DE102020211312A1

DE102020211312A1 - Waferschleifverfahren

Info

Publication number: DE102020211312A1
Application number: DE102020211312.2A
Authority: DE
Inventors: Yohei Gokita
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2019-09-10
Filing date: 2020-09-09
Publication date: 2021-03-11
Also published as: JP2021044330A; US11482407B2; US20210074537A1; CN112548844A; TW202111798A; CN112548844B; KR20210030877A; JP7504537B2; SG10202008559QA

Abstract

Es ist ein Waferschleifverfahren zum Schleifen eines Wafers, der eine Orientierungsabflachung zum Angeben einer Kristallorientierung aufweist, in dem Zustand, in dem der Wafer an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs gehalten ist, bereitgestellt. Der Einspanntisch beinhaltet einen Saughalteabschnitt zum Halten des Wafers unter einem Saugen und einen Rahmenabschnitt, der den Saughalteabschnitt umgibt. Der Saughalteabschnitt weist einen ersten ausgeschnittenen Abschnitt entsprechend der Orientierungsabflachung auf und der Rahmenabschnitt weist einen zweiten ausgeschnittenen Abschnitt auf, der entlang dem ersten ausgeschnittenen Abschnitt ausgebildet ist. Das Waferschleifverfahren beinhaltet einen Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen der Halteoberfläche unter Verwendung abrasiver Elemente einer Schleifscheibe und einen Waferschleifschritt zum Schleifen des Wafers unter Verwendung abrasiver Elemente in dem Zustand, in dem der Wafer an der Halteoberfläche gehalten ist, die durch die abrasiven Elemente geschliffen wurde.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Waferschleifverfahren zur Verwendung beim Schleifen eines Wafers, der eine Orientierungsabflachung zum Angeben einer Kristallorientierung aufweist.
Beschreibung des Stands der Technik
In einem Herstellungsprozess für einen Bauelementchip wird ein Wafer, der mehrere Bauelemente wie integrierte Schaltungen (ICs) und Large-Scale-Integrations (LSIs) aufweist, verwendet, wobei die jeweiligen Bauelemente in mehreren getrennten Bereichen ausgebildet sind, die durch mehrere sich kreuzende Teilungslinien (Straßen) definiert sind. Durch Teilen des Wafers entlang der Teilungslinien, werden mehrere Bauelementchips, die jeweils die Bauelemente beinhalten, erhalten. Diese Bauelementchips werden in verschiedenen Arten elektronischer Ausstattungen wie Mobiltelefonen und Personalcomputern eingebaut. In den vergangenen Jahren ist es notwendig geworden, die Größe und Dicke von jedem Bauelementchip zusammen mit der Reduktion der Größe und Dicke der elektronischen Ausstattungen zu reduzieren. Um diesen Anforderungen gerecht zu werden, wird ein Verfahren zum Schleifen des Wafers vor dem Teilen des Wafers durchgeführt, wodurch die Dicke des Wafers reduziert wird. Durch Teilen des Wafers nach dem dünnen Ausgestalten des Wafers können die Bauelementchips, die in ihrer Dicke reduziert sind, erhalten werden.
Der Wafer wird unter Verwendung einer Schleifvorrichtung geschliffen, die einen Einspanntisch zum Halten des Wafers und eine Schleifeinheit zum Schleifen des Wafers beinhaltet. Die Schleifeinheit beinhaltet eine Schleifscheibe, die mehrere abrasive Elemente zum Schleifen des Wafers aufweist. In dem Zustand, in dem der Wafer an dem Einspanntisch gehalten ist, werden beide, der Einspanntisch und die Schleifscheibe, gedreht und die abrasiven Elemente der Schleifenscheibe, die gedreht wird, werden in Kontakt mit dem Wafer gebracht, der durch den Einspanntisch, der gedreht wird, gehalten ist, wodurch der Wafer geschliffen wird, um die Dicke des Wafers zu reduzieren (siehe zum Beispiel JP 2003-209080 A und JP 2015-205358A ).
DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
Es existiert ein Fall, dass eine Orientierungsabflachung zum Angeben einer Kristallorientierung an dem Wafer ausgebildet ist. Die Orientierungsabflachung wird durch gerades Abschneiden eines Teils des umfänglichen Abschnitts des Wafers ausgebildet, wobei der Teil in einer vorbestimmten Positionsbeziehung mit der Kristallorientierung des Wafers steht. Beim Bearbeiten des Wafers wird die Orientierung des Wafers entsprechend der Position der Orientierungsabflachung angepasst.
Es wurde bestätigt, dass, wenn der Wafer, der die Orientierungsabflachung aufweist, durch eine Schleifvorrichtung geschliffen wird, das Schleifen des Wafers dahingehend anfällig ist, dass es in einem Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung (Nahbereich) wahrscheinlich fortschreitet, sodass die Dicke des Wafers in diesem Nahbereich nach dem Schleifen kleiner als in anderen Bereichen ist. Dieses Phänomen existiert wahrscheinlich aufgrund der Tatsache, dass der Kontaktbereich, in dem die abrasiven Elemente in Kontakt mit dem Wafer beim Schleifen des Nahbereichs des Wafers kommen, kleiner ist, als das beim Schleifen der anderen Bereiche des Wafers ist, sodass eine Last auf die abrasiven Elemente in dem Nahbereich reduziert wird und entsprechend der Wafer einfacher durch die abrasiven Elemente in dem Nahbereich als in den anderen Bereichen geschliffen wird. Entsprechend, wenn die Schleifvorrichtung verwendet wird, um den Wafer, der die Orientierungsabflachung aufweist, dünn auszugestalten, können Variationen der Dicke des Wafers, der geschliffen wurde, unvermeidlich auftreten. Solche Variationen der Dicke des Wafers können ein Problem verursachen, sodass es schwierig wird, den Wafer in einem folgenden Schritt geeignet zu halten und zu bearbeiten. Ferner existiert auch eine Möglichkeit, dass die Bauelementchips, die durch Teilen des Wafers erhalten werden, einen Maßfehler aufweisen.
Es ist darum ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Waferschleifverfahren bereitzustellen, welches die Variationen der Dicke eines Wafers, der eine Orientierungsabflachung aufweist, reduzieren kann.
