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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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GEBIET DER ERFINDUNG
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Die vorliegende Erfindung betrifft ein Wafer-Untersuchungsverfahren und eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung zum Untersuchen eines Polierfehlers bzw. Polierversagens von einem Wafer.
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BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
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Bei einer Schleif- und Poliervorrichtung wird ein Polierverfahren für einen Wafer nach einem Schleifverfahren ausgeführt, um auf dem Wafer verbleibende Schleifschäden zu entfernen und die Biegefestigkeit des Wafers zu verbessern (siehe zum Beispiel das
japanische offen gelegte Patent Nr. 2005-153090 ). Die Schleif- und Poliervorrichtung, die in dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2005-153090 offenbart ist, weist einen Drehtisch auf, auf dem eine Vielzahl von Haltetischen bzw. Spanntischen angeordnet ist. Schleifmittel und Poliermittel sind um den Drehtisch bereitgestellt. Der Drehtisch wird gedreht, um den Wafer auf dem Haltetisch nacheinander bei dem Schleifmittel und dem Poliermittel zu positionieren. Folglich werden der Schleifvorgang und der Poliervorgang für den Wafer nacheinander ausgeführt, ohne den Wafer von dem Haltetisch zu entfernen.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Wenn ein Poliervorgang durch Trockenpolieren oder Ähnliches ausgeführt wird, können gelegentlich während des Schleifvorgangs eines Wafers hervorgerufene Schleifspuren nicht ausreichend entfernt werden, und es werden manchmal Radialwellen durch Schleifspuren verursacht, die auf der bearbeiteten Seite des Wafers verbleiben. Als Polierfehler bei einem Wafer treten manchmal zusätzlich zu Schleifspuren Kratzer, Risse, Feinpartikel usw. auf. Obwohl solche Polierfehler durch einen Bediener visuell untersucht werden, ist die Untersuchung selbst beschwerlich, da nahezu alle Wafer normal sind und es schwer fällt, Schleifspuren, Kratzer usw. auf einer bearbeiteten Seite eines Wafers visuell zu bestätigen.
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Daher wird auch untersucht, ein Bild einer bearbeiteten Seite eines Wafers durch ein optisches System aufzunehmen und ein Polierversagen auf Grundlage des aufgenommenen Bilds zu untersuchen. Um jedoch einen Wafer großen Durchmessers, wie zum Beispiel einen 12-Inch Wafer, durch einen einzelnen Untersuchungsvorgang zu untersuchen, muss das aufgenommene Bild aus einer großen Menge von aufgenommenen Bilddaten erzeugt werden. Folglich wird ein Speicher mit großer Kapazität benötigt und es ist ein langer Zeitraum zum Verarbeiten des Bildes notwendig. Wenn ferner Polierfehler, wie zum Beispiel Schleifnarben, Kratzer, Risse und Feinpartikel auf gemischte Weise auf einer bearbeiteten Seite eines Wafers vorliegen, beeinflussen sich die auf der bearbeiteten Seite vorliegenden Polierfehler gegenseitig und erschweren es, die Polierfehler durch ein aufgenommenes Bild zu untersuchen.
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Obwohl es schwierig ist, eine große Menge an Bilddaten zu bearbeiten, können insbesondere Charakteristika eines Polierfehlers nicht durch einfaches Abtasten von Daten zum Reduzieren der Datenmenge extrahiert werden. Ferner liegen Polierfehler einschließlich Schleifspuren und Risse, die voneinander unterschiedliche Eigenschaften aufweisen, in einer gemischten Weise vor, und es ist schwierig, Polierfehler mit den unterschiedlichen Charakteristika durch eine einzelne Bildaufnahme, d. h. eine einzelne Messung, zu untersuchen, um alle Fehler zu erfassen.
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Daher ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Wafer-Untersuchungsverfahren und eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung bereitzustellen, durch die Polierversagen bzw. Polierfehler auf einer bearbeiteten Seite eines Wafers innerhalb eines kurzen Zeitraums mit einem hohen Grad an Genauigkeit untersucht werden können.
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In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Untersuchungsverfahren zum Überprüfen einer bearbeiteten Seite eines Wafers bereitgestellt, der durch Schleifen und Polieren bearbeitet worden ist, einschließlich eines Bildaufnahmeschritts zum Aufnehmen eines Bilds der bearbeiteten Seite eines an einem Haltetisch gehaltenen Wafers und eines ersten Bilderzeugungsschritts zum Begrenzen bzw. Einschränken aufgenommener Bilddaten, die durch die Bildaufnahme in dem Bildaufnahmeschritt für jeden vorbestimmten Bereich erhalten wurden, und Extrahieren eines Pixels mit einem Pixelwert, der höher ist als der umliegender Pixel als charakteristischen Punkt in dem vorbestimmten Bereich, um ein erstes Bild zu erzeugen.
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In Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Ausführung wird nur ein Pixel mit einem Pixelwert, der höher als der umliegender Pixel ist, als charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich der aufgenommenen Bilddaten extrahiert, um ein erstes Aufnahmebild zu erzeugen. Zu diesem Zeitpunkt werden Kratzer, Risse und Feinpartikel durch Pixel mit vergleichsweise hohen Pixelwerten wiedergegeben, während Schleifspuren durch Pixel mit vergleichsweise niedrigen Pixelwerten wiedergegeben werden. Da das erste Aufnahmebild nur von den Pixeln der aufgenommenen Daten mit hohen Pixelwerten erzeugt wird, werden auf dem ersten Aufnahmebild keine Schleifspuren angezeigt. Daher kann das Vorliegen von Kratzern usw. mit einem hohen Grad an Genauigkeit über das erste Aufnahmebild untersucht werden, von dem die Schleifspuren entfernt sind. Da das erste Bild nur von dem Teil der aufgenommenen Bilddaten erzeugt wird, kann ferner die Verarbeitungszeit, die für die Bilderzeugung benötigt wird, reduziert werden. Es ist anzumerken, dass die aufgenommenen Bilddaten Daten sind, auf denen das Erzeugen eines Bilds basiert.
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In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Untersuchungsverfahren zum Überprüfen einer bearbeiteten Seite eines Wafers bereitgestellt, der durch Schleifen und Polieren bearbeitet worden ist, einschließlich eines Bildaufnahmeschritts zum Aufnehmen eines Bilds der bearbeiteten Seite eines an einem Haltetisch gehaltenen Wafers und eines zweiten Bilderzeugungsschritts zum Einschränken aufgenommener Bilddaten, die durch die Bildaufnahme bei dem Bildaufnahmeschritt für jeden vorbestimmten Bereich gewonnen wurden und Extrahieren eines Pixels mit einem Pixelwert, der niedriger ist als der umliegender Pixel, als einen charakteristischen Punkt in dem vorbestimmten Bereich, um ein zweites Bild zu erzeugen.
