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Die
vorliegende Erfindung betrifft ein Wafer-Bearbeitungsverfahren,
mit welchem ein dünner Wafer einfach gehandhabt werden
kann.
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Mehrere
Bauelemente wie beispielsweise ICs und LSIs werden auf der Vorderseite
eines Wafers ausgebildet, und der Wafer wird auf einzelne Bauelemente
unter Verwendung einer Zersägeeinheit oder dergleichen
aufgetrennt. Diese Bauelemente werden in weitem Ausmaß in
verschiedenen elektronischen Geräten eingesetzt. Zum Zwecke
der Verringerung der Abmessungen und des Gewichts elektronischer
Geräte wird die Rückseite des Wafers, bevor er
auf die einzelnen Bauelemente aufgeteilt wird, geschliffen, um eine
Dicke von beispielsweise 20 bis 100 μm zu erzielen. Ein
Wafer, der infolge des Schleifens eine derartig geringe Dicke aufweist,
weist jedoch eine verringerte Steifigkeit auf, so dass er bei den
nachfolgenden Schritten schwierig zu handhaben und zu transportieren
ist. Es ist beispielsweise schwierig, einen Metallfilm, beispielsweise
einen Gold-, Silber- oder Titanfilm, der eine Dicke von einigen
zehn Nanometern aufweist, auf der Rückseite eines Wafers
abzulagern, der infolge des Schleifens eine geringe Dicke aufweist.
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Zur
Lösung dieses Problems hat die vorliegende Anmelderin bereits
ein Wafer-Bearbeitungsverfahren vorgeschlagen, welches die Schritte
umfasst, die Rückseite eines Wafers in einem Bauelementenbereich
zu schleifen, in welchem Bauelemente ausgebildet werden, um eine
vorbestimmte Dicke zu erzielen, und einen ringförmigen
Verstärkungsabschnitt entlang dem Außenumfang
des Wafers vorzusehen, nachfolgendes Ablagern eines Metallfilms
auf der Rückseite des Wafers in jenem Zustand, bei welchem
die Steifigkeit des Wafers, der eine verringerte Dicke aufweist,
durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt vergrößert
ist, um die Handhabung und den Transport des Wafers zu erleichtern,
nachfolgendes Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts,
und schließlich Zersägen des Wafers, um ihn auf
die einzelnen Bauelemente aufzuteilen (vergleiche das
japanische offengelegte Patent Nr. 2007-10379 ).
Bei diesem Wafer-Bearbeitungsverfahren, das im
japanischen offengelegten Patent Nr. 2007-19379 beschrieben
wird, muss jedoch ein Schleifstein zum Schleifen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts, der auf der Rückseite
des Wafers vorgesehen ist, exakt in Bezug auf den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
ausgerichtet werden, damit nicht der Metallfilm geschliffen wird,
der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs des Wafers
abgelagert ist. Daher wird die Positionssteuerung in Bezug auf den
Schleifstein und den Wafer aufwändig.
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Daher
besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung
eines Wafer-Bearbeitungsverfahrens, welches die Schritte umfasst,
die Rückseite des Bauelementenbereichs eines Wafers zu
schleifen, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt
entlang dem Außenumfang des Wafers auszubilden, nachfolgendes
Ablagern eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers,
und dann Entfernen des ringförmigen Verstärkungs abschnitts,
wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt einfach
entfernt werden kann, ohne den Metallfilm zu beschädigen.
