JPH08181197A - 半導体装置の製造方法およびそれに用いるウエハマウンタ - Google Patents

半導体装置の製造方法およびそれに用いるウエハマウンタ

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JPH08181197A
JPH08181197A JP32438094A JP32438094A JPH08181197A JP H08181197 A JPH08181197 A JP H08181197A JP 32438094 A JP32438094 A JP 32438094A JP 32438094 A JP32438094 A JP 32438094A JP H08181197 A JPH08181197 A JP H08181197A
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tape
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Yoshiyuki Abe
由之 阿部
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 製造歩留りの向上ができる半導体装置の製造
方法および製造時間を短縮できると共に製造コストも低
減できるウエハマウンタを提供する。 【構成】 半導体装置の構成要素である素子が形成され
ているウエハにおける各ペレットの電気的特性をウエハ
プローバを用いて検査する工程(102)と、その後に
ウエハの表面に形成されている素子を保護するための保
護テープをウエハの表面に貼り付ける工程(103)
と、保護テープが貼り付けられているウエハの裏面を研
削する工程(104)と、その後に保護テープが貼り付
けられているウエハの裏面にダイシングテープを貼り付
ける工程(105)と、ウエハが貼り付けられているダ
イシングテープにおけるウエハの周辺にダイシングテー
プを保持するための保持治具を貼り付ける工程とを有す
るものとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
およびそれに用いるウエハマウンタに関し、特に、厚さ
が薄くしかも面積の大きいウエハを使用する半導体集積
回路装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】現状の半導体集積回路装置は、例えばシ
リコン単結晶などからなる半導体基板の略円板状のウエ
ハを用いた製造工程により製作されている。
【0003】この場合、半導体集積回路装置の生産性の
向上のためにウエハの面積を大きくし、直径が例えば2
00mmのウエハを使用することが検討されており、さ
らに大面積のウエハを使用することも検討されている。
【0004】本発明者が検討した半導体集積回路装置の
製造工程について記載すると次の通りである。
【0005】すなわち、例えばMOSFET(Metal Ox
ide Semiconductor Field Effect Transistor)などの素
子を形成したウエハにおける裏面は素子形成時に形成さ
れた酸化シリコン膜を取り除くと共に、例えば650μ
m〜750μmのウエハの厚さを例えば250μmのウ
エハの厚さに薄くするために、ウエハの裏面を研削す
る。
【0006】この研削工程において、ウエハの素子形成
面にはウエハの表面の保護のために片面に粘着性のある
保護テープを貼り付けている。この研削工程は、冷却水
として純水を供給しながら、砥石でウエハの裏面を削り
取ることにより行なわれている。
【0007】次に、ウエハの裏面の研削を終了したウエ
ハに貼り付けられた保護テープを剥がし、ウエハをウエ
ハカセットに収納し、ウエハプローブ検査工程に搬送す
る。
【0008】次に、ウエハプローブ検査を行う。このウ
エハプローブ検査工程では、ウエハをウエハカセットか
ら取り出し、プローブをウエハの表面に形成した電極に
あてることにより、素子の電気的特性を検査し、不良ペ
レットに印をつけた後、再びウエハカセットに収納した
後、それをペレット分離工程に搬送する。
【0009】次に、ペレット分離を行う。このペレット
分離工程では、ウエハをウエハカセットから取り出し、
粘着性および伸展性を有するダイシングテープをウエハ
の裏面に貼り付けた状態により、ダイシングおよびブレ
ーキングを行なった後、ダイシングテープからペレット
を分離する。
【0010】その後、ペレットボンディング工程、ワイ
ヤボンディング工程、封止工程およびマーキング工程な
どを行ない半導体集積回路装置を製作する。
【0011】なお、ウエハの素子形成面への保護テープ
の貼り付けは、テープ貼り付け装置により行なってい
