19 vorgesehen. Jede Schneideinheit 20 schließt eine nicht dargestellte Spindel mit einer sich in der Y-Richtung erstreckenden Rotationsachse und eine Schneidklinge 21 ein, die an dieser Spindel montiert ist. Jede Schneideinheit 20 dient dazu, den Wafer 100 durch Drehen der Schneidklinge 21 und Zuführen des Spanntischs 8 (des Wafers 100) in der X-Richtung zu schneiden.
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Ein Paar Kameras 22 zum Abbilden der Vorderseite 102 des Wafers 100 sind respektive benachbart zu dem Paar Schneideinheiten 20 vorgesehen (wobei eine der Kameras 22 dargestellt wird). Die Schneideinheit 20 und die Kamera 22 sind durch den jeweiligen Bewegungsmechanismus 19 in der Y-Richtung bewegbar und zudem durch den jeweiligen Bewegungsmechanismus 19 auch in der Z-Richtung bewegbar. Jede Kamera 22 kann zusätzlich zu einer gewöhnlichen Kamera, die sichtbares Licht verwendet, eine Infrarotkamera aufweisen.
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Die erste Reinigungseinheit 24 ist in Bezug auf die Öffnung 2b auf der zu der Öffnung 2a gegenüberliegenden Seite vorgesehen. Die erste Reinigungseinheit 24 schließt einen Schleudertisch 25 zum Halten des Wafers 100 über eine Saugkraft in einem zylindrischen Reinigungsraum ein, der in dem Basisgehäuse 2 definiert ist. Eine nicht dargestellte Rotationsantriebsquelle ist mit dem unteren Ende des Schleudertischs 25 so verbunden, dass sie den Schleudertisch 25 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit dreht. Eine Düse 26 zum Sprühen eines Reinigungsfluids in Richtung des an dem Schleudertisch 25 gehaltenen Wafers 100 ist vorgesehen. Typischerweise ist das Reinigungsfluid eine Fluidmischung, die durch Mischen von Wasser und Luft erhalten wird. Der Wafer 100 wird durch Betätigen der ersten Reinigungseinheit 24 auf die folgende Weise gereinigt. Als Erstes wird der Wafer 100 an dem Schleudertisch 25 gehalten, und als Nächstes wird der Schleudertisch 25 gedreht. Danach wird das Reinigungsfluid von der Düse 26 aus in Richtung des Wafers 100 gesprüht, um dadurch den Wafer 100 zu reinigen.
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Auf diese Weise wird der durch die Schneideinheiten 20 geschnittene Wafer 100 durch Betätigen des zweiten Transfermechanismus 17 zu der ersten Reinigungseinheit 24 überführt und dann durch die erste Reinigungseinheit 24 gereinigt. Danach wird der Wafer 100 durch Betätigen des ersten Transfermechanismus 14 zu dem Handhabungsmittel 30 überführt, um dadurch in der Kassette 4 gelagert zu werden.
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Die Bildgebungseinheit 40 schließt eine erste Linienscankamera 42 und eine zweite Linienscankamera 44 ein. Die erste Linienscankamera 42 dient dazu, die Rückseite 109 des Wafers 100 abzubilden. Die erste Linienscankamera 42 ist zwischen dem Tischbewegungsmechanismus 6 und der ersten Reinigungseinheit 24 angeordnet. Die erste Linienscankamera 42 erstreckt sich in der X-Richtung senkrecht zu der Y-Richtung, entlang welcher der Tischbewegungsmechanismus 6 und die erste Reinigungseinheit 24 angeordnet sind. Die erste Linienscankamera 42 ist so angeordnet, dass sie ein Objekt abbildet, das direkt unter der ersten Linienscankamera 42 vorhanden ist. Das heißt, dass die erste Linienscankamera 42 so angeordnet ist, dass sie die Rückseite 109 (untere Fläche) des Wafers 100 abbildet, der durch den ersten Transfermechanismus 14 oder den zweiten Transfermechanismus 17 zu dem Zeitpunkt gehalten wird, zu dem der Wafer 100 direkt über der ersten Linienscankamera 42 vorbeigeführt wird. Die erste Linienscankamera 42 kann ein Objekt in einem Bereich abbilden, der breiter ist als die Größe (Durchmesser) des Wafers 100.
