DE102021214520A1 - Schleifvorrichtung - Google Patents

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DE102021214520A1
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grinding
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Satoru Fujimura
Kyohei Ichiishi
Yujiro SUDO
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Disco Corp
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Abstract

Eine Schleifvorrichtung beinhaltet einen Haltetisch, der einen Wafer hält, eine Schleifeinheit, die eine exponierte Fläche des durch den Haltetisch gehaltenen Wafers schleift, eine Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe erfasst, die zur Bestimmung des Expositionszustands einer Trennfläche des Wafers verwendet wird, und eine Steuerungseinheit, die eine Expositionsbestimmungseinheit aufweist, welche den Expositionszustand der Trennfläche auf Grundlage der durch die Erfassungseinheit erfassten physikalischen Größe bestimmt.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Schleifvorrichtung, die eine Trennfläche eines von einem Ingot getrennten Wafers schleift.
  • BESCHREIBUNG DES IN BEZIEHUNG STEHENDEN STANDS DER TECHNIK
  • Das folgende Erzeugungsverfahren für einen Wafer ist bekannt. Eine Bestrahlung mit einem Laserstrahl wird auf so eine Weise ausgeführt, dass der Laserstrahl auf eine Position fokussiert wird, die im Inneren eines Ingots und auf einer Tiefe ist, die mit der Dicke des gewünschten Wafers korrespondiert, und eine Bearbeitungsmarkierung wird ausgebildet. Zudem wird eine Trennschicht, die sich von dieser Bearbeitungsmarkierung aus horizontal erstreckt, ausgebildet, und der Wafer wird von dem Ingot unter Verwendung der Trennschicht als Startpunkt getrennt.
  • Bei dem durch diese Verfahrensart erzeugten Wafer werden Aussparungen und Vorsprünge in der Trennfläche auf der Trennflächenseite ausgebildet. Daher werden die Aussparungen und Vorsprünge der Trennfläche durch zum Beispiel Schleifen der Trennfläche nach der Trennung des Wafers von dem Ingot entfernt. Um diese Art der Schleifbearbeitung auszuführen, wird eine Schleifvorrichtung verwendet (siehe zum Beispiel das offengelegte japanische Patent Nr. 2018-049913 und das japanische offengelegte Patent Nr. 2006-021264).
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Wenn ein Bediener den getrennten Wafer manuell in einer Kassette aufnimmt, gibt es jedoch bei der Schleifvorrichtung, die in dem oben erwähnten offengelegten japanischen Patent Nr. 2018-049913 und dem offengelegten japanischen Patent Nr. 2006-021264 beschrieben wird, die Befürchtung, dass der Bediener den Wafer aus Versehen verkehrt herum einlegt und die der Trennfläche gegenüberliegende Fläche geschliffen wird.
  • Daher beabsichtigt die vorliegende Erfindung, eine Schleifvorrichtung bereitzustellen, welche die Wahrscheinlichkeit eines Schleifens einer Fläche bei einem Wafer, die einer Trennfläche gegenüberliegt, zu vermindern.
  • In Übereinstimmung mit einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Schleifvorrichtung bereitgestellt, die eine Trennfläche mit Aussparungen und Vorsprüngen bei einem Wafer schleift, der durch Trennung von einem Ingot erzeugt worden sind. Die Schleifvorrichtung beinhaltet einen Haltetisch, der den Wafer hält, eine Schleifeinheit, die eine exponierte Fläche des durch den Haltetisch gehaltenen Wafers schleift, eine Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe erfasst, welche zur Bestimmung eines Expositionszustands der Trennfläche verwendet wird, und eine Steuerungseinheit, die eine Expositionsbestimmungseinheit aufweist, welche den Expositionszustand der Trennfläche auf Grundlage der physikalischen Größe bestimmt, die durch die Erfassungseinheit erfasst worden ist.
  • Vorzugsweise weist die Erfassungseinheit einen Höhenmesser für eine obere Fläche auf, der eine Höhe einer oberen Fläche des durch den Haltetisch gehaltenen Wafers misst, und die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass der Expositionszustand ein Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche nicht exponiert ist, wenn ein Höhenunterschied bei der oberen Fläche über mehrere Stellen, der durch Messen der mehreren Stellen durch den Höhenmesser für eine obere Fläche erhalten worden ist, geringer als ein Grenzwert ist.
  • Darüber hinaus weist die Erfassungseinheit vorzugsweise einen Druckmesser auf, der den Unterdruck eines Saugpfads misst, wenn der Wafer durch eine Haltefläche des Haltetischs angesaugt werden soll, und die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass der Expositionszustand ein Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche nicht exponiert ist, wenn der durch den Druckmesser gemessene Unterdruck, während der Wafer angesaugt wird, geringer ist als ein Grenzwert.
  • Wenn durch die Expositionsbestimmungseinheit ferner bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, informiert die Steuerungseinheit vorzugsweise einen Bediener über die Bestimmung des Anomaliezustands.
  • Ferner beinhaltet die Schleifvorrichtung weiterhin vorzugsweise eine Positionseinstelleinheit, auf welcher der Wafer vorübergehend zu platzieren ist. Die Erfassungseinheit weist einen Lichtprojektionsteil, der eine der Flächen des Wafers, welcher vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit platziert worden ist, mit Licht bestrahlt, und einen Lichtempfangsteil auf, der reflektiertes Licht empfängt, das durch den Wafer reflektiert wird. Wenn die durch den Lichtempfangsteil empfangene Lichtmenge geringer ist als ein Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit, dass die durch den Lichtprojektionsteil mit dem Licht bestrahlte Fläche die Trennfläche ist, und bestimmt auf Grundlage des Bestimmungsergebnisses, ob die Trennfläche exponiert ist, wenn der Wafer durch den Haltetisch gehalten wird.
  • Die Schleifvorrichtung beinhaltet ferner vorzugsweise einen Kassettenabstellsockel, auf dem eine Kassette, die im Stande ist, mehrere Wafer aufzunehmen, abgestellt wird, und eine Beförderungseinheit, die zumindest einen Beförderungsarm aufweist, der den Wafer von der Kassette zu dem Haltetisch befördert. Die Erfassungseinheit weist einen Lichtprojektionsteil, der an der Beförderungseinheit eingerichtet ist und eine der Flächen des Wafers mit Licht bestrahlt, und einen Lichtempfangsteil auf, der an der Beförderungseinheit eingerichtet ist und reflektiertes Licht empfängt, das durch den Wafer reflektiert wird. Wenn die durch den Lichtempfangsteil empfangene Lichtmenge geringer ist als ein Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit, dass die durch den Lichtprojektionsteil mit dem Licht bestrahlte Fläche die Trennfläche ist, und bestimmt auf Grundlage des Bestimmungsergebnisses, ob die Trennfläche exponiert ist oder nicht, wenn der Wafer durch den Haltetisch gehalten wird.
  • Vorzugsweise weist der Beförderungsarm darüber hinaus eine Haltefläche, die den Wafer hält, einen Armteil, der mit der Haltefläche verbunden ist, und einen Antriebsteil auf, der in dem Armteil eingerichtet ist und im Stande ist, die Ausrichtung der Haltefläche umzudrehen. Die Steuerungseinheit dreht die Ausrichtung der Haltefläche um, bevor der Wafer auf dem Haltetisch platziert wird, wenn die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass die Trennfläche nicht exponiert ist.
  • In Übereinstimmung mit der Schleifvorrichtung nach dem Aspekt der vorliegenden Erfindung kann die Wahrscheinlichkeit eines Schleifens einer Fläche, die einer Trennfläche bei einem Wafer gegenüberliegt, vermindert werden.
  • Die obige und andere Aufgaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung, sowie die Weise ihrer Umsetzung werden am besten durch ein Studium der folgenden Beschreibung und beigefügten Ansprüche, unter Bezugnahme auf die angehängten Zeichnungen, die bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, deutlicher, und die Erfindung selbst wird hierdurch am besten verstanden.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform veranschaulicht;
    • 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der ein Bearbeitungsziel der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform ist;
    • 3 ist eine von der unteren Seite aus gesehenen Draufsicht des in 2 veranschaulichten Wafers;
    • 4 ist eine Draufsicht eines SiC-Ingots, von dem der in 2 veranschaulichte Wafer getrennt worden ist;
    • 5 ist eine Seitenansicht des in 4 veranschaulichten SiC-Ingots;
    • 6 ist eine Draufsicht des Zustands, in dem Trennschichten in dem in 4 veranschaulichten SiC-Ingot ausgebildet sind;
    • 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 6;
    • 8 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel eines Beförderungsarms der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung veranschaulicht;
    • 9 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, der durch einen Haltetisch der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung gehalten wird, eine Trennfläche ist;
    • 10 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, die durch den Haltetisch der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung gehalten wird, eine flache Fläche ist;
    • 11 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, der durch den Haltetisch einer Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform gehalten wird, die Trennfläche ist;
    • 12 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, der durch den Haltetisch der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform gehalten wird, die flache Fläche ist;
    • 13 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform veranschaulicht; und
    • 14 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel des Beförderungsarms einer Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform veranschaulicht.
  • AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung unter Bezugnahme auf die begleitenden Zeichnungen im Detail beschrieben. Die vorliegende Erfindung ist nicht durch die in den folgenden Ausführungsformen beschriebenen Inhalte beschränkt. Darüber hinaus kann das, was auf einfache Weise durch den Fachmann angenommen wird und was im Wesentlichen das gleiche ist zu den nachfolgend beschriebenen Bestandteilen gehören. Zudem können nachfolgend beschriebene Ausführungen auf geeignete Weise kombiniert werden. Des Weiteren können verschiedene Arten von Weglassungen, Ersetzungen oder Änderungen einer Ausführung ausgeführt werden, ohne den Gegenstand der vorliegenden Erfindung zu verlassen.
  • [Erste Ausführungsform]
  • Eine Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird auf Grundlage der Zeichnungen beschrieben. 1 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel einer Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform veranschaulicht. 2 ist eine perspektivische Ansicht eines Wafers, der ein Bearbeitungsziel der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform ist. 3 ist eine Draufsicht des in 2 veranschaulichten Wafers von der unteren Seite aus gesehen. 4 ist eine Draufsicht eines SiC-Ingots, von dem der in 2 veranschaulichte Wafer getrennt worden ist. 5 ist eine Seitenansicht des in 4 veranschaulichten SiC-Ingots. 6 ist eine Draufsicht des Zustands, in dem Trennschichten in dem in 4 veranschaulichten SiC-Ingot ausgebildet sind. 7 ist eine Schnittansicht entlang der Linie VII-VII der 6.
