JP2020031183A - ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法 - Google Patents

ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020031183A
JP2020031183A JP2018157395A JP2018157395A JP2020031183A JP 2020031183 A JP2020031183 A JP 2020031183A JP 2018157395 A JP2018157395 A JP 2018157395A JP 2018157395 A JP2018157395 A JP 2018157395A JP 2020031183 A JP2020031183 A JP 2020031183A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sheet
wafer
adhesive force
protective member
protection member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018157395A
Other languages
English (en)
Inventor
小林 真
Makoto Kobayashi
真 小林
一輝 椙浦
Kazuteru Kajiura
一輝 椙浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2018157395A priority Critical patent/JP2020031183A/ja
Priority to KR1020190088689A priority patent/KR20200023182A/ko
Priority to CN201910711029.3A priority patent/CN110858537A/zh
Priority to TW108129810A priority patent/TW202010008A/zh
Publication of JP2020031183A publication Critical patent/JP2020031183A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008Multistep processes
    • H01L21/0201Specific process step
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/185Joining of semiconductor bodies for junction formation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/27Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

【課題】デバイスの品質を低下させることのないウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法を提供する。【解決手段】本発明によれば、ウエーハ10の面に、シート状の保護部材22aを配設してウエーハ10を保護するウエーハの保護方法であって、保護部材22aの基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、 該シート20の面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、粘着力が生成されたシート20の面を、保護すべきウエーハ10の面(表面10a)に敷設し、押圧力を付与してウエーハ10の面10aにシート20を圧着するシート圧着工程と、から少なくとも構成されるウエーハの保護方法が提供される。【選択図】図2