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Die zweite Linienscankamera 44 dient dazu, die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 abzubilden. Die zweite Linienscankamera 44 ist zwischen einem Bearbeitungsbereich, wo der Wafer 100 durch die Schneideinheiten 20 bearbeitet wird, und einem Bereithaltungsbereich angeordnet, wo der Wafer 100 auf den Spanntisch 8 geladen oder von dem Spanntisch 8 entladen wird. Der Bearbeitungsbereich und der Bereithaltungsbereich sind in der X-Richtung bei gegenüberliegenden Positionen eingerichtet. Die zweite Linienscankamera 44 erstreckt sich in der Y-Richtung senkrecht zu der X-Richtung, entlang welcher der Spanntisch 8 durch den Tischbewegungsmechanismus 6 bewegt wird. Die zweite Linienscankamera 44 ist so angeordnet, dass sie ein Objekt abbildet, das direkt unter der zweiten Linienscankamera 44 vorhanden ist. Das heißt, dass die zweite Linienscankamera 44 so angeordnet ist, dass sie die Haltefläche 8a (obere Fläche) des Spanntischs 8 zu einem Zeitpunkt abbildet, zu dem der Spanntisch 8 direkt unter der zweiten Linienscankamera 44 vorbeigelangt. Die zweite Linienscankamera 44 kann ebenfalls ein Objekt in einem Bereich abbilden, der breiter ist als die Größe (Durchmesser) der Haltefläche 8a des Spanntischs 8.
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Die zweite Reinigungseinheit 46 schließt einen Tischreinigungsmechanismus 47 und einen Rückseitenreinigungsmechanismus 48 ein. Der Tischreinigungsmechanismus 47 dient dazu, die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 zu reinigen. Der Tischreinigungsmechanismus 47 ist über dem Tischbewegungsmechanismus 6 angeordnet. Durch Bewegen des Spanntischs 8 über eine Betätigung des Tischbewegungsmechanismus 6, wird die obere Fläche (die Haltefläche 8a) des Spanntischs 8 durch den Tischreinigungsmechanismus 47 gereinigt. Zum Beispiel ist der Tischreinigungsmechanismus 47 durch eine Luftdüse zum Sprühen von Luft in Richtung der Haltefläche 8a oder durch eine Bürste, die angepasst ist, um mit der Haltefläche 8a in Kontakt zu kommen, eingerichtet. Der Rückseitenreinigungsmechanismus 48 dient dazu, die Rückseite 109 des Wafers 100 zu reinigen. Der Rückseitenreinigungsmechanismus 48 ist in vertikaler Richtung über dem Tischbewegungsmechanismus 6 angeordnet. In dem Zustand, in dem der Wafer 100 durch den ersten Transfermechanismus 14 oder den zweiten Transfermechanismus 17 gehalten wird, wird die Rückseite 109 (die untere Fläche) des Wafers 100 durch den Rückseitenreinigungsmechanismus 48 gereinigt. Zum Beispiel ist der Rückseitenreinigungsmechanismus 48 durch eine Luftdüse zum Sprühen von Luft in Richtung der Rückseite 109 des Wafers 100 oder durch eine Bürste eingerichtet, die angepasst ist, um mit der Rückseite 109 des Wafers 100 in Kontakt zu kommen.
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Die Benachrichtigungseinheit 50 schließt eine Anzeigeeinheit 52 und eine Anzeigelampe 54 ein. Die Anzeigeeinheit 52 ist eine Vorrichtung zum Anzeigen eines Bilds, wie zum Beispiel eine Flüssigkeitskristallanzeige und eine organische EL-Anzeige. Die Anzeigeeinheit 52 kann ferner einen Touchpanel aufweisen, der als eine Betätigungseinheit (Eingabeeinheit) dient. Die Anzeigelampe 54 dient dazu, Licht zu emittieren, um einen Bediener über den Zustand der Schneidvorrichtung 1 zu benachrichtigen. Vorzugsweise ist die Anzeigelampe 44 im Stande, Licht in mehreren Farben (unterschiedlichen Farben) zu emittieren. Ferner kann die Benachrichtigungseinheit 50 einen Lautsprecher zum Ausgeben eines Alarms aufweisen.
