DE102008017061A1 - Wafer-Bearbeitungsverfahren - Google Patents

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DE102008017061A1
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Abstract

Ein Wafer-Bearbeitungsverfahren umfasst den Schritt des Entfernens eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts, der entlang dem Außenumfang eines Wafers auf dessen Rückseite vorgesehen ist. Der ringförmige Verstärkungsabschnitt wird durch einen Schleifstein auf solche Art und Weise geschliffen, dass die Ortskurve des sich drehenden Schleifsteins den ringförmigen Verstärkungsabschnitt schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht. Das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird beendet, wenn die geschliffene Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts 20 bis 1 µm höher ist als die obere Oberfläche eines Metallfilms, der auf der Rückseite eines Bauelementenbereichs des Wafers abgelagert ist. Es ist nicht erforderlich, exakt den Schleifstein zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt auf dessen Oberseite auszurichten, so dass die Positionssteuerung einfach durchgeführt werden kann. Weiterhin wird das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts beendet, wenn der Höhenunterschied zwischen der geschliffenen Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts und der oberen Oberfläche des Metallfilms gleich 20 bis 1 µm ist, so dass keine Möglichkeit besteht, dass der Metallfilm beschädigt wird.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Wafer-Bearbeitungsverfahren, mit welchem ein dünner Wafer einfach gehandhabt werden kann.
  • Mehrere Bauelemente wie beispielsweise ICs und LSIs werden auf der Vorderseite eines Wafers ausgebildet, und der Wafer wird auf einzelne Bauelemente unter Verwendung einer Zersägeeinheit oder dergleichen aufgetrennt. Diese Bauelemente werden in weitem Ausmaß in verschiedenen elektronischen Geräten eingesetzt. Zum Zwecke der Verringerung der Abmessungen und des Gewichts elektronischer Geräte wird die Rückseite des Wafers, bevor er auf die einzelnen Bauelemente aufgeteilt wird, geschliffen, um eine Dicke von beispielsweise 20 bis 100 μm zu erzielen. Ein Wafer, der infolge des Schleifens eine derartig geringe Dicke aufweist, weist jedoch eine verringerte Steifigkeit auf, so dass er bei den nachfolgenden Schritten schwierig zu handhaben und zu transportieren ist. Es ist beispielsweise schwierig, einen Metallfilm, beispielsweise einen Gold-, Silber- oder Titanfilm, der eine Dicke von einigen zehn Nanometern aufweist, auf der Rückseite eines Wafers abzulagern, der infolge des Schleifens eine geringe Dicke aufweist.
  • Zur Lösung dieses Problems hat die vorliegende Anmelderin bereits ein Wafer-Bearbeitungsverfahren vorgeschlagen, welches die Schritte umfasst, die Rückseite eines Wafers in einem Bauelementenbereich zu schleifen, in welchem Bauelemente ausgebildet werden, um eine vorbestimmte Dicke zu erzielen, und einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt entlang dem Außenumfang des Wafers vorzusehen, nachfolgendes Ablagern eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers in jenem Zustand, bei welchem die Steifigkeit des Wafers, der eine verringerte Dicke aufweist, durch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt vergrößert ist, um die Handhabung und den Transport des Wafers zu erleichtern, nachfolgendes Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, und schließlich Zersägen des Wafers, um ihn auf die einzelnen Bauelemente aufzuteilen (vergleiche das japanische offengelegte Patent Nr. 2007-10379 ). Bei diesem Wafer-Bearbeitungsverfahren, das im japanischen offengelegten Patent Nr. 2007-19379 beschrieben wird, muss jedoch ein Schleifstein zum Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, der auf der Rückseite des Wafers vorgesehen ist, exakt in Bezug auf den ringförmigen Verstärkungsabschnitt ausgerichtet werden, damit nicht der Metallfilm geschliffen wird, der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs des Wafers abgelagert ist. Daher wird die Positionssteuerung in Bezug auf den Schleifstein und den Wafer aufwändig.
  • Daher besteht ein Ziel der vorliegenden Erfindung in der Bereitstellung eines Wafer-Bearbeitungsverfahrens, welches die Schritte umfasst, die Rückseite des Bauelementenbereichs eines Wafers zu schleifen, um einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt entlang dem Außenumfang des Wafers auszubilden, nachfolgendes Ablagern eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers, und dann Entfernen des ringförmigen Verstärkungs abschnitts, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt einfach entfernt werden kann, ohne den Metallfilm zu beschädigen.