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In Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Ausführung wird nur ein Pixel mit einem Pixelwert, der niedriger ist als die umliegender Pixel, als charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich aufgenommener Bilddaten extrahiert, um ein zweites Aufnahmebild zu erzeugen. Zu diesem Zeitpunkt werden Kratzer, Risse und Feinpartikel durch Pixel mit vergleichsweise hohen Pixelwerten wiedergegeben, während Schleifspuren durch Pixel mit vergleichsweise niedrigen Pixelwerten wiedergegeben werden. Da das zweite Aufnahmebild nur von den Pixeln der Aufnahmedaten mit niedrigen Pixelwerten erzeugt wird, werden Kratzer usw. nicht auf dem zweiten Aufnahmebild angezeigt. Daher kann das Vorliegen von Schleifspuren mit hoher Genauigkeit durch das zweite Aufnahmebild untersucht werden, von dem die Kratzer usw. entfernt sind. Da das zweite Bild nur von einem Teil der aufgenommenen Bilddaten erzeugt wird, kann die Verarbeitungszeit reduziert werden, die für die Bilderzeugung notwendig ist.
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In Übereinstimmung mit einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Untersuchungsverfahren zum Überprüfen einer bearbeiteten Seite eines durch Schleifen und Polieren bearbeiteten Wafers bereitgestellt, einschließlich eines Bildaufnahmeschritts zum Aufnehmen eines Bilds der bearbeiteten Seite eines auf einem Haltetisch gehaltenen Wafers, eines ersten Bilderzeugungsschritts zum Begrenzen aufgenommener Bilddaten, die durch die Bildaufnahme bei dem Bildaufnahmeschritt für jeden vorbestimmten Bereich erhalten werden, und Extrahieren eines Pixels mit einem Pixelwert, der höher ist als der umliegender Pixel, als einen charakteristischen Punkt in dem vorbestimmten Bereich, um ein erstes Bild zu erzeugen, und eines zweiten Bilderzeugungsschritts zum Extrahieren eines Pixels mit einem Pixelwert, der niedriger ist als der umliegender Pixel, als einen charakteristischen Punkt in dem vorbestimmten Bereich, um ein zweites Bild zu erzeugen.
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In Übereinstimmung mit der oben beschriebenen Ausführung wird nur ein Pixel mit einem Pixelwert, der höher ist als der umliegender Pixel, als ein charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich der aufgenommenen Bilddaten extrahiert, um ein erstes Aufnahmebild zu erzeugen, und nur ein Pixel mit einem Pixelwert, der niedriger ist als der umliegender Pixel, wird als ein charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich der aufgenommenen Bilddaten extrahiert, um ein zweites Aufnahmebild zu erzeugen. Da Schleifspuren, wie oben beschrieben, nicht auf dem ersten Aufnahmebild angezeigt werden, kann das Vorliegen von Kratzern usw. mit einer hohen Genauigkeit untersucht werden. Da Kratzer usw. auf dem zweiten Aufnahmebild nicht angezeigt werden, kann das Vorliegen von Schleifspuren mit hoher Genauigkeit untersucht werden. Da das erste und zweite Bild nur von einem Teil der aufgenommenen Bilddaten erzeugt werden, kann die für die Bilderstellung benötigte Verarbeitungszeit reduziert werden.
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In Übereinstimmung mit einem noch weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung zum Überprüfen einer bearbeiteten Seite eines durch Schleifen und Polieren bearbeiteten Wafers bereitgestellt, einschließlich eines Haltetischs, der zum Halten eines Wafers daran eingerichtet ist, eines Bildaufnahmemittels zum Aufnehmen eines Bilds der bearbeiteten Seite des durch den Haltetisch gehaltenen Wafers, einer ersten Bilderzeugungseinheit, die eingerichtet ist, die aufgenommenen Bilddaten zu begrenzen, die durch die Bildaufnahme durch das Bildaufnahmemittel für jeden vorbestimmten Bereich aufgenommen werden, und einen Pixel zu extrahieren, der einen Pixelwert aufweist, der höher ist als der umliegender Pixel in dem vorbestimmten Bereich, um ein erstes Bild zu erzeugen, einer zweiten Bilderzeugungseinheit, die eingerichtet ist, einen Pixel mit einem Pixel Wert zu extrahieren, der niedriger ist als der umliegender Pixel in dem vorbestimmten Bereich, um ein zweites Bild zu erzeugen, und einer Auswähleinheit, die eingerichtet ist, in Antwort auf ein Untersuchungsziel die erste Bilderzeugungseinheit oder die zweite Bilderzeugungseinheit auszuwählen.
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Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung ist vorzugsweise so eingerichtet, dass das Bildaufnahmemittel mit einem Zeilensensor mit einem linearen Bildaufnahmebereich bestimmter Länge in einer radialen Richtung des Wafers eingerichtet ist; die Wafer-Untersuchungsvorrichtung vorzugsweise ferner ein Drehmittel zum Drehen des Haltetischs und des Bildaufnahmemittels relativ zueinander um den Mittelpunkt des Wafers und ein Horizontal-Bewegungsmittel zum Bewegen des Haltetischs und des Bildaufnahmemittels relativ zueinander in einer diametralen Richtung des Wafers aufweist; und jedes Mal, wenn ein Bild des Wafers durch das Bildaufnahmemittel aufgenommen wird, während der Wafer durch das Drehmittel um 360° gedreht wird, wird das Bildaufnahmemittel vorzugsweise durch das Horizontal-Bewegungsmittel in einer diametralen Richtung des Wafers um eine Strecke bewegt, die mit einer Länge des Bildaufnahmebereichs korrespondiert, und dann werden die Teile der aufgenommenen Bilddaten, die durch die Bildaufnahme eines Gesamtbereichs der bearbeiteten Seite erhalten bzw. gewonnen werden, verwendet, um die bearbeitete Seite des Wafers zu untersuchen.
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Die oberen und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise ihrer Umsetzung werden durch Studieren der folgenden Beschreibung und angehängten Ansprüche mit Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird so am besten verstanden.
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KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
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1 ist eine perspektivische Ansicht einer Schleif- und Poliervorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform;
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2 ist eine Ansicht, die einen Zustand einer bearbeiteten Seite eines Wafers in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform veranschaulicht;
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Die 3A und 3B sind erläuternde Ansichten eines Bildaufnahmeschritts durch eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform;
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Die 4A bis 4D sind erläuternde Ansichten eines ersten und zweiten Bilderzeugungsschritts durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform; und
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Die 5A und 5B sind Fotografien, die ein erstes und zweites Bild in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform veranschaulichen.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
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Im Folgenden wird eine Schleif- und Poliervorrichtung in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht der Schleif- und Poliervorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform. Es ist anzumerken, dass die vorliegende Ausführungsform nicht auf die in 1 veranschaulichte Ausführung beschränkt ist. Die Schleif- und Poliervorrichtung kann auf eine beliebige Weise eingerichtet sein, solange sie einen Schleifvorgang und einen Poliervorgang für einen Wafer ausführen kann.