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Gemäß einem
Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Bearbeitungsverfahren
zur Verfügung gestellt, das einen Schritt der Ausbildung eines
ringförmigen Verstärkungsabschnitts aufweist, zum
Haltern eines Wafers auf einem Aufspanntisch in einem Zustand, in
welchem die Vorderseite des Wafers auf dem Aufspanntisch angeordnet
ist, wobei die Vorderseite des Wafers aus einem Bauelementenbereich
besteht, in welchem mehrere Bauelemente ausgebildet werden, getrennt
durch mehrere Straßen, und einem Außenumfangsrandbereich,
welcher den Bauelementenbereich umgibt, und zum Schleifen der Rückseite
des Bauelementenbereichs des Wafers zur Ausbildung einer Ausnehmung
und eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts
um die Ausnehmung herum; einen Schritt der Ablagerung eines Metallfilms
zum Ablagern eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers,
nach Durchführung des Schritts zur Ausbildung des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts; und einen Schritt des Entfernens
des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, um den
ringförmigen Verstärkungsabschnitt zu entfernen,
nach Durchführung des Schritts der Ablagerung des Metallfilms.
Der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
setzt eine zweite Schleifeinheit ein, die einen drehbaren Aufspanntisch
aufweist, der eine Halteoberfläche zum Haltern des Wafers aufweist,
eine Schleifvorrichtung, die eine drehbare Schleifscheibe und einen
ringförmigen Schleifstein hat, der an der Schleifscheibe
befestigt ist, um den auf dem Aufspanntisch gehalterten Wafer zu
schleifen, und eine Zustellvorrichtung zum Zustellen der Schleifvorrichtung
in Richtung senkrecht zur Halteoberfläche des Aufspanntisches.
Der ringförmige Verstärkungsabschnitt wird durch
den Schleifstein so geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins,
der sich dreht, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt schneidet,
gesehen in Aufsicht, wobei der Aufspanntisch, auf welchem die Vorderseite
des Wafers gehaltert ist, gedreht wird, und der Schleifstein durch
Betätigung der Zustellvorrichtung während der
Drehung des Schleifscheibe zugestellt wird; wobei das Schleifen
des ringförmigen Verstärkungsabschnitts beendet
wird, wenn die geschliffene Oberfläche des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts um 20 bis 1 μm höher
geworden ist als die obere Oberfläche des Metallfilms,
der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs abgelagert
ist.
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Vorzugsweise
umfasst das Wafer-Bearbeitungsverfahren weiterhin einen Trennschritt
zum Trennen des Wafers auf die einzelnen Bauelemente entlang den
Straßen in jenem Zustand, in welchem ein Zersägeband
an der Rückseite des Wafers angebracht ist, und der Wafer über
das Zersägeband an einem Zersägerahmen gehaltert
ist, nach Durchführung des Schritts zur Entfernung des
ringförmigen Verstärkungsabschnitts. In diesem
Fall weist das Zersägeband vorzugsweise eine Dicke von
80 bis 100 μm auf.
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Gemäß der
vorliegenden Erfindung wird in dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts der ringförmige Verstärkungsabschnitt
durch den Schleifstein auf solche Art und Weise geschliffen, dass
die Ortskurve des Schleifsteins, der sich dreht, den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht.
Daher ist es nicht erforderlich, exakt den Schleifstein zu dem ringförmigen
Verstärkungsabschnitt an dessen Oberseite auszurichten,
so dass die Positionssteuerung einfach durchgeführt werden
kann. Weiterhin wird das Schleifen des ringförmigen Verstär kungsabschnitts
beendet, wenn der Höhenunterschied zwischen der geschliffenen
Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
und der oberen Oberfläche des Metallfilms, der auf der
Rückseite des Bauelementenbereichs vorgesehen ist, gleich
20 bis 1 μm wird. Daher ist keine Möglichkeit
dafür vorhanden, dass der Schleifstein in Kontakt mit dem
Metallfilm gelangt, wodurch eine Beschädigung des Metallfilms verhindert
wird.
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Bei
dem Trennschritt nach dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts ist die Rückseite (die
geschliffene Oberfläche) des ringförmigen Verstärkungsabschnitts,
der um 20 bis 1 μm gegenüber der oberen Oberfläche
(der freiliegenden Oberfläche) des Metallfilms vorsteht,
der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs abgelagert
ist, an dem Zersägeband angebracht. Ein derartiger Höhenunterschied
ist ausreichend kleiner als die Dicke des Zersägebandes,
und das Zersägeband besteht aus einem weichen Material.
