JP2006021264A - 研削装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 被加工物の表面に保護テープを貼着して裏面を研削しても、保護テープの厚さのバラツキに影響されることなく、被加工物を所定の仕上がり厚さに研削することができる研削装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削手段と、研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するハイトゲージを具備する研削装置であって、被加工物の厚さを検出する厚さ測定器と、厚さ測定器とハイトゲージからの検出データに基づいて研削手段および研削送り手段を制御する制御手段具備している。制御手段は、厚さ検出器によって検出された加工前の被加工物の厚さと被加工物の仕上がり厚さデータから目標研削量を算出し、ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から目標研削量に相当する高さ位置に達するまで研削する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体ウエーハなどの被加工物を所定の厚さになるまで研削する研削装置に関する。

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の回路が複数個形成された半導体ウエーハは、個々のチップに分割される前にその裏面を研削装置によって研削して所定の厚さに形成されている。半導体ウエーハの裏面を研削する研削装置は、半導体ウエーハを吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブル上に吸引保持された半導体ウエーハを研削する研削手段と、該研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの上面（裏面）の高さ位置を検出するハイトゲージを具備し、チャックテーブルの保持面を原点として半導体ウエーハの上面（裏面）の高さ位置を検出し、半導体ウエーハの裏面の研削量を計測しながら所定の厚さになるまで研削している。（例えば、特許文献１参照）
特開２０００−３５４９６２号公報

而して、半導体ウエーハの表面には回路を保護するために保護テープが貼着されているので、上述した研削方法においては保護テープの厚さのバラツキによって研削した半導体ウエーハの厚さにバラツキが生ずる。即ち、上述した研削方法においては半導体ウエーハと保護テープを合わせた厚さを認識しながら研削するため、保護テープの厚さのバラツキによって研削した半導体ウエーハの厚さにバラツキが生ずる。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、被加工物の表面に保護テープを貼着して裏面を研削しても、保護テープの厚さのバラツキに影響されることなく、被加工物を所定の仕上がり厚さに研削することができる研削装置を提供することにある。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削手段と、該研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するハイトゲージと、を具備する研削装置において、
被加工物の厚さを検出する厚さ測定器と、
該厚さ測定器と該ハイトゲージからの検出データに基づいて該研削手段および該研削送り手段を制御する制御手段と、を具備し、
該制御手段は、被加工物の仕上がり厚さデータを格納する第１の格納領域と該厚さ測定器によって測定された加工前の被加工物の厚さデータを格納する第２の格納領域と仕上がり厚さデータと加工前の被加工物の厚さデータとに基づいて算出された目標研削量を格納する第３の格納領域を有する記憶手段を備え、該ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から該目標研削量に相当する高さ位置に達したら該研削送り手段による研削送りを停止する、
ことを特徴とする研削装置が提供される。

被加工物を収容するカセットが載置されるカセット載置部と、該カセット載置部に載置されたカセットに収容された被加工物を搬出する搬出手段と、該搬出手段によって搬出された被加工物を仮置きし被加工物の中心位置を合わせる仮置きテーブルと、該仮置きテーブルによって中心位置合わせされた被加工物を該チャックテーブルに搬送する搬送手段とを具備し、該厚さ測定器は該仮置きテーブルに隣接して配設され該仮置きテーブルに載置された被加工物の厚さを検出する。上記厚さ測定器は、非接触方式の測定器を用いることが望ましい。

本発明に従って構成された研削装置によれば、厚さ検出器によって検出された加工前の被加工物の厚さと被加工物の仕上がり厚さデータから目標研削量を算出し、ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から目標研削量に相当する高さ位置に達するまで研削するので、被加工物に貼着される保護テープの厚さにバラツキがあっても、このバラツキに影響されることなく被加工物を所定の仕上り厚さに研削することができる

