KR20200023182A - 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법 - Google Patents

웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법 Download PDF

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마코토 고바야시
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 디바이스의 품질을 저하시키지 않는 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법을 제공한다.
(해결 수단) 본 발명에 의하면, 웨이퍼 (10) 의 면에, 시트상의 보호 부재 (22a) 를 배치 형성하여 웨이퍼 (10) 를 보호하는 웨이퍼의 보호 방법으로서, 보호 부재 (22a) 의 기재가 되는 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과, 그 시트 (20) 의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정과, 점착력이 생성된 시트 (20) 의 면을, 보호해야 하는 웨이퍼 (10) 의 면 (표면 (10a)) 에 부설하고, 가압력을 부여하여 웨이퍼 (10) 의 면 (10a) 에 시트 (20) 를 압착하는 시트 압착 공정으로 적어도 구성되는 웨이퍼의 보호 방법이 제공된다.

Description

웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법{METHOD FOR PROTECTING A WAFER, A PROTECTIVE MEMBER, AND METHOD FOR PRODUCING THE PROTECTIVE MEMBER}
본 발명은, 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재의 생성 방법에 관한 것이다.
IC, LSI 등의 복수의 디바이스가 분할 예정 라인에 의해 구획되어 표면에 형성된 웨이퍼는, 연삭 장치에 의해 이면이 연삭되어 소정의 두께로 형성된 후, 다이싱 장치에 의해 개개의 디바이스로 분할되어 휴대 전화, PC 등의 전기 기기에 이용된다.
연삭 장치는, 웨이퍼를 보호하는 유지면을 갖는 척 테이블과, 그 척 테이블에 유지된 웨이퍼의 상면을 연삭하는 연삭휠을 회전 가능하게 구비한 연삭 수단과, 연삭 지석을 연삭 이송하는 이송 수단으로 적어도 구성되어 있어, 웨이퍼를 원하는 두께로 가공할 수 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 을 참조).
또, 척 테이블의 유지면과, 웨이퍼의 표면의 접촉에 의해 웨이퍼의 표면에 형성된 복수의 디바이스에 흠집이 나지 않도록, 웨이퍼의 표면에는, 점착풀을 갖는 보호 테이프가 첩착된다.
일본 공개특허공보 2005-246491호
웨이퍼의 표면에 첩착되는 보호 테이프는, 연삭 가공이 실시된 후, 웨이퍼의 표면으로부터 박리되는데, 웨이퍼로부터 박리하면, 보호 테이프의 점착풀의 일부가 웨이퍼의 표면에 부착된 채로 남아, 디바이스의 품질을 저하시킨다는 문제가 있다.
또, 레이저 가공 장치나 다이싱 장치 등의 가공 장치로 웨이퍼를 가공하는 경우, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상의 프레임에 웨이퍼를 수용하고, 점착 테이프로 웨이퍼의 이면과 그 프레임을 첩착하고, 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 프레임으로 지지한 상태로 하여, 각 가공 장치에 유지되어 가공이 실시된다. 이 점착 테이프를 개재하여 프레임으로 지지된 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후, 점착 테이프로부터 디바이스 칩을 픽업하면, 역시 디바이스 칩의 이면에 점착 테이프의 풀제의 일부가 부착되어 남아, 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 있다.
본 발명은, 상기 사실을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술 과제는, 디바이스의 품질을 저하시키지 않는 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법을 제공하는 것에 있다.
상기 주된 기술 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 의하면, 웨이퍼의 면에, 시트상의 보호 부재를 배치 형성하여 웨이퍼를 보호하는 웨이퍼의 보호 방법으로서, 보호 부재의 기재가 되는 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과, 그 시트의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정과, 점착력이 생성된 시트의 면을, 보호해야 하는 웨이퍼의 면에 부설하고, 가압력을 부여하여 웨이퍼의 면에 시트를 압착하는 시트 압착 공정으로 적어도 구성되는 웨이퍼의 보호 방법이 제공된다.
그 웨이퍼의 보호 방법의 그 점착력 생성 공정에 있어서는, 가열 수단으로부터 열풍을 분사하여 시트의 면에 내뿜어, 시트 자체를 용융시키지 않고, 또한 점착력이 부여되는 온도로 가열하여, 그 시트에 점착력을 생성하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 시트상의 보호 부재로서, 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트의 면을 가열하여, 점착력이 생성된 보호 부재가 제공된다.
본 발명에 의하면, 시트상의 보호 부재 생성 방법으로서, 보호 부재로서 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과, 그 시트의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정으로 적어도 구성되는 시트상의 보호 부재의 생성 방법이 제공된다.
