JP7325913B2 - ウェーハ加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、シリコンウェーハ等のウェーハを加工するウェーハ加工装置に関する。

分割予定ライン（ストリート）によって区画された領域の表面側にそれぞれＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイスが形成されたウェーハを、分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスを備えた複数のデバイスチップが製造される。また、複数のデバイスチップをパッケージ化することにより、所定の機能を備えるパッケージデバイスが製造される。このパッケージデバイスは、携帯電話やパーソナルコンピュータ等に代表される様々な電子機器に搭載される。

近年では、電子機器の小型化、薄型化に伴い、デバイスチップやパッケージデバイスにも薄型化が求められている。そこで、分割前にウェーハの裏面側に研削加工及び研磨加工を施すことにより、ウェーハを薄化する手法が用いられている。ウェーハの薄化には、例えば、ウェーハを保持するチャックテーブルと、ウェーハを研削する研削ホイールが装着される加工ユニット（研削ユニット）と、ウェーハを研磨する研磨パッドが装着される加工ユニット（研磨ユニット）と、を備えるウェーハ加工装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。

また、近年では、複数のデバイスチップを積層し、デバイスチップを上下に貫通する金属電極（ＴＳＶ：Through-Silicon Via）によってデバイス同士を接続する技術が実用化されている。この金属電極を用いると、ワイヤボンディング等を用いる場合と比較して、デバイス同士を接続する配線を短くできる。そのため、パッケージデバイスの小型化や処理速度の向上を図ることができる。

上記の金属電極が形成されたデバイスチップの製造には、例えば、デバイスと接続された金属電極が内部に埋め込まれたウェーハが用いられる。このウェーハを薄化して金属電極をウェーハの裏面側で露出させた後、ウェーハを分割予定ラインに沿って分割することにより、デバイスチップを貫通する金属電極を備えた複数のデバイスチップが得られる。

特開２０１３－２５５９５２号公報

金属電極が埋め込まれたウェーハに研削加工及び研磨加工を施して金属電極を露出させると、金属電極がウェーハ加工装置の研削ホイール又は研磨パッドと接触して、金属電極を構成する金属が飛散する。この飛散した金属がウェーハに付着すると、ウェーハの内部に金属イオンが取り込まれ、ウェーハに形成されたデバイスの動作不良を引き起こす恐れがある。

そのため、ウェーハから金属電極を露出させる際は、まず、金属電極が露出する直前までウェーハを研削加工又は研磨加工によって薄化し、その後、プラズマエッチング等を用いて金属電極を露出させる手法が用いられる。これにより、研削ホイールや研磨パッドと金属電極との接触が回避され、金属の飛散が防止される。

しかしながら、ウェーハの厚さのばらつき、ウェーハの加工量（研削量や研磨量）のばらつき、ウェーハに埋め込まれた金属電極の長さ（深さ）のばらつき等が原因で、研削加工又は研磨加工の際にウェーハに埋め込まれた金属電極が意図せずウェーハから露出することがある。この場合、金属電極と研削ホイール又は研磨パッドとが接触し、金属が研削ホイール、研磨パッド、ウェーハ等に付着するとともに、ウェーハ加工装置の内部で金属が飛散する。

そして、金属電極がウェーハから露出した状態でウェーハ加工装置の動作（ウェーハの加工、搬送等）が継続されると、金属の飛散量が増大するとともに、ウェーハ加工装置が備える搬送ユニット（搬送機構）等によって金属が運ばれ、金属がウェーハ加工装置の内部の全体に広がる恐れがある。これにより、ウェーハやウェーハ加工装置の金属による汚染が生じ得る。さらに、大量の金属が付着したウェーハが他の加工装置に搬送されると、搬送先の加工装置も金属によって汚染される可能性がある。

また、ウェーハ加工装置の内部に金属が付着した場合には、ウェーハ加工装置を部品単位に分解して洗浄する大掛かりなオーバーホールが必要となる。その結果、ウェーハ加工装置のメンテナンスに多大な労力とコストが費やされ、ウェーハの加工効率も低下する。

本発明はかかる問題に鑑みてなされたものであり、ウェーハ加工装置の内部における金属の飛散及び拡散を抑制することが可能なウェーハ加工装置を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、金属電極が埋め込まれたウェーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを研削又は研磨する加工ユニットと、複数の該ウェーハを収容可能なカセットが載置されるカセット載置台と、該カセットと該チャックテーブルとの間で該ウェーハを搬送する搬送ユニットと、該ウェーハから該金属電極が露出しているか否かを検査する検査ユニットと、該金属電極が該ウェーハから露出していることを報知する報知ユニットと、該加工ユニット及び該搬送ユニットの動作を制御する制御ユニットと、を備えるウェーハ加工装置であって、該制御ユニットは、該検査ユニットによって該金属電極が該ウェーハから露出していることが検出された場合に、該加工ユニットによる該ウェーハの加工と、該搬送ユニットによる該ウェーハの搬送とを中止し、該報知ユニットに該金属電極が該ウェーハから露出していることを報知させるウェーハ加工装置が提供される。

なお、好ましくは、該検査ユニットは、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを検査する。また、好ましくは、該検査ユニットは、該搬送ユニットによって保持された該ウェーハを検査する。また、好ましくは、該検査ユニットは、該ウェーハを撮像するカメラを備え、該カメラは、該カメラによって取得された該ウェーハの画像に基づいて該金属電極の露出の有無を判定する判定ユニットに接続されている。

本発明の一態様に係るウェーハ加工装置は、ウェーハから金属電極が露出しているか否かを検査する検査ユニットと、ウェーハ加工装置の構成要素（加工ユニット、搬送ユニット等）の動作を制御する制御ユニットと、を備える。そして、検査ユニットによってウェーハから金属電極が露出していることが検出された場合に、制御ユニットはウェーハ加工装置の構成要素による処理（加工、搬送等）を停止させる。

上記のウェーハ加工装置を用いると、ウェーハの加工によってウェーハから金属電極が意図せず露出した場合にも、金属電極を構成する金属の飛散や、該金属のウェーハ加工装置内部での広がりを抑制することができる。これにより、ウェーハ及びウェーハ加工装置の汚染が防止されるとともに、ウェーハ加工装置のメンテナンスに要する労力及びコストが低減される。