Daher kann dieser Höhenunterschied durch das weiche Zersägeband
ausgeglichen werden, so dass keine Schwierigkeiten beim Schneiden
des Wafers vorhanden sind.
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Die
Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele
näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile
und Merkmale der Erfindung hervorgehen. Es zeigt:
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1 eine
Perspektivansicht eines Wafers und eines Schutzteils;
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2 eine
Perspektivansicht des Wafers in jenem Zustand, bei welchem das Schutzteil
an der Vorderseite des Wafers angebracht ist;
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3 eine
Perspektivansicht eines Schritts zur Ausbildung eines ringförmigen
Verstärkungsabschnitts;
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4 eine
Perspektivansicht des Wafers nach dem Schritt zur Ausbildung des
ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
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5 eine
Schnittansicht des in 4 dargestellten Wafers;
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6 eine
schematische Schnittansicht einer Unterdruck-Filmablagerungseinheit,
die in einem Schritt zur Ablagerung eines Metallfilms einsetzbar ist;
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7 eine
Schnittansicht des Wafers nach dem Schritt zur Ablagerung eines
Metallfilms;
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8 eine
Perspektivansicht einer Schleifeinheit, die in einem Schritt zum
Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts
einsetzbar ist;
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9 eine
Perspektivansicht des Schritts zum Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts;
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10 eine
Schnittansicht des Wafers nach dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts;
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11 eine
Perspektivansicht des Schritts zum Anbringen des in 10 dargestellten
Wafers an ein Zersägeband und zum Entfernen des Schutzteils
von dem Wafer;
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12 eine
Perspektivansicht einer Schneideinheit, die in einem Trennschritt
einsetzbar ist; und
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13 eine
vergrößerte Schnittansicht des Zustands, bei welchem
der Wafer an dem Zersägeband angebracht ist.
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Wie
in 1 gezeigt, besteht die Vorderseite Wa eines Wafers
W aus einem Bauelementenbereich W1, in welchem mehrere Bauelemente
D ausgebildet werden, und einem Außenumfangsrandbereich
W2, der den Bauelementenbereich W1 umgibt. Die mehreren Bauelemente
D sind durch mehrere, sich kreuzende Straßen S in dem Bauelementenbereich
W1 getrennt. Der Außenumfangsabschnitt des Wafers W ist
mit einer Ausnehmung N versehen, welche die Kristallorientierung
anzeigt.
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Ein
Schutzteil 1, wie beispielsweise ein Band, ist an der Vorderseite
Wa des Wafers W angebracht. Wie aus 2 hervorgeht,
ist der Wafer W auf solche Art und Weise umgedreht, dass die Rückseite
Wb des Wafers W nach oben weist. Wie in 3 gezeigt,
wird die Rückseite Wb des Wafers W unter Verwendung einer
Schleifeinheit 2 in jenem Zustand geschliffen, in welchem
die Rückseite Wb freiliegt. Die Schleifeinheit 2 weist
einen drehbaren Aufspanntisch 20 zum Haltern des Wafers
sowie eine Schleifvorrichtung 21 zum Schleifen des Wafers
W auf, der auf dem Aufspanntisch 20 gehaltert ist. Die Schleifvorrichtung 21 weist
eine Spindel 22 auf, die sich drehen und in Vertikalrichtung
bewegen kann, eine Schleifscheibe 23, die am unteren Ende
der Spindel 22 so angebracht ist, dass sie sich entsprechend
der Drehung der Spindel 22 drehen kann, und einen Schleifstein 24,
der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 23 befestigt
ist.
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Der
Wafer W wird auf dem Aufspanntisch 20 in dem Zustand gehaltert,
bei welchem das Schutzteil 1, das an der Vorderseite Wa
des Wafers W befestigt ist, auf dem Aufspanntisch 20 ange ordnet
ist, und die Rückseite Wb des Wafers W dem Schleifstein 24 gegenüberliegt.