  • (Wafer)
  • Eine Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der in 1 veranschaulichten ersten Ausführungsform ist eine Bearbeitungsvorrichtung, die den in 2 und 3 veranschaulichten Wafer schleift. Ein Wafer 200, der ein Bearbeitungsziel der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung 1 ist und der in 2 und 3 veranschaulicht ist, wird erzeugt, indem er von einem in 4 und 5 veranschaulichten SiC-Ingot 201 (entspricht dem Ingot) getrennt wird. Bei der ersten Ausführungsform ist der in 4 und 5 veranschaulichte SiC-Ingot 201 aus Siliziumcarbid (SiC) aufgebaut und ist als Ganzes mit einer kreisförmigen Säulenform ausgebildet. Bei der ersten Ausführungsform ist der SiC-Ingot 201 ein hexagonaler, einkristalliner SiC-Ingot.
  • Wie in 4 und 5 veranschaulicht, weist der SiC-Ingot 201 eine kreisförmige flache Fläche 202, eine kreisförmige zweite Fläche 203 auf der hinteren Flächenseite der flachen Fläche 202 und eine Umfangsfläche 204 auf, die sich an die äußere Kante der flachen Fläche 202 und die äußere Kante der zweiten Fläche 203 anschließt. Ferner weist der SiC-Ingot 201 in der Umfangsfläche 204 eine erste Ausrichtungsebene 205, die die Kristallausrichtung anzeigt, und eine zweite Ausrichtungsebene 206 senkrecht zu der ersten Ausrichtungsebene 205 auf. Die Länge der ersten Ausrichtungsebene 205 ist länger als die der zweiten Ausrichtungsebene 206.
  • Ferner weist der SiC-Ingot 201 eine c-Achse 209, die in Bezug auf eine senkrechte Linie 207 zu der flachen Fläche 202 um einen Abweichungswinkel α in einer Neigungsrichtung 208 in Richtung der zweiten Ausrichtungsebene 206 geneigt ist, und eine c-Ebene 210 senkrecht zu der c-Achse 209 auf. Die c-Ebene 210 ist in Bezug auf die flache Fläche 202 des SiC-Ingots 201 um den Abweichungswinkel α geneigt. Die Neigungsrichtung 208 der c-Achse 209 von der senkrechten Linie 207 ist senkrecht zu der Erstreckungsrichtung der zweiten Ausrichtungsebene 206 und ist parallel zu der ersten Ausrichtungsebene 205. Als c-Ebene 210 sind unzählige Ebenen in dem SiC-Ingot 201 eingerichtet. Bei der ersten Ausführungsform ist der Abweichungswinkel α auf 1°, 4° oder 6° eingestellt. Jedoch kann der SiC-Ingot 201 bei der vorliegenden Erfindung mit einem Abweichungswinkel α hergestellt sein, der frei in einem Bereich von zum Beispiel 1° bis 6° eingestellt ist.
  • Eine Schleifbearbeitung der Fläche auf der Seite, die der zweiten Fläche 203 des SiC-Ingots 201 gegenüberliegt, wird durch die Schleifvorrichtung ausgeführt, und danach wird eine Polierbearbeitung durch eine Poliervorrichtung ausgeführt. Als Ergebnis wird die flache Fläche 202 mit einer Spiegelflächenform ausgebildet.
  • In der 6 und der 7 veranschaulichte Trennschichten 211 werden in dem in 4 und 5 veranschaulichten SiC-Ingot 201 ausgebildet, und danach wird der Wafer 200 unter Verwendung der Trennschichten 211 als Startpunkt getrennt. Ein Brennpunkt 232 (in 7 veranschaulicht) eines gepulsten Laserstrahls 231 (in 7 veranschaulicht) mit einer Wellenlänge, die in Bezug auf den SiC-Ingot 201 übertragbar ist, ist von der flachen Fläche 202 des SiC-Ingots 201 aus bei einer Position in einer gewünschten Tiefe 233 positioniert (in 7 veranschaulicht), die mit der Dicke des zu erzeugenden Wafers 200 korrespondiert, und eine Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl 231 wird entlang der zweiten Ausrichtungsebene 206 ausgeführt. Als Ergebnis werden die Trennschichten 211 im Inneren des SiC-Ingots 201 ausgebildet.
  • Wenn die Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl 231 wie in 7 veranschaulicht ausgeführt wird, wobei die Wellenlänge in Bezug auf den SiC-Ingot 201 übertragbar ist, wird ein modifizierter Teil 212, der aus einer Trennung des SiC in Silizium (Si) und Kohlenstoff (C) aufgrund der Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl 231 und Absorption des gepulsten Laserstrahls 231, mit dem die Bestrahlung als Nächstes ausgeführt wird, durch zuvor ausgebildetes C und Trennen von SiC in Si und C in der Art und Weise einer Kettenreaktion entsteht, im Inneren des SiC-Ingots 201 entlang der Erstreckungsrichtung der zweiten Ausrichtungsebene 206 ausgebildet. Zudem werden Risse 213, die sich von dem modifizierten Teil 212 erstrecken, entlang der c-Ebene 210 erzeugt. Wenn die Bestrahlung mit dem gepulsten Laserstrahl 231, wobei die Wellenlänge in Bezug auf den SiC-Ingot 201 durchlässig ist, ausgeführt wird, wird die Trennschicht 211 einschließlich des modifizierten Teils 212 und der Risse 213, die von dem modifizierten Teil 212 aus entlang der c-Ebene 210 ausgebildet werden, in dem SiC-Ingot 201 ausgebildet.
  • Wenn der SiC-Ingot 201 mit dem Laserstrahl 231 über die gesamte Länge in der Richtung parallel zu der zweiten Ausrichtungsebene 206 bestrahlt wurde, wird eine Anstellung des SiC-Ingots 201 entlang der ersten Ausrichtungsebene 205 relativ zu einer nicht veranschaulichten Laserstrahl-Bestrahlungseinheit ausgeführt, welche die Bestrahlung mit dem Laserstrahl 231 ausführt. Der Brennpunkt 232 wird erneut von der flachen Fläche 202 aus bei einer Position in der gewünschten Tiefe 233 positioniert, der SiC-Ingot 201 wird mit dem Laserstrahl 231 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 206 bestrahlt und die Trennschicht 211 wird im Inneren ausgebildet. Auf diese Weise werden ein Vorgang der Bestrahlung mit dem Laserstrahl 231 entlang der zweiten Ausrichtungsebene 206 und ein Vorgang der relativen Anstellung der Laserstrahl-Bestrahlungseinheit entlang der ersten Ausrichtungsebene 205 wiederholt.
  • Als Ergebnis wird in dem SiC-Ingot 201 bei jeder Bewegungsstrecke der Anstellung die Trennschicht 211, die den modifizierten Teil 212, der durch die Trennung von SiC in Si und C entsteht, und die Risse 213 beinhaltet, und bei der die Festigkeit relativ zu dem anderen Teil vermindert ist, von der flachen Fläche 202 aus bei der Position in der gewünschten Tiefe 233 ausgebildet, die mit der Dicke des Wafers 200 korrespondiert. Bei dem SiC-Ingot 201 wird die Trennschicht 211 bei jeder Bewegungsstrecke der Anstellung über die gesamte Länge in der Richtung parallel zu der ersten Ausrichtungsebene 205 bei der Position auf der gewünschten Tiefe 233 von der flachen Fläche 202 aus ausgebildet. Nachdem die Trennschichten 211 über den gesamten SiC-Ingot 201 ausgebildet sind, wird die Seite der flachen Fläche 202 unter Verwendung der Trennschichten 211 als Startpunkt getrennt, sodass der in 2 und 3 veranschaulichte Wafer 200 erzeugt wird.
  • Folglich weist der Wafer 200 Aussparungen und Vorsprünge 215 auf, die aufgrund der oben beschriebenen modifizierten Teile 212 und Risse 213 ausgebildet werden und eine Flächenrauigkeit von in etwa einigen zehn Mikrometern, wie in 3 veranschaulicht, in einer Trennfläche 214 auf der Seite der Trennschichten 211 aufweisen, bei denen der Wafer 200 von dem SiC-Ingot 201 getrennt worden ist, das heißt auf der Seite der zweiten Fläche 203. Für den in 2 und 3 veranschaulichten Wafer 200 wird bei der Trennfläche 214, die von dem SiC-Ingot 201 getrennt worden ist, durch die in 1 veranschaulichte Schleifvorrichtung 1 eine Schleifbearbeitung ausgeführt, und es wird durch eine Poliervorrichtung, die in dem Schaubild nicht veranschaulicht ist, eine Polierbearbeitung usw. ausgeführt. Nachdem die Schleifbearbeitung, die Polierbearbeitung, usw. bei der Trennfläche 214 ausgeführt worden sind, werden Bauelemente an einer vorderen Fläche des Wafers 200 ausgebildet. Bei der ersten Ausführungsform ist das Bauelement ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), ein mikroelektromechanisches System (MEMS) oder eine Schottky Diode (SBD - Schittky Barrier Diode). Jedoch ist das Bauelement bei der vorliegenden Erfindung nicht auf den MOSFET, das MEMS und die SBD beschränkt. Dem gleichen Teil des SiC-Ingots 201 des Wafers 200 wird das gleiche Bezugszeichen vergeben und dessen Beschreibung wird weggelassen.
  • (Schleifvorrichtung)
  • Als Nächstes wird die Schleifvorrichtung beschrieben. Die Schleifvorrichtung 1 ist eine Bearbeitungsvorrichtung, welche die Trennfläche 214 mit den Aussparungen und Vorsprüngen 215 in dem Wafer 200 schleift, die durch die Trennung von dem SiC-Ingot 201 erzeugt werden, und den Wafer 200 auf eine vorbestimmte Zieldicke verdünnt. Wie in 1 veranschaulicht, beinhaltet die Schleifvorrichtung 1 einen Vorrichtungshauptkörper 2, eine Grobschleifeinheit 3 (entspricht der Schleifeinheit), eine Fertigschleifeinheit 4 (entspricht der Schleifeinheit), Schleifvorschubeinheiten 5, einen Drehtisch 6, mehrere (bei der ersten Ausführungsform 3) Haltetische 7, die an dem Drehtisch 6 eingerichtet sind, Kassetten 8 und 9, eine Positionseinstelleinheit 10, eine Beförderungseinheit 11, eine Reinigungseinheit 12 und eine Steuerungseinheit 100.