る。テープ貼り付け装置は、試料台の上に保護テープを
貼り付ける面が上になるようにウエハを乗せ、ウエハの
素子形成面に保護テープをローラで圧着し、保護テープ
をカッタでウエハの形状に合わせて切断することによ
り、保護テープをウエハに貼り付ける装置である。
【0012】また、ウエハの素子形成面に貼り付けた保
護テープの剥離は、テープ剥離装置により行なってい
る。テープ剥離装置は、保護テープが上になるようにウ
エハを試料台に乗せ、保護テープよりも粘着力の強い剥
離用テープを保護テープにローラで貼り付けると共に、
引き剥がすことにより保護テープをウエハから剥離する
装置である。
【0013】なお、半導体集積回路装置の製造工程にお
ける組立工程について記載されている文献としては、例
えば日刊工業新聞社発行「半導体製造装置用語辞典−第
2版−」(1991年9月28日発行)p8に記載され
ているものがある。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した半
導体集積回路装置の製造方法を検討した結果、以下に記
載する問題点があることを、本発明者が見い出した。
【0015】すなわち、前述した半導体集積回路装置の
製造工程において、ウエハの裏面研削後のウエハはウエ
ハカセットに収納された状態により、各製造工程間に搬
送される。この時、ウエハの厚さが250μmであるの
に対し、ウエハの直径が200mmである。したがっ
て、ウエハは厚さが薄く面積が大きいことにより、ウエ
ハの強度が弱くなっているので、ウエハは非常に割れや
すい状態にある。このため、ウエハの搬送中の振動、衝
撃、各製造工程でのウエハカセットからの取り出しおよ
び収納などにより、ウエハが割れる場合があるという問
題点が発生する。
【0016】しかも、割れたウエハはウエハカセットに
収納することができなくなることにより、後の製造工程
にウエハを流すことができなくなるので、半導体集積回
路装置の製造歩留りが低下するという問題点が発生す
る。
【0017】本発明の目的は、製造歩留りの向上ができ
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【0018】本発明の他の目的は、半導体装置の製造方
法に用いるウエハマウンタにおいて、製造時間を短縮で
きると共に製造コストも低減できるウエハマウンタを提
供することにある。
【0019】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明において開示され
る発明のうち、代表的なものの概要を説明すれば、以下
の通りである。
【0021】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体
装置の構成要素である素子が形成されているウエハにお
ける各ペレットの電気的特性をウエハプローバを用いて
検査する工程と、その後にウエハの表面に形成されてい
る素子を保護するための保護テープをウエハの表面に貼
り付ける工程と、保護テープが貼り付けられているウエ
ハの裏面を研削する工程と、その後に保護テープが貼り
付けられているウエハの裏面にダイシングテープを貼り
付ける工程と、ウエハが貼り付けられているダイシング
テープにおけるウエハの周辺にダイシングテープを保持
するための保持治具を貼り付ける工程とを有するものと
する。
【0022】
【作用】
(1)前述した本発明の半導体装置の製造方法によれ
ば、ウエハにおける各ペレットの電気的特性をウエハプ
ローバを用いて検査する工程の後に、ウエハの表面に形
成されている素子を保護するための保護テープをウエハ
の表面に貼り付け、保護テープが貼り付けられているウ
エハの裏面を研削していることにより、ウエハの研削前
の厚さの大きい状態でウエハプローバを用いて電気的特
性の検査を行うことができるので、厚さの大きい状態で
ウエハの搬送などの取扱いができるために、形状が大き
く面積の大きいウエハであってもウエハの割れがなくな
りウエハの割れによる不良がなくなるので製造歩留まり
を高めることができる。
【0023】(2)前述した本発明の半導体装置の製造
方法によれば、ウエハにおける各ペレットの電気的特性
をウエハプローバを用いて検査する工程の後に、ウエハ
の表面に形成されている素子を保護するための保護テー
プをウエハの表面に貼り付け、保護テープが貼り付けら
れているウエハの裏面を研削し、その後に保護テープが
貼り付けられているウエハの裏面にダイシングテープを
貼り付ける工程とダイシングテープにおけるウエハの周
辺にダイシングテープを保持するための保持治具を貼り
付ける工程とを行うものであることにより、研削後のウ
エハの厚さが小さい状態であっても保護テープによりウ
エハの強度を補強した状態でウエハの裏面にダイシング