그 보호 부재의 생성 방법의 그 점착력 생성 공정에 있어서는, 가열 수단으로부터 열풍을 분사하여 시트의 면에 내뿜어, 시트 자체를 용융 온도보다 낮고, 또한 점착력이 부여되는 온도로 가열하여, 그 시트에 점착력을 생성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 웨이퍼의 보호 방법은, 보호 부재의 기재가 되는 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과, 그 시트의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정과, 점착력이 생성된 시트의 면을, 보호해야 하는 웨이퍼의 면에 부설하고, 가압력을 부여하여 웨이퍼의 면에 시트를 압착하는 시트 압착 공정으로 적어도 구성되는 점에서, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 부재를 박리해도 점착풀의 일부가 웨이퍼의 표면에 부착되지 않아, 디바이스의 품질을 저하시킨다는 문제가 해소된다. 또, 그 웨이퍼의 보호 방법을, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할할 때에, 그 보호 부재를 점착 테이프로서 사용한 경우에는, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후, 점착 테이프로부터 디바이스 칩을 픽업해도 디바이스 칩의 이면에 점착풀의 일부가 부착되지 않아, 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 해소된다.
본 발명에 의해 제공되는 보호 부재, 및 보호 부재의 생성 방법에 의하면, 웨이퍼의 표면으로부터 보호 부재를 박리해도 점착풀의 일부가 웨이퍼의 표면에 부착되지 않아, 디바이스의 품질을 저하시킨다는 문제가 해소되고, 또, 그 보호 부재, 및 보호 부재의 생성 방법을, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할할 때의 점착 테이프로서 기능하는 보호 부재, 및 그 보호 부재를 생성하는 방법에 적용한 경우에는, 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할한 후, 점착 테이프로부터 디바이스 칩을 픽업해도 디바이스 칩의 이면에 점착풀의 일부가 부착되지 않아, 디바이스 칩의 품질을 저하시킨다는 문제가 해소된다.
도 1 은, 보호 부재의 기재가 되는 시트의 전체 사시도이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 시트에 점착력 생성 공정을 실시하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 3 은, 보호 부재가 적용되는 웨이퍼를 준비하는 공정을 나타내는 사시도이다.
도 4 는, 시트 압착 공정의 준비 상태를 나타내는 사시도이다.
도 5 는, 시트 압착 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 6 은, 도 5 에 나타내는 시트 압착 공정의 후, 보호 부재를 커트하는 양태를 나타내는 사시도이다.
도 7 은, 보호 부재가 첩착된 웨이퍼를 연삭 장치에 반입하는 상태를 나타내는 사시도이다.
도 8 은, 도 7 에 나타내는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 공정의 실시양태를 나타내는 사시도이다.
도 9 는, 본 발명의 다른 실시형태를 나타내는 도면으로서, (a) 는 시트 압착 공정의 다른 실시양태를 나타내는 사시도, (b) 는 시트 절단 공정의 다른 실시양태를 나타내는 사시도, (c) 는 (b) 에 나타내는 시트 절단 공정을 거쳐 웨이퍼가 점착 시트를 개재하여 프레임에 지지된 상태를 나타내는 사시도이다.
이하, 본 발명에 기초하여 구성되는 웨이퍼의 보호 방법, 보호 부재, 및 보호 부재 생성 방법에 관련된 실시형태에 대해, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
본 실시형태에 관련된 웨이퍼의 보호 방법을 실시할 때에, 먼저, 본 실시형태에 사용되는 보호 부재의 기재가 되는 시트를 준비하는 시트 준비 공정을 실시한다.
도 1 에는, 보호 부재의 기재가 되는 시트 (20) 의 사시도가 나타나 있다. 시트 (20) 는, 보호 부재로서 기능할 때에 보호 대상이 되는 웨이퍼의 직경보다 큰 폭 치수로 설정되어 있다. 시트 (20) 는, 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트로부터 선택하는 것이 가능하며, 본 실시형태에서는, 폴리올레핀계의 시트로부터 폴리에틸렌 시트가 선택되어 있다. 도 1 은, 아직 점착성이 생성되어 있지 않은 상태에서 시트 (20) 가 심 (A1) 에 권취된 시트 롤 (20A) 로부터, 그 일부가 화살표 X 로 나타내는 방향으로 인출되고, 그 시단을 심 (A2) 에 권취시킨 상태를 나타내고 있다. 시트 롤 (20A) 의 심 (A1), 및 심 (A2) 은, 모두 보호 부재 생성 장치 (도시는 생략하고 있다) 의 도시하지 않는 지지 부재에 자유롭게 회전할 수 있도록 지지되어 있고, 권취측의 심 (A2) 에는, 도시하지 않는 회전 구동 수단이 배치 형성되고, 작업자의 도시하지 않는 스위치 조작에 의해 시트 (20) 를 권취할 수 있다. 시트 (20) 에는, 표면 (20a), 이면 (20b) 이 있고, 표면 (20a) 에는, 미소한 요철, 이른바 엠보스 가공이 부여되어 있는 반면, 이면 (20b) 측은 평탄면이다.