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Die Steuerungseinheit 60 ist mit dem Tischbewegungsmechanismus 6, dem Spanntisch 8, dem ersten Transfermechanismus 14, dem zweiten Transfermechanismus 17, den zwei Bewegungsmechanismen 19, den zwei Schneideinheiten 20, den zwei Kameras 22, der ersten Reinigungseinheit 24, der Bildgebungseinheit 40, der zweiten Reinigungseinheit 46 und der Benachrichtigungseinheit 50 verbunden. Die Steuerungseinheit 60 dient dazu, jede oben genannte Komponente im Einklang mit einer Reihe von Schritten zu steuern, die für die Bearbeitung des Wafers 100 benötigt werden. Die Bildgebungseinheit 40 und der Mechanismus zum Bewegen des zu überprüfenden Objekts bilden bei der vorliegenden Erfindung eine Überprüfungseinheit aus.
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Die Steuerungseinheit 60 schließt einen Bearbeitungssteuerungsabschnitt 62, einen Überprüfungssteuerungsabschnitt 64, einen Bestimmungsabschnitt 66 und einen Benachrichtigungssteuerungsabschnitt 68 ein. Der Bearbeitungssteuerungsabschnitt 62 dient dazu, die Überführung des Wafers und die Bearbeitung des Wafers durch die Schneideinheiten 20 zu steuern. Der Überprüfungssteuerungsabschnitt 64 dient dazu, einen Überprüfungsvorgang unter Verwendung der Bildgebungseinheit 40 zu steuern. Der Bestimmungsabschnitt 66 dient dazu, basierend auf dem Ergebnis der Überprüfung, die durch den Überprüfungssteuerungsabschnitt 64 ausgeführt worden ist, eine Bestimmung auszuführen. Der Benachrichtigungssteuerungsabschnitt 68 dient dazu, einen Benachrichtigungsvorgang zu steuern, der durch die Benachrichtigungseinheit 50 in dem Fall ausgeführt wird, dass der Bestimmungsabschnitt 66 das Auftreten einer beliebigen Anomalie festgestellt hat.
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Es wird nunmehr ein Waferbearbeitungsverfahren durch die Schneidvorrichtung 1 unter Bezugnahme auf die 3 bis 8 beschrieben. Das Waferbearbeitungsverfahren ist ein Verfahren zum Trennen des in 1 dargestellten Wafers 100 in einzelne Bauelementchips. Das Waferbearbeitungsverfahren schließt nicht nur einen Bearbeitungsvorgang des Wafers 100 unter Verwendung der Schneidvorrichtung 1 ein, sondern auch einen Anbringvorgang eines Schutzelements an dem Wafer 100 unter Verwendung einer spezifischen Vorrichtung und einen Schleifvorgang des Wafers 100 unter Verwendung einer Schleifvorrichtung. Wie in 3 dargestellt, schließt das Waferbearbeitungsverfahren einen Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1, einen Spanntisch-Überprüfungsschritt ST2, einen Bestimmungsschritt ST3, einen Benachrichtigungsschritt ST4 zum Benachrichtigen des Bedieners über jegliche Anomalie, einen Schneidschritt ST5, einen Schutzelement-Anbringschritt ST6 und einen Polierschritt (Schleifschritt) ST7 ein. Die Reihenfolge des Bauelementrückseite-Überprüfungsschritts ST1 und des Spanntisch-Überprüfungsschritts ST2 ist nicht auf diese Reihenfolge beschränkt, sondern die Reihenfolge kann umgedreht werden oder diese Schritte ST1 und ST2 können gleichzeitig ausgeführt werden.