Description

本発明は、ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材の生成方法に関する。
IC、LSI等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、研削装置によって裏面が研削されて所定の厚みに形成された後、ダイシング装置によって個々のデバイスに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
研削装置は、ウエーハを保護する保持面を有するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハの上面を研削する研削ホイールを回転可能に備えた研削手段と、研削砥石を研削送りする送り手段と、から少なくとも構成されていて、ウエーハを所望の厚みに加工することができる(例えば、特許文献1を参照。)。
また、チャックテーブルの保持面と、ウエーハの表面との接触によってウエーハの表面に形成された複数のデバイスに傷が付かないように、ウエーハの表面には、粘着糊を有する保護テープが貼着される。
特開2005−246491号公報
ウエーハの表面に貼着される保護テープは、研削加工が施された後、ウエーハの表面から剥離されるが、ウエーハから剥離すると、保護テープの粘着糊の一部がウエーハの表面に付着したまま残り、デバイスの品質を低下させるという問題がある。
また、レーザー加工装置やダイシング装置等の加工装置でウエーハを加工する場合、ウエーハを収容する開口を有する環状のフレームにウエーハを収容し、粘着テープでウエーハの裏面と該フレームとを貼着し、粘着テープを介してウエーハをフレームで支持した状態として、各加工装置に保持されて加工が施される。この粘着テープを介してフレームで支持されたウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、粘着テープからデバイスチップをピックアップすると、やはり、デバイスチップの裏面に粘着テープの糊剤の一部が付着して残り、デバイスチップの品質を低下させるという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、デバイスの品質を低下させることのないウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハの面に、シート状の保護部材を配設してウエーハを保護するウエーハの保護方法であって、保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、 該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面にシートを圧着するシート圧着工程と、から少なくとも構成されるウエーハの保護方法が提供される。
該ウエーハの保護方法の該粘着力生成工程においては、加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、該シートに粘着力を生成することが好ましい。
本発明によれば、シート状の保護部材であって、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートの面を加熱して、粘着力が生成された保護部材が提供される。
本発明によれば、シート状の保護部材生成方法であって、保護部材としてポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、から少なくとも構成されるシート状の保護部材の生成方法が提供される。
該保護部材の生成方法の該粘着力生成工程においては、加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融温度よりも低く、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、該シートに粘着力を生成することが好ましい。
本発明のウエーハの保護方法は、保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面にシートを圧着するシート圧着工程と、から少なくとも構成されることから、ウエーハの表面から保護部材を剥離しても粘着糊の一部がウエーハの表面に付着することがなく、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。また、該ウエーハの保護方法を、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際に、該保護部材を粘着テープとして使用した場合は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、粘着テープからデバイスチップをピックアップしてもデバイスチップの裏面に粘着糊の一部が付着することがなく、デバイスチップの品質を低下させるという問題が解消する。
本発明によって提供される保護部材、及び保護部材の生成方法によれば、ウエーハの表面から保護部材を剥離しても粘着糊の一部がウエーハの表面に付着することがなく、デバイスの品質を低下させるという問題が解消し、また、該保護部材、及び保護部材の生成方法を、ウエーハを個々のデバイスチップに分割する際の粘着テープとして機能する保護部材、及びその保護部材を生成する方法に適用した場合は、ウエーハを個々のデバイスチップに分割した後、粘着テープからデバイスチップをピックアップしてもデバイスチップの裏面に粘着糊の一部が付着することがなく、デバイスチップの品質を低下させるという問題が解消する。
保護部材の基材となるシートの全体斜視図である。 図1に示すシートに粘着力生成工程を施す態様を示す斜視図である。 保護部材が適用されるウエーハを準備する工程を示す斜視図である。 シート圧着工程の準備状態を示す斜視図である。 シート圧着工程の実施態様を示す斜視図である。 図5に示すシート圧着工程の後、保護部材をカットする態様を示す斜視図である。 保護部材が貼着されたウエーハを研削装置に搬入する状態を示す斜視図である。 図7に示すウエーハの裏面を研削する工程の実施態様を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態を示す図であり、(a)シート圧着工程の他の実施態様を示す斜視図、(b)シート切断工程の他の実施態様を示す斜視図、(c)(b)に示すシート切断工程を経てウエーハが粘着シートを介してフレームに支持された状態を示す斜視図である。