テープを貼り付ける工程とダイシングテープにおけるウ
エハの周辺にダイシングテープを保持するための保持治
具を貼り付ける工程とを行うことができる。
【0024】そのため、ダイシングテープをウエハに貼
り付けた後に保護テープをウエハから剥離したとして
も、ダイシングテープによってウエハが固定されている
状態となるために、ウエハの強度が高い状態をもってウ
エハの搬送などの取扱いができるので、厚さが薄くて形
状が大きく面積の大きいウエハであってもウエハの割れ
がなくなりウエハの割れによる不良がなくなるので製造
歩留まりを高めることができる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、実施例を説明するための全図におい
て同一機能を有するものは同一の符号を付し、重複説明
は省略する。
【0026】(実施例1)図1は、本発明の一実施例で
ある半導体集積回路装置の製造工程を示す工程フロー図
である。また、図2〜図6は、本発明の一実施例である
半導体集積回路装置の製造工程を示す断面図である。
【0027】本発明の半導体集積回路装置の製造方法を
図1のフロー図に従って、図2〜図6によって具体的に
説明する。
【0028】まず、ウエハに素子を形成する(図1の1
01)。すなわち、図2に示すように、例えばシリコン
単結晶などからなる半導体基板の略円板状のウエハ1を
用意し、先行技術のウエハ処理を用いてウエハ1の各ペ
レット領域に半導体集積回路装置の構成要素である例え
ばMOSFETなどの素子(図示せず)を形成する。
【0029】ウエハ1は、例えば200mmの直径であ
り、例えば750μmの厚さのものを使用している。な
お、ウエハ1の他の態様としては、例えば200mm〜
300mmの直径であり、例えば750μm〜1000
μmの厚さの大面積のウエハなどの種々の形状のものを
適用することができる。
【0030】次に、ウエハプローブ検査を行なう(図1
の102)。このウエハプローブ検査では、ウエハプロ
ーバを用いてウエハ1の素子形成面に設けられた電極に
プローブをあてることにより、各ペレットの電気的特性
を検査し、不良ペレットに印をつけ、良否を選別するた
めの検査を行う。
【0031】次に、図3に示すように、ウエハ1の素子
形成面の片面に粘着性のある保護テープ2を貼り付ける
(図1の103)。保護テープ2の貼り付けは、ウエハ
1の裏面研削時にウエハ1の素子形成面を保護するため
に行なうものである。
【0032】保護テープ2の貼り付けは、テープ貼り付
け装置を用いて行なう。テープ貼り付け装置は、保護テ
ープ2を貼り付けるウエハ1の表面が上になるようにウ
エハ1を試料台に乗せ、ウエハ1の表面に保護テープ2
をローラで圧着し、保護テープ2をカッタでウエハ1の
形状に合わせて切断することにより、ウエハ1の表面に
保護テープ2を貼り付ける装置である。
【0033】次に、図4に示すように、保護テープ2が
貼り付けられているウエハ1の裏面を研削する(図1の
104)。ウエハ1の裏面研削はウエハ1の例えば65
0μm〜750μmの厚さをペレットの厚さとなる例え
ば400μm〜200μmの厚さにまで薄くするために
行なうものである。研削は純水を供給しながら、砥石5
でウエハ1の裏面を削り取ることにより行う。
【0034】次に、図5に示すように、ウエハマウンタ
を用いてウエハ1の裏面にダイシングテープ3を貼り付
けた後、ウエハ1の周辺のダイシングテープ3にダイシ
ングテープ3を保持する保持治具4を貼り付ける(図1
の105)。次に、保持治具4の周辺のダイシングテー
プ3をカッタによって切断する。ダイシングテープ3は
伸展性を有し、片面に粘着性がある粘着シートである。
【0035】この製造工程により、ウエハ1はダイシン
グテープ3に貼り付けられた状態となり、ダイシングテ
ープ3およびダイシングテープ3が貼り付けられている
保持治具4により強度が高くなった状態で保持されてい
ることにより、ウエハ1の搬送などによる取扱いに際し
てウエハ1の割れが防止できる。
【0036】また、ウエハ1に貼り付いている保護テー
プ2を剥離せずにそのままの状態としておくことによ
り、ダイシングテープ3および保持治具4に取り付けら
れているウエハ1の表面に保護テープ2が残存している
ので、ウエハ1の表面を保護テープ2により保護した状
態によりウエハ1の保管または搬送を行うことができ
る。したがって、ウエハ1の海外輸送などにおいて、従
来のかん詰め作業などが廃止できる。
【0037】次に、図6に示すように、ウエハ1の素子
形成面の保護テープ2を剥離する(図1の106)。ウ
エハ1の素子形成面に貼り付けられた保護テープ2の剥
離は、テープ剥離装置を用いて行う。
【0038】テープ剥離装置は、保護テープ2が上にな
るようにウエハ1を試料台に乗せ、保護テープ2よりも
