JP5991890B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents

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本発明は、外周縁に面取り部を有するウエーハの面取り部を切削ブレードで除去するウエーハの加工方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、シリコンや化合物半導体からなるウエーハの表面にストリートと呼ばれる格子状の分割予定ラインが形成され、分割予定ラインによって区画された各領域にICやLSI等のデバイスが形成される。
これらのウエーハは裏面が研削・研磨されて所定の厚みへと薄化された後、切削装置でストリートに沿って切削され、個々のチップへと分割されることで半導体デバイスが製造される。このようにして製造された半導体デバイスは、携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
ウエーハの外周縁には表面から裏面に至る円弧面から成る面取り部が形成されている。従って、ウエーハの裏面を研削してウエーハを薄化すると、円弧面と研削面とによって形成されたナイフエッジが残存して危険であるとともに、外周縁に欠けが生じてデバイスの品質を低下させてしまう。
そこで、ウエーハの裏面を研削する前に切削ブレードでウエーハの面取り部を除去する外周加工方法、所謂エッジトリミング加工が開発された(特許文献1参照)。外周縁は、例えば0.5〜3mmの厚みを有する切削ブレードで円形加工が施されることにより除去される。
そして、外周縁が除去されたウエーハは、研削装置で裏面が研削された後、例えば約30μmの厚みを有する切削ブレードでストリートに沿って切削され個々のチップに分割される。
特開2000−173961号公報
エッジトリミング加工では、ウエーハの裏面側がチャックテーブル保持面に接して載置される事が多い。よって、切削屑などの異物が何らかの原因でチャックテーブルの保持面に付着し、その上にウエーハが載置されてしまうと、ウエーハの吸引が不安定になってウエーハがばたつき、切削加工をするとウエーハのエッジ欠けを招いてしまう場合がある。
また、エッジトリミングするウエーハの高さにばらつきが存在した場合、高い部分は深く切り込まれ、低い部分は浅く切り込まれる。所定の切り込み深さに足りない場合、研削によってナイフエッジが形成され、一方切り込みが深すぎる場合、切削ブレードの消耗(偏摩耗)が促進されるため、所定の切り込み深さにできるだけ近い加工を外周縁全周に渡って実施する事が望まれる。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、所定の切り込み深さにできるだけ近い加工を外周縁全周に渡って実施することが可能なウエーハの加工方法を提供することを目的とする。
本発明によると、円形のウエーハを保持面で保持し該保持面と直交する回転軸で回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウエーハを切削する切削ブレードを有する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウエーハの表面高さを検出する高さ検出手段と、を備えた切削装置を用いて該ウエーハの外周縁を切削して除去するウエーハの加工方法であって、該チャックテーブルの該保持面に該ウエーハを載置して保持するウエーハ保持ステップと、該チャックテーブルに保持された該ウエーハの外周縁の表面高さを該高さ検出手段を用いて複数箇所で検出し、該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差を割り出す割り出しステップと、該割り出しステップで割り出した、該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が所定の許容範囲内であるかを判定する判定ステップと、該判定ステップにおいて該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が該所定の許容範囲内であると判定された場合、回転する該切削ブレードを該ウエーハの上方から切り込み送り方向に下降させて該チャックテーブルに保持された該ウエーハの外周縁に所定深さ切り込ませつつ、該チャックテーブルを回転させて該ウエーハの外周縁を切削して除去する切削加工ステップと、該判定ステップにおいて該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が該所定の許容範囲外であると判定された場合、該切削装置が警告信号を発する警告ステップと、を備え、該切削加工ステップでは、該割り出しステップで検出された該複数箇所での該ウエーハの外周縁の表面高さを基に、該チャックテーブルの回転と該切削手段の切り込み送り方向位置を制御して一定の切り込み深さで該ウエーハの外周縁を切削して除去することを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
本願発明のウエーハの加工方法では、平坦な保持面を有するチャックテーブルで保持したウエーハの外周縁の表面高さを複数箇所測定する。表面高さの最大値と最小値の差が所定の許容範囲を超えた場合は何らかの大きな異物の挟み込み等の発生と考えられるため、警告信号を発してオペレータに知らせ、オペレータはチャックテーブルの保持面を洗浄する等の処置を取ることができる。