In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Waferschleifverfahren zum Schleifen eines Wafers, der eine Orientierungsabflachung zum Angeben einer Kristallorientierung aufweist, in dem Zustand bereitgestellt, in dem der Wafer an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs gehalten ist, wobei der Einspanntisch einen Saughalteabschnitt zum Halten des Wafers unter einem Saugen und einen Rahmenabschnitt, der den Saughalteabschnitt umgibt, aufweist, wobei der Saughalteabschnitt einen ersten ausgeschnittenen Abschnitt entsprechend der Orientierungsabflachung aufweist, der Rahmenabschnitt einen zweiten ausgeschnittenen Abschnitt entlang dem ersten ausgeschnittenen Abschnitt aufweist. Das Waferschleifverfahren beinhaltet einen Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen der Halteoberfläche durch abrasive Elemente einer Schleifscheibe in dem Zustand, in dem der Einspanntisch und die Schleifscheibe gedreht werden, wobei die Halteoberfläche eine obere Oberfläche des Saughalteabschnitts beinhaltet und eine obere Oberfläche des Rahmenabschnitts beinhaltet, einen Halteschritt zum Halten des Wafers an der Halteoberfläche, die durch die abrasiven Elemente in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche geschliffen wurde, in dem Zustand, in dem die Position der Orientierungsabflachung mit den Positionen des ersten ausgeschnittenen Abschnitts und des zweiten ausgeschnittenen Abschnitts zusammenfällt, und einen Waferschleifschritt zum Schleifen des Wafers unter Verwendung der abrasiven Elemente in dem Zustand, in dem der Wafer an der Halteoberfläche gehalten ist, der durch die abrasiven Elemente geschliffen wurde.
Vorzugsweise ist das Material des Saughalteabschnitts und des Rahmenabschnitts das Gleiche wie das Material des Wafers.
Das Waferschleifverfahren entsprechend der vorliegenden Erfindung beinhaltet den Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen der Halteoberfläche des Einspanntischs, der den ersten ausgeschnittenen Abschnitt und den zweiten ausgeschnittenen Abschnitt aufweist, und den Waferschleifschritt zum Schleifen des Wafers, der die Orientierungsabflachung aufweist, in dem Zustand, in dem der Wafer, der an der Halteoberfläche gehalten ist, die in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche geschliffen wurde. Durch Verwendung des Waferschleifverfahrens, wie oben beschrieben, wird der Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung des Wafers durch den Bereich in der Nähe des ersten ausgeschnittenen Abschnitts und des zweiten ausgeschnittenen Abschnitts des Einspanntischs gehalten, wobei ein vertiefter Abschnitt durch Durchführen des Schleifschritts für eine Halteoberfläche ausgebildet wird. Entsprechend kann ein lokales Schleifen des Wafers in dem Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung reduziert werden, sodass Variationen der Dicke des geschliffenen Wafers reduziert werden können.
Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art, diese zu realisieren, werden ersichtlicher und die Erfindung selbst wird am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und der angehängten Ansprüche unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung zeigen, verstanden.
Figurenliste

1A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Wafer darstellt, der eine Orientierungsabflachung aufweist;
1B ist eine perspektivische Ansicht des Wafers in dem Zustand, in dem der Wafer durch abrasive Elemente geschliffen wurde;
2 ist eine perspektivische Ansicht, die eine Schleifvorrichtung darstellt;
3A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Einspanntisch darstellt, der in der Schleifvorrichtung, die in 2 dargestellt ist, beinhaltet ist;
3B ist eine Aufsicht des Einspanntischs, der in 3A dargestellt ist;
4A ist eine perspektivische Ansicht des Einspanntischs in dem Zustand, in dem der Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen einer Halteoberfläche des Einspanntischs durchgeführt wurde;
4B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des Einspanntischs, der in 4A dargestellt ist;
5A ist eine perspektivische Ansicht, die einen Halteschritt zum Halten des Wafers an der Halteoberfläche darstellt, die durch abrasive Elemente in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche geschliffen wurde;
5B ist eine vergrößerte Ansicht eines wesentlichen Teils des Wafers, der an der Halteoberfläche des Einspanntischs gehalten ist, in dem Zustand, in dem der Halteschritt durchgeführt wurde;
6 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schleifschritt für einen Wafer zum Schleifen des Wafers darstellt, der an der Halteoberfläche, die geschliffen wurde, gehalten ist;
7 ist eine perspektivische Ansicht des Wafers in dem Zustand, in dem der Schleifschritt für einen Wafer durchgeführt wurde;
8A ist eine Aufsicht, die den Einspanntisch in dem Fall darstellt, dass die Breite des Grenzabschnitts klein ist; und
8B ist eine Aufsicht, die den Einspanntisch in dem Fall darstellt, dass die Breite des Grenzabschnitts groß ist.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORM
Eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird jetzt mit Bezug zu den angehängten Figuren beschrieben. Es wird zuerst die Konfiguration eines Wafers 11, der durch ein Waferschleifverfahren entsprechend der bevorzugten Ausführungsform bearbeitet werden kann, mit Bezug zu 1A beschrieben. 1A ist eine perspektivische Ansicht des Wafers 11. Zum Beispiel ist der Wafer 11 ein scheibenförmiger Siliziumwafer. Der Wafer 11 weist eine vordere Seite (erste Oberfläche) 11a und eine hintere Seite (zweite Oberfläche) 11b auf. Eine Orientierungsabflachung (ausgeschnittener Abschnitt) 11c zum Angeben der Kristallorientierung des Wafers 11 ist an einem Teil des umfänglichen Abschnitts des Wafers 11 ausgebildet. Die Orientierungsabflachung 11c entspricht einem Teil der umfänglichen Kante (Seitenoberfläche) des Wafers 11. Der Teil ist in einer Aufsicht gerade. Die Orientierungsabflachung 11c wird durch gerades Ausschneiden eines Teils des umfänglichen Abschnitts des Wafers 11 ausgebildet, wobei der Teil in einer vorbestimmten Positionsbeziehung zu der Kristallorientierung des Wafers 11 ist. Das heißt, dass die Orientierungsabflachung 11c an einer vorbestimmten Position in Übereinstimmung der Kristallorientierung des Wafers 11 ausgebildet ist. Entsprechend durch Überprüfen der Position der Orientierungsabflachung 11c kann die Kristallorientierung des Wafers 11 erfasst werden. Der Wafer 11 ist nicht bezüglich Material, Form, Aufbau, Größe usw. beschränkt. Zum Beispiel kann der Wafer aus Halbleitern (zum Beispiel GaAs, InP, GaN und SiC) anstelle von Silizium ausgebildet sein. Darüber hinaus kann der Wafer 11 ein Substrat oder dergleichen sein, das aus Lithiumtantalat oder Lithiumniobat ausgebildet ist.
