DE102018212588B4 - Waferbearbeitungsverfahren - Google Patents

Waferbearbeitungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE102018212588B4
DE102018212588B4 DE102018212588.0A DE102018212588A DE102018212588B4 DE 102018212588 B4 DE102018212588 B4 DE 102018212588B4 DE 102018212588 A DE102018212588 A DE 102018212588A DE 102018212588 B4 DE102018212588 B4 DE 102018212588B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cutting
cut groove
workpiece
front surface
cut
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102018212588.0A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102018212588A1 (de
Inventor
Naoko Yamamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Publication of DE102018212588A1 publication Critical patent/DE102018212588A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102018212588B4 publication Critical patent/DE102018212588B4/de
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/0008—Industrial image inspection checking presence/absence
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • H01L21/8213—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using SiC technology
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/10—Image acquisition modality
    • G06T2207/10048—Infrared image
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

Schneidverfahren zum Schneiden eines Werkstücks (100), das Teilungslinien (102) aufweist, durch eine Schneidklinge (21), wobei das Schneidverfahren umfasst:einen Anordnungsschritt für ein Halteelement (105) zum Anordnen eines Halteelements (105) an einer hinteren Oberfläche des Werkstücks (100);einen Halteschritt zum Halten des Werkstücks (100) an einem Haltetisch (10) durch das Halteelement (105);einen Schneidschritt, um die Schneidklinge (21) dazu zu bringen, in das Werkstück (100), das an dem Haltetisch (10) gehalten ist, einzuschneiden, bis eine Spitze der Schneidklinge (21) das Halteelement (105) erreicht, und das Werkstück (100) entlang der Teilungslinie (102) durch die Schneidklinge (21) zu schneiden, um geschnittene Nuten (107) auszubilden, die das Halteelement (105) erreichen; undeinen Prüfschritt zum Aufnehmen der geschnittenen Nuten (107), die in dem Schneidschritt ausgebildet wurden, von einer vorderen Oberflächenseite des Werkstücks (100) durch eine Bildkamera, um ein aufgenommenes Bild (80a) der vorderen Oberfläche der geschnittenen Nut (107) des Werkstücks (100) auszubilden, und zum Aufnehmen der geschnittenen Nut (107) von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks (100) durch eine Infrarot-Kamera, um ein aufgenommenes Bild (80b) der hinteren Oberfläche der geschnittenen Nut (107) des Werkstücks (100) auszubilden, wobei das aufgenommene Bild (80a) der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) und das aufgenommene Bild (80b) einer hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) an der gleichen Koordinatenposition zusammengefügt werden, wodurch die geschnittene Nut (107) an der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche überprüft wird.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Schneidverfahren zum Schneiden eines Werkstücks, das Teilungslinien (Straßen) aufweist, mit einer Schneidklinge.
  • Beschreibung des Stands der Technik
  • Ein Werkstück wie ein Halbleiter-Wafer oder Glassubstrat wird entlang Teilungslinien (Straßen), zum Beispiel durch eine Schneidvorrichtung, die eine sich drehende kreisförmige Schneidklinge aufweist, in mehrere Chips geschnitten. In dem Fall, in dem ein Teilen durch eine solche Schneidklinge durchgeführt wird, wird normalerweise eine Fugenüberprüfung nach dem Schneiden durchgeführt, ob das Werkstück geeignet entlang der Teilungslinien geteilt wurde oder nicht, oder ob Abplatzungen an geschnitten Nuten, die zum Teilen ausgebildet wurden, aufgetreten sind. Solch eine Fugenüberprüfung wird im Allgemeinen durch Aufnehmen der geschnittenen Nuten, die durch Schneiden ausgebildet sind, durch ein Bildaufnahmemittel (siehe zum Beispiel die japanische Offenlegungsschrift JP 2009 - 246 015 A ) durchgeführt. In der Fugenüberprüfung wird überprüft, ob Abplatzungen an den geschnittenen Nuten vorliegen oder nicht und ob die Fugenbreite (geschnittene Nutbreite) innerhalb erlaubter Bereiche ist, und, wenn ein Problem auftritt, wird eine Behandlung als eine Gegenmaßnahme gegen das Problem wie eine Korrektur der Position der Schneidklinge durchgeführt. JP H10 - 312 979 A betrifft ein Verfahren zum Detektieren eines Schneidzustands eines Wafers.
  • DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • In der existieren Konfiguration werden jedoch nur eine geschnittene Nut oder Nuten an der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks zu dem Zeitpunkt des Durchführens der Fugenüberprüfung durch Aufnehmen der geschnittenen Nut oder Nuten durchgeführt. Darum in dem Fall, in dem Abplatzungen oder ein Riss größer als ein erlaubter Wert an der hinteren Oberflächenseite des Werkstücks auftreten oder wo eine mangelnde Ausrichtung der geschnittenen Nut um mehr als den erlaubten Wert von der Teilungslinie generiert wurde, kann ein solches Problem gefunden werden, nachdem alle Werkstücke bearbeitet werden, sodass die Möglichkeit existiert, defekte Chips herzustellen.
  • Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung ein Schneidverfahren bereitzustellen, durch welches die Möglichkeit der Produktion defekter Chips gesenkt werden kann.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Schneidverfahren zum Schneiden eines Werkstücks bereitgestellt, das Teilungslinien aufweist, durch eine Schneidklinge, wobei das Schneidverfahren beinhaltet: einen Anordnungsschritt für ein Halteelement zum Anordnen eines Halteelements an einer hinteren Oberfläche des Werkstücks; einen Halteschritt zum Halten des Werkstücks an einem Haltetisch durch das Halteelement; einen Schneidschritt, um die Schneidklinge dazu zu bringen, in das Werkstück, dass an dem Haltetisch gehalten ist, einzuschneiden, bis eine Spitze der Schneidklinge das Halteelement erreicht, und Schneiden des Werkstücks entlang der Teilungslinie durch die Schneidklinge, um geschnittene Nuten auszubilden, die das Halteelement erreichen; und einen Überprüfungsschritt zum Aufnehmen der geschnittenen Nuten, die in dem Schneidschritt ausgebildet wurden, von einer vorderen Seite des Werkstücks durch eine Bildkamera, um ein aufgenommenes Bild der geschnitten Nut an der vorderen Oberfläche des Werkstücks auszubilden, und zum Aufnehmen der geschnitten Nut von der vorderen Seite des Werkstücks durch eine IR-(Infrarot) Kamera, um ein aufgenommenes Bild der geschnittenen Nut an der hinteren Oberfläche des Werkstücks auszubilden, wobei das aufgenommene Bild (80a) der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) und das aufgenommene Bild (80b) einer hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) an der gleichen Koordinatenposition zusammengefügt werden, um dadurch die geschnittene Nut an der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche zu überprüfen.
  • Entsprechend dieser Konfiguration werden die Bilder der geschnittenen Nut an der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche des Werkstücks von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks aufgenommen und basierend auf den aufgenommenen Bildern wird die geschnittene Nut an der vorderen Oberfläche und an der hinteren Oberfläche überprüft; darum, sogar wenn ein Problem wie ein Abplatzen größer als ein erlaubter Wert an der hinteren Oberflächenseite generiert wird, kann dies instantan detektiert werden, sodass die Möglichkeit einer Produktion defekter Chips gesenkt werden kann.