以下、本発明に従って構成された研削装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して説明する。

図１には、本発明に従って構成された研削装置の斜視図が示されている。
図示の実施形態における研削装置は、略直方体状の装置ハウジング２を具備している。装置ハウジング２の図１において右上端には、静止支持板２１が立設されている。この静止支持板２１の内側面には、上下方向に延びる２対の案内レール２２、２２および２３、２３が設けられている。一方の案内レール２２、２２には荒研削手段としての荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に装着されており、他方の案内レール２３、２３には仕上げ研削手段としての仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に装着されている。

荒研削ユニット３は、ユニットハウジング３１と、該ユニットハウジング３１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント３２に装着された荒研削ホイール３３と、該ユニットハウジング３１の上端に装着されホイールマウント３２を矢印３２aで示す方向に回転せしめるサーボモータ３４と、ユニットハウジング３１を装着した移動基台３５とを具備している。移動基台３５には被案内レール３５１、３５１が設けられており、この被案内レール３５１、３５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２２、２２に移動可能に嵌合することにより、荒研削ユニット３が上下方向に移動可能に支持される。図示の実施形態における研削装置は、荒研削ユニット３の移動基台３５を案内レール２２、２２に沿って移動させ荒研削ホイール３３を研削送りする研削送り手段３６を具備している。研削送り手段３６は、上記静止支持板２１に案内レール２２、２２と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド３６１と、該雄ねじロッド３６１を回転駆動するためのパルスモータ３６２と、上記移動基台３５に装着され雄ねじロッド３６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備している。この研削送り手段３６は、パルスモータ３６２を正転駆動すると荒研削ユニット３を後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に下降せしめ、パルスモータ３６２を逆転駆動すると荒研削ユニット３を後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に上昇せしめる。

上記仕上げ研削ユニット４も荒研削ユニット３と同様に構成されており、ユニットハウジング４１と、該ユニットハウジング４１の下端に回転自在に装着されたホイールマウント４２に装着された仕上げ研削ホイール４３と、該ユニットハウジング４１の上端に装着されホイールマウント４２を矢印４２aで示す方向に回転せしめるサーボモータ４４と、ユニットハウジング４１を装着した移動基台４５とを具備している。移動基台４５には被案内レール４５１、４５１が設けられており、この被案内レール４５１、４５１を上記静止支持板２１に設けられた案内レール２３、２３に移動可能に嵌合することにより、仕上げ研削ユニット４が上下方向に移動可能に支持される。図示の形態における研削装置は、仕上げ研削ユニット４の移動基台４５を案内レール２３、２３に沿って移動させ仕上げ研削ホイール４３を研削送りする研削送り手段４６を具備している。研削送り手段４６は、上記静止支持板２１に案内レール２３、２３と平行に上下方向に配設され回転可能に支持された雄ねじロッド４６１と、該雄ねじロッド４６１を回転駆動するためのパルスモータ４６２と、上記移動基台４５に装着され雄ねじロッド４６１と螺合する図示しない雌ねじブロックを具備している。この研削送り手段４６は、パルスモータ４６２を正転駆動すると仕上げ研削ユニット４を後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に下降せしめ、パルスモータ４６２を逆転駆動すると仕上げ研削ユニット４を後述するチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に上昇せしめる。

図示の実施形態における研削装置は、上記静止支持板２１の前側において装置ハウジング２の上面と略面一となるように配設されたターンテーブル５を具備している。このターンテーブル５は、比較的大径の円盤状に形成されており、図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に適宜回転せしめられる。ターンテーブル５には、図示の実施形態の場合それぞれ１２０度の位相角をもって３個のチャックテーブル６が水平面内で回転可能に配置されている。このチャックテーブル６は、円盤状の基台６１とポーラスセラミック材によって円盤状に形成され吸着保持チャック６２とからなっており、吸着保持チャック６２の上面（保持面）に載置された被加工物を図示しない吸引手段を作動することにより吸引保持する。このように構成されたチャックテーブル６は、図示しない回転駆動機構によって図１において矢印６aで示す方向に回転せしめられる。ターンテーブル５に配設された３個のチャックテーブル６は、ターンテーブル５が適宜回転することにより被加工物搬入・搬出域Ａ、荒研削加工域Ｂ、および仕上げ研削加工域Ｃおよび被加工物搬入・搬出域Ａに順次移動せしめられる。