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(Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt)
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Der Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1 ist ein Schritt mit einem Überprüfen der Rückseite des Wafers 100 durch Verwendung der ersten Linienscankamera 42. Insbesondere wird der Wafer 100 als ein Werkstück, das an dem Handhabungsmittel 30 angebracht ist, in der Schneidvorrichtung 1 als erstes über einen Unterdruck durch den ersten Transfermechanismus 14 gehalten. Das heißt, dass die Rückseite 109 des Wafers 100, die durch den ersten Transfermechanismus 14 gehalten wird, nach unten exponiert ist. Danach wird der erste Transfermechanismus 14, wie in 4 durch einen Pfeil dargestellt, durch den ersten Bewegungsmechanismus 13 von der Position, die durch eine durchgezogene Linie dargestellt wird, zu der Position bewegt, die durch eine gestrichelte Linie dargestellt wird, während er direkt über der ersten Linienscankamera 42 an dieser vorbeigeführt wird. Dementsprechend wird der gesamte Wafer 100 direkt über der ersten Linienscankamera 42 vorbeigeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird die erste Linienscankamera 42 betätigt, um den Wafer 100 zu scannen und dadurch mehrere Bilder zu erhalten, die dann zusammengefügt werden, um dadurch ein Bild der gesamten Rückseite 109 des Wafers 100 zu erhalten. Wie in 4 dargestellt, wird die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 mit vielen Durchgangslöchern ausgebildet, und ein Raum 8b ist unter der Haltefläche 8a ausgebildet, sodass er mit diesen Durchgangslöchern kommuniziert. Der Raum 8b ist mit einer Pumpe 8c zum Erzeugen einer Saugkraft verbunden. Wenn die Pumpe 8c betätigt wird, wird die Luft im Inneren des Raums 8b dementsprechend abgesaugt, um eine Saugkraft auf die Haltefläche 8a aufzubringen, sodass der an der Haltefläche 8a angebrachte Wafer 100 über einen Unterdruck gehalten werden kann.
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(Spanntisch-Überprüfungsschritt)
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Der Spanntisch-Überprüfungsschritt ST2 ist ein Schritt mit einem Überprüfen der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 durch Verwenden der zweiten Linienscankamera 44. Insbesondere wird der Spanntisch 8, wie in 5 dargestellt, in dem Zustand, in dem der Wafer 100 nicht an dem Spanntisch 8 angebracht ist, das heißt der in 5 durch eine gestrichelte Linie dargestellte Spanntisch 8, durch den ersten Transfermechanismus 14 von dem Bereithaltungsbereich, in dem der Wafer 100 auf den Spanntisch 8 geladen oder von dem Spanntisch 8 entladen wird, zu dem Bearbeitungsbereich bewegt, wo der Wafer 100 durch die Schneideinheiten 20 geschnitten wird. Zu diesem Zeitpunkt liegt die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 der zweiten Linienscankamera 44 gegenüber. Dementsprechend wird die gesamte Haltefläche 8a des Spanntischs 8 direkt unter der zweiten Linienscankamera 44 vorbeigeführt. Zu diesem Zeitpunkt wird die zweite Linienscankamera 44 betätigt, um die Haltefläche 8a zu scannen und dadurch mehrere Bilder zu erhalten, die dann zusammengefügt werden, um dadurch ein Bild der gesamten Haltefläche 8a des Spanntischs 8 zu erhalten.
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(Bestimmungsschritt)
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Der Bestimmungsschritt ST3 ist ein Schritt mit einem Bestimmen, ob dem Bild entsprechend, das bei dem Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1 oder bei dem Spanntisch-Überprüfungsschritt ST2 erhalten worden ist, eine Anomalie an der Rückseite 109 des Wafers 100 oder an der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 vorliegt oder nicht. Wenn bei dieser bevorzugten Ausführungsform bestimmt wird, dass Fremdkörper auf der Rückseite 109 des Wafers 100 oder auf der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 vorhanden sind, wird bestimmt, dass eine Anomalie auf der Rückseite 109 des Wafers 100 oder auf der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 aufgetreten ist. Insbesondere vergleicht der Bestimmungsabschnitt 66 in der Steuerungseinheit 60 ein Referenzbild der Rückseite 109 des Wafers 100, wie es zuvor aufgenommen worden ist, und das aktuelle Bild der Rückseite 109 des Wafers 100, wie es bei dem Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1 durch die erste Linienscankamera 42 erhalten worden ist, und bestimmt dann, ob ein Unterschied zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild vorhanden ist oder nicht. Auf ähnliche Weise vergleicht der Bestimmungsabschnitt 66 ein Referenzbild der Haltefläche 8a des Spanntischs 8, wie es zuvor aufgenommen worden ist, und das aktuelle Bild der Haltefläche 8a des Spanntischs 8, wie es bei dem Spanntisch-Überprüfungsschritt ST2 durch die zweite Linienscankamera 44 aufgenommen worden ist, und bestimmt dann, ob zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild ein Unterschied vorliegt oder nicht. In diesem Fall ist jedes Referenzbild ein Bild des Objekts ohne Fremdkörper. Der Vergleich zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild kann zum Beispiel durch Mustererkennung ausgeführt werden. Die Bestimmung, ob ein Unterschied zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild vorliegt oder nicht, kann durch das folgende Verfahren ausgeführt werden. Für den Fall, dass der Unterschied zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild größer ist als ein Grenzwert, wird bestimmt, dass auf der Rückseite 109 des Wafers 100 oder auf der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 Fremdkörper vorliegen. Zum Beispiel wird in dem Fall, dass, wie durch ein Bild in 6 dargestellt, Fremdkörper auf der Rückseite 109 des Wafers 100 vorhanden sind, die Fremdkörper 110 durch den Vergleich zwischen dem Referenzbild und dem aktuellen Bild extrahiert. Wie in 6 dargestellt, weist der Fremdkörper 110 eine ovale Form auf, bei der α die Länge einer Nebenachse und β die Länge der Hauptachse ist. In diesem Fall, in dem die Größe des Fremdkörpers 110, wie durch die Werte α und β bestimmt, größer ist als ein Grenzwert, wird bestimmt, dass ein Fremdkörper auf der Rückseite 109 des Wafers 100 vorhanden ist. Der Grenzwert kann als Pixelanzahl oder Größe eines Objektbilds definiert sein.
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(Benachrichtigungsschritt)
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Der Benachrichtigungsschritt ST4 wird in dem Fall ausgeführt, in dem bei dem Bestimmungsschritt ST3 festgestellt wird, dass eine Anomalie aufgetreten ist, das heißt in dem Fall, dass die Antwort bei dem Bestimmungsschritt ST3 ja ist. Der Benachrichtigungsschritt ST4 ist ein Schritt mit einem Benachrichtigen des Bedieners über das Auftreten einer Anomalie. Der Benachrichtigungsschritt ST4 wird durch den Benachrichtigungssteuerungsabschnitt 68 in der Steuerungseinheit 60 zum Steuern der Benachrichtigungseinheit 50 ausgeführt. Zum Beispiel steuert der Benachrichtigungssteuerungsabschnitt 68 die Anzeigeeinheit 52 zum Anzeigen eines Bilds, welches das Auftreten einer Anomalie anzeigt. Als weiteres Beispiel steuert der Benachrichtigungssteuerungsabschnitt 68 die Anzeigelampe 54, um Licht zu emittieren, das eine Farbe aufweist, die das Auftreten einer Anomalie anzeigt. Jedoch ist das Verfahren zum Benachrichtigen des Auftretens einer Anomalie nicht auf die obigen Beispiele beschränkt. Nach dem Ausführen des Benachrichtigungsschritts ST4 ist das Bearbeitungsverfahren beendet. Für den Fall, dass der Fremdkörper entfernt worden ist, wird das in 3 dargestellte Bearbeitungsverfahren erneut ausgeführt.
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(Schneidschritt)
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Der Schneidschritt ST5 wird in dem Fall ausgeführt, in dem festgestellt worden ist, dass während des Bestimmungsschritts ST3 keine Anomalie aufgetreten ist, das heißt in dem Fall, dass die Antwort des Bestimmungsschritts ST3 nein ist. Der Schneidschritt ST5 ist ein Schritt mit einem halben Schneiden der Vorderseite 102 des Wafers 100 entlang jeder Trennlinie 103 durch Verwenden der Schneidklinge 21 von jeder Schneideinheit 20 in der Schneidvorrichtung 1, um dadurch entlang jeder Trennlinie 103 auf der Vorderseite 102 des Wafers 100 eine Nut 105 auszubilden, wobei diese Nut 105 eine Tiefe aufweist, die größer ist als eine Enddicke des Wafers 100. Wenn bei der Schneidvorrichtung 1 der Schneidvorgang gestartet wird, steuert der Bearbeitungssteuerungsabschnitt 62 in der Steuerungseinheit 60 jede Schneideinheit 20 und den Spanntisch 8, um den Wafer 100 und die Schneidklinge 21 bei einem Drehen der Schneidklinge 21 relativ zueinander zu bewegen, um dadurch die Nut 105 entlang jeder Trennlinie 103 auszubilden. Zu diesem Zeitpunkt steuert der Bearbeitungssteuerungsabschnitt 62 ein nicht dargestelltes Flüssigkeitszuführmittel, um von Düsen 23 eine Schneidflüssigkeit in Richtung der Vorderseite 102 des Wafers 100 zu führen. Die Düsen 23 sind in der Nähe beider Seiten der Schneidklinge 21 vorgesehen.