  • In dieser Konfiguration kann eine Infrarotkamera auch als eine Bildkamera dienen. Entsprechend dieser Konfiguration können die geschnittene Nut an der vorderen Oberfläche des Werkstücks und die an der hinteren Oberfläche des Werkstücks beide durch eine einzelne IR-Kamera aufgenommen werden, sodass ein Bedarf einer Betätigung eines Umschaltens der Kamera von einer zu der anderen ausgeschlossen wird und ein Betätigungsschritt beim Aufnehmen des Werkstücks wird vereinfacht.
  • Darüber hinaus in dem Überprüfungsschritt kann die geschnittene Nut an der vorderen Oberfläche durch eine Position eines Fokuspunkts der IR-Kamera an der vorderen Oberfläche des Werkstücks aufgenommen werden, wohingegen die geschnittene Nut an der hinteren Oberfläche durch eine Positionierung des Fokuspunkts der IR-Kamera an der hinteren Oberfläche des Werkstücks aufgenommen wird. Entsprechend dieser Konfiguration können durch Anpassung des Fokuspunkts der IR-Kamera die geschnittene Nut der vorderen Oberfläche des Werkstücks und die an der hinteren Oberfläche des Werkstücks beide aufgenommen werden, sodass ein Betätigungsschritt zum Zeitpunkt des Aufnehmens vereinfacht werden kann.
  • Entsprechend der vorliegenden Erfindung werden das Bild der geschnittenen Nut an der vorderen Oberfläche des Werkstücks und das der hinteren Oberfläche des Werkstücks beide von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks aufgenommen und basierend auf den aufgenommenen Bildern wird die geschnittene Nut an der vorderen Oberfläche und an der hinteren Oberfläche überprüft; darum, sogar in dem Fall, in dem ein Problem wie ein Abplatzen größer als ein erlaubter Wert an der hinteren Oberflächenseite generiert wird, kann dies instantan detektiert werden, sodass die Möglichkeit des Herstellens defekter Chips abgesenkt werden kann.
  • Das obige und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Weise des Realisierens dieser wird klarer und die Erfindung selbst am besten durch Studieren der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche mit Bezug zu den angehängten Figuren, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER FIGUREN
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer Schneidvorrichtung zur Verwendung in einem Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform zeigt;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Beispiels eines Werkstücks, das durch einen ringförmigen Rahmen gehalten ist;
    • 3 ist ein Flussdiagramm, das den Ablauf des Schneidverfahrens für einen Wafer zeigt;
    • 4 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in dem ein Wafer, der an dem ringförmigen Tragen durch ein Teilungsband getragen ist, an einem Einspanntisch gehalten ist;
    • 5 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem der Wafer, der an dem Einspanntisch gehalten ist, durch das Schneidmittel geschnitten wird;
    • 6 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem eine vordere Oberflächenseite von geschnittenen Nuten des Wafers, der an dem Einspanntisch ist, unter Verwendung eines ersten Bildaufnahmemittels aufgenommen wird;
    • 7 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem eine hintere Oberflächenseite der geschnittenen Nuten des Wafers, der an dem Einspanntisch gehalten ist, unter Verwendung eines zweiten Bildaufnahmemittels aufgenommen wird;
    • 8 ist eine Figur, die in einem ausgerichteten Zustand ein Beispiel eines aufgenommenen Bilds einer geschnittenen Nut an der vorderen Oberflächenseite, das durch das erste Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, und ein Beispiel eines aufgenommenen Bilds der geschnittenen Nut an der hinteren Oberflächenseite darstellt, das durch das zweite Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde;
    • 9 ist eine partielle Schnittansicht eines Wafers, die ein Beispiel der Form einer geschnittenen Nut darstellt, das von dem aufgenommenen Bild der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und dem Bild, das von der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut aufgenommen wurde, abgeleitet ist;
    • 10 ist eine Figur, die in einem ausgerichteten Zustand ein anderes Beispiel eines aufgenommenen Bilds der vorderen Oberflächenseite einer geschnittenen Nut darstellt, das durch das erste Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, und ein anderes Beispiel eines aufgenommenen Bilds der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut, das durch das zweite Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, darstellt; und
    • 11 ist eine partielle Schnittansicht eines Wafers, die ein Beispiel der Form einer geschnittenen Nut darstellt, die von dem aufgenommenen Bild der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und dem aufgenommenen Bild der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut abgeleitet ist
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Wege (Ausführungsformen) zum Ausführen der vorliegenden Erfindung werden detailliert im Folgenden beschrieben mit Bezug zu den Figuren. Der Inhalt der folgenden Beschreibung der Ausführungsformen beschränkt die Erfindung nicht und Komponenten, die im Folgenden beschrieben sind, beinhalten die, die einfach durch den Fachmann verstanden werden und die, die im Wesentlichen äquivalent sind. Ferner können die im Folgenden beschriebenen Konfigurationen, wenn notwendig kombiniert werden. Zusätzlich sind verschiedene Auslassungen, Ersetzungen und Modifikationen möglich, ohne von der Idee der Erfindung abzuweichen.
  • Ein Schneidverfahren für ein Werkstück entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird im Folgenden beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Konfigurationsbeispiel einer Schneidvorrichtung zur Verwendung in dem Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung darstellt. 2 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Beispiel eines Werkstücks, das durch einen ringförmigen Rahmen getragen ist, darstellt. Wie in 1 dargestellt, ist die Schneidvorrichtung 1 dazu ausgestaltet, einen Wafer (ein Werkstück) 100 (siehe 2) zu schneiden, der an einem an einen Einspanntisch (Haltetisch) 10 gehalten ist, durch eine relative Bewegung des Einspanntisches 10 und eines Schneidmittels 20. Die Schneidvorrichtung 1 beinhaltet den Einspanntisch 10, das Schneidmittel 20, ein erstes Bildaufnahmemittel 30, ein zweites Bildaufnahmemittel 35, ein X-Achsen-Bewegungsmittel 40, ein Y-Achsen-Bewegungsmittel 50, ein Z-Achsen Bewegungsmittel 60, eine Steuerungseinheit 70 und eine Anzeigeeinheit 75.
  • Der Wafer 100 als ein Werkstück in der vorliegenden Ausführungsform ist ein scheibenförmiger Halbleiter-Wafer, der Silizium als ein Basismaterial aufweist, oder ein optischer Bauelement-Wafer, der Saphir, SiC (Silicium-Karbid) oder dergleichen als ein Basismaterial aufweist. Wie in 2 dargestellt, weist der Wafer 100 Bauelemente 103 auf, die in mehreren Bereichen ausgebildet sind, die durch Teilungslinien (Schneidlinien) 102 aufgeteilt sind, die in einem Gittermuster an einer vorderen Seite 101 davon ausgebildet sind. Der Wafer 100 ist an einem ringförmigen Rahmen 106 durch ein Teilungsband (Halteelement) 105 getragen, dass an der hinteren Oberfläche 104 davon angebracht ist. Der Wafer 100 ist an dem Einspanntisch 10 in dem Zustand gehalten, indem er durch den ringförmigen Rahmen 106 getragen ist. Beachte, dass das Werkstück nur ein plattenförmiger Körper sein kann, der entlang der Teilungslinien 102 geschnitten werden soll, und nicht notwendigerweise die Bauelemente 103 in den Bereichen aufweisen muss, die durch die Teilungslinien 102 in der vorliegenden Ausführungsform aufgeteilt sind. Zusätzlich, während eine Konfiguration, in welcher das Teilungsband 105 als das Halteelement verwendet wird, in der vorliegenden Ausführungsform angepasst ist, können andere Ausführungsformen auch angepasst werden; zum Beispiel kann eine harte Siliziumplatte, Glas oder dergleichen an dem Werkstück durch ein haftvermittelndes Element wie einem Klebstoff, einem Wachs, einem doppelseitig klebenden Band oder dergleichen angebracht werden.
