TW202410229A - 保護構件的設置方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種保護構件的設置方法，其可抑制在設置後卸除保護構件之工夫與保護構件的厚度的精度的降低。[解決手段]保護構件的設置方法具備：拉出步驟，其從保護構件被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒拉出保護構件，所述保護構件包含熱塑性樹脂，並被形成為具有大於被加工物的直徑的寬度之薄片狀；薄化步驟，其一邊加熱所拉出之保護構件而使其軟化或熔融，一邊使保護構件在滾筒的拉出方向延伸而薄化；以及一體化步驟，其使在該薄化步驟所薄化之保護構件密接於被加工物，使被加工物與保護構件一體化，並且，在保護構件保持藉由薄化步驟所加熱之熱之狀態下，實施一體化步驟。

Description

保護構件的設置方法

本發明係關於一種保護構件的設置方法。

將半導體晶圓等板狀的被加工物進行研削而薄化，或者藉由切割刀片或雷射光束的照射而進行分割之際，被加工物係被保持於卡盤台。此時，若將被加工物直接載置於卡盤台，則會導致被加工物的損傷與汙染，以及在分割後變得無法一併搬送，因此一般而言會在與卡盤台的保持面接觸之面貼附黏著膠膜（例如，參照專利文獻1）。

然而，也有在從被加工物剝離黏著膠膜之際黏著劑等的殘渣殘留於被加工物之情形。

於是，已提案一種方法，其將塊狀、繩狀、粒狀或流動狀態的熱塑性樹脂供給至平坦的支撐台的支撐面，藉由一邊加熱一邊推壓展開而形成薄片狀的保護構件，將此薄片狀的保護構件接著於被加工物（例如，參照專利文獻2）。 [習知技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2013-21017號公報 [專利文獻2]日本特開2021-82631號公報

[發明所欲解決的課題] 以專利文獻2所示之方式所形成之保護構件因能不使用黏著層而藉由加熱進行接著，故有在從被加工物剝離之際殘渣不會殘留之優點。

然而，另一方面，亦存在將在支撐台上藉由一邊加熱一邊推壓展開而形成之薄片狀的保護構件從支撐台剝離之花費工夫之課題，以及在將薄片狀的保護構件從支撐台剝離之後而接著至被加工物之際，推壓構件因熱而導致膨脹，薄片的厚度精度難以得到之課題。

本發明係鑒於此問題點所完成者，其目的在於提供一種保護構件的設置方法，其可抑制在設置後卸除保護構件之工夫與保護構件的厚度的精度的降低。

[解決課題的技術手段] 為了解決上述課題並達成目的，本發明的保護構件的設置方法係一種將保護構件設置於被加工物之保護構件的設置方法，其特徵在於，具備：拉出步驟，其從保護構件被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒拉出該保護構件，所述保護構件包含熱塑性樹脂，並被形成為具有大於被加工物的直徑的寬度之薄片狀；薄化步驟，其一邊加熱所拉出之該保護構件而使其軟化或熔融，一邊使該保護構件在滾筒的拉出方向延伸而薄化；以及一體化步驟，其使在該薄化步驟所薄化之該保護構件密接於被加工物，使該被加工物與該保護構件一體化，並且，在該保護構件保持藉由該薄化步驟所加熱之熱之狀態下，藉由實施該一體化步驟，而在將該保護構件與該被加工物一體化之際不需要再度加熱而進行軟化或熔融。

在前述保護構件的設置方法中，在該薄化步驟中，可藉由控制拉出方向的延伸量，而調整該保護構件的厚度。

[發明功效] 本發明發揮可抑制在設置後