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Wafer-Bearbeitungsverfahren zur Verfügung gestellt, das einen Schritt der Ausbildung eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts aufweist, zum Haltern eines Wafers auf einem Aufspanntisch in einem Zustand, in welchem die Vorderseite des Wafers auf dem Aufspanntisch angeordnet ist, wobei die Vorderseite des Wafers aus einem Bauelementenbereich besteht, in welchem mehrere Bauelemente ausgebildet werden, getrennt durch mehrere Straßen, und einem Außenumfangsrandbereich, welcher den Bauelementenbereich umgibt, und zum Schleifen der Rückseite des Bauelementenbereichs des Wafers zur Ausbildung einer Ausnehmung und eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts um die Ausnehmung herum; einen Schritt der Ablagerung eines Metallfilms zum Ablagern eines Metallfilms auf der Rückseite des Wafers, nach Durchführung des Schritts zur Ausbildung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts; und einen Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, um den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zu entfernen, nach Durchführung des Schritts der Ablagerung des Metallfilms. Der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts setzt eine zweite Schleifeinheit ein, die einen drehbaren Aufspanntisch aufweist, der eine Halteoberfläche zum Haltern des Wafers aufweist, eine Schleifvorrichtung, die eine drehbare Schleifscheibe und einen ringförmigen Schleifstein hat, der an der Schleifscheibe befestigt ist, um den auf dem Aufspanntisch gehalterten Wafer zu schleifen, und eine Zustellvorrichtung zum Zustellen der Schleifvorrichtung in Richtung senkrecht zur Halteoberfläche des Aufspanntisches. Der ringförmige Verstärkungsabschnitt wird durch den Schleifstein so geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins, der sich dreht, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt schneidet, gesehen in Aufsicht, wobei der Aufspanntisch, auf welchem die Vorderseite des Wafers gehaltert ist, gedreht wird, und der Schleifstein durch Betätigung der Zustellvorrichtung während der Drehung des Schleifscheibe zugestellt wird; wobei das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts beendet wird, wenn die geschliffene Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts um 20 bis 1 μm höher geworden ist als die obere Oberfläche des Metallfilms, der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs abgelagert ist.
  • Vorzugsweise umfasst das Wafer-Bearbeitungsverfahren weiterhin einen Trennschritt zum Trennen des Wafers auf die einzelnen Bauelemente entlang den Straßen in jenem Zustand, in welchem ein Zersägeband an der Rückseite des Wafers angebracht ist, und der Wafer über das Zersägeband an einem Zersägerahmen gehaltert ist, nach Durchführung des Schritts zur Entfernung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts. In diesem Fall weist das Zersägeband vorzugsweise eine Dicke von 80 bis 100 μm auf.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung wird in dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts der ringförmige Verstärkungsabschnitt durch den Schleifstein auf solche Art und Weise geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins, der sich dreht, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht. Daher ist es nicht erforderlich, exakt den Schleifstein zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt an dessen Oberseite auszurichten, so dass die Positionssteuerung einfach durchgeführt werden kann. Weiterhin wird das Schleifen des ringförmigen Verstär kungsabschnitts beendet, wenn der Höhenunterschied zwischen der geschliffenen Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts und der oberen Oberfläche des Metallfilms, der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs vorgesehen ist, gleich 20 bis 1 μm wird. Daher ist keine Möglichkeit dafür vorhanden, dass der Schleifstein in Kontakt mit dem Metallfilm gelangt, wodurch eine Beschädigung des Metallfilms verhindert wird.