  • Wie in 1 dargestellt, beinhaltet der Einspanntisch 10 einen Halteabschnitt 11, der aus einer porösen Keramik oder dergleichen ausgebildet ist und mehrere (in der vorliegenden Ausführungsform 4) Klemmen 12, die in der Umgebung des Halteabschnitts 11 angeordnet sind. Der Halteabschnitt 11 hält den Wafer 10, der an dem ringförmigen Rahmen 106 getragen ist, indem die hintere Oberflächenseite des Wafers 100 angesaugt wird. In diesem Beispiel halten die Klemmen 12 den ringförmigen Rahmen 106 in einer klemmenden Weise. Zusätzlich ist der Einspanntisch drehbar um eine zentrale Achse des Halteabschnitts 11 und kann in seinem Drehwinkel willkürlich bezüglich des Schneidmittels 20 angeordnet werden.
  • Das Schneidmittel 20 beinhaltet eine Schneidklinge 21, eine Spindel 22, ein Spindelgehäuse 23 und eine Zufuhrdüse 24 für ein Schneidfluid. Das Schneidmittel 20 führt eine Bearbeitung des Wafers 100 (2) durch, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, während ein Schneidfluid zugeführt wird. In diesem Beispiel bearbeitet das Schneidmittel einen Bereich, der bearbeitet werden soll, des Wafers 100 mit der Schneidklinge 21 basierend auf Bilddaten des Werkstücks, die durch das erste Bildaufnahmemittel 30 oder das zweite Bildaufnahmemittel 35 aufgenommen wurden. Die Spindel 22 ist in dem Spindelgehäuse 23 aufgenommen, und ist drehbar durch ein Luftlager getragen. Die Spindel 22 wird drehend durch einen Motor, der in dem Spindelgehäuse 23 aufgenommen ist, angetrieben und die Schneidklinge 21 ist entfernbar an der Endseite der Spindel 22 angebracht.
  • Die Schneidklinge 21 schneidet das Werkstück, das an dem Einspanntisch 10 gehalten ist. Die Schneidklinge 21 ist ein äußerst dünner Schneid-Schleifstein in einer im Wesentlichen ringförmigen Form. Die Zufuhrdüse 24 für ein Schneidfluid führt das Schneidfluid zu einem Bearbeitungspunkt des Werkstücks während der Bearbeitung des Werkstücks durch die Schneidklinge 21.
  • Das erste Bildaufnahmemittel (Aufnahmekamera) 30 nimmt den Wafer 100, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, von der vorderen Oberflächenseite 101 auf und generiert ein Bild der vorderen Oberfläche 101 des Wafers 100. Das erste Bildaufnahmemittel 30 ist zum Beispiel ein Mikroskop, das einen CCD-(Ladungs-gekoppeltes Bauelement) Bildsensor oder dergleichen aufweist, und basierend auf dem aufgenommenen Bild wird eine Ausrichtungsanpassung des Wafers 100 durchgeführt. Das zweite Bildaufnahmemittel (IR-Kamera) 35 nimmt den Wafer 100, der an dem Einspanntisch gehalten ist, von der vorderen Oberflächenseite 101 auf und generiert ein Bild der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100. Da Infrarotstrahlen eine längere Wellenlänge als sichtbares Licht aufweisen und kaum gestreut werden, werden die Infrarotstrahlen durch Silizium oder dergleichen transmittiert, wodurch die hintere Oberfläche 104 des Wafers aufgenommen werden kann. Natürlich ist es auch möglich, die vordere Oberfläche des Wafers 100 aufzunehmen und ein Bild der vorderen Oberfläche 101 unter Verwendung des zweiten Bildaufnahmemittels (IR-Kamera) 35 zu generieren.
  • Das X-Achsen-Bewegungsmittel 40 ist an der Vorrichtungsbasis 2 befestigt und bewegt den Einspanntisch 10 in einer Schneidzufuhrrichtung (X-Achsenrichtung). Die Schneidzufuhrrichtung (X-Achsenrichtung) ist orthogonal zu der vertikalen Richtung. Das X-Achsen-Bewegungsmittel 40 beinhaltet einen X-Achsen-Pulsmotor 41, eine X-Achsen-Kugelrollspindel 42 und ein Paar X-Achsen-Führungsschienen 43. Der Einspanntisch 10 ist an dem Paar X-Achsen-Führungsschienen 43 befestigt und die X-Achsen-Kugelrollspindel 42 ist in Schraubeingriff mit einem unteren Abschnitt des Einspanntischs 10. Das X-Achsen-Bewegungsmittel 40 bewegt den Einspanntisch 10 in der X-Achsenrichtung entlang dem Paar X-Achsen-Führungsschienen 43 bezüglich der Vorrichtungsbasis 2 durch einen Drehantrieb der X-Achsen-Kugelrollspindel 42 durch eine Drehkraft, die durch den x-Achsen-Pulsmotor 41 generiert wird.
  • Das Y-Achsen-Bewegungsmittel 50 ist an der Vorrichtungsbasis 2 befestigt und bewegt eine Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge und das Schneidmittel 20 in einer Index-Zufuhrrichtung (Y-Achsenrichtung). Hier ist die Index-Zufuhrrichtung (Y-Achsenrichtung) eine axiale Richtung einer Welle der Schneidklinge 21 und ist orthogonal zu beiden der Schneidzufuhrrichtung (X-Achsenrichtung) und der vertikalen Richtung. Das Y-Achsen-Bewegungsmittel 50 beinhaltet einen X-Achsen Pulsmotor 51, eine Y-Achsen Kugelrollspindel 52 und ein Paar Y-Achsen-Führungsschienen 53. Die Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge, an welcher das Schneidmittel 20 befestigt ist, ist an dem Paar Y-Achsen-Führungsschienen 43 platziert und die Y-Achsen-Kugelrollspindel 52 ist in Schraubeingriff mit einem unteren Abschnitt der Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge. Das Y-Achsen-Bewegungsmittel 50 bewegt die Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge und das Schneidmittel 20 in der Y-Richtung entlang der Y-Achsen-Führungsschienen 53 relativ zu der Vorrichtungsbasis 2 durch ein drehendes Antreiben der Y-Achsen-Kugelrollspindel 52 durch eine Drehkraft, die durch den Y-Achsen Pulsmotor 51 generiert wird.