粘着力の強い剥離用テープを保護テープ2にローラで貼
り付けると共に、引き剥がすことにより保護テープ2を
ウエハ1から剥離する装置である。
【0039】次に、ウエハ1をペレットに分離する(図
1の107)。このペレット分離工程は、ダイシング装
置におけるダイシングブレードを高速で回転させた状態
でウエハ1における各ペレット領域周辺のダイシングゾ
ーンにダイシングブレードにより所定の深さまで切断し
て切溝を形成した後、ブレーキング装置を用いてウエハ
1にローラにより応力を加えて、ウエハ1を個々のペレ
ットに分離するものである。
【0040】なお、前述したペレット分離工程は、種々
の態様を採用することができる。例えばペレット分離工
程に使用するダイシング装置により、ウエハ1の厚みの
半分程度の深さで切溝を入れるハーフカット、ウエハ1
を10μm〜50μm残して切溝を入れるセミフルカッ
トまたはウエハ1を完全に切断するフルカットなどの加
工方式を採用することができる。
【0041】次に、ペレットボンディング工程、ワイヤ
ボンディング工程、封止工程およびマーキング工程など
の組立工程を行って半導体集積回路装置を製作する。
【0042】本実施例の半導体集積回路装置の製造方法
によれば、ウエハ1における各ペレットの電気的特性を
ウエハプローバを用いて検査する工程の後に、ウエハ1
の表面に形成されている素子を保護するための保護テー
プ2をウエハ1の表面に貼り付け、保護テープ2が貼り
付けられているウエハ1の裏面を研削していることによ
り、ウエハ1の研削前の厚さの大きい状態でウエハプロ
ーバを用いて電気的特性の検査を行うことができるの
で、厚さの大きい状態でウエハ1の搬送などの取扱いが
できるために、形状が大きく面積の大きいウエハ1であ
ってもウエハ1の割れがなくなりウエハ1の割れによる
不良がなくなるので製造歩留まりを高めることができ
る。
【0043】また、本実施例の半導体集積回路装置の製
造方法によれば、ウエハ1における各ペレットの電気的
特性をウエハプローバを用いて検査する工程の後に、ウ
エハ1の表面にウエハ1に形成されている素子を保護す
るための保護テープ2を貼り付け、保護テープ2が貼り
付けられているウエハ1の裏面を研削し、その後に保護
テープ2が貼り付けられているウエハ1の裏面にダイシ
ングテープ3を貼り付ける工程とダイシングテープ3に
おけるウエハ1の周辺にダイシングテープ3を保持する
ための保持治具4を貼り付ける工程とを行うものである
ことにより、研削後のウエハ1の厚さが小さい状態であ
っても保護テープ2によりウエハ1の強度を補強した状
態でウエハ1の裏面にダイシングテープ3を貼り付ける
工程とダイシングテープ3におけるウエハ1の周辺にダ
イシングテープ3を保持するための保持治具4を貼り付
ける工程とを行うことができる。
【0044】そのため、ダイシングテープ3をウエハ1
に貼り付けた後に保護テープ2をウエハ1から剥離した
としても、ダイシングテープ3によってウエハ1が固定
されている状態となるために、ウエハ1の強度が高い状
態をもってウエハ1の搬送などの取扱いができるので、
厚さが薄くて形状が大きく面積の大きいウエハ1であっ
てもウエハ1の割れがなくなりウエハ1の割れによる不
良がなくなるので製造歩留まりを高めることができる。
【0045】さらに、本実施例の半導体集積回路装置の
製造方法によれば、ウエハ1の研削前の厚さの大きい状
態でウエハプローバを用いて電気的特性の検査を行うと
共に、研削後のウエハ1の厚さが小さい状態であっても
保護テープ2によりウエハ1の強度を補強した状態でウ
エハ1の裏面にダイシングテープ3を貼り付ける工程と
ダイシングテープ3におけるウエハ1の周辺にダイシン
グテープ3を保持するための保持治具4を貼り付ける工
程とを行っていることにより、ダイシングテープ3をウ
エハ1に貼り付けた後に保護テープ2をウエハ1から剥
離したとしても、ダイシングテープ3によってウエハ1
が固定されている状態となるために、ウエハ1の厚さが
薄くて面積が大きくても、常にウエハ1の強度を保つこ
とができる。
【0046】したがって、ウエハ1の搬送中の振動、衝
撃、各製造工程でのウエハカセットからの取り出しおよ
び収納などによるウエハ1の割れが解消できる。その結
果、ウエハ1の割れによる不良がなくなることにより、
すべてのウエハ1を半導体集積回路装置の製作に使用で
きるので、製造歩留りを向上することができる。
【0047】(実施例2)本発明の他の実施例である半
導体集積回路装置の製造方法について説明する。
【0048】本実施例の半導体集積回路装置の製造工程
は、前述した実施例1の半導体集積回路装置の製造工程
におけるウエハマウンタを用いたウエハ1の裏面にダイ
シングテープ3を貼り付ける工程とダイシングテープ3