Obwohl nicht dargestellt, sind mehrere sich kreuzende Teilungslinien (Straßen) an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet, wodurch mehrere rechteckige getrennte Bereiche definiert werden, an denen mehrere Bauelemente wie ICs, LSIs und mikroelektromechanische Systeme (MEMS) Bauelemente jeweils ausgebildet sind. Das heißt, dass die mehreren Bauelemente vorher an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 ausgebildet werden. Durch Teilen des Wafers 11 entlang der mehreren Teilungslinien können mehrere Bauchips (Bauelementchips), die jeweils die Bauelemente beinhalten, hergestellt werden. Ferner sind die Bauelemente, die an dem Wafer 11 ausgebildet sind, nicht hinsichtlich ihrer Art, Anzahl, Form, Aufbau, Größe, Anordnung usw. beschränkt.
Vor dem Teilen des Wafers 11 wird der Wafer 11 dünn ausgestaltet zum Zweck des dünnen Ausgestaltens von jedem Chip. Solch ein dünnes Ausgestalten des Wafers 11 wird zum Beispiel durch Schleifen der hinteren Seite 11b des Wafers 11 mit abrasiven Elementen durchgeführt. Solch ein Schleifen des Wafers 11 wird unter Verwendung einer Schleifvorrichtung 10, die in 2 dargestellt ist, durchgeführt. 2 ist eine perspektivische Ansicht der Schleifvorrichtung 10. Die Schleifvorrichtung 10 beinhaltet einen Einspanntisch (Haltetisch) 12 zum Halten des Wafers 11 und eine Schleifeinheit 20 zum Schleifen des Wafers 11, der durch den Einspanntisch 12 gehalten ist.
3A ist eine perspektivische Ansicht des Einspanntischs 12 und 3B ist eine Aufsicht des Einspanntischs 12. Der Einspanntisch 12 beinhaltet eine zylindrische Basis (Körperabschnitt) 14, die zum Beispiel aus Metall, Glas, Keramik oder Kunststoff ausgebildet ist. Als das Metall kann Edelstahl (SUS) verwendet werden. Die Basis 14 weist eine obere Oberfläche 14a auf und ein plattenförmiger Saughalteabschnitt 16 ist an der oberen Oberfläche 14a an seinem zentralen Abschnitt bereitgestellt, sodass er von der oberen Oberfläche 14a nach oben hervorsteht. Der Saughalteabschnitt 16 ist aus einem porösen Material wie einer porösen Keramik ausgebildet. Der Saughalteabschnitt 16 entspricht einem Saugbereich zum Ansaugen des Wafers 11 beim Halten des Wafers 11 an dem Einspanntisch 12.
Der Saughalteabschnitt 16 weist eine Form entsprechend der Form des Wafers 11 auf. Zum Beispiel weist der Saughalteabschnitt 16 eine obere Oberfläche 16a auf, die im Wesentlichen die gleiche Form und Größe wie die des Wafers 11 in einer Aufsicht aufweist. Ferner ist ein ausgeschnittener Abschnitt (erste ausgeschnittener Abschnitt) 16b entsprechend der Orientierungsabflachung 11c (siehe 1A) des Wafers 11 an einem Teil des umfänglichen Abschnitts des Saughalteabschnitts 16 ausgebildet. Der ausgeschnittene Abschnitt 16b entspricht einem Teil der umfänglichen Kante (Seitenoberfläche) des Saughalteabschnitts 16, wobei der Teil gerade in einer Aufsicht ist. Zum Beispiel weist der ausgeschnittene Abschnitt 16b eine Länge im Wesentlichen gleich der Länge der Orientierungsabflachung 11c des Wafers 11 auf.
Ein ringförmiger Rahmenabschnitt 18 ist um den Saughalteabschnitt 16 bereitgestellt, sodass er die Seitenoberfläche des Saughalteabschnitts 16 umgibt. Der Rahmenabschnitt 18 ist entlang der umfänglichen Kante (Seitenoberfläche) des Saughalteabschnitts 16 ausgebildet, sodass er von der oberen Oberfläche 14a der Basis 14 hervorsteht. Der Rahmenabschnitt 18 weist eine Höhe im Wesentlichen gleich der Höhe des Saughalteabschnitts 16 von der oberen Oberfläche 14a der Basis 14 ausgemessen auf. Das heißt, dass der Rahmenabschnitt 18 eine obere Oberfläche 18a aufweist und die Oberfläche 18a im Wesentlichen auf derselben Ebene wie die obere Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 ist. Das heißt, dass die obere Oberfläche 18a des Rahmenabschnitts 18 bündig mit der oberen Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 ist. Der Rahmenabschnitt 18 kann integral mit der Basis 14 ausgebildet sein oder kann getrennt von der Basis 14 ausgebildet sein. In letzterem Fall unterscheidet sich das Material des Rahmenabschnitts 18 von dem Material der Basis 14. Beispiele des verwendbaren Materials für den Rahmenabschnitt 18 sind ähnlich zu denen des Materials der Basis 14, die oben beschrieben sind.
Der Rahmenabschnitt 18 ist entlang der umfänglichen Kante des Saughalteabschnitts 16 ausgebildet, sodass dieser eine vorbestimmte Breite aufweist. Entsprechend weist der Rahmenabschnitt 18 einen ausgeschnittenen Abschnitt (zweiten ausgeschnittenen Abschnitt) 18b in einem Bereich benachbart zu dem ausgeschnittenen Abschnitt 16b des Saughalteabschnitts 16 auf, sodass der ausgeschnittene Abschnitt 18b des Rahmenabschnitts 18 sich entlang dem ausgeschnittenen Abschnitt 16b des Saughalteabschnitts 16 erstreckt. Zum Beispiel, wie in 3B dargestellt, ist der ausgeschnittene Abschnitt 18b des Rahmenabschnitts 18 im Wesentlichen parallel zu dem ausgeschnittenen Abschnitt 16b des Saughalteabschnitts 16. Der ausgeschnittene Abschnitt 18b entspricht einem Teil der umfänglichen Kante (Seitenoberfläche) des Rahmenabschnitts 18, wobei der Teil hinsichtlich seiner Form gerade in einer Aufsicht ist.