  • Das Z-Achsen-Bewegungsmittel 60 ist an der Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge befestigt und bewegt einen Trägerabschnitt und das Schneidmittel 20 in einer Einschneid-Richtung (Z-Achsenrichtung). Die Einschneid-Richtung (Z-Achsenrichtung) ist eine vertikale Richtung und ist orthogonal zu beiden der Schneidzufuhreinrichtung (X-Achsenrichtung) und der Index-Zufuhrrichtung (Y-Achsenrichtung). Das Z-Achsen-Bewegungsmittel 60 ist an der Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge bereitgestellt und beinhaltet einen Z-Achsen-Pulsmotor 61, eine Z-Achsen-Kugelrollspindel (nicht dargestellt) und ein Paar Z-Achsen Führungsschienen 63. Der Trägerabschnitt 4, an welchem das Schneidmittel 20 befestigt werden kann, ist mit dem Paar Z-Achsen-Führungsschienen 63 verbunden und die Z-Achsen Kugelrollspindel ist in Schraubeingriff mit dem Trägerabschnitt 4. Das Z-Achsen-Bewegungsmittel 60 bewegt den Trägerabschnitt 4 und das Schneidmittel 20 in der Z-Achsenrichtung bezüglich der Bewegungsbasis 3 für eine Schneidklinge, während diese entlang der Z-Achsen-Führungsschienen 63 geführt werden, durch eine Drehung der Z-Achsen Kugelrollspindel durch eine Drehkraft, die durch den Z-Achsen Pulsmotor 61 generiert wird.
  • Die Steuerungseinheit 70 beinhaltet einen Prozessor, der zum Beispiel aus einer CPU (zentralen Berechnungseinheit) oder dergleichen und einem Speicherabschnitt, der aus einem ROM (Festwertspeicher), einem RAM (Arbeitsspeicher), einer Festplatte oder dergleichen ausgebildet ist und verschiedene Daten und Programme speichert, ausgebildet ist. Die Steuerungseinheit 70 weist eine Funktion des Steuerns von Betätigungen der oben genannten Komponenten basierend auf Eingaben auf, die durch einen Bediener oder ein vorbestimmtes Programm oder dergleichen gemacht werden. Zusätzlich dient der Steuerungsabschnitt 70 als ein Bildbearbeitungsmittel, das das Bild, das durch das erste Bildaufnahmemittel 30 aufgenommen wurde, einer Mustererkennungsbearbeitung für ein Ausrichten aus und setzt die Bilder, die durch das erste Bildaufnahmemittel 30 aufgenommen wurden und das zweite Bildaufnahmemittel 35 aufgenommen wurden, einer Bildbearbeitung für eine Fugenüberprüfung aus und zeigt die bearbeiteten Daten an der Anzeigeeinheit 75.
  • Die Anzeigeeinheit 75 ist ein Monitor, der zum Beispiel aus einem LCD (Flüssigkeitskristallanzeige) oder dergleichen ausgebildet ist und zeigt die Bilder, die durch die Steuerungseinheit 70 bearbeitet wurden, an. Zusätzlich ist ein Betätigungsabschnitt (nicht dargestellt), der aus einer Eingabevorrichtung wie verschiedenen Schaltern oder einer Bedientafel ausgebildet ist, mit der Steuerungseinheit 70 verbunden und der Bediener gibt Instruktionen für die Komponenten der Schneidvorrichtung 1 durch den Betätigungsabschnitt ein. Zum Beispiel durch Betätigen des Betätigungsabschnitts kann der Bediener ein aufgenommenes Bild des Wafers unter Verwendung von mindestens einem des ersten Bildaufnahmemittels 30 und zweiten Bildaufnahmemittels 35 generieren.
  • In der Konfiguration wie oben werden der Einspanntisch 10, wobei der Wafer 100 daran getragen ist, und das Schneidmittel 20 in relative Bewegungen in der Schneidzufuhrrichtung (X-Achsenrichtung), der Index-Zufuhrrichtung (Y-Achsenrichtung) und der Einschneid-Richtung (Z-Achsenrichtung) versetzt, wodurch ein Schneidprozess an dem Wafer 100 durchgeführt wird. Das Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wird im Folgenden beschrieben. 3 ist ein Flussdiagramm, das die Prozedur des Schneidverfahrens für einen Wafer darstellt.
  • In der vorliegenden Ausführungsform, wie in 3 dargestellt, beinhaltet das Schneidverfahren für den Wafer (Werkstück) 100 einen Anordnungsschritt für ein Halteelement S1, einen Halteschritt S2, einen Schneidschritt S3, einen Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnitten Nut S4, einen Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S5 und einen Überprüfungsschritt S6. Die Reihenfolge, in welcher diese Schritte ausgeführt werden, ist nicht auf die in 3 dargestellte beschränkt; zum Beispiel kann der Aufnahmeschritt für eine hintere Oberflächenseite der geschnittenen Nut vor dem Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite der geschnittenen Nut S4 durchgeführt werden. Jeder dieser Schritte wird jetzt im Folgenden beschrieben.
  • [Anordnungsschritt für ein Halteelement S1]
  • In dem Anordnungsschritt für ein Halteelement, wie in 2 dargestellt, wird das Teilungsband 100 an der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100 angebracht und der Wafer 100 wird an dem ringförmigen Rahmen 106 durch das Teilungsband (Halteelement) 105 getragen. Der Ringförmige Rahmen 106 weist eine Öffnung auf, die größer als der Rahmen 100 ist, und der Wafer wird in der Öffnung angeordnet. Beachte, dass der Wafer 100 nicht notwendigerweise durch den ringförmigen Rahmen 106 getragen werden muss; Zum Beispiel kann ein scheibenförmiges Teilungsband (Halteelement) 105, das im Wesentlichen die gleiche Größe wie der Wafer 100 aufweist, an der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100 angebracht werden.
  • [Halteschritt S2]
  • 4 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand darstellt, in welchem der Wafer, der an dem ringförmigen Rahmen durch das Teilungsband getragen ist, an dem Einspanntisch gehalten wird. Der Wafer 100 ist an dem Einspanntisch 10 durch das Teilungsband 105 platziert und wird unter einem Saugen an dem Halteabschnitt 11 gehalten ( 1). Zusätzlich wird der ringförmige Rahmen 106 durch die Klemmen 12 geklemmt.
  • [Schneidschritt S3]
  • 5 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem der Wafer, der an dem Einspanntisch gehalten ist, durch das Schneidmittel geschnitten wird. Nachdem eine Ausrichtungsanpassung des Wafers 100, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, durchgeführt wurde, wird das Schneiden 100 des Wafers durchgeführt. In diesem Fall ist die Schneidklinge 21 des Schneidmittels 20 an der oberen Seite der Teilungslinie 102 des Wafers 100 platziert, danach, während der Einspanntisch 10 mit dem Wafer 100, der daran gehalten ist, und das Schneidmittel 20 relativ in der Schneidzufuhrrichtung (der X-Achsenrichtung in 1) bewegt werden, wird die Schneidklinge 21 zusammen mit der Spindel 22 gedreht und während der Zustand beibehalten wird, wird die Schneidklinge 21 dazu gebracht, in den Wafer 100 zu schneiden, bis die Spitze der Schneidklinge 21 das Teilungsband 105 erreicht. Als ein Ergebnis davon wird eine geschnitten Nut 107 in dem Wafer 10 entlang der Teilungslinie 102 ausgebildet. Da das Teilungsband 105 nicht durch die Schneidklinge 21 geschnitten wird, bleibt der Wafer in einem Zustand, indem er durch das Teilungsband 105 gehalten wird.