상기한 바와 같이, 보호 부재의 기재가 되는 시트 (20) 를 준비하였다면, 시트 (20) 에 점착력을 생성하여 보호 부재로서 기능하는 상태로 하는 점착력 생성 공정을 실시한다. 이하에, 도 2 를 참조하면서, 점착력 생성 공정에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
점착력 생성 공정을 실시할 때에, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 시트 롤 (20A) 로부터 소정의 길이만큼 인출된 시트 (20) 의 이면 (20b) 의 하방에, 가열 수단 (30) 을 위치시킨다. 가열 수단 (30) 은, 히터 본체부 (32) 와, 분사부 (34) 를 구비한다. 히터 본체부 (32) 에는, 도시하지 않는 가열 히터, 온도 센서, 송풍 기구 등이 내장되어 있다. 분사부 (34) 는, 히터 본체부 (32) 로부터 이송되는 열풍을 분사하기 위해 원통 형상을 이루고 있고, 히터 본체부 (32) 에서 생성된 열풍 (W) 은, 분사부 (34) 의 분사구 (34a) 로부터 상방을 향하여 분사된다. 이 가열 수단 (30) 은, 도시하지 않는 전원, 및 제어 장치에 접속되고, 그 온도 센서를 구비함으로써, 분사구 (34a) 로부터 분사하는 열풍 (W) 이 원하는 온도 (본 실시형태에서는 300 ℃) 로 조정된다.
가열 수단 (30) 을 작동하여, 시트 (20) 의 하면 (20b) 을 향하여 열풍 (W) 을 분사하면, 열풍 (W) 이 분사구 (34a) 에서 시트 (20) 까지의 거리에서 식혀지거나 하여, 시트 (20) 의 소정의 보호 부재 영역 (22) 이 90 ∼ 110 ℃ 로 가열된다. 이 90 ∼ 110 ℃ 의 온도는, 시트 (20) 로서 선택된 폴리에틸렌 시트의 용융 온도 (120 ∼ 140 ℃) 에 이르지 않아, 용해 (유동화) 되지 않는 온도이고, 또한, 시트 (20) 에 점착력이 생성되는 온도 (점착력 생성 온도) 이다. 또한, 점착력 생성 공정을 실시하는 작업 현장의 기온이나, 분사구 (34a) 에서 시트 (20) 의 이면 (20b) 까지의 거리 등에 따라, 시트 (20) 의 온도가 상기한 점착력 생성 온도가 되도록, 가열 수단 (30) 으로부터 분사되는 열풍 (W) 의 온도는 적절히 조정되면 된다. 또한, 가열 수단 (30) 은, 상기한 바와 같은 열풍을 분사하여 가열하는 수단에 한정되지 않고, 평판상으로 형성된 발열 플레이트를 시트 (20) 에 직접 접촉시켜 가열하는 수단이어도 된다.
시트 (20) 에 있어서 점착력 생성 온도로 가열되는 보호 부재 영역 (22) 은, 적어도 보호 부재가 적용되는 웨이퍼보다 큰 영역이 되도록 설정되지만, 시트 롤 (20A) 로부터 인출되어 노출되는 시트 (20) 전체가 되도록 해도 된다. 분사부 (34) 로부터 열풍 (W) 을 분사할 수 있는 면적이 좁은 경우에는, 시트 (20), 가열 수단 (30) 중 어느 것을 적절히 수평 방향에서 이동시킴으로써, 원하는 보호 부재 영역 (22) 전체를 가열할 수 있다. 또한, 도 2, 및 도 4 내지 6 에 있어서는, 설명의 형편상, 점착력이 생성된 보호 부재 영역 (22) 을, 점착력이 생성되지 않는 영역과 구별할 수 있도록 강조하여 나타내고 있지만, 실제로는 점착력이 생성되는 보호 부재 영역 (22) 과, 점착력이 생성되지 않는 그 밖의 영역에서, 명확하게 시인할 수 있을 정도의 변화가 있는 것은 아니다. 이상에 의해, 점착력 생성 공정이 완료되고, 시트 (20) 에 점착력이 부여되어, 보호 부재 영역 (22) 이 보호 부재로서 기능하는 상태가 된다. 요컨대, 상기 시트 준비 공정, 및 점착력 생성 공정이, 보호 부재 생성 방법을 구성한다.