Die obere Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 und die obere Oberfläche 18a des Rahmenabschnitts 18 bilden eine Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 zum Halten des Wafers 11 aus. Das heißt, dass der Wafer 11 dazu angepasst ist, an der Halteoberfläche 12a, welche die Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 und die obere Oberfläche 18a des Rahmenabschnitts 18 beinhaltet, gehalten zu werden. Die Halteoberfläche 12a ist eine flache Oberfläche, die in einer horizontalen Ebene ausgebildet ist. Die Halteoberfläche 12a ist durch den porösen Saughalteabschnitt 16 und einen Saugdurchgang (nicht dargestellt) mit einer Vakuumquelle (nicht dargestellt) wie einem Strahlverdichter zum Ausbilden eines Vakuums verbunden, wobei der Saugdurchgang in der Basis 14 ausgebildet ist. Beim Halten des Wafers 11 durch den Einspanntisch 12 wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a befestigt.
Als eine Modifikation kann der Saughalteabschnitt 16 aus einem nicht porösen Material wie einem nicht porösen Metall, Glas, Keramik und Kunststoff ausgebildet sein. In dem Fall, dass der Saughalteabschnitt 16 aus einem nicht porösen Material ausgebildet ist, werden mehrere Durchgangslöcher in dem Saughalteabschnitt 16 ausgebildet, sodass sie sich von der oberen Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 zu der unteren Oberfläche erstrecken. In diesem Fall wird die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 durch diese Durchgangslöcher mit einer Vakuumquelle verbunden.
Der Einspanntisch 12 ist mit einer Drehantriebsquelle (nicht dargestellt) wie einem Motor verbunden, sodass der Einspanntisch 12 um seine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung durch Betätigen dieser Drehantriebsquelle gedreht werden kann. Ferner ist der Einspanntisch 12 mit einem Bewegungsmechanismus (nicht dargestellt) verbunden, sodass der Einspanntisch 12 in einer horizontalen Richtung durch Betätigung dieses Bewegungsmechanismus bewegt werden kann.
Wie in 2 dargestellt, ist die Schleifeinheit 20 oberhalb des Einspanntischs 12 angeordnet. Die Schleifeinheit 20 beinhaltet ein zylindrisches Gehäuse 22, das an einem Hebemechanismus (nicht dargestellt) befestigt ist, sodass das Gehäuse 22 vertikal durch diesen Hebemechanismus bewegt werden kann. Eine zylindrische Spindel 24 ist drehbar in dem Gehäuse getragen. Die Spindel 24 erstreckt sich in einer vertikalen Richtung senkrecht zu der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12. Das heißt, dass die Spindel 24 eine Achse im Wesentlichen parallel zu einer vertikalen Richtung aufweist und um diese Achse drehbar ist. Ein unterer Endabschnitt (vorderer Endabschnitt) der Spindel 24 steht von dem unteren Ende des Gehäuses 22 hervor und eine scheibenförmige Befestigung 26, die aus einem Metall oder dergleichen ausgebildet ist, ist an dem unteren Ende der Spindel 24 ausgebildet. Eine Schleifscheibe 28 ist an der unteren Oberfläche der Befestigung 26 befestigt. Die Schleifscheibe 28 dient dazu, den Wafer 11, der durch den Einspanntisch 12 gehalten ist, zu schleifen.
Die Schleifscheibe 28 beinhaltet eine ringförmige Scheibenbasis 30, die zum Beispiel aus Metall (zum Beispiel Edelstahl, Aluminium) oder Kunststoff ausgebildet ist. Die Scheibenbasis 30 weist einen Durchmesser im Wesentlichen gleich dem Durchmesser der Befestigung 26 auf. Die obere Oberfläche der Scheibenbasis 30 ist an dem unteren Ende der Befestigung 26 fixiert. Die Schleifscheibe 28 beinhaltet ferner mehrere abrasive Elemente 32, die an der unteren Oberfläche der Scheibenbasis 30 fixiert sind. Jedes abrasive Element weist eine Scheibenform wie ein rechteckiges Prisma auf. Jedes abrasive Element 32 ist durch Fixieren abrasiver Körner mit einem Bindemittel ausgebildet. Beispiele abrasiver Körner beinhalten Diamant und kubisches Bornitrid (cBN). Beispiele des Bindemittels beinhalten ein Metallbindemittel, ein Kunststoffbindemittel und ein verglastes Bindemittel. Die mehreren abrasiven Elemente 32 sind im Wesentlichen in gleichen Abständen entlang dem äußeren Umfang der Scheibenbasis 30 angeordnet. Jedes abrasive Element 32 ist hinsichtlich Material, Form, Struktur, Größe usw. nicht beschränkt. Ferner kann die Anzahl der abrasiven Elemente 32, die an der Scheibenbasis 30 fixiert sind, wie gewünscht gesetzt sein.
Eine Drehantriebsquelle (nicht dargestellt), wie ein Motor, ist mit dem oberen Ende (Basisende) der Spindel 24 verbunden, sodass die Spindel 24 um ihre Achse durch Betätigen dieser Drehantriebsquelle gedreht werden kann. Entsprechend kann die Schleifscheibe 28, die an der Befestigung 26 fixiert ist, um ihre Achse gedreht werden, die mit der Achse der Spindel 24 zusammenfällt, durch das Drehmoment, das von der Drehantriebsquelle durch die Spindel 24 übertragen wird. Ferner ist die Schleifeinheit 20 mit einer Schleiffluidzufuhrleitung (nicht dargestellt) zum Zuführen eines Schleiffluids wie reinem Wasser bereitgestellt.
Beim Schleifen des Wafers 11, der in 1A dargestellt ist, unter Verwendung der Schleifvorrichtung 10 wird der Wafer 11 zuerst an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 gehalten. In dem Fall des Schleifens der hinteren Seite 11b des Wafers 11 wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 11a des Wafers 11 gegenüber der Halteoberfläche 12a ist und die hintere Seite 11b des Wafers 11 nach oben freiliegt. Danach wird der Einspanntisch 12, der den Wafer 11 hält, zu der Position unterhalb der Schleifeinheit 20 bewegt. In diesem Zustand werden beide, der Einspanntisch 12 und die Schleifscheibe 28, gedreht und die Schleifscheibe 28 wird abgesenkt. Wenn die abrasiven Elemente 32 in Kontakt mit der hinteren Seite 11b des Wafers 11 kommen, wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen. Entsprechend wird der Wafer 11 geschliffen, um dünn ausgestaltet zu werden.