また、表面高さの最大値と最小値の差が所定の許容範囲内であった場合は、異物の挟み込みがないか又は加工続行可能と判断される程度の小さな異物の挟み込み等であるため加工を続行し、その際測定した箇所における表面高さに追従して切削ブレードの切り込み深さを変更して調整する。
これにより、外周縁全周に渡って一定の切り込み深さでエッジトリミング加工を実施することが可能となる。また、表面高さの最大値と最小値の差から異物の存在の有無も検出できる。
切削装置の斜視図である。 ウエーハの表面側斜視図である。 ウエーハ保持ステップを説明する一部断面側面図である。 割り出しステップを説明する平面図である。 図4のV−V線に沿った一部断面側面図である。 図6(A)は、切削加工ステップを説明する一部断面側面図、図6(B)は、切削加工ステップを説明する平面図である。 ウエーハの表面高さに追従する切り込み深さの変化を示す図である。
以下、本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。図1を参照すると、切削装置2の斜視図が示されている。切削装置2はフェイシングデュアルタイプの切削装置である。
切削装置2はチャックテーブル4において被加工物を吸引保持し、チャックテーブル4が切削送り方向(X軸方向)に往復移動しながら、割り出し送り方向(Y軸方向)及び切り込み送り方向(Z軸方向)に移動する第1の切削手段6及び第2の切削手段8の作用により被加工物が切削される構成となっている。第1の切削手段6及び第2の切削手段8には切削ブレード70が装着されている。
例えば、ウエーハ56をダイシングする場合は、図1に示すように、ダイシングテープTを介して環状フレームFに支持されたウエーハ56が、チャックテーブル4に載置されて吸引保持される。
チャックテーブル4は切削送り手段10によってX軸方向に移動可能となっており、第1の切削手段6と一体に形成された第1カメラ(第1の撮像手段)13を有する第1のアライメント手段12及び第2の切削手段8と一体に形成された第2カメラ(第2の撮像手段)15を有する第2のアライメント手段14によって、チャックテーブル4に吸引保持されたウエーハ56の切削すべき領域であるストリートが検出され、そのストリートと切削ブレードとのY軸方向の位置合わせがなされた後に、切削が行われる。
切削送り手段10は、X軸方向に配設された一対のX軸ガイドレール16と、X軸ガイドレール16に摺動可能に支持されたX軸移動基台18と、X軸移動基台18に形成されたナット部(図示せず)に螺合するX軸ボールねじ20と、X軸ボールねじ20を回転駆動するX軸パルスモータ22とから構成される。
チャックテーブル4を回転可能に支持する支持基台24はX軸移動基台18に固定されており、X軸パルスモータ22に駆動されてX軸ボールねじ20が回転することによって、チャックテーブル4がX軸方向に移動される。
一方、第1の切削手段6及び第2の切削手段8は、ガイド手段26によってY軸方向に割り出し送り可能に支持されている。ガイド手段26は、チャックテーブル4の移動を妨げないようにX軸に直交するY軸方向に配設される垂直コラム28と、垂直コラム28の側面においてY軸方向に配設された一対のY軸ガイドレール30と、Y軸ガイドレール30と平行に配設された第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34と、第1のボールねじ32に連結された第1のY軸パルスモータ36と、第2のボールねじ34に連結された第2のY軸パルスモータ38とから構成される。
Y軸ガイドレール30は、第1の支持部材40及び第2の支持部材42をY軸方向に摺動可能に支持しており、第1の支持部材40及び第2の支持部材42に備えたナット(図示せず)が第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34にそれぞれ螺合している。
第1のY軸パルスモータ36および第2のY軸パルスモータ38に駆動されて第1のボールねじ32及び第2のボールねじ34がそれぞれ回転することにより、第1の支持部材40及び第2の支持部材42がそれぞれ独立してY軸方向に移動される。
第1の支持部材40及び第2の支持部材42のY軸方向の位置はリニアスケール44によって計測され、Y軸方向の位置の精密制御に供される。なお、リニアスケールを各支持部材毎に別個に設けることも可能ではあるが、一本のリニアスケール44で第1の支持部材40及び第2の支持部材42の双方の位置を計測する方が、両者の間隔を精密に制御することができる。
第1の支持部材40には、第1の切削手段6が取り付けられた第1の移動部材46が上下方向(Z軸方向)に摺動可能に取り付けられており、第1のZ軸パルスモータ48を駆動すると、第1の移動部材46がZ軸方向に移動される。
同様に、第2の支持部材42には、第2の切削手段8が取り付けられた第2の移動部材50が上下方向(Z軸方向)に摺動可能に取り付けられており、第2のZ軸パルスモータ52を駆動することにより、第2の移動部材50がZ軸方向に移動される。
高さ検出手段17は、第1の撮像手段13に隣接して設けられている。高さ検出手段17は、ウエーハ56の表面高さHを検出する。高さ検出手段17として、公知のレーザー検出器(特開2005−297012号公報参照)、公知の背圧式センサ(特開2001−298003号公報参照)、焦点を合わせて高さを測定する公知の顕微鏡及び公知のタッチセンサー等を用いることができる。
