TWI421932B - Wafer processing method - Google Patents

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Description

晶圓之加工方法
本發明係一種形成很薄時亦可易於處理之晶圓之加工方法。
有IC、LSI之類之多數元件形成在表面側之晶圓係使用切割裝置等而分成一個一個元件，且組裝到各種電子機器後被廣為使用。又，為達成電子機器之小型化及重量輕減化等等目的，被分割成一個一個元件之前的晶圓被研磨其背面，使其厚度形成為諸如20μm至100μm者。
惟，藉研磨而形成很薄之晶圓便失去剛性，因此有在之後的步驟中難以進行處理或運送之問題衍生。例如很難進行在藉研磨背面而變薄的晶圓之背面上堆疊由金、銀、鈦等構成之金屬膜達數十nm程度之厚度。
在此，本申請人有一晶圓之加工方法之提案，且已申請發明專利，在前述晶圓之加工方法中，對晶圓之背面，研磨已形成有元件之部位的元件區之背面，形成預期之厚度，而外周側則留下而不研磨，形成環狀補強部，以提高晶圓的剛性，在易於處理或易於運送之狀態下，將金屬膜覆蓋背面，之後再除去環狀補強部，進行切割，分割成一個一個元件者(參考專利文獻1)。
[專利文獻1]日本專利申請案公開公報-特開2007-19379號
惟，在專利文獻1所揭示之晶圓之加工方法中，研磨環狀補強部之背面，除去環狀補強部時，為了不研磨到已覆 蓋元件區之背面之金屬膜，必須將研磨塊正確地調整位置對準於環狀補強部，因此有為此之控制較為繁雜之問題存在。
在此，本發明欲解決之課題係於：研磨晶圓之元件區的背面，在其周圍形成環狀補強部後，將金屬膜覆蓋晶圓之背面，即可在不損壞該金屬膜之狀態下，容易除去環狀補強部者。
本發明係有關於一種晶圓之加工方法，至少包含有下列步驟，即：環狀補強部形成步驟，係將在表面上形成有藉多數條紋區隔出之多數元件區及圍繞該等元件區之外周剩餘區之晶圓的表面側固持於研磨裝置之夾持台，研磨前述元件區的背面，形成凹部，並於前述凹部的外周側形成環狀補強部；金屬膜覆蓋步驟，係於該環狀補強部形成步驟之後，在該晶圓的背面覆蓋金屬膜；及，環狀補強部除去步驟，係於該金屬膜覆蓋步驟之後，除去前述環狀補強部，而在前述環狀補強部除去步驟中，使用一研磨裝置，且前述研磨裝置至少包含有：夾持台，具有固持晶圓之固持面且可旋轉者；研磨機構，係構造成配置有環狀研磨塊之可旋轉的研磨輪，且該研磨塊可研磨業已固持在夾持台之晶圓；及，研磨移動機構，係將該研磨機構沿相對於該固持面垂直之方向研磨移動者，又，在前述環狀補強部除去步驟中，將該晶圓的表面側固持在夾持台後旋轉，並一邊使該研磨輪旋轉，一邊藉該研磨移動機構所進行之研磨 移動，以該研磨塊的軌跡與該環狀補強部交叉之方式，使研磨塊作用於該晶圓的背面，研磨該環狀補強部，且研磨到該環狀補強部之研磨面抵達距離已覆蓋該元件區背面之金屬膜上面20μm至1μm上之位置時，即結束研磨。
在前述環狀補強部除去步驟之後實施一分割步驟，在該分割步驟中，將切割膠帶黏貼在前述晶圓之背面，在藉該切割膠帶將該晶圓固持在切割架之狀態下，沿前述條紋將該晶圓分割成一個一個元件。切割膠帶之厚度宜為80μm至100μm。
[發明之效果]
依本發明，在環狀補強部除去步驟中，以研磨塊之旋轉軌道與環狀補強部交叉之方式進行研磨，因此不須將研磨塊正確地對準於環狀補強部的上方，控制變得簡單。又，在環狀補強部之研磨面到達距離覆蓋元件區背面之金屬膜上面20μm至1μm上之位置時，即結束研磨，因此研磨塊不會接觸位於元件區背面之金屬膜。因此不會損壞元件區背面之金屬膜。
進而，在環狀補強部除去步驟後之分割步驟中，在環狀補強部之背面突出高於元件區之金屬膜20μm至1μm之狀態下黏貼切割膠帶，但在如此程度之段差時，比切割膠帶之厚度更小，切割膠帶柔軟，因此可藉切割膠帶吸收該段差，不會造成切割之障礙。
 [圖式簡單說明]
第1圖係顯示晶圓及保護構件之立體圖。
第2圖係顯示表面黏貼有保護構件之晶圓之立體圖。
第3圖係顯示環狀補強部形成步驟之立體圖。
第4圖係顯示環狀補強部形成步驟結束後之晶圓之立體圖。
第5圖係顯示環狀補強部形成步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第6圖係顯示減壓成膜裝置例之概略剖視圖。