1B ist eine perspektivische Ansicht des Wafers 11, der durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wurde. Wenn die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wurde, bleiben Schleifspuren 11d an der hinteren Seite 11b des Wafers 11, sodass sie sich radial von dem Zentrum des Wafers 11 zu der umfänglichen Kante, wie in 1B dargestellt, erstrecken. Die Schleifspuren 11d bleiben über, sodass sie gekrümmte Linien entlang des Bewegungspfads der abrasiven Elemente 32 der Schleifscheibe 28 bilden, die gedreht wird.
In dem Fall, dass die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 flach ist, treten wahrscheinlich Dickenvariationen des Wafers 11 beim Schleifen des Wafers 11, der an der Halteoberfläche 12a gehalten ist, bei Verwendung der abrasiven Elemente 32 auf. Genauer gesagt ist das Schleifen des Wafers 11 dafür anfällig, in einem Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c fortzufahren, sodass der Wafer 11, der durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wird, dazu neigt in diesem Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c dünner als in den anderen Bereichen des Wafers 11 zu werden. In 1B ist dieser Nahbereich der Orientierungsabflachung 11c als ein Nahbereich 11e in einem Muster dargestellt. Der Nahbereich 11e entspricht einem Bereich, der zwischen zwei Linien, die das Zentrum des Wafers 11 mit den gegenüberliegenden Enden der Orientierungsabflachung 11c in einer Aufsicht verbinden, definiert ist. In dem Nahbereich 11e des Wafers 11 ist der Abstand von dem Zentrum des Wafers 11 zu der umfänglichen Kante kürzer als der in den anderen Bereichen des Wafers 11. Die Orientierungsabflachung 11c wird durch Entfernen eines Teils des umfänglichen Abschnitts des Wafers 11 ausgebildet. Entsprechend beim Schleifen des Nahbereichs 11e des Wafers 11 wird der Kontaktbereich, an dem die abrasiven Elemente 32 in Kontakt mit dem Wafer 11 kommen, kleiner als der beim Schleifen der anderen Bereiche des Wafers 11. Als ein Ergebnis ist die Last der abrasiven Elemente 32 beim Schleifen des Nahbereichs 11e des Wafers 11 reduziert, sodass der Wafer 11 durch die abrasiven Elemente 32 einfacher in dem Nahbereich 11c als in den anderen Bereichen geschliffen werden kann. Das heißt, dass das Schleifen des Wafers 11 lokal in dem Nahbereich 11e fortgeführt wird, sodass Variation der Schleifmenge des Wafers 11 auftreten. Das heißt, dass Variationen der Dicke des Wafers 11, der geschliffen wurde, auftreten.
In dem Waferschleifverfahren entsprechend einer bevorzugten Ausführungsform zum Lösen des obigen Problems wird die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12, der die ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b (siehe 2) aufweist, entsprechend der Orientierungsabflachung 11c durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen, um dadurch die Form der Halteoberfläche 12a zu modifizieren. Durch Durchführen eines solchen Schleifens der Halteoberfläche 12a wird ein Nahbereich der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b des Einspanntischs 12 vorzugsweise geschliffen, um dadurch Variationen in der vertikalen Position an der Halteoberfläche 12a auszubilden. Danach wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a gehalten, die durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wurde, und der Wafer 11 wird als nächstes durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen. Zu diesem Zeitpunkt wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a in einer solchen Weise gehalten, dass der Bereich 11e in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c gekrümmt (vertieft) ist, aufgrund der Variationen der vertikalen Position an der Halteoberfläche 12a, sodass der Nahbereich 11e weniger einfach als die anderen Bereiche geschliffen wird. Entsprechend können Variationen der Schleifmenge des Wafers 11 ausgeglichen werden, sodass Variationen in der Dicke des Wafers 11 reduziert werden.
Das Waferschleifverfahren entsprechend der bevorzugten Ausführungsform wird jetzt genauer beschrieben. Zuerst wird die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 durch abrasive Elemente 32 geschliffen (Schleifschritt für Halteoberfläche). In dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche wird der Einspanntisch 12 so positioniert, dass der Saughalteabschnitt 16 und der Rahmenabschnitt 18 mit den abrasiven Elementen 32, wie in 2 dargestellt, überlappen. Zum Beispiel wird die Position des Einspanntischs 12 in einer horizontalen Richtung angepasst, sodass die Drehachse (Zentrum) des Einspanntischs 12 auf dem Bewegungspfad der abrasiven Elemente 32 beim Schleifen der Schleifscheibe 28 in einer Aufsicht liegen.
Danach wird der Einspanntisch 12 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit in einer vorbestimmten Richtung gedreht und die Schleifscheibe 28 wird auch in einer vorbestimmten Geschwindigkeit in einer vorbestimmten Richtung gedreht. Danach wird die Schleifscheibe 28 zu dem Einspanntisch 12 abgesenkt. Zu diesem Zeitpunkt werden die mehreren abrasiven Elemente 32 bewegt, sodass sie durch die Drehachse des Einspanntischs 12 in eine Aufsicht laufen. Ferner wird die Absenkgeschwindigkeit der Schleifscheibe 28 angepasst, sodass die mehreren abrasiven Elemente 32 gegen die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 durch eine geeignete Kraft gedrückt werden. Wenn die Schleifscheibe 28 abgesenkt wird, um die unteren Oberflächen der mehreren abrasiven Elemente 32 in Kontakt mit der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 zu bringen, wird die Halteoberfläche 12a durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen. Entsprechend wird die Form der Halteoberfläche 12a modifiziert. Während des Schleifens der Halteoberfläche 12a wird ein Schleiffluid wie reines Wasser zu der Halteoberfläche 12a und den mehreren abrasiven Elementen 32 zugeführt. Durch Zuführen des Schleiffluids werden die Halteoberfläche 12a und die mehreren abrasiven Elemente 32 gekühlt und Staub (Schleifstaub), der durch Schleifen der Halteoberfläche 12a generiert wird, wird weggewaschen.