警告灯29が、垂直コラム28の上に設けられている。警告灯29は、ウエーハ56とチャックテーブル4の間に所定の大きさを超える異物66(図3参照)が侵入した場合、警告信号を通知する。警告灯29及び前述した高さ検出手段17は制御手段54により制御されている。
図2を参照すると、ウエーハ56の表面側斜視図が示されている。切削装置2の切削対象であるウエーハ56は、図2に示すように、表面56aに複数のストリート58(分割予定ライン)が格子状に形成されているとともに、複数のストリート58によって区画された各領域にIC、LSI等のデバイス60が形成されている。
このように構成されたウエーハ56は、デバイス60が形成されているデバイス領域62と、デバイス領域62を囲繞する外周余剰領域64をその表面56aの平担部に備えている。ウエーハ56の外周縁56eには円弧状の面取り部56cが形成されている。
図3を参照すると、ウエーハ保持ステップを説明する一部断面側面図が示されている。図3を用いて、ウエーハ保持ステップを説明する。ウエーハ56をチャックテーブル4の保持面4aに載置し、チャックテーブル4に接続されている吸引源5を作動させ、ウエーハ56をチャックテーブル4に吸引保持する。チャックテーブル4の保持面4aに異物66が存在するため、チャックテーブル4とウエーハ56の間に異物66が侵入している。
図4及び図5を参照すると、割り出しステップを説明する平面図及び図4のV−V線に沿った一部断面側面図がそれぞれ示されている。図4及び図5を用いて、ウエーハ56の表面高さHの最大値と最小値の差を割り出す割り出しステップを説明する。
この割り出しステップでは、ウエーハ56を保持したチャックテーブル4を回転させ、高さ検出手段17を用いて複数の高さ検出箇所68におけるウエーハ56の表面高さHを検出する。高さ検出手段17は、ウエーハ56の外周縁56eの上方に設けられている。
本実施形態では、高さ検出手段17をウエーハ56の外周縁56eの上方に位置付け、チャックテーブル4を回転してウエーハ56の表面高さHを検出する。チャックテーブル4を回転させ、異物66が点Aの位置に来た場合、表面高さHの最大値が検出される。一方、異物66が点A’の位置に来た場合、表面高さHの最小値が検出される。
次に、判定ステップでは、ウエーハ56の表面高さHの最大値と最小値の差が所定の許容範囲内であるかを判定する。ウエーハ56の表面高さHの最大値と最小値の差が許容範囲内である場合、以下で説明する切削加工ステップを実施する。
図6(A)及び(B)を参照すると、切削加工ステップを説明する一部断面側面図及び切削加工ステップを説明する平面図がそれぞれ示されている。図6(A)及び(B)を用いて、切削加工ステップを説明する。
第1の切削手段6に設けられた切削ブレード70を回転させながら、第1の切削手段6をウエーハ56の上方から切り込み送り方向に下降させ、チャックテーブル4に保持されたウエーハ56の外周縁56eに所定深さ切り込ませる。
チャックテーブル4を低速で回転させて、ウエーハ56の外周縁56eを切削して面取り部56cを部分的に除去する。この際、一定の切り込み深さDでウエーハ56の外周縁56eを切削して面取り部56cを除去するように、前述した割り出しステップで検出された複数箇所でのウエーハ56の外周縁56eの表面高さHを基に、チャックテーブル4の回転と第1の切削手段6の切り込み送り方向位置を制御する。以下、制御のしくみを具体的に説明する。
図7を参照すると、ウエーハ56の表面高さHに追従する切り込み深さDの変化を示す図が示されている。図7に示すように、ウエーハ56の外周縁56eの表面高さHは高さ検出箇所68ごとに変化している。よって、ウエーハ56の外周縁56eの表面高さHに追従して、切り込み深さDも変化させる。
すなわち、ウエーハ56の表面高さHが高い場合、切り込み深さDも高くする。ウエーハ56の表面高さHが低い場合、切り込み深さDも低くする。これにより、切り込み深さDを一定にすることができる。
なお、第1の切削手段6により、ウエーハ56の外周縁56eを切削して面取り部56cを部分的に除去する場合を説明したが、第2の切削手段8を用いても同様に、ウエーハ56の外周縁56eを切削して面取り部56cを部分的に除去することができる。
一方、ウエーハ56の表面高さHの最大値と最小値の差が許容範囲外である場合、以下で説明する警告ステップを実施する。例えば、警告灯29を作動して赤色で点滅させることにより、切削装置2が外部に警告信号を発する。この警告に応じて、オペレータがチャックテーブル4の保持面4aを洗浄する等の処置を取ることにより、チャックテーブル4の保持面4aに存在する異物66を除去できる。
以上説明したように、本願発明のウエーハ56の加工方法では、外周縁56e全周に渡って一定の切り込み深さDでエッジトリミング加工を実施することが可能となる。また、表面高さHの最大値と最小値の差から異物66の存在の有無も検出できる。
なお、代替実施形態として、ウエーハ56の表面高さHにばらつきがほとんど無い場合、チャックテーブル4の保持面4aの高さを予め測定することにより異物66の存在の有無及び異物66の高さを検出する事も可能である。
