CN114734332A - 磨削装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供磨削装置，其能够将对晶片的与剥离面相反的面进行磨削的可能性抑制得较低。磨削装置包含：保持工作台，其对晶片进行保持；磨削单元，其对保持工作台所保持的晶片的露出的面进行磨削；检测单元，其对在晶片的剥离面的露出状态的判定中所使用的物理量进行检测；以及控制单元，其具有根据检测单元所检测的物理量而对剥离面的露出状态进行判定的露出判定单元。

Description

磨削装置
技术领域
本发明涉及对从锭剥离的晶片的剥离面进行磨削的磨削装置。
背景技术
已知有如下的晶片的生成方法：使激光束会聚至锭的内部的相当于期望的晶片的厚度的深度的位置而进行照射，形成加工痕，并且形成从该加工痕水平地延伸的剥离层，以该剥离层为起点而从锭剥离晶片。
利用这种方法生成的晶片在剥离层侧的剥离面上形成有凹凸，因此在从锭剥离后对剥离面进行磨削等而将剥离面的凹凸去除。为了实施这种磨削加工，使用磨削装置(例如参照专利文献1和专利文献2)。
专利文献1：日本特开2018-049913号公报
专利文献2：日本特开2006-021264号公报
但是，在上述的专利文献1和专利文献2所记载的磨削装置中，在操作者利用手动作业将所剥离的晶片收纳于盒中的情况下，担心将晶片收纳成上下倒置而对与剥离面相反的面进行磨削。
发明内容
由此，本发明的目的在于提供磨削装置，其能够将对晶片的与剥离面相反的面进行磨削的可能性抑制得较低。
根据本发明的一个方式，提供磨削装置，其对通过从锭剥离而生成的晶片的具有凹凸的剥离面进行磨削，其中，该磨削装置包含：保持工作台，其对该晶片进行保持；磨削单元，其对该保持工作台所保持的该晶片的露出的面进行磨削；检测单元，其对在该剥离面的露出状态的判定中所使用的物理量进行检测；以及控制单元，其具有根据该检测单元所检测的物理量而判定该剥离面的露出状态的露出判定单元。
优选该检测单元具有对该保持工作台所保持的晶片的上表面高度进行测量的上表面高度检测器，该露出判定单元在利用该上表面高度检测器对多个部位进行测量而得到的该多个部位的该上表面高度的差低于阈值的情况下，判定为存在该剥离面未露出的异常。
另外，优选该检测单元具有对利用该保持工作台的保持面来吸引晶片时的吸引路的负压进行测量的压力计，该露出判定单元在吸引了晶片时由该压力计测量的负压低于阈值的情况下，判定为存在该剥离面未露出的异常。
另外，优选该控制单元在通过该露出判定单元判定为异常的情况下，将这一情况通知给操作者。
另外，优选该磨削装置还包含暂放该晶片的对位单元，该检测单元具有：投光部，其对暂放于该对位单元的晶片的任意的面照射光；以及受光部，其接受被该晶片反射的反射光，该露出判定单元在该受光部所接受的光量低于阈值的情况下，判定为被该投光部照射了光的面是该剥离面，并且根据该判定的结果来判定在将该晶片保持于该保持工作台时该剥离面是否露出。
另外，优选该磨削装置还包含：盒设置台，其设置能够收纳多个该晶片的盒；以及搬送单元，其包含一个以上的搬送臂，该搬送臂将该晶片从该盒中搬送至该保持工作台上，该检测单元具有：投光部，其设置于该搬送单元，对该晶片的任意的面照射光；以及受光部，其设置于该搬送单元，接受被该晶片反射的反射光，该露出判定单元在该受光部所接受的光量低于阈值的情况下，判定为被该投光部照射了光的面是该剥离面，并且根据该判定的结果来判定在将该晶片保持于该保持工作台时该剥离面是否露出。另外，优选该搬送臂具有：保持面，其对该晶片进行保持；臂部，其与该保持面连接；以及驱动部，其设置于该臂部，能够使该保持面的朝向翻转，该控制单元在该露出判定单元判定为该剥离面未露出的情况下，在将晶片载置于该保持工作台之前，使该保持面的朝向翻转。
根据本发明的一个方式的磨削装置，能够将对晶片的与剥离面相反的面进行磨削的可能性抑制得较低。
附图说明
图1是示出第1实施方式的磨削装置的结构例的立体图。
图2是第1实施方式的磨削装置的加工对象的晶片的立体图。
图3是从下方观察图2所示的晶片的平面图。
图4是SiC锭的俯视图，从该SiC锭剥离图2所示的晶片。
图5是图4所示的SiC锭的侧视图。
图6是在图4所示的SiC锭中形成有剥离层的状态的俯视图。
图7是沿着图6中的VII-VII线的剖视图。
图8是示出图1所示的磨削装置的搬送臂的结构例的立体图。
图9是示意性示出图1所示的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是剥离面的状态的侧视图。
图10是示意性示出图1所示的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是平坦面的状态的侧视图。
图11是示意性示出第2实施方式的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是剥离面的状态的侧视图。
图12是示意性示出第2实施方式的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是平坦面的状态的侧视图。
图13是示出第3实施方式的磨削装置的结构例的立体图。
图14是示出第4实施方式的磨削装置的搬送臂的结构例的立体图。
标号说明
1：磨削装置；3：粗磨削单元(磨削单元)；4：精磨削单元(磨削单元)；7：保持工作台；8、9：盒；11：搬送单元；13：盒设置台；14、14-1、14-2、14-3：搬送臂；15：厚度检测器；15-1：上表面高度检测器(检测单元)；16：检测单元；17：检测单元；74：压力计(检测单元)；100：控制单元；104：露出判定单元；111：臂部；116：正面(保持面)；118：驱动部；171：投光部；172：受光部；200：晶片；201：SiC锭(锭)；214：剥离面；215：凹凸；216：上表面(露出的面)。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[第1实施方式]
根据附图，对本发明的第1实施方式的磨削装置进行说明。图1是示出第1实施方式的磨削装置的结构例的立体图。图2是第1实施方式的磨削装置的加工对象的晶片的立体图。图3是从下方观察图2所示的晶片的平面图。图4是SiC锭的俯视图，从该SiC锭剥离图2所示的晶片。图5是图4所示的SiC锭的侧视图。图6是在图4所示的SiC锭中形成有剥离层的状态的俯视图。图7是沿着图6中的VII-VII线的剖视图。
(晶片)
图1所示的第1实施方式的磨削装置1是对图2和图3所示的晶片进行磨削的加工装置。作为图1所示的磨削装置1的加工对象的图2和图3所示的晶片200是从图4和图5所示的SiC锭201(相当于锭)剥离而生成的。在第1实施方式中，图4和图5所示的SiC锭201由SiC(碳化硅)形成，整体形成为圆柱状。在第1实施方式中，SiC锭201是六方晶单晶SiC锭。