상기한 바와 같이, 시트 (20) 의 면을 가열하여, 시트 (20) 에 점착력을 생성하였다면, 점착력이 생성된 시트 (20) 의 면 (보호 부재 영역 (22)) 을, 보호해야 하는 웨이퍼면에 부설하고, 가압력을 부여하여 웨이퍼의 면에 시트를 압착하는 시트 압착 공정을 실시한다. 이하에, 도 3 내지 5 를 참조하면서, 시트 압착 공정에 대해 보다 구체적으로 설명한다.
시트 압착 공정을 실시할 때해, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 연삭 가공에 대비하여 보호 부재를 첩착할 필요가 있는 웨이퍼 (10) 를 준비한다. 웨이퍼 (10) 는, 반도체 기판으로 이루어지고, 복수의 디바이스 (12) 가 분할 예정 라인 (14) 에 의해 구획되어 표면 (10a) 에 형성되어 있다. 이 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 이 보호해야 하는 면인 점에서, 이면 (10b) 측을 하방을 향하게 하고, 시트 압착 공정을 실시하기 위한 유지 테이블 (40) 상에 형성된 통기성을 갖는 흡착 척 (42) 상에 웨이퍼 (10) 를 재치한다. 유지 테이블 (40) 에는, 도시하지 않는 흡인 수단이 접속되어 있고, 그 흡인 수단을 작동시킴으로써, 유지 테이블 (40) 에 웨이퍼 (10) 를 흡인 유지한다 (웨이퍼 준비 공정). 또한, 이 웨이퍼 준비 공정은, 시트 압착 공정 전에 완료되어 있으면 되고, 점착력 형성 공정의 실시 전, 실시 후 중 어느 것이어도 된다.
유지 테이블 (40) 상에 웨이퍼 (10) 를 유지하였다면, 도 4 에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 영역 (22) 의 하방에 위치되어 있었던 가열 수단 (30) 을 대신하여, 웨이퍼 (10) 를 유지한 유지 테이블 (40) 을 보호 부재 영역 (22) 의 하방에 위치시킨다. 보호 부재 영역 (22) 의 하방에 유지 테이블 (40) 을 위치시켰다면, 유지 테이블 (40) 에 유지된 웨이퍼 (10) 가, 보호 부재 영역 (22) 의 하면과 접하도록 시트 (20), 또는 유지 테이블 (40) 의 높이를 조정한다.
보호 부재 영역 (22) 의 하면에 웨이퍼 (10) 를 위치시켰다면, 도 5 에 나타내는 가압 롤러 (50) 를 보호 부재 영역 (22) 의 상방에 위치시킨다. 가압 롤러 (50) 는, 탄성을 갖는 경질 우레탄 고무 등으로 구성되어 있다. 가압 롤러 (50) 를 보호 부재 영역 (22) 의 상방에 위치시켰다면, 화살표 Z 로 나타내는 방향으로 하강시켜 보호 부재 영역 (22) 에 바짝 대고, 가압 롤러 (50) 를 화살표 R1 로 나타내는 방향으로 회전시키면서, 앞쪽 단부로부터 화살표 D 로 나타내는 방향으로 이동시켜, 보호 부재 영역 (22) 을 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 전체에 가압하여 압착한다. 이와 같이 하여, 시트 압착 공정이 완료된다. 또한, 상기한 바와 같이, 시트 (20) 의 보호 부재 영역 (22) 은, 미리 가열되어 점착력이 생성되어 있어, 온도가 저하되어도 점착력이 유지된다. 또, 시트 (20) 의 표면 (20a) 측에는, 미소한 요철이 형성되어 있는 점에서, 상기한 점착력 생성 공정이 실시되어 보호 부재 영역 (22) 에 점착력이 부여되어 있어도, 가압 롤러 (50) 에 시트 (20) 가 첩부되어 버리는 것이 방지된다. 이상과 같이 시트 압착 공정이 완료됨으로써, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 이 시트 (20) 의 보호 부재 영역 (22) 에 의해 보호된 상태가 된다.