図示の研削装置は、被加工物搬入・搬出域Ａに対して一方側に設けられた第１のカセット載置部７aに載置され研削加工前の被加工物である半導体ウエーハをストックする第１のカセット７と、被加工物搬入・搬出域Ａに対して他方側に設けられた第２のカセット載置部８aに載置され研削加工後の被加工物である半導体ウエーハをストックする第２のカセット８と、第１のカセット７と被加工物搬入・搬出域Ａとの間に配設され被加工物を仮置きし被加工物の中心位置を合わせる仮置きテーブル９と、被加工物搬入・搬出域Ａと第２のカセット８との間に配設されたスピンナー洗浄手段１１と、第１のカセット７内に収納された被加工物である半導体ウエーハを中心合わせ手段９に搬出するとともにスピンナー洗浄手段１１で洗浄された半導体ウエーハを第２のカセット８に搬送する被加工物搬送手段１２と、中心合わせ手段９上に載置され中心合わせされた半導体ウエーハを被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に搬送する被加工物搬入手段１３と、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置されている研削加工後の半導体ウエーハを洗浄手段１１に搬送する被加工物搬出手段１４を具備している。なお、上記第１のカセット７には、半導体ウエーハ１５が表面１５aに保護テープ１６が貼着された状態で複数枚収容される。このとき、半導体ウエーハ１５は、保護テープ１６が貼着された表面１５a側を上にして収容される。

図示の実施形態における研削装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
第１のカセット７に収容された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５は被加工物搬送手段１２の上下動作および進退動作により搬送され、更に１８０°反転して半導体ウエーハ１５の表裏を反転せしめられ裏面１５bが上側を向くように仮置きテーブル９に載置される。仮置きテーブル９に載置された半導体ウエーハ１５は、６本のピン９１の中心に向かう径方向運動により中心合わせされる。仮置きテーブル９に載置され中心合わせされた半導体ウエーハ１５は、被加工物搬入手段１４の旋回動作によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６の吸着保持チャック６２上に載置される。チャックテーブル６上に載置された半導体ウエーハ１５は、図示しない吸引手段によってチャックテーブル６上に吸引保持される。次に、ターンテーブル５を図示しない回転駆動機構によって矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。

半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は、荒研削加工域Ｂに位置付けられると図示しない回転駆動機構によって矢印６aで示す方向に回転せしめられる。一方、荒研削ユニット３の研削ホイール３３は、矢印３２aで示す方向に回転せしめられつつ研削送り機構３６によって所定の下降速度で研削送りされる。この結果、チャックテーブル６上の半導体ウエーハ１５の裏面１５bに荒研削加工が施される。なお、この間に被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられた次のチャックテーブル６上には、上述したように研削加工前の半導体ウエーハ１５が載置される。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、半導体ウエーハ１５をチャックテーブル６上に吸引保持する。次に、ターンテーブル５を矢印５aで示す方向に１２０度回動せしめて、荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付ける。

このようにして、荒研削加工域Ｂに位置付けられたチャックテーブル６上に保持された荒研削加工前の半導体ウエーハ１５の裏面１５bには荒研削ユニット３によって荒研削加工が施され、仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６上に載置され荒研削加工された半導体ウエーハ１５の裏面１５bには仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が施される。次に、ターンテーブル５を矢印５ａで示す方向に１２０度回動せしめて、仕上げ研削加工した半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６を被加工物搬入・搬出域Ａに位置付ける。なお、荒研削加工域Ｂにおいて荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は仕上げ研削加工域Ｃに、被加工物搬入・搬出域Ａにおいて研削加工前の半導体ウエーハ１５を保持したチャックテーブル６は荒研削加工域Ｂにそれぞれ移動せしめられる。