に保持治具4を貼り付ける工程、それにテープ剥離装置
を用いたウエハ1の表面に貼り付けられている保護テー
プ2を剥離する工程を後述する本発明のウエハマウンタ
を用いて行うものである。
【0049】その他の製造工程は、前述した実施例1の
半導体集積回路装置の製造工程と同様であることによ
り、説明を省略する。
【0050】図7は、本発明の一実施例であるウエハマ
ウンタを示す概略側面図である。
【0051】図7に示すように、本実施例のウエハマウ
ンタにおいて、ダイシングテープ3は伸展性を有し、片
面に粘着性がある粘着テープであると共にウエハ1の強
度を保つためにウエハ1の裏面に貼り付けるテープであ
り、ダイシングテープロール6からダイシングテープ3
が供給されて、ダイシングテープ巻き取りロール7によ
りダイシングテープ3が巻き取られている。なお、ダイ
シングテープ巻き取りロール7には、後述するカッタに
より切断されたダイシングテープ3の残りを巻き取るも
のである。
【0052】8はウエハ1の裏面にダイシングテープ3
を貼り付けるための貼り付けローラ、9は保護テープ2
よりも粘着力が強いテープであると共にウエハ1から保
護テープ2を剥離するための剥離用テープ、10は剥離
用テープ9を供給するための剥離用テープロール、11
は剥離用テープ9を巻き取るための剥離用テープ巻き取
りロールである。
【0053】12は剥離用テープ9を保護テープ2に貼
り付けると共に、ウエハ1から保護テープ2を剥離する
剥離用ローラである。
【0054】13は、保持治具4を吸着している保持治
具吸着盤であり、上下に移動できる機能を有し、保持治
具吸着盤13に保持された状態の保持治具4をダイシン
グテープ3に貼り付けるものである。
【0055】14はダイシングテープ3を保持治具4に
沿って切断するためのカッタであり、回転体15の先端
に取り付けられているダイシングテープ3を切り取る手
段である。
【0056】本実施例のウエハマウンタの動作は、次の
通りである。
【0057】すなわち、保護テープ2が貼り付けられて
いるウエハ1を貼り付けローラ8に挿入し、ダイシング
テープロール6から送られてきたダイシングテープ3を
貼り付けローラ8により、ウエハ1の裏面に貼り付け
る。
【0058】次に、剥離用テープロール10から送られ
てきた剥離用テープ9を剥離用ローラ12により保護テ
ープ2に貼り付けると共に、ウエハ1から保護テープ2
を剥離し、その後に剥離用テープ9を剥離用テープ巻き
取りロール11で巻き取る。
【0059】次に、保持治具吸着盤13を用いて保持治
具4をウエハ1に合わせてダイシングテープ3に貼り付
ける。これにより、ウエハ1の裏面に貼り付けられたダ
イシングテープ3に保持治具4を貼り付けることにより
ウエハ1の強度を保つことができる。
【0060】次に、ダイシングテープ3を保持治具4の
形状に合わせてカッタ14により切断する。
【0061】次に、カッタ14により切断されたダイシ
ングテープ3の残りは、ダイシングテープ巻き取りロー
ル7により巻き取る。
【0062】なお、本実施例のウエハマウンタの他の態
様としては、必要に応じて剥離用ローラ12を作動させ
ない状態とすることにより、ウエハ1に貼り付いている
保護テープ2を剥離せずにそのままの状態として次の工
程にウエハ1を送ることができる。この場合には、ダイ
シングテープ3および保持治具4に取り付けられている
ウエハ1の表面に保護テープ2が残存していることによ
り、ウエハ1の表面を保護テープ2により保護した状態
によりウエハ1の保管または搬送を行うことができる。
したがって、ウエハ1の海外輸送などにおいて、従来の
かん詰め作業などが廃止できる。
【0063】前述した本実施例のウエハマウンタによれ
ば、保護テープ2が貼り付けられているウエハ1を貼り
付けローラ8に挿入し、ダイシングテープロール6から
送られてきたダイシングテープ3を貼り付けローラ8に
より、ウエハ1の裏面に貼り付けるものであることによ
り、この工程において従来のウエハマウントでは新たに
保護テープをウエハの表面に貼り付ける必要があるのを
不要とすることができる。
【0064】前述した本実施例のウエハマウンタによれ
ば、ウエハ1の裏面へのダイシングテープ3の貼り付け
工程、保護テープ2の剥離工程およびダイシングテープ
3への保持治具4の貼り付け工程を同一装置により連続
して行なうことができる。
【0065】したがって、本実施例のウエハマウンタを
用いて処理されたウエハ1は、ダイシングテープ3を貼
り付けることにより強度が保たれる。その結果、ウエハ
1の割れによる不良が防止できることにより、半導体集
積回路装置の製造歩留りを向上することができる。
【0066】また、本実施例のウエハマウンタによれ
ば、同一装置によりウエハ1にダイシングテープ3を貼