以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法に係る実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
本実施形態に係るウエーハの保護方法を実施するに際し、まず、本実施形態に用いられる保護部材の基材となるシートを準備するシート準備工程を実施する。
図1には、保護部材の基材となるシート20の斜視図が示されている。シート20は、保護部材として機能する際に保護対象となるウエーハの直径よりも大きい幅寸法に設定されている。シート20は、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから選択することが可能であり、本実施形態では、ポリオレフィン系のシートからポリエチレンシートが選択されている。図1は、まだ粘着性が生成されていない状態でシート20が芯A1に巻き取られたシートロール20Aから、その一部が矢印Xで示す方向に引き出され、その始端を芯A2に巻き取らせた状態を示している。シートロール20Aの芯A1、及び芯A2は、共に、保護部材生成装置(図示は省略している。)の図示しない支持部材に回転自在に支持されており、巻き取り側の芯A2には、図示しない回転駆動手段が配設され、作業者の図示しないスイッチ操作によりシート20を巻き取ることができる。シート20には、表面20a、裏面20bがあり、表面20aには、微小な凹凸、いわゆるシボ加工が付与されているのに対し、裏面20b側は平坦面である。
上記したように、保護部材の基材となるシート20を準備したならば、シート20に粘着力を生成して保護部材として機能する状態とする粘着力生成工程を実施する。以下に、図2を参照しながら、粘着力生成工程についてより具体的に説明する。
粘着力生成工程を実施するに際し、図2に示すように、シートロール20Aから所定の長さだけ引き出されたシート20の裏面20bの下方に、加熱手段30を位置付ける。加熱手段30は、ヒータ本体部32と、噴射部34とを備える。ヒータ本体部32には、図示しない加熱ヒータ、温度センサ、送風機構等が内蔵されている。噴射部34は、ヒータ本体部32から送られる熱風を噴射すべく円筒形状をなしており、ヒータ本体部32で生成された熱風Wは、噴射部34の噴射口34aから上方に向けて噴射される。この加熱手段30は、図示しない電源、及び制御装置に接続され、該温度センサを備えることにより、噴射口34aから噴射する熱風Wを所望の温度(本実施形態では300℃)に調整される。
加熱手段30を作動して、シート20の下面20bに向けて熱風Wを噴射すると、熱風Wが噴射口34aからシート20までの距離で冷やされる等して、シート20の所定の保護部材領域22が90〜110℃に加熱される。この90〜110℃の温度は、シート20として選択されたポリエチレンシートの溶融温度(120〜140℃)に至らず、溶解(流動化)しない温度であり、且つ、シート20に粘着力が生成される温度(粘着力生成温度)である。なお、粘着力生成工程を実施する作業現場の気温や、噴射口34aからシート20の裏面20bまでの距離等に応じて、シート20の温度が上記した粘着力生成温度になるように、加熱手段30から噴射される熱風Wの温度は適宜調整されてよい。なお、加熱手段30は、上記したような熱風を噴射して加熱する手段に限定されず、平板状に形成された発熱プレートをシート20に直接接触させて加熱する手段であってもよい。
シート20において粘着力生成温度に加熱される保護部材領域22は、少なくとも、保護部材が適用されるウエーハよりも大きな領域となるように設定されるが、シートロール20Aから引き出されて露出するシート20全体となるようにしても良い。噴射部34から熱風Wを噴きつけることができる面積が狭い場合は、シート20、加熱手段30のいずれかを適宜水平方向で移動させることにより、所望の保護部材領域22全体を加熱することができる。なお、図2、及び図4乃至6においては、説明の都合上、粘着力が生成された保護部材領域22を、粘着力が生成されない領域と区別できるように強調して示しているが、実際は粘着力が生成される保護部材領域22と、粘着力が生成されないその他の領域とで、明確に視認できるほどの変化があるわけではない。以上により、粘着力生成工程が完了し、シート20に粘着力が付与され、保護部材領域22が保護部材として機能する状態となる。つまり、上記シート準備工程、及び粘着力生成工程が、保護部材生成方法を構成する。
上記したように、シート20の面を加熱して、シート20に粘着力を生成したならば、粘着力が生成されたシート20の面(保護部材領域22)を、保護すべきウエーハ面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面にシートを圧着するシート圧着工程を実施する。以下に、図3乃至5を参照しながら、シート圧着工程について、より具体的に説明する。
シート圧着工程を実施するに際し、図3に示すように、研削加工に備えて保護部材を貼着する必要があるウエーハ10を用意する。ウエーハ10は、半導体基板からなり、複数のデバイス12が分割予定ライン14によって区画され表面10aに形成されている。このウエーハ10の表面10aが保護すべき面であることから、裏面10b側を下方に向け、シート圧着工程を実施するための保持テーブル40上に形成された通気性を有する吸着チャック42上にウエーハ10を載置する。保持テーブル40には、図示しない吸引手段が接続されており、該吸引手段を作動させることにより、保持テーブル40にウエーハ10を吸引保持する(ウエーハ準備工程)。なお、このウエーハ準備工程は、シート圧着工程の前に完了していればよく、粘着力形成工程の実施前、実施後いずれであってもよい。
保持テーブル40上にウエーハ10を保持したならば、図4に示すように、保護部材領域22の下方に位置付けられていた加熱手段30に替えて、ウエーハ10を保持した保持テーブル40を保護部材領域22の下方に位置付ける。保護部材領域22の下方に保持テーブル40を位置付けたならば、保持テーブル40に保持されたウエーハ10が、保護部材領域22の下面と接するようにシート20、又は保持テーブル40の高さを調整する。
