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HINTERGRUND DER ERFINDUNG
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Gebiet der Erfindung
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Diese Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts von einem Wafer, wobei der ringförmige Verstärkungsabschnitt um einen Bauelementbereich herum durch Schleifen einer Rückfläche des Bauelementbereichs ausgebildet ist.
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Beschreibung des Stands der Technik
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Ein Wafer mit mehreren Bauelementen, wie z. B. ICs oder LSIs, die an der Vorderflächenseite desselben ausgebildet sind, wird unter Verwendung einer Zerteilvorrichtung oder dergleichen in die einzelnen Bauelemente geteilt und die geteilten Bauelemente werden häufig in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen aufgenommen und zusammen mit diesen verwendet. Um eine Verringerung der Größe, des Gewichts usw. von elektronischen Vorrichtungen zu erreichen, wird der Wafer, bevor er in die einzelnen Bauelemente geteilt wird, so ausgebildet, dass er eine Dicke von z. B. 100 µm bis 50 µm aufweist. Außerdem wurde ein Verfahren zum Schichten mehrerer, auf eine wie oben beschriebene Weise ausgebildeter Bauelemente, um deren Funktion zu verbessern, vorgeschlagen und zur praktischen Verwendung gebracht (siehe z. B.
JP 2003 - 249 620 A ).
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Wenn ein Wafer so bearbeitet wird, dass er dünn ist, wird die spätere Handhabung des Wafers schwierig. Deshalb wurde eine Erfindung, bei der nur die Rückflächenseite eines Wafers in einem Bauelementbereich geschliffen wird, so dass ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt um den Bauelementbereich herum ausgebildet wird, um eine spätere Handhabung des Wafers zu erleichtern, von einem Anmelder der vorliegenden Erfindung vorgeschlagen und zur praktischen Verwendung gebracht (siehe z. B.
JP 2007 - 019 461 A ).
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DE 10 2006 030 866 A1 offenbart ein Bearbeitungsverfahren für einen Halbleiterwafer, der einen ringförmigen Überschussbereich und einen kreisförmigen Vorrichtungsbereich, der von dem Überschussbereich umgeben ist, aufweist. Der Vorrichtungsbereich weist zahlreiche Bereiche auf, die durch in einem Gittermuster angeordnete Straßen definiert sind, wobei in jedem dieser Bereiche eine Halbleitervorrichtung angeordnet ist. Das Bearbeitungsverfahren beinhaltet einen Rückseitenschleifschritt, bei dem ein Bereich einer Rückseite des Wafers, der dem Vorrichtungsbereich entspricht, geschliffen wird, um eine kreisförmige Aussparung in der Rückseite des Wafers auszubilden.
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US 2008 / 0 293 221 A1 offenbart ein Bearbeitungsverfahren, bei dem eine Rückseite eines Halbleiterwafers so geschliffen wird, dass ein ringförmiger Umfangsbereich ungeschliffen bleibt. Anschließend wird der Umfangsbereich durch Schneiden von dem Halbleiterwafer entfernt.
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ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
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Jedoch wird, wenn der ringförmige Verstärkungsabschnitt entfernt wird, nachdem der Bauelementbereich und der ringförmige Verstärkungsabschnitt voneinander getrennt wurden, der ringförmige Verstärkungsabschnitt manchmal gebrochen und ist für einen Arbeitsschritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts Zeit erforderlich. Zusätzlich wird, wenn der ringförmige Verstärkungsabschnitt gebrochen wird, manchmal auch der Bauelementbereich beschädigt. Außerdem besteht ein Problem dahingehend, dass eine spezielle Vorrichtung zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts erforderlich ist. Auf diese Weise ist die Entfernung des ringförmigen Verstärkungsabschnitts mit verschiedenen Schwierigkeiten verbunden.
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Deshalb ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitzustellen, durch das von einem Wafer mit einem Bauelementbereich und einem ringförmigen Verstärkungsabschnitt, der an einer äußeren Umfangsseite des Bauelementbereichs ausgebildet ist und eine Dicke aufweist, die größer ist als die des Bauelementbereichs, der ringförmige Verstärkungsabschnitt leicht entfernt werden kann, ohne gebrochen zu werden.