4A ist eine perspektivische Ansicht des Einspanntischs 12 in dem Zustand, in dem der Schleifschritt für eine Halteoberfläche durchgeführt wurde und 4B ist eine vergrößerte Schnittansicht, die einen wesentlichen Teil des Einspanntischs 12 darstellt, der in 4A dargestellt ist. Genauer gesagt ist 4B eine vergrößerte Querschnittsansicht, die entlang Linie A-A' in 4A gemacht wurde. Wenn die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wurde, werden Schleifspuren 12b an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 ausgebildet, sodass sie sich radial von dem Zentrum der Halteoberfläche 12a zu der umfänglichen Kante, wie in 4A dargestellt, erstrecken. Die Schleifspur 12b bleibt über, sodass sie gekrümmte Linien entlang dem Bewegungspfad der abrasiven Elemente 32 der Schleifscheibe 28, die gedreht wird, ausbildet.
Wie oben beschrieben weisen der Saughalteabschnitt 16 und der Rahmenabschnitt 18 den ausgeschnittenen Abschnitt 16b und den ausgeschnittenen Abschnitt 18b jeweils auf, welche der Orientierungsabflachung 11c des Wafers 11 (siehe 1A) entsprechen. In 4A bezeichnet ein Bezugszeichen 12c einen Bereich in der Nähe der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b des Saughalterabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18 und der Bereich 12c ist als ein Nahbereich gemustert. Der Nahbereich 12c entspricht einem Bereich, der zwischen zwei Linien definiert ist, welche das Zentrum der Halteoberfläche 12a mit den gegenüberliegenden Enden des ausgeschnittenen Abschnitts 18b des Rahmenabschnitts 18 in einer Aufsicht verbinden. In dem Nahbereich 12c ist der Abstand von dem Zentrum des Saughalteabschnitts 16 (das heißt dem Zentrum der Halteoberfläche 12a) zu der umfänglichen Kante des Rahmenabschnitts 18 (das heißt der umfänglichen Kante des Halteabschnitts 12a) kürzer als der in den anderen Bereichen der Halteoberfläche 12a.
Beim Schleifen des Nahbereichs 12c des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18 wird der Kontaktbereich, an dem die abrasiven Elemente 32 in Kontakt mit der Halteoberfläche 12a kommen, kleiner als beim Schleifen der anderen Bereiche des Einspanntischs 12. Als ein Ergebnis wird die Last auf die abrasiven Elemente 32 beim Schleifen des Nahbereichs 12c reduziert, sodass die Halteoberfläche 12a durch die abrasiven Elemente 32 einfacher in dem Nahbereich 12c als in anderen Bereichen geschliffen wird. Das heißt, dass das Schleifen der Halteoberfläche 12a lokal in dem Nahbereich 12c fortgeführt wird, sodass Variationen in der vertikalen Position der Halteoberfläche 12a auftreten. Genauer gesagt, in dem Zustand nach dem Schleifen der Halteoberfläche 12a, ist die Dicke des Einspanntischs 12 in dem Nahbereich 12c des Saughalteabschnitts 16 und dem Rahmenabschnitt 18 kleiner als in den anderen Bereichen. Das heißt, dass die obere Oberfläche des Nahbereichs 12c des Einspanntischs 12 geschliffen wird, sodass sie gekrümmt (vertieft) ist, zwischen einem Ende des Nahbereichs 12c und dem anderen Ende, wie in 4B dargestellt (das heißt zwischen gegenüberliegenden Enden des Nahbereichs 12c wie in 4B gezeigt). Das heißt, dass die Halteoberfläche 12a in dem Nahbereich 12c nur durch den Schleifschritt für eine Halteoberfläche vertieft ist.
Nach dem Durchführen des Schleifschritts für eine Halteoberfläche wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a, die durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wurde (Halteschritt), gehalten. 5A ist eine perspektivische Ansicht, die eine Weise des Haltens des Wafers 11 an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 in dem Halteschritt darstellt. In dem Halteschritt wird der Wafer 11 zuerst an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 in dem Zustand platziert, in dem die Oberfläche, die durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen werden soll, nach oben freiliegt. Zum Beispiel, wie in 5A dargestellt, wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 in dem Zustand gehalten, in dem die vordere Seite 11a gegenüber der Halteoberfläche 12a ist und die hintere Seite 11b nach oben freiliegt. Zu diesem Zeitpunkt ist der Wafer 11 so platziert, dass er das Gesamte der oberen Oberfläche 16a des Saughalteabschnitts 16 bedeckt.
Ferner, in dem Halteschritt, wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a in dem Zustand platziert, in dem die Position der Orientierungsabflachung 11c mit der Position der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b des Saughalteabschnitts 16 und dem Rahmenabschnitt 18 zusammenfällt. Genauer gesagt ist der Bereich 11e in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c des Wafers 11 über dem Bereich 12c in der Nähe der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b, das heißt dem Nahbereich 12c des Einspanntischs 12, übereinandergelegt. Ferner wird der Wafer 11 so platziert, dass die Längsrichtung der Orientierungsabflachung 11c im Wesentlichen parallel zu der Längsrichtung der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b ist. In diesem Zustand wird die Vakuumquelle, die mit dem Saughalteabschnitt 16 verbunden ist, betätigt, um ein Vakuum auf der Halteoberfläche 12a anzulegen, sodass der Wafer 11 zu dem Saughalteabschnitt 16 angesaugt wird und unter einem Saugen an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 gehalten wird. Als eine Modifikation kann ein Schutzelement an der vorderen Seite 11a des Wafers 11 angebracht werden, sodass die Bauelemente, die an der vorderen Seite 11a ausgebildet werden, geschützt werden. Als das Schutzelement kann ein Schutzelement, das aus einem flexiblen Plastik oder dergleichen ausgebildet ist, verwendet werden. In diesem Fall wird der Wafer durch das Schutzelement an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 gehalten.
5B ist eine vergrößerte Schnittansicht eines wesentlichen Teils des Wafers 11, der unter einem Saugen an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 gehalten ist. Wie in 5B dargestellt, ist die Dicke des Saughalteabschnitts 16 in dem Nahbereich 12c kleiner als die in den anderen Bereichen. Entsprechend, wenn der Wafer 11 unter einem Saugen an der Halteoberfläche 12a gehalten ist, wird der Wafer 11 teilweise entsprechend der modifizierten Form der Halteoberfläche 12a gekrümmt. Genauer gesagt kommt die vordere Seite 11a des Wafers 11 in dem Nahbereich 11e, der auf dem hinteren Bereich 12c des Einspanntischs 12 ist, in engen Kontakt mit der Halteoberfläche 12a. Das heißt, dass der hintere Bereich 11e des Wafers 11 gekrümmt (vertieft) nach unten ist, sodass dieser an der vertieften oberen Oberfläche des Nahbereichs 12c des Einspanntischs 12, wie in 5B dargestellt, angepasst ist.