保護部材領域22の下面にウエーハ10を位置付けたならば、図5に示す押圧ローラ50を保護部材領域22の上方に位置付ける。押圧ローラ50は、弾性を有する硬質ウレタンゴム等から構成されている。押圧ローラ50を保護部材領域22の上方に位置付けたならば、矢印Zで示す方向に下降させて保護部材領域22に押し当てて、押圧ローラ50を矢印R1で示す方向に回転させつつ、手前側端部から矢印Dで示す方向に移動させ、保護部材領域22をウエーハ10の表面10a全体に押圧して圧着する。このようにして、シート圧着工程が完了する。なお、上記したように、シート20の保護部材領域22は、予め加熱されて粘着力が生成されており、温度が低下しても粘着力が維持される。また、シート20の表面20a側には、微小な凹凸が形成されていることから、上記した粘着力生成工程が施され保護部材領域22に粘着力が付与されていても、押圧ローラ50にシート20が貼り付いてしまうことが防止される。以上のようにシート圧着工程が完了することで、ウエーハ10の表面10aがシート20の保護部材領域22によって保護された状態となる。
上記したシート圧着工程が完了したならば、後述する研削加工を考慮して、ウエーハ10の形状に合わせてシート20を切断するシート切断工程を実施する。以下に、図6を参照しながら、シート切断工程について説明する。
上記したシート圧着工程を実施したならば、図6に示すように、押圧ローラ50に替えて、円盤状のローラカッター52を保護部材領域22の上方であって、ウエーハ10の外周縁の上方に位置付ける。ローラカッター52をウエーハ10の外周縁上に位置付けたならば、次いで、ローラカッター52を矢印R2の方向に回転させながら、ウエーハ10の外縁に沿って移動させてシート20を円形状にカットする。以上により、シート切断工程が完了する。
上記したシート切断工程が完了したならば、保持テーブル40を下降させ、又は、シート20全体を上昇させて、シート20とウエーハ10を離反する。これにより、図7の上段に示すように、保護部材領域22のうち、ウエーハ10の外周縁に沿ってカットされた保護部材22aがウエーハ10に貼着された状態となる。なお、シート20から保護部材22aがカットされて切り離された後に、巻き取り側の芯A2を回転させて保護部材22aが切り出された領域を巻き取ることにより、シートローラ20Aから粘着力生成工程が施されていない領域を引き出して、再び粘着力生成工程を実施できる状態とすることができる。そして、上記した粘着力生成工程、シート圧着工程、及びシート切断工程を適宜繰り返すことにより、複数のウエーハ10に対して保護部材22aを配設することができる。
上記したように、保護部材22aがウエーハ10の表面10aに貼着された状態としたならば、ウエーハ10の裏面10bに対し研削加工を実施することができる。以下に、図7、図8を参照しながら、裏面研削加工について説明する。
ウエーハ10に対して裏面研削工程を実施するに際し、図7に示すように、ウエーハ10の保護部材22a側を下方に向け、裏面10bが上方に露出した状態で研削装置60(一部のみ示している。)のチャックテーブル62に載置する。チャックテーブル62の上面には、通気性を有する吸着チャック62aが形成されており、図示しない吸引手段に接続されている。該吸引手段を作動させることにより、チャックテーブル62に載置されたウエーハ10を、保護部材22aを介して吸引保持する。
図8に示すように、研削装置60は、チャックテーブル62上に吸引保持されたウエーハ10の裏面10bを研削して薄化するための研削手段70を備えている。研削手段70は、図示しない回転駆動機構により回転させられる回転スピンドル72と、回転スピンドル72の下端に装着されたマウンター74と、マウンター74の下面に取り付けられる研削ホイール76とを備え、研削ホイール76の下面には複数の研削砥石78が環状に配設されている。
ウエーハ10をチャックテーブル62上に吸引保持したならば、研削手段70の回転スピンドル72を図8において矢印R3で示す方向に、例えば3000rpmで回転させつつ、チャックテーブル62を矢印R4で示す方向に、例えば300rpmで回転させる。そして、図示しない研削水供給手段により、研削水をウエーハ10の裏面10b上に供給しつつ、研削砥石78をウエーハ10の裏面10bに接触させ、研削ホイール76を、例えば1μm/秒の研削送り速度で下方に向けて研削送りする。この際、図示しない接触式の測定ゲージによりウエーハ10の厚みを測定しながら研削を進めることができ、ウエーハ10の裏面10bを所定量研削し、ウエーハ10を所定の厚さとしたならば、研削手段70を停止し、洗浄、乾燥工程等を経て、ウエーハ10の裏面10bを研削する裏面研削加工が完了する。
上記した裏面研削加工が完了したならば、保護部材22aを、ウエーハ10の表面10aから剥離する(保護部材剥離工程)。該保護部材剥離工程が完了したならば、適宜、次工程(分割工程等)に搬送するか、又は裏面加工済のウエーハ10を収容する収納容器等に搬送して収納する。本実施形態では、上記したように、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートの中から選択されたポリエチレンシートを加熱することにより粘着力が付与された保護部材22aが生成されており、保護部材22aとウエーハ10の表面10aとは、粘着糊等を介することなく貼着されている。これにより、ウエーハ10の表面10aから保護部材22aを剥離しても、粘着糊等の一部がウエーハの表面に付着することなく、デバイスの品質を低下させる等の問題が解消する。
本発明によれば、上記した実施形態に限定されず、種々の変形例が提供される。上記した実施形態では、ポリエチレンシートの面を加熱して粘着力が生成された保護部材22aを、裏面研削加工が施されるウエーハ10の表面10aを保護する保護部材22aとして使用する例を示したが、本発明はこれに限定されない。他の実施形態としては、ウエーハを収容する開口を有する環状のフレームにウエーハを収容し、粘着テープでウエーハの裏面と該フレームとを貼着し、該粘着テープを介してウエーハをフレームで支持した状態とする場合の粘着テープを、本発明により提供される保護部材とすることができる。以下に、図9を参照しながら、この他の実施形態について説明する。
