JP5886538B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 57
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 16
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000007888 film coating Substances 0.000 claims description 8
- 238000009501 film coating Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 3
- 238000003331 infrared imaging Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Description
域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを個々のデバ
イスに分割するウェーハの加工方法に関するもので、以下の各工程を含む。
(1)ウェーハの表面に保護部材を貼着して保護部材側を研削装置のチャックテーブルに
保持する保持工程、
(2)ウェーハの裏面のうちデバイス領域の裏側に相当する部分を研削砥石により研削し
て凹部を形成するとともに、凹部の外周側に外周余剰領域を含むリング状補強部を形成す
る裏面研削工程、
(3)ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程、
(4)ウェーハの表面にダイシングテープを貼着するとともにウェーハを収容する開口部
を有するフレームにダイシングテープの周縁部を貼着してダイシングテープを介してウェ
ーハをフレームで支持し、フレームで支持されたウェーハのダイシングテープ側を切削装
置の保持テーブルに保持し、金属膜が被覆されたリング状補強部を切削ブレードにより切削し、ウェーハ表面に形成されたアライメントマークが存在する位置に対応する該リング状補強部上の位置にウェーハの分割加工時に形成される溝より太い溝を形成して金属膜を除去する溝形成工程、
(5)赤外線カメラを備えた撮像手段によって溝を撮像して表面に形成された分割予定ラ
インを検出するアライメント工程、
(6)検出された分割予定ラインを切削ブレードによって切削して個々のデバイスに分割
する分割工程。
図1及び図2に示すように、ウェーハ1の表面1aに保護部材2を貼着する。保護部材2としては、例えば粘着テープ、PET(ポリエチレンテレフタレート)からなる硬質基板等を使用することができる。
裏面1bが露出した状態でウェーハ1がチャックテーブル30に保持されると、チャックテーブル30を回転させるとともに、駆動部313が回転軸310を回転させながら研削手段31が降下することにより、円軌道を描いて回転する研削砥石312をウェーハ1の裏面1bに接触させる。
裏面研削工程終了後、ウェーハ1の裏面1bに、各デバイスの電極となる金属膜を被覆する。金属膜の被覆には、例えば図5に示す減圧成膜装置4を用いることができる。この減圧成膜装置4においては、チャンバー40の内部に静電式にてウェーハWを保持する保持部41を備えており、その上方の対向する位置には、金属からなるスパッタ源42が励磁部材43に支持された状態で配設されている。このスパッタ源42には、高周波電源44が連結されている。また、チャンバー40の一方の側部には、スパッタガスを導入する導入口45が設けられ、他方の側部には減圧源に連通する減圧口46が設けられている。
金属膜被膜工程の後、保護部材2をウェーハ1の表面1aから剥離し、図7に示すように、ウェーハ1の表面1aにダイシングテープ50を貼着する。ダイシングテープ50の周縁部には、ウェーハ1を収容するための開口部51aを有するリング状のフレーム51が貼着され、ウェーハ1がダイシングテープ50を介してフレーム51で支持される。
溝7a、7bの形成後、図12に示すように、赤外線カメラ620の直下に溝7a、7bが位置するようにウェーハ1を移動させる。そして、溝7a(7b)を赤外線撮像し、撮像手段62がアライメントマーク110を検出する。図1に示したように、アライメントマーク110は分割予定ライン101の延長線上に形成されているため、アライメントマーク110の検出を通じて間接的に分割予定ライン101を検出することができる。そして、分割予定ライン101と切削ブレード612のY軸方向の位置を合わせる。
アライメント工程の後、図13に示すように、ウェーハ1をX軸方向に送りながら、検出したアライメントマーク110の延長線上にある分割予定ライン101に高速回転する切削ブレード612を切り込ませる。1本の分割予定ラインを切削した後は、隣り合う分割予定ラインの間隔ずつ切削ブレード612をY軸方向に割り出し送りしながら順次切削を行うことにより、同方向の分割予定ライン101がすべて切削され、切削溝8が形成される。また、保持テーブル60を90度回転させてから同様の切削を行うと、すべての分割予定ライン101が切削されて個々のデバイス100に分割される。
1a:表面
10:デバイス領域 100:デバイス 101:分割予定ライン
11:外周余剰領域 110:アライメントマーク
1b:裏面
120:ノッチ
12:凹部 13:リング状補強部 14:金属膜
2:保護部材
3:研削装置
30:チャックテーブル
31:研削手段
310:回転軸 311:ホイール 312:研削砥石 313:駆動部
4:減圧成膜装置
40:チャンバー 41:保持部 42:スパッタ源 43:励磁部材
44:高周波電源 45:導入口 46:減圧口
50:ダイシングテープ 51:フレーム
6:切削装置
60:保持テーブル
61:切削手段
610:ハウジング 611:スピンドル 612:切削ブレード
613:ナット 614:切削水ノズル
62:撮像手段 620:赤外線カメラ
7a、7b:溝8:切削溝
Claims (1)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されて形成されたデバイス領域と、該デ
バイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハを個々のデバイスに分
割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面に保護部材を貼着して該保護部材側を研削装置のチャックテーブルに保
持する保持工程と、
該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域の裏側に相当する部分を研削砥石により研削し
て凹部を形成するとともに、該凹部の外周側に該外周余剰領域を含むリング状補強部を形
成する裏面研削工程と、
該ウェーハの裏面に金属膜を被覆する金属膜被覆工程と、
該ウェーハの表面にダイシングテープを貼着するとともに該ウェーハを収容する開口部
を有するフレームに該ダイシングテープの周縁部を貼着して該ダイシングテープを介して
該ウェーハを該フレームで支持し、該フレームで支持されたウェーハの該ダイシングテー
プ側を切削装置の保持テーブルに保持し、該金属膜が被覆されたリング状補強部を切削ブレードにより切削し、ウェーハ表面に形成されたアライメントマークが存在する位置に対応する該リング状補強部上の位置にウェーハの分割加工時に形成される溝より太い溝を形成して金属膜を除去する溝形成工程と、
赤外線カメラを備えた撮像手段によって該溝を撮像して表面に形成された分割予定ライ
ンを検出するアライメント工程と、
検出された分割予定ラインを切削ブレードによって切削して個々のデバイスに分割する
分割工程と、
を含むウェーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091887A JP5886538B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | ウェーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091887A JP5886538B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | ウェーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012227251A JP2012227251A (ja) | 2012-11-15 |
JP5886538B2 true JP5886538B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=47277114
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011091887A Active JP5886538B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | ウェーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5886538B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6121225B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-04-26 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
DE102015108901A1 (de) * | 2015-06-05 | 2016-12-08 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Ausrichten von Substraten vor dem Bonden |
JP6716403B2 (ja) * | 2016-09-09 | 2020-07-01 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
JP6961289B2 (ja) * | 2016-11-08 | 2021-11-05 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6847529B2 (ja) * | 2017-06-15 | 2021-03-24 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削方法 |
JP2023119304A (ja) | 2022-02-16 | 2023-08-28 | 株式会社ディスコ | 基板の加工方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4749849B2 (ja) * | 2005-11-28 | 2011-08-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの分割方法 |
JP5168920B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2013-03-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法およびマーキング装置 |
JP2008187153A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Toyota Motor Corp | 複数個の半導体装置を製造する方法 |
JP5356890B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2013-12-04 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
-
2011
- 2011-04-18 JP JP2011091887A patent/JP5886538B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012227251A (ja) | 2012-11-15 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140325 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150306 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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