  • Bei dem Trennschritt nach dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts ist die Rückseite (die geschliffene Oberfläche) des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, der um 20 bis 1 μm gegenüber der oberen Oberfläche (der freiliegenden Oberfläche) des Metallfilms vorsteht, der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs abgelagert ist, an dem Zersägeband angebracht. Ein derartiger Höhenunterschied ist ausreichend kleiner als die Dicke des Zersägebandes, und das Zersägeband besteht aus einem weichen Material. Daher kann dieser Höhenunterschied durch das weiche Zersägeband ausgeglichen werden, so dass keine Schwierigkeiten beim Schneiden des Wafers vorhanden sind.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand zeichnerisch dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert, aus welchen weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung hervorgehen. Es zeigt:
  • 1 eine Perspektivansicht eines Wafers und eines Schutzteils;
  • 2 eine Perspektivansicht des Wafers in jenem Zustand, bei welchem das Schutzteil an der Vorderseite des Wafers angebracht ist;
  • 3 eine Perspektivansicht eines Schritts zur Ausbildung eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
  • 4 eine Perspektivansicht des Wafers nach dem Schritt zur Ausbildung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
  • 5 eine Schnittansicht des in 4 dargestellten Wafers;
  • 6 eine schematische Schnittansicht einer Unterdruck-Filmablagerungseinheit, die in einem Schritt zur Ablagerung eines Metallfilms einsetzbar ist;
  • 7 eine Schnittansicht des Wafers nach dem Schritt zur Ablagerung eines Metallfilms;
  • 8 eine Perspektivansicht einer Schleifeinheit, die in einem Schritt zum Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts einsetzbar ist;
  • 9 eine Perspektivansicht des Schritts zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
  • 10 eine Schnittansicht des Wafers nach dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts;
  • 11 eine Perspektivansicht des Schritts zum Anbringen des in 10 dargestellten Wafers an ein Zersägeband und zum Entfernen des Schutzteils von dem Wafer;
  • 12 eine Perspektivansicht einer Schneideinheit, die in einem Trennschritt einsetzbar ist; und
  • 13 eine vergrößerte Schnittansicht des Zustands, bei welchem der Wafer an dem Zersägeband angebracht ist.
  • Wie in 1 gezeigt, besteht die Vorderseite Wa eines Wafers W aus einem Bauelementenbereich W1, in welchem mehrere Bauelemente D ausgebildet werden, und einem Außenumfangsrandbereich W2, der den Bauelementenbereich W1 umgibt. Die mehreren Bauelemente D sind durch mehrere, sich kreuzende Straßen S in dem Bauelementenbereich W1 getrennt. Der Außenumfangsabschnitt des Wafers W ist mit einer Ausnehmung N versehen, welche die Kristallorientierung anzeigt.
  • Ein Schutzteil 1, wie beispielsweise ein Band, ist an der Vorderseite Wa des Wafers W angebracht. Wie aus 2 hervorgeht, ist der Wafer W auf solche Art und Weise umgedreht, dass die Rückseite Wb des Wafers W nach oben weist. Wie in 3 gezeigt, wird die Rückseite Wb des Wafers W unter Verwendung einer Schleifeinheit 2 in jenem Zustand geschliffen, in welchem die Rückseite Wb freiliegt. Die Schleifeinheit 2 weist einen drehbaren Aufspanntisch 20 zum Haltern des Wafers sowie eine Schleifvorrichtung 21 zum Schleifen des Wafers W auf, der auf dem Aufspanntisch 20 gehaltert ist. Die Schleifvorrichtung 21 weist eine Spindel 22 auf, die sich drehen und in Vertikalrichtung bewegen kann, eine Schleifscheibe 23, die am unteren Ende der Spindel 22 so angebracht ist, dass sie sich entsprechend der Drehung der Spindel 22 drehen kann, und einen Schleifstein 24, der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 23 befestigt ist.
  • Der Wafer W wird auf dem Aufspanntisch 20 in dem Zustand gehaltert, bei welchem das Schutzteil 1, das an der Vorderseite Wa des Wafers W befestigt ist, auf dem Aufspanntisch 20 ange ordnet ist, und die Rückseite Wb des Wafers W dem Schleifstein 24 gegenüberliegt. Wenn der Aufspanntisch 20 gedreht wird, damit sich der Wafer W dreht, wird der Schleifstein 24, der sich entsprechend der Drehung der Spindel 22 dreht, abgesenkt, so dass er in Kontakt mit der Rückseite Wb des Wafers W gelangt. Genauer gesagt, gelangt der Schleifstein 24 in Kontakt mit der Rückseite Wb an seinem inneren Bereich entsprechend dem Bauelementenbereich W1 der Vorderseite Wa (siehe 1), also der Rückseite des Bauelementenbereichs W1, damit nicht der übrige Außenumfangsbereich der Rückseite Wb geschliffen wird. Daher wird, wie in den 4 und 5 gezeigt, der innere Bereich der Rückseite Wb geschliffen, so dass eine Ausnehmung W3 ausgebildet wird, und wird der übrige Außenumfangsbereich der Rückseite Wb nicht geschliffen, so dass ein Niveauunterschied in Bezug auf die Ausnehmung W3 auftritt. Anders ausgedrückt, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 an der Rückseite des Außenumfangsrandbereichs W2 ausgebildet (Schritt zur Ausbildung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts). Vorzugsweise weist der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 eine Dicke von einigen hundert Mikrometern auf. Andererseits kann die Dicke des Bauelementenbereichs W1 auf beispielsweise 20 bis 100 μm verringert werden.