図9(a)には、ウエーハ10の裏面10b上に粘着テープとして機能する保護部材を圧着するシート圧着工程の実施態様を示す斜視図が示されている。図9(a)に示されたシート20’は、ポリエチレンシートであり、上記した粘着力生成工程が施されて、全体に粘着力が付与されており、シート圧着工程を実施する保持テーブル80全体を覆うことができる大きさにカットされて、保護部材24を形成している。保持テーブル80の上面82は平坦面で形成されており、ウエーハ10を収容可能な開口を有する環状フレームF全体が載置可能な寸法で設定されている。
シート圧着工程を実施するに際し、図9(a)に示すように、保持テーブル80の上面82には、開口Faを有する環状のフレームFと、該開口Faに収容され、裏面10bが上方に向けられたウエーハ10と、が載置される。保持テーブル80上には、ウエーハ10とフレームFとを覆うように、上記保護部材24が敷設され、図5に基づき説明したシート圧着工程と同様に、押圧ローラ50’を回転させて矢印Dに示す方向に移動させることにより、保護部材24を挟んでウエーハ10及びフレームFの全体に押圧力が付与されて、フレームF、及びウエーハ10に保護部材24が圧着される。以上により、シート圧着工程が完了する。
上記したように、シート圧着工程が完了したならば、図9(b)に示すように、ローラカッター52を使用して、フレームF上のラインLに沿って、保護部材24を円形にカットし、円形に整えられた保護部材24aを残し、余分な外周部を除去する(シート切断工程)。図9(c)は、シート切断工程を終え、フレームFに支持されたウエーハ10を裏返し、ウエーハ10の表面10aを上方に露出した状態を示しており、図から理解されるように、粘着テープとして機能する保護部材24aで、ウエーハ10の裏面10bとフレームFとを貼着し、保護部材24aを介してウエーハ10がフレームFで保持された状態となる。このようにして、保護部材24aを介してウエーハ10がフレームFで保持された状態としたならば、適宜図示しないレーザー加工装置、ダイシング装置等に搬送されて分割加工等が施される。このような実施形態によっても、粘着糊等を使用せず、粘着テープとして機能する保護部材24aによってウエーハ10の裏面10bが保護され、且つ分割工程が良好に実施できる。そして、ウエーハ10が、個々のデバイスチップに分割された後、デバイスチップ毎にピックアップしても、デバイスチップの裏面に粘着糊等の一部が付着したりすることがなく、デバイスチップの品質が低下する等の問題が解消する。
上記した実施形態では、保護部材の基材となるシート20として、ポリエチレンシートを選択したが、これに限定されず、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから適宜選択することができる。ポリオレフィン系のシートから選択する場合は、上記したポリエチレンシートの他に、例えば、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートを選択することができる。また、ポリエステル系のシートから選択する場合は、例えば、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートから選択することができる。
上記した保護部材の基材となるシート20として、ポリエチレンシート以外のシートを選択する場合は、シート20自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される温度がシートの材質に応じて異なることから、粘着力生成工程においてシート20を加熱する際の目標温度を、選択するシートに応じて調整する。例えば、溶融温度が160〜180℃であるポリプロピレンシートをシート20として選択した場合は、シート20が130〜150℃程度になるように加熱する。また、溶融温度が220〜240℃であるポリスチレンシートをシート20として選択した場合は、シート20が190〜210℃程度になるように加熱する。同様に、溶融温度が250〜270℃であるポリエチレンテレフタレートシートをシート20として選択した場合は220〜240℃程度に、溶融温度160〜180℃のポリエチレンナフタレートシートをシート20として選択した場合は130〜150℃程度になるようにシート20を加熱するとよい。上記したように、保護部材の基材となるシート20は、製品によって適切な粘着力が生成される温度が異なるため、粘着力生成工程においてシートを加熱する際の目標温度は、実際に選択するシートの溶融温度を考慮しながら、粘着力が適切に生成される温度を実験により決定することが好ましい。
上記した実施形態では、シート20の所定の領域に対して粘着力生成工程を施して保護部材領域22を形成し、保護部材領域22を形成した後、シート圧着工程、及びシート切断工程を実施して、ウエーハ10の形状に沿って保護部材22aとなる領域をカットしてウエーハ10上に配設する手順を説明し、これらの工程を適宜繰り返すことにより、複数のウエーハ10に対して保護部材22aを配設する旨を説明した。しかし、本発明はこれに限定されず、例えば、図2に基づいて説明した粘着力生成工程を、シートロール20Aに巻き取られているシート20を引き出し芯A2に巻き取りながら、シート20の始端から終端まで、連続して施すことも可能である。シート20を加熱することにより付与される粘着力は、温度が低下しても維持されるが、シート20の上面20aには、凹凸加工(シボ加工)が施されているため、粘着力が付与された後にシート20を巻き取った後もシート20の重なった部分が固着することがない。このように、予めシート20全体に対して粘着力を付与しておくことで、ウエーハ10に対して保護部材22aを圧着するシート圧着工程を、粘着力生成工程を挟むことなく、連続して実施することができる。
10:ウエーハ
12:デバイス
14:分割予定ライン
20:シート
20A:シートロール
22:保護部材領域
22a:保護部材
24:保護部材
30:加熱手段
32:ヒータ本体部
34:噴射部
40:保持テーブル
52:ローラカッター
60:研削装置
70:研削手段