  • [Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnitten Nut S4]
  • 6 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem die vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut des Wafers, der an dem Einspanntisch gehalten ist, unter Verwendung des ersten Aufnahmemittels aufgenommen wird. In dem Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S4 wird das erste Bildaufnahmemittel 30 an der oberen Seite der geschnittenen Nut 107, die in dem Wafer 100 ausgebildet ist, angeordnet und nimmt die geschnittene Nut 107 auf. Insbesondere wird der Einspanntisch 10 in einer solchen Weise bewegt, dass eine Koordinatenposition, die vorher an der Teilungslinien 102 (geschnittene Nut 107) des Wafers 100 gesetzt ist, unterhalb des ersten Bildaufnahmemittels 30 positioniert ist und das erste Bildaufnahmemittel 30 führt ein Aufnehmen durch, nachdem der Einspanntisch 10 an der Koordinatenposition angehalten ist. Als ein Ergebnis davon bildet das erste Bildaufnahmemittel 30 ein aufgenommenes Bild eines vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 von der vorderen Oberflächenseite 101 des Wafers 100 aus und das aufgenommene Bild wird in dem Speicherabschnitt gespeichert, der in der Steuerungseinheit 70 enthalten ist. In diesem Beispiel sind die Steuerungsnummer-Informationen an dem Wafer 100, die aufgenommene Koordinatenpositions-Information und dergleichen zusammen mit dem aufgenommenen Bild gespeichert. In der vorliegenden Ausführungsform in dem Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S4 wird jedes Mal, wenn eine vorbestimmte Anzahl (zum Beispiel 10) geschnittene Nuten 107 ausgebildet wurden, ein Aufnehmen der so ausgebildeten Nuten 107 durchgeführt. In diesem Fall ist es effektiv, vorläufig solche Positionen (zum Beispiel einen Eintritt und einen Austritt der Schneidklinge 21 bezüglich des Wafers 100) zu setzen, an welchen empirisch bekannt ist, dass fehlerhaftes Schneiden auftritt, als die oben genannten Koordinatenpositionen zu setzen und den Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S4 für die geschnittene Nuten 107 an diesen Positionen durchzuführen. Zusätzlich kann ein Aufnehmen in einem zentralen Bereich zwischen dem Eintritt und dem Austritt der Schneidklinge 21 bezüglich des Wafers 100 durchgeführt werden. Darüber hinaus kann ein Bereich von einem Ende zu dem anderen Ende der geschnittenen Nut 107 mehrfach aufgenommen werden, um dadurch den gesamten Teil zu überprüfen. Zusätzlich kann das Aufnehmen durchgeführt werden, während das erste Bildaufnahmemittel 30 und der Einspanntisch 10 relativ zueinander entlang der geschnittenen Nut 107 geführt werden. Darüber hinaus kann der Aufnahmeschritt S4 für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut für all die geschnittene Nuten 107 durchgeführt werden.
  • [Aufnahmeschritt für eine hinter Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S5]
  • 7 ist eine seitliche Ansicht, die einen Zustand zeigt, in welchem die hintere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut des Wafers, der an dem Einspanntisch gehalten ist, unter Verwendung des zweiten Bildaufnahmemittels aufgenommen wird. Der Aufnahmeschritt S5 für eine hintere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut wird auf den Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S4 folgend durch das zweite Bildaufnahmemittel 35 durchgeführt. Insbesondere wird der Aufnahmeschritt für eine hintere Oberflächenseite einer geschnitten Nut S5 an der geschnitten Nut oder den geschnittenen Nuten 107 durchgeführt, die in dem Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S4 aufgenommen wurden. Das zweite Aufnahmemittel 35 ist an der oberen Seite der relevanten geschnittenen Nut 107 angeordnet und führt ein Aufnehmen durch, wobei der Fokuspunkt, an der hinteren Oberfläche des Wafers 100 positioniert ist. Als ein Ergebnis davon bildet das zweite Bildaufnahmemittel 35 ein aufgenommenes Bild eines hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 von der vorderen Oberflächenseite 101 des Wafers 100 aus und das aufgenommene Bild wird in dem Speicherabschnitt gespeichert, der in der Steuerungseinheit 70 enthalten ist. Zusätzlich kann ein Aufnehmen durchgeführt werden, während das zweite Bildaufnahmemittel 35 und der Einspanntisch 10 eine relative Bewegung entlang der Nut 107 beibehalten in einem Zustand, in dem der Fokuspunkt an der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100 positioniert ist. In der vorliegenden Ausführungsform führt das zweite Bildaufnahmemittel 35 ein Aufnehmen an der gleichen Koordinatenposition wie das erste Bildaufnahmemittel 30 aus. Als ein Ergebnis können aufgenommene Bilder des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 an der gleichen Koordinatenposition erhalten werden.
  • [Überprüfungsschritt S6]
  • 8 ist eine Figur, die in einem ausgerichteten Zustand ein Beispiel eines aufgenommenen Bilds der vorderen Oberflächenseite einer geschnittenen Nut, das durch das erste Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, und ein Beispiel eines aufgenommenen Bilds der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut, das durch das zweite Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, darstellt. 9 ist eine partielle Schnittansicht eines Wafers, die ein Beispiel einer Form einer geschnittenen Nut darstellt, die von dem aufgenommenen Bild der vorderen Oberflächenseite der geschnitten Nut und dem aufgenommenen Bild der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut abgeleitet wird. In dem Überprüfungsschritt S6 überprüft der Bediener die aufgenommenen Bilder des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107. Insbesondere, wie in 8 dargestellt, wird ein aufgenommenes Bild 80a einer vorderen Oberflächenseite einer geschnittenen Nut und ein aufgenommenes Bild 80b einer hinteren Oberflächenseite einer geschnittenen Nut an der gleichen Koordinatenposition zusammengefügt und nebeneinander an der Anzeigeeinheit 75 (1) zum Beispiel angezeigt. In dem Fall, in dem bezüglich einer geschnitten Nut 107 mehrere der vorderen Oberflächenabschnitte 107A und der hinteren Oberflächenabschnitte 107B der geschnitten Nut 107 mit verschiedenen Koordinatenpositionen aufgenommen werden, werden die Paare der aufgenommenen Bilder 80a einer vorderen Oberflächenseite einer geschnittenen Nut und des aufgenommenen Bilds 80b der hinteren Oberflächenseite einer geschnittenen Nut sequentiell an der Anzeigeeinheit 75 (1) durch eine Betätigung des Bedieners angezeigt
  • In dieser Konfiguration durch das aufgenommene Bild 80a der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und des aufgenommenen Bilds 80b der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut kann nicht nur der geschnittene Zustand des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 sondern auch der des hinteren Oberflächenabschnitts 107 der geschnittenen Nut 107 untersucht werden. Darum kann zum Beispiel basierend auf den aufgenommenen Bildern die Steuerungseinheit 70 dazu gebracht werden, die Größe (maximaler Wert, durchschnittlicher Wert) der Abplatzungen, die an dem vorderen Oberflächenabschnitt 107A und dem hinteren Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 zu berechnen, und es kann einfach detektiert werden, ob oder ob nicht ein Abplatzen größer als ein erlaubter Wert an dem vorderen Oberflächenabschnitt 107 oder dem hinteren Oberflächenabschnitt 107B aufgetreten ist. Hier in dem Fall, in dem ein Abplatzen größer als ein erlaubter Wert mit mindestens einem des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B aufgetreten ist, gibt die Steuerungseinheit 70 einen Alarm aus und hält das Schneiden des Wafers 100 an. Der Bediener kann eine Behandlung (zum Beispiel Ersetzen oder Schärfen der Schneidklinge) als eine Gegenmaßnahme gegen das Verursachen des Auftretens der Abplatzungen durchführen, wodurch die Möglichkeit des Herstellens defekter Chips verhindert werden kann.