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Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Bearbeitungsverfahren für einen Wafer bereitgestellt, der an einer Vorderfläche desselben einen Bauelementbereich, in dem mehrere Bauelemente ausgebildet sind, und einen Außenumfangsüberschussbereich aufweist, der den Bauelementbereich umgibt, und an einer Rückfläche desselben einen kreisförmigen Aussparungsabschnitt, der dem Bauelementbereich entspricht, und einen ringförmigen Verstärkungsabschnitt aufweist, der den kreisförmigen Aussparungsabschnitt umgibt, wobei das Bearbeitungsverfahren umfasst: einen Rahmenhalteschritt zum Aufnehmen eines Wafers in eine Öffnung eines ringförmigen Rahmens, dessen Öffnung dafür verwendet wird, einen Wafer darin aufzunehmen, Anhaften eines Zerteilungsbands an eine Vorderfläche des Wafers und den Rahmen und Halten des Wafers mit dem Rahmen durch das Zerteilungsband; einen Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, bei dem der an dem Rahmen gehaltene Wafer an einem Fixiertisch fixiert wird und ein Grenzabschnitt zwischen dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt und dem Bauelementbereich zusammen mit dem Zerteilungsband durch eine Schneidklinge geschnitten wird, um den Bauelementbereich und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt voneinander zu trennen; und einen Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, bei dem der durch das Zerteilungsband an dem Rahmen gehaltene ringförmige Verstärkungsabschnitt zusammen mit dem Rahmen von dem Fixiertisch abgenommen wird, um den ringförmigen Verstärkungsabschnitt zu entfernen.
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Vorzugsweise ist eine ringförmige Aussparungsnut zum Ermöglichen eines Austretens einer Schneidkante einer Schneidklinge in diese an einer Stelle des Fixiertischs ausgebildet, die dem Grenzabschnitt zwischen dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt und dem Bauelementbereich entspricht, und beinhaltet der Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts, bevor der Grenzabschnitt zwischen dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt und dem Bauelementbereich zusammen mit dem Zerteilungsband geschnitten wird, um den Bauelementbereich und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt voneinander zu trennen, einen Schritt zum Schneiden einer inneren Seite des Grenzabschnitts durch die Schneidklinge unter Vermeidung der Aussparungsnut, ohne dass die Schneidklinge das Zerteilungsband durchdringt. Nach dem Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts wird ein Teilungsschritt zum Teilen des durch den an dem Fixiertisch fixierten Bauelementbereich gebildeten Wafers in die einzelnen Bauelemente durchgeführt.
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Das Bearbeitungsverfahren für einen Wafer kann ferner beinhalten: einen Schritt zum Wiederanhaften eines Zerteilungsbands, bei dem, nachdem der Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts durchgeführt wurde, der durch den Bauelementbereich gebildete Wafer in eine Öffnung eines zweiten ringförmigen Rahmens aufgenommen wird, dessen Öffnung dafür verwendet wird, den durch den an dem Fixiertisch fixierten Bauelementbereich gebildeten Wafer darin aufzunehmen, ein zweites Zerteilungsband an die Rückfläche des Wafers und den zweiten ringförmigen Rahmen angehaftet wird und der durch den Bauelementbereich gebildete Wafer durch das zweite Zerteilungsband an dem zweiten ringförmigen Rahmen gehalten wird, und einen Teilungsschritt zum Teilen des durch den Bauelementbereich gebildeten Wafers in die einzelnen Bauelemente, nachdem das Zerteilungsband von der Vorderfläche des Wafers abgezogen wurde.
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Bei der vorliegenden Erfindung kann, da nachdem eine Vorderfläche eines Wafers, an der ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt ausgebildet ist, an ein Zerteilungsband angehaftet wurde, um den Wafer in einen Rahmen zu integrieren, und in diesem Zustand ein Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt zusammen mit dem Zerteilungsband geschnitten wurde, um den Bauelementbereich und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt voneinander zu trennen, der ringförmige Verstärkungsabschnitt zusammen mit dem Rahmen entfernt wird, der ringförmige Verstärkungsabschnitt in dem Zustand entfernt werden, in dem er durch das Zerteilungsband in dem Rahmen integriert ist. Dementsprechend kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt in kurzer Zeit entfernt werden, ohne ihn zu brechen. Ferner kann, da der ringförmige Verstärkungsabschnitt nicht gebrochen wird, auch eine Situation verhindert werden, bei welcher der Bauelementbereich beschädigt wird.