図１（Ａ）はウェーハを示す斜視図であり、図１（Ｂ）はウェーハの一部を拡大して示す斜視図である。 ウェーハ加工装置を示す斜視図である。 ウェーハ加工装置を模式的に示す平面図である。 図４（Ａ）は保護部材が貼付されたウェーハを示す斜視図であり、図４（Ｂ）は保護部材が貼付されたウェーハを示す断面図である。 ウェーハの一部を拡大して示す断面図である。 加工後のウェーハを示す断面図である。 金属電極が露出した状態のウェーハを示す断面図である。

以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。まず、本実施形態に係るウェーハ加工装置によって加工可能なウェーハの構成例について説明する。図１（Ａ）は、ウェーハ１１を示す斜視図である。

ウェーハ１１は、例えば円盤状に形成されたシリコンウェーハであり、表面１１ａと、裏面１１ｂと、表面１１ａ及び裏面１１ｂと接続された外周縁１１ｃとを備える。ウェーハ１１は、互いに交差するように格子状に配列された複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の領域に区画されており、この領域の表面１１ａ側にはそれぞれ、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration）等のデバイス１５が形成されている。

なお、ウェーハ１１の材質、形状、構造、大きさ等に制限はない。例えばウェーハ１１は、シリコン以外の半導体（ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、ガラス、セラミックス、樹脂、金属等の材料によって形成されていてもよい。また、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。

図１（Ｂ）は、ウェーハ１１の一部を拡大して示す斜視図である。複数のデバイス１５はそれぞれ、デバイス１５の表面で露出し、他の配線、電極、デバイス等に接続される複数の接続電極１７を備える。また、分割予定ライン１３によって区画された複数の領域の内部にはそれぞれ、ウェーハ１１の厚さ方向に沿って埋め込まれデバイス１５と接続された柱状の金属電極（ビア電極、貫通電極）１９が形成されている。例えば金属電極１９は、接続電極１７と接続される。

金属電極１９はそれぞれ、デバイス１５からウェーハ１１の裏面１１ｂ側に向かって配置されており、その高さはウェーハ１１の厚さ未満である。そのため、金属電極１９はウェーハ１１の裏面１１ｂで露出しておらず、ウェーハ１１の内部に埋没した状態となっている。なお、金属電極１９の材質に制限はない。例えば、銅、タングステン、アルミニウム等によって金属電極１９が形成される。

ウェーハ１１を分割予定ライン１３に沿って分割することにより、デバイス１５と、デバイス１５に接続された金属電極１９とをそれぞれ備える複数のデバイスチップが得られる。ウェーハ１１の分割には、例えば切削装置が用いられる。切削装置は、ウェーハ１１を保持するチャックテーブルと、ウェーハ１１を切削する円環状の切削ブレードが装着されるスピンドル（回転軸）とを備える。切削ブレードをスピンドルの先端部に装着した状態でスピンドルを回転させると、切削ブレードが回転する。

ウェーハ１１を切削装置のチャックテーブルによって保持した状態で、切削ブレードを回転させ、分割予定ライン１３に沿ってウェーハ１１に切り込ませる。これにより、ウェーハ１１が切削され、複数のデバイスチップに分割される。

また、ウェーハ１１の分割の前又は後に、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に対して研削加工や研磨加工を施してウェーハ１１を薄化し、金属電極１９をウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出させる。これにより、ウェーハ１１に形成されたデバイス１５と、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に配置された他のデバイスとを、金属電極１９を介して接続することが可能となる。この金属電極１９は、複数のデバイスチップが積層されたパッケージデバイスを製造する際、積層されたデバイス同士を接続するための貫通電極として機能する。

ウェーハ１１の薄化には、例えば、ウェーハ１１に対して研削加工及び研磨加工を施すことが可能なウェーハ加工装置が用いられる。図２は、ウェーハ加工装置２を示す斜視図である。

ウェーハ加工装置２は、ウェーハ加工装置２を構成する各構成要素を支持する基台４を備える。基台４の上面の前端側には開口４ａが形成されており、この開口４ａ内には、ウェーハ１１を搬送する搬送ユニット（搬送機構）６が設けられている。また、開口４ａのさらに前方の領域には、複数のウェーハ１１を収容可能なカセット８が載置されるカセット載置台４ｂと、複数のウェーハ１１を収容可能なカセット１０が載置されるカセット載置台４ｃとが設けられている。

開口４ａの斜め後方には、位置合わせ機構（アライメント機構）１２が設けられている。位置合わせ機構１２は、カセット８から搬送ユニット６によって搬送（搬出）されたウェーハ１１を所定の位置に合わせて配置する。

位置合わせ機構１２に隣接する位置には、ウェーハ１１を保持して旋回する搬送ユニット（搬送機構）１４が設けられている。搬送ユニット１４は、その下面側にウェーハ１１の上面側を吸着する吸着パッドを備えており、位置合わせ機構１２によって位置合わせが行われたウェーハ１１を保持して後方に搬送する。

搬送ユニット１４の後方には、円盤状のターンテーブル１６が設けられている。ターンテーブル１６は、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向（鉛直方向、上下方向）に概ね平行な回転軸の周りを回転する。ターンテーブル１６の上面には、ウェーハ１１を保持する４個のチャックテーブル（保持テーブル）１８が概ね等角度間隔に配置されている。ただし、ターンテーブル１６上に配置されるチャックテーブル１８の数に制限はない。

ターンテーブル１６は、平面視で反時計回り（矢印αで示す方向）に回転し、各チャックテーブル１８を搬送位置Ａ、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄ、搬送位置Ａの順に位置付ける。また、チャックテーブル１８はそれぞれ、モータ等の回転駆動源（不図示）に連結されており、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りで回転する。搬送ユニット１４は、位置合わせ機構１２上に配置されたウェーハ１１を吸着パッドで吸着保持し、搬送位置Ａに位置付けられたチャックテーブル１８に搬送する。

チャックテーブル１８の上面は、ウェーハ１１を保持する保持面を構成する。チャックテーブル１８の保持面は、チャックテーブル１８の内部に形成された流路（不図示）を介して、エジェクタ等の吸引源（不図示）に接続されている。ウェーハ１１をチャックテーブル１８上に配置し、チャックテーブル１８の保持面に吸引源の負圧を作用させると、ウェーハ１１がチャックテーブル１８によって吸引保持される。