Claims (5)

  1. ウエーハの面に、シート状の保護部材を配設してウエーハを保護するウエーハの保護方法であって、
    保護部材の基材となるポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、
    該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、
    粘着力が生成されたシートの面を、保護すべきウエーハの面に敷設し、押圧力を付与してウエーハの面にシートを圧着するシート圧着工程と、
    から少なくとも構成されるウエーハの保護方法。
  2. 該粘着力生成工程において、加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融させることなく、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、該シートに粘着力を生成する請求項1のウエーハの保護方法。
  3. シート状の保護部材であって、
    ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートの面を加熱して、粘着力が生成された保護部材。
  4. シート状の保護部材生成方法であって、
    保護部材としてポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートを準備するシート準備工程と、
    該シートの面を加熱して粘着力を生成する粘着力生成工程と、
    から少なくとも構成されるシート状の保護部材の生成方法。
  5. 該粘着力生成工程において、加熱手段から熱風を噴射してシートの面に吹付け、シート自体を溶融温度よりも低く、且つ粘着力が付与される温度に加熱して、該シートに粘着力を生成する請求項4に記載のシート状の保護部材の生成方法。
JP2018157395A 2018-08-24 2018-08-24 ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法 Pending JP2020031183A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018157395A JP2020031183A (ja) 2018-08-24 2018-08-24 ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法
KR1020190088689A KR20200023182A (ko) 2018-08-24 2019-07-23 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법
CN201910711029.3A CN110858537A (zh) 2018-08-24 2019-08-02 晶片的保护方法、保护部件和保护部件的生成方法
TW108129810A TW202010008A (zh) 2018-08-24 2019-08-21 晶圓保護方法、保護構件以及保護構件生成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018157395A JP2020031183A (ja) 2018-08-24 2018-08-24 ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020031183A true JP2020031183A (ja) 2020-02-27