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Wie in 1 veranschaulicht, ist die Schleif- und Poliervorrichtung 1 eine vollautomatische Verarbeitungsvorrichtung und ist eingerichtet, eine Reihe von Vorgängen für einen Wafer W automatisch auszuführen, einschließlich eines Einsetz- bzw. Hineintragevorgangs, eines Grobschleifvorgangs, eines Fertigschleifvorgangs, eines Poliervorgangs, eines Waschvorgangs und eines Heraustragevorgangs. Der Wafer W ist im Wesentlichen als Scheibenform ausgebildet und wird in einem in einer Kassette C aufgenommenen Zustand in die Schleif- und Poliervorrichtung 1 hineingetragen bzw. eingesetzt. Es ist anzumerken, dass der Wafer W ein beliebiges plattenförmiges Werkstücks sein kann, das zu einem Schleifziel und einem Polierziel gemacht werden kann, und kann ein Halbleitersubstrat aus Silizium, Galliumarsenid und Ähnlichem sein, oder kann ein anorganisches Substratmaterial aus Keramik, Glas, Saphir oder Ähnlichem sein, oder aber kann ein Packungssubstrat eines Halbleiterprodukts oder Ähnliches sein.
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Auf der Vorderseite einer Basis 11 der Schleif- und Poliervorrichtung 1 ist ein Paar Kassetten C platziert, wobei in jeder davon eine Vielzahl von Wafern W aufgenommen ist. An der Vorderseite des Paars von Kassetten C ist ein Kassettenroboter 16 bereitgestellt, der einen Wafer W in die Kassetten C lädt und von diesen entlädt. An beiden schrägen Rückseiten des Kassettenroboters 16 sind ein Positioniermechanismus 21 zum Positionieren eines Wafers W vor der Bearbeitung und ein Waschmechanismus 26 zum Waschen eines Wafers W nach der Bearbeitung vorgesehen. Zwischen dem Positioniermechanismus 21 und dem Waschmechanismus 26 ist ein Hineintragemittel 31 zum Hineintragen eines Wafers W vor dem Bearbeiten auf einen Haltetisch 42 und ein Heraustragemittel 36 zum Heraustragen eines Wafers W nach der Bearbeitung von dem Haltetisch 42.
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Der Kassettenroboter 16 wird von einer Handeinheit 18 eingerichtet, die bei einem vorderen Ende bzw. einer Spitze eines Roboterarms 17 vorgesehen ist, der von einer Mehrknotenverbindung eingerichtet wird. Vor der Bearbeitung wird ein Wafer W durch den Kassettenroboter 16 von einer Kassette C zu dem Positioniermechanismus 21 transportiert, und ein Wafer W wird nach der Bearbeitung von dem Waschmechanismus 26 zu einer Kassette C transportiert. Der Positioniermechanismus 21 ist mit einer Vielzahl von Positionierungsstiften 23 eingerichtet, die um einen temporären Platziertisch 22 für eine Bewegung in Richtung des Mittelpunkts des temporären Platziertischs 22 und von diesem weg angeordnet ist. Bei dem Positioniermechanismus 21 liegt die Vielzahl von Positionierstiften 23 an einer äußeren Umfangskante eines Wafers W an, der auf dem temporären Platziertisch 22 platziert ist, um den Mittelpunkt des Wafers W bei dem Mittelpunkt des temporären Platziertischs 22 zu positionieren.
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Das Hineintragemittel 31 ist mit einer Hineintrageauflage 33 eingerichtet, die bei einer Spitze eines Hineintragearms 32 vorgesehen ist, der an der Basis 11 geschwenkt werden kann. Bei dem Hineintragemittel 31 wird ein Wafer W von dem temporären Platziertisch 22 durch die Hineintrageauflage 33 angehoben und die Hineintrageauflage 33 wird durch den Hineintragearm 32 gedreht, um den Wafer W auf dem Haltetisch 42 abzulegen. Das Heraustragemittel 36 ist mit einer Heraustrageauflage 38 eingerichtet, die an einer Spitze eines Heraustragearms 37 vorgesehen ist, der an der Basis 11 geschwenkt bzw. gedreht werden kann. Bei dem Heraustragemittel 36 wird ein Wafer W von dem Haltetisch 42 durch die Heraustrageauflage 38 angehoben und die Heraustrageauflage 38 wird durch den Heraustragearm 37 gedreht, um den Wafer W von dem Haltetisch 42 herauszutragen.
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Der Waschmechanismus 26 ist mit verschiedenen nicht gezeigten Düsen eingerichtet, die Waschwasser und trockene Luft in Richtung eines Schleudertischs 27 einspritzen. Der Schleudertisch 27, der auf sich einen Wafer W hält, wird durch den Waschmechanismus 26 hinunter in die Basis 11 bewegt und Waschwasser wird in die Basis 11 eingespritzt, um den Wafer W waschzuschleudern, wonach trockene Luft eingespritzt wird, um den Wafer W zu trocknen. Hinter dem Hineintragemittel 31 und dem Heraustragemittel 36 ist ein Drehtisch 41 vorgesehen und weist auf sich in Umfangsrichtung in einer äquidistant beabstandeten Beziehung zueinander vier Haltetische 42 angeordnet auf. Auf einer oberen Seite von jedem Haltetisch 42 ist eine Halteseite 43 zum Halten einer unteren Seite eines Wafers W ausgebildet. Ferner ist jeder Haltetisch 42 für eine Drehung durch ein Rotationsmittel 98 (siehe 3) eingerichtet, das an der Basis 11 vorgesehen ist.
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Wenn sich der Drehtisch 41 intermittierend mit Intervallen von 90° dreht, wird ein Wafer W nacheinander auf einer Hereintrageposition und Heraustrageposition, bei denen der Wafer W hineingetragen bzw. herausgetragen wird, einer Grobschleifposition, bei welcher der Wafer W einem Grobschleifmittel 46 ausgesetzt wird, einer Fertigschleifposition, bei welcher der Wafer W einem Fertigschleifmittel 51 ausgesetzt wird, und einer Polierposition positioniert, bei welcher der Wafer einem Poliermittel 56 ausgesetzt wird. Bei der Grobschleifposition wird der Wafer W durch das Grobschleifmittel 46 grob auf eine vorbestimmte Dicke zugeschliffen. Bei der Fertigschleifposition wird der Wafer W durch das Fertigschleifmittel 51 auf eine Enddicke fertig geschliffen. Bei der Polierposition wird der Wafer W durch das Poliermittel 56 poliert. Um den Drehtisch 41 sind aufrechte Säulen 12, 13 und 14 vorgesehen.