  • Zusätzlich in dieser Konfiguration sind das aufgenommene Bild 80a der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und das aufgenommene Bild 80b der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut an der gleichen Koordinatenposition nebeneinander angeordnet; darum kann die Steuerungseinheit 70 das Vorhandensein oder das nicht-Vorhandensein einer fehlenden Ausrichtung zwischen einer zentralen Linie 108a des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 und einer zentralen Linie 108b des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107B detektieren. Hier in dem Fall, in dem eine fehlende Ausrichtung um den Abstand L zwischen der zentralen Linie 108a des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 und der zentralen Linie 108b des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 vorliegt, wie in 8 dargestellt, wird angenommen, dass eine geschnittene Nut 107 als ein sogenannter geneigter Schnitt ausgebildet wurde, wie in 9 dargestellt. Wenn der Abstand L in diesem Fall größer als ein erlaubter Wert ist, gibt die Steuerungseinheit 70 einen Alarm aus und hält das Schneiden des Wafers 100 an. Der Bediener führt eine Korrektur (zum Beispiel eine Anpassung der Schneidzufuhrgeschwindigkeit der Schneidklinge 21 relativ zu dem Einspanntisch 10) zum Ausgleichen der fehlenden Übereinstimmung mit dem Beginn des Schneidens der nächsten Teilungslinie 102 durch, wodurch die Möglichkeit des Herstellens defekter Chips mit dem Beginn der nächsten Teilungslinie 102 verringert werden kann.
  • Der Zustand des Auftretens des oben genannten geneigten Schritts variiert entsprechend dem Material des Wafers 100, der Schneidtiefe, der Bearbeitungszufuhrgeschwindigkeit und dergleichen. Ferner variiert das Auftreten des geneigten Schnitts zwischen der Eintrittsseite, der Austrittsseite und einer Position der Schneidklinge 21 bezüglich des Wafers 100 dazwischen. Darum in einer existierenden Konfiguration, in welcher ein Prüfelement wie ein Siliciumstück oder ein Carbonstück, das aus einer balkenform geschnitten ist, halb geschnitten wird, wird das so geschnittene Prüfelement flach hingelegt und die Nutform wird durch ein Bildmittel wie ein Mikroskop überprüft, war es unmöglich zu bestimmen, ob ein geneigter Schnitt in dem tatsächlichen Wafer 100 generiert wird oder nicht. Andererseits in der vorliegenden Ausführungsform kann das Vorhandensein oder nicht-Vorhandensein des geneigten Schnitts einfach aus dem aufgenommenen Bild 80a der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und dem aufgenommenen Bild 80b der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut an derselben Koordinatenposition detektiert werden.
  • Zusätzlich in dem Prüfschritt S6 kann ein sogenanntes Verjüngen auch zusätzlich zu dem geneigten Schnitt detektiert werden. 10 ist eine Figur, die in einem ausgerichteten Zustand ein anderes Beispiel des aufgenommenen Bilds der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut, das durch das erste Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, und ein anderes Beispiel eines aufgenommenen Bilds der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut, das durch das zweite Bildaufnahmemittel aufgenommen wurde, darstellt. 11 ist eine partielle Schnittansicht eines Wafers, die ein Beispiel der Form einer geschnittenen Nut darstellt, die von dem aufgenommenen Bild der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut und dem aufgenommenen Bild der hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut abgeleitet wird.
  • In dieser Konfiguration, wie in 10 dargestellt, berechnet die Steuerungseinheit 70 den Unterschied zwischen der Breite Wa des vorderen Oberflächenabschnitts 107A einer geschnittenen Nut 107 und die Breite Wb des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107. In dem Fall, in dem ein Unterschied zwischen der Breite Wa des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 und der Breite Wb des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 auftritt, wird angenommen, dass eine sogenannte verjüngte geschnittene Nut 107 ausgebildet wurde, wie in 11 dargestellt. Wenn der Unterschied zwischen der Breite Wa und der Breite Wb in diesem Beispiel größer als ein erlaubter Wert ist, gibt die Steuerungseinheit 70 einen Alarm aus und hält das Schneiden des Wafers 100 an. Der Bediener sucht den Grund (zum Beispiel einen ungleichmäßigen Verschleiß der Schneidklinge 21) des Verjüngens und führt eine Maßnahme (ein Ersetzen oder Schärfen der Schneidklinge 21) als eine Gegenmaßnahme gegen den Grund durch, wodurch die Möglichkeit, defekte Chips zu produzieren, verringert werden kann.
  • Jetzt wird eine andere Ausführungsform im Folgenden beschrieben. Während die Schneidvorrichtung 1 das erste Bildaufnahmemittel 30, das aus einem Mikroskop oder dergleichen ausgebildet ist, und das zweite Bildaufnahmemittel 35, das aus einer IR-Kamera in der oben beschriebenen Ausführungsform ausgebildet ist, beinhaltet, ist dies nicht für die vorliegende Erfindung beschränkend; zum Beispiel kann das zweite Bildaufnahmemittel 35, das aus der IR-Kamera ausgebildet ist, auch als das erste Bildaufnahmemittel 30 verwendet werden. Insbesondere werden der vordere Oberflächenabschnitt 107A und der hintere Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 beide unter Verwendung des zweiten Bildaufnahmemittels 35 aufgenommen, das aus der IR-Kamera ausgebildet ist.
  • In diesem Fall wird der vordere Oberflächenabschnitt 107A der geschnittenen Nut 107 aufgenommen, wobei der Fokuspunkt des zweiten Bildaufnahmemittels 35 an der vorderen Oberfläche 101 des Wafers 100 positioniert ist, und dann wird der hintere Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 aufgenommen, wobei der Fokuspunkt des zweiten Bildaufnahmemittels 35 an der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100 positioniert ist. In dieser Konfiguration können der vordere Oberflächenabschnitt 107A und der hintere Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 beide durch Anpassen des Fokuspunkts des zweiten Bildaufnahmemittels 35 aufgenommen werden; darum können die Betätigungsschritte zu dem Zeitpunkt des Aufnehmens oder des Aufnahmeschritts für eine vordere Oberflächenseite der geschnittenen Nut S4 und des Aufnahmeschritts für eine vordere Oberflächenseite der geschnittenen Nut S5 vereinfacht werden.
  • Zusätzlich in dem Fall, in dem die Dicke des Wafers 100 nicht mehr als ein vorbestimmter Wert (zum Beispiel 80pm) ist, kann zum Beispiel durch Positionieren des Fokuspunkts des zweiten Bildaufnahmemittels 35 an einer Zwischenposition zwischen der vorderen Oberfläche 101 und der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100 das Bild des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 gleichzeitig aufgenommen werden und ist möglich den vorderen Oberflächenabschnitt 107A und den hinteren Oberflächenabschnitt 107B in dem gleichen aufgenommenen Bild anzuzeigen.