以上の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以上に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以上に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
2 切削装置
4 チャックテーブル
4a 保持面
17 高さ検出手段
56 ウエーハ
56c 面取り部
56e 外周縁
66 異物
68 高さ検出箇所
70 切削ブレード
F 環状フレーム
T ダイシングテープ
H 表面高さ
D 切り込み深さ

Claims (1)

  1. 円形のウエーハを保持面で保持し該保持面と直交する回転軸で回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された該ウエーハを切削する切削ブレードを有する切削手段と、該チャックテーブルに保持された該ウエーハの表面高さを検出する高さ検出手段と、を備えた切削装置を用いて該ウエーハの外周縁を切削して除去するウエーハの加工方法であって、
    該チャックテーブルの該保持面に該ウエーハを載置して保持するウエーハ保持ステップと、該チャックテーブルに保持された該ウエーハの外周縁の表面高さを該高さ検出手段を用いて複数箇所で検出し、該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差を割り出す割り出しステップと、
    該割り出しステップで割り出した、該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が所定の許容範囲内であるかを判定する判定ステップと、
    該判定ステップにおいて該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が該所定の許容範囲内であると判定された場合、回転する該切削ブレードを該ウエーハの上方から切り込み送り方向に下降させて該チャックテーブルに保持された該ウエーハの外周縁に所定深さ切り込ませつつ、該チャックテーブルを回転させて該ウエーハの外周縁を切削して除去する切削加工ステップと、
    該判定ステップにおいて該ウエーハの表面高さの最大値と最小値の差が該所定の許容範囲外であると判定された場合、該切削装置が警告信号を発する警告ステップと、を備え、
    該切削加工ステップでは、該割り出しステップで検出された該複数箇所での該ウエーハの外周縁の表面高さを基に、該チャックテーブルの回転と該切削手段の切り込み送り方向位置を制御して一定の切り込み深さで該ウエーハの外周縁を切削して除去することを特徴とするウエーハの加工方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109382920A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 株式会社迪思科 切削装置和晶片的加工方法
KR20200030450A (ko) 2018-09-12 2020-03-20 가부시기가이샤 디스코 에지 트리밍 장치
KR20200035341A (ko) 2018-09-26 2020-04-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 외주 가장자리 상면 높이 측정 장치

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018114580A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法及び切削装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168655A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP4464668B2 (ja) * 2003-12-03 2010-05-19 株式会社ディスコ ダイシング方法,及びダイシング装置
JP4615225B2 (ja) * 2004-01-09 2011-01-19 株式会社ディスコ 板状物に形成された電極の加工装置,板状物に形成された電極の加工方法,及び板状物に形成された電極の加工装置のチャックテーブルの平面度測定方法
JP5187505B2 (ja) * 2008-04-07 2013-04-24 株式会社東京精密 ダイシング方法
JP5349982B2 (ja) * 2009-01-14 2013-11-20 株式会社ディスコ サブストレート付きウエーハの加工方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109382920A (zh) * 2017-08-09 2019-02-26 株式会社迪思科 切削装置和晶片的加工方法
CN109382920B (zh) * 2017-08-09 2022-02-18 株式会社迪思科 切削装置和晶片的加工方法
KR20200030450A (ko) 2018-09-12 2020-03-20 가부시기가이샤 디스코 에지 트리밍 장치
KR20200035341A (ko) 2018-09-26 2020-04-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 외주 가장자리 상면 높이 측정 장치

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