り付ける工程とウエハ1に貼り付いている保護テープ2
の剥離工程とを行っていることにより、単独な製造工程
としてウエハ1から保護テープ2を剥離する工程を省略
することができる。その結果、製造工程が簡単になり、
効率よく処理できることにより、半導体集積回路装置の
製造時間を短縮することができると共に製造コストも低
減することができる。
【0067】さらに、本実施例のウエハマウンタを用い
た半導体集積回路装置の製造方法によれば、ウエハ1に
おける各ペレットの電気的特性をウエハプローバを用い
て検査する工程の後に、ウエハ1の表面に形成されてい
る素子を保護するための保護テープ2をウエハ1の表面
に貼り付け、保護テープ2が貼り付けられているウエハ
1の裏面を研削し、その後に保護テープ2が貼り付けら
れているウエハ1の裏面にダイシングテープ3を貼り付
ける工程、保護テープ2の剥離工程およびダイシングテ
ープ3におけるウエハ1の周辺にダイシングテープ3を
保持するための保持治具4を貼り付ける工程とをウエハ
マウンタにより行うものであることにより、研削後のウ
エハ1の厚さが小さい状態であっても保護テープ2によ
りウエハ1の強度を補強した状態でウエハ1の裏面にダ
イシングテープ3を貼り付ける工程、保護テープ2の剥
離工程および保持治具4を貼り付ける工程を同一装置に
より行うことができる。
【0068】そのため、ダイシングテープ3をウエハ1
に貼り付けた後に保護テープ2をウエハ1から剥離する
際およびその後においても、ダイシングテープ3によっ
てウエハ1が固定されている状態となるために、ウエハ
1の厚さが薄くて面積が大きくても、常にウエハ1の強
度を保つことができる。
【0069】したがって、ウエハ1の搬送中の振動、衝
撃、各製造工程でのウエハカセットからの取り出しおよ
び収納などによるウエハ1の割れが解消できる。その結
果、ウエハ1の割れによる不良がなくなることにより、
すべてのウエハ1を半導体集積回路装置の製作に使用で
きるので、製造歩留りを向上することができる。
【0070】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。具体的に
は、半導体集積回路装置の他に例えば電界効果型トラン
ジスタまたはバイポーラ型トランジスタなどからなるデ
ィスクリートデバイスなどの半導体装置の製造方法にも
適用することができる。
【0071】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【0072】(1)本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、ウエハにおける各ペレットの電気的特性をウエハ
プローバを用いて検査する工程の後に、ウエハの表面に
形成されている素子を保護するための保護テープをウエ
ハの表面に貼り付け、保護テープが貼り付けられている
ウエハの裏面を研削していることにより、ウエハの研削
前の厚さの大きい状態でウエハプローバを用いて電気的
特性の検査を行うことができるので、厚さの大きい状態
でウエハの搬送などの取扱いができるために、形状が大
きく面積の大きいウエハであってもウエハの割れがなく
なりウエハの割れによる不良がなくなるので製造歩留ま
りを高めることができる。
【0073】(2)本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、ウエハにおける各ペレットの電気的特性をウエハ
プローバを用いて検査する工程の後に、ウエハの表面に
形成されている素子を保護するための保護テープをウエ
ハの表面に貼り付け、保護テープが貼り付けられている
ウエハの裏面を研削し、その後に保護テープが貼り付け
られているウエハの裏面にダイシングテープを貼り付け
る工程とダイシングテープにおけるウエハの周辺にダイ
シングテープを保持するための保持治具を貼り付ける工
程とを行うものであることにより、研削後のウエハの厚
さが小さい状態であっても保護テープによりウエハの強
度を補強した状態でウエハの裏面にダイシングテープを
貼り付ける工程とダイシングテープにおけるウエハの周
辺にダイシングテープを保持するための保持治具を貼り
付ける工程とを行うことができる。
【0074】そのため、ダイシングテープをウエハに貼
り付けた後に保護テープをウエハから剥離したとして
も、ダイシングテープによってウエハが固定されている
状態となるために、ウエハの強度が高い状態をもってウ
エハの搬送などの取扱いができるので、厚さが薄くて形
状が大きく面積の大きいウエハであってもウエハの割れ
がなくなりウエハの割れによる不良がなくなるので製造
歩留まりを高めることができる。
【0075】(3)本発明のウエハマウンタを用いた半
導体装置の製造方法によれば、ウエハの裏面へのダイシ