상기한 시트 압착 공정이 완료되었다면, 후술하는 연삭 가공을 고려하여, 웨이퍼 (10) 의 형상에 맞추어 시트 (20) 를 절단하는 시트 절단 공정을 실시한다. 이하에, 도 6 을 참조하면서, 시트 절단 공정에 대해 설명한다.
상기한 시트 압착 공정을 실시하였다면, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 가압 롤러 (50) 를 대신하여, 원반상의 롤러 커터 (52) 를 보호 부재 영역 (22) 의 상방으로서, 웨이퍼 (10) 의 외주연의 상방에 위치시킨다. 롤러 커터 (52) 를 웨이퍼 (10) 의 외주연 상에 위치시켰다면, 이어서, 롤러 커터 (52) 를 화살표 R2 의 방향으로 회전시키면서, 웨이퍼 (10) 의 외연을 따라 이동시켜 시트 (20) 를 원 형상으로 커트한다. 이상에 의해, 시트 절단 공정이 완료된다.
상기한 시트 절단 공정이 완료되었다면, 유지 테이블 (40) 을 하강시키거나, 또는, 시트 (20) 전체를 상승시켜, 시트 (20) 와 웨이퍼 (10) 를 이반시킨다. 이로써, 도 7 의 상단에 나타내는 바와 같이, 보호 부재 영역 (22) 중, 웨이퍼 (10) 의 외주연을 따라 커트된 보호 부재 (22a) 가 웨이퍼 (10) 에 첩착된 상태가 된다. 또한, 시트 (20) 로부터 보호 부재 (22a) 가 커트되어 분리된 후에, 권취측의 심 (A2) 을 회전시켜 보호 부재 (22a) 가 잘라내어진 영역을 권취함으로써, 시트 롤러 (20A) 로부터 점착력 생성 공정이 실시되어 있지 않은 영역을 인출하여, 다시 점착력 생성 공정을 실시할 수 있는 상태로 할 수 있다. 그리고, 상기한 점착력 생성 공정, 시트 압착 공정, 및 시트 절단 공정을 적절히 반복함으로써, 복수의 웨이퍼 (10) 에 대해 보호 부재 (22a) 를 배치 형성할 수 있다.
상기한 바와 같이, 보호 부재 (22a) 가 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 에 첩착된 상태로 하였다면, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 대해 연삭 가공을 실시할 수 있다. 이하에, 도 7, 도 8 을 참조하면서, 이면 연삭 가공에 대해 설명한다.
웨이퍼 (10) 에 대해 이면 연삭 공정을 실시할 때에, 도 7 에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼 (10) 의 보호 부재 (22a) 측을 하방을 향하게 하고, 이면 (10b) 이 상방에 노출된 상태에서 연삭 장치 (60) (일부만 나타내고 있다) 의 척 테이블 (62) 에 재치한다. 척 테이블 (62) 의 상면에는, 통기성을 갖는 흡착 척 (62a) 이 형성되어 있고, 도시하지 않는 흡인 수단에 접속되어 있다. 그 흡인 수단을 작동시킴으로써, 척 테이블 (62) 에 재치된 웨이퍼 (10) 를, 보호 부재 (22a) 를 개재하여 흡인 유지한다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 연삭 장치 (60) 는, 척 테이블 (62) 상에 흡인 유지된 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연삭하여 박화하기 위한 연삭 수단 (70) 을 구비하고 있다. 연삭 수단 (70) 은, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 회전되는 회전 스핀들 (72) 과, 회전 스핀들 (72) 의 하단에 장착된 마운터 (74) 와, 마운터 (74) 의 하면에 장착되는 연삭휠 (76) 을 구비하고, 연삭휠 (76) 의 하면에는 복수의 연삭 지석 (78) 이 환상으로 배치 형성되어 있다.
웨이퍼 (10) 를 척 테이블 (62) 상에 흡인 유지하였다면, 연삭 수단 (70) 의 회전 스핀들 (72) 을 도 8 에 있어서 화살표 R3 으로 나타내는 방향으로, 예를 들어 3000 rpm 으로 회전시키면서, 척 테이블 (62) 을 화살표 R4 로 나타내는 방향으로, 예를 들어 300 rpm 으로 회전시킨다. 그리고, 도시하지 않는 연삭수 공급 수단에 의해, 연삭수를 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 상에 공급하면서, 연삭 지석 (78) 을 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 에 접촉시키고, 연삭휠 (76) 을, 예를 들어 1 ㎛/초의 연삭 이송 속도로 하방을 향하게 하여 연삭 이송한다. 이 때, 도시하지 않는 접촉식의 측정 게이지에 의해 웨이퍼 (10) 의 두께를 측정하면서 연삭을 진행시킬 수 있으며, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 소정량 연삭하여, 웨이퍼 (10) 를 소정의 두께로 하였다면, 연삭 수단 (70) 을 정지하고, 세정, 건조 공정 등을 거쳐, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 을 연삭하는 이면 연삭 가공이 완료된다.