  • Der Drehtisch 6 ist ein Tisch, der auf der oberen Fläche des Vorrichtungshauptkörpers 2 angeordnet ist und eine Kreisscheibenform aufweist. Der Drehtisch 6 ist um die axiale Mitte parallel zu einer Z-Achsenrichtung in einer horizontalen Ebene drehbar und wird in einem vorbestimmten Zeitablauf in Rotationsrichtung angetrieben. An dem Drehtisch 6 sind zum Beispiel drei Haltetische 7 in gleichen Abständen mit einem Phasenwinkel von zum Beispiel 120° angeordnet. Die drei Haltetische 7 weisen eine Haltetischstruktur auf, bei der eine Haltefläche 71 einen Vakuumspanntisch beinhaltet, der mit einer Saugquelle 73 durch einen Saugpfad 72 verbunden ist. Der Wafer 200 wird auf der Haltefläche 71 platziert und wird über dem Saugpfad 72 durch die Saugquelle 73 angesaugt, und der Haltetisch 7 hält dadurch den Wafer 200 durch die Haltefläche 71 über Saugwirkung.
  • An den Saugpfaden 72 sind Druckmesser 74 angeordnet. Die Druckmesser 74 messen den Druck in dem Saugpfad 72, wie zum Beispiel einen Druck, der aufgrund eines Ansaugens des Wafers 200 an die Haltefläche 71 durch die Saugquelle 73 erzeugt wird (bei der ersten Ausführungsform ein Unterdruck, der niedriger ist als der Umgebungsdruck). Die Druckmesser 74 geben das Messergebnis an die Steuerungseinheit 100 aus.
  • Zum Zeitpunkt eines Schleifens werden die Haltetische 7 in einer horizontalen Ebene durch einen Rotationsantriebsmechanismus um die axiale Mitte parallel zu der vertikalen Richtung, das heißt der Z-Achsenrichtung, in Rotationsrichtung angetrieben. Wie oben beschrieben, sind die Haltetische 7 eingerichtet, die Haltefläche 71 aufzuweisen, welche den Wafer 200 hält und um die axiale Mitte drehbar ist. Die Haltetische 7 werden durch eine Drehung des Drehtischs 6 nacheinander zu einem Ein-/Ausführbereich 301, einem Grobschleifbereich 302, einem Fertigschleifbereich 303 und dem Ein-/Ausführbereich 301 bewegt.
  • Der Ein-/Ausführbereich 301 ist ein Bereich, in dem der Wafer 200 zu dem Haltetisch 7 hingeführt und von diesem weggeführt wird. Der Grobschleifbereich 302 ist ein Bereich, in dem durch die Grobschleifeinheit 3 ein Grobschliff (entspricht dem Schleifen) des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 ausgeführt wird. Der Fertigschleifbereich 303 ist ein Bereich, in dem ein Fertigschliff (entspricht dem Schleifen) des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 durch die Fertigschleifeinheit 4 ausgeführt wird.
  • Die Grobschleifeinheit 3 ist eine Schleifeinheit, an der eine Schleifscheibe 32 für einen Grobschliff angebracht ist, bei der abrasive Schleifsteine 31 für einen Grobschliff ringförmig angeordnet sind, um den Grobschliff einer oberen Fläche 216 (die in 9 und 10 veranschaulichte flache Fläche 202 oder flache Fläche 214) auszuführen, die bei dem durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafer 200 eine nach oben exponierte Fläche ist, und die den Grobschliff der oberen Fläche 216 des Wafers 200 ausführt, der in dem Grobschleifbereich 302 durch die Haltefläche 71 des Haltetischs 7 gehalten wird. Die Fertigschleifeinheit 4 ist eine Schleifeinheit, an der ein Schleifrad 42 für einen Fertigschliff montiert ist, bei dem abrasive Schleifsteine 41 für einen Fertigschliff ringförmig angeordnet sind, um den Fertigschliff der oberen Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 auszuführen, und die den Fertigschliff der oberen Fläche 216 des durch die Haltefläche 71 des Haltetischs 7 in dem Fertigschleifbereich 303 gehaltenen Wafers 200 ausführt.
  • Folglich ist die Grobschleifeinheit 3 eine Schleifeinheit, welche die Schleifscheibe 32 für einen Grobschliff verwendet, und die Fertigschleifeinheit 4 ist eine Schleifeinheit, die durch Verwendung der Schleifscheibe 42 den Fertigschliff des Wafers 200 ausführt, bei dem der Grobschliff durch die Grobschleifeinheit 3 ausgeführt worden ist. Die Schleifeinheiten 3 und 4 weisen im Wesentlichen den gleichen Aufbau auf und folglich wird hiernach eine Beschreibung ausgeführt, bei der einem gleichen Teil das gleiche Bezugszeichen vergeben wird.
  • Wie in 1 veranschaulicht, weisen die Grobschleifeinheit 3 und die Fertigschleifeinheit 4 eine nicht veranschaulichte Spindel, die ein unteres Ende aufweist, an dem die Schleifscheibe 32 oder 42 montiert ist, und einen Motor 34 auf, der die Spindel um die axiale Mitte parallel zu der Z-Achsenrichtung in Rotationsrichtung antreibt. Die Schleifscheiben 32 und 42 weisen eine ringförmige Basis 35 mit einer Kreisringform und die an der unteren Fläche der ringförmigen Basis 35 befestigten, mehreren abrasiven Schleifsteine 31 oder 41 auf. Die abrasiven Schleifsteine 31 und 41 sind in der Umfangsrichtung bei dem äußeren Kantenteil der unteren Fläche der ringförmigen Basis 35 angeordnet. Die abrasiven Schleifsteine 31 und 41 sind durch Fixieren von Schleifkörnern durch ein Bindemittel eingerichtet. Die Schleifkörner der abrasiven Schleifsteine 31 der Schleifscheibe 32 weisen eine gröbere Korngröße (das heißt, sie sind größer) auf als die Schleifkörner der abrasiven Schleifsteine 41 der Schleifscheibe 42, und die Schleifkörner der abrasiven Schleifsteine 41 der Schleifscheibe 42 weisen eine feinere Korngröße auf als die Schleifkörner der abrasiven Schleifsteine 31 der Schleifscheibe 32.
  • Die Spindel ist um die axiale Mitte parallel zu der Z-Achsenrichtung senkrecht zu der Haltefläche 71 drehbar in einem Spindelgehäuse 36 aufgenommen und wird durch den an dem Spindelgehäuse 36 angebrachten Motor 34 um die axiale Mitte gedreht. Die Spindel ist kreissäulenförmig ausgebildet und weist ein unteres Ende auf, an dem eine Scheibenhalterung 37 zum Anbringen der Schleifscheibe 32 oder 42 angeordnet ist. Die Scheibenhalterung 37 steht von dem unteren Ende der Spindel in der Richtung zu dem äußeren Umfang über den gesamten Umfang hervor und die planare Form der äußeren Umfangsfläche davon ist mit einer Kreisform ausgebildet. Die obere Fläche der ringförmigen Basis 35 ist so ausgebildet, dass sie die untere Fläche der Scheibenhalterung 37 überlappt, und die Schleifscheibe 32 oder 42 wird durch nicht veranschaulichte Bolzen befestigt. Die Spindel und die Scheibenhalterung 37 sind bei solchen Positionen angeordnet, dass sie zueinander koaxial sind.
  • Die Spindel und die Schleifscheibe 32 oder 42 werden durch den Motor 34 um die axiale Mitte gedreht. Zudem werden die abrasiven Schleifsteine 31 oder 41 durch die Schleifvorschubeinheit 5 mit einer vorbestimmten Vorschubgeschwindigkeit dem Haltetisch 7 angenähert, während der oberen Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 in dem Schleifbereich 302 oder 303 gehaltenen Wafers 200 Schleifwasser zugeführt wird. Als Ergebnis führt die Schleifeinheit 3 oder 4 den Grobschliff oder den Fertigschliff der oberen Fläche 216 des Wafers 200 aus.
  • Die Schleifzuführeinheit 5 bewegt die Schleifeinheit 3 oder 4 in der Z-Achsenrichtung und verursacht, dass die Schleifeinheit 3 oder 4 von dem Haltetisch 7 weggeführt oder an diesen herangeführt wird. Bei der ersten Ausführungsform ist die Schleifzuführeinheit 5 an einer aufrechten Säule 21 angeordnet, die von einem Endteil des Vorrichtungshauptkörpers 2 in einer Y-Achsenrichtung parallel zu der horizontalen Richtung nach oben errichtet ist. Die Schleifzuführeinheit 5 beinhaltet eine bekannte Kugelspindel, die drehbar um die axiale Mitte angeordnet ist, einen bekannten Motor, der die Kugelspindel um die axiale Mitte dreht und eine bekannte Führungsschiene, welche das Spindelgehäuse 36 jeder Schleifeinheit 3 oder 4 in der Z-Achsenrichtung bewegbar unterstützt.
  • Bei der ersten Ausführungsform sind die axiale Mitte der Grobschleifeinheit 3 und der Fertigschleifeinheit 4, das heißt der Rotationsmittelpunkt des Schleifrads 32 oder 42, und die axiale Mitte, das heißt der Rotationsmittelpunkt des Haltetischs 7, mit einem Abstand in der horizontalen Richtung voneinander im Wesentlichen parallel angeordnet, und die abrasiven Schleifsteine 31 oder 41 passieren die Mitte der oberen Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200.
  • Die Kassetten 8 und 9 nehmen Behälter mit mehreren Schlitzen auf und können mehrere Wafer 200 aufnehmen. Die Kassetten 8 und 9 nehmen mehrere Wafer 200 auf, die zum Beispiel noch keinem Schleifvorgang unterzogen worden sind oder die einem Schleifvorgang unterzogen worden sind. Die Kassetten 8 und 9 sind auf den Kassettenabstellsockeln 13 abgestellt. Das heißt, die Schleifvorrichtung 1 beinhaltet die Kassettenabstellsockel 13, auf denen die Kassetten 8 und 9 abgestellt sind. Die Kassettenabstellsockel 13 heben die Kassetten 8 und 9 in der Z-Achsenrichtung an und senken diese ab. Die Positionseinstelleinheit 10 ist ein Tisch für eine zeitweilige Platzierung des Wafers 200, der aus der Kassette 8 oder 9 herausgenommen worden ist, und ein Ausführen einer Einstellung der Mittelpunktposition des Wafers 200.