如图4和图5所示，SiC锭201具有：圆形状的平坦面202；平坦面202的背面侧的圆形状的第2面203；以及与平坦面202的外缘和第2面203的外缘相连的周面204。另外，SiC锭201在周面204上具有示出晶体取向的第1定向平面205和与第1定向平面205垂直的第2定向平面206。第1定向平面205的长度比第2定向平面206的长度长。
另外，SiC锭201具有：c轴209，其相对于平坦面202的垂线207向朝向第2定向平面206的倾斜方向208倾斜偏离角α；以及c面210，其与c轴209垂直。c面210相对于SiC锭201的平坦面202倾斜偏离角α。c轴209相对于垂线207的倾斜方向208与第2定向平面206的延伸方向垂直且与第1定向平面205平行。c面210在SiC锭201中设定无数个。在第1实施方式中，偏离角α设定为1°、4°或6°，但在本发明中，可以在例如1°～6°的范围内自由地设定偏离角α而制造SiC锭201。
另外，在通过磨削装置对SiC锭201的第2面203的相反侧的面进行磨削加工之后，通过研磨装置进行研磨加工，由此形成镜面状的平坦面202。
在图4和图5所示的SiC锭201中形成了图6和图7所示的剥离层211之后，以剥离层211为起点而将晶片200剥离。将对于SiC锭201具有透过性的波长的脉冲状的激光束231(图7所示)的聚光点232(图7所示)定位于距离SiC锭201的平坦面202相当于要生成的晶片200的厚度的期望的深度233(图7所示)的位置，沿着第2定向平面206照射脉冲状的激光束231，由此在SiC锭201的内部形成剥离层211。
当照射对于SiC锭201具有透过性的波长的脉冲状的激光束231时，如图7所示，通过脉冲状的激光束231的照射，SiC分离成Si(硅)和C(碳)，接着照射的脉冲状的激光束231被之前所形成的C吸收，SiC连锁地分离成Si和C，从而沿着X轴方向在SiC锭201的内部形成改质部212，并且生成从改质部212沿着c面210延伸的裂纹213。当这样照射对于SiC锭201具有透过性的波长的脉冲状的激光束231时，在SiC锭201中形成包含改质部212和从改质部212沿着c面210形成的裂纹213的剥离层211。
在对SiC锭201沿着与第2定向平面206平行的方向的全长照射激光束231时，将SiC锭201相对于照射激光束231的未图示的激光束照射单元沿着第1定向平面205相对地进行转位进给。再次，对于SiC锭201，将聚光点232定位于距离平坦面202期望的深度233的位置而沿着第2定向平面206照射脉冲状的激光束231，在内部形成剥离层211。这样，重复进行沿着第2定向平面206照射激光束231的动作和激光束照射单元沿着第1定向平面205相对地进行转位进给的动作。
由此，在SiC锭201中，按照每个转位进给的移动距离，在距离平坦面202相当于晶片200的厚度的期望的深度233的位置形成包含SiC分离成Si和C的改质部212和裂纹213的强度比其他部分降低的剥离层211。在SiC锭201中，在距离平坦面202期望的深度233的位置沿着与第1定向平面205平行的方向的全长按照每个转位进给的移动距离形成剥离层211。在遍及SiC锭201的整体而形成有剥离层211之后，以剥离层211为起点而将平坦面202侧剥离，生成图2和图3所示的晶片200。
因此，晶片200在从SiC锭201剥离的剥离层211侧即第2面203侧的剥离面214上如图3所示那样具有由上述的改质部212和裂纹213形成的表面粗糙度为数十μm左右的凹凸215。关于图2和图3所示的晶片200，通过图1所示的磨削装置1对从SiC锭201剥离的剥离面214实施磨削加工，并通过未图示的研磨装置实施研磨加工等。关于晶片200，在对剥离面214实施了磨削加工、研磨加工等之后，在晶片200的正面上形成器件。在第1实施方式中，器件是MOSFET(Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微机电系统)或SBD(SchottkyBarrier Diode，肖特基二极管)，但在本发明中，器件不限于MOSFET、MEMS和SBD。另外，对晶片200的与SiC锭201相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
(磨削装置)
接着，对磨削装置进行说明。磨削装置1是对通过从SiC锭201剥离而生成的晶片200的具有凹凸215的剥离面214进行磨削从而将晶片200薄化至规定的完工厚度的加工装置。如图1所示，磨削装置1具有：装置主体2；粗磨削单元3(相当于磨削单元)；精磨削单元4(相当于磨削单元)；磨削进给单元5；转台6；设置于转台6上的多个(在第1实施方式中为三个)保持工作台7；盒8、9；对位单元10；搬送单元11；清洗单元12；以及控制单元100。
转台6是设置于装置主体2的上表面的圆盘状的台，设置成能够在水平面内绕与Z轴方向平行的轴心旋转，按照规定的时机进行旋转驱动。在该转台6上例如以120度的相位角等间隔地配设有例如三个保持工作台7，这三个保持工作台7具有保持工作台构造，该保持工作台构造具有保持面71通过吸引路72而与吸引源73连接的真空卡盘，将晶片200载置于保持面71上，通过吸引路72而被吸引源73吸引，由此利用保持面71对晶片200进行吸引保持。
在吸引路72上设置有压力计74。压力计74测量吸引路72内的压力、例如测量通过吸引源73在保持面71上吸引晶片200而产生的压力(在第1实施方式中是比大气压低的负压)。压力计74将测量结果输出至控制单元100。
这些保持工作台7在磨削时通过旋转驱动机构绕与铅垂方向即Z轴方向平行的轴心在水平面内旋转驱动。这样，保持工作台7具有对晶片200进行保持的保持面71，构成为能够绕轴心旋转。保持工作台7通过转台6的旋转而依次移动至搬入搬出区域301、粗磨削区域302、精磨削区域303、搬入搬出区域301。
其中，搬入搬出区域301是相对于保持工作台7搬入搬出晶片200的区域，粗磨削区域302是利用粗磨削单元3对保持工作台7所保持的晶片200进行粗磨削(相当于磨削)的区域，精磨削区域303是利用精磨削单元4对保持工作台7所保持的晶片200进行精磨削(相当于磨削)的区域。
粗磨削单元3安装有呈环状配设有对保持工作台7所保持的晶片200的向上方露出的面即上表面216(图9和图10所示，平坦面202和剥离面214中的一方)进行粗磨削的粗磨削用的磨削磨具31的粗磨削用的磨削磨轮32，粗磨削单元3是对粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71所保持的晶片200的上表面216进行粗磨削的磨削单元。精磨削单元4安装有呈环状配设有对保持工作台7所保持的晶片200的上表面216进行精磨削的精磨削用的磨削磨具41的精磨削用的磨削磨轮42，精磨削单元4是对精磨削区域303的保持工作台7的保持面71所保持的晶片200的上表面216进行精磨削的磨削单元。