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Ferner kann, da bevor der Grenzabschnitt zwischen dem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt geschnitten wird, um den Bauelementbereich und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt voneinander zu trennen, der Wafer in einem Bereich geschnitten wird, in dem die Aussparungsnut nicht vorhanden ist, so dass das Zerteilungsband vorab nicht vollständig geschnitten wird, verhindert werden, dass durch einen Einfluss der an dem Fixiertisch ausgebildeten Aussparungsnut Rattervibrationen erzeugt werden, und verhindert werden, dass eine Rückflächenabsplitterung an einem äußeren Umfang des Bauelementbereichs auftritt.
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Die obigen und weitere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung und die Art und Weise, diese zu verwirklichen, werden offenkundiger werden und die Erfindung selbst wird am besten verstanden werden, indem die folgende Beschreibung und die angefügten Ansprüche mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen, die einige bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung zeigen, studiert werden.
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Figurenliste
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- 1 ist eine perspektivische Einzelteildarstellung, die einen Wafer und ein Schutzelement zeigt;
- 2 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem das Schutzelement an die Vorderfläche des Wafers angehaftet ist;
- 3 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Schritt zum Ausbilden eines ringförmigen Verstärkungsabschnitts an dem Wafer veranschaulicht;
- 4 ist eine perspektivische Ansicht, die den Wafer zeigt, an dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt ausgebildet ist;
- 5 ist eine Schnittdarstellung, die den Wafer zeigt, an dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt ausgebildet ist;
- 6 ist eine perspektivische Einzelteildarstellung, die einen Zustand veranschaulicht, in dem der Wafer mit dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt an einem Rahmen gehalten ist, und einen Fixiertisch einer Schleifvorrichtung zeigt;
- 7 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Grenzabschnitt des Wafers zwischen einem Bauelementbereich und dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt bei einem Schritt zum Trennen des ringförmigen Abschnitts geschnitten wird;
- 8 ist eine Schnittdarstellung, die eine erste Abwandlung des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts veranschaulicht;
- 9 ist eine Schnittdarstellung, die eine zweite Abwandlung des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts veranschaulicht;
- 10 ist eine Schnittdarstellung, die eine dritte Abwandlung des Schritts zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts veranschaulicht;
- 11 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem der ringförmige Verstärkungsabschnitt zusammen mit dem Rahmen entfernt ist;
- 12 ist eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem ein nur durch den Bauelementbereich gebildeter Wafer geteilt wird;
- 13 ist eine perspektivische Ansicht eines Zustands, in dem ein Zerteilungsband auf den nur durch den Bauelementbereich gebildeten Wafer aufgebracht wird, um den Wafer in den Rahmen zu integrieren;
- 14 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem ein Schutzelement von dem Wafer, der an dem Rahmen gehalten und nur durch den Bauelementbereich gebildet ist, abgezogen ist; und
- 15 ist eine perspektivische Ansicht, die einen Zustand veranschaulicht, in dem der Wafer, der an dem Rahmen gehalten und nur durch den Bauelementbereich gebildet ist, geteilt wird.
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AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
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Eine Vorderfläche Wa eines in 1 gezeigten Wafers W ist in mehrere, in einer Gitterstruktur ausgebildete Straßen S abgeteilt, um mehrere Bauelemente D auszubilden, und ein Bereich der Vorderfläche Wa des Wafers W, in dem die Bauelemente D ausgebildet sind, bildet einen Bauelementbereich W1. Ferner ist an der äußeren Umfangsseite des Bauelementbereichs W1 ein Außenumfangsüberschussbereich W2 ausgebildet, der ein Bereich ist, in dem kein Bauelement ausgebildet ist. Der Bauelementbereich W1 ist von dem Außenumfangsüberschussbereich W2 umgeben und der BauelementbereichW1 und der Außenumfangsüberschussbereich W2 sind durch einen Grenzabschnitt W12 abgeteilt.
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(1) Schutzelementanhaftschritt
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Wenn eine Rückfläche Wb des Wafers W zu schleifen ist, wird ein aus einem Band oder dergleichen ausgebildetes Schutzelement 1 aufgebracht, um die Bauelemente D zu schützen, so dass ein wie in 2 veranschaulichter Zustand erreicht wird. Es ist anzumerken, dass 2 einen Zustand veranschaulicht, in dem das Schutzelement 1 an die Vorderfläche Wa des Wafer W angehaftet und der Wafer W umgedreht ist.