粗研削位置Ｂの後方及び仕上げ研削位置Ｃの後方（ターンテーブル１６の後方）にはそれぞれ、柱状の支持構造２０が配置されている。支持構造２０の前面側には、Ｚ軸移動機構２２が設けられている。Ｚ軸移動機構２２は、Ｚ軸方向に概ね平行に配置された一対のＺ軸ガイドレール２４を備え、一対のＺ軸ガイドレール２４には板状のＺ軸移動プレート２６がスライド可能な状態で装着されている。

Ｚ軸移動プレート２６の後面側（裏面側）にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール２４と概ね平行に配置されたＺ軸ボールネジ２８が螺合されている。Ｚ軸ボールネジ２８の一端部には、Ｚ軸パルスモータ３０が連結されている。Ｚ軸パルスモータ３０でＺ軸ボールネジ２８を回転させると、Ｚ軸移動プレート２６がＺ軸ガイドレール２４に沿ってＺ軸方向に移動する。

粗研削位置Ｂの上方に配置されたＺ軸移動プレート２６の前面側（表面側）には、ウェーハ１１の粗研削を行う加工ユニット（研削ユニット）３２ａが設けられている。一方、仕上げ研削位置Ｃの上方に配置されたＺ軸移動プレート２６の前面側（表面側）には、ウェーハ１１の仕上げ研削を行う加工ユニット（研削ユニット）３２ｂが設けられている。

加工ユニット３２ａ，３２ｂはそれぞれ、Ｚ軸移動プレート２６に固定された円筒状のハウジング３４を備える。ハウジング３４には、回転軸を構成するスピンドル３６が回転可能な状態で収容されており、スピンドル３６の下端部（先端部）はハウジング３４から露出している。

加工ユニット３２ａに備えられたスピンドル３６の下端部には、ウェーハ１１の粗研削を行うための研削ホイール３８ａが装着されている。また、加工ユニット３２ｂに備えられたスピンドル３６の下端部には、ウェーハ１１の仕上げ研削を行うための研削ホイール３８ｂが装着されている。研削ホイール３８ａ，３８ｂはそれぞれ、アルミニウム、ステンレス等の金属材料で形成された円筒状の基台を備える。この基台の下面側には、複数の直方体状の研削砥石が基台の外周に沿って環状に配列されている。

例えば研削砥石は、ダイヤモンド、ｃＢＮ（cubic Boron Nitride）等でなる砥粒を、メタルボンド、レジンボンド又はビトリファイドボンド等の結合材で固定することにより形成される。研削砥石の材質、形状、構造、大きさ等に制限はなく、研削ホイール３８ａ，３８ｂが備える研削砥石の数も任意に設定できる。ただし、研削ホイール３８ｂが備える研削砥石の砥粒の平均粒径は、研削ホイール３８ａが備える研削砥石の砥粒の平均粒径よりも小さい。

スピンドル３６の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が接続されており、研削ホイール３８ａ，３８ｂはこの回転駆動源から伝わる力によって回転する。また、加工ユニット３２ａ，３２ｂの内部には、純水等の研削液を供給するための研削液供給路（不図示）が設けられている。研削液は、ウェーハ１１に研削加工を施す際に、ウェーハ１１に向かって供給される。

搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８に搬送されたウェーハ１１は、加工ユニット３２ａ，３２ｂによって研削される。具体的には、まず、ターンテーブル１６の回転により、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル１８が粗研削位置Ｂに位置付けられる。そして、チャックテーブル１８と研削ホイール３８ａとをそれぞれ回転させた状態で加工ユニット３２ａを下降させ、研削ホイール３８ａが備える研削砥石をウェーハ１１の上面側に接触させる。これにより、ウェーハ１１の上面側に対して粗研削が施される。

次に、ターンテーブル１６の回転により、粗研削が施されたウェーハ１１を保持したチャックテーブル１８が仕上げ研削位置Ｃに位置付けられる。そして、チャックテーブル１８と研削ホイール３８ｂとをそれぞれ回転させた状態で加工ユニット３２ｂを下降させ、研削ホイール３８ｂが備える研削砥石をウェーハ１１の上面側に接触させる。これにより、ウェーハ１１の上面側に対して仕上げ研削が施される。

研磨位置Ｄの側方（ターンテーブル１６の側方）には、柱状の支持構造４０が配置されている。支持構造４０の表面側（ターンテーブル１６側）には、ＸＺ軸移動機構４２が設けられている。ＸＺ軸移動機構４２は、Ｘ軸方向と概ね平行に配置された一対の第１ガイドレール４４を備え、一対の第１ガイドレール４４には板状の第１移動プレート４６がスライド可能な状態で装着されている。

第１移動プレート４６の裏面側にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、第１ガイドレール４４と概ね平行に配置された第１ボールネジ４８が螺合されている。また、第１ボールネジ４８の一端部には、第１パルスモータ５０が連結されている。第１パルスモータ５０で第１ボールネジ４８を回転させると、第１移動プレート４６が第１ガイドレール４４に沿ってＸ軸方向に移動する。

第１移動プレート４６の表面側（ターンテーブル１６側）には、Ｚ軸方向と概ね平行に配置された一対の第２ガイドレール５２が設けられている。一対の第２ガイドレール５２には、板状の第２移動プレート５４がスライド可能な状態で装着されている。第２移動プレート５４の裏面側にはナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、第２ガイドレール５２と概ね平行に配置された第２ボールネジ５６が螺合されている。

第２ボールネジ５６の一端部には、第２パルスモータ５８が連結されている。第２パルスモータ５８で第２ボールネジ５６を回転させると、第２移動プレート５４が第２ガイドレール５２に沿ってＺ軸方向に移動する。そして、第２移動プレート５４の表面側（ターンテーブル１６側）には、ウェーハ１１を研磨する加工ユニット（研磨ユニット）６０が設けられている。

加工ユニット６０は、第２移動プレート５４に固定された円筒状のハウジング６２を備える。ハウジング６２には、回転軸を構成するスピンドル６４が回転可能な状態で収容されており、スピンドル６４の下端部はハウジング６２から露出している。スピンドル６４の下端部には、ウェーハ１１を研磨するための円盤状の研磨パッド６６が装着されている。また、スピンドル６４の上端側（基端側）には、モータ等の回転駆動源（不図示）が接続されている。研磨パッド６６は、この回転駆動源から伝わる力によって回転する。