Family

ID=69622832

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018157395A Pending JP2020031183A (ja) 2018-08-24 2018-08-24 ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2020031183A (ja)
KR (1) KR20200023182A (ja)
CN (1) CN110858537A (ja)
TW (1) TW202010008A (ja)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP2004186240A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け装置及び方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2005191296A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
JP2007165636A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Nippon Zeon Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2008166459A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Tateyama Machine Kk 保護テープ貼付方法と装置
JP2009266909A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2013219175A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2015126183A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日東精機株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005246491A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びウェーハの研削方法
KR101756767B1 (ko) * 2014-01-22 2017-07-12 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성 필름, 보호막 형성용 시트, 보호막 형성용 복합 시트 및 가공물의 제조 방법
JP6461892B2 (ja) * 2016-12-06 2019-01-30 リンテック株式会社 表面保護シート

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP2004186240A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Fujitsu Ltd フィルム貼り付け装置及び方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2005191296A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
JP2007165636A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Nippon Zeon Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2008166459A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Tateyama Machine Kk 保護テープ貼付方法と装置
JP2009266909A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Lintec Corp シート貼付装置及び貼付方法
JP2013219175A (ja) * 2012-04-09 2013-10-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JP2015126183A (ja) * 2013-12-27 2015-07-06 日東精機株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202010008A (zh) 2020-03-01
KR20200023182A (ko) 2020-03-04
CN110858537A (zh) 2020-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10916466B2 (en) Wafer uniting method
KR20210054986A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
JP7317483B2 (ja) ウエーハの加工方法
TWI813674B (zh) 晶圓的加工方法
JP2020031183A (ja) ウエーハの保護方法、保護部材、及び保護部材生成方法
JP7173792B2 (ja) ウエーハの保護方法
JP7374657B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7317482B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2022141003A (ja) 板状物の処理方法
JP2018006618A (ja) 拡張装置及び拡張方法
JP7461118B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2022027441A (ja) ウエーハの加工方法、保護シート、及び保護シート敷設方法
CN114068381A (zh) 晶片的加工方法、保护片以及保护片敷设方法
US20240312824A1 (en) Processing method of wafer
US11651989B2 (en) Wafer transferring method
JP2021185591A (ja) ウエーハの加工方法
JP7404109B2 (ja) 一体化方法
JP2023080511A (ja) ウエーハの処理方法
TW202410229A (zh) 保護構件的設置方法
JP2022089324A (ja) 保護テープ剥離方法
JP2023044958A (ja) シート接着装置
JP2024020825A (ja) チップの処理方法
JP2024004777A (ja) マスクの形成方法
KR20230127151A (ko) 열 압착 시트
JP2024044603A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210616

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220630

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220726

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230131