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An der Säule 12 ist ein Bewegungsmittel 61 vorgesehen, welches das Grobschleifmittel 46 nach oben und nach unten bewegt. Das Bewegungsmittel 61 schließt ein Paar Führungsschienen 62, das parallel zu der Z-Achsenrichtung an der Vorderseite der Säule 12 vorgesehen ist, und einen motorbetriebenen Z-Achsentisch 63 ein, der für eine Verschiebebewegung an dem Paar Führungsschienen 62 vorgesehen ist. Das Grobschleifmittel 46 wird über ein Gehäuse 64 an der Vorderseite des Z-Achsentischs 63 unterstützt. Ein Kugelgewindetrieb 65 ist an die nach hinten gewandte Seite des Z-Achsentischs 63 geschraubt und ein Antriebsmotor 66 ist mit einem Ende des Kugelgewindetriebs 65 verbunden. Wenn der Kugelgewindetrieb 65 durch den Antriebsmotor 66 für eine Drehung angetrieben wird, wird das Grobschleifmittel 46 durch die Führungsschienen 62 in der Z-Achsenrichtung bewegt.
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Auf ähnliche Weise ist ein Bewegungsmittel 71 an der Säule 13 vorgesehen und bewegt das Fertigschleifmittel 51 nach oben und nach unten. Das Bewegungsmittel 71 ist mit einem Paar Führungsschienen 72, das an der Vorderseite der Säule 13 parallel zu der Z-Achsenrichtung angeordnet ist, und mit einem motorbetriebenen Z-Achsentisch 73 eingerichtet, der für eine Verschiebebewegung an dem Paar Führungsschienen 72 vorgesehen ist. Das Fertigschleifmittel 51 wird durch ein Gehäuse 74 an der Vorderseite des Z-Achsentischs 73 unterstützt. Ein Kugelgewindetrieb 75 ist an die nach hinten gewandte Seite des Z-Achsentischs 73 geschraubt und ein Antriebsmotor 76 ist mit einem Ende des Kugelgewindetriebs 75 verbunden. Wenn der Kugelgewindetrieb 75 durch den Antriebsmotor 76 für eine Drehung angetrieben wird, wird das Fertigschleifmittel 51 in der Z-Achsenrichtung entlang der Führungsschienen 72 bewegt.
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Das Grobschleifmittel 46 und das Fertigschleifmittel 51 sind durch Einbeziehen von Halterungen 47 und 52 bei einem unteren Ende zylindrischer Spindeln eingerichtet. An einer Unterseite der Halterung 47 des Grobschleifmittels 46 ist ein Schleifrad 49 zum Grobschleifen montiert. Das Schleifrad 49 weist eine Vielzahl von Grobschleifsteinen 48 auf, die ringförmig darauf angeordnet sind. Jeder Grobschleifstein 48 ist mit einem Diamantschleifstein einschließlich eines Diamantschleifkorns eingerichtet, das durch ein Bindemittel, wie zum Beispiel ein Metallbindemittel oder ein Harzbindemittel, befestigt ist. Weiterhin ist ein Schleifrad 54 an einer unteren Seite der Halterung 52 des Fertigschleifmittels 51 montiert und weist eine Vielzahl von Fertigschleifsteinen 53 auf, die ringförmig daran angeordnet sind. Jeder Fertigschleifstein 53 ist durch ein Schleifsteinkorn mit einer Partikelgröße ausgebildet, die kleiner ist als die des Grobschleifsteins 48. Durch den Grobschleifvorgang und den Fertigschleifvorgang wird der Wafer W auf eine vorbestimmte Dicke verdünnt.
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An der Säule 14 ist ein Bewegungsmittel 81 vorgesehen und positioniert das Poliermittel 56 in Bezug auf den Wafer W bei einer vorbestimmten Polierposition. Das Bewegungsmittel 81 weist ein paar Führungsschienen 82, die an der Vorderseite der Säule 14 parallel zu der Y-Achsenrichtung angeordnet sind, und einen motorbetriebenen Y-Achsentisch 83 auf, der für eine Verschiebebewegung an dem Paar Führungsschienen 82 vorgesehen ist. Das Bewegungsmittel 81 schließt ferner ein Paar Führungsschienen 84, die an der Vorderseite des Y-Achsentischs 83 parallel zu der Z-Achsenrichtung angeordnet ist, und einen motorbetriebenen Z-Achsentisch 85 ein, der für eine Verschiebebewegung an dem Paar Führungsschienen 84 vorgesehen ist. Das Poliermittel 56 wird durch ein Gehäuse 86 an der Vorderseite des Z-Achsentischs 85 unterstützt.
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Ein nicht veranschaulichter Kugelgewindetrieb ist an die nach hinten gewandte Seite des Y-Achsentischs 83 und des Z-Achsentischs 85 geschraubt und Antriebsmotoren 87 und 88 sind mit einem Ende des Kugelgewindetriebs verbunden. Wenn der Kugelgewindetrieb für eine Drehung durch die Antriebsmotoren 87 und 88 angetrieben wird, wird das Poliermittel 56 in der Y-Achsenrichtung und der Z-Achsenrichtung entlang der Führungsschienen 82 und 84 bewegt. Das Poliermittel 56 ist durch Bereitstellen einer Halterung 57 bei einem unteren Ende einer zylindrischen Spindel eingerichtet. Eine Polierauflage 58 ist an einer Unterseite der Halterung 57 montiert. Die Polierauflage 58 ist aus einem Schaumaterial, einem Fasermaterial oder Ähnlichem ausgebildet. Bei einem Poliervorgang wird eine Oberseite eines Wafers W ein wenig poliert, um Schleifschäden zu entfernen, die auf dem Wafer W nach einem Grobschleifvorgang und einem Fertigschleifvorgang verbleiben.
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In diesem Fall wird bogenförmigen Schleifspuren auf der bearbeiteten Seite des Wafers W als Schleifschäden nach dem Grobschleifvorgang und dem Fertigschleifvorgang nachgespürt. Obwohl die bearbeitete Seite des Wafers W durch den Poliervorgang poliert wird, wenn der Unterschied in der Höhe einer Schleifspur groß ist, dann bleibt die Schleifspur eine Schleifspur (radiale Welle) S1 auf dem Wafer W (siehe 2). Wenn dieser Polierfehler durch einen Bediener von außerhalb der Vorrichtung visuell bestätigt werden soll, erzeugt dies eine große Belastung für den Bediener. Daher ist bei der vorliegenden Ausführungsform eine Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 zum Überprüfen der bearbeiteten Seite eines Wafers W bei der Hereintrageposition und Heraustrageposition vorgesehen, sodass ein Bild der bearbeiteten Seite des Wafers W nach dem Poliervorgang aufgenommen wird, um Polierfehler zu untersuchen bzw. zu erfassen.