第7圖係顯示金屬膜覆蓋步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第8圖係顯示研磨裝置例之立體圖。
第9圖係顯示環狀補強部除去步驟之立體圖。
第10圖係顯示環狀補強部除去步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第11圖係顯示晶圓黏貼在切割膠帶且保護構件剝離之狀態之立體圖。
第12圖係顯示切割裝置例之立體圖。
第13圖係顯示相對於切割膠帶之晶圓的黏貼狀態之放大剖視圖。
如第1圖所示，在晶圓W之表面Wa上具有形成有多數元件D之元件區W1及圍繞元件區W1之外周剩餘區W2。在元件區W1中，藉縱向、橫向設置之條紋S界定而形成有元件D。又，在圖中所示之型態例之晶圓W之外周部形成有凹口N，該凹口N為顯示晶體方位之切口。
在該晶圓W1的表面Wa上貼上膠帶等保護構件1後翻 面，如第2圖所示，成為裸露背面Wb之狀態。接著，使用諸如第3圖所示之研磨裝置2，研磨背面Wb。該研磨裝置2具有可固持晶圓而旋轉之夾持台20及用以對晶圓實施研磨加工之研磨機構21。研磨機構21設有可旋轉且可昇降之轉軸22、裝設於轉軸22之前端且隨著轉軸22之旋轉而旋轉之研磨輪23、及固設於研磨輪23下面之研磨塊24。在夾持台20上，成為固持保護構件1側，晶圓W之背面Wb與研磨塊24相對之狀態。又，晶圓W隨著夾持台20之旋轉而旋轉，同時隨著轉軸22旋轉而旋轉之研磨塊24下降，接觸於晶圓W之背面Wb。此時，研磨塊24接觸於背面Wb中相當於表面Wa之元件區W1(參考第1圖)之部分，即接觸於元件區W1之背面，且不研磨除此之外之部分。從此，如第4及5圖所示，在業經研磨之部分形成凹部W3，在其外周側與凹部W3之底面之間所產生之段差部分，即外周剩餘區W2之背面形成環狀補強部W4(環狀補強部形成步驟)。環狀補強部W4之厚度希望有數百μm程度。此外，元件區W1之厚度可形成很薄諸如20μm至100μm程度。
其次，在於環狀補強部形成步驟後之晶圓W之背面覆蓋由金、銀、鈦等構成之金屬膜(金屬膜覆蓋步驟)。為移轉到金屬膜覆蓋步驟，由第3圖所示之研磨裝置2之夾持台20取出晶圓W及保護構件1時，由於晶圓W形成有環狀補強部W4，因此與由夾持台取出已研磨了背面全面之晶圓之型態相比，較容易進行取出，受到損傷之疑慮亦少。
金屬膜覆蓋步驟中可使用如第6圖所示之減壓成膜裝 置3。在該減壓成膜裝置3中，具有一用以於室31之內部以靜電式固持晶圓W之固持部32，在其上方之相對的位置上設有由金屬構成之濺鍍源34，該濺鍍源34被激磁構件33支撐之狀態而設於其中。該濺鍍源34連結有高頻電源35。又，在室31之一側部設有一用以引進濺射氣體之引入口36，在另一側設有與減壓源連通之減壓口37。
藉於固持部32中以靜電式固持保護構件1側，使晶圓W之背面相對於濺鍍源34而固持者。由高頻電源35而對藉激磁構件33磁化之濺鍍源34施加40kHz程度之高頻功率，由減壓口37將室31之內部減壓到10-2 Pa至10-4 Pa程度，形成減壓環境，並由引入口36引進氬氣，產生電漿，電漿中的氬原子便衝撞濺鍍源34，彈出粒子，堆積在晶圓W之背面，如第7圖所示，形成金屬膜4。此金屬膜4具有諸如30nm至60nm程度之厚度。又，環狀補強部W4施與遮蔽，完成金屬膜覆蓋步驟時，只在凹部W3形成金屬膜4。金屬膜覆蓋步驟係於元件區W1之背面側藉研磨而變薄之狀態下進行，但晶圓W形成環狀補強部W4，因此金屬膜覆蓋步驟中之晶圓處理趨於簡單。又，金屬膜覆蓋步驟亦可藉蒸鍍或CVD等進行。
在金屬膜覆蓋步驟結束之後，除去環狀補強部W4(環狀補強部除去步驟)。對於除去環狀補強部W4，例如可使用第8圖所示之研磨裝置5。此研磨裝置5包含有：夾持台6，係具有用以固持晶圓W之固持面，可旋轉及沿水平方向移動者；研磨機構7，係研磨已固持於夾持台6之晶圓W者；及， 研磨移動機構，係用以將研磨機構7朝相對於固持面60垂直之方向研磨移動者。
研磨機構7包含有：具有垂直方向之軸心之轉軸70、支撐轉軸70且使該轉軸70旋轉之轉軸殼體71、形成在轉軸70之前端之輪台72、固定於輪台72之研磨輪73、固著於研磨輪73之下面之研磨塊74、及用以驅動轉軸70之馬達75。