ングテープの貼り付け工程、保護テープの剥離工程およ
びダイシングテープへの保持治具の貼り付け工程を同一
装置により連続して行なうことができる。
【0076】したがって、本発明のウエハマウンタを用
いて処理されたウエハは、ダイシングテープを貼り付け
ることにより強度が保たれる。その結果、ウエハの割れ
による不良が防止できることにより、半導体装置の製造
歩留りを向上することができる。
【0077】また、本発明のウエハマウンタを用いた半
導体装置の製造方法によれば、同一装置によりウエハに
ダイシングテープを貼り付ける工程とウエハに貼り付い
ている保護テープの剥離工程とを行っていることによ
り、単独な製造工程としてウエハから保護テープを剥離
する工程を省略することができる。その結果、製造工程
が簡単になり、効率よく処理できることにより、半導体
装置の製造時間を短縮できると共に製造コストも低減す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す工程フロー図である。
【図2】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図3】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図4】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図5】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図6】本発明の一実施例である半導体集積回路装置の
製造工程を示す断面図である。
【図7】本発明の一実施例であるウエハマウンタを示す
概略側面図である。
【符号の説明】
1 ウエハ 2 保護テープ 3 ダイシングテープ 4 保持治具 5 砥石 6 ダイシングテープロール 7 ダイシングテープ巻き取りロール 8 貼り付けローラ 9 剥離用テープ 10 剥離用テープロール 11 剥離用テープ巻き取りロール 12 剥離用ローラ 13 保持治具吸着盤 14 カッタ 15 回転体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/301 H01L 21/78 M

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体装置の構成要素である素子が形成
    されているウエハにおける各ペレットの電気的特性をウ
    エハプローバを用いて検査する工程と、その後に前記ウ
    エハの表面に前記ウエハに形成されている素子を保護す
    るための保護テープを貼り付ける工程と、 前記保護テープが貼り付けられている前記ウエハの裏面
    を研削する工程と、その後に前記保護テープが貼り付け
    られている前記ウエハの裏面にダイシングテープを貼り
    付ける工程と、 前記ウエハが貼り付けられている前記ダイシングテープ
    における前記ウエハの周辺に前記ダイシングテープを保
    持するための保持治具を貼り付ける工程とを有すること
    を特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 【請求項2】 半導体装置の構成要素である素子が形成
    されているウエハにおける各ペレットの電気的特性をウ
    エハプローバを用いて検査する工程と、その後に前記ウ
    エハの表面に前記ウエハに形成されている素子を保護す
    るための保護テープを貼り付ける工程と、 前記保護テープが貼り付けられている前記ウエハの裏面
    を研削する工程と、その後に前記保護テープが貼り付け
    られている前記ウエハの裏面にダイシングテープを貼り
    付ける工程と、 前記保護テープを前記ウエハの表面から剥離する工程
    と、その後にダイシング装置を用いて前記ウエハを各ペ
    レットに分割するために切溝を形成する工程とを有する
    ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. 【請求項3】 請求項2記載の半導体装置の製造方法に
    おいて、前記保護テープを前記ウエハの表面から剥離す
    る工程の前工程または後工程に前記ウエハが貼り付けら
    れている前記ダイシングテープにおける前記ウエハの周
    辺に前記ダイシングテープを保持するための保持治具を
    貼り付ける工程を有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  4. 【請求項4】 請求項2または3記載の半導体装置の製
    造方法において、前記保護テープが貼り付けられている