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Wie in 2 veranschaulicht, liegen solche Polierfehler, wie Kratzer, Risse und Feinpartikel (hierauf wird nachfolgend als Kratzer S2 usw. Bezug genommen) zusätzlich zu den oben beschriebenen Schleifspuren S1 auf der bearbeiteten Seite eines Wafers W vor, und es ist schwierig, den Wafer W visuell zu untersuchen, auf dem solche verschiedene oben beschriebene Polierfehler auf gemischte Weise vorliegen. Um Polierfehler auf der bearbeiteten Seite eines Wafers W durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 zu erfassen, muss ferner ein Bildaufnahmemittel 92 (siehe 1) verwendet werden, das eine hohe Auflösung aufweist. Da die Auflösung des Bildaufnahmemittels 92 ansteigt, muss ein Speicher mit erhöhter Kapazität vorgesehen sein, um ein Bild aus Bilddaten des Gesamtbereichs des Wafers W zu erzeugen, was ferner die Verarbeitungszeit erhöht, die zur Bilderzeugung benötigt wird. Es ist anzumerken, dass die aufgenommenen Bilddaten Daten sind, auf denen die Erzeugung eines Bilds basiert und einzelne Datenabschnitte mit Pixeln des Bilds zusammenhängen.
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Der Erfinder der vorliegenden Erfindung hat die Tatsache beachtet, dass zur Ausführung der vorliegenden Erfindung die Kratzer S2 usw. durch vergleichsweise hohe Pixelwerte wiedergegeben werden, während die Schleifspuren S1 durch vergleichsweise niedrige Pixelwerte wiedergegeben werden. Die Idee der vorliegenden Erfindung liegt darin, dass einige helle Datenelemente und einige dunkle Datenelemente, die in aufgenommenen Bilddaten des Gesamtbereichs des Wafers W einbezogen sind, als charakteristische Punkte extrahiert werden, um zwei verschiedene Bilder, einschließlich eines Bilds, das nur vergleichsweise helle charakteristische Punkte aufweist, und eines weiteren Bilds, das nur vergleichsweise dunkle charakteristische Punkte aufweist, zu erzeugen (siehe 4B und 4C). Folglich können die Kratzer S2 usw. auf dem Bild untersucht werden, das nur vergleichsweise helle charakteristische Punkte aufweist, und die Schleifspuren S1 können auf dem Bild untersucht werden, das nur vergleichsweise dunkle charakteristische Punkte aufweist. Da es nur notwendig ist, ein Bild niedriger Auflösung von einem Teil der Datenelemente der aufgenommenen Bilddaten zu erzeugen, kann ferner die Speicherkapazität herabgesetzt werden und die für die Bilderzeugung benötigte Verarbeitungszeit kann reduziert werden.
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Wiederum bezugnehmend auf 1 ist die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 so eingerichtet, dass sie Licht auf den Wafer W von oben abstrahlt und ein Bild der bearbeiteten Seite des Wafers W auf dem Haltetisch 42 durch das Bildaufnahmemittel 92 von oben aufgenommen wird. Da die Kratzer S2 (siehe 2) usw. durch steile Unregelmäßigkeiten auf der bearbeiteten Seite des Wafers W ausgebildet werden, wird das Licht bei der Bildaufnahme stark durch die Unregelmäßigkeiten gestreut und das gestreute Licht erreicht das Bildaufnahmemittel 92 und wird durch Pixel mit vergleichsweise hohen Pixelwerten auf dem aufgenommenen Bild wiedergegeben. Da die Schleifspuren S1 (siehe 2) jeweils mit einer moderaten Steigung auf der bearbeiteten Seite des Wafers W ausgebildet sind, erreicht währenddessen bei einer Bildaufnahme nur wenig gestreutes Licht das Bildaufnahmemittel 92 und wird durch Pixel mit vergleichsweise niedrigen Pixelwerten auf dem aufgenommenen Bild wiedergegeben.
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Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 schließt eine erste Bilderzeugungseinheit 93, die ein erstes Bild erzeugt (siehe 4B), das aus Pixeln mit vergleichsweise hohen Pixelwerten zur Untersuchung der Kratzer S2 usw. ausgebildet wird, und eine zweite Bilderzeugungseinheit 94 ein, die ein zweites Bild erzeugt (siehe 4C), das aus Pixeln mit vergleichsweise niedrigen Pixelwerten zur Untersuchung der Schleifspuren S1 ausgebildet wird. Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 weist ferner eine Auswähleinheit 95 zum Auswählen der ersten oder zweiten Bilderzeugungseinheit 93 oder 94 in Antwort bzw. in Abhängigkeit eines Untersuchungsziels auf, wie in einem Fall, in dem die Kratzer S2 usw. untersucht werden, und in einem anderen Fall, in dem die Schleifspuren S1 untersucht werden. Es ist anzumerken, dass die Details eines ersten Bilderzeugungsschritts durch die erste Bilderzeugungseinheit 93 und eines zweiten Bilderzeugungsschritts durch die zweite Bilderzeugungseinheit 94 hiernach beschrieben werden.
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Die Schleif- und Poliervorrichtung 1 schließt ein Steuermittel 89 zum integrierten Steuern ihrer Komponenten auf. Das Steuermittel 89 führt verschiedene Steuerungen für einen Grobschleifschritt durch das Grobschleifmittel 46, einen Fertigschleifschritt durch das Fertigschleifmittel 51, einen Poliervorgang durch das Poliermittel 56, einen Bildaufnahmeschritt durch das Bildaufnahmemittel 92 usw. aus. Es ist anzumerken, dass das Steuermittel 89, die erste Bilderzeugungseinheit 93, die zweite Bilderzeugungseinheit 94 und die Auswähleinheit 95 mit einem Prozessor, der verschiedene Prozesse ausführt, einem Speicher und usw. eingerichtet sind. Der Speicher ist mit einem Speichermedium oder einer Vielzahl von Speichermedien, wie zum Beispiel einem Read Only Memory (ROM), einem Random Access Memory (RAM) und Ähnlichem eingerichtet.
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Bei so einer oben beschriebenen Schleif- und Poliervorrichtung 1 wird ein Wafer W von innerhalb einer Kassette C zu dem Positioniermechanismus 21 transportiert und wird durch den Positioniermechanismus 21 zentriert. Dann wird der Wafer W zu dem Haltetisch 42 getragen und nacheinander bei der Grobschleifposition, Fertigschleifposition und Polierposition durch Drehung des Drehtischs 41 positioniert. Bei der Grobschleifposition wird der Wafer W einem Grobschleifvorgang unterzogen; bei der Fertigschleifposition wird der Wafer W einem Fertigschleifvorgang unterzogen; und bei der Polierposition wird der Wafer W einem Poliervorgang unterzogen. Dann werden nach dem Polieren Polierfehler des Wafers W untersucht, wonach der Wafer W durch den Waschmechanismus 26 gewaschen wird und dann von dem Waschmechanismus 26 zu der Kassette C herausgetragen wird.