  • Nach Durchführen des Schritts zur Ausbildung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird ein Metallfilm, beispielsweise ein Gold-, Silber- oder Titanfilm, auf der Rückseite Wb des Wafers W abgelagert (Metallfilmablagerungsschritt). Vor der Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts wird der Wafer W mit dem Schutzteil 1 von dem Aufspanntisch 20 der in 3 gezeigten Schleifeinheit 2 abgenommen. Im Vergleich zu jenem Fall, bei welchem ein Wafer mit einer vollständig geschliffenen Rückseite von einem Aufspanntisch abgenommen wird, kann der Wafer W, der gemäß dieser bevorzugten Ausführungsform den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 aufweist, einfach abgenommen werden, ohne die Gefahr einer Beschädigung.
  • Bei der Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts kann eine Unterdruck-Filmablagerungseinheit 3 eingesetzt werden, die in 6 gezeigt ist. Die Unterdruck-Filmablagerungseinheit 3 weist eine Kammer 31 und ein Halteteil 32 auf, das in der Kammer 31 vorgesehen ist, um elektrostatisch den Wafer W zu haltern. Eine Sputter-Quelle 34, die aus Metall besteht, ist in der Kammer 31 an einer oberen Position gegenüberliegend dem Halteteil 32 vorgesehen, so dass sie durch ein Erregerteil 33 gehaltert ist. Eine Hochfrequenzenergieversorgung 35 ist an die Sputter-Quelle 34 angeschlossen. Ein Gaseinlass 36 zum Einlassen eines Sputter-Gases in die Kammer 31 erstreckt sich durch einen Seitenwandabschnitt der Kammer 31, und ein Evakuierungsloch 37, das mit einer Unterdruckquelle in Verbindung steht, erstreckt sich durch einen anderen Seitenbandabschnitt der Kammer 31.
  • Der Wafer W wird elektrostatisch auf dem Halteteil 32 in einem Zustand gehaltert, bei welchem das an der Vorderseite Wa des Wafers W angebrachte Schutzteil 1 auf dem Halteteil 32 angeordnet ist, so dass die Rückseite Wb des Wafers W der Sputter-Quelle 34 gegenüberliegt. Hochfrequenzenergie mit einer Frequenz von etwa 40 kHz wird von der Hochfrequenzenergieversorgung 35 an die Sputter-Quelle 34 angelegt, die durch das Erregerteil 33 magnetisiert wird, und die Kammer 31 wird durch das Evakuierungsloch 37 auf einen Unterdruck von etwa 10–2 bis 10–4 Pa evakuiert. Dann wird Argongas von dem Gaseinlass 36 in die Kammer 31 eingelassen, um ein Plasma zu erzeugen. Dies führt dazu, dass Argonatome in dem Plasma mit der Sputter-Quelle 34 kollidieren, um Teilchen von der Oberfläche der Sputter-Quelle 34 auszustoßen. Die ausgestoßenen Teilchen werden auf der Rückseite Wb des Wafers W abgelagert, um einen Metallfilm 4 auszubilden, wie in 7 gezeigt ist. Der Metallfilm 4 weist eine Dicke von beispielsweise etwa 30 bis 60 nm auf. Falls der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 in dem Metallfilmablagerungsschritt maskiert ist, wird der Metallfilm 4 nur auf der unteren Oberfläche der Ausnehmung W3 ausgebildet. Der Metallfilmablagerungsschritt wird in dem Zustand durchgeführt, bei welchem die Rückseite des Bauelementenbereichs W1 des Wafers W geschliffen wurde, um die Dicke des Wafers W in dem Bauelementenbereich W1 zu verringern. Da der Wafer W den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 aufweist, lässt sich jedoch der Wafer W in dem Metallfilmablagerungsschritt einfach handhaben. Jedes andere Filmablagerungsverfahren wie beispielsweise Verdampfung und CVD kann in dem Metallfilmablagerungsschritt eingesetzt werden.