Nach dem Durchführen des Halteschritts wird der Wafer 11, der an der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 gehalten ist, durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen (Waferschleifschritt). 6 ist eine perspektivische Ansicht, die den Waferschleifschritt unter Verwendung der Schleifvorrichtung 10 darstellt. In dem Waferschleifschritt wird der Einspanntisch 12 so positioniert, dass der Wafer 11 mit den abrasiven Elementen 32 überlappt. Zum Beispiel wird die Position des Einspanntischs 12 in einer horizontalen Richtung so angepasst, dass die Drehachse des Einspanntischs 12 (Zentrum des Wafers 11) an dem Bewegungspfad der abrasiven Elemente 32 beim Drehen der Schleifscheibe 28 in einer Aufsicht liegt.
Danach wird der Einspanntisch 12 mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit in einer vorbestimmten Richtung gedreht und die Schleifscheibe 28 wird auch mit einer vorbestimmten Geschwindigkeit in einer vorbestimmten Richtung gedreht. Danach wird die Schleifscheibe 28 zu dem Einspanntisch 12 abgesenkt. Zu diesem Zeitpunkt werden die mehreren abrasiven Elemente 32 bewegt, sodass sie durch die Drehachse des Einspanntischs 12 (dem Zentrum des Wafers 11) in einer Aufsicht laufen. Ferner wird die Absenkgeschwindigkeit der Schleifscheibe 28 angepasst, sodass die mehreren abrasiven Elemente 32 gegen die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch eine geeignete Kraft gedrückt werden. Wenn die Schleifscheibe 28 abgesenkt wird, um die unteren Oberflächen der mehreren abrasiven Elemente 32 in Kontakt mit der hinteren Seite 11b des Wafers 11 zu bringen, wird die hintere Seite 11b des Wafers 11 durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen. Entsprechend wird der Wafer 11 dünn ausgestaltet. Während des Schleifens des Wafers 11 wird ein Schleiffluid wie reines Wasser zu dem Wafer 11 und den mehreren abrasiven Elementen 32 zugeführt. Durch Zuführen des Schleiffluids werden der Wafer 11 und die mehreren abrasiven Elemente 32 gekühlt und Staub (Schleifstaub), der durch Schleifen des Wafers 11 generiert wird, wird weggewaschen.
Wenn die Dicke des Wafers 11 auf eine gewünschte Dicke in dem Waferschleifschritt reduziert wurde, wird das Schleifen des Wafers 11 angehalten. 7 ist eine perspektivische Ansicht des Wafers 11 in dem Zustand, in dem der Waferschleifschritt durchgeführt wurde. Wenn die hintere Seite 11b des Wafers 11 geschliffen wurde, ist die Schleifspur 11d radial an der hinteren Seite 11b des Wafers 11 ausgebildet.
Wie oben beschrieben, in dem Fall, dass die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 flach ist, ist das Schleifen des Wafers 11 dafür anfällig, an dem Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c, das heißt in dem Nahbereich 11e des Wafers 11, vorzuschreiten. Entsprechend ist der Nahbereich 11e des Wafers 11 dafür anfällig, dünner als die anderen Bereiche des Wafers 11 (siehe 1B) zu werden. Im Gegensatz dazu, entsprechend in dem Waferschleifverfahren entsprechend der bevorzugten Ausführungsform, wird der Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 lokal weiter als die anderen Bereiche des Einspanntischs 12 in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche (siehe 4A und 4B) geschliffen. In dem nächsten Halteschritt wird der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a, die so modifiziert, hinsichtlich ihrer Form, wurde, geschliffen. Entsprechend, wie in 5B dargestellt, wird die hintere Seite 11b des Nahbereichs 11e des Wafers 11, der an der Halteoberfläche 12a gehalten ist, weniger hoch als die hintere Seite 11b der anderen Bereiche des Wafers 11. Als ein Ergebnis sind in dem Waferschleifschritt die abrasiven Elemente 32 weniger anfällig dafür, in Kontakt mit dem Nahbereich 11e des Wafers 11 zu kommen, sodass der Nahbereich 11e weniger einfach durch die abrasiven Elemente 32 geschliffen wird. Anders ausgedrückt, kann das einfache Schleifen des Nahbereichs 11e des Wafers 11 aufgrund der Existenz der Orientierungsabflachung 11c durch die Krümmung des Wafers 11 aufgrund der vertieften oberen Oberfläche, die in dem Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 ausgebildet ist, unterdrückt werden. Das heißt, dass der Nahbereich 11e des Wafers 11 weniger einfach als die anderen Bereiche des Wafers 11, aufgrund des vertieften Nahbereichs 12c des Wafers 11, geschliffen wird. Als ein Ergebnis kann ein Erhöhen der Schleifmenge in dem Nahbereich 11e des Wafers 11 als der Bereich in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c unterdrückt werden, sodass Variationen der Dicke des Wafers 11, der geschliffen wurde, unterdrückt werden.
Vorzugsweise sind das Material des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18, der die Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12 ausbildet, die gleichen wie das Material des Wafers 11. Zum Beispiel, in dem Fall, dass der Wafer 11 ein Siliziumwafer ist, der aus einem Einkristallsilizium ausgebildet ist, werden der Saughalteabschnitt 16 und der Rahmenabschnitt 18 vorzugsweise aus einem Einkristallsilizium ausgebildet. In diesem Fall können der Saughalteabschnitt 16 und der Rahmenabschnitt 18 integral ausgebildet sein und mehrere Durchgangslöcher sind in dem Saughalteabschnitt 16 ausgebildet, sodass sie sich von der oberen Oberfläche des Saughalteabschnitts 16 zu der unteren Oberfläche erstrecken. In dem Fall, dass das Material des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18 das gleiche wie das Material des Wafers 11 ist, wird der Schwierigkeitsgrad des Schleifens des Nahbereichs 11e des Wafers 11 (siehe 1B) gleich dem Schwierigkeitsgrad des Schleifens des Nahbereichs 12c des Einspanntischs 12 (siehe 4A). Als ein Ergebnis wird in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche der Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 geschliffen, um einen vertieften Abschnitt auszubilden, der eine Tiefe aufweist, der das einfache Schleifen des Nahbereichs 11e des Wafers 11 verschiebt. Entsprechend können Variationen der Dicke des Wafers 11, der geschliffen wurde, weiter reduziert werden.