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(Schutzelement-Anbringschritt)
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Der Schutzelement-Anbringschritt ST6 wird nach dem Ausführen des Schneidschritts ST5 ausgeführt. Der Schutzelement-Anbringschritt ST6 ist ein Schritt mit einem Anbringen eines Schutzelements 120 (siehe 8) an der Vorderseite 102 des Wafers 100, um so die Bauelemente 104 zu schützen, die an der Vorderseite 102 des Wafers 100 ausgebildet sind. Bei dem Schutzelement-Anbringschritt ST6 ist das Schutzelement 120 ein scheibenförmiges Element mit dem gleichen Durchmesser wie der des Wafers 100, und das Schutzelement 120 wird an der Vorderseite 102 des Wafers 100 in dem Zustand angebracht, in dem das Schutzelement 120 mit dem Wafer 100 ausgerichtet ist. Nach dem Ausführen des Schutzelement-Anbringschritts ST6 fährt das in 3 dargestellte Bearbeitungsverfahren mit dem Schleifschritt (Polierschritt) ST7 fort.
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(Schleifschritt)
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Der Schleifschritt (Polierschritt) ST7 wird nach dem Ausführen des Schutzelement-Anbringschritts ST6 ausgeführt. Der Schleifschritt ST7 ist ein Schritt mit einem Schleifen (Polieren) der Rückseite 109 des Wafers 100, die der Vorderseite 102 gegenüberliegt, wo die Nuten 105 ausgebildet sind. Wie in 8 dargestellt, wird der Schleifschritt ST7 unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 200 ausgeführt. Die Schleifvorrichtung 200 schließt eine Schleifeinheit 210, einen Spanntisch 212 und eine Schleifwasserdüse 230 ein. Die Schleifeinheit 210 schließt mehrere Schleifelemente 222, die annular in Form eines Rings angeordnet sind, und eine Spindel 224 zum Drehen des Rings aus Schleifelementen 222 um die vertikale Achse der Spindel 224 ein. Im Betrieb wird die Spindel 224 betätigt, um den Ring aus Schleifelementen 222 zu drehen, und die Schleifeinheit 210 wird als Nächstes abgesenkt, um die Schleifelemente 222 mit der Rückseite 109 des Wafers 100 in Kontakt zu bringen, sodass die Rückseite 109 durch die Schleifelemente 222 geschliffen wird. Der Spanntisch 212 ist ein scheibenförmiger Tisch, der drehbar an der oberen Fläche eines nicht dargestellten Basisgehäuses der Schleifvorrichtung 200 vorgesehen ist. Der Spanntisch 212 ist in einer horizontalen Ebene, das heißt um seine vertikale Achse, drehbar. Der Spanntisch 212 wird mit einem vorbestimmten Zeitablauf gedreht. Der Spanntisch 212 weist eine Haltefläche 212a zum Halten des Wafers 100 über einen Unterdruck auf. Das heißt, dass die Haltefläche 212a als Vakuumeinspannung dient. Im Betrieb wird der Spanntisch 212 durch Betätigen eines nicht dargestellten Rotationsantriebsmechanismus in dem Zustand um seine vertikale Achse gedreht, in dem der Wafer 100 mit dem Schutzelement 120 an dem Spanntisch 212 gehalten wird. Die Schleifwasserdüse 230 dient dazu, dem während des Schleifvorgangs mit dem Schutzelement 120 an dem Spanntisch 212 gehaltenen Wafer 100 Schleifwasser zuzuführen. Insbesondere wird der Schleifvorgang auf die folgende Weise ausgeführt. Als erstes wird der Wafer 100 mit dem an der Vorderseite 102 angebrachten Schutzelement 120 über einen Unterdruck an der Haltefläche 212a des Spanntischs 212 gehalten. Das heißt, dass das an der Vorderseite 102 des Wafers 100 angebrachte Schutzelement 120 über einen Unterdruck an der Haltefläche 212a des Spanntischs 212 gehalten wird. Danach wird die Schleifeinheit 210 betätigt, um die Rückseite 109 des Wafers 100 beim Drehen der Schleifelemente 222 und zudem Drehen des Spanntischs 212 zu schleifen. Folglich wird die Rückseite 109 des Wafers 100 durch die Schleifelemente 222 geschliffen, bis die Dicke des Wafers 100 zu einer Enddicke reduziert worden ist. Als Ergebnis wird der Wafer 100 in einzelne Bauelementchips getrennt, die respektive die Bauelemente 104 aufweisen.