  • Die Beförderungseinheit 11 beinhaltet einen oder mehrere Beförderungsarme 14, die den Wafer 200 von der Kassette 8 oder 9 zu dem Haltetisch 7 befördern. Bei der ersten Ausführungsform beinhaltet die Beförderungseinheit 11 drei Beförderungsarme 14. Zwei der drei Beförderungsarme 14 weisen ein Saughaftpad auf, das eine Sauganhaftung des Wafers 200 verursacht. Einer der zwei Beförderungsarme 14 (der hiernach durch das Bezugszeichen 14-1 gekennzeichnet ist) hält den Wafer 200 durch Saughaftung, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist und bei dem durch die Positionseinstelleinheit 10 eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, und befördert den Wafer 200 herein auf den Haltetisch 7, der in dem Ein-/Ausführbereich 301 angeordnet ist. Der andere Beförderungsarm 14 (der hiernach durch das Bezugszeichen 14-2 gekennzeichnet ist) hält den Wafer 200 durch Saughaftung, der einer Schleifbearbeitung unterzogen worden ist und der an dem Haltetisch 7 gehalten wird, welcher in dem Ein-/Ausführbereich 301 angeordnet ist, und befördert den Wafer 200 heraus zu der Reinigungseinheit 12.
  • Der verbleibende Beförderungsarm 14 (der hiernach durch das Bezugszeichen 14-3 gekennzeichnet wird) nimmt den Wafer 200 aus der Kassette 8 oder 9 heraus, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist, um den Wafer 200 heraus zu der Positionseinstelleinheit 10 zu befördern, und nimmt den Wafer 200 aus der Reinigungseinheit 12 heraus, der einer Schleifbearbeitung unterzogen worden ist, um den Wafer 200 in die Kassette 8 oder 9 zu befördern. 8 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel des Beförderungsarms der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung veranschaulicht. Wie in 8 veranschaulicht, beinhaltet der Beförderungsarm 14-3 einen Armteil 111, eine U-förmige Hand 115, die mit dem Armteil 111 verbunden ist, einen Armantriebsteil und einen Antriebsteil 118.
  • Der Armteil 111 beinhaltet einen ersten Arm 112 mit einem Endteil drehbar um die axiale Mitte parallel zu der Z-Achsenrichtung mit dem Vorrichtungshauptkörper 2 gekoppelt, einen zweiten Arm 113 mit einem Endteil mit dem anderen Endteil des ersten Arms 112 drehbar um die axiale Mitte parallel zu der Z-Achsenrichtung gekoppelt und eine Rotationskomponente 114, die drehbar um die axiale Mitte parallel zu der Z-Achsenrichtung mit dem anderen Endteil des zweiten Arms 113 gekoppelt ist.
  • Die U-förmige Hand 115 weist Sauglöcher 117 auf, die mit einer nicht veranschaulichten Saugquelle in einer Fläche 116 verbunden sind, und hält den Wafer 200 durch die Fläche 116 über Saugwirkung der Sauglöcher 117 durch die Saugquelle unter Saugwirkung. Die Fläche 116 ist eine Haltefläche, die den Wafer 200 hält. Die U-förmige Hand 115 ist mit der Rotationskomponente 114 um die axiale Mitte parallel zu der horizontalen Richtung drehbar gekoppelt. Daher ist der Arm 111 mit der Fläche 116 der U-förmigen Hand 115 verbunden, welche die Haltefläche ist.
  • Der Armantriebsteil positioniert die U-förmige Hand 115 bei einer beliebigen Position durch Drehen der Arme 112 und 113 und der Rotationskomponente 114 um die axialen Mittelpunkte parallel zu der Z-Achsenrichtung. Der Antriebsteil 118 ist in der Rotationskomponente 114 des Armteils 111 eingerichtet und dreht die U-förmige Hand 115 um den axialen Mittelpunkt parallel zu der horizontalen Richtung. Der Antriebsteil 118 kann die Fläche 116, welche die Haltefläche ist, um 180° drehen, indem er die Fläche 116, welche die Haltefläche ist, um die oben beschrieben axiale Mitte dreht und einen Wechsel zwischen dem Zustand, in dem die Fläche 116, welche die Haltefläche ist, nach oben gerichtet ist, und dem Zustand, in dem die Fläche 116 nach unten gewandt ist, auszuführen, das heißt die Aufwärts-Abwärts-Ausrichtung der Fläche 116, welche die Haltefläche ist, umzudrehen.
  • Die Reinigungseinheit 12 reinigt den Wafer 200, der einem Schleifen unterzogen worden ist, und entfernt Verunreinigungen, wie zum Beispiel Schleifstaub, der an der geschliffenen, oberen Fläche 216 anhaftet.
  • Ferner beinhaltet die Schleifvorrichtung 1 Dickenmessinstrumente 15, welche die Dicke des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers in dem Grobschleifbereich 302 und dem Fertigschleifbereich 303 messen. Die Dickenmessinstrumente 15 sind Dickenmessinstrumente, die im Allgemeinen als kontaktartig bezeichnet werden und einen Kontakt 151, welcher mit der oberen Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 in Kontakt kommt, einen Kontakt 152, der mit der Haltefläche 71 des Haltetischs 7 in Kontakt kommt, und einen Messmechanismus beinhaltet, der den Höhenunterschied zwischen den Kontakten 151 und 152 und die Dicke des Wafers misst. Bei der ersten Ausführungsform gibt der Messmechanismus das Messergebnis an die Steuerungseinheit 100 aus.
  • Ferner beinhaltet die Schleifvorrichtung 1 Höhenmessinstrumente für eine obere Fläche 15-1. Bei der ersten Ausführungsform messen die Höhenmessinstrumente für eine obere Fläche 15-1 die Höhe der oberen Fläche 216 des Wafers 200 unter Verwendung des Kontakts 151, der das Dickenmessinstrument 15 ausbildet, und kommt mit der oberen Fläche 216 des Wafers 200 in Kontakt, und gibt die Höhe an die Steuerungseinheit 100 aus. Darüber hinaus beinhaltet das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 bei der ersten Ausführungsform einen Höhenmessmechanismus 153, der die Höhe der oberen Fläche 216 (entspricht der Höhe der oberen Fläche) des Wafers 200 misst, mit dem der Kontakt 151 in Kontakt kommt. Der Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1 misst die Höhe der oberen Fläche 216 bei mehreren Stellen in dem Zustand, in dem sich der Haltetisch 7 um die axiale Mitte dreht, und misst den größten Unterschied zwischen der gemessenen untersten Höhe der oberen Fläche 216 des Wafers 200 und der gemessenen höchsten Höhe der oberen Fläche 216 des Wafers 200 (entspricht der Differenz bei der oberen Flächenhöhe), um das Messergebnis an die Steuerungseinheit 100 auszugeben.
  • Bei der ersten Ausführungsform ist das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1, das in dem Grobschleifbereich 302 eingerichtet ist, eine Erfassungseinheit, die eine Bestimmung ermöglicht, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist, indem die oben beschriebene Differenz bei der oberen Flächenhöhe gemessen wird und die Differenz an die Steuerungseinheit 100 ausgegeben wird. Mit anderen Worten ist das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 eine Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe, das heißt die Höhe der oberen Fläche (Differenz bei der Höhe der oberen Fläche) erfasst, die zur Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird.
  • Bei der ersten Ausführungsform beinhalten der Messmechanismus des Dickenmessinstruments 15 und der Höhenmessmechanismus 53 einen zugeteilten Verarbeitungsschaltkreis (Hardware), wie zum Beispiel einen einzelnen Schaltkreis, einen Verbundschaltkreis, einen programmierten Prozessor, oder einen programmierten Parallelprozessor.
  • Die Steuerungseinheit 100 steuert jede der oben beschriebenen Bestandteile, welche die Schleifvorrichtung 1 einrichten. Das heißt, die Steuerungseinheit 100 lässt die Schleifvorrichtung 1 an dem Wafer 200 einen Bearbeitungsvorgang ausführen. Die Steuerungseinheit 100 ist ein Computer mit einer Berechnungsverarbeitungseinrichtung, die einen Mikroprozessor, wie zum Beispiel eine Central Processing Unit (CPU), eine Speichereinrichtung, die einen Speicher, wie zum Beispiel einen Read Only Memory (ROM) oder einen Random Access Memory (RAM) aufweist, und eine Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinrichtung aufweist.
  • Die Berechnungsverarbeitungseinrichtung der Steuerungseinheit 100 führt eine Berechnungsverarbeitung in Übereinstimmung mit einem in der Speichereinrichtung gespeicherten Computerprogramm aus und gibt ein Steuerungssignal zum Steuern der Schleifvorrichtung 1 an die oben beschriebenen Bestandteile der Schleifvorrichtung 1 über die Eingabe-Ausgabe-Schnittstelleneinrichtung aus. Ferner ist die Steuerungseinheit 100 mit einer Anzeigeeinheit 101, die eine Flüssigkeitskristallanzeigeeinrichtung oder Ähnliches beinhaltet, welche den Zustand des Berechnungsvorgangs, ein Bild, usw. anzeigt, einer Eingabeeinheit 102, die verwendet wird, wenn ein Bediener eine Information bezüglich der Inhalte einer Bearbeitung oder Ähnliches registriert, und einer Benachrichtigungseinheit 103 verbunden, die ein Benachrichtigen des Bedieners über eine Bestimmung oder Ähnliches ausführt. Die Eingabeeinheit 102 beinhaltet einen Touchpanel, der an der Anzeigeeinheit 101 angeordnet ist, eine Tastatur und/oder Anderes. Die Benachrichtigungseinheit 103 gibt ein Geräusch, Licht und/oder eine Nachricht auf den Touchpanel aus, um eine Benachrichtigung des Bedieners über eine Bestimmung oder Ähnliches auszuführen.
  • Darüber hinaus beinhaltet die Steuerungseinheit 100 der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform eine Expositionsbestimmungseinheit 104. Bei der ersten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist, und zwar auf der Grundlage des Messergebnisses des Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1, das in dem Grobschleifbereich 302 eingerichtet ist, was die Erfassungseinheit ist. Das heißt, dass die Expositionsbestimmungseinheit 104 den Expositionszustand der Trennfläche 214 auf der Grundlage einer physikalischen Größe, das heißt die Höhe der oberen Fläche (Differenz bei der Höhe der oberen Fläche), bestimmt, die durch die Erfassungseinheit erfasst wird.
  • Wenn die Seite der Trennfläche 214 des Wafers 200 durch die Haltefläche 71 des Haltetischs 7 gehalten wird, wird die flache Fläche 202 zu der oberen Fläche 216 und wird exponiert, sodass die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche ausreichend klein wird. Folglich bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 bei der ersten Ausführungsform, ob die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche, die das Messergebnis des Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1 ist, geringer ist als ein im Voraus definierter Grenzwert oder nicht. Es ist für den Grenzwert wünschenswert, ein Wert kleiner als die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche zu sein, wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200 die Trennfläche 214 ist.