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Nachfolgend wird ein Bildaufnahmevorgang durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung beschrieben. Die 3A und 3B sind erläuternde Ansichten des Bildaufnahmeschritts durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform. Die 4A bis 4D sind erläuternde Ansichten des ersten und zweiten Bilderzeugungsschritts durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform. Die 5A und 5B sind Fotografien, die ein erstes und ein zweites Bild in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform veranschaulichen. Es ist anzumerken, dass der Bildaufnahmeschritt der Wafer-Untersuchungsvorrichtung, der in den 3A und 3B veranschaulicht wird, lediglich ein Beispiel ist, und ein Bild der bearbeiteten Seite eines Wafers durch einen beliebigen Vorgang aufgenommen werden kann, solange ein Bild der bearbeiteten Seite des Wafers durch den Vorgang aufgenommen werden kann.
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Wie in 3A veranschaulicht, ist das Bildaufnahmemittel 92 der Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 ein Zeilensensor, der einen linearen Bildaufnahmebereich mit einer vorbestimmten Länge (zum Beispiel 1024 Pixeln) in einer radialen Richtung des Wafers W aufweist und Pixelwerte mit einer Abstufung von 12-Bit bereitstellt. Das Bildaufnahmemittel 92 wird durch ein Horizontal-Bewegungsmittel 96 und ein Aufwärts- und Abwärtsbewegungsmittel 97 über dem Haltetisch 42 positioniert. Das Horizontal-Bewegungsmittel 96 erstreckt sich so, dass es den Haltetisch 42 und das Bildaufnahmemittel 92 relativ zueinander in einer diametralen Richtung des Wafers W bewegt, und das Bildaufnahmemittel 92 ist für eine horizontale Bewegung über das Aufwärts- und Abwärtsbewegungsmittel 97 an dem Horizontal-Bewegungsmittel 96 montiert. Das Aufwärts- und Abwärtsbewegungsmittel 97 erstreckt sich so, dass es den Wafer W und das Bildaufnahmemittel 92 aufeinander zu und voneinander weg bewegt, und das Bildaufnahmemittel 92 ist für eine Aufwärts- und Abwärtsbewegung an dem Aufwärts- und Abwärtsbewegungsmittel 97 montiert.
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An dem Haltetisch 42 wird ein Wafer W so gehalten, dass der Mittelpunkt des Wafers W an dem Mittelpunkt des Haltetischs 42 ausgerichtet ist. Bei einem unteren Abschnitt des Haltetischs 42 ist das Rotationsmittel 98 bereitgestellt, das den Haltetisch 42 und das Bildaufnahmemittel 92 relativ zueinander um den Mittelpunkt des Wafers W dreht. Bei dem Bildaufnahmeschritt der Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91, die auf die oben beschriebene Weise eingerichtet ist, wird der lineare Bildaufnahmebereich des Bildaufnahmemittels 92 bei der Position des Mittelpunktes des Wafers W positioniert, und während ein Bild des Wafers W durch das Bildaufnahmemittel 92 aufgenommen wird, wird der Haltetisch 42 durch das Rotationsmittel 98 gedreht. Folglich wird ein Bild der bearbeiteten Seite des Wafers W über 360° aufgenommen und Abschnitte der aufgenommenen Bilddaten werden in die erste und zweite Bilderzeugungseinheit 93 und 94 geholt.
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Dann wird das Bildaufnahmemittel 92 jedes Mal, wenn ein Bild des Wafers W über 360° durch das Bildaufnahmemittel 92 aufgenommen wird, wie in 3B veranschaulicht, durch das Horizontal-Bewegungsmittel 96 in der diametralen Richtung über einen Abstand bzw. eine Strecke bewegt, welche der Länge des linearen Bildaufnahmebereichs gleicht. Während dieser Bildaufnahmevorgang wiederholt ausgeführt wird, werden Teile der aufgenommenen Bilddaten, welche den gesamten Bereich der bearbeiteten Seite des Wafers W wiedergeben, in die erste und zweite Bilderzeugungseinheit 93 und 94 geholt. Es ist anzumerken, dass, obwohl die Wafer-Untersuchungsvorrichtung bei der vorliegenden Ausführungsform so eingerichtet ist, dass Bilder nacheinander aufgenommen werden, während der Bildaufnahmebereich nacheinander von dem Mittelpunkt der bearbeiteten Seite des Wafer W in der diametralen Richtung zu der Außenseite versetzt bzw. verschoben wird, diese anders eingerichtet sein kann, sodass Bilder nacheinander aufgenommen werden, während der Bildaufnahmebereich nacheinander in der diametralen Richtung von der äußeren Umfangsseite in Richtung der Innenseite von der bearbeiteten Seite des Wafers W versetzt wird.
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Wie in 4A veranschaulicht, sind die Teile bzw. Abschnitte aufgenommener Bilddaten, welche in die erste Bilderzeugungseinheit 93 (siehe 3A) geholt werden, für jeden vorbestimmten Bereich, beispielsweise auf 50 Pixel, eingeschränkt und ein Pixel mit dem höchsten Pixelwert (zum Beispiel dem höchsten Helligkeitswert unter Pixelwerten in einem Bereich von 4 bis 12 Bit) in dem vorbestimmten Bereich wird als ein charakteristischer Punkt extrahiert. In diesem Fall wird der Pixel mit dem höchsten Pixelwert, wie z. B. einem Pixelwert von 243, unter den 50 Pixeln des vorbestimmten Bereichs als ein charakteristischer Punkt P1 extrahiert. Auf ähnliche Weise sind die Abschnitte aufgenommener Bilddaten, welche in die zweite Bilderzeugungseinheit 94 (siehe 3A) geholt werden, für jeden vorbestimmten Bereich, beispielsweise auf 50 Pixel, eingeschränkt, und ein Pixelwert mit dem niedrigsten Pixelwert (beispielsweise dem niedrigsten Helligkeitswert unter Pixelwerten in einem Bereich von 0 bis 8 Bit) in dem vorbestimmten Bereich wird als charakteristischer Punkt P2 extrahiert. In diesem Fall wird der Pixel mit dem niedrigsten Pixelwert, wie z. B. einem Pixelwert von 10, unter den 50 Pixeln des vorbestimmten Bereichs als ein charakteristischer Punkt P2 extrahiert.
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Wie in einer schematischen Ansicht der 4B und einer Fotografie der 5A veranschaulicht wird bei dem ersten Bilderzeugungsschritt durch die erste Bilderzeugungseinheit 93 (siehe 3A) nur ein Pixel mit einem hohen Pixelwert für jeden vorbestimmten Bereich unter allen Abschnitten aufgenommener Bilddaten extrahiert und zum Erzeugen eines ersten Bilds verwendet. Obwohl in diesem Fall die Bildqualität verschlechtert ist, da die Gesamtpixelanzahl des ersten Bilds klein ist, wird die Verarbeitungszeit reduziert, da die für die Bilderzeugung verwendete Datenmenge klein ist. Da das erste Bild nur aus Pixeln mit vergleichsweise hohen Pixelwerten erzeugt wird, wird ferner ein Polierfehler durch einen Kratzer S2 in dem Bild betont.