Jedoch kann das Material des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18 sich von dem Material des Wafers 11 unterscheiden. In diesem Fall kann ein Unterschied zwischen dem Schwierigkeitsgrad des Schleifens des Nahbereichs 11e des Wafers 11 und des Schwierigkeitsgrads des Schleifens des Nahbereichs 12c des Einspanntischs 12 ausgebildet werden. Dieser Unterschied kann durch Anpassen der Breite eines Teils (Grenzabschnitt 18c, der in 8A dargestellt ist) des Rahmenabschnitts 18 reduziert werden, wobei der Teil entlang des ausgeschnittenen Abschnitts 16b des Saughalteabschnitts 16 ausgebildet ist. 8A ist eine Aufsicht, welche den Einspanntisch 12 in dem Fall darstellt, dass eine Breite W des Grenzabschnitts 18c klein ist und 8B ist eine Aufsicht, die den Einspanntisch 12 in dem Fall darstellt, dass die Breite W des Grenzabschnitts 18c groß ist.
Durch Verringern der Breite W des Grenzabschnitts 18c, wie in 8A dargestellt, wird der Grenzabschnitt 18c einfacher geschliffen, sodass dieser in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche dünn ausgestaltet wird, sodass die Tiefe des vertieften Abschnitts, der in dem Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 ausgebildet wurde, groß wird. Im Gegensatz dazu, durch Vergrößern der Breite W des Grenzabschnitts 18c, wie in 8B dargestellt, wird der Grenzabschnitt 18c weniger einfach geschliffen, um dünn ausgestaltet zu werden, in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche, sodass die Tiefe des vertieften Abschnitts, der in dem Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 ausgebildet ist, klein wird. Folglich, durch Anpassen der Breite W des Grenzabschnitts 18c entsprechend dem Material des Wafers 11, des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18, kann die Tiefe des vertieften Abschnitts, der in dem Nahbereich 12c des Einspanntischs 12 ausgebildet werden soll, angepasst werden, sodass sie dem Schwierigkeitsgrad des Schleifens des Nahbereichs 11e des Wafers 11 entspricht. Entsprechend, sogar in dem Fall, dass das Material des Saughalteabschnitts 16 und des Rahmenabschnitts 18 sich von dem Material des Wafers 11 unterscheidet, können Variationen in der Dicke des Wafers 11, der geschliffen wurde, reduziert werden.
Wie oben beschrieben beinhaltet das Waferschleifverfahren entsprechend der bevorzugten Ausführungsform den Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen der Halteoberfläche 12a des Einspanntischs 12, der die ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b aufweist, und den Waferschleifschritt zum Schleifen des Wafers 11, der die Orientierungsabflachung 11c aufweist, in dem Zustand, in dem der Wafer 11 an der Halteoberfläche 12a gehalten ist, die in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche geschliffen wurde. Durch Verwenden des oben genannten Waferschleifverfahrens, wie oben beschrieben, wird der Bereich 11e in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c des Wafers 11 durch den Bereich 12c in der Nähe der ausgeschnittenen Abschnitte 16b und 18b des Einspanntischs 12 gehalten, wo der vertiefte Abschnitt durch Durchführen des Schleifschritts für eine Halteoberfläche ausgebildet wurde. Entsprechend kann ein lokales Schleifen des Wafers 11 in dem Bereich 11e in der Nähe der Orientierungsabflachung 11c verringert werden, sodass Variationen der Dicke des Wafers 11, der geschliffen wurde, reduziert werden.
Die Struktur, das Verfahren usw. entsprechend der obigen bevorzugten Ausführungsform können geeignet modifiziert werden, ohne von dem Umfang des Ziels der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsform beschränkt. Der Umfang der Erfindung wird durch die angehängten Patentansprüche definiert und alle Änderungen und Modifikationen, die in das Äquivalente des Schutzbereichs der Ansprüche fallen, sind daher von der Erfindung umfasst.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2003209080 A [0003]
JP 2015205358 A [0003]

Claims

Waferschleifverfahren zum Schleifen eines Wafers, der eine Orientierungsabflachung zum Angeben einer Kristallorientierung aufweist, in einem Zustand, in dem der Wafer an einer Halteoberfläche eines Einspanntischs gehalten ist, wobei der Einspanntisch einen Saughalteabschnitt zum Halten des Wafers unter einem Saugen und einen Rahmenabschnitt beinhaltet, der den Saughalteabschnitt umgibt, wobei der Saughalteabschnitt einen ersten ausgeschnittenen Abschnitt entsprechend der Orientierungsabflachung aufweist, der Rahmenabschnitt einen zweiten ausgeschnittenen Abschnitt aufweist, der entlang dem ersten ausgeschnittenen Abschnitt ausgebildet ist, wobei das Waferschleifverfahren aufweist: einen Schleifschritt für eine Halteoberfläche zum Schleifen der Halteoberfläche unter Verwendung abrasiver Elemente einer Schleifscheibe in einem Zustand, in dem der Einspanntisch und die Schleifscheibe gedreht werden, wobei die Halteoberfläche eine obere Oberfläche des Saughalteabschnitts und eine obere Oberfläche des Rahmenabschnitts beinhaltet; einen Halteschritt zum Halten des Wafers an der Halteoberfläche, die durch die abrasiven Elemente in dem Schleifschritt für eine Halteoberfläche geschliffen wurde, in einem Zustand, in dem eine Position der Orientierungsabflachung mit Positionen des ersten ausgeschnittenen Abschnitts und des zweiten ausgeschnittenen Abschnitts zusammenfällt; und einen Waferschleifschritt zum Schleifen des Wafers unter Verwendung der abrasiven Elemente in einem Zustand, in dem der Wafer an der Halteoberfläche gehalten ist, die durch die abrasiven Elemente geschliffen wurde.
Waferschleifverfahren nach Anspruch 1, wobei ein Material des Saughalteabschnitts und des Rahmenabschnitts das gleiche wie das Material des Wafers ist.