  • Wenn die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche bei der ersten Ausführungsform geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass der Expositionszustand ein Anomaliezustand ist, bei dem die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die flache Fläche 202 ist, das heißt, die Trennfläche 214 ist nicht nach oben exponiert. Wenn die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass der Expositionszustand ein normaler Zustand ist, bei dem die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 ist, das heißt, die Trennfläche 214 ist nach oben hin exponiert.
  • Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der normale Zustand ist, fährt die Steuerungseinheit 100 mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort. Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, setzt die Steuerungseinheit 100 bei der ersten Ausführungsform den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und lässt die Informationseinheit 103 arbeiten, um den Bediener von der Bestimmung oder ähnlichem zu informieren. Wenn bei der ersten Ausführungsform auf diese Weise auf Grundlage des Messergebnisses des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1, das in dem Grobschleifbereich 302 eingerichtet ist, bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, veranlasst die Steuerungseinheit 100 die Informationseinheit 103, den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren.
  • Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, setzt die Steuerungseinheit 100 bei der ersten Ausführungsform den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst, dass die Informationseinheit 103 arbeitet, um den Bediener von der Bestimmung oder ähnlichem zu informieren. Danach wird die Ausrichtung des Wafers 200 auf dem Haltetisch 7 durch den Bediener bei der ersten Ausführungsform auf so eine Weise verändert, dass die Trennfläche 214 nach oben exponiert ist. Dann nimmt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang bei einer Annahme eines Befehls von dem Bediener über die Eingabeeinheit 102, die Bearbeitung wieder aufzunehmen, wieder auf. Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 ferner bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, kann die Steuerungseinheit 100 Bestandteile der Schleifvorrichtung 1 steuern, um den Wafer 200 auf dem Haltetisch 7 ohne Ausführen einer Schleifbearbeitung in der Kassette 8 oder 9 aufzunehmen und den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches durch Anzeigen eines Protokolls, das darauf hinweist, dass der Wafer 200 nicht bearbeitet worden ist, auf der Anzeigeeinheit 101 oder Ähnliches zu informieren. Funktionen der Expositionsbestimmungseinheit 104 werden durch Ausführen eines Computerprogramms, das in der Speichereinrichtung gespeichert ist, durch die Berechnungsverarbeitungseinrichtung der Steuerungseinheit 100 implementiert.
  • (Bearbeitungsvorgang)
  • Als Nächstes wird ein Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 beschrieben. 9 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, bei dem die obere Fläche des durch den Haltetisch der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung gehaltenen Wafers die Trennfläche ist. 10 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, bei dem die obere Fläche des durch den Haltetisch der in 1 veranschaulichten Schleifvorrichtung gehaltene Wafer die flache Fläche ist.
  • Die Schleifvorrichtung 1 mit dem oben beschriebenen Aufbau führt einen Bearbeitungsvorgang aus, bei dem ein Grobschleifvorgang und ein Fertigschleifvorgang nacheinander für den Wafer 200 ausgeführt werden, um den Wafer 200 über eine Steuerung der jeweiligen Bestandteile durch die Steuerungseinheit 100 zu verdünnen. Bei der ersten Ausführungsform beginnt die Schleifvorrichtung 1 den Bearbeitungsvorgang, wenn die Kassetten 8 und 9, in denen die Wafer 200 mit der flachen Fläche 202 des Wafers 200 nach unten gerichtet und der Trennfläche 214 nach oben gerichtet aufgenommen sind, durch einen Bediener auf den Vorrichtungshauptkörper 2 abgelegt werden, Bearbeitungsbedingungen in der Steuerungseinheit 100 registriert werden, und die Steuerungseinheit 100 einen Befehl von dem Bediener akzeptiert, mit dem Bearbeitungsvorgang zu beginnen.
  • Bei dem Bearbeitungsvorgang dreht die Schleifvorrichtung 1 die Spindel der jeweiligen Schleifeinheit 3 und 4 um den axialen Mittelpunkt mit einer Rotationsgeschwindigkeit, die in den Bearbeitungsbedingungen definiert ist, und veranlasst den Beförderungsarm 14-3, einen Wafer 200 aus der Kassette 8 herauszunehmen und den Wafer 200 zu der Positionseinstelleinheit 10 zu befördern. Die Schleifvorrichtung 1 veranlasst die Positionseinstelleinheit 10, eine Einstellung der Mittelpunktposition des Wafers 200 auszuführen und veranlasst den Beförderungsarm 14-1, den Wafer, bei dem die Positionseinstellung ausgeführt worden ist, hinein auf den Haltetisch 7 zu befördern, der in dem Ein-/Ausführbereich 301 angeordnet ist. Zu diesem Zeitpunkt ist der zu dem Haltetisch 7 beförderte Wafer 200 bei so einer Position positioniert, dass er mit dem Haltetisch 7 koaxial ist.
  • Bei dem Bearbeitungsvorgang hält die Schleifvorrichtung 1 den Wafer 200 auf dem Haltetisch 7 in dem Ein-/Ausführbereich 301 unter Saugwirkung und dreht den Drehtisch 6, um den Haltetisch 7, der den Wafer 200 in dem Ein-/Ausführbereich 301 gehalten hat, zu dem Grobschleifbereich 302 zu bewegen. Bei dem Bearbeitungsvorgang dreht die Schleifvorrichtung 1 den Haltetisch 7 um die axiale Mitte mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit in dem Zustand, in dem der Kontakt 151 des Höhnmessinstruments für eine obere Fläche 15-1, das in dem Grobschleifbereich 302 eingerichtet ist, mit der oberen Fläche 216 des Wafers 200 in Kontakt gebracht worden ist und der andere Kontakt 152 mit der Haltefläche 71 des Haltetischs 7 in Kontakt gebracht worden ist.
  • Die Schleifvorrichtung 1 dreht den Haltetisch 7 um die axiale Mitte mit einer vorbestimmten Rotationsgeschwindigkeit, und der Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1 misst die Höhe der oberen Fläche 216 an mehreren Stellen des Wafers 200 und misst die Differenz bei der höheren Höhe der oberen Fläche der oberen Fläche 216 des Wafers 200, um das Messergebnis an die Steuerungseinheit 100 auszugeben. Die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 bestimmt, ob die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche, die durch den Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1 gemessen wird, geringer ist als der im Voraus definierte Grenzwert. Wenn die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche des Wafers 200 zu diesem Zeitpunkt, wie in 9 veranschaulicht, nicht geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die obere Fläche 216 die Trennfläche 214 ist. Wenn die Differenz bei der Höhe der oberen Fläche des Wafers 200 darüber hinaus, wie in 10 veranschaulicht, geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die obere Fläche 216 die flache Fläche 202 ist.
  • Bei einer Bestimmung, dass die Höhendifferenz der oberen Fläche, das heißt, das Messergebnis des Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1, bei der Schleifvorrichtung 1 geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 nicht nach oben exponiert ist. Dann setzt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst die Informationseinheit 103 dazu, den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren.
  • Bei einer Bestimmung, dass die Höhendifferenz der oberen Fläche, das heißt das Messergebnis des Höhenmessmechanismus 153 des Höhenmessinstruments für eine obere Fläche 15-1, bei der Schleifvorrichtung 1 nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der normale Zustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers nach oben exponiert ist, und die Steuerungseinheit 100 fährt mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort.
  • Bei dem Bearbeitungsvorgang dreht die Schleifvorrichtung 1 den Haltetisch 7 um die axiale Mitte und führt den Grobschleifvorgang des Wafers 200 durch die Grobschleifeinheit 3 während eines Zuführens des Schleifwassers aus. Dann dreht die Schleifvorrichtung 1 den Drehtisch 6, um den Haltetisch 7, der den Wafer 200 hält, welcher der Grobschleifbearbeitung unterzogen worden ist, zu dem Fertigschleifbereich 303 zu bewegen. Die Schleifvorrichtung 1 dreht den Haltetisch 7 um die axiale Mitte und führt den Fertigschleifvorgang des Wafers 200 durch die Fertigschleifeinheit 4 während eines Zuführens des Schleifwassers aus. Dann dreht die Schleifvorrichtung 1 den Drehtisch 6, um den Haltetisch 7, bei dem die Drehung um die axiale Mitte angehalten worden ist und der den Wafer 200 hält, welcher dem Fertigschleifvorgang unterzogen worden ist, zu dem Ein-/Ausführbereich 301 zu bewegen.
  • Bei dem Bearbeitungsvorgang befördert die Schleifvorrichtung 1 den Wafer 200, welcher der Fertigschleifbearbeitung unterzogen worden ist, von dem Haltetisch 7 in dem Ein-/Ausführbereich 301 zu der Reinigungseinheit 12, reinigt den Wafer 200 durch die Reinigungseinheit 12 und nimmt danach den Wafer 200 in der Kassette 8 oder 9 auf. Bei dem Bearbeitungsvorgang befördert die Schleifvorrichtung 1 den Wafer 200 jedes Mal, wenn sich der Drehtisch 6 dreht, von dem Haltetisch 7, der den Wafer 200, welcher dem Fertigschleifvorgang unterzogen worden ist, in dem Ein-/Ausführbereich 301 hält, zu der Reinigungseinheit 12 und befördert dann den Wafer 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist, zu dem Haltetisch 7, der keinen Wafer 200, der dem Fertigschleifvorgang unterzogen worden ist, in dem Ein-/Ausführbereich 301 hält. Die Schleifvorrichtung 1 beendet den Bearbeitungsvorgang, wenn sie den Grobschleifvorgang und den Fertigschleifvorgang für sämtliche Wafer 200 in den Kassetten 8 und 9 ausgeführt hat.
  • Wie oben beschrieben, beinhaltet die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1, das heißt, die Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe, das heißt die Höhe der oberen Fläche (Höhenunterschied der oberen Fläche), erfasst, die zum Bestimmen des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird. Folglich ist es möglich, zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist. Als Ergebnis stellt die Schleifvorrichtung 1 den Effekt bereit, die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass die Trennfläche 214 an dem Haltetisch 7 gehalten wird und die flache Fläche 202, welche die Fläche ist, die der Trennfläche 214 des Wafers 200 gegenüberliegt, geschliffen wird.