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Wie in der schematischen Ansicht der 4C und der Fotografie der 5B veranschaulicht, werden bei dem zweiten Bilderzeugungsschritt durch die zweite Bilderzeugungseinheit 94 (siehe 3A) nur Pixel, die für jeden vorbestimmten Bereich extrahiert werden und niedrige Pixelwerte aufweisen, unter allen Abschnitten der aufgenommenen Bilddaten verwendet, um ein zweites Bild zu erzeugen. Obwohl in diesem Fall die Bildqualität verschlechtert ist, da die Gesamtpixelanzahl des zweiten Bildes klein ist, wird die Verarbeitungszeit reduziert, da die für die Bilderzeugung verwendete Datenmenge klein ist. Da das zweite Bild nur von Pixeln erzeugt wird, die vergleichsweise niedrige Pixelwerte aufweisen, wird ferner ein Polierfehler durch eine Schleifspur S1 in dem Bild betont.
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Auf diese Weise wird das Bildaufnahmemittel 92 (siehe 3A), das eine hohe Auflösung aufweist, verwendet, um aufgenommene Bilddaten einer vollständig verarbeiteten Seite bzw. Fläche eines Wafers W zu erfassen, um ein Verpassen bzw. Übersehen von feinen Polierfehlern, die auf der bearbeiteten Seite vorliegen, durch Verluste bei der Bildaufnahme auszuschließen und um nicht benötigte Daten von einer großen Menge aufgenommener Bilddaten abzutasten bzw. auszuwählen, um ein Bild mit niedriger Bildqualität zu erzeugen. Infolgedessen wird ein erstes und ein zweites Bild, die keine fehlenden Pixel aufweisen, die auf Polierfehler, wie zum Beispiel die Kratzer S2, die Schleifspuren S1 usw., hindeuten, aus einer kleinen Datenmenge erzeugt. Selbst mit dem mit niedriger Bildqualität erzeugten ersten und zweiten Bild, ist es möglich, auf günstige Weise auf Fehler zu untersuchen, da Polierfehler, wie zum Beispiel die Kratzer S2, die Schleifspuren S1 usw., mit Sicherheit in dem ersten und zweiten Bild einbezogen sind.
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Ferner wählt die Auswähleinheit 95 (siehe 3A) eine der ersten und zweiten Bilderzeugungseinheit 93 und 94 in Antwort eines Inspektionsziels aus, wie in einem Fall, in dem die Kratzer S2 usw. untersucht werden oder einem anderen Fall, in dem die Schleifspuren S1 untersucht werden. Nachdem eine der ersten und zweiten Bilderzeugungseinheiten 93 und 94 durch die Auswähleinheit 95 ausgewählt ist, wird ein erstes Bild oder ein zweites Bild durch die ausgewählte Bilderzeugungseinheit erzeugt und gezielt auf einer nicht veranschaulichten Anzeigevorrichtung angezeigt. Durch Anzeigen nur eines gewünschten Bilds auf der Anzeigevorrichtung in Antwort auf ein Untersuchungsziel, das auf diese Weise durch den Bediener ausgewählt wird, ist es möglich, die Kratzer S2 usw. und die Schleifspuren S1 getrennt voneinander zu untersuchen.
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Es ist anzumerken, dass obwohl die erste Bilderzeugungseinheit 93 so eingerichtet ist, dass ein Pixel mit dem höchsten Pixelwert als ein charakteristischer Punkt extrahiert wird, um ein erstes Bild zu erzeugen, die erste Bilderzeugungseinheit 93 nicht auf diese Ausführung beschränkt ist. Die erste Bilderzeugungseinheit 93 kann aufgenommene Bilddaten für jeden vorbestimmten Bereich beschränken und einen Pixel mit einem höheren Pixelwert als die umliegender Pixel in dem vorbestimmten Bereich als einen charakteristischen Punkt extrahieren, um ein erstes Bild zu erzeugen. Beispielsweise kann ein Pixel mit einem höheren Pixelwert, der den größten Unterschied zu einem angrenzenden Pixel (Pixelwert) zeigt, als ein charakteristischer Punkt extrahiert werden, wie in 4D veranschaulicht. In diesem Fall wird ein Unterschied zwischen jedem Pixel mit einem hohen Pixelwert, z. B. einem Pixelwert von 128 oder mehr, und einem weiteren Pixel, der an den Pixel mit dem höchsten Pixelwert angrenzt, berechnet, und der Pixel mit dem höchsten Pixelwert, z. B. mit einem Pixelwert von 207 ≥ 128, der auf einen maximalen Unterschied, wie beispielsweise einen Unterschied von 46, hinweist, wird als ein charakteristischer Punkt P3 extrahiert.
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Obwohl die zweite Bilderzeugungseinheit 94 so eingerichtet ist, dass ein Pixel mit dem niedrigsten Pixelwert als ein charakteristischer Punkt extrahiert wird, um ein zweites Bild zu erzeugen, ist die zweite Bilderzeugungseinheit 94 auf ähnliche Weise nicht auf diese Ausführung beschränkt. Die zweite Bilderzeugungseinheit 94 kann aufgenommene Bilddaten für jeden vorbestimmten Bereich beschränken und einen Pixel mit einem niedrigeren Pixelwert als die umliegender Pixel in dem vorbestimmten Bereich, als einen charakteristischen Punkt extrahieren, um ein zweites Bild zu erzeugen. Beispielsweise kein ein Pixel mit einem niedrigeren Pixelwert, der den größten Unterschied von einem angrenzenden Pixel (Pixelwert) zeigt, als ein charakteristischer Punkt extrahiert werden, wie in 4D veranschaulicht. In diesem Fall wird ein Unterschied zwischen jedem Pixel mit einem niedrigen Pixelwert, wie z. B. einem Pixelwert von 127 oder weniger, und einem weiteren an den Pixel mit dem niedrigen Pixelwert angrenzenden Pixel berechnet und der Pixel, zum Beispiel mit einem Pixelwert von 31 ≤ 127, des niedrigen Pixelwerts, der auf einen maximalen Unterschied, wie zum Beispiel einen Unterschied von 88, hinweist, wird als charakteristischer Punkt P4 extrahiert.
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Es ist anzumerken, dass bei der Untersuchung von Polierfehlern der Bediener ein erstes und zweites Bild visuell beobachten kann, um eine Entscheidung zu treffen, oder die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 eine Entscheidung automatisch treffen kann. Wo Polierfehler durch die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 zu entscheiden sind, kann die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 so eingerichtet sein, dass sie über Polierfehler über die Höhe von Pixelwerten von Kratzern usw., die auf Polierfehler hinweisen, oder das Verhältnis von Pixeln, das auf Polierfehler hinweist, automatisch entscheidet bzw. diese bestimmt. Ferner kann die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 so eingerichtet sein, dass sie die Positionen von Polierfehlern auf einer bearbeiteten Seite eines Wafers W speichert, die für die Verarbeitung zu einem späteren Zeitpunkt verwendet werden.