  • Nach Durchführung des Metallfilmablagerungsschritts wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 entfernt (Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts). Bei dieser bevorzugten Ausführungsform wird der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts unter Einsatz einer in 8 dargestellten Schleifeinheit 5 durchgeführt. Die Schleifeinheit 5 weist einen Aufspanntisch 6 auf, der eine Halteoberfläche 60 zum Haltern des Wafers W aufweist, wobei der Aufspanntisch 6 gedreht und in Horizontalrichtung bewegt werden kann, eine Schleifvorrichtung 7 zum Schleifen des Wafers W, der auf der Halteoberfläche 60 des Aufspanntisches 6 gehaltert ist, und eine Zustellvorrichtung 8 zum Zustellen der Schleifvorrichtung 7 in Richtung senkrecht zur Halteoberfläche 60.
  • Die Schleifvorrichtung 7 weist eine Spindel 70 auf, die eine Vertikalachse aufweist, ein Spindelgehäuse 71 zum drehbaren Haltern der Spindel 70, eine am unteren Ende der Spindel 70 vorgesehene Scheibenmontagevorrichtung 72, eine Schleifscheibe 73, die an der Scheibenmontagevorrichtung 72 befestigt ist, einen ringförmigen Schleifstein 74, der an der unteren Oberfläche der Schleifscheibe 73 befestigt ist, und einen Motor 75 zum Antrieb der Spindel 70.
  • Die Zustellvorrichtung 8 weist eine Kugelumlaufspindel 80 auf, die sich in Vertikalrichtung erstreckt, einen Impulsmotor 81, der mit einem Ende der Kugelumlaufspindel 80 verbunden ist, zwei Führungsschienen 82, die parallel zur Kugelumlaufspindel 80 verlaufen, eine Hebeplatte 83, die einen Mutternabschnitt (nicht gezeigt) zum Gewindeeingriff mit der Kugelumlaufspindel 80 aufweist, und zwei in Vertikalrichtung verlaufende Seitenabschnitte für den Gleiteingriff mit den Führungsschienen 82, sowie einen Halterungsabschnitt 84, der mit der Hebeplatte 83 verbunden ist, um das Spindelgehäuse 71 zu haltern. Wenn der Impulsmotor 81 in Betrieb ist, zum Drehantrieb der Kugelumlaufspindel 80, wird die Hebeplatte 83 in Vertikalrichtung durch den Eingriff des Mutternabschnitts und der Kugelumlaufspindel 80 bewegt, geführt durch die Führungsschienen 82. Daher werden der Halterungsabschnitt 84 und die Schleifvorrichtung 7 zusammen in Vertikalrichtung bewegt. Ein Impulssignal wird von einem (nicht dargestellten) Steuerabschnitt dem Impulsmotor 81 zugeführt, um hierdurch exakt die Vertikalposition des Schleifsteins 74 auf Mikrometer genau zu steuern.
  • Der Wafer W, der wie in 7 gezeigt den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 und den Metallfilm 4 aufweist, wird auf der Halteoberfläche 60 des Aufspanntisches 6 in einem solchen Zustand gehaltert, bei welchem das an der Vorderseite Wa des Wafers W angebrachte Schutzteil 1 auf der Halteoberfläche 60 angeordnet ist. In diesem Zustand wird der Aufspanntisch 6 gedreht, damit sich der Wafer W dreht. Gleichzeitig wird der Motor 75 in Betrieb genommen, um die Schleifscheibe 73 zu drehen, und wird die Schleifvorrichtung 7 durch den Zustellvorgang der Zustellvorrichtung 8 abgesenkt. Wie in 9 gezeigt, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 des Wafers W durch den Schleifstein 74 auf solche Art und Weise geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins 74, der sich dreht, den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht. Wie in 10 gezeigt, wird das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 beendet, wenn die geschliffene Oberfläche W4a des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 um 20 bis 1 μm höher wird als die obere Oberfläche 4a des Metallfilms 4 (Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts). Anders ausgedrückt, wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 geschliffen, bis die Höhe des Verstärkungsabschnitts W4 gegenüber der oberen Oberfläche 4a des Metallfilms 4 auf 20 bis 1 μm verringert ist.