  • Ferner misst das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform die Höhendifferenz bei der oberen Fläche an mehreren Stellen an der oberen Fläche 216 des Wafers 200, und es wird bestimmt, ob die gemessene Höhendifferenz bei der oberen Fläche geringer ist als der im Voraus definierte Grenzwert. Wenn bestimmt wird, dass die Höhendifferenz bei der oberen Fläche geringer ist als der Grenzwert, wird bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist. Wie oben beschrieben, bestimmt die Schleifvorrichtung 1, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist, indem das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 verwendet wird, das die Höhendifferenz bei der oberen Fläche an mehreren Stellen an der oberen Fläche 216 des Wafers 200 misst. Folglich kann eine Anomalie erfasst werden, ohne die Anzahl der Teile zu erhöhen.
  • Beim Bestimmen, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist, informiert die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform darüber hinaus den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches. Folglich kann eine ordnungsgemäße Antwort gegeben werden.
  • Bei der vorliegenden Erfindung kann das Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der ersten Ausführungsform in dem Ein-/Ausführbereich 301 eingerichtet sein, die Höhendifferenz bei der oberen Fläche des Wafers 200, der auf dem Haltetisch 7 platziert ist, welcher in dem Ein-/Ausführbereich 301 positioniert ist, kann gemessen werden und eine physikalische Größe, das heißt die Höhe der oberen Fläche (Höhenunterschied bei der oberen Fläche), die zum Bestimmen des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird, kann wie bei der ersten Ausführungsform erfasst werden.
  • [Zweite Ausführungsform]
  • Eine Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird auf Grundlage der Zeichnungen beschrieben. 11 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, der durch den Haltetisch der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform gehalten wird, die Trennfläche ist. 12 ist eine Seitenansicht, die den Zustand schematisch veranschaulicht, in dem die obere Fläche des Wafers, der durch den Haltetisch der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform gehalten wird, die flache Fläche ist. In Bezug auf 11 und 12 werden gleiche Teile wie jene der ersten Ausführungsform mit den gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Bei einer Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform ist der Druckmesser 74, der an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, welcher mit der Haltefläche 71 des im Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist, eine Erfassungseinheit, die eine Bestimmung zulässt, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist. Mit anderen Worten ist der Druckmesser 74 eine Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe, das heißt den Druck des Saugpfads 72 (Unterdruck), erfasst, die für die Bestimmung des Expositionszustand der Trennfläche 214 verwendet wird.
  • Die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform bestimmt, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist, auf der Grundlage des Messergebnisses des Druckmessers 74, der die Erfassungseinheit ist, die an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, welcher mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist. Das heißt, dass die Expositionsbestimmungseinheit 104 den Expositionszustand der Trennfläche 214 auf der Grundlage einer physikalischen Größe bestimmt, das heißt des Drucks (Unterdrucks) des Saugpfads 72, der durch die Erfassungseinheit erfasst wird.
  • Bei der zweiten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, ob der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck (Unterdruck), wenn der Wafer 200 an der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 angesaugt wird, als das Messergebnis des Druckmessers 74 geringer ist als ein im Voraus definierter Grenzwert. Es ist für den Grenzwert wünschenswert, ein Wert zu sein, der geringer ist als der Druck (Unterdruck), der gemessen wird, wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200, der unter Saugwirkung an der Haltefläche 71 gehalten wird, die Trennfläche 214 ist.
  • Wenn die Seite der Trennfläche 214 des Wafers 200 an der Haltefläche 71 des Haltetischs 7 angesaugt wird, wird ein Spalt zwischen der Haltefläche 71 und der Trennfläche 214 erzeugt und Luft strömt in den Saugpfad 72. Folglich sinkt der Druck des Saugpfads 72 nicht ausreichend ab. Das heißt, dass der Unterdruck des Saugpfads 72 nicht ausreichend hoch wird. Wenn der Druck (Unterdruck), der durch den Druckmesser 74 gemessen wird, wenn der Wafer 200 an der Haltefläche 71 des Haltetischs 7 angesaugt wird, bei der zweiten Ausführungsform niedriger ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 folglich, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, in dem die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers die flache Fläche 202 ist, das heißt, dass die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist. Wenn der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck (Unterdruck), wenn der Wafer 200 an der Haltefläche 71 des Haltetischs 7 angesaugt wird, nicht geringer als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder höher als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, in dem die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 ist, das heißt, dass die Trennfläche 214 nach oben exponiert ist.
  • Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, fährt die Steuerungseinheit 100 mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 wie bei der ersten Ausführungsform fort. Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bei der zweiten Ausführungsform bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, setzt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst, dass die Informationseinheit 103 den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches informiert. Wenn auf diese Weise bei der zweiten Ausführungsform auf der Grundlage des Messergebnisses des Druckmessers 74, der an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, welcher mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist, bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, veranlasst die Steuerungseinheit 100, dass die Informationseinheit 103 den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches wie bei der ersten Ausführungsform informiert.
  • Bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 während des Bearbeitungsvorgangs, ob der Druck, der durch den Druckmesser 74 gemessen wird, welcher an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, der mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetisch 7 verbunden ist, geringer als der im Voraus definierte Grenzwert ist oder nicht. Wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200 die Trennfläche 214 ist, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 zu diesem Zeitpunkt, wie in 11 veranschaulicht, dass der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck nicht geringer ist als der Grenzwert. Wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200 die flache Fläche 202 ist, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 darüber hinaus, wie in 12 veranschaulicht, dass der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck geringer ist als der Grenzwert.
  • Beim Bestimmen, dass der Druck bei der Schleifvorrichtung 1, der durch den Druckmesser 74 gemessen wird, welcher an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, der mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist, geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 nicht nach oben exponiert ist. Dann setzt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst die Informationseinheit 103, dass sie arbeitet, um den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren.
  • Beim Bestimmen, dass der Druck, der durch den Druckmesser 74 gemessen wird, welcher an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, der mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist, nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 nach oben exponiert ist, und die Steuerungseinheit 100 fährt mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort.
  • Die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform beinhaltet den Druckmesser 74, der die Erfassungseinheit ist, die eine physikalische Größe, das heißt den Druck (Unterdruck) des Saugpfades 72, erfasst, die für eine Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird. Somit ist es möglich, zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist. Als Ergebnis stellt die Schleifvorrichtung 1 den Effekt bereit, die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass die Trennfläche 214 an dem Haltetisch 7 gehalten wird und die flache Fläche 202, welche die der Trennfläche 214 gegenüberliegende Fläche des Wafers 200 ist, geschliffen wird.
  • Ferner bestimmt die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform, ob der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck (Unterdruck) geringer ist als der im Voraus bestimmte Grenzwert oder nicht, und bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, in dem die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist, wenn bestimmt wird, dass der Druck (Unterdruck) geringer ist als der Grenzwert. Wie oben beschrieben, bestimmt die Schleifvorrichtung 1, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 gehaltenen Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist, indem der Druckmesser 74 verwendet wird, der den Druck des Saugpfads 72 misst und der üblicherweise verwendet worden ist, um zu überprüfen, ob der Wafer durch den Haltetisch 7 unter Saugwirkung normal gehalten wird. Folglich kann eine Anomalie erfasst werden, ohne die Anzahl der Teile zu erhöhen.
  • Die Aussparungen und Vorsprünge 215 mit einer Oberflächenrauigkeit von in etwa mehreren zehn Mikrometern sind bei der Trennfläche 214 vorhanden. Folglich neigt der durch den Druckmesser 74 gemessene Druck dazu, sich in Abhängigkeit davon merklich zu verändern, ob die Trennfläche 214 auf der Haltefläche 71 angeordnet ist oder nicht. Durch die Verwendung hiervon, verwendet die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der zweiten Ausführungsform den Druckmesser 74, der an dem Saugpfad 72 angeordnet ist, welcher mit der Haltefläche 71 des in dem Grobschleifbereich 302 positionierten Haltetischs 7 verbunden ist, als die Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe erfasst, welche für eine Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird. Folglich kann der Expositionszustand der Trennfläche 214 genau bestimmt werden.
  • [Dritte Ausführungsform]
  • Eine Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird auf Grundlage einer Zeichnung beschrieben. 13 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform veranschaulicht. In Bezug auf 13 an die gleichen Teile wie jene der ersten Ausführungsform die gleichen Bezugszeichen vergeben, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • Eine Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform beinhaltet eine Erfassungseinheit 16, die einen Lichtprojektionsteil 161, der entweder die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 des Wafers 200 mit Licht bestrahlt, der zeitweilig auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert ist und für den eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, und einen Lichtempfangsteil 162 aufweist, der durch den Wafer 200 reflektiertes Licht empfängt, welcher durch den Lichtprojektionsteil 161 bestrahlt wird. Die Erfassungseinheit 16 gibt die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge (die der Intensität empfangenen Lichts entspricht) an die Steuerungseinheit 100 aus. Das heißt, dass der Lichtprojektionsteil 161 und der Lichtempfangsteil 162 die Erfassungseinheit 16 einrichten, die eine physikalische Größe, das heißt die empfangene Lichtmenge (Intensität empfangenen Lichts), erfasst, welche zur Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird. Wenn die Trennfläche 214 dem Lichtempfangsteil 162 der Erfassungseinheit 16 gegenüberliegt, wird das durch den Lichtprojektionsteil 161 emittierte Licht durch die Aussparungen und Vorsprünge 215 gestreut, und die empfangene Lichtmenge sinkt relativ zu dem Fall ab, in dem die flache Fläche 202 dem Lichtempfangsteil 162 gegenüberliegt. Durch die Verwendung hiervon wird es möglich, zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des Wafers 200, für den die Positionseinstellung durch die Positionseinstelleinheit 10 ausgeführt worden ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200, die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist, indem die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge durch die Erfassungseinheit 16 an die Steuerungseinheit 100 ausgegeben wird. Das heißt, dass die Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 ermöglicht wird.
  • Die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform bestimmt auf der Grundlage des durch den Lichtempfangsteil 162 der Erfassungseinheit 16 empfangenen Lichtmenge, der bei der Positionseinstelleinheit 10 angeordnet ist, ob die obere Fläche 216 des Wafers 200 die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist, wenn der Wafer 200 später durch den Haltetisch 7 gehalten wird. Das heißt, dass die Expositionsbestimmungseinheit 104 den Expositionszustand der Trennfläche 214 auf der Grundlage einer physikalischen Größe, das heißt der durch die Erfassungseinheit 16 erfassten Lichtmenge, bestimmt.
  • Bei der dritten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, ob die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge geringer als ein im Voraus definierter Grenzwert ist oder nicht. Es ist für den Grenzwert wünschenswert, ein Wert zu sein, der geringer ist als die empfangene Lichtmenge, wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200, für den die Positionseinstellung durch die Positionseinstelleinheit 10 ausgeführt worden ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200, die Trennfläche 214 ist.