상기한 이면 연삭 가공이 완료되었다면, 보호 부재 (22a) 를, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 으로부터 박리한다 (보호 부재 박리 공정). 그 보호 부재 박리 공정이 완료되었다면, 적절히 다음 공정 (분할 공정 등) 에 반송하거나, 또는 이면 가공이 완료된 웨이퍼 (10) 를 수용하는 수납 용기 등에 반송하여 수납한다. 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이, 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트 중에서 선택된 폴리에틸렌 시트를 가열함으로써 점착력이 부여된 보호 부재 (22a) 가 생성되어 있으며, 보호 부재 (22a) 와 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 은, 점착풀 등을 개재하지 않고 첩착되어 있다. 이로써, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 으로부터 보호 부재 (22a) 를 박리해도, 점착풀 등의 일부가 웨이퍼의 표면에 부착되지 않아, 디바이스의 품질을 저하시키는 등의 문제가 해소된다.
본 발명에 의하면, 상기한 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지의 변형예가 제공된다. 상기한 실시형태에서는, 폴리에틸렌 시트의 면을 가열하여 점착력이 생성된 보호 부재 (22a) 를, 이면 연삭 가공이 실시되는 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 을 보호하는 보호 부재 (22a) 로서 사용하는 예를 나타내었지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 다른 실시형태로는, 웨이퍼를 수용하는 개구를 갖는 환상의 프레임에 웨이퍼를 수용하고, 점착 테이프로 웨이퍼의 이면과 그 프레임을 첩착하고, 그 점착 테이프를 개재하여 웨이퍼를 프레임으로 지지한 상태로 하는 경우의 점착 테이프를, 본 발명에 의해 제공되는 보호 부재로 할 수 있다. 이하에, 도 9 를 참조하면서, 이 다른 실시형태에 대해 설명한다.
도 9(a) 에는, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 상에 점착 테이프로서 기능하는 보호 부재를 압착하는 시트 압착 공정의 실시양태를 나타내는 사시도가 나타나 있다. 도 9(a) 에 나타낸 시트 (20') 는, 폴리에틸렌 시트이며, 상기한 점착력 생성 공정이 실시되어, 전체에 점착력이 부여되어 있고, 시트 압착 공정을 실시하는 유지 테이블 (80) 전체를 덮을 수 있는 크기로 커트되어, 보호 부재 (24) 를 형성하고 있다. 유지 테이블 (80) 의 상면 (82) 은 평탄면으로 형성되어 있고, 웨이퍼 (10) 를 수용 가능한 개구를 갖는 환상 프레임 (F) 전체가 재치 가능한 치수로 설정되어 있다.
시트 압착 공정을 실시할 때에, 도 9(a) 에 나타내는 바와 같이, 유지 테이블 (80) 의 상면 (82) 에는, 개구 (Fa) 를 갖는 환상의 프레임 (F) 과, 그 개구 (Fa) 에 수용되고, 이면 (10b) 이 상방을 향한 웨이퍼 (10) 가 재치된다. 유지 테이블 (80) 상에는, 웨이퍼 (10) 와 프레임 (F) 을 덮도록, 상기 보호 부재 (24) 가 부설되고, 도 5 에 기초하여 설명한 시트 압착 공정과 마찬가지로, 가압 롤러 (50') 를 회전시켜 화살표 D 로 나타내는 방향으로 이동시킴으로써, 보호 부재 (24) 를 사이에 두고 웨이퍼 (10) 및 프레임 (F) 의 전체에 가압력이 부여되어, 프레임 (F), 및 웨이퍼 (10) 에 보호 부재 (24) 가 압착된다. 이상에 의해, 시트 압착 공정이 완료된다.