研磨移動機構8包含有：沿垂直方向設置之球型螺絲80、連結於球型螺絲80之一端之脈衝馬達81、與球型螺絲80平行設置之一對導軌82、使內部螺栓(未示於圖中)螺緊於球型螺絲80且側部滑接於導軌82之昇降板83、及，用以與昇降板83連結且支撐轉軸殼體71之支撐部84，而構造成使脈衝馬達81驅動，將球型螺絲80旋動，使昇降板83被導軌82導引而昇降，隨此，使支撐部84及研磨機構7昇降者，未示於圖中之控制部藉供給於脈衝馬達81之脈衝，可以μm單位精密地控制研磨塊74之上下方向的位置。
如第7圖所示，形成有環狀補強部W4且覆蓋金屬膜4之晶圓W，如第9圖所示，將保護構件1側(晶圓W之表面側)固持於夾持台6之固持面60。接著，使夾持台6旋轉，並藉馬達75之驅動，一邊將研磨輪73旋轉，一邊藉由研磨移動機構8之研磨移動，而使研磨機構7下降，如第9圖所示，以旋轉之研磨塊74的軌跡與晶圓W之環狀補強部W4交叉之方式，作用於環狀補強部W4而研磨之。接著，如第10圖所示，研磨外周剩餘區W4，直至距離元件區W1背面之金屬膜4之上面4a約20μm~1μm上之位置為止，而結束研磨(環 狀補強部除去步驟)。即，進行研磨，直至環狀補強部W4之研磨面W4a位於距離金屬膜4之上面4a約20μm至1μm上者。
如此，在研磨塊74之下面到達距離金屬膜4之上面4a約20μm至1μm上之位置之時點，停止藉研磨移動機構8進行之研磨移動，結束研磨，由於研磨塊74不接觸於金屬膜4，因此不會損傷金屬膜4。又，以研磨塊74之旋轉軌道與環狀補強部W4交叉之方式緊貼研磨塊74，進行研磨，因此，不必將研磨塊74只對準於環狀補強部W4上方，亦使夾持台6之水平方向之位置控制變得容易。
在環狀補強部除去步驟結束之後，如第11圖所示，將晶圓W貼在切割膠帶T，將切割膠帶T之緣部黏貼於環狀的框架F，而成為晶圓W透過切割膠帶T而藉切割框架F支撐之狀態，並將黏貼在晶圓W之表面W1之保護構件1剝離。切割膠帶T藉由諸如約80μm至100μm之厚度之聚烯烴等構成之柔軟材質形成。按此，藉切割膠帶T而被支撐在切割框架F之晶圓W被運送到如第12圖所示之切割裝置9之夾持台90，而固持其上。
研磨裝置9具有一用以固持晶圓W且可旋轉之夾持台90及相對於晶圓W施與切割之切割機構91。切割機構91構造成將切割刀912裝設在藉殼體910支撐成可旋轉之轉軸911之前端部者。夾持台90藉加工移動機構92而被驅動，可沿X軸方向移動者。又，切割機構91係藉分割移動機構93而被驅動，可沿Y軸方向移動，並藉切入移動機構94而被驅 動，可沿Z軸方向移動者。
夾持台90上固持已黏貼於晶圓W之切割膠帶T側。此時，如第13圖所示，環狀補強部W4之上面W4a與元件區背面之金屬膜4之上面(研磨面)4a間之段差為20μm至1μm程度，此段差藉厚度為80μm至100μm且柔軟之切割膠帶T吸收，因此晶圓W之表面Wa成為平坦的狀態，對切割不會造成障礙。
按此，晶圓W被固持於夾持台90，夾持台90往＋X方向移動，並一邊使切割刀912高速旋轉，一邊將切割機構91下降，切入該切割用之條紋，切割所測到之條紋。又，隔著條紋間隔，將切割機構91往Y軸方向刻度移動，反覆進行切割，而將同一方向之條紋全部被切割。進而，將夾持台90旋轉90度後，再進行同樣的切割，使所有的條紋被切割，分割成一個一個元件D。
1‧‧‧保護構件
2‧‧‧研磨裝置
20‧‧‧夾持台
21‧‧‧研磨機構
22‧‧‧轉軸
23‧‧‧研磨輪
24‧‧‧研磨塊
3‧‧‧減壓成膜裝置
31‧‧‧室
32‧‧‧固持部
33‧‧‧激磁構件
34‧‧‧濺鍍源
35‧‧‧高頻電源
36‧‧‧引入口
37‧‧‧減壓口
4‧‧‧金屬膜
4a‧‧‧上面
5‧‧‧研磨裝置
6‧‧‧夾持台
60‧‧‧固持面
7‧‧‧研磨機構
70‧‧‧轉軸
71‧‧‧轉軸殼體
72‧‧‧輪台
73‧‧‧研磨輪
74‧‧‧研磨塊
75‧‧‧馬達
8‧‧‧研磨移動機構
80‧‧‧球型螺絲
81‧‧‧脈衝馬達
82‧‧‧導軌
83‧‧‧昇降板
84‧‧‧支撐部
9‧‧‧研磨裝置
90‧‧‧夾持台
91‧‧‧切割機構
910‧‧‧殼體
911‧‧‧轉軸
912‧‧‧切割刀
92‧‧‧加工移動機構
93‧‧‧分割移動機構