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(2) Rückflächenschleifschritt
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Dann wird ein Abschnitt der Rückfläche Wb des Wafers W, der dem Bauelementbereich W1 entspricht, d. h. die Rückseite des Bauelementbereichs W1, so geschliffen, dass der Abschnitt eine gewünschte Dicke aufweist. Für einen solchen Schleifschritt kann z. B. eine in 3 gezeigte Schleifvorrichtung 2 verwendet werden. Die Schleifvorrichtung 2 beinhaltet einen Fixiertisch 20 zum Fixieren eines Wafers daran und eine Schleifeinheit 21 zum Schleifen eines an dem Fixiertisch 20 fixierten Wafers. Die Schleifeinheit 21 beinhaltet eine Spindel 22 mit eine Achse, die sich in einer vertikalen Richtung erstreckt, eine Scheibe 23, die an einem unteren Ende der Spindel 22 angebracht ist, und einen Schleifsteinabschnitt 24, der an einer unteren Fläche der Scheibe 23 fest angebracht ist. Der Schleifsteinabschnitt 24 ist so ausgebildet, dass der Durchmesser eines äußersten Umfangs einer Ortskurve der Drehung desselben größer als der Radius des Bauelementbereichs W1 aber kleiner als der Durchmesser des Bauelementbereichs W1 ist und der Durchmesser eines innersten Umfangs der Ortskurve der Drehung desselben kleiner ist als der Radius des Bauelementbereichs W1.
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Ein Wafer W wird an der Seite des Schutzelements 1 desselben durch den Fixiertisch 20 so fixiert, dass die Rückfläche Wb desselben freigelegt ist. Wenn die Schleifeinheit 21 sich nach unten bewegt, während der Fixiertisch 20 und die Scheibe 23 sich drehen, wird der sich drehende Schleifsteinabschnitt 24 mit der Rückfläche Wb des sich drehenden Wafers W in Kontakt gebracht, um ein Schleifen der Rückfläche Wb durchzuführen. Zu diesem Zeitpunkt wird der Schleifsteinabschnitt 24 so gesteuert, dass er normalerweise den Mittelpunkt der Drehung der Rückfläche des Wafers W kontaktiert, aber nicht die Rückfläche des Außenumfangsüberschussbereichs W2 kontaktiert.
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Durch eine solche Steuerung wird nur die Rückflächenseite des Bauelementbereichs W1 der Rückfläche Wb geschliffen und ein kreisförmiger Aussparungsabschnitt oder eine Schleiffläche W3 an der Rückfläche Wb ausgebildet, während ein ringförmiger Verstärkungsabschnitt W4 mit einer Dicke, die ähnlich zu der vor dem Schleifen ist, an der Rückflächenseite des Außenumfangsüberschussbereichs W2 verbleibt, wie auch in 4 und 5 gezeigt ist. Zum Beispiel kann die Breite des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 annähernd 2 bis 3 mm betragen. Indes beträgt die Dicke des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 vorzugsweise z. B. annähernd 700 um. Andererseits kann die Dicke des Bauelementbereichs W1 z. B. auf annähernd 30 µm verringert werden. Nachdem der Rückflächenschleifschritt beendet wurde, wird das Schutzelement 1 von der Vorderfläche Wa des Wafers W abgezogen.
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(3) Frei wählbarer Schritt
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Es ist anzumerken, dass, falls die mehreren Chips geschichtet werden nachdem der Wafer W geteilt wurde, ein TSV(Siliziumdurchkontaktierungs)-Arbeitsschritt an den einzelnen Bauelementen D in dem Bauelementbereich W1 nach dem Rückflächenschleifschritt durchgeführt wird. Ferner wird nach dem Rückflächenschleifschritt eine Metallschicht aus Gold, Silber, Titan oder dergleichen an der Schleiffläche W3 durch Aufdampfen oder dergleichen ausgebildet.
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(4) Rahmenhalteschritt
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Dann wird der Wafer W in eine Öffnung F10 eines in 6 gezeigten ringförmigen Rahmens F1 aufgenommen und ein Zerteilungsband T1 auf die Vorderfläche Wa des Wafers W und den Rahmen F1 aufgebracht, so dass die Öffnung F10 mit dem Zerteilungsband T1 geschlossen wird, um den Wafer W in einen Zustand zu bringen, in dem der Wafer W durch das Zerteilungsband T1 an dem Rahmen F1 gehalten wird. In diesem Zustand ist die Rückflächenseite des Wafers W freigelegt.