상기한 바와 같이, 시트 압착 공정이 완료되었다면, 도 9(b) 에 나타내는 바와 같이, 롤러 커터 (52) 를 사용하여, 프레임 (F) 상의 라인 (L) 을 따라, 보호 부재 (24) 를 원형으로 커트하고, 원형으로 정돈된 보호 부재 (24a) 를 남기고, 여분의 외주부를 제거한다 (시트 절단 공정). 도 9(c) 는, 시트 절단 공정을 종료하고, 프레임 (F) 에 지지된 웨이퍼 (10) 를 뒤집어, 웨이퍼 (10) 의 표면 (10a) 를 상방에 노출시킨 상태를 나타내고 있고, 도면으로부터 이해되는 바와 같이, 점착 테이프로서 기능하는 보호 부재 (24a) 로, 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 과 프레임 (F) 을 첩착하여, 보호 부재 (24a) 를 개재하여 웨이퍼 (10) 가 프레임 (F) 으로 유지된 상태가 된다. 이와 같이 하여, 보호 부재 (24a) 를 개재하여 웨이퍼 (10) 가 프레임 (F) 으로 유지된 상태로 하였다면, 적절히 도시하지 않는 레이저 가공 장치, 다이싱 장치 등에 반송되어 분할 가공 등이 실시된다. 이와 같은 실시형태에 의해서도, 점착풀 등을 사용하지 않고, 점착 테이프로서 기능하는 보호 부재 (24a) 에 의해 웨이퍼 (10) 의 이면 (10b) 이 보호되고, 또한 분할 공정을 양호하게 실시할 수 있다. 그리고, 웨이퍼 (10) 가, 개개의 디바이스 칩으로 분할된 후, 디바이스 칩별로 픽업해도, 디바이스 칩의 이면에 점착풀 등의 일부가 부착되거나 하지 않아, 디바이스 칩의 품질이 저하되는 등의 문제가 해소된다.
상기한 실시형태에서는, 보호 부재의 기재가 되는 시트 (20) 로서, 폴리에틸렌 시트를 선택하였지만, 이것에 한정되지 않고, 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트로부터 적절히 선택할 수 있다. 폴리올레핀계의 시트로부터 선택하는 경우에는, 상기한 폴리에틸렌 시트 외에, 예를 들어, 폴리프로필렌 시트, 폴리스티렌 시트를 선택할 수 있다. 또, 폴리에스테르계의 시트로부터 선택하는 경우에는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트, 폴리에틸렌나프탈레이트 시트로부터 선택할 수 있다.
상기한 보호 부재의 기재가 되는 시트 (20) 로서, 폴리에틸렌 시트 이외의 시트를 선택하는 경우에는, 시트 (20) 자체를 용융시키지 않고, 또한 점착력이 부여되는 온도가 시트의 재질에 따라 상이한 점에서, 점착력 생성 공정에 있어서 시트 (20) 를 가열할 때의 목표 온도를, 선택하는 시트에 따라 조정한다. 예를 들어, 용융 온도가 160 ∼ 180 ℃ 인 폴리프로필렌 시트를 시트 (20) 로서 선택한 경우에는, 시트 (20) 가 130 ∼ 150 ℃ 정도가 되도록 가열한다. 또, 용융 온도가 220 ∼ 240 ℃ 인 폴리스티렌 시트를 시트 (20) 로서 선택한 경우에는, 시트 (20) 가 190 ∼ 210 ℃ 정도가 되도록 가열한다. 마찬가지로, 용융 온도가 250 ∼ 270 ℃ 인 폴리에틸렌테레프탈레이트 시트를 시트 (20) 로서 선택한 경우에는 220 ∼ 240 ℃ 정도가 되도록, 용융 온도 160 ∼ 180 ℃ 의 폴리에틸렌나프탈레이트 시트를 시트 (20) 로서 선택한 경우에는 130 ∼ 150 ℃ 정도가 되도록 시트 (20) 를 가열하면 된다. 상기한 바와 같이, 보호 부재의 기재가 되는 시트 (20) 는, 제품에 따라 적절한 점착력이 생성되는 온도가 상이하기 때문에, 점착력 생성 공정에 있어서 시트를 가열할 때의 목표 온도는, 실제로 선택하는 시트의 용융 온도를 고려하면서, 점착력이 적절히 생성되는 온도를 실험에 의해 결정하는 것이 바람직하다.