  • Wenn die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge bei der dritten Ausführungsform geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die durch den Lichtprojektionsteil 161 mit dem Licht bestrahlte Fläche des Wafers 200 (Fläche auf der zu der oberen Fläche 216 des Wafers 200 gegenüberliegenden Seite, für die durch die Positionseinstelleinheit 10 eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist) die Trennfläche 214 ist. Das heißt, wenn die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die obere Fläche 216 des Wafers 200, für den die Positionseinstellung durch die Positionseinstelleinheit 10 ausgeführt worden ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200, die flache Fläche 202 ist, und bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist. Wenn die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die durch den Lichtprojektionsteil 161 mit Licht bestrahlte Fläche des Wafers 200 (Fläche auf der Seite, die der oberen Fläche 216 des Wafers 200 gegenüberliegt, für den eine Positionseinstellung durch die Positionseinstelleinheit 10 ausgeführt worden ist) die flache Fläche 202 ist. Das heißt, wenn die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangene Lichtmenge nicht weniger ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die obere Fläche 216 des Wafers 200, für den eine Positionseinstellung durch die Positionseinstelleinheit 10 ausgeführt worden ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200, die Trennfläche 214 ist, und bestimmt, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, in dem die Trennfläche 214 nach oben exponiert ist.
  • Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, fährt die Steuerungseinheit 100 mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 wie bei der ersten Ausführungsform fort. Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, setzt die Steuerungseinheit 100 bei der dritten Ausführungsform den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst die Informationseinheit 103, den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren. Wenn auf diese Weise bei der dritten Ausführungsform auf Grundlage der durch den Lichtempfangsteil 162 empfangenen Lichtmenge bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, veranlasst die Steuerungseinheit 100 die Informationseinheit 103, den Bediener wie bei der ersten Ausführungsform über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren.
  • Bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform bestrahlt die Erfassungseinheit 16 während des Bearbeitungsvorgangs den Wafer 200 mit Licht von dem Lichtprojektionsteil 161, wenn der Wafer 200 zeitweilig auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert wird und eine Positionseinstellung ausgeführt wird. Bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 während des Bearbeitungsvorgangs, ob die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der zeitweilig auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert wird und für den die Positionseinstellung ausgeführt worden ist, durch den Lichtprojektionsteil 161 mit dem Licht bestrahlt wird, geringer als der im Voraus definierte Grenzwert ist oder nicht. Wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200 zu diesem Zeitpunkt die Trennfläche 214 ist, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die empfangene Lichtmenge geringer ist als der Grenzwert. Wenn die obere Fläche 216 des Wafers 200 ferner die flache Fläche 202 ist, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die empfangene Lichtmenge geringer ist als der Grenzwert.
  • Wenn bei der Schleifvorrichtung 1 bestimmt wird, dass die Menge an empfangenem Licht, die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der zeitweilig auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert ist und für den eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, mit dem Licht durch den Lichtprojektionsteil 161 bestrahlt wird, geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 nicht nach oben exponiert ist. Dann setzt die Steuerungseinheit 100 den Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 aus und veranlasst die Informationseinheit 103, daran zu arbeiten, den Bediener über die Bestimmung oder Ähnliches zu informieren.
  • Wenn bei der Schleifvorrichtung 1 bestimmt wird, dass die Menge an empfangenem Licht, die durch den Lichtempfangsteil 162 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der zeitweilig auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert ist und für den eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, mit dem Licht durch den Lichtprojektionsteil 161 bestrahlt wird, nicht weniger ist als der Grenzwert (das heißt, gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 nach oben exponiert ist, und die Steuerungseinheit 100 fährt mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort.
  • Die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform beinhaltet die Erfassungseinheit 16, die eine physikalische Größe, das heißt die Menge an empfangenem Licht, erfasst, die zur Bestimmung des Expositionszustand der Trennfläche 214 des Wafers 200 verwendet wird, der vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert wird und für den eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, das heißt der durch den Haltetisch 7 gehaltene Wafer 200. Folglich ist es möglich, zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist. Als Ergebnis stellt die Schleifvorrichtung 1 den Effekt bereit, die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass die Trennfläche 214 an dem Haltetisch 7 gehalten wird und die flache Fläche 202, das heißt die Fläche, die der Trennfläche 214 des Wafers 200 gegenüberliegt, geschliffen wird.
  • Nachdem die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 bestimmt hat, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 nicht nach oben exponiert ist, kann die Ausrichtung des Wafers 200, der vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert wird und für den eine Positionseinstellung ausgeführt worden ist, bei der vorliegenden Erfindung bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der dritten Ausführungsform durch den Beförderungsarm 14-3 umgedreht werden, kann der Wafer 200 wieder vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit 10 platziert werden und kann der Bearbeitungsvorgang fortgesetzt werden.
  • [Vierte Ausführungsform]
  • Eine Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird auf Grundlage einer Zeichnung beschrieben. 14 ist eine perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel des Beförderungsarms der Schleifvorrichtung in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform veranschaulicht. In Bezug auf 14 werden an die gleichen Teile wie jene der ersten Ausführungsform die gleichen Bezugszeichen vergeben, und ihre Beschreibung wird weggelassen.
  • Eine Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform weist eine Erfassungseinheit 16 auf, die einen Lichtprojektionsteil 171, der an der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 eingerichtet ist, die dem unter Saugwirkung an der Fläche 116 gehaltenen Wafer 200 gegenüberliegt, welche die Haltefläche ist, und der entweder die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 des Wafers 200 mit Licht bestrahlt, und einen Lichtempfangsteil 172 beinhaltet, der reflektiertes Licht empfängt, das durch die Bestrahlung mittels des Lichtprojektionsteils 171 durch den Wafer 200 reflektiert wird. Die Erfassungseinheit 17 gibt die Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird (was der Intensität des empfangenen Lichts entspricht) an die Steuerungseinheit 100 aus. Das heißt, dass der Lichtprojektionsteil 171 und der Lichtempfangsteil 172 die Erfassungseinheit 17 einrichten, die eine physikalische Größe, das heißt die empfangene Lichtmenge (Intensität empfangenen Lichts), erfasst, die zur Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 verwendet wird. Wenn die Trennfläche 214 dem Lichtempfangsteil 172 der Erfassungseinheit 17 gegenüberliegt, wird das durch den Lichtprojektionsteil 171 emittierte Licht durch die Aussparungen und Vorsprünge 215 gestreut, und die Menge an empfangenem Licht sinkt relativ zu dem Fall ab, bei dem die flache Fläche 202 dem Lichtempfangsteil 172 gegenüberliegt. Durch die Verwendung hiervon wird ermöglicht, zu erfassen, ob die durch die U-förmige Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 gehaltene Fläche bei dem Wafer 200, die dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegt, die Trennfläche 214 ist, und zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die flache Fläche 202 ist, indem die Menge an empfangenem Licht, das durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, durch die Erfassungseinheit 17 an die Steuerungseinheit 100 ausgegeben wird. Das heißt, dass eine Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 ermöglicht wird.
  • Die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform auf der Grundlage der empfangenen Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 der Erfassungseinheit 17 empfangen wird, der an der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 eingerichtet ist, bestimmt, ob die dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegende Fläche die flache Fläche 202 oder die Trennfläche 214 ist. Das heißt, dass die Expositionsbestimmungseinheit 104 den Expositionszustand der Trennfläche 214 auf der Grundlage einer physikalischen Größe bestimmt, das heißt der empfangenen Lichtmenge, die durch die Erfassungseinheit 17 erfasst wird.
  • Bei der vierten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, ob die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, geringer ist als ein im Voraus definierter Grenzwert. Es ist für den Grenzwert wünschenswert, ein Wert zu sein, der geringer ist als die empfangene Lichtmenge, wenn die Fläche des Wafers 200, die dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegt, die flache Fläche 202 ist, das heißt, dass die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die Trennfläche 214 ist.
  • Wenn die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, bei der vierten Ausführungsform geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die Fläche des Wafers 200, die durch den Lichtprojektionsteil 171 mit dem Licht bestrahlt wird, die Trennfläche 214 ist. Das heißt, wenn die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, geringer als der Grenzwert ist, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die Fläche des Wafers 200, die dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegt, die Trennfläche 214 ist, das heißt, sie bestimmt, dass die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die flache Fläche 202 ist, und bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist. Wenn die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die Fläche des Wafers 200, die durch den Lichtprojektionsteil 171 mit dem Licht bestrahlt wird, die flache Fläche 202 ist. Das heißt, wenn die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt, gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104, dass die Fläche des Wafers 200, die den Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegt, die flache Fläche 202 ist, das heißt, sie bestimmt, dass die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die Trennfläche 214 ist, und bestimmt, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, bei dem die Trennfläche 214 nach oben exponiert ist.
  • Auf diese Weise bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 bei der Schleifvorrichtung 1 nach der vierten Ausführungsform in Übereinstimmung mit der durch den Lichtempfangsteil 172 der Erfassungseinheit 17 empfangenen Lichtmenge, das heißt dem Erfassungsergebnis der Erfassungseinheit 17, ob die Trennfläche 214 nach oben exponiert ist, wenn der Wafer 200 durch den Haltetisch 7 gehalten wird.
  • Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bestimmt, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, fährt die Steuerungseinheit 100 wie bei der ersten Ausführungsform mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort. Wenn die Expositionsbestimmungseinheit 104 bei der vierten Ausführungsform bestimmt, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, das heißt, sie bestimmt, dass die Trennfläche 214 nicht nach oben exponiert ist, wenn der Wafer 200 durch den Haltetisch 7 gehalten wird, dreht die Steuerungseinheit 100 die U-förmige Hand 115, die den Wafer 200 bei dem Beförderungsarm 14 unter Saugwirkung hält, um 180°, um die Ausrichtung des Wafers 200 vor einem Platzieren des Wafers 200 auf dem Haltetisch 7 umzudrehen und fährt mit dem Bearbeitungsvorgang fort.
  • Bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform bestrahlt die Bestrahlungseinheit 17 den Wafer 200 bei dem Bearbeitungsvorgang mit Licht von dem Lichtprojektionsteil 171, wenn der Beförderungsarm 14 der Beförderungseinheit 11 den Wafer 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist, an der Fläche 116 unter Saugwirkung hält, welche die Haltefläche der U-förmigen Hand 115 ist. Bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100 bei dem Bearbeitungsvorgang, ob die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist und der unter Saugwirkung an der Fläche 116 gehalten wird, welche die Haltefläche der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 ist, durch den Lichtprojektionsteil 171 mit dem Licht bestrahlt wird, geringer ist als der im Voraus definierte Grenzwert. Wenn ferner die Fläche des Wafers 200, der dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegt, die flache Fläche 202 ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 ist die Trennfläche 214, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 zu diesem Zeitpunkt, dass die empfangene Lichtmenge nicht geringer ist als der Grenzwert. Wenn die Fläche des dem Lichtprojektionsteil 171 gegenüberliegenden Wafers 200 die Trennfläche 214 ist, das heißt die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 ist die flache Fläche 202, bestimmt die Bestimmungseinheit 104 darüber hinaus, dass die empfangene Lichtmenge geringer als der Grenzwert ist.
  • Wenn bei der Schleifvorrichtung 1 bestimmt wird, dass die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist und der unter Saugwirkung an der Fläche 116 gehalten wird, welche die Haltefläche der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 ist, durch den Lichtprojektionsteil 171 mit dem Licht bestrahlt wird, geringer ist als der Grenzwert, bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 nicht nach oben exponiert ist. Wenn während des Bearbeitungsvorgangs bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, dreht die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform die Ausrichtung des Wafers 200 durch den Beförderungsarm 14, platziert den Wafer 200 vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit 10 und fährt mit dem Bearbeitungsvorgang fort.
  • Wenn bei der Schleifvorrichtung 1 bestimmt wird, dass die empfangene Lichtmenge, die durch den Lichtempfangsteil 172 empfangen wird, wenn der Wafer 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist und der unter Saugwirkung an der Fläche 116 gehalten wird, welche die Haltefläche der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 ist, durch den Lichtprojektionsteil 171 mit dem Licht bestrahlt wird, nicht geringer ist als der Grenzwert (das heißt gleich dem oder größer als der Grenzwert ist), bestimmt die Expositionsbestimmungseinheit 104 der Steuerungseinheit 100, dass der Expositionszustand der Normalzustand ist, bei dem die Trennfläche 214 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 nach oben exponiert ist, und die Steuerungseinheit 100 fährt mit dem Bearbeitungsvorgang der Schleifvorrichtung 1 fort.
  • Die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform beinhaltet die Erfassungseinheit 17, die eine physikalische Größe, das heißt die empfangene Lichtmenge, erfasst, die zur Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 des Wafers 200 verwendet wird, der durch den Beförderungsarm 14 der Beförderungseinheit 11 unter Saugwirkung gehalten wird, das heißt der durch den Haltetisch 7 zu haltende Wafer 200. Folglich ist es möglich, zu bestimmen, ob die obere Fläche 216 des durch den Haltetisch 7 zu haltenden Wafers 200 die Trennfläche 214 oder die flache Fläche 202 ist. Als Ergebnis stellt die Schleifvorrichtung 1 den Effekt bereit, die Wahrscheinlichkeit zu verringern, dass die Trennfläche 214 an dem Haltetisch 7 gehalten wird und die flache Fläche 202, welche die der Trennfläche 214 des Wafers 200 gegenüberliegende Fläche ist, geschliffen wird.
  • Ferner ist die Erfassungseinheit 17 bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform an der U-förmigen Hand 115 des Beförderungsarms 14 der Beförderungseinheit 11 angeordnet. Folglich kann eine Bestimmung des Expositionszustands der Trennfläche 214 zum Zeitpunkt einer Beförderung ausgeführt werden, bevor der Wafer 200 auf dem Haltetisch 7 platziert wird, wie zum Beispiel während einer Bereitschaftszeit des Beförderungsarms 14 bei einer Schleifbearbeitung des vorangehenden Wafers 200. Als Ergebnis ist es bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform nicht notwendig, eine Erfassung und Bestimmung nach einer Platzierung des Wafers 200 auf dem Haltetisch auszuführen, und es gibt keine Sorge, dass der Haltetisch 7 belegt und die Produktivität geringer ist.
  • Während des Beförderns des Wafers 200, der noch keiner Schleifbearbeitung unterzogen worden ist, zu dem Haltetisch 7, kann der Wafer 200 darüber hinaus bei der Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform auf so eine Weise umgedreht werden, dass er mit der Trennfläche 214 nach oben exponiert auf dem Haltetisch 7 platziert wird. Als Ergebnis benötigt die Schleifvorrichtung 1 in Übereinstimmung mit der vierten Ausführungsform keinen Schritt, bei dem der Wafer 200, bezüglich dem bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist, zu der Kassette 8 oder 9 zurückgeführt wird, ohne bearbeitet zu werden, und der Bediener den Wafer 200 umdreht und ihn wieder ablegt, und keinen Schritt, bei dem der Bediener die Ausrichtung des Wafers 200 jedes Mal umdreht, wenn der Expositionszustand als der Anomaliezustand bestimmt wird, usw.
  • Die vorliegende Erfindung ist nicht auf die Details der oben beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Das heißt, dass die vorliegende Erfindung mit vielfältigen Abwandlungen ausgeführt werden kann, ohne den Gegenstand der vorliegenden Erfindung zu verlassen. Die Schleifvorrichtung 1 der vorliegenden Erfindung kann als Höhenmessinstrument für eine obere Fläche 15-1 ein kontaktloses Höhenmessinstrument verwenden, das die Höhe der oberen Fläche des Wafers durch Bestrahlung der oberen Fläche 216 des Wafers 200 mit Licht und Empfangen von reflektiertem Licht von der oberen Fläche 216 des Wafers 200 misst.
  • Die vorliegende ist nicht auf die Details der oben beschriebenen bevorzugten Ausführungsformen beschränkt. Der Schutzbereich der Erfindung wird durch die beigefügten Ansprüche definiert und sämtliche Änderungen und Abwandlungen, die in den äquivalenten Schutzbereich der Ansprüche fallen, sind folglich durch die Erfindung einbezogen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2018049913 [0003, 0004]
    • JP 2006021264 [0004]

Claims (8)

  1. Schleifvorrichtung, die eine Trennfläche mit Aussparungen und Vorsprüngen bei einem Wafer schleift, die erzeugt worden sind, indem er von einem Ingot getrennt worden ist, wobei die Schleifvorrichtung aufweist: einen Haltetisch zum Halten eines Wafers; eine Schleifeinheit, welche eine exponierte Fläche des Wafers schleift, der durch den Haltetisch gehalten wird; eine Erfassungseinheit, die eine physikalische Größe erfasst, welche zur Bestimmung eines Expositionszustands der Trennfläche verwendet wird; und eine Steuerungseinheit, die eine Expositionsbestimmungseinheit aufweist, die den Expositionszustand der Trennfläche auf Grundlage der durch die Erfassungseinheit erfassten physikalischen Größe bestimmt.
  2. Schleifvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Erfassungseinheit einen Höhenmesser für eine obere Fläche aufweist, der eine Höhe einer oberen Fläche des durch den Haltetisch gehaltenen Wafers misst, und die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass der Expositionszustand ein Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche nicht exponiert ist, wenn eine Höhendifferenz bei der oberen Fläche zwischen mehreren Stellen, die durch Messen der mehreren Stellen über den Höhenmesser einer oberen Fläche erhalten wird, geringer ist als ein Grenzwert.
  3. Schleifvorrichtung nach Anspruch 1, bei der die Erfassungseinheit einen Druckmesser aufweist, der einen Unterdruck eines Saugpfads misst, wenn der Wafer durch eine Haltefläche des Haltetischs angesaugt wird, und die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass der Expositionszustand ein Anomaliezustand ist, bei dem die Trennfläche nicht exponiert ist, wenn der durch den Druckmesser gemessene Unterdruck, während der Wafer angesaugt wird, geringer ist als ein Grenzwert.
  4. Schleifvorrichtung nach Anspruch 2, bei der die Steuerungseinheit einen Bediener über die Bestimmung des Anomaliezustands informiert, wenn durch die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist.
  5. Schleifvorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Steuerungseinheit einen Bediener über die Bestimmung des Anomaliezustands informiert, wenn durch die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt wird, dass der Expositionszustand der Anomaliezustand ist.
  6. Schleifvorrichtung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: eine Positionseinstelleinheit, bei welcher der Wafer vorübergehend platzierbar ist, wobei die Erfassungseinheit aufweist: einen Lichtprojektionsteil, der eine der Flächen des Wafers mit Licht bestrahlt, der vorübergehend auf der Positionseinstelleinheit platziert ist, und einen Lichtempfangsteil, der durch den Wafer reflektiertes Licht empfängt, und wenn eine durch den Lichtempfangsteil empfangene Lichtmenge geringer ist als ein Grenzwert, die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass die durch den Lichtprojektionsteil mit dem Licht bestrahlte Fläche die Trennfläche ist, und auf Grundlage eines Ergebnisses der Bestimmung bestimmt, ob die Trennfläche exponiert ist oder nicht, wenn der Wafer durch den Haltetisch gehalten wird.
  7. Schleifvorrichtung nach Anspruch 1, die ferner aufweist: einen Kassettenabstellsockel, auf dem eine Kassette abstellbar ist, die im Stande ist, mehrere der Wafer aufzunehmen; und eine Beförderungseinheit, die mindestens einen Beförderungsarm aufweist, der den Wafer von der Kassette zu dem Haltetisch befördert, wobei die Erfassungseinheit aufweist: einen Lichtprojektionsteil, der an der Beförderungseinheit eingerichtet ist und eine der Flächen des Wafers mit Licht bestrahlt, und einen Lichtempfangsteil, der an der Beförderungseinheit eingerichtet ist und durch den Wafer reflektiertes Licht empfängt, und wenn eine durch den Lichtempfangsteil empfangene Lichtmenge geringer ist als ein Grenzwert, die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass die durch den Lichtprojektionsteil mit dem Licht bestrahlte Fläche die Trennfläche ist, und auf Grundlage eines Ergebnisses der Bestimmung bestimmt, ob die Trennfläche exponiert ist, wenn der Wafer durch den Haltetisch gehalten wird, oder nicht.
  8. Schleifvorrichtung nach Anspruch 7, bei der der Beförderungsarm aufweist: eine Haltefläche, die den Wafer hält, einen Armteil, der mit der Haltefläche verbunden ist, und einen Antriebsteil, der in dem Armteil eingerichtet ist und im Stande ist, eine Ausrichtung der Haltefläche umzudrehen, und die Steuerungseinheit die Ausrichtung der Haltefläche vor einem Platzieren des Wafers auf dem Haltetisch umdreht, wenn die Expositionsbestimmungseinheit bestimmt, dass die Trennfläche nicht exponiert ist.
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