Wenn der Aufspanntisch 20 gedreht wird, damit sich der
Wafer W dreht, wird der Schleifstein 24, der sich entsprechend
der Drehung der Spindel 22 dreht, abgesenkt, so dass er
in Kontakt mit der Rückseite Wb des Wafers W gelangt. Genauer
gesagt, gelangt der Schleifstein 24 in Kontakt mit der
Rückseite Wb an seinem inneren Bereich entsprechend dem
Bauelementenbereich W1 der Vorderseite Wa (siehe 1),
also der Rückseite des Bauelementenbereichs W1, damit nicht
der übrige Außenumfangsbereich der Rückseite
Wb geschliffen wird. Daher wird, wie in den 4 und 5 gezeigt, der
innere Bereich der Rückseite Wb geschliffen, so dass eine
Ausnehmung W3 ausgebildet wird, und wird der übrige Außenumfangsbereich
der Rückseite Wb nicht geschliffen, so dass ein Niveauunterschied in
Bezug auf die Ausnehmung W3 auftritt. Anders ausgedrückt,
wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4
an der Rückseite des Außenumfangsrandbereichs
W2 ausgebildet (Schritt zur Ausbildung des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts). Vorzugsweise weist der ringförmige
Verstärkungsabschnitt W4 eine Dicke von einigen hundert
Mikrometern auf. Andererseits kann die Dicke des Bauelementenbereichs
W1 auf beispielsweise 20 bis 100 μm verringert werden.
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Nach
Durchführen des Schritts zur Ausbildung des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts wird ein Metallfilm, beispielsweise
ein Gold-, Silber- oder Titanfilm, auf der Rückseite Wb
des Wafers W abgelagert (Metallfilmablagerungsschritt). Vor der
Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts wird der Wafer
W mit dem Schutzteil 1 von dem Aufspanntisch 20 der
in 3 gezeigten Schleifeinheit 2 abgenommen.
Im Vergleich zu jenem Fall, bei welchem ein Wafer mit einer vollständig
geschliffenen Rückseite von einem Aufspanntisch abgenommen
wird, kann der Wafer W, der gemäß dieser bevorzugten
Ausführungsform den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4
aufweist, einfach abgenommen werden, ohne die Gefahr einer Beschädigung.
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Bei
der Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts kann
eine Unterdruck-Filmablagerungseinheit 3 eingesetzt werden,
die in 6 gezeigt ist. Die Unterdruck-Filmablagerungseinheit 3 weist
eine Kammer 31 und ein Halteteil 32 auf, das in der
Kammer 31 vorgesehen ist, um elektrostatisch den Wafer
W zu haltern. Eine Sputter-Quelle 34, die aus Metall besteht,
ist in der Kammer 31 an einer oberen Position gegenüberliegend
dem Halteteil 32 vorgesehen, so dass sie durch ein Erregerteil 33 gehaltert
ist. Eine Hochfrequenzenergieversorgung 35 ist an die Sputter-Quelle 34 angeschlossen.
Ein Gaseinlass 36 zum Einlassen eines Sputter-Gases in die
Kammer 31 erstreckt sich durch einen Seitenwandabschnitt
der Kammer 31, und ein Evakuierungsloch 37, das
mit einer Unterdruckquelle in Verbindung steht, erstreckt sich durch
einen anderen Seitenbandabschnitt der Kammer 31.
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Der
Wafer W wird elektrostatisch auf dem Halteteil 32 in einem
Zustand gehaltert, bei welchem das an der Vorderseite Wa des Wafers
W angebrachte Schutzteil 1 auf dem Halteteil 32 angeordnet
ist, so dass die Rückseite Wb des Wafers W der Sputter-Quelle 34 gegenüberliegt.