因此，粗磨削单元3是使用粗磨削用的磨削磨轮32的磨削单元，精磨削单元4是使用磨削磨轮42而对通过粗磨削单元3进行了粗磨削的晶片200进行精磨削的磨削单元。另外，磨削单元3、4的结构大致相同，因此以下对相同的部分标记相同的标号而进行说明。
如图1所示，粗磨削单元3和精磨削单元4具有：未图示的主轴，在该主轴的下端安装有磨削磨轮32、42；以及电动机34，其使主轴绕与Z轴方向平行的轴心旋转驱动。磨削磨轮32、42具有圆环状的环状基台35以及固定于环状基台35的下表面上的多个磨削磨具31、41。磨削磨具31、41在环状基台35的下表面的外缘部沿周向排列。磨削磨具31、41通过利用结合剂固定磨粒而构成。磨削磨轮32的磨削磨具31的磨粒与磨削磨轮42的磨削磨具41的磨粒相比，粒径粗(即，粒径大)，磨削磨轮42的磨削磨具41的磨粒与磨削磨轮32的磨削磨具31的磨粒相比，粒径细。
主轴绕与垂直于保持面71的Z轴方向平行的轴心旋转自如地收纳于主轴壳体36内，通过安装于主轴壳体36的电动机34绕轴心旋转。主轴形成为圆柱状，在下端设置有用于安装磨削磨轮32、42的磨轮安装座37。磨轮安装座37从主轴的下端向外周方向遍及整周地突出，外周面的平面形状形成为圆形。在磨轮安装座37的下表面上重叠环状基台35的上表面，通过未图示的螺栓而固定磨削磨轮32、42。主轴和磨轮安装座37配置于相互成为同轴的位置。
通过电动机34使主轴和磨削磨轮32、42绕轴心旋转，并且将磨削水提供至磨削区域302、303的保持工作台7所保持的晶片200的上表面216，同时通过磨削进给单元5使磨削磨具31、41以规定的进给速度靠近保持工作台7，由此磨削单元3、4对晶片200的上表面216进行粗磨削或精磨削。
磨削进给单元5使磨削单元3、4在Z轴方向上移动而使磨削单元3、4相对于保持工作台7远离或接近。在第1实施方式中，磨削进给单元5设置于从装置主体2的与水平方向平行的Y轴方向的一个端部竖立设置的立设柱21上。磨削进给单元5具有：设置成绕轴心旋转自如的周知的滚珠丝杠；使滚珠丝杠绕轴心旋转的周知的电动机；以及将各磨削单元3、4的主轴壳体36支承为在Z轴方向上移动自如的周知的导轨。
另外，在第1实施方式中，粗磨削单元3和精磨削单元4中，作为磨削磨轮32、42的旋转中心的轴心与作为保持工作台7的旋转中心的轴心相互在水平方向上隔开间隔而大致平行地配置，磨削磨具31、41通过保持工作台7所保持的晶片200的上表面216的中心上。
盒8、9是具有多个槽的收纳容器，能够收纳多个晶片200。盒8、9例如收纳多张磨削加工前后的晶片200。盒8、9设置于盒设置台13。即，磨削装置1具有设置盒8、9的盒设置台13。盒设置台13使盒8、9在Z轴方向上升降。对位单元10是用于暂放从盒8、9取出的晶片200而进行晶片200的中心对位的工作台。
搬送单元11包含一个以上的将晶片200从盒8、9搬送至保持工作台7的搬送臂14。在第1实施方式中，搬送单元11具有三个搬送臂14。三个搬送臂14中的两个搬送臂14具有对晶片200进行吸附的吸附垫。这两个搬送臂14中的一方的搬送臂14(以下用标号14-1示出)对利用对位单元10进行了对位的磨削加工前的晶片200进行吸附保持而搬入至位于搬入搬出区域301的保持工作台7上。另一方的搬送臂14(以下用标号14-2示出)对保持在位于搬入搬出区域301的保持工作台7上的磨削加工后的晶片200进行吸附保持而搬出至清洗单元12。
另一个搬送臂14(以下用标号14-3示出)将磨削加工前的晶片200从盒8、9中取出，搬出至对位单元10，并且将磨削加工后的晶片200从清洗单元12取出，搬入至盒8、9中。另外，图8是示出图1所示的磨削装置的搬送臂的结构例的立体图。如图8所示，搬送臂14-3具有：臂部111；与臂部111连接的U字型手部115；臂驱动部；以及驱动部118。
臂部111具有：第1臂112，其按照绕与Z轴方向平行的轴心旋转自如的方式将一个端部连结于装置主体2；第2臂113，其按照绕与Z轴方向平行的轴心旋转自如的方式将一个端部与第1臂112的另一端部连结；以及旋转部件114，其按照绕与Z轴方向平行的轴心旋转自如的方式与第2臂113的另一端部连结。
U字型手部115在正面116上具有与未图示的吸引源连接的吸引孔117，吸引孔117通过吸引源进行吸引，由此利用正面116对晶片200进行吸引保持。另外，正面116是对晶片200进行保持的保持面。U字型手部115按照绕与水平方向平行的轴心旋转自如的方式连结于旋转部件114。因此，臂部111与作为保持面的U字型手部115的正面116连接。
臂驱动部使臂112、113和旋转部件114绕与Z轴方向平行的轴心旋转，由此将U字型手部115定位于任意的位置。驱动部118设置于臂部111的旋转部件114中，使U字型手部115绕与水平方向平行的轴心旋转。驱动部118使作为保持面的正面116绕上述的轴心旋转，由此能够使作为保持面的正面116旋转180度，能够切换成使作为保持面的正面116朝向上方的状态和朝向下方的状态，即能够使作为保持面的正面116的上下的朝向翻转。
清洗单元12对磨削后的晶片200进行清洗，将附着于磨削后的上表面216的磨削屑等污染物去除。
另外，磨削装置1具有对粗磨削区域302和精磨削区域303的保持工作台7所保持的晶片200的厚度进行测量的厚度检测器15。厚度检测器15是所谓接触式的厚度检测器，该厚度检测器15具有：触头151，其与保持工作台7所保持的晶片200的上表面216接触；触头152，其与保持工作台7的保持面71接触；以及测量机构，其测量触头151、152间的高度差，从而测量晶片的厚度。在第1实施方式中，测量机构将测量结果输出至控制单元100。
另外，磨削装置1具有上表面高度检测器15-1。在第1实施方式中，上表面高度检测器15-1使用构成厚度检测器15的与晶片200的上表面216接触的触头151测量晶片200的上表面的高度并输出至控制单元100。另外，在第1实施方式中，上表面高度检测器15-1具有对触头151所接触的晶片200的上表面216的高度(相当于上表面高度)进行测量的高度测量机构153。上表面高度检测器15-1的高度测量机构153在保持工作台7绕轴心旋转的状态下测量多个部位的上表面216的高度，从而对所测量的晶片200的上表面216的最低高度与晶片200的上表面216的最高高度的最大差(相当于上表面高度的差)进行测量，将测量结果输出至控制单元100。
在第1实施方式中，设置于粗磨削区域302的上表面高度检测器15-1是检测单元，该检测单元通过测量上述的上表面高度的差并输出至控制单元100而能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214。换言之，上表面高度检测器15-1是对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的上表面高度(上表面高度的差)这一物理量进行检测的检测单元。