  • Daher wird der Zustellbetrieb der Zustellvorrichtung 8 zu dem Zeitpunkt unterbrochen, an welchem die untere Oberfläche des Schleifsteins 74 eine Vertikalposition erreicht, die um 20 bis 1 μm gegenüber der oberen Oberfläche 4a des Metallfilms 4 höher liegt. Daher ist keine Möglichkeit dafür vorhanden, dass der Schleifstein 74 in Kontakt mit dem Metallfilm 4 gelangt, wodurch eine Beschädigung des Metallfilms 4 verhindert wird. Weiterhin wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 des sich drehenden Wafers W durch den sich drehenden Schleifstein 74 so geschliffen, dass die Ortskurve des Schleifsteins 74 den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht, wie voranstehend erwähnt. Daher ist es nicht erforderlich, den Schleifstein 74 zu dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 auf dessen Oberseite auszurichten, und kann darüber hinaus die Positionssteuerung des Aufspanntisches 6 in Horizontalrichtung einfach durchgeführt werden.
  • Nach Durchführung des Schritts zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird der Wafer W an einem Zersägeband T in dem Zustand angebracht, in welchem das Schutzteil 1 freiliegt, wie in 11 gezeigt ist. Weiterhin wird der Außenumfangsabschnitt des Zersägebandes T an einem ringförmigen Zersägerahmen F befestigt, wie in 11 gezeigt ist. Daher wird der Wafer W über das Zersägeband T an dem Zersägerahmen F gehaltert. Weiterhin wird das Schutzteil 1 von der Vorderseite W1 des Wafers W entfernt, wie in 11 gezeigt. Das Zersägeband T weist eine Dicke von etwa 80 bis 100 μm auf, und besteht aus einem weichen Material wie beispielsweise einem Polyolefin. Der so über das Zersägeband T an dem Zersägerahmen F gehalterte Wafer wird zu einem Aufspanntisch 90 einer in 12 gezeigten Schneideinheit 9 transportiert, und wird auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert.
  • Die Schneideinheit 9 weist den drehbaren Aufspanntisch 90 zum Haltern des Wafers W auf, und eine Schneidvorrichtung 91 zum Schneiden des auf dem Aufspanntisch 90 gehalterten Wafers W. Die Schneidvorrichtung 91 weist ein Gehäuse 910 auf, eine drehbar an dem Gehäuse 910 gehalterte Spindel 911, und eine Schneidklinge 912, die am vorderen Ende der Spindel 911 angebracht ist. Der Aufspanntisch 90 wird in Richtung X durch eine Werkstückzustellvorrichtung 92 bewegt. Die Schneidvorrichtung 91 wird in Richtung Y durch eine Schaltvorrichtung 93 bewegt. Die Schneidvorrichtung 91 kann auch in Richtung Z durch eine Werkzeugzustellvorrichtung 94 bewegt werden.
  • Das an der Rückseite Wb des Wafers W angebrachte Zersägeband T wird auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert. Wie voranstehend geschildert, liegt der Höhenunterschied zwischen der geschliffenen Oberfläche W4a des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 und der oberen Oberfläche 4a (der unteren Oberfläche in 13) des Metallfilms 4 im Bereich von 20 bis 1 μm. Dieser Höhenunterschied kann durch das weiche Zersägeband T ausgeglichen werden, das eine Dicke von 80 bis 100 μm aufweist, so dass die Vorderseite Wa (die obere Oberfläche in 13) des Wafers W flach ausgebildet werden kann, in dem Zustand, in welchem der Wafer W auf dem Aufspanntisch 90 gehaltert ist, und es gibt keine Schwierigkeiten beim Schneiden des Wafers W.
