JP2014183310A - ウェハー製造工程の切断方法 - Google Patents
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- 238000005520 cutting process Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 99
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 99
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 11
- LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N lead tin Chemical compound [Sn].[Pb] LQBJWKCYZGMFEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 85
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 5
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
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- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
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- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
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- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
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- H01L2924/10155—Shape being other than a cuboid
- H01L2924/10156—Shape being other than a cuboid at the periphery
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- H01L2924/10158—Shape being other than a cuboid at the passive surface
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- H01L2924/1025—Semiconducting materials
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- H01L2924/10253—Silicon [Si]
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Abstract
【課題】制作コストが低下し、製造工程において崩れやクラックが生じることはなく、さらにダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
【解決手段】ウェハー製造工程の切断方法は、シリコンウェハーを用意し、シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、前記金属層にバンプ層が形成され、前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、前記シリコンウェハーの裏面に対してハーフカットし分割溝が形成される。次に、前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨した後、一部の分割溝のみが残され、バックグラインドテープを剥がし、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける。最後に、金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含む。
【選択図】図2
【解決手段】ウェハー製造工程の切断方法は、シリコンウェハーを用意し、シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、前記金属層にバンプ層が形成され、前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、前記シリコンウェハーの裏面に対してハーフカットし分割溝が形成される。次に、前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨した後、一部の分割溝のみが残され、バックグラインドテープを剥がし、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける。最後に、金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含む。
【選択図】図2
Description
本発明は、ウェハー製造工程に関し、特に、シリコンウェハーのウェハー製造工程の切断方法に関する。
従来、大量の集積回路は、シリコンウェハー10a(図1A、図1Bに示すように)に作り込まれており、さらに、集積回路の製作が完了したとき、またはシリコンウェハー10aにバンプを形成した後、シリコンウェハー10aを個々のダイ(チップ)に複数カットする必要がある。
従来のシリコンウェハー製造工程では、シリコンウェハー10aを切断する時に、いずれも表向きで切断作業を行うようになっている。シリコンウェハー10aの切断は、非常に精密的な技術であって、切断機の主軸回転数が約30000〜60000rpmであり、ダイとダイのピッチが極めて小さく(約2mil、1mil=1/1000インチ)、しかもダイはかなりもろいため、精度に対する要求は非常に高く(切断において205mmのウェハー内の切り痕のオフセット量は3μm以内)、また、ダイヤモンドブレードで切断しなければならない。切断手段として研削方式でダイを分割する。研削方式でダイを切断する際に、シリコンウェハー10aに削りくずが多く発生されるため、切断過程においてダイが汚染されないよう洗浄水で洗い流さなければいけない。
シリコンウェハー10aの切断過程では、上記問題以外に、切断過程全体において注意すべき事項も多く、例えば、ダイ全体が割断までに分割されなければいけないが、支持するダイシングテープ(接着テープ)を切断してはならない、切断時にダイとダイとの間のスクライブラインに沿って切断しなければならない、切断時にずれや蛇行することができない、または切断した後ダイの崩れやクラックなどが生じてはならないなどの注意事項がある。しかしながら、従来、切断過程において、まず刃身の厚いダイヤモンドブレード20aでシリコンウェハー10aをカットする。第1分割溝30aを形成する際に、図1Aのシリコンウェハー10aのb1の位置に崩れやクラックが生じやすい。次に、刃身の薄いダイヤモンドブレード40aを第1分割溝30aの底部まで挿入させてカットする。第2分割溝50aを形成する際に、図1Bのb2、b3の位置に崩れやクラックが生じやすく、しかもシリコンウェハー10aを支持するダイシングテープ(接着テープ)60aまでカットされてしまう恐れがある。