  • Wie oben beschrieben ist das Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform ein Schneidverfahren zum Schneiden des Wafers 100, der die Teilungslinien 102 aufweist, durch die Schneidklinge 21. Das Schneidverfahren beinhaltet: den Anordnungsschritt für ein Halteelement S1 zum Anordnen des Teilungsbands 105 an der hinteren Oberfläche 104 des Wafers 100; den Halteschritt S2 zum Halten des Wafers 100 an dem Einspanntisch 10 durch das Teilungsband 105; den Schneidschritt S3, um die Schneidklinge 21 dazu zu bringen, in den Wafer 100, der an dem Einspanntisch 10 gehalten ist, einzuschneiden, bis die Spitze der Schneidklinge 21 das Teilungsband 105 erreicht, und Schneiden des Wafers 100 entlang der Teilungslinien 102 durch die Schneidklinge 21, um die geschnittenen Nuten 107 auszubilden, die das Teilungsband 105 erreichen; den Aufnahmeschritt für eine vordere Oberflächenseite der geschnittenen Nut S4 zum Aufnehmen der geschnittenen Nut 107, die in dem Schneidschritt S3 ausgebildet wurde von der vorderen Oberflächenseite 101 des Wafers 100 durch das erste Bildaufnahmemittel 30, um das aufgenommene Bild des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 des Wafers 100 auszubilden; einen Aufnahmeschritt für eine hintere Oberflächenseite einer geschnittenen Nut S5 zum Aufnehmen der geschnittenen Nut 107 von der vorderen Oberflächenseite 101 des Wafers 100 durch das zweite Bildaufnahmemittel 35, um das aufgenommene Bild des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 auszubilden; und den Prüfschritt S6 zum Überprüfen der aufgenommenen Bilder des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107. Entsprechend dieser Konfigurationen kann nicht nur der Schnittzustand des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der geschnittenen Nut 107 sondern auch der des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 durch die aufgenommenen Bilder des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 untersucht werden. Darum kann zum Beispiel einfach detektiert werden, ob eine Abplatzung größer als ein erlaubter Wert oder ein geneigter Schnitt oder eine Verjüngung der geschnittenen Nut 107 an dem vorderen Oberflächenabschnitt 107A oder dem hinteren Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 aufgetreten ist, sodass die Möglichkeit des Herstellens defekter Chips verringert werden kann.
  • Beachte, dass entsprechend dem Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform wie oben die folgende Schneidvorrichtung erhalten werden kann.
  • (Zusatzbemerkung 1)
  • Eine Schneidvorrichtung, beinhaltend:
    • einen Haltetisch, der ein Werkstück hält, das Teilungslinien an einer vorderen Oberflächenseite davon aufweist, durch ein Halteelement, das an einer hinteren Oberfläche des Werkstücks angeordnet ist;
    • ein Schneidmittel, dass eine Schneidklinge zum Schneiden des Werkstücks, das an dem Haltetisch gehalten ist, aufweist und welches das Werkstück entlang der Teilungslinien entlang der Schneidklinge teilt, um geschnittene Nuten auszubilden, die das Halteelement erreichen;
    • einen ersten Bildaufnahmeabschnitt, der die geschnittene Nut von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks aufnimmt, um ein aufgenommenes Bild eines vorderen Oberflächenabschnitts der geschnittenen Nut auszubilden;
    • einen zweiten Bildaufnahmeabschnitt, der die geschnittene Nut von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks aufnimmt, um ein aufgenommenes Bild eines hinteren Oberflächenabschnitts der geschnittenen Nut auszubilden; und
    • eine Steuerungseinheit, die einen defekten Schnittabschnitt des Werkstücks basierend auf den aufgenommenen Bildern des vorderen Oberflächenabschnitts und des hinteren Oberflächenabschnitts der geschnittenen Nut detektiert.
  • Entsprechend der gerade beschriebenen Schneidvorrichtung ähnlich in dem Schneidverfahren entsprechend der vorliegenden Ausführungsform kann nicht nur der Schnittzustand des vorderen Oberflächenabschnitts 107A der Nut 107 sondern auch der des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107 beobachtet werden durch die aufgenommenen Bilder des vorderen Oberflächenabschnitts 107A und des hinteren Oberflächenabschnitts 107B der geschnittenen Nut 107. Darum kann eine Detektion eines defekt geschnittenen Abschnitts, wie eine Detektion ob ein Abplatzen größer als ein erlaubter Wert oder ein geneigter Schnitt oder eine Verjüngung der geschnittenen Nut 107 an dem vorderen Oberflächenabschnitt 107A oder dem hinteren Oberflächenabschnitt 107B der geschnittenen Nut 107 aufgetreten ist oder nicht, einfach durchgeführt werden und die Möglichkeit der Produktion defekter Chips kann verringert werden.
  • Beachte, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt ist und mit verschiedenen Modifikationen ausgeführt werden kann, ohne von der Idee der Erfindung abzuweichen.

Claims (3)

  1. Schneidverfahren zum Schneiden eines Werkstücks (100), das Teilungslinien (102) aufweist, durch eine Schneidklinge (21), wobei das Schneidverfahren umfasst: einen Anordnungsschritt für ein Halteelement (105) zum Anordnen eines Halteelements (105) an einer hinteren Oberfläche des Werkstücks (100); einen Halteschritt zum Halten des Werkstücks (100) an einem Haltetisch (10) durch das Halteelement (105); einen Schneidschritt, um die Schneidklinge (21) dazu zu bringen, in das Werkstück (100), das an dem Haltetisch (10) gehalten ist, einzuschneiden, bis eine Spitze der Schneidklinge (21) das Halteelement (105) erreicht, und das Werkstück (100) entlang der Teilungslinie (102) durch die Schneidklinge (21) zu schneiden, um geschnittene Nuten (107) auszubilden, die das Halteelement (105) erreichen; und einen Prüfschritt zum Aufnehmen der geschnittenen Nuten (107), die in dem Schneidschritt ausgebildet wurden, von einer vorderen Oberflächenseite des Werkstücks (100) durch eine Bildkamera, um ein aufgenommenes Bild (80a) der vorderen Oberfläche der geschnittenen Nut (107) des Werkstücks (100) auszubilden, und zum Aufnehmen der geschnittenen Nut (107) von der vorderen Oberflächenseite des Werkstücks (100) durch eine Infrarot-Kamera, um ein aufgenommenes Bild (80b) der hinteren Oberfläche der geschnittenen Nut (107) des Werkstücks (100) auszubilden, wobei das aufgenommene Bild (80a) der vorderen Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) und das aufgenommene Bild (80b) einer hinteren Oberflächenseite der geschnittenen Nut (107) an der gleichen Koordinatenposition zusammengefügt werden, wodurch die geschnittene Nut (107) an der vorderen Oberfläche und der hinteren Oberfläche überprüft wird.
  2. Schneidverfahren nach Anspruch 1, wobei die Infrarot-Kamera auch als die Bildkamera dient.
  3. Schneidverfahren nach Anspruch 2, wobei in dem Prüfschritt die geschnittene Nut (107) an der vorderen Oberfläche durch Positionieren eines Fokuspunkts der Infrarot-Kamera an der vorderen Oberfläche des Werkstücks (100) aufgenommen wird, wohingegen die geschnittene Nut (107) an der hinteren Oberfläche durch Positionieren des Fokuspunkts der Infrarot-Kamera an der hinteren Oberfläche des Werkstücks (100) aufgenommen wird.