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Der auf diese Weise in dem Rahmen F1 gehaltene Wafer W wird an einem Fixiertisch 30 einer Schneidvorrichtung 3 fixiert. Der Fixiertisch 30 beinhaltet einen aus Glas oder einem durchsichtigen Harz ausgebildeten Vakuumbereich 300, eine an der äußeren Umfangsseite des Vakuumbereichs 300 ausgebildete ringförmige Aussparungsnut 301 und einen Rahmenhalteabschnitt 302, der aus Glas oder durchsichtigem Harz besteht und an der äußeren Umfangsseite der Aussparungsnut 301 ausgebildet ist. Die Aussparungsnut 301 ist unterhalb des Grenzabschnitt W12 zwischen dem Bauelementbereich W1 und dem Außenumfangsüberschussbereich W2 in einem Zustand angeordnet, in dem der Wafer W an dem Fixiertisch 30 gehalten wird. Der Fixiertisch 30 ist durch eine Spindel 31 so mit einem Drehantriebsabschnitt 32 verbunden, dass er durch Antreiben des Drehantriebsabschnitts 32 gedreht werden kann. Unterhalb des Fixiertischs 30 sind Bildaufnahmemittel 33 zum Erfassen eines Bereichs des zu schleifenden Wafers W und Aufnehmen eines Bilds desselben durch den Rahmenhalteabschnitt 302 angeordnet. Der durch das Zerteilungsband T1 an dem Rahmen F1 gehaltene Wafer W wird in dem Vakuumbereich 300 an der Seite des Zerteilungsbands T1 desselben angesaugt und weist einen Zustand auf, in dem die Rückfläche Wb des Wafers W freigelegt ist. Es ist anzumerken, dass in einem alternativen Fall, in dem die Bildaufnahmemittel 33 nicht unterhalb sondern oberhalb des Fixiertischs 30 angeordnet sind, diese ein Bild des Grenzabschnitts W12 aufnehmen, um einen zu schleifenden Bereich zu erfassen.
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Die Schneidvorrichtung 3 beinhaltet ein in 7 gezeigtes Schneidmittel 34. Das Schneidmittel 34 beinhaltet eine sich in einer horizontalen Richtung erstreckende Spindel 340, eine an der Spindel 340 angebrachte Schneidklinge 341 und eine Schneidwasserdüse 342 zum Zuführen eines Schneidwassers zu der Schneidklinge 341.
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(5) Schritt zum Trennen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
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Wie in 7 gezeigt ist, schneidet, während der Fixiertisch 30 gedreht wird, die sich drehende Schneidklinge 341 in eine geringfügig innere Seite des Grenzabschnitts W12 zwischen dem Bauelementbereich W1 und dem Außenumfangsüberschussbereich W2, so dass eine Schneidkante der Schneidklinge 341 in der in 6 gezeigten Aussparungsnut 301 aufgenommen wird. Folglich wird der Wafer W in einer Kreisform geschnitten, um den Bauelementbereich W1 und den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 voneinander zu trennen.
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Es ist anzumerken, dass bevor der Grenzabschnitt W12 so geschnitten wird, dass die Schneidklinge 341 in der Aussparungsnut 301 aufgenommen wird, bevorzugt bewirkt wird, dass die Schneidklinge 341 zu einem solchen Grad schneidet, dass der Wafer W durchdrungen wird, aber das Zerteilungsband T1 nicht durchdrungen wird, so dass die Aussparungsnut 301 vermieden wird, um die innere Seite des Grenzabschnitts W12 wie in 8 gezeigt ((1) in 8) zu schneiden. Durch ein solches Schneiden werden der Bauelementbereich W1 und der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 vorab voneinander getrennt. Danach wird der Grenzabschnitt W12 zusammen mit dem Zerteilungsband T1 so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 in der Aussparungsnut 301 aufgenommen wird ((2) in 8).
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Wenn das Schneiden auf diese Weise in den zwei Stufen durchgeführt wird, werden, da der Bauelementbereich W1 durch das Schneiden in der ersten Stufe von dem ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 getrennt wird, sogar wenn durch einen Einfluss der Aussparungsnut 301 auf das Schneiden in der zweiten Stufe Rattervibrationen erzeugt werden, diese nicht auf den Bauelementbereich W1 übertragen. Deshalb kann das Auftreten einer Absplitterung an der Rückfläche des Bauelementbereichs W1 verhindert werden.