本発明は、上記従来の欠点を解決するためになされたもので、主な目的として、シリコンウェハーの裏面から切断してから研磨を行い、研磨した後にシリコンウェハーの表面から切断するか、または、先にシリコンウェハーの裏面を研磨し、そして裏面を切断し、シリコンウェハーの裏面で切断した後、表面で切断し、シリコンウェハーを複数のダイに分割していくかのように、シリコンウェハー製造工程における切断方法に対して改めて変更することにある。このようなシリコンウェハーの切断方法よって、コストが低下し、製造工程において崩れやクラックが生じることはなく、さらにダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
上記目的を達成するために、本発明は、
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第1分割溝が形成され、
前記第1分割溝が形成された後、第2ダイシングブレードを前記第1分割溝の底部に挿入させ、前記第1分割溝の底部に第2分割溝が形成され、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第2分割溝のみが残され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第2分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第1分割溝が形成され、
前記第1分割溝が形成された後、第2ダイシングブレードを前記第1分割溝の底部に挿入させ、前記第1分割溝の底部に第2分割溝が形成され、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第2分割溝のみが残され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第2分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
ここで、前記金属層は印刷技術で指輪状に形成される。
ここで、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成される。
ここで、第2分割溝の深さは、前記金属層に近い。
上記目的を達成するために、本発明は、さらに、
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、
前記シリコンウェハーの裏面でカットして分割溝が形成され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層上にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させすることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
シリコンウェハーを用意し、
シリコンウェハーの表面に金属層が形成され、
前記金属層にバンプ層が形成され、
前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられ、
前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、
前記シリコンウェハーの裏面でカットして分割溝が形成され、
バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付け、
金属層上にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させすることで、ダイの切断が完了することを含むウェハー製造工程の切断方法を提供する。
ここで、前記金属層は印刷技術で指輪状に形成される。
ここで、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成される。
ここで、前記分割溝の深さは、前記金属層に近い。
本発明の技術内容及び詳細な説明について、図面を参照しながら以下に説明する。
図2は、本発明に係るシリコンウェハーの製造工程のフローチャートであり、図3〜図10は、製造工程図である。図2、図3〜図10を参照すると、本発明のウェハー製造工程の切断方法は、まず、ステップ100において、シリコンウェハー1を用意する(図3に示すように)。
ステップ102において、シリコンウェハー1の表面に指輪状(seal ring)の金属層2を印刷する。
ステップ104において、金属層2が印刷された後、金属層2の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層3がバンプ形成技術で形成する(図3に示すように)。
ステップ106において、バンプ層3が作製された後、バンプ層3にバックグラインドテープ4を貼り付ける(図4に示すように)。
ステップ108において、バンプ層3にバックグラインドテープ4が貼り付けられた後、シリコンウェハー1を反転しハーフカット工程を行い、刃身の厚い第1ダイシングブレード(Blade−1)5でシリコンウェハー1の裏面にカットし第1分割溝11を形成する(図5に示すように)。
ステップ110において、第1分割溝11が形成された後、刃身の薄い第2ダイシングブレード(Blade−2)6を第1分割溝11の底部まで挿入させ、第1分割溝11の底部に金属層2に近い深さまで第2分割溝12を形成する(図6に示すように)。
ステップ112において、シリコンウェハー1の裏面に対して研磨機(図示せず)によって設計に応じる所要の厚さまで研磨を行い、該研磨と同時に、シリコンウェハー1の裏面における第1分割溝11を研磨、除去した後、シリコンウェハー1の裏面における第2分割溝12のみが残されている。製造プロセスにおいてシリコンウェハー1に既に生じられた削りくずや崩れ、蛇行などの欠陥も、該研磨によりシリコンウェハー1の裏面における不良面として研磨、除去することができる(図7に示すように)。
ステップ114において、シリコンウェハー1の裏面が研磨された後、バックグラインドテープ4を剥がし、さらにシリコンウェハー1の裏面にダイシングテープ7を貼り付ける(図8に示すように)。
ステップ116において、レーザカットを行い、レーザ8の切断により金属層2とシリコンウェハー1とを貫通して第2分割溝12に連通させると、シリコンウェハー1からダイへの切断が完了する(図9、図10に示すように)。
上記のシリコンウェハーの製造工程によって、制作コストが低下し、製造工程においてダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
図11は、本発明に係る他のシリコンウェハーの製造工程のフローチャートであり、図12〜図18は、製造工程図である。図に示すように、本発明のウェハー製造工程の他の切断方法は、ステップ200において、シリコンウェハー1を用意する(図12に示すように)。
ステップ202において、シリコンウェハー1の表面に指輪状(seal ring)の金属層2を印刷する。
ステップ204において、金属層2が印刷された後、金属層2の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層3がバンプ形成技術で形成する(図12に示すように)。
ステップ206において、バンプ層3が作製された後、バンプ層3にバックグラインドテープ4を貼り付ける(図13に示すように)。