Hochfrequenzenergie mit einer Frequenz von etwa 40 kHz wird von
der Hochfrequenzenergieversorgung 35 an die Sputter-Quelle 34 angelegt,
die durch das Erregerteil 33 magnetisiert wird, und die
Kammer 31 wird durch das Evakuierungsloch 37 auf
einen Unterdruck von etwa 10–2 bis
10–4 Pa evakuiert. Dann wird Argongas
von dem Gaseinlass 36 in die Kammer 31 eingelassen, um
ein Plasma zu erzeugen. Dies führt dazu, dass Argonatome
in dem Plasma mit der Sputter-Quelle 34 kollidieren, um
Teilchen von der Oberfläche der Sputter-Quelle 34 auszustoßen.
Die ausgestoßenen Teilchen werden auf der Rückseite
Wb des Wafers W abgelagert, um einen Metallfilm 4 auszubilden,
wie in 7 gezeigt ist. Der Metallfilm 4 weist
eine Dicke von beispielsweise etwa 30 bis 60 nm auf. Falls der ringförmige
Verstärkungsabschnitt W4 in dem Metallfilmablagerungsschritt
maskiert ist, wird der Metallfilm 4 nur auf der unteren
Oberfläche der Ausnehmung W3 ausgebildet. Der Metallfilmablagerungsschritt
wird in dem Zustand durchgeführt, bei welchem die Rückseite
des Bauelementenbereichs W1 des Wafers W geschliffen wurde, um die
Dicke des Wafers W in dem Bauelementenbereich W1 zu verringern.
Da der Wafer W den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
W4 aufweist, lässt sich jedoch der Wafer W in dem Metallfilmablagerungsschritt
einfach handhaben. Jedes andere Filmablagerungsverfahren wie beispielsweise
Verdampfung und CVD kann in dem Metallfilmablagerungsschritt eingesetzt
werden.
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Nach
Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts wird der
ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 entfernt
(Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts).
Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schritt
zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
unter Einsatz einer in 8 dargestellten Schleifeinheit 5 durchgeführt.
Die Schleifeinheit 5 weist einen Aufspanntisch 6 auf,
der eine Halteoberfläche 60 zum Haltern des Wafers
W aufweist, wobei der Aufspanntisch 6 gedreht und in Horizontalrichtung
bewegt werden kann, eine Schleifvorrichtung 7 zum Schleifen des
Wafers W, der auf der Halteoberfläche 60 des Aufspanntisches 6 gehaltert
ist, und eine Zustellvorrichtung 8 zum Zustellen der Schleifvorrichtung 7 in Richtung
senkrecht zur Halteoberfläche 60.
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Die
Schleifvorrichtung 7 weist eine Spindel 70 auf,
die eine Vertikalachse aufweist, ein Spindelgehäuse 71 zum
drehbaren Haltern der Spindel 70, eine am unteren Ende
der Spindel 70 vorgesehene Scheibenmontagevorrichtung 72,
eine Schleifscheibe 73, die an der Scheibenmontagevorrichtung 72 befestigt
ist, einen ringförmigen Schleifstein 74, der an
der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 73 befestigt
ist, und einen Motor 75 zum Antrieb der Spindel 70.
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Die
Zustellvorrichtung 8 weist eine Kugelumlaufspindel 80 auf,
die sich in Vertikalrichtung erstreckt, einen Impulsmotor 81,
der mit einem Ende der Kugelumlaufspindel 80 verbunden
ist, zwei Führungsschienen 82, die parallel zur
Kugelumlaufspindel 80 verlaufen, eine Hebeplatte 83,
die einen Mutternabschnitt (nicht gezeigt) zum Gewindeeingriff mit der
Kugelumlaufspindel 80 aufweist, und zwei in Vertikalrichtung
verlaufende Seitenabschnitte für den Gleiteingriff mit
den Führungsschienen 82, sowie einen Halterungsabschnitt 84,
der mit der Hebeplatte 83 verbunden ist, um das Spindelgehäuse 71 zu
haltern. Wenn der Impulsmotor 81 in Betrieb ist, zum Drehantrieb
der Kugelumlaufspindel 80, wird die Hebeplatte 83 in
Vertikalrichtung durch den Eingriff des Mutternabschnitts und der
Kugelumlaufspindel 80 bewegt, geführt durch die
Führungsschienen 82. Daher werden der Halterungsabschnitt 84 und
die Schleifvorrichtung 7 zusammen in Vertikalrichtung bewegt.