なお、荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃを経由して被加工物搬入・搬出域Ａに戻ったチャックテーブル６は、ここで仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５の吸着保持を解除する。そして、被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上の仕上げ研削加工された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬出手段１４によってスピンナー洗浄手段１１に搬出される。スピンナー洗浄手段１１に搬送された半導体ウエーハ１５は、ここで裏面１５b（研削面）および側面に付着している研削屑が洗浄除去されるとともに、スピン乾燥される。このようにして洗浄およびスピン乾燥された半導体ウエーハ１５は、被加工物搬送手段１２によって第２のカセット８に搬送され収納される。

上述した研磨作業においては、半導体ウエーハ１５の厚さを所定の仕上がり厚さに研削する。半導体ウエーハ１５の厚さを所定の仕上がり厚さに研削するために、図示の研削装置は荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃにそれぞれ隣接して配設された第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bを備えている。この第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bは、それぞれ荒研削加工域Ｂおよび仕上げ研削加工域Ｃに位置付けられたチャックテーブル６に保持された被加工物である半導体ウエーハ１５の上面の高さ位置を検出し、その検出データを後述する制御手段に送る。

また、図示の実施形態における研削装置は、研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５の厚さを測定する厚さ測定器１８を備えている。この厚さ測定器１８は、上記仮置きテーブル９に隣接して配設され仮置きテーブル９に載置された被加工物である半導体ウエーハ１５の厚さを測定し、その測定データを後述する制御手段に送る。厚さ測定器１８は、図示の実施形態においては例えば特開２００１−２０３２４９号公報に記載されているように、被加工物に対して透過性を有するレーザー光線を仮置きテーブル９に載置された被加工物である半導体ウエーハ１５の上面（裏面１５b）に照射し、上面（裏面１５b）と底面（表面１５a）とで反射した反射光の干渉光を検出して厚さを計測する非接触方式の測定器が用いられている。このような非接触方式の厚さ測定器を用いることにより、半導体ウエーハ１５の表面１５aに保護テープ１６が貼着されていても半導体ウエーハ１５の厚さを正確に測定することができる。従って、保護テープ１６の厚さにバラツキがあっても、このバラツキに影響されることなく半導体ウエーハ１５の厚さを正確に測定することができる。

図示の実施形態における研削装置は、図２に示すように上記ハイトゲージ１７および厚さ測定器１８からの測定データに基づいて上記荒研削ユニット３や仕上げ研削ユニット４等を制御する制御手段１０を具備している。制御手段１０は、制御ポログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）１０１と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）１０２と、演算結果等を記憶する記憶手段としての読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３を、入力インターフェース１０４および出力インターフェース１０５を備えている。なお、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３は、後述する入力手段によって入力された被加工物である半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）データを格納する第１の記憶領域１０３aと、上記厚さ測定器１８によって測定された研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)データを格納する第２の記憶領域１０３bと、研削加工前の被加工物である半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)データと仕上り厚さ（t1）データに基づいて算出された目標研削量Ｔ（Ｔ＝t2−t1）を格納する第３の記憶領域１０３cを備えている。このように構成された制御手段１０の入力インターフェース１０４には、上記第１のハイトゲージ１７aおよび第２のハイトゲージ１７bや厚さ測定器１８から測定データが入力されるとともに、入力手段１９から上記仕上がり厚さ(t1)等のデータが入力される。一方、制御手段１０の出力インターフェース１０５からは、上記荒研削ユニット３のサーボモータ３４およびパルスモータ３６２、仕上げ研削ユニット４のサーボモータ４４およびパルスモータ４６２に制御信号を出力するとともに、上記ターンテーブル５およびチャックテーブル６の図示しない回転駆動機構等に制御信号を出力する。

図示の実施形態における制御手段１０は以上のように構成されており、以下半導体ウエーハ１５の厚さを所定の仕上がり厚さに研削する制御手順について説明する。
上述した研削作業を開始するに際して、第１のカセット７に収容された半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）を入力手段１９から制御手段１０に入力する。制御手段１０は、入力された半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第１の記憶領域１０３aに格納する。また、厚さ測定器１８は、第１のカセット７から搬出され仮置きテーブル９に載置された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)を測定し、その測定データを制御手段１０に送る。制御手段１０は、厚さ測定器１８から送られた半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第２の記憶領域１０３bに格納する。次に、制御手段１０は、第１の記憶領域１０３aに格納されている半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）と第２の記憶領域１０３bに格納されている研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)に基づいて目標研削量Ｔ（Ｔ＝t2−t1）を算出し、算出した目標研削量Ｔをランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１０３の第３の記憶領域１０３cに格納する。このように研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)を測定し、予め設定された半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）から目標研削量Ｔを算出するので、研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)にバラツキがあっても正確な目標研削量Ｔを求めることができる。