  • Nach dem Haltern des Wafers W auf dem Aufspanntisch 90 wird der Aufspanntisch 90 in Richtung X zu einer Position direkt unmittelbar der Schneidklinge 912 bewegt. Die Schneidklinge 912, die sich mit hoher Geschwindigkeit dreht, wird abgesenkt, um den Wafer W entlang einer vorbestimmten oder erfassten Straße zu schneiden, die sich in Richtung X erstreckt, bei Bewegung des Aufspanntisches 90 in Richtung +X. Auf diese Weise wird die vorbestimmte Straße, die auf der Vorderseite Wa des Wafers W vorgesehen ist, durch die Schneidklinge 912 geschnitten. Nach Schneiden dieser vorbestimmten Straße wird die Schneidvorrichtung 91 in Richtung Y geschaltet zugestellt, um ein Ausmaß entsprechend dem Raum zwischen benachbarten Straßen, und wird die nächste Straße neben der voranstehend geschilderten, vorbestimmten Straße auf entsprechende Art und Weise durch die Schneidklinge 912 geschnitten. Dieser Schneidvorgang wird für sämtliche Straßen wiederholt, die in Richtung X verlaufen. Dann wird der Aufspanntisch 90 um 90° gedreht, um entsprechend die übrigen Straßen zu schneiden, die senkrecht zu den voranstehend geschilderten, geschnittenen Straßen verlaufen. Auf diese Weise werden alle sich senkrecht kreuzenden Straßen, die auf der Vorderseite Wa des Wafers W vorgesehen sind, geschnitten, um die einzeln getrennten Bauelemente D zu erhalten.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Einzelheiten der voranstehend geschilderten, bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Wesen und Umfang der Erfindung ergeben sich aus der Gesamtheit der vorliegenden Anmeldeunterlagen und sollen von den beigefügten Patentansprüchen umfasst sein.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2007-10379 [0003]
    • - JP 2007-19379 [0003]

Claims (3)

  1. Wafer-Bearbeitungsverfahren, bei welchem vorgesehen sind: ein Schritt zur Ausbildung eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4) zum Haltern eines Wafers (W) auf einem Aufspanntisch (20) einer ersten Schleifeinheit (2) in einem Zustand, bei welchem die Vorderseite (Wa) des Wafers (W) auf dem Aufspanntisch (20) angeordnet ist, wobei die Vorderseite (Wa) des Wafers (W) aus einem Bauelementenbereich (W1) besteht, in welchem mehrere Bauelemente vorgesehen werden, getrennt durch mehrere Straßen (S), und aus einem Außenumfangsrandbereich (W2), welcher den Bauelementenbereich (W1) umgibt, und zum Schleifen der Rückseite (Wb) des Bauelementenbereichs (W1) des Wafers (W) zur Ausbildung einer Ausnehmung (W3) und eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4) um die Ausnehmung (W3) herum; ein Metallfilmablagerungsschritt zur Ablagerung eines Metallfilms (4) auf der Rückseite (Wb) des Wafers (W) nach Durchführung des Schritts zur Ausbildung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4); und ein Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4) nach Durchführen des Metallfilmablagerungsschritts; wobei der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts eine zweite Schleifeinheit (5) einsetzt, die einen drehbaren Aufspanntisch (6) aufweist, der eine Halteoberfläche (60) zum Haltern des Wafers (W) hat, eine Schleifvorrichtung (7), die eine drehbare Schleifscheibe (73) und einen ringförmigen Schleifstein (74) aufweist, der an der Schleifscheibe (73) befestigt ist, um den auf dem Aufspanntisch (6) gehalterten Wafer (W) zu schleifen, und eine Zustellvorrichtung (8) zum Zustellen der Schleifvorrichtung (7) in Richtung senkrecht zu der Halteoberfläche (60) des Aufspanntisches (6); wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt (W4) durch den Schleifstein (74) so geschliffen wird, dass die Ortskurve des sich drehenden Schleifsteins (74) den ringförmigen Verstärkungsabschnitt (W4) schneidet, bei Betrachtung in Aufsicht, wobei der Aufspanntisch (6) gedreht wird, auf welchem die Vorderseite (Wa) des Wafers (W) gehaltert ist, und der Schleifstein (74) durch Betätigung der Zustellvorrichtung (8) während der Drehung der Schleifscheibe (73) zugestellt wird; wobei das Schleifen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4) beendet wird, wenn die geschliffene Oberfläche des ringförmigen Verstärkungsabschnitts (W4) um 20 bis 1 μm höher ist als die obere Oberfläche des Metallfilms, der auf der Rückseite des Bauelementenbereichs (W1) abgelagert ist.
  2. Wafer-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch einen Trennschritt zum Trennen des Wafers (W) auf die einzelnen Bauelemente entlang den Straßen (S) in jenem Zustand, in welchem ein Zersägeband (T) an der Rückseite (Wb) des Wafers (W) angebracht ist, und der Wafer durch das Zersägeband (T) an einem Zersägerahmen (F) gehaltert wird, nach Durchführung des Schritts zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts.
  3. Wafer-Bearbeitungsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Zersägeband (T) eine Dicke von 80 bis 100 μm aufweist.
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