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Bei der Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 in Übereinstimmung mit der vorliegenden Ausführungsform wird, wie oben beschrieben, nur ein Pixel mit einem höheren Pixelwert als die umliegender Pixel als ein charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich von Bildaufnahmedaten extrahiert, um ein erstes Aufnahmebild zu erzeugen, während nur ein Pixel mit einem niedrigeren Pixelwert als der umliegender Pixeln als ein charakteristischer Punkt für jeden vorbestimmten Bereich von Bildaufnahmedaten extrahiert wird, um ein zweites Aufnahmebild zu erzeugen. Da Schleifspuren (radiale Wellen) S1 in dem ersten Aufnahmebild nicht angezeigt werden, kann das Vorliegen von Kratzern S2 usw. mit einem hohen Grad an Genauigkeit untersucht werden. Da die Kratzer S2 usw. in dem zweiten Aufnahmebild nicht angezeigt werden, kann das Vorliegen von Schleifspuren S1 mit einem hohen Grad an Genauigkeit untersucht werden. Da das erste und zweite Bild von einem Teil bzw. Abschnitt der aufgenommenen Bilddaten erzeugt werden, kann die Verarbeitungszeit, die für die Bilderzeugung benötigt wird, reduziert werden.
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Es ist anzumerken, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist und in vielfältigen abgewandelten Formen ausgeführt werden kann. Bei der oben beschriebenen Ausführungsform ist die Größe, Form usw., die in den beigefügten Zeichnungen veranschaulicht wird, nicht auf diese beschränkt und kann auf geeignete Weise verändert werden, ohne einen Bereich zu verlassen, in dem die Effekte der vorliegenden Erfindung erreicht werden. Ferner kann die vorliegende Erfindung auf geeignete veränderte Weise ausgeführt werden, ohne den Aufgabenbereich der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
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Obwohl bei der oben beschriebenen Ausführungsform die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 zum Beispiel so eingerichtet ist, um den ersten Bilderzeugungsschritt und den zweiten Bilderzeugungsschritt auszuführen, ist die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 nicht auf diese Ausführung beschränkt. Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 kann so eingerichtet sein, um zumindest einen des ersten Bilderzeugungsschritts und des zweiten Bilderzeugungsschritts auszuführen. Während bei der oben beschriebenen Ausführungsform die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 ferner so eingerichtet ist, dass sie eine bearbeitete Seite eines Wafers nach einem Polieren untersucht, ist die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 nicht auf diese Ausführung beschränkt und kann auf andere Weise eingerichtet sein, sodass sie eine bearbeitete Fläche eines Wafers nach einem Schleifen untersucht.
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Während bei der oben beschriebenen Ausführungsform das Bildaufnahmemittel 92 mit einem Zeilensensor eingerichtet ist, ist sie ferner nicht auf diese Ausführung beschränkt. Es ist für das Bildaufnahmemittel 92 lediglich notwendig, in der Lage zu sein, ein Bild einer bearbeiteten Seite eines an dem Haltetisch 42 unterstützten Wafers W aufzunehmen und das Bildaufnahmemittel 92 kann auf andere Weise mit einem Flächensensor eingerichtet sein, der ein Bild zweidimensional aufnehmen kann.
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Ferner kann die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 in der oben beschriebenen Ausführungsform so eingerichtet sein, dass wenn die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 entscheidet, dass ein Wafer W bezüglich des Polierens fehlerhaft ist, dann erneut einen Poliervorgang für den Wafer W ausführt oder ohne ein wiederholtes Ausführen eines Poliervorgangs an dem Wafer W den Wafer W entsorgt.
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Während das Rotationsmittel 98 in der oben beschriebenen Ausführungsform ferner so eingerichtet ist, dass es den Haltetisch 42 im Verhältnis zu dem Bildaufnahmemittel 92 dreht, ist das Rotationsmittel 98 nicht auf diese Ausführung beschränkt. Es ist für das Rotationsmittel 98 lediglich notwendig, so eingerichtet zu sein, dass es den Haltetisch 42 und das Bildaufnahmemittel 92 relativ zueinander dreht und das Rotationsmittel 98 das Bildaufnahmemittel 92 im Verhältnis zu dem Haltetisch 42 drehen kann.
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Während das Horizontal-Bewegungsmittel 96 bei der oben beschriebenen Ausführungsform ferner so eingerichtet ist, dass es das Bildaufnahmemittel 92 in Bezug auf den Haltetisch 42 in einer radialen Richtung eines Wafers W bewegt, ist das Horizontal-Bewegungsmittel 96 nicht auf diese Ausführung beschränkt. Es ist für das Horizontal-Bewegungsmittel 96 lediglich notwendig, so eingerichtet zu sein, dass es den Haltetisch 42 und das Bildaufnahmemittel 92 relativ zueinander in horizontaler Richtung bewegt, und das Horizontal-Bewegungsmittel 96 kann den Haltetisch 42 in Bezug zu dem Bildaufnahmemittel 92 auf andere Weise in einer diametralen Richtung eines Wafers W bewegen.
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Während die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 in der oben beschriebenen Ausführungsform ferner so eingerichtet ist, dass sie in der Schleif- und Poliervorrichtung 1 integriert ist, ist die Ausführung der Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 nicht hierauf beschränkt. Die Wafer-Untersuchungsvorrichtung 91 kann auf andere Weise als eine Vorrichtung für eine exklusive Verwendung zum Aufnehmen eines Bilds einer bearbeiteten Seite eines Wafers W eingerichtet sein, um eine Untersuchung auszuführen.
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Während die erste und zweite Bilderzeugungseinheit 93 und 94 in der oben beschriebenen Ausführungsform ferner so eingerichtet sind, einen Pixel in jedem vorbestimmten Bereich als einen charakteristischen Punkt zu extrahieren, können sie auf andere Weise eine Vielzahl von Pixeln in jedem vorbestimmten Bereich als charakteristische Punkte extrahieren.
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Wie oben beschrieben, zeigt die vorliegende Erfindung den Effekt, dass Polierfehler einer bearbeiteten Seite eines Wafers mit einem hohen Grad an Genauigkeit in kurzer Zeit untersucht werden können und sie insbesondere für eine vollautomatische Schleif- und Poliervorrichtung, die einen Schleifvorgang und einen Poliervorgang vollautomatisch ausführt, und ein Wafer-Untersuchungsverfahren nützlich ist, das mit der Schleif- und Poliervorrichtung ausgeführt wird.
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Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Bereich der Erfindung wird durch die angehängten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Bereich der Ansprüche fallen, sind somit in der Erfindung einbezogen.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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