Ein Impulssignal wird von einem (nicht dargestellten) Steuerabschnitt
dem Impulsmotor 81 zugeführt, um hierdurch exakt
die Vertikalposition des Schleifsteins 74 auf Mikrometer
genau zu steuern.
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Der
Wafer W, der wie in 7 gezeigt den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt W4 und den Metallfilm 4 aufweist,
wird auf der Halteoberfläche 60 des Aufspanntisches 6 in
einem solchen Zustand gehaltert, bei welchem das an der Vorderseite
Wa des Wafers W angebrachte Schutzteil 1 auf der Halteoberfläche 60 angeordnet
ist. In diesem Zustand wird der Aufspanntisch 6 gedreht,
damit sich der Wafer W dreht. Gleichzeitig wird der Motor 75 in
Betrieb genommen, um die Schleifscheibe 73 zu drehen, und wird
die Schleifvorrichtung 7 durch den Zustellvorgang der Zustellvorrichtung 8 abgesenkt.
Wie in 9 gezeigt, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt
W4 des Wafers W durch den Schleifstein 74 auf solche Art
und Weise geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins 74,
der sich dreht, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt
W4 schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht. Wie in 10 gezeigt,
wird das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
W4 beendet, wenn die geschliffene Oberfläche W4a des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts W4 um 20 bis 1 μm höher
wird als die obere Oberfläche 4a des Metallfilms 4 (Schritt
zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts).
Anders ausgedrückt, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4
geschliffen, bis die Höhe des Verstärkungsabschnitts
W4 gegenüber der oberen Oberfläche 4a des
Metallfilms 4 auf 20 bis 1 μm verringert ist.
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Daher
wird der Zustellbetrieb der Zustellvorrichtung 8 zu dem
Zeitpunkt unterbrochen, an welchem die untere Oberfläche
des Schleifsteins 74 eine Vertikalposition erreicht, die
um 20 bis 1 μm gegenüber der oberen Oberfläche 4a des
Metallfilms 4 höher liegt. Daher ist keine Möglichkeit
dafür vorhanden, dass der Schleifstein 74 in Kontakt
mit dem Metallfilm 4 gelangt, wodurch eine Beschädigung
des Metallfilms 4 verhindert wird. Weiterhin wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt
W4 des sich drehenden Wafers W durch den sich drehenden Schleifstein 74 so geschliffen,
dass die Ortskurve des Schleifsteins 74 den ringförmigen
Verstärkungsabschnitt W4 schneidet, bei Betrachtung in
Aufsicht, wie voranstehend erwähnt. Daher ist es nicht
erforderlich, den Schleifstein 74 zu dem ringförmigen
Verstärkungsabschnitt W4 auf dessen Oberseite auszurichten,
und kann darüber hinaus die Positionssteuerung des Aufspanntisches 6 in
Horizontalrichtung einfach durchgeführt werden.
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Nach
Durchführung des Schritts zum Entfernen des ringförmigen
Verstärkungsabschnitts wird der Wafer W an einem Zersägeband
T in dem Zustand angebracht, in welchem das Schutzteil 1 freiliegt,
wie in 11 gezeigt ist. Weiterhin wird
der Außenumfangsabschnitt des Zersägebandes T
an einem ringförmigen Zersägerahmen F befestigt,
wie in 11 gezeigt ist. Daher wird der
Wafer W über das Zersägeband T an dem Zersägerahmen
F gehaltert. Weiterhin wird das Schutzteil 1 von der Vorderseite W1
des Wafers W entfernt, wie in 11 gezeigt. Das
Zersägeband T weist eine Dicke von etwa 80 bis 100 μm
auf, und besteht aus einem weichen Material wie beispielsweise einem
Polyolefin. Der so über das Zersägeband T an dem
Zersägerahmen F gehalterte Wafer wird zu einem Aufspanntisch 90 einer
in 12 gezeigten Schneideinheit 9 transportiert,
und wird auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert.