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Bei der Schneidvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird die Bildgebungseinheit 40 betätigt, um die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 und die Rückseite 109 des durch den ersten Transfermechanismus 14 oder den zweiten Transfermechanismus 17 der Transfereinheit gehaltenen Wafers 100 abzubilden und dann die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 oder die Rückseite 109 des Wafers 100 unter Verwendung des oben erhaltenen Bildes zu überprüfen. Dementsprechend kann bestimmt werden, ob an der Haltefläche 8a oder an der Rückseite 109 ein Fremdkörper vorliegt oder nicht. Für den Fall, dass ein Fremdkörper erfasst wird und daher bestimmt wird, dass eine Anomalie aufgetreten ist, wird der Bediener über das Auftreten einer Anomalie benachrichtigt. Dementsprechend kann der Bediener das Vorliegen eines Fremdkörpers an der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 oder an der Rückseite 109 des Wafers 100 erkennen. Als Ergebnis kann beim Schneiden des Wafers 100 ein möglicherweise dazwischen liegender Fremdkörper zwischen dem Spanntisch 8 und dem Wafer 100 erfasst werden, und es ist dementsprechend möglich, ein Auftreten eines dazwischen liegenden Fremdkörpers zu vermeiden. Da dem Auftreten eines dazwischen liegenden Fremdkörpers entgegengewirkt werden kann, ist es möglich, gegen ein Auftreten einer fehlerhaften Produktion vorzubeugen, das heißt, der Produktion eines fehlerhaften Wafers und fehlerhafter Bauelementchips entgegenzuwirken.
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Wenn die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 und die Rückseite 109 des Wafers 100 überprüft werden, kann insbesondere bei der Schneidvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform ein dazwischen liegen eines Fremdkörpers zwischen dem Spanntisch 8 und dem Wafer 100 zuverlässiger entgegengewirkt werden. Um diesen Effekt zu erreichen, werden vorzugsweise sowohl die erste Linienscankamera 42 als auch die zweite Linienscankamera 44 der Schneidvorrichtung 1 betrieben, um sowohl die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 als auch die Rückseite 109 des Wafers 100 zu überprüfen. Jedoch kann auch entweder die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 oder die Rückseite 109 des Wafers 100 überprüft werden.
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Ferner schließt die Schneidvorrichtung 1 die erste Linienscankamera 42 zum Überprüfen der Rückseite 109 des Wafers 100 während der Bewegung des Wafers 100 und die zweite Linienscankamera 44 zum Überprüfen der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 währen der Bewegung des Spanntischs 8 ein. Das heißt, da die erste Linienscankamera 42 und die zweite Linienscankamera 44 als Linienscanner dienen, kann die Überprüfungszeit reduziert werden, wodurch der Vorgang effizient gestaltet wird. Dementsprechend kann der Installationsraum für die Bildgebungseinheit 40 verkleinert werden, und die Überprüfung schnell durchgeführt werden. Ferner wird das durch die Bildgebungseinheit 40 erhaltene aktuelle Bild mit dem Referenzbild verglichen, um dadurch eine Anomalie zu erfassen. Dementsprechend kann die Überprüfungsgenauigkeit verbessert werden. In dem Fall, dass das Vorliegen eines Fremdkörpers erfasst wird, kann, wie in 6 dargestellt, ferner ein Bild des Fremdkörpers auf der Anzeigeeinheit 52 der Benachrichtigungseinheit 50 angezeigt werden. Dementsprechend kann der Fremdkörper auf geeignete Weise entfernt werden.