以上のようにして仮置きテーブル９に載置された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)を測定し目標研削量Ｔを求められたならば、仮置きテーブル９で厚さが測定された半導体ウエーハ１５は被加工物搬入手段１４によって被加工物搬入・搬出域Ａに位置付けられたチャックテーブル６上に載置され吸引保持される。そして、半導体ウエーハを載置したチャックテーブル６を荒研削加工域Ｂに位置付け、上述したように半導体ウエーハ１５に対して荒研削ユニット３によって荒研削加工が施される。この荒研削加工は、例えばチャックテーブル６を３００rpmの回転速度で回転し、荒研削ユニット３の荒研削ホイール３３を６０００rpmの回転速度で回転しつつ、研削送り手段３６のパルスモータ３６２を正転駆動し荒研削ユニット３を２．０mm／秒の研削送り速度で下降せしめる。この研削過程において、チャックテーブル６に保持され荒研削加工されている半導体ウエーハ１５の上面（裏面１５b）の高さ位置が第１のハイトゲージ１７aによって検出され、その検出信号が随時制御手段１０に送られている。

制御手段１０は、第１のハイトゲージ１７aによって検出された高さ位置が所定値になるまで荒研削ユニット３による研削作業を実行する。荒研削ユニット３による荒研削加工は、例えば仕上り厚さ（t1）に仕上げ研削代（t3）（例えば５０μm）を残した値(t1＋t3)までを荒目標研削量Ｔ０（Ｔ０＝t2−t1＋t3）とする。従って、例えば上記厚さ測定器１８によって検出された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)が４９５μmの場合には、仕上り厚さ（t1）を例えば１００μmとし仕上げ研削代（t3）を例えば５０μmとすると、荒目標研削量Ｔ０は３４５μm（Ｔ０＝４９５−１００＋５０＝３４５）となる。また、例えば上記厚さ測定器１８によって検出された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)が５０６μmの場合には、仕上り厚さ（t1）を例えば１００μmとし仕上げ研削代（t3）を例えば５０μmとすると、荒目標研削量Ｔ０は３５６μm（Ｔ０＝５０６−１００＋５０＝３５６）となる。そして、制御手段１０は、第１のハイトゲージ１７aによって検出された高さ位置が研削開示時の値から上記荒目標研削量Ｔ０（上述した例においては３４５μmまたは３５６μm）低下した位置に達したら、研削送り手段３６のパルスモータ３６２の正転駆動を停止し、更に逆転駆動して荒研削ユニット３を上昇せしめる。この結果、荒研削加工された半導体ウエーハ１５の厚さ(t)は１５０μmとなる。

上述したように荒研削ユニット３による荒研削加工を実施したならば、荒研削加工された半導体ウエーハ１５を保持しているチャックテーブル６を仕上げ研削加工域Ｃに位置付け、上述したように半導体ウエーハ１５に対して仕上げ研削ユニット４によって仕上げ研削加工が実施される。この仕上げ削加工は、例えばチャックテーブル６を３００rpmの回転速度で回転し、仕上げ研削ユニット４の仕上げ研削ホイール４３を６０００rpmの回転速度で回転しつつ、研削送り手段４６のパルスモータ４６２を正転駆動し仕上げ研削ユニット４を０．３mm／秒の研削送り速度で下降せしめる。この研削過程において、チャックテーブル６に保持され仕上げ削加工されている半導体ウエーハ１５の上面（裏面１５b）の高さ位置が第２のハイトゲージ１７bによって検出され、その検出信号が随時制御手段１０に送られている。