    前記ウエハの裏面に前記ダイシングテープを貼り付ける
    工程および前記保護テープを前記ウエハの表面から剥離
    する工程をウエハマウンタを用いて行うことを特徴とす
    る半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】 半導体装置の構成要素である素子が形成
    されているウエハの表面に前記ウエハに形成されている
    素子を保護するための保護テープが貼り付けられている
    前記ウエハの裏面にダイシングテープを貼り付ける手段
    と、 前記保護テープを前記ウエハの表面から剥離する手段
    と、 前記ウエハが貼り付けられている前記ダイシングテープ
    における前記ウエハの周辺に前記ダイシングテープを保
    持するための保持治具を貼り付ける手段と、 前記保持治具の周辺の前記ダイシングテープを切り取る
    手段とを有することを特徴とするウエハマウンタ。
  6. 【請求項6】 請求項5記載のウエハマウンタにおい
    て、前記保護テープを前記ウエハの表面から剥離する手
    段は、前記保護テープよりも粘着力の強い剥離用テープ
    を用いて、前記保護テープに前記剥離用テープを貼り付
    けることにより、前記ウエハから前記保護テープを剥離
    するものであることを特徴とするウエハマウンタ。
JP32438094A 1994-12-27 1994-12-27 半導体装置の製造方法およびそれに用いるウエハマウンタ Pending JPH08181197A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291683A (ja) * 2000-04-04 2001-10-19 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2005276987A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Lintec Corp 極薄チップの製造プロセス及び製造装置
US7122447B2 (en) 2002-10-25 2006-10-17 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor circuit device
WO2007114433A1 (ja) * 2006-04-04 2007-10-11 Miraial Co., Ltd. 半導体ウエハのチップ加工方法
JP2010108995A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Lintec Corp シート貼り換え装置及びシート貼り換え方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291683A (ja) * 2000-04-04 2001-10-19 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体チップの製造方法
US7122447B2 (en) 2002-10-25 2006-10-17 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor circuit device
CN100345256C (zh) * 2002-10-25 2007-10-24 株式会社瑞萨科技 半导体电路器件的制造方法
US7968428B2 (en) 2002-10-25 2011-06-28 Renesas Electronics Corporation Fabrication method of semiconductor circuit device
JP2005116610A (ja) * 2003-10-03 2005-04-28 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法および半導体ウエハ加工用粘着シート
JP2005276987A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Lintec Corp 極薄チップの製造プロセス及び製造装置
WO2007114433A1 (ja) * 2006-04-04 2007-10-11 Miraial Co., Ltd. 半導体ウエハのチップ加工方法
JP2010108995A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Lintec Corp シート貼り換え装置及びシート貼り換え方法

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