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Bei dem, in 8 veranschaulichten Schneiden in den zwei Stufen verbleibt ein ringförmiges Ringendmaterial W5 zwischen der Schneidposition beim Schneiden in der ersten Stufe und der Schneidposition beim Schneiden in der zweiten Stufe, da die Schneidposition beim Schneiden in der ersten Stufe und die Schneidposition beim Schneiden in der zweiten Stufe voneinander beabstandet sind. Deshalb wird, um zu verhindern, dass ein solches Endmaterial verbleibt, bevorzugt, das Schneiden wie in 9 gezeigt in drei Stufen durchzuführen. Zunächst wird beim Schneiden in der ersten Stufe eine innere Seite des Grenzabschnitt W12 unter Vermeidung der Aussparungsnut 301 so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 den Wafer W ähnlich wie bei dem in 8 veranschaulichten Beispiel durchdringt ((1) in 9). Dann wird beim Schneiden in der zweiten Stufe eine äußere Seite des Schneideorts beim Schneiden in der ersten Stufe unter Vermeidung der Aussparungsnut 301 so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 den Wafer W durchdringt ((2) in 9). Zuletzt wird beim Schneiden in der dritten Stufe eine äußere Seite des Schneideorts beim Schneiden in der zweiten Stufe so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 in der Aussparungsnut 301 aufgenommen wird ((3) in 9). Indem das Schneiden in der ersten, zweiten und dritten Stufe ohne eine Lücke durchgeführt wird, kann das Auftreten eines ringförmigen Ringendmaterials verhindert werden.
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Um das Auftreten des ringförmigen Ringendmaterials W5 zu verhindern, kann alternativ das folgende Verfahren verwendet werden. Insbesondere wird, wie in 10 gezeigt ist, eine innere Seite des Grenzabschnitts W12 unter Vermeidung der Aussparungsnut 301 so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 den Wafer W durchdringt ((1) in 10). Beim Schneiden in der zweiten Stufe wird eine äußere Seite des Schneideorts beim Schneiden in der ersten Stufe unter Vermeidung der Aussparungsnut 301 so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 den Wafer W durchdringt ((2) in 10). Dann wird beim Schneiden in der dritten Stufe eine äußere Seite des Schneideorts beim Schneiden in der zweiten Stufe an der inneren Seite des Grenzabschnitts W12, die auch den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 beinhaltet, so geschnitten, dass die Schneidklinge 341 in der Aussparungsnut 301 aufgenommen wird ((3) in 10).
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(6) Schritt des Entfernens des ringförmigen Verstärkungsabschnitts
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Danach wird der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4, wie in 11 gezeigt ist, von dem Bauelementbereich W1 entfernt. Da der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 an das Zerteilungsband T1 angehaftet ist und der Rahmen F1 auf das Zerteilungsband T1 aufgebracht ist, kann der ringförmige Verstärkungsabschnitt 4 zusammen mit dem Zerteilungsband T1 entfernt werden, indem nur der Rahmen F1 angehoben wird. Dementsprechend ist eine spezielle Vorrichtung zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 nicht erforderlich und tritt eine Situation, bei welcher der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 gebrochen wird und für einen Arbeitsschritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 Zeit erforderlich ist, nicht auf. Ferner tritt auch eine Situation, bei welcher der Bauelementbereich aufgrund eines Bruchs des ringförmigen Verstärkungsabschnitts W4 beschädigt wird, nicht auf. Nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 zusammen mit dem Zerteilungsband T1 und dem Rahmen F1 durch den Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts entfernt wurde, wird ein Zerteilungsband T1' eines Wafers W', der nur durch den Bauelementbereich W1 gebildet wird und an dessen Vorderfläche das Zerteilungsband T1' angehaftet ist, an dem Fixiertisch 30 fixiert.