制御手段１０は、第２のハイトゲージ１７bによって検出された高さ位置が上記目標研削量Ｔになるまで仕上げ研削ユニット４による研削作業を実行する。例えば、半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）１００μmの場合、上記厚さ測定器１８によって検出された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)が４９５μmであったとすると、目標研削量Ｔは３９５μm（Ｔ＝t2−t1＝４９５−１００＝３９５）となる。また、半導体ウエーハ１５の仕上り厚さ（t1）１００μmの場合、上記厚さ測定器１８によって検出された研削加工前の半導体ウエーハ１５の厚さ(t2)が５０６μmであったとすると、目標研削量Ｔは４０６μm（Ｔ＝t2−t1＝５０６−１００＝４０６）となる。しかるに、上記荒研削加工によって半導体ウエーハ１５の厚さは既に１５０μmまで研削されているので、仕上げ研削ユニット４による実際の目標研削量は５０μmとなる。

そして、制御手段１０は、仕上げ研削開始時から第２のハイトゲージ１７bによって検出された高さ位置が５０μmに達したら、研削送り手段４６のパルスモータ４６２の正転駆動を停止し、更に逆転駆動して仕上げ研削ユニット４を上昇せしめる。以上にようにして研削加工を実施することにより、半導体ウエーハ１５の表面１５aに貼着される保護テープ１６の厚さにバラツキがあっても、このバラツキに影響されることなく半導体ウエーハ１５を所定の仕上り厚さ（t1）に研削することができる。

本発明に従って構成された研削装置の斜視図。 図１に示す研削装置に装備される制御手段のブロック構成図。

符号の説明

２：装置ハウジング
３：荒研削ユニット
３３：研削ホイール
３６：研削送り手段
３６２：パルスモータ
４：仕上げ研削ユニット
４３：研削ホイール
４６：研削送り手段
４６２：パルスモータ
５：ターンテーブル
６：チャックテーブル
７：第１のカセット
８：第２のカセット
９：仮置きテーブル
１０：制御手段
１１：スピンナー洗浄手段
１２：被加工物搬送手段
１３：被加工物搬入手段
１４：被加工物搬出手段
１５：半導体ウエーハ
１６：保護テープ
１７a ：第１のハイトゲージ
１７b ：第2のハイトゲージ
１８：厚さ測定器

Claims (3)

1. 被加工物を保持する保持面を備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を研削する研削手段と、該研削手段をチャックテーブルの保持面と垂直な方向に研削送りする研削送り手段と、チャックテーブルに保持された被加工物の上面の高さ位置を検出するハイトゲージと、を具備する研削装置において、
   被加工物の厚さを検出する厚さ測定器と、
   該厚さ測定器と該ハイトゲージからの検出データに基づいて該研削手段および該研削送り手段を制御する制御手段と、を具備し、
   該制御手段は、被加工物の仕上がり厚さデータを格納する第１の格納領域と該厚さ測定器によって測定された加工前の被加工物の厚さデータを格納する第２の格納領域と仕上がり厚さデータと加工前の被加工物の厚さデータとに基づいて算出された目標研削量を格納する第３の格納領域を有する記憶手段を備え、該ハイトゲージからの検出データに基づいて加工前の被加工物の高さ位置から該目標研削量に相当する高さ位置に達したら該研削送り手段による研削送りを停止する、
   ことを特徴とする研削装置。
2. 被加工物を収容するカセットが載置されるカセット載置部と、該カセット載置部に載置されたカセットに収容された被加工物を搬出する搬出手段と、該搬出手段によって搬出された被加工物を仮置きし被加工物の中心位置を合わせる仮置きテーブルと、該仮置きテーブルによって中心位置合わせされた被加工物を該チャックテーブルに搬送する搬送手段とを具備し、該厚さ測定器は該仮置きテーブルに隣接して配設され該仮置きテーブルに載置された被加工物の厚さを検出する、請求項１記載の研削装置。
3. 該厚さ測定器は、非接触方式の測定器である、請求項１又は２記載の研削装置。

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