ステップ208において、シリコンウェハー1の裏面に対して研磨機(図示せず)によって設計に応じる所要の厚さまで研磨を行う(図14に示すように)。
ステップ210において、シリコンウェハー1の裏面が研磨された後、ハーフカット工程を行い、ダイシングブレード9でシリコンウェハー1の裏面にカットして金属層2に近い深さまで分割溝91を形成する(図15に示すように)。
ステップ212において、シリコンウェハー1の裏面で切断した後、バックグラインドテープ4を剥がし、さらにシリコンウェハー1の裏面にダイシングテープ7を貼り付ける(図16に示すように)。
ステップ214において、レーザカットを行い、レーザ8の切断により金属層2とシリコンウェハー1とを貫通して分割溝91に連通させれば、シリコンウェハー1からダイへの切断が完了する(図17、図18に示すように)。
上記のシリコンウェハーの製造工程によって、制作コストが低下し、製造工程においてダイの上面または底部の削りくずを取り除くことができる。
以上のように、単に本発明の好ましい実施例にすぎず、本発明の特許請求の範囲を限定するものではなく、いずれの本発明の特許請求の範囲によって実施した等価な変形や補正が、本発明の主張範囲内に納入されるべきことは言うまでもないことである。
10a シリコンウェハー
20a ダイヤモンドブレード
30a 第1分割溝
40a ダイヤモンドブレード
50a 第2分割溝
60a ダイシングテープ
b1、b2、b3 位置
100〜116 ステップ
200〜214 ステップ
1 シリコンウェハー
2 金属層
3 バンプ層
4 バックグラインドテープ
5 第1ダイシングブレード
6 第2ダイシングブレード
7 ダイシングテープ
8 レーザ
9 ダイシングブレード
11 第1分割溝
12 第2分割溝
91 分割溝
20a ダイヤモンドブレード
30a 第1分割溝
40a ダイヤモンドブレード
50a 第2分割溝
60a ダイシングテープ
b1、b2、b3 位置
100〜116 ステップ
200〜214 ステップ
1 シリコンウェハー
2 金属層
3 バンプ層
4 バックグラインドテープ
5 第1ダイシングブレード
6 第2ダイシングブレード
7 ダイシングテープ
8 レーザ
9 ダイシングブレード
11 第1分割溝
12 第2分割溝
91 分割溝
Claims (8)
- a)シリコンウェハーを用意する工程と、
b)シリコンウェハーの表面に金属層が形成される工程と、
c)前記金属層にバンプ層が形成される工程と、
d)前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられる工程と、
e)前記シリコンウェハーの裏面に対してカットし第1分割溝が形成される工程と、
f)前記第1分割溝が形成された後、第2ダイシングブレードを前記第1分割溝の底部に挿入させ、前記第1分割溝の底部に第2分割溝が形成される工程と、
g)前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨し、研磨した後、前記シリコンウェハーの裏面に第2分割溝のみが残される工程と、
h)バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける工程と、
i)金属層にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記第2分割溝に連通させることで、ダイの切断が完了する工程と、を含むウェハー製造工程の切断方法。 - 前記工程bの金属層は印刷技術で指輪状に形成されることを特徴とする請求項1に記載の切断方法。
- 工程cにおいて、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成されることを特徴とする請求項2に記載の切断方法。
- 工程fの前記第2分割溝の深さは、前記金属層に近いことを特徴とする請求項3に記載の切断方法。
- a)シリコンウェハーを用意する工程と、
b)シリコンウェハーの表面に金属層が形成される工程と、
c)前記金属層にバンプ層が形成される工程と、
d)前記バンプ層にバックグラインドテープが貼り付けられる工程と、
e)前記シリコンウェハーの裏面に対して所定の厚さまで研磨する工程と、
f)前記シリコンウェハーの裏面でカットして分割溝が形成される工程と、
g)バックグラインドテープを剥がした後、シリコンウェハーの裏面にダイシングテープを貼り付ける工程と、
h)金属層上にレーザで切断し、前記金属層と前記シリコンウェハーとを貫通して前記分割溝に連通させすることで、ダイの切断が完了する工程と、を含むウェハー製造工程の切断方法。 - 前記工程bの金属層は印刷技術で指輪状に形成されることを特徴とする請求項5に記載の切断方法。
- 工程cにおいて、前記金属層の表面に錫鉛バンプからなるバンプ層がバンプ形成技術で形成されることを特徴とする請求項6に記載の切断方法。
- 工程fの前記分割溝の深さは、前記金属層に近いことを特徴とする請求項7に記載の切断方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW102109563A TW201438078A (zh) | 2013-03-18 | 2013-03-18 | 晶圓製程的切割方法 |
TW102109563 | 2013-03-18 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014183310A true JP2014183310A (ja) | 2014-09-29 |
Family
ID=51528936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013271950A Pending JP2014183310A (ja) | 2013-03-18 | 2013-12-27 | ウェハー製造工程の切断方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140273402A1 (ja) |
JP (1) | JP2014183310A (ja) |
CN (1) | CN104064517A (ja) |
TW (1) | TW201438078A (ja) |
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2013
- 2013-03-18 TW TW102109563A patent/TW201438078A/zh unknown
- 2013-11-18 CN CN201310578444.9A patent/CN104064517A/zh active Pending
- 2013-12-27 JP JP2013271950A patent/JP2014183310A/ja active Pending
-
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- 2014-01-16 US US14/156,995 patent/US20140273402A1/en not_active Abandoned
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201438078A (zh) | 2014-10-01 |
CN104064517A (zh) | 2014-09-24 |
US20140273402A1 (en) | 2014-09-18 |
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