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Die
Schneideinheit 9 weist den drehbaren Aufspanntisch 90 zum
Haltern des Wafers W auf, und eine Schneidvorrichtung 91 zum
Schneiden des auf dem Aufspanntisch 90 gehalterten Wafers
W. Die Schneidvorrichtung 91 weist ein Gehäuse 910 auf, eine
drehbar an dem Gehäuse 910 gehalterte Spindel 911,
und eine Schneidklinge 912, die am vorderen Ende der Spindel 911 angebracht
ist. Der Aufspanntisch 90 wird in Richtung X durch eine
Werkstückzustellvorrichtung 92 bewegt. Die Schneidvorrichtung 91 wird
in Richtung Y durch eine Schaltvorrichtung 93 bewegt. Die
Schneidvorrichtung 91 kann auch in Richtung Z durch eine
Werkzeugzustellvorrichtung 94 bewegt werden.
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Das
an der Rückseite Wb des Wafers W angebrachte Zersägeband
T wird auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert. Wie voranstehend
geschildert, liegt der Höhenunterschied zwischen der geschliffenen
Oberfläche W4a des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
W4 und der oberen Oberfläche 4a (der unteren Oberfläche
in 13) des Metallfilms 4 im Bereich von
20 bis 1 μm. Dieser Höhenunterschied kann durch
das weiche Zersägeband T ausgeglichen werden, das eine
Dicke von 80 bis 100 μm aufweist, so dass die Vorderseite
Wa (die obere Oberfläche in 13) des
Wafers W flach ausgebildet werden kann, in dem Zustand, in welchem
der Wafer W auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert ist, und
es gibt keine Schwierigkeiten beim Schneiden des Wafers W.
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Nach
dem Haltern des Wafers W auf dem Aufspanntisch 90 wird
der Aufspanntisch 90 in Richtung X zu einer Position direkt
unmittelbar der Schneidklinge 912 bewegt. Die Schneidklinge 912, die
sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, wird abgesenkt, um den Wafer
W entlang einer vorbestimmten oder erfassten Straße zu
schneiden, die sich in Richtung X erstreckt, bei Bewegung des Aufspanntisches 90 in
Richtung +X. Auf diese Weise wird die vorbestimmte Straße,
die auf der Vorderseite Wa des Wafers W vorgesehen ist, durch die
Schneidklinge 912 geschnitten. Nach Schneiden dieser vorbestimmten Straße
wird die Schneidvorrichtung 91 in Richtung Y geschaltet
zugestellt, um ein Ausmaß entsprechend dem Raum zwischen
benachbarten Straßen, und wird die nächste Straße
neben der voranstehend geschilderten, vorbestimmten Straße
auf entsprechende Art und Weise durch die Schneidklinge 912 geschnitten.
Dieser Schneidvorgang wird für sämtliche Straßen wiederholt,
die in Richtung X verlaufen. Dann wird der Aufspanntisch 90 um
90° gedreht, um entsprechend die übrigen Straßen
zu schneiden, die senkrecht zu den voranstehend geschilderten, geschnittenen
Straßen verlaufen. Auf diese Weise werden alle sich senkrecht
kreuzenden Straßen, die auf der Vorderseite Wa des Wafers
W vorgesehen sind, geschnitten, um die einzeln getrennten Bauelemente D
zu erhalten.
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Die
vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der voranstehend
geschilderten, bevorzugten Ausführungsformen beschränkt.
Wesen und Umfang der Erfindung ergeben sich aus der Gesamtheit der
vorliegenden Anmeldeunterlagen und sollen von den beigefügten
Patentansprüchen umfasst sein.
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- - JP 2007-10379 [0003]
- - JP 2007-19379 [0003]