DE102018212588.0A 2017-07-28 2018-07-27 Waferbearbeitungsverfahren Active DE102018212588B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-146720 2017-07-28
JP2017146720A JP6979296B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 切削方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102018212588A1 DE102018212588A1 (de) 2019-01-31
DE102018212588B4 true DE102018212588B4 (de) 2024-05-16

Family

ID=65004395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102018212588.0A Active DE102018212588B4 (de) 2017-07-28 2018-07-27 Waferbearbeitungsverfahren

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11171056B2 (de)
JP (1) JP6979296B2 (de)
DE (1) DE102018212588B4 (de)
MY (1) MY192234A (de)
TW (1) TWI780190B (de)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6577404B2 (ja) * 2016-04-05 2019-09-18 ファナック株式会社 絞りユニット及びこれを備えた静圧軸受装置並びに溝付きブロックの製造方法
JP6812079B2 (ja) * 2017-03-13 2021-01-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7184620B2 (ja) * 2018-12-11 2022-12-06 株式会社ディスコ 切削装置
JP7282461B2 (ja) * 2019-04-16 2023-05-29 株式会社ディスコ 検査装置、及び加工装置
JP7343293B2 (ja) * 2019-04-18 2023-09-12 株式会社ディスコ 分割加工装置
JP7325897B2 (ja) * 2019-04-18 2023-08-15 株式会社ディスコ 加工装置及び被加工物の加工方法
JP7366637B2 (ja) * 2019-08-16 2023-10-23 株式会社ディスコ ワークの確認方法、及び、加工方法
JP7382762B2 (ja) * 2019-08-27 2023-11-17 株式会社ディスコ レーザー加工装置の加工結果の良否判定方法
JP7430449B2 (ja) * 2020-02-04 2024-02-13 株式会社ディスコ 加工装置
JP7430451B2 (ja) * 2020-04-02 2024-02-13 株式会社ディスコ 切削装置
JP7475781B2 (ja) * 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
JP7475782B2 (ja) 2020-06-29 2024-04-30 株式会社ディスコ 加工装置
CN111761747B (zh) * 2020-07-09 2022-07-29 深圳市佰创力科技有限公司 一种ic半导体芯片加工用打孔装置
JP2022038528A (ja) * 2020-08-27 2022-03-10 株式会社ディスコ 加工装置
JP2022124134A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
CN114597126A (zh) * 2022-03-10 2022-06-07 江苏汇成光电有限公司 一种处理晶圆切割异常的分片切割方法
CN114864750A (zh) * 2022-05-17 2022-08-05 通威太阳能（合肥）有限公司 电池片切片方法、电池片切片系统、存储介质及计算机
CN114755814B (zh) * 2022-06-13 2022-09-13 沈阳和研科技有限公司 一种能够用于划片机背切的新式显微镜结构及划片机

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312979A (ja) 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
JP2009246015A (ja) 2008-03-28 2009-10-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング検出方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3868056B2 (ja) * 1997-05-07 2007-01-17 株式会社ディスコ ウェーハのチッピング検出方法
JP3813692B2 (ja) * 1997-05-28 2006-08-23 株式会社ディスコ ダイシング装置における半導体ウェーハ内部の特殊なパターンの検出方法
JP2003203883A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Tokyo Seimitsu Co Ltd 顕微鏡及び観察方法
JP4381755B2 (ja) * 2003-09-09 2009-12-09 株式会社ディスコ 切削装置
JP2005129607A (ja) * 2003-10-22 2005-05-19 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
US7494900B2 (en) * 2006-05-25 2009-02-24 Electro Scientific Industries, Inc. Back side wafer dicing
JP2008112884A (ja) * 2006-10-31 2008-05-15 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
JP4102842B1 (ja) * 2006-12-04 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 欠陥検出装置、欠陥検出方法、情報処理装置、情報処理方法及びそのプログラム
JP2011033449A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Sumco Corp ウェーハの欠陥検査方法及び欠陥検査装置
JP5508108B2 (ja) * 2010-04-15 2014-05-28 株式会社ディスコ 半導体装置の製造方法
JP5743958B2 (ja) * 2012-05-30 2015-07-01 キヤノン株式会社 計測方法、露光方法および装置
JP5995616B2 (ja) * 2012-09-05 2016-09-21 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US8952497B2 (en) * 2012-09-14 2015-02-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Scribe lines in wafers
JP6184855B2 (ja) * 2013-12-16 2017-08-23 株式会社ディスコ パッケージ基板の分割方法
JP6465722B2 (ja) * 2015-04-06 2019-02-06 株式会社ディスコ 加工装置
US20180019139A1 (en) * 2016-07-12 2018-01-18 Ayar Labs, Inc. Wafer-Level Etching Methods for Planar Photonics Circuits and Devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10312979A (ja) 1997-05-12 1998-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの切削状況の検出方法
JP2009246015A (ja) 2008-03-28 2009-10-22 Disco Abrasive Syst Ltd チッピング検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6979296B2 (ja) 2021-12-08
JP2019025583A (ja) 2019-02-21
DE102018212588A1 (de) 2019-01-31
MY192234A (en) 2022-08-10
US11171056B2 (en) 2021-11-09
US20190035689A1 (en) 2019-01-31
TWI780190B (zh) 2022-10-11
TW201911443A (zh) 2019-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102018212588B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102017206400B4 (de) Bearbeitungsverfahren für einen wafer
DE102017210694B4 (de) Detektionsverfahren für einen inneren Riss und Detektionsvorrichtung für einen inneren Riss
DE102015208893B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016204442A1 (de) Werkstückschneidverfahren
DE102009030454B4 (de) Waferbehandlungsverfahren
DE102007038343B9 (de) Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
DE102020201863B4 (de) Einspanntisch und Untersuchungsvorrichtung
DE102005033953B4 (de) Waferteilungsverfahren und -vorrichtung
DE102008011821A1 (de) Antriebsmechanismus und Schneideinrichtung, welche den Antriebsmechanismus aufweist
DE102007052011A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102016205915A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE112004000769B4 (de) Laser-Chipschneidvorrichtung
DE102015219169A1 (de) Wafer-untersuchungsverfahren und wafer- untersuchungsvorrichtung
DE102008059359A1 (de) Vorrichtung zum Detektieren der Kanten eines Werkstückes sowie Laserstrahlbearbeitungsmaschine
DE102018201084A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung
DE102007049553A1 (de) Laserbearbeitungsverfahren für Galliumarsenid-wafer
DE102018213784A1 (de) Schneidvorrichtung und Detektionsverfahren für eine Nut
DE102020216417A1 (de) Bearbeitungsvorrichtung
DE19734074C2 (de) Partikeldetektionsverfahren und Detektionssystem zum Feststellen winziger Partikel auf einem Werkstück
DE102010039798B4 (de) Waferbearbeitungsverfahren
DE102020203262B4 (de) Übertragungsvorrichtung
AT522903A2 (de) Verfahren zum bestimmen, ob ein ergebnis eines verarbeitungsprozesses eines laserverarbeitungsgeräts brauchbar ist oder nicht
DE102020212097A1 (de) Waferbearbeitungsverfahren und waferbearbeitungsvorrichtung
DE102014209555A1 (de) Laserbearbeitungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0021304000

Ipc: H01L0021301000

R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division