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(7) Teilungsschritt
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Danach wird eine Bildaufnahme durch die Bildaufnahmemittel 33 durchgeführt und eine zu schneidende Straße durch den aus Glas oder durchsichtigem Harz ausgebildeten Vakuumbereich 300 und das Zerteilungsband T1' erfasst. Dann schneidet, wie in 12 gezeigt ist, während der Fixiertisch 30 und das Schneidmittel 34 in einer horizontalen Richtung relativ bewegt werden, die Schneidklinge 341, die sich mit einer hohen Geschwindigkeit dreht, in die erfasste Straße S und wird eine Schneidnut G, die sich zwischen der Vorder- und der Rückfläche des Vakuumbereichs 300 und dem Zerteilungsband T1' erstreckt, schrittweise ausgebildet. Ferner wird, nachdem alle Straßen S in einer ersten Richtung geschnitten wurden, der Fixiertisch 30 um 90° gedreht, wonach ein ähnlicher Schneidschritt für die Straßen S durchgeführt wird, die sich in einer zweiten Richtung erstrecken. Folglich werden die Straßen S senkrecht zueinander geschnitten, um den Vakuumbereich 300 und das Zerteilungsband T1' in einzelne Bauelemente D zu teilen. Alle Bauelemente D werden danach zusammen durch ein Saugpad zum Ansaugen über den gesamten Waferbereich überführt. Es ist anzumerken, dass, falls die Bildaufnahmemittel 33 nicht unterhalb des Fixiertischs 30 angeordnet sind oder der Vakuumbereich 300 aus Metall oder dergleichen besteht und kein Licht durch diesen hindurch lässt, Bildaufnahmemittel, die Infrarotstrahlen verwenden, oberhalb des Fixiertischs 30 so angeordnet sein können, dass sie Straßen an der Vorderflächenseite von der Rückflächenseite des Wafers W aus erfassen können.
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(8) Schritt des Wiederanhaftens des Zerteilungsbands
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Als eine weitere Ausführungsform des Teilungsschritts kann ein Zerteilungsband T2 an die Schleiffläche (untere Fläche des kreisförmigen Aussparungsabschnitts) W3 des Wafers W', der, wie in 13 gezeigt ist, nur durch einen Bauelementbereich D1 gebildet ist, nach dem oben beschriebenen Schritt zum Entfernen des ringförmigen Verstärkungsabschnitts angehaftet werden. Der Wafer W' wird in eine Öffnung F20 eines ringförmigen Rahmens F2 aufgenommen und das Zerteilungsband T2 wird an die Schleiffläche W3 des Wafers W' und den Rahmen F2 angehaftet. Dadurch wird ein Zustand hergestellt, in dem die Öffnung F20 durch das Zerteilungsband T2 geschlossen ist und der Wafer W' durch das Zerteilungsband T2 an dem Rahmen F2 gehalten wird. Insbesondere ist in diesem Zustand das Zerteilungsband T1 an die Vorderfläche Wa des Wafers W' angehaftet und das Zerteilungsband T2 an die Schleiffläche W3 des Wafers W' angehaftet. Dann wird der Wafer W' umgedreht und das Zerteilungsband T1 von der Vorderflächenseite des Wafers W' abgezogen. Auf diese Weise wird ein Zustand hergestellt, in dem das Zerteilungsband T2 an der Schleiffläche W3 des Wafers W' angehaftet ist und der Wafer W' durch das Zerteilungsband T2 an dem Rahmen F gehalten wird.
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(9) Teilungsschritt
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Dann wird in dem durch den Schritt zum Wiederanhaften des Zerteilungsbands hergestellten Zustand, in dem das Zerteilungsband T1 von der Vorderfläche Wa des Wafers W' abgezogen ist und das Zerteilungsband T2 an die Schleiffläche W3 angehaftet ist, die Seite des Zerteilungsbands T2 an dem Fixiertisch 30 fixiert und schneidet die Schneidklinge 341 in eine Straße S des Wafers W', um eine Schneidnut G auszubilden, die sich zwischen der Vorder- und der Rückfläche des Wafers W' erstreckt. Jedoch durchdringt die Schneidnut G nicht das Zerteilungsband T2. Nachdem alle Straßen S in der ersten Richtung geschnitten wurden, wird der Fixiertisch 30 um 90° gedreht und ein ähnlicher Schneidschritt für die Straßen S durchgeführt, die sich in der zweiten Richtung erstrecken. Folglich werden die Straßen S senkrecht geschnitten, um den Wafer W' in die einzelnen Bauelemente D zu teilen. Alle Bauelemente D werden danach zusammen durch das Saugpad zum Ansaugen der vorderen Waferfläche überführt.
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Auf diese Weise kann, nachdem der ringförmige Verstärkungsabschnitt W4 entfernt wurde, der nur durch den Bauelementbereich W1 gebildete Wafer W' geteilt werden, um einzelne Bauelemente D auszubilden, ohne den ringförmigen Verstärkungsabschnitt W4 zu brechen.