另外，在第1实施方式中，厚度检测器15的测量机构和高度测量机构153由单一电路、复合电路、程序化的处理器或并列程序化的处理器等专用的处理电路(硬件)构成。
控制单元100分别控制构成磨削装置1的上述各结构单元。即，控制单元100使磨削装置1执行对于晶片200的加工动作。控制单元100是计算机，该控制单元100具有：运算处理装置，其具有CPU(central processing unit，中央处理器)那样的微处理器；存储装置，其具有ROM(read only memory，只读存储器)或RAM(random access memory，随机存取存储器)那样的存储器；以及输入输出接口装置。
控制单元100的运算处理装置按照存储于存储装置的计算机程序实施运算处理，将用于控制磨削装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出至磨削装置1的上述构成要素。另外，控制单元100与由显示加工动作的状态或图像等的液晶显示装置等构成的显示单元101、操作者登记加工内容信息等时使用的输入单元102以及对操作者进行通知的通知单元103连接。输入单元102由设置于显示单元101的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。通知单元103发出声、光和触摸面板上的信息中的至少任意一个而对操作者进行通知。
另外，第1实施方式的磨削装置1的控制单元100具有露出判定单元104。在第1实施方式中，露出判定单元104根据作为检测单元的设置于粗磨削区域302的上表面高度检测器15-1的高度测量机构153的测量结果而判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214。即，露出判定单元104根据检测单元17所检测的上表面高度(上表面高度的差)这一物理量而对剥离面214的露出状态进行判定。
当利用保持工作台7的保持面71对晶片200的剥离面214侧进行保持时，平坦面202成为上表面216而露出，上表面高度的差充分小。由此，在第1实施方式中，露出判定单元104对上表面高度检测器15-1的高度测量机构153的测量结果即上表面高度的差是否低于预先设定的阈值进行判定。另外，阈值优选为比晶片200的上表面216是剥离面214时的上表面高度的差小的值。
在第1实施方式中，露出判定单元104在上表面高度的差低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202，即剥离面214未向上方露出。露出判定单元104在上表面高度的差不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214，即剥离面214向上方露出。
控制单元100在露出判定单元104判定为正常时，继续进行磨削装置1的加工动作。在第1实施方式中，控制单元100在露出判定单元104判定为异常时，中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。这样，在第1实施方式中，控制单元100在通过设置于粗磨削区域302的上表面高度检测器15-1的测量结果而判定为异常的情况下，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
另外，在第1实施方式中，在露出判定单元104判定为异常时，控制单元100中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。然后，在第1实施方式中，在由操作者按照剥离面214向上方露出的方式变更了保持工作台7上的晶片200的朝向之后，控制单元100在经由输入单元102而接受来自操作者的加工再开始指示时，再次开始加工动作。另外，也可以是在露出判定单元104判定为异常时，控制单元100对磨削装置1的构成要素进行控制，不对保持工作台7上的晶片200进行磨削加工而将晶片200收纳于盒8、9中，将作为未加工的日志显示在显示单元101等而对操作者进行通知。另外，露出判定单元104的功能通过控制单元100的运算处理装置实施存储于存储装置的计算机程序而实现。
(加工动作)
接着，对磨削装置1的加工动作进行说明。图9是示意性示出图1所示的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是剥离面的状态的侧视图。图10是示意性示出图1所示的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是平坦面的状态的侧视图。
上述结构的磨削装置1通过控制单元100对各结构单元进行控制，由此依次对晶片200实施粗磨削加工、精磨削加工而实施将晶片200薄化的加工动作。在第1实施方式中，关于磨削装置1，由操作者将以晶片200的平坦面202朝下、剥离面214朝上的方式收纳有晶片200的盒8、9设置于装置主体2，将加工条件登记于控制单元100，当控制单元100接受来自操作者的加工动作的开始指示时，开始加工动作。
在加工动作中，磨削装置1使各磨削单元3、4的主轴33以加工条件所设定的转速绕轴心旋转，通过搬送臂14-3从盒8中取出一张晶片200并搬出至对位单元10。磨削装置1通过对位单元10进行晶片200的中心对位，通过搬送臂14-1将对位后的晶片200搬入至位于搬入搬出区域301的保持工作台7上。此时，搬入至保持工作台7的晶片200定位于与保持工作台7成为同轴的位置。
在加工动作中，磨削装置1将晶片200吸引保持于搬入搬出区域301的保持工作台7上，使转台6旋转，使在搬入搬出区域301中保持着晶片200的保持工作台7移动至粗磨削区域302。在加工动作中，磨削装置1在使设置于粗磨削区域302的上表面高度检测器15-1的触头151与晶片200的上表面216接触，使另一触头152与保持面71的上表面216接触的状态下，使保持工作台7绕轴心以规定的转速旋转。
磨削装置1使保持工作台7绕轴心以规定的转速旋转，上表面高度检测器15-1的高度测量机构153对晶片200的多个部位的上表面216的高度进行测量，从而对晶片200的上表面216的上表面高度的差进行测量，将测量结果输出至控制单元100。控制单元100的露出判定单元104对上表面高度检测器15-1的高度测量机构153所测量的上表面高度的差是否低于预先设定的阈值进行判定。此时，如图9所示，当晶片200的上表面高度的差不低于阈值时，露出判定单元104判定为上表面216是剥离面214。另外，如图10所示，当晶片200的上表面高度的差低于阈值时，露出判定单元104判定为上表面216是平坦面202。
关于磨削装置1，在控制单元100的露出判定单元104判定为作为上表面高度检测器15-1的高度测量机构153的测量结果的上表面高度的差低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214未向上方露出，控制单元100中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