상기한 실시형태에서는, 시트 (20) 의 소정의 영역에 대해 점착력 생성 공정을 실시하여 보호 부재 영역 (22) 을 형성하고, 보호 부재 영역 (22) 을 형성한 후, 시트 압착 공정, 및 시트 절단 공정을 실시하여, 웨이퍼 (10) 의 형상을 따라 보호 부재 (22a) 가 되는 영역을 커트하여 웨이퍼 (10) 상에 배치 형성하는 순서를 설명하고, 이들 공정을 적절히 반복함으로써, 복수의 웨이퍼 (10) 에 대해 보호 부재 (22a) 를 배치 형성한다는 취지를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어, 도 2 에 기초하여 설명한 점착력 생성 공정을, 시트 롤 (20A) 에 권취되어 있는 시트 (20) 를 인출심 (A2) 에 권취하면서, 시트 (20) 의 시단에서 종단까지 연속해서 실시하는 것도 가능하다. 시트 (20) 를 가열함으로써 부여되는 점착력은, 온도가 저하되어도 유지되지만, 시트 (20) 의 상면 (20a) 에는, 요철 가공 (엠보스 가공) 이 실시되어 있기 때문에, 점착력이 부여된 후에 시트 (20) 를 권취한 후에도 시트 (20) 가 겹친 부분이 고착되지 않는다. 이와 같이, 미리 시트 (20) 전체에 대해 점착력을 부여해 둠으로써, 웨이퍼 (10) 에 대해 보호 부재 (22a) 를 압착하는 시트 압착 공정을, 점착력 생성 공정을 사이에 두지 않고, 연속해서 실시할 수 있다.
10 : 웨이퍼
12 : 디바이스
14 : 분할 예정 라인
20 : 시트
20A : 시트 롤
22 : 보호 부재 영역
22a : 보호 부재
24 : 보호 부재
30 : 가열 수단
32 : 히터 본체부
34 : 분사부
40 : 유지 테이블
52 : 롤러 커터
60 : 연삭 장치
70 : 연삭 수단

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 면에, 시트상의 보호 부재를 배치 형성하여 웨이퍼를 보호하는 웨이퍼의 보호 방법으로서,
    보호 부재의 기재가 되는 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과,
    그 시트의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정과,
    점착력이 생성된 시트의 면을, 보호해야 하는 웨이퍼의 면에 부설하고, 가압력을 부여하여 웨이퍼의 면에 시트를 압착하는 시트 압착 공정으로 적어도 구성되는 웨이퍼의 보호 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    그 점착력 생성 공정에 있어서, 가열 수단으로부터 열풍을 분사하여 시트의 면에 내뿜어, 시트 자체를 용융시키지 않고, 또한 점착력이 부여되는 온도로 가열하여, 그 시트에 점착력을 생성하는 웨이퍼의 보호 방법.
  3. 시트상의 보호 부재로서,
    폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트의 면을 가열하여, 점착력이 생성된 보호 부재.
  4. 시트상의 보호 부재 생성 방법으로서,
    보호 부재로서 폴리올레핀계의 시트, 또는 폴리에스테르계의 시트를 준비하는 시트 준비 공정과,
    그 시트의 면을 가열하여 점착력을 생성하는 점착력 생성 공정으로 적어도 구성되는 시트상의 보호 부재의 생성 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    그 점착력 생성 공정에 있어서, 가열 수단으로부터 열풍을 분사하여 시트의 면에 내뿜어, 시트 자체를 용융 온도보다 낮고, 또한 점착력이 부여되는 온도로 가열하여, 그 시트에 점착력을 생성하는 시트상의 보호 부재의 생성 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005246491A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びウェーハの研削方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000038556A (ja) * 1998-07-22 2000-02-08 Nitto Denko Corp 半導体ウエハ保持保護用ホットメルトシート及びその貼り付け方法
JP4054251B2 (ja) * 2002-11-29 2008-02-27 富士通株式会社 フィルム貼り付け装置及び方法、及び半導体装置の製造方法
JP2005150235A (ja) * 2003-11-12 2005-06-09 Three M Innovative Properties Co 半導体表面保護シート及び方法
JP2005191296A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Jsr Corp バックグラインドテープ及び半導体ウェハの研磨方法
JP4930679B2 (ja) * 2005-12-14 2012-05-16 日本ゼオン株式会社 半導体素子の製造方法
JP2008166459A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Tateyama Machine Kk 保護テープ貼付方法と装置
JP5021553B2 (ja) * 2008-04-23 2012-09-12 リンテック株式会社 シート貼付装置及び貼付方法
JP5895676B2 (ja) * 2012-04-09 2016-03-30 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP6276988B2 (ja) * 2013-12-27 2018-02-07 日東精機株式会社 粘着テープ貼付け方法および粘着テープ貼付け装置
SG11201606008WA (en) * 2014-01-22 2016-08-30 Lintec Corp Protective film-forming film, sheet for protective film, complex sheet for forming protective film, and method of producing manufactured product
JP6461892B2 (ja) * 2016-12-06 2019-01-30 リンテック株式会社 表面保護シート

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005246491A (ja) 2004-03-01 2005-09-15 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置及びウェーハの研削方法

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