また、加工ユニット６０の内部には、研磨液を供給するための研磨液供給路（不図示）が設けられている。研磨液は、ウェーハ１１に研磨加工を施す際に、ウェーハ１１に向かって供給される。

研磨パッド６６は、ウェーハ１１と接触してウェーハ１１を研磨する研磨層を備える。研磨層は、例えば不織布や発泡ウレタンに砥粒（固定砥粒）を分散させることによって形成される。砥粒としては、例えば粒径が０．１μｍ以上１０μｍ以下程度のシリカを用いることができる。ただし、砥粒の粒径や材質等はウェーハ１１の材質等に応じて適宜変更される。

研磨層に砥粒が含まれる場合には、砥粒を含まない研磨液が用いられる。研磨液としては、例えば、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等が溶解したアルカリ溶液や、過マンガン酸塩等の酸性液を用いることができる。また、研磨液として純水を用いることもできる。一方、研磨層には砥粒が含まれていなくてもよい。この場合、砥粒（遊離砥粒）が分散された薬液（スラリー）が研磨液として供給される。薬液の材料、砥粒の材質、砥粒の粒径等は、ウェーハ１１の材質等に応じて適宜選択される。

なお、ウェーハ１１の研磨時、ウェーハ１１及び研磨パッド６６には研磨液が供給されなくてもよい。この場合、ウェーハ１１は乾式研磨によって加工される。

加工ユニット３２ａ，３２ｂによって研削されたウェーハ１１は、さらに加工ユニット６０によって研磨される。具体的には、まず、ターンテーブル１６の回転により、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル１８が研磨位置Ｄに位置付けられる。そして、チャックテーブル１８と研磨パッド６６とをそれぞれ回転させた状態で加工ユニット６０を下降させ、研磨パッド６６が備える研磨層をウェーハ１１の上面側に接触させる。これにより、ウェーハ１１の上面側が研磨される。

また、基台４上には、箱型のカバー６８が設けられている。カバー６８は、ターンテーブル１６と、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄに配置されたチャックテーブル１８とを覆うように配置されている。このカバー６８を設けることにより、加工によって発生する屑（加工屑）や加工液（研削液、研磨液）の飛散が防止される。

カバー６８の上面６８ａ側には、加工ユニット３２ａ，３２ｂの下端側、及び、加工ユニット６０の下端側が挿入される、複数の円形の開口が形成されている。この開口により、加工ユニット３２ａ，３２ｂ、加工ユニット６０とカバー６８との接触が回避される。また、カバー６８の下面側には、チャックテーブル１８が挿入される開口部６８ｂが設けられている。ターンテーブル１６が回転すると、搬送位置Ａに配置されていたチャックテーブル１８は、開口部６８ｂの内部で粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃ、研磨位置Ｄに順に位置付けられた後、再度搬送位置Ａに配置される。

搬送ユニット１４に隣接する位置には、加工ユニット３２ａ，３２ｂ及び加工ユニット６０によって加工されたウェーハ１１を保持して旋回する搬送ユニット（搬送機構）７０が設けられている。搬送ユニット７０は、その下面側にウェーハ１１の上面側を吸着する吸着パッドを備えており、搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８上に配置されたウェーハ１１を保持して前方に搬送する。

搬送ユニット７０の前方側、且つ開口４ａの後方側には、搬送ユニット７０によって搬送されたウェーハ１１を洗浄する洗浄ユニット（洗浄機構）７２が配置されている。洗浄ユニット７２によって洗浄されたウェーハ１１は、搬送ユニット６によって搬送され、カセット１０に収容される。

なお、ウェーハ加工装置２を構成する各構成要素（搬送ユニット６、位置合わせ機構１２、搬送ユニット１４、ターンテーブル１６、チャックテーブル１８、Ｚ軸移動機構２２、加工ユニット３２ａ，３２ｂ、ＸＺ軸移動機構４２、加工ユニット６０、搬送ユニット７０、洗浄ユニット７２等）はそれぞれ、コンピュータ等によって構成される制御ユニット（制御部）７４に接続されている。制御ユニット７４によって、各構成要素の動作が制御される。

制御ユニット７４には、オペレータに所定の情報を報知する報知ユニット（報知部）７６が接続されている。報知ユニット７６は、例えば制御ユニット７４によって点灯が制御される警告ランプや、所定の情報を表示可能なディスプレイ等によって構成される。

上記のウェーハ加工装置２によって、ウェーハ１１の研削加工及び研磨加工が行われる。例えば、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削、研磨され、ウェーハ１１が薄化される。

ここで、金属電極１９（図１（Ｂ）参照）が埋め込まれたウェーハ１１の裏面１１ｂ側をウェーハ加工装置２で加工することによって、金属電極１９をウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出させると、金属電極１９が研削ホイール３８ａ，３８ｂ又は研磨パッド６６と接触して、金属電極１９を構成する金属が飛散する。この飛散した金属がウェーハ１１に付着すると、ウェーハ１１の内部に金属イオンが取り込まれ、ウェーハ１１に形成されたデバイス１５の動作不良を引き起こす恐れがある。

そのため、金属電極１９を露出させる際は、まず、金属電極１９が露出する直前までウェーハ１１をウェーハ加工装置２で加工して薄化し、その後、プラズマエッチング等を用いて金属電極１９を露出させる。これにより、研削ホイール３８ａ，３８ｂや研磨パッド６６と金属電極１９との接触が回避され、金属の飛散が防止される。

しかしながら、ウェーハ１１の加工のばらつき等により、ウェーハ１１の研削量や研磨量が予め設定された値よりも大きくなることがある。また、ウェーハ１１に埋め込まれた全て又は一部の金属電極１９が想定よりも長く形成されていたり、各金属電極１９の一部が部分的に長く形成されていたりすることがある。この場合、ウェーハ１１に研削加工又は研磨加工を施すと、ウェーハ１１に埋め込まれた金属電極１９が意図せずウェーハ１１から露出することがある。この場合、金属電極１９と研削ホイール３８ａ，３８ｂ又は研磨パッド６６とが接触し、金属が研削ホイール３８ａ，３８ｂ、研磨パッド６６、ウェーハ１１等に付着するとともに、金属でなる加工屑がウェーハ加工装置２の内部で飛散する。