关于磨削装置1，在控制单元100的露出判定单元104判定为作为上表面高度检测器15-1的高度测量机构153的测量结果的上表面高度的差不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214向上方露出，控制单元100继续进行磨削装置1的加工动作。
在加工动作中，磨削装置1使保持工作台7绕轴心旋转，提供磨削水，同时通过粗磨削单元3对晶片200进行粗磨削加工，使转台6旋转而使保持着粗磨削加工后的晶片200的保持工作台7移动至精磨削区域303。磨削装置1使保持工作台7绕轴心旋转，提供磨削水，同时通过精磨削单元4对晶片200进行精磨削加工，使转台6旋转而使保持着精磨削加工后的晶片200且停止绕轴心的旋转的保持工作台7移动至搬入搬出区域301。
在加工动作中，磨削装置1将精磨削加工后的晶片200从搬入搬出区域301的保持工作台7搬送至清洗单元12，利用清洗单元12进行清洗之后，将晶片200收纳于盒8、9。在加工动作中，磨削装置1每当转台6进行旋转时，将晶片200从保持着精磨削加工后的晶片200的搬入搬出区域301的保持工作台7搬送至清洗单元12，然后将磨削加工前的晶片200搬入至未保持精磨削加工后的晶片200的搬入搬出区域301的保持工作台7。磨削装置1在对盒8、9内的所有晶片200实施粗磨削加工、精磨削加工时，结束加工动作。
如以上所说明的那样，第1实施方式的磨削装置1具有对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的上表面高度(上表面高度的差)这一物理量进行检测的检测单元即上表面高度检测器15-1，因此能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202。其结果是，磨削装置1起到如下的效果：能够将在保持工作台7上保持剥离面214而对晶片200的与剥离面214相反的面即平坦面202进行磨削的可能性抑制得较低。
另外，第1实施方式的磨削装置1通过上表面高度检测器15-1测量晶片200的上表面216的多个部位的上表面高度的差，对所测量的上表面高度的差是否低于预先设定的阈值进行判定，在判定为上表面高度的差低于阈值的情况下，判定为存在异常：剥离面214未向上方露出。这样，磨削装置1利用对晶片200的上表面216的多个部位的上表面高度的差进行测量的上表面高度检测器15-1，判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202，因此能够不增加部件件数而检测到异常。
另外，第1实施方式的磨削装置1在判定为剥离面214未向上方露出的异常的情况下，对操作者进行通知，因此能够采取适当的应对措施。
另外，在本发明中，第1实施方式的磨削装置1也可以在搬入搬出区域301设置上表面高度检测器15-1，对载置在定位于搬入搬出区域301的保持工作台7的晶片200的上表面高度的差进行测量，与第1实施方式同样地，对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的上表面高度(上表面高度的差)这一物理量进行检测。
[第2实施方式]
根据附图，对本发明的第2实施方式的磨削装置进行说明。图11是示意性示出第2实施方式的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是剥离面的状态的侧视图。图12是示意性示出第2实施方式的磨削装置的保持工作台所保持的晶片的上表面是平坦面的状态的侧视图。另外，图11和图12中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
在第2实施方式的磨削装置1中，设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74是能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214的检测单元。换言之，压力计74是对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的吸引路72的压力(负压)这一物理量进行检测的检测单元。
第2实施方式的磨削装置1的控制单元100的露出判定单元104根据设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的检测单元即压力计74的测量结果，判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214。即，露出判定单元104根据检测单元所检测的吸引路72的压力(负压)这一物理量来判定剥离面214的露出状态。
在第2实施方式中，露出判定单元104判定作为压力计74的测量结果的将晶片200吸引于定位在粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71时压力计74所测量的压力(负压)是否低于预先设定的阈值。另外，阈值优选为比保持面71所吸引保持的晶片200的上表面216是剥离面214时的压力(负压)小的值。
当利用保持工作台7的保持面71对晶片200的剥离面214侧进行吸引时，在保持面71与剥离面214之间产生间隙，在吸引路72中流入空气，因此吸引路72的压力不会充分下降。即，吸引路72的负压不会充分增大。由此，在第2实施方式中，露出判定单元104在将晶片200吸引于保持工作台7的保持面71时由压力计74所测量的压力(负压)低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202，即剥离面214未向上方露出。露出判定单元104在将晶片200吸引于保持工作台7的保持面71时由压力计74所测量的压力(负压)不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214，即剥离面214向上方露出。
控制单元100在露出判定单元104判定为正常的情况下，与第1实施方式同样地，继续进行磨削装置1的加工动作。在第2实施方式中，控制单元100在露出判定单元104判定为异常时，中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。这样，在第2实施方式中，控制单元100在根据设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74的测量结果而判定为异常的情况下，与第1实施方式同样地，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