94‧‧‧切入移動機構
D‧‧‧元件
F‧‧‧切割框架
N‧‧‧凹口
S‧‧‧條紋
T‧‧‧切割膠帶
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧元件區
W2‧‧‧外周剩餘區
W3‧‧‧凹部
W4‧‧‧環狀補強部
W4a‧‧‧研磨面(上面)
Wa‧‧‧表面
Wb‧‧‧背面
第1圖係顯示晶圓及保護構件之立體圖。
第2圖係顯示表面黏貼有保護構件之晶圓之立體圖。
第3圖係顯示環狀補強部形成步驟之立體圖。
第4圖係顯示環狀補強部形成步驟結束後之晶圓之立體圖。
第5圖係顯示環狀補強部形成步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第6圖係顯示減壓成膜裝置例之概略剖視圖。
第7圖係顯示金屬膜覆蓋步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第8圖係顯示研磨裝置例之立體圖。
第9圖係顯示環狀補強部除去步驟之立體圖。
第10圖係顯示環狀補強部除去步驟結束後之晶圓之剖視圖。
第11圖係顯示晶圓黏貼在切割膠帶且將保護構件剝離之狀態之立體圖。
第12圖係顯示切割裝置例之立體圖。
第13圖係顯示相對於切割膠帶之晶圓的黏貼狀態之放大剖視圖。
1‧‧‧保護構件
4‧‧‧金屬膜
6‧‧‧夾持台
70‧‧‧轉軸
71‧‧‧轉軸殼體
73‧‧‧研磨輪
74‧‧‧研磨塊
W‧‧‧晶圓
W4‧‧‧環狀補強部

Claims (3)

  1. 一種晶圓之加工方法，至少包含有下列步驟，即：環狀補強部形成步驟，係將在表面上形成有藉多數條紋區隔出之多數元件區及圍繞該等元件區之外周剩餘區之晶圓的表面側固持於研磨裝置之夾持台，研磨前述元件區的背面，形成凹部，並於前述凹部的外周側形成環狀補強部；金屬膜覆蓋步驟，係於該環狀補強部形成步驟之後，在該晶圓的背面覆蓋金屬膜；及環狀補強部除去步驟，係於該金屬膜覆蓋步驟之後，除去前述環狀補強部，而在前述環狀補強部除去步驟中，使用一研磨裝置，且前述研磨裝置至少包含有：夾持台，具有固持晶圓之固持面且可旋轉者；研磨機構，係構造成配置有環狀研磨塊之可旋轉的研磨輪，且該研磨塊可研磨業已固持在夾持台之晶圓；及，研磨移動機構，係將該研磨機構沿相對於該固持面垂直之方向研磨移動者，又，在前述環狀補強部除去步驟中，將該晶圓的表面側固持在夾持台後旋轉，並一邊使該研磨輪旋轉，一邊藉該研磨移動機構所進行之研磨移動，以該研磨塊的軌跡與該環狀補強部交叉之方式，使研磨塊作用於該晶圓的背面，研磨該環狀補強部，且研磨到該環狀補強部之研磨面抵達距離已覆蓋該元件區背面之金屬膜上面20μm至1μm上之位置時，即結束研磨。
  2. 如申請專利範圍第1項之晶圓之加工方法，其中前述環狀補強部除去步驟之後實施一分割步驟，在該分割步驟中，將切割膠帶黏貼在前述晶圓之背面，在藉該切割膠帶將該晶圓固持在切割架之狀態下，沿前述條紋將該晶圓分割成一個一個元件。
  3. 如申請專利範圍第2項之晶圓之加工方法，其中前述切割膠帶之厚度為80μm至100μm。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036143A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法
JP5268599B2 (ja) * 2008-12-03 2013-08-21 株式会社ディスコ 研削装置および研削方法
JP5356890B2 (ja) * 2009-04-02 2013-12-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2011151070A (ja) * 2010-01-19 2011-08-04 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN102462510B (zh) * 2010-11-12 2013-09-18 香港理工大学 旋转超声成像系统
JP5856433B2 (ja) * 2011-10-21 2016-02-09 株式会社ディスコ サファイア基板の研削方法