金属電極１９がウェーハ１１から露出した状態でウェーハ加工装置２の動作（ウェーハ１１の加工、搬送等）が継続されると、金属の飛散量が増大するとともに、ウェーハ加工装置２が備える搬送ユニット等によって金属が運ばれ、金属がウェーハ加工装置２の内部の全体に広がる恐れがある。この場合、ウェーハ加工装置２を部品単位に分解して洗浄する大掛かりなオーバーホールが必要となる。その結果、ウェーハ加工装置２のメンテナンスに多大な労力とコストが費やされ、ウェーハ１１の加工効率も低下する。

そこで、本実施形態に係るウェーハ加工装置２は、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する検査ユニット（検査手段）を備える。そして、検査ユニットによってウェーハ１１から金属電極１９が露出していることが検出されると、加工ユニット３２ａ，３２ｂ及び加工ユニット６０によるウェーハ１１の加工と、搬送ユニット６，１４，７０によるウェーハ１１の搬送とが中止される。これにより、金属電極１９を構成する金属の飛散や、該金属のウェーハ加工装置２内部での拡散が抑制される。

図２に示すウェーハ加工装置２には、４つの検査ユニット（検査手段）７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄが設けられている。検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄはそれぞれ、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する。

例えば、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄはそれぞれ、ウェーハ１１を撮像するカメラ（撮像ユニット）と、カメラによって取得されたウェーハ１１の画像に基づいて金属電極１９の露出の有無を判定する判定ユニットとを備える。

カメラは、ウェーハ１１を撮像して、ウェーハ１１の画像を取得する。そして、カメラによって取得されたウェーハ１１の画像は、判定ユニットに出力される。ウェーハ１１から金属電極１９が露出している場合、カメラによって取得された画像には、金属電極１９が露出している領域と露出していない領域とで濃淡の差が生じる。そして、判定ユニットは、例えばウェーハ１１の画像に対して所定の画像処理を施し、画像の濃淡に基づいて金属電極１９の露出の有無を判別する。

例えば、判定ユニットは、カメラによって取得された画像と、金属電極１９が露出していない状態のウェーハ１１が表された参照用画像とを用いたパターンマッチングによって、金属電極１９の露出の有無を判別する。また、判定ユニットは、カメラによって取得された画像を白と黒に二値化し、黒表示又は白表示の領域の有無又は面積に基づき、金属電極１９の露出の有無を判別してもよい。さらに、判定ユニットは、カメラによって取得された画像の濃淡を多値化し、画像の階調を示す値と予め設定された閾値とを比較することにより、金属電極１９の露出の有無を判別してもよい。これらの処理が行われる場合、判定ユニットは画像処理部として機能する。

また、判定ユニットは、カメラでウェーハ１１を撮像する際にウェーハ１１に向かって光を照射し、ウェーハ１１を照らす光源を備えていてもよい。そして、光源は、互いに波長が異なる複数の光を照射可能に構成されていてもよい。例えば光源は、波長が異なる２種類の光（第１の光及び第２の光）を照射する。

ウェーハ１１に照射される光の波長が変化すると、ウェーハ１１に対する光の透過率が変化し、カメラの受光量が変化する。これにより、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側の厚さ（ウェーハ１１の裏面１１ｂから金属電極１９までの距離）に対する撮像の感度が調整され、カメラによって取得された画像に金属電極１９が表示されるために必要なウェーハ１１の裏面１１ｂ側の厚さが変化する。その結果、金属電極１９の露出が検出される条件が変更される。

例えば、第１の光の波長は、ウェーハ１１の裏面１１ｂから金属電極１９の先端までの距離が１０μｍ以下である場合に金属電極１９が画像に表示されるように設定される。また、第２の光の波長は、ウェーハ１１の裏面１１ｂから金属電極１９の先端までの距離が５μｍ以下である場合に金属電極１９が画像に表示されるように設定される。ただし、光源から照射される光の数及び波長に制限はなく、任意に設定できる。

上記の判定ユニットは、制御ユニット７４の一部であってもよいし、制御ユニット７４とは別途構成されていてもよい。判定ユニットが制御ユニット７４とは独立して設けられる場合には、判定ユニットは制御ユニット７４に接続される。そして、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄによる検査の結果、すなわち、ウェーハ１１で金属電極が露出しているか否かの情報は、制御ユニット７４に出力される。

なお、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄは、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査することが可能であれば、その構成及び機能に制限はない。例えば、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄは、ウェーハ１１に向かってレーザービームを照射し、レーザービームがウェーハ１１で反射した場合の反射光の強度と金属電極１９で反射した場合の反射光の強度との違いに基づいて、金属電極１９の露出の有無を判別してもよい。

検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄによって金属電極１９がウェーハ１１から露出していることが検出された場合、制御ユニット７４は、ウェーハ加工装置２の動作を中断させる。具体的には、制御ユニット７４は、ウェーハ加工装置２の構成要素（搬送ユニット６、位置合わせ機構１２、搬送ユニット１４、ターンテーブル１６、チャックテーブル１８、Ｚ軸移動機構２２、加工ユニット３２ａ，３２ｂ、ＸＺ軸移動機構４２、加工ユニット６０、搬送ユニット７０、洗浄ユニット７２等）の動作を制御し、ウェーハ１１の処理（加工、搬送等）を中止させる。

なお、制御ユニット７４によって処理が中止される構成要素は適宜選択できる。例えば、制御ユニット７４は、加工ユニット３２ａ，３２ｂ及び加工ユニット６０と、カセット８，１０とチャックテーブル１８との間でウェーハ１１を搬送する搬送ユニット（搬送ユニット６，１４，７０）とを選択して、これらの構成要素による処理を中止させることができる。

具体的には、制御ユニット７４は、金属電極１９がウェーハ１１から露出していることが検出されると、一対のＺ軸移動機構２２とＸＺ軸移動機構４２とを制御し、加工ユニット３２ａ，３２ｂ及び加工ユニット６０を即座に上昇させる。これにより、研削ホイール３８ａ，３８ｂ及び研磨パッド６６がウェーハ１１から遠ざかり、加工ユニット３２ａ，３２ｂ及び加工ユニット６０によるウェーハ１１の加工が中止される。また、制御ユニット７４は、搬送ユニット６，１４，７０にウェーハ１１の搬送を中止させる。