在加工动作中，第2实施方式的磨削装置1通过控制单元100的露出判定单元104对设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74所测量的压力是否低于预先设定的阈值进行判定。此时，如图11所示，当晶片200的上表面216是剥离面214时，露出判定单元104判定为压力计74所测量的压力不低于阈值。另外，如图12所示，当晶片200的上表面216是平坦面202时，露出判定单元104判定为压力计74所测量的压力低于阈值。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74所测量的压力低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214未向上方露出，控制单元100中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74所测量的压力不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214向上方露出，控制单元100继续进行磨削装置1的加工动作。
第2实施方式的磨削装置1具有对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的吸引路72的压力(负压)这一物理量进行检测的检测单元即压力计74，因此能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202。其结果是，磨削装置1起到如下的效果：能够将在保持工作台7上保持剥离面214而对晶片200的与剥离面214相反的面即平坦面202进行磨削的可能性抑制得较低。
另外，第2实施方式的磨削装置1对压力计74所测量的压力(负压)是否低于预先设定的阈值进行判定，在判定为压力(负压)低于阈值的情况下，判定为存在异常：剥离面214未向上方露出。这样，磨削装置1利用为了确认晶片200是否正常地吸引保持于保持工作台7而以往一直使用的对吸引路72的压力进行测量的压力计74，判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202，因此能够不增加部件件数而检测异常。
在剥离面214上具有表面粗糙度为数十μm左右的凹凸215，因此压力计74所测量的压力因剥离面214是否位于保持面71上而容易显著变化。利用这个情况，第2实施方式的磨削装置1中，作为对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的物理量进行检测的检测单元，使用设置于与定位于粗磨削区域302的保持工作台7的保持面71连接的吸引路72的压力计74，因此能够准确地判定剥离面214的露出状态。
[第3实施方式]
根据附图，对本发明的第3实施方式的磨削装置进行说明。图13是示出第3实施方式的磨削装置的结构例的立体图。另外，图13中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
第3实施方式的磨削装置1具有检测单元16，该检测单元16具有：投光部161，其对暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200的剥离面214和平坦面202中的任意面照射光；以及受光部162，其接受投光部161所照射而在晶片200上发生了反射的反射光，该检测单元16将受光部162的受光量(相当于所接受的光的强度)输出至控制单元100。即，投光部161和受光部162构成对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的受光量(所接受的光的强度)这一物理量进行检测的检测单元16。其中，在剥离面214与检测单元16的受光部162对置的情况下，投光部161所照射的光因凹凸215而散射，相比于平坦面202与受光部162对置的情况，受光量降低。利用这一情况，检测单元16将受光部162所接受的受光量输出至控制单元100，由此能够判定在对位单元10中进行了对位的晶片200的上表面216、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214。即，能够判定剥离面214的露出状态。
第3实施方式的磨削装置1的控制单元100的露出判定单元104根据配置于对位单元10的检测单元16的受光部162所接受的受光量，判定此后将晶片200保持于保持工作台7时晶片200的上表面216是平坦面202还是剥离面214。即，露出判定单元104根据检测单元16所检测的受光量这一物理量，对剥离面214的露出状态进行判定。
在第3实施方式中，露出判定单元104对受光部162所接受的受光量是否低于预先设定的阈值进行判定。另外，阈值优选为比利用对位单元10进行了对位的晶片200的上表面216、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214时的受光量小的值。
在第3实施方式中，露出判定单元104在受光部162所接受的受光量低于阈值的情况下，判定投光部161照射了光的晶片200的面(利用对位单元10进行了对位的晶片200的与上表面216相反侧的面)是剥离面214。即，露出判定单元104在受光部162所接受的受光量低于阈值的情况下，判定为利用对位单元10进行了对位的晶片200的上表面216、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202，判定为存在异常：剥离面214未向上方露出。露出判定单元104在受光部162所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为被投光部161照射了光的晶片200的面(利用对位单元10进行了对位的晶片200的与上表面216相反侧的面)是平坦面202。即，露出判定单元104在受光部162所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为利用对位单元10进行了对位的晶片200的上表面216、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214，判定为正常：剥离面214向上方露出。
控制单元100在露出判定单元104判定为正常的情况下，与第1实施方式同样地继续进行磨削装置1的加工动作。在第3实施方式中，控制单元100在露出判定单元104判定为异常时，中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。这样，在第3实施方式中，控制单元100在根据受光部162所接受的受光量而判定为异常的情况下，与第1实施方式同样地，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