US8754504B2 (en) 2012-05-23 2014-06-17 United Microelectronics Corporation Thinned wafer and fabricating method thereof
JP6366308B2 (ja) * 2014-03-12 2018-08-01 株式会社ディスコ 加工方法
JP6723892B2 (ja) * 2016-10-03 2020-07-15 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7089136B2 (ja) * 2018-03-22 2022-06-22 株式会社デンソー ウエーハの研削方法
CN109822419B (zh) * 2019-03-04 2024-08-23 天通日进精密技术有限公司 晶圆转移装置及晶圆转移方法
JP7407561B2 (ja) 2019-10-30 2024-01-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
CN111987146A (zh) * 2020-09-21 2020-11-24 上海擎茂微电子科技有限公司 一种用于制备半导体器件的晶圆及晶圆的背面减薄方法
CN114434242B (zh) * 2022-02-21 2023-02-17 无锡芯坤电子科技有限公司 一种晶圆打磨设备及其使用方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060197260A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Disco Corporation Laser processing method and laser beam processing machine
US20070007247A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Disco Corporation Processing method for semiconductor wafer
US20070020887A1 (en) * 2005-07-25 2007-01-25 Kazuma Sekiya Processing method and grinding apparatus of wafer
JP2007042811A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006021264A (ja) * 2004-07-07 2006-01-26 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
JP4203051B2 (ja) 2005-06-28 2008-12-24 本田技研工業株式会社 力覚センサ
JP2007012810A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060197260A1 (en) * 2005-03-07 2006-09-07 Disco Corporation Laser processing method and laser beam processing machine
US20070007247A1 (en) * 2005-07-11 2007-01-11 Disco Corporation Processing method for semiconductor wafer
US20070020887A1 (en) * 2005-07-25 2007-01-25 Kazuma Sekiya Processing method and grinding apparatus of wafer
JP2007042811A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ外周研削方法及びウェーハ外周研削装置

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