さらに、制御ユニット７４は、検査ユニットによる検査の結果を報知ユニット７６に報知させる。具体的には、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄのいずれかによって金属電極１９の露出が検出されると、制御ユニット７４は報知ユニット７６の動作を制御し、ウェーハ１１から金属電極１９が露出していることを報知ユニット７６に報知させる。例えば、報知ユニット７６が警告ランプである場合、制御ユニット７４は警告ランプを点灯させる。また、報知ユニット７６がディスプレイである場合、制御ユニット７４は金属電極１９が露出している旨をディスプレイに表示させる。

検査ユニット７８ａは、チャックテーブル１８の上方で、且つ、搬送位置Ａと粗研削位置Ｂとの間の領域と重畳する位置に配置されている。そして、検査ユニット７８ａは、ウェーハ１１を保持したチャックテーブル１８が搬送位置Ａから粗研削位置Ｂに移動する際に、ウェーハ１１を観察し、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する。

検査ユニット７８ｂは、粗研削位置Ｂに配置されたチャックテーブル１８の上方に配置されている。具体的には、検査ユニット７８ｂは、粗研削位置Ｂに配置されたチャックテーブル１８の保持面と重畳し、且つ、研削ホイール３８ａとは重畳しない位置に配置されている。検査ユニット７８ｂは、加工ユニット３２ａによって加工されているウェーハ１１を観察し、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する。

検査ユニット７８ｃは、仕上げ研削位置Ｃに配置されたチャックテーブル１８の上方に配置されている。具体的には、検査ユニット７８ｃは、仕上げ研削位置Ｃに配置されたチャックテーブル１８の保持面と重畳し、且つ、研削ホイール３８ｂとは重畳しない位置に配置されている。検査ユニット７８ｃは、加工ユニット３２ｂによって加工されているウェーハ１１を観察し、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する。

検査ユニット７８ｄは、洗浄ユニット７２の上端部に配置されている。ウェーハ１１が搬送ユニット６によって洗浄ユニット７２からカセット１０に搬送される際、ウェーハ１１は検査ユニット７８ｄの下方を通過する。そして、検査ユニット７８ｄは、ウェーハ１１が洗浄ユニット７２からカセット１０に移動する際に、搬送ユニット６によって保持されたウェーハ１１を観察し、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する。

検査ユニット７８ａ，７８ｄはそれぞれ、ウェーハ１１の全体を観察可能であることが好ましい。例えば、検査ユニット７８ａ，７８ｄは、ウェーハ１１の全体を撮像可能なカメラを備える。これにより、搬送位置Ａから粗研削位置Ｂに移動するウェーハ１１の全体、及び、洗浄ユニット７２からカセット１０に移動するウェーハ１１の全体に対して、金属電極１９の露出の有無を判別できる。

一方、検査ユニット７８ｂ，７８ｃは、研削加工中にチャックテーブル１８とともに回転するウェーハ１１の検査を行う。そのため、検査ユニット７８ｂ，７８ｃは、チャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１の一部（例えば、ウェーハ１１の半径分に相当する範囲）が観察可能であればよい。チャックテーブル１８を回転させながら検査ユニット７８ｂ，７８ｃでウェーハ１１を観察することにより、ウェーハ１１の全体に対して金属電極１９の露出の有無を判別できる。

、
また、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃはそれぞれ、図２に示すようにカバー６８の外側に設けられていることが好ましい。これにより、カバー６８によって検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃへの加工液や加工屑の付着が抑制される。この場合、カバー６８の材質は、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃがカバー６８を介してウェーハ１１を検査可能となるように適宜選択される。例えばカバー６８は、透明な部材（ガラス、プラスチック等）でなる。

なお、カバー６８の近傍には、カバー６８の検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃと重なる領域を洗浄する洗浄部（洗浄手段、不図示）が設けられていてもよい。例えば洗浄部として、カバー６８を洗浄するための洗浄ブラシや、カバー６８に付着した異物を洗い流すための液体（純水等）を供給する洗浄液供給ノズル等を用いることができる。検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃによるウェーハ１１の検査が行われる前に、洗浄部によってカバー６８を洗浄することにより、検査の精度を向上させることができる。ただし、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃはそれぞれ、カバー６８の内側（開口部６８ｂの内部）に配置されていてもよい。

なお、ウェーハ加工装置２に設置される検査ユニットの数及び位置に制限はない。例えば、カセット載置台４ｂと位置合わせ機構１２との間、又は、位置合わせ機構１２の上側に、検査ユニットが設けられていてもよい。この検査ユニットは、ウェーハ１１がカセット８から位置合わせ機構１２に搬送される途中、又は、ウェーハ１１が位置合わせ機構１２に配置された際に、ウェーハ１１の検査を行う。これにより、金属電極１９が露出した状態のウェーハ１１が搬送ユニット１４によって搬送され、搬送ユニット１４等に金属が付着することを防止できる。

また、搬送ユニット１４及び搬送ユニット７０の先端部に検査ユニットが装着されていてもよい。この場合、搬送ユニット１４又は搬送ユニット７０でウェーハ１１を保持する際に、ウェーハ１１の検査を実施できる。

また、搬送位置Ａと研磨位置Ｄとの間、又は、搬送位置Ａ上に検査ユニットが設けられていてもよい。この検査ユニットは、研磨加工が施されたウェーハ１１が、研磨位置Ｄから搬送位置Ａに移動する途中、又は、ウェーハ１１が搬送位置Ａに位置付けられた際に、ウェーハ１１の検査を行う。これにより、金属電極１９が露出した状態のウェーハ１１が搬送ユニット７０によって搬送され、搬送ユニット７０等に金属が付着することを防止できる。

また、洗浄ユニット７２の近傍には、洗浄後のウェーハ１１を検査する検査ユニットが設けられていてもよい。この検査ユニットは、例えばウェーハ１１の被加工領域の全体を撮影可能なカメラを備え、洗浄後のウェーハ１１がカセット１０に収容される前にウェーハ１１の被加工領域を撮像する。この撮像によって取得されたウェーハ１１の画像は、研削加工及び研磨加工によって被加工領域に生じた傷（スクラッチ）のサイズの確認等にも用いることができる。

次に、ウェーハ加工装置２の具体的な動作例について説明する。図３は、ウェーハ加工装置２を模式的に示す平面図である。なお、図３ではウェーハ加工装置２の一部の構成要素の図示を省略している。