在加工动作中，第3实施方式的磨削装置1在晶片200暂放于对位单元10而进行对位时，由检测单元16从投光部161朝向晶片200照射光。在加工动作中，第3实施方式的磨削装置1通过控制单元100的露出判定单元104对在投光部161朝向暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200照射光时受光部162所接受的受光量是否低于预先设定的阈值进行判定。此时，当晶片200的上表面216是剥离面214时，露出判定单元104判定为受光量不低于阈值。另外，当晶片200的上表面216是平坦面202时，露出判定单元104判定为低于受光量。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为在投光部161朝向暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200照射光时受光部162所接受的受光量低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214未向上方露出，控制单元100中断磨削装置1的加工动作，使通知单元103进行动作而对操作者进行通知。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为在投光部161朝向暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200照射光时受光部162所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214向上方露出，控制单元100继续进行磨削装置1的加工动作。
第3实施方式的磨削装置1具有对在暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200即保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214的露出状态的判定中所使用的受光量这一物理量进行检测的检测单元16，因此能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202。其结果是，磨削装置1起到如下的效果：能够将在保持工作台7上保持剥离面214而对晶片200的与剥离面214相反的面即平坦面202进行磨削的可能性抑制得较低。
另外，在本发明中，第3实施方式的磨削装置1也可以在控制单元100的露出判定单元104判定为保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214未向上方露出的异常之后，通过搬送臂14-3将暂放于对位单元10而进行了对位的晶片200的上下的朝向翻转，再次将晶片200暂放于对位单元10而继续进行加工动作。
[第4实施方式]
根据附图，对本发明的第4实施方式的磨削装置进行说明。图14是示出第4实施方式的磨削装置的搬送臂的结构例的立体图。另外，图14中，对与第1实施方式相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。
第4实施方式的磨削装置1具有检测单元17，该检测单元17设置于搬送单元11的搬送臂14的U字型手部115，该检测单元17具有：投光部171，其与作为保持面的正面116所吸引保持的晶片200对置而对晶片200的剥离面214和平坦面202中的任意面照射光；以及受光部172，其接受投光部171所照射而被晶片200反射的反射光，该检测单元17将受光部172的受光量(相当于所接受的光的强度)输出至控制单元100。即，投光部171和受光部172构成对在剥离面214的露出状态的判定中所使用的受光量(所接受的光的强度)这一物理量进行检测的检测单元17。另外，在剥离面214与检测单元17的受光部172对置的情况下，投光部171所照射的光因凹凸215而散射，相比于平坦面202与受光部162对置的情况，受光量降低。利用这一情况，检测单元17将受光部172所接受的受光量输出至控制单元100，由此对搬送单元11的搬送臂14的U字型手部115所保持的晶片200的与投光部171对置的面是否是剥离面进行检测，从而能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是否是平坦面202。即，能够判定剥离面214的露出状态。
第4实施方式的磨削装置1的控制单元100的露出判定单元104根据与搬送臂14的U字型手部115连接的检测单元17的受光部172所接受的受光量而判定与投光部171对置的面是平坦面202还是剥离面214。即，露出判定单元104根据检测单元17所检测的受光量这一物理量而判定剥离面214的露出状态。
在第4实施方式中，露出判定单元104对受光部172所接受的受光量是否低于预先设定的阈值进行判定。另外，阈值优选为比与投光部171对置的晶片200的面是平坦面202、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214时的受光量小的值。
在第4实施方式中，露出判定单元104在受光部172所接受的受光量低于阈值的情况下，判定为投光部171照射光的晶片200的面是剥离面214。即，露出判定单元104在受光部172所接受的受光量低于阈值的情况下，判定为与投光部171对置的晶片200的面是剥离面214，即判定为保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202，从而判定为存在异常：剥离面214未向上方露出。露出判定单元104在受光部172所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为投光部171照射光的晶片200的面是平坦面202。即，露出判定单元104在受光部172所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为与投光部171对置的晶片200的面是平坦面202，即判定为保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214，从而判定为正常：剥离面214向上方露出。
这样，第4实施方式的磨削装置1中，露出判定单元104根据检测单元17的受光部172的受光量即检测单元17的检测结果而判定在将晶片200保持于保持工作台7时剥离面214是否向上方露出。
控制单元100在露出判定单元104判定为正常的情况下，与第1实施方式同样地继续进行磨削装置1的加工动作。在第4实施方式中，控制单元100在露出判定单元104判定为异常时，即判定为在将晶片200保持于保持工作台7时剥离面214未向上方露出的情况下，在将晶片200载置于保持工作台7之前，使搬送臂14的吸引保持着晶片200的U字型手部115旋转180度而使晶片200的上下的朝向翻转，继续进行加工动作。