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Eine Abwandlung des Waferbearbeitungsverfahrens in Übereinstimmung mit dieser bevorzugten Ausführungsform wird nunmehr unter Bezugnahme auf 9 beschrieben. Die Abwandlung kann durch Verwendung der Schneidvorrichtung 1 ausgeführt werden. 9 ist ein Flussdiagramm, das die Abwandlung des Waferbearbeitungsverfahrens darstellt. Wie in 9 dargestellt, schließt das Waferbearbeitungsverfahren in Übereinstimmung mit dieser Abwandlung einen Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1, einen Spanntisch-Überprüfungsschritt ST2, einen Bestimmungsschritt ST3, einen Reinigungsschritt ST14, einen Schneidschritt ST5, einen Schutzelement-Anbringschritt ST6 und einen Polierschritt ST7 ein. Das in 9 dargestellte Flussdiagramm ist mit Ausnahme des Reinigungsschritts ST14 ähnlich dem in 3 dargestellten. Dementsprechend wird in dieser Abwandlung nunmehr nur der Reinigungsschritt ST14 beschrieben.
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(Reinigungsschritt)
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Der Reinigungsschritt ST14 wird in dem Fall ausgeführt, in dem bestimmt wird, dass bei dem Bestimmungsschritt ST3 eine Anomalie aufgetreten ist, das heißt in dem Fall, in dem die Antwort bei dem Bestimmungsschritt ST3 ja ist. Der Reinigungsschritt ST14 ist ein Schritt mit einem Reinigen von der Rückseite 109 des Wafers 100 und/oder der Haltefläche 8a des Spanntischs 8. Für den Fall einer Reinigung der Rückseite 109 des Wafers 100 während des Reinigungsschritts ST14 wird die Rückseite 109 des Wafers 100 durch Verwendung des Rückseitenreinigungsmechanismus 47 gereinigt. In dem Fall einer Reinigung der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 während des Reinigungsschritts ST14 wird die Haltefläche 8a des Spanntischs 8 durch Verwenden des Tischreinigungsmechanismus 48 gereinigt. Nach dem Ausführen des Reinigungsschritts ST14 fährt das Waferbearbeitungsverfahren zu dem Bauelementrückseite-Überprüfungsschritt ST1 zurück, um den Überprüfungsvorgang erneut auszuführen.
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Die Schneidvorrichtung 1 schließt die zweite Reinigungseinheit 46 mit dem Tischreinigungsmechanismus 48 zum Reinigen der Haltefläche 8a des Spanntischs 8 oder den Rückseitenreinigungsmechanismus 47 zum Reinigen der Rückseite 109 des durch den ersten Transfermechanismus 14 oder den zweiten Transfermechanismus 17 der Transfereinheit gehaltenen Wafers 100 ein. Für den Fall, dass der Bestimmungsabschnitt 66 bestimmt, dass an der Haltefläche 8a oder der Rückseite 109 eine Anomalie aufgetreten ist, wird die zweite Reinigungseinheit 46 betätigt, um die Haltefläche 8a oder die Rückseite 109 zu reinigen, wodurch Fremdkörper von der Haltefläche 8a oder der Rückseite 109 entfernt werden. Ferner wird bei dieser Abwandlung nach dem Ausführen des Reinigungsschritts ST14 die Haltefläche 8a oder die Rückseite 109 erneut überprüft, sodass der Schneidschritt nach der Bestätigung des Entfernens des Fremdkörpers zuverlässig ausgeführt werden kann. Auf diese Weise wird nach dem Erfassen einer Anomalie der Reinigungsvorgang durch die zweite Reinigungseinheit 46 ausgeführt, um den Fremdkörper zu entfernen, und dann wird erneut die Überprüfung ausgeführt. Wenn der Fremdkörper ein einfach zu entfernender Fremdkörper ist, kann das Entfernen des Fremdkörpers bei der Schneidvorrichtung 1 dementsprechend automatisch ausgeführt werden.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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