まず、カセット載置台４ｂ上に設置されたカセット８から、ウェーハ１１を搬送ユニット６によって位置合わせ機構１２に搬送し、ウェーハ１１の位置合わせを行う。そして、搬送ユニット１４（図２参照）によってウェーハ１１を位置合わせ機構１２から搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８上に搬送し、このチャックテーブル１８によってウェーハ１１を吸引保持する。

次に、ターンテーブル１６を回転させ、ウェーハ１１を保持するチャックテーブル１８を粗研削位置Ｂに配置する。このとき、検査ユニット７８ａの下方を通過するウェーハ１１の検査が検査ユニット７８ａによって行われ、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かが確認される。その後、加工ユニット３２ａによってウェーハ１１が所定の厚さになるまで研削される（粗研削）。なお、加工ユニット３２ａによる加工が行われている間に、他のウェーハ１１が搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８上に搬送される。

加工ユニット３２ａによるウェーハ１１の研削中に、検査ユニット７８ｂによってウェーハ１１の検査が行われる。具体的には、チャックテーブル１８を回転させながら検査ユニット７８ｂが備えるカメラでウェーハ１１を連続して撮像することにより、ウェーハ１１の全体の画像が取得される。そして、この画像に基づいて金属電極１９の露出の有無が判別される。

次に、ターンテーブル１６を回転させ、粗研削が行われたウェーハ１１を保持するチャックテーブル１８を仕上げ研削位置Ｃに配置する。そして、加工ユニット３２ｂによってウェーハ１１が所定の厚さになるまで研削される（仕上げ研削）。なお、加工ユニット３２ｂによる加工が行われている間に、粗研削位置Ｂに配置されたチャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１が加工ユニット３２ａによって研削されるとともに、他のウェーハ１１が搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８上に搬送される。

加工ユニット３２ｂによるウェーハ１１の研削中に、検査ユニット７８ｃによってウェーハ１１の検査が行われる。具体的には、チャックテーブル１８を回転させながら検査ユニット７８ｃが備えるカメラでウェーハ１１を連続して撮像することにより、ウェーハ１１の全体の画像が取得される。そして、この画像に基づいて金属電極１９の露出の有無が判別される。

次に、ターンテーブル１６を回転させ、仕上げ研削が行われたウェーハ１１を保持するチャックテーブル１８を研磨位置Ｄに配置する。そして、加工ユニット６０によってウェーハ１１が所定の厚さになるまで研磨される。なお、加工ユニット６０による加工が行われている間に、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃに配置されたチャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１がそれぞれ、加工ユニット３２ａ，３２ｂによって研削される。さらに、他のウェーハ１１が搬送位置Ａに配置されたチャックテーブル１８上に搬送される。

次に、ターンテーブル１６を回転させ、研磨加工が行われたウェーハ１１を保持するチャックテーブル１８を搬送位置Ａに配置する。そして、搬送位置Ａに配置されたウェーハ１１が、搬送ユニット７０（図２参照）によって洗浄ユニット７２に搬送され、洗浄される。なお、このとき、粗研削位置Ｂ、仕上げ研削位置Ｃに配置されたチャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１がそれぞれ、加工ユニット３２ａ，３２ｂによって研削される。また、研磨位置Ｄに配置されたチャックテーブル１８によって保持されたウェーハ１１が、加工ユニット６０によって研磨される。

洗浄ユニット７２によってウェーハ１１の洗浄が行われた後、ウェーハ１１は搬送ユニット６によってカセット１０に搬送される。なお、ウェーハ１１が洗浄ユニット７２から搬送される際、ウェーハ１１は搬送ユニット６によって保持された状態で、検査ユニット７８ｄの下方を通過する。このとき、検査ユニット７８ｄによってウェーハ１１の検査が行われ、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かが確認される。その後、ウェーハ１１は搬送ユニット６によってカセット１０に収容される。

ウェーハ１１がカセット８から搬出されてからカセット１０に搬入されるまでの間に、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄのいずれかによってウェーハ１１から金属電極１９が露出していることが検出されると、制御ユニット７４は、ウェーハ加工装置２の動作を中断させる。これにより、金属電極１９を構成する金属の、ウェーハ加工装置２の内部での飛散及び拡散が抑制される。

また、報知ユニット７６は金属電極１９がウェーハ１１から露出していることを報知する（例えば、警告ランプの点灯）。これにより、オペレータはウェーハ加工装置２で加工中のウェーハ１１から金属電極１９が露出していることを認識できる。

次に、ウェーハ加工装置２を用いたウェーハ１１の加工方法の具体例について説明する。ここでは、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削加工及び研磨加工を施し、金属電極１９がウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出する直前までウェーハ１１を薄化する加工について説明する。

ウェーハ加工装置２でウェーハ１１を加工する際は、まず、ウェーハ１１の表面１１ａ側に保護部材（保護シート）２１を貼付する。図４（Ａ）は保護部材２１が貼付されたウェーハ１１を示す斜視図であり、図４（Ｂ）は保護部材２１が貼付されたウェーハ１１を示す断面図である。保護部材２１としては、例えば、樹脂等でなりウェーハ１１と概ね同径の円形に形成された、フィルム状のテープが用いられる。この保護部材２１によって、ウェーハ１１の表面１１ａ側に形成された複数のデバイス１５が覆われ、保護される。

図５は、ウェーハ１１の一部を拡大して示す断面図である。ウェーハ１１の内部には、デバイス１５に接続された金属電極１９が埋め込まれている。また、金属電極１９とウェーハ１１との間には、絶縁層２３が金属電極１９を覆うように形成されている。この絶縁層２３によって、ウェーハ１１と金属電極１９とが絶縁されている。絶縁層２３は、例えば、熱酸化法やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成された酸化珪素等でなる絶縁膜によって構成される。なお、絶縁層２３は、複数の絶縁膜を積層して構成されていてもよい。

次に、ウェーハ加工装置２を用いて、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に研削加工及び研磨加工を施す。ウェーハ加工装置２によるウェーハ１１の加工の詳細は前述の通りである。ウェーハ１１の裏面１１ｂ側を研削、研磨する場合には、ウェーハ１１は表面１１ａ側がチャックテーブル１８（図２、図３参照）の保持面と対向し、裏面１１ｂ側が上方に向かって露出するように、チャックテーブル１８上に配置される。

具体的には、まず、加工ユニット３２ａによってウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削され、ウェーハ１１の粗研削が行われる。続いて、加工ユニット３２ｂによってウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研削され、ウェーハ１１の仕上げ研削が行われる。その後、加工ユニット６０によってウェーハ１１の裏面１１ｂ側が研磨される。

図６は、加工後のウェーハ１１を示す断面図である。加工ユニット３２ａ，３２ｂによるウェーハ１１の研削量と、加工ユニット６０によるウェーハ１１の研磨量とは、金属電極１９がウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出しない範囲で設定される。これにより、金属電極１９が研削、研磨されることを回避し、金属電極１９を構成する金属が飛散してウェーハ１１やウェーハ加工装置２の内部に付着することを防止できる。

そして、ウェーハ１１をウェーハ加工装置２で加工した後、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側に対してプラズマエッチング等を施すことにより、金属電極１９をウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出される。これにより、デバイス１５を他のデバイス等と接続するためのビア電極（貫通電極）が形成される。

ただし、加工ユニット３２ａ，３２ｂや加工ユニット６０によるウェーハ１１の加工のばらつきに等より、ウェーハ１１が設定値よりも多く研削又は研削されることがある。その結果、ウェーハ加工装置２によるウェーハ１１の加工中に、ウェーハ１１に埋め込まれた金属電極１９が意図せずウェーハ１１の裏面１１ｂで露出することがある。

図７は、金属電極１９が露出した状態のウェーハ１１を示す断面図である。ウェーハ加工装置２に備えられた検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄ（図２、図３参照）は、金属電極１９が図７に示すようにウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出しているか否かを検査する。そして、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄのいずれかによって金属電極１９が露出していることが検出されると、制御ユニット７４（図２参照）は直ちにウェーハ加工装置２の動作を中断する。

以上の通り、本実施形態に係るウェーハ加工装置２は、ウェーハ１１から金属電極１９が露出しているか否かを検査する検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄと、ウェーハ加工装置２の構成要素（加工ユニット、搬送ユニット等）の動作を制御する制御ユニット７４と、を備える。そして、検査ユニット７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄによってウェーハ１１から金属電極１９が露出していることが検出された場合に、制御ユニット７４はウェーハ加工装置２の構成要素による処理（加工、搬送等）を停止させる。

上記のウェーハ加工装置２を用いると、ウェーハ１１の加工によってウェーハ１１から金属電極１９が意図せず露出した場合にも、金属電極１９を構成する金属の飛散や、該金属のウェーハ加工装置２内部での拡散を抑制することができる。これにより、ウェーハ１１及びウェーハ加工装置２の汚染が防止されるとともに、ウェーハ加工装置２のメンテナンス（オーバーホール等）に要する労力及びコストが低減される。

なお、上記では一例として、ウェーハ１１に埋め込まれデバイス１５に接続された金属電極１９が、ウェーハ１１の裏面１１ｂ側で露出しているか否かが検査される例について説明した。ただし、ウェーハ１１の構造に制限はなく、研削加工又は研磨加工が施される際に所定の金属電極の露出が懸念される他のウェーハ１１をウェーハ加工装置２によって加工してもよい。

その他、上記実施形態に係る構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。

１１ ウェーハ
１１ａ 表面
１１ｂ 裏面
１１ｃ 外周縁
１３ 分割予定ライン（ストリート）
１５ デバイス
１７ 接続電極
１９ 金属電極（ビア電極、貫通電極）
２１ 保護部材（保護シート）
２３ 絶縁層
２ ウェーハ加工装置
４ 基台
４ａ 開口
４ｂ，４ｃ カセット載置台
６ 搬送ユニット（搬送機構）
８，１０ カセット
１２ 位置合わせ機構（アライメント機構）
１４ 搬送ユニット（搬送機構）
１６ ターンテーブル
１８ チャックテーブル（保持テーブル）
２０ 支持構造
２２ Ｚ軸移動機構
２４ Ｚ軸ガイドレール
２６ Ｚ軸移動プレート
２８ Ｚ軸ボールネジ
３０ Ｚ軸パルスモータ
３２ａ，３２ｂ 加工ユニット（研削ユニット）
３４ ハウジング
３６ スピンドル
３８ａ，３８ｂ 研削ホイール
４０ 支持構造
４２ ＸＺ軸移動機構
４４ 第１ガイドレール
４６ 第１移動プレート
４８ 第１ボールネジ
５０ 第１パルスモータ
５２ 第２ガイドレール
５４ 第２移動プレート
５６ 第２ボールネジ
５８ 第２パルスモータ
６０ 加工ユニット（研磨ユニット）
６２ ハウジング
６４ スピンドル
６６ 研磨パッド
６８ カバー
６８ａ 上面
６８ｂ 開口部
７０ 搬送ユニット（搬送機構）
７２ 洗浄ユニット（洗浄機構）
７４ 制御ユニット（制御部）
７６ 報知ユニット（報知部）
７８ａ，７８ｂ，７８ｃ，７８ｄ 検査ユニット（検査手段）

Claims (4)

1. 金属電極が埋め込まれたウェーハを保持するチャックテーブルと、
   該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを研削又は研磨する加工ユニットと、
   複数の該ウェーハを収容可能なカセットが載置されるカセット載置台と、
   該カセットと該チャックテーブルとの間で該ウェーハを搬送する搬送ユニットと、
   該ウェーハから該金属電極が露出しているか否かを検査する検査ユニットと、
   該金属電極が該ウェーハから露出していることを報知する報知ユニットと、
   該加工ユニット及び該搬送ユニットの動作を制御する制御ユニットと、を備えるウェーハ加工装置であって、
   該制御ユニットは、該検査ユニットによって該金属電極が該ウェーハから露出していることが検出された場合に、該加工ユニットによる該ウェーハの加工と、該搬送ユニットによる該ウェーハの搬送とを中止し、該報知ユニットに該金属電極が該ウェーハから露出していることを報知させることを特徴とするウェーハ加工装置。
2. 該検査ユニットは、該チャックテーブルによって保持された該ウェーハを検査することを特徴とする請求項１記載のウェーハ加工装置。
3. 該検査ユニットは、該搬送ユニットによって保持された該ウェーハを検査することを特徴とする請求項１記載のウェーハ加工装置。
4. 該検査ユニットは、該ウェーハを撮像するカメラを備え、
   該カメラは、該カメラによって取得された該ウェーハの画像に基づいて該金属電極の露出の有無を判定する判定ユニットに接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のウェーハ加工装置。