在加工动作中，第4实施方式的磨削装置1通过检测单元17在搬送单元11的搬送臂14将磨削加工前的晶片200吸引保持于U字型手部115的作为保持面的正面116上时，从投光部171朝向晶片200照射光。在加工动作中，第4实施方式的磨削装置1通过控制单元100的露出判定单元104对在投光部171朝向搬送单元11的搬送臂14的U字型手部115的作为保持面的正面116所吸引保持的磨削加工前的晶片200照射光时受光部172所接受的受光量是否低于预先设定的阈值进行判定。此时，当与投光部171对置的晶片200的面是平坦面202、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214时，露出判定单元104判定为受光量不低于阈值。另外，当与投光部171对置的晶片200的面是剥离面214、即保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是平坦面202时，露出判定单元104判定为受光量低于阈值。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为在投光部171朝向搬送单元11的搬送臂14的U字型手臂115的作为保持面的正面116所吸引保持的磨削加工前的晶片200照射光时受光部172所接受的受光量低于阈值的情况下，判定为存在异常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214未向上方露出。在加工动作中，第4实施方式的磨削装置1在判定为异常时，通过搬送臂14使晶片200的上下的朝向翻转，将晶片200暂放于对位单元10，继续进行加工动作。
磨削装置1在控制单元100的露出判定单元104判定为在投光部171朝向搬送单元11的搬送臂14的U字型手部115的作为保持面的正面116所吸引保持的磨削加工前的晶片200照射光时受光部172所接受的受光量不低于阈值(即为阈值以上)的情况下，判定为正常：保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214向上方露出，控制单元100继续进行磨削装置1的加工动作。
第4实施方式的磨削装置1具有对在搬送单元11的搬送臂14所吸引保持的晶片200即保持工作台7所保持的晶片200的剥离面214的露出状态的判定中所使用的受光量这一物理量进行检测的检测单元17，因此能够判定保持工作台7所保持的晶片200的上表面216是剥离面214还是平坦面202。其结果是，磨削装置1起到如下的效果：能够将在保持工作台7上保持剥离面214而对晶片200的与剥离面214相反的面即平坦面202进行磨削的可能性抑制得较低。
另外，第4实施方式的磨削装置1在搬送单元11的搬送臂14的U字型手部115上设置有检测单元17，因此能够在前续的晶片200的磨削加工中的搬送臂14的待机时间等将晶片200载置于保持工作台7之前的搬送的阶段进行剥离面214的状态的判定。其结果是，第4实施方式的磨削装置1无需进行载置于保持工作台7之后的检测和判定，无需担心占用保持工作台7而使生产率降低。
另外，第4实施方式的磨削装置1在将磨削加工前的晶片200搬送至保持工作台7的中途，能够使晶片200翻转而按照剥离面214向上方露出的方式将晶片200载置于保持工作台7。其结果是，第4实施方式的磨削装置1不对判定为异常的晶片200进行加工而是使晶片200返回至盒8、9中，从而不再需要由操作者切换上下而进行再设置的工序和每当判定为异常时由操作者手动地使晶片200的上下的朝向翻转等的工序。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。另外，本发明的磨削装置1中，作为上表面高度检测器15-1，可以采用非接触式的高度检测器，其对晶片200的上表面216照射光，接受来自晶片200的上表面216的反射光，由此测量晶片的上表面高度。

Claims (7)

1.一种磨削装置，其对通过从锭剥离而生成的晶片的具有凹凸的剥离面进行磨削，其中，
该磨削装置包含：
保持工作台，其对该晶片进行保持；
磨削单元，其对该保持工作台所保持的该晶片的露出的面进行磨削；
检测单元，其对在该剥离面的露出状态的判定中所使用的物理量进行检测；以及
控制单元，其具有根据该检测单元所检测的物理量而判定该剥离面的露出状态的露出判定单元。
2.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该检测单元具有对该保持工作台所保持的晶片的上表面高度进行测量的上表面高度检测器，
该露出判定单元在利用该上表面高度检测器对多个部位进行测量而得到的该多个部位的该上表面高度的差低于阈值的情况下，判定为存在该剥离面未露出的异常。
3.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该检测单元具有对利用该保持工作台的保持面来吸引晶片时的吸引路的负压进行测量的压力计，
该露出判定单元在吸引了晶片时由该压力计测量的负压低于阈值的情况下，判定为存在该剥离面未露出的异常。
4.根据权利要求2或3所述的磨削装置，其中，
该控制单元在通过该露出判定单元判定为存在异常的情况下，将这一情况通知给操作者。
5.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该磨削装置还包含暂放该晶片的对位单元，
该检测单元具有：
投光部，其对暂放于该对位单元的晶片的任意的面照射光；以及
受光部，其接受被该晶片反射的反射光，
该露出判定单元在该受光部所接受的光量低于阈值的情况下，判定为被该投光部照射了光的面是该剥离面，并且根据该判定的结果来判定在将该晶片保持于该保持工作台时该剥离面是否露出。
6.根据权利要求1所述的磨削装置，其中，
该磨削装置还包含：
盒设置台，其设置能够收纳多个该晶片的盒；以及
搬送单元，其包含一个以上的搬送臂，该搬送臂将该晶片从该盒中搬送至该保持工作台上，
该检测单元具有：
投光部，其设置于该搬送单元，对该晶片的任意的面照射光；以及
受光部，其设置于该搬送单元，接受被该晶片反射的反射光，
该露出判定单元在该受光部所接受的光量低于阈值的情况下，判定为被该投光部照射了光的面是该剥离面，并且根据该判定的结果来判定在将该晶片保持于该保持工作台时该剥离面是否露出。
7.根据权利要求6所述的磨削装置，其中，
该搬送臂具有：
保持面，其对该晶片进行保持；
臂部，其与该保持面连接；以及
驱动部，其设置于该臂部，能够使该保持面的朝向翻转，
该控制单元在该露出判定单元判定为该剥离面未露出的情况下，在将晶片载置于该保持工作台之前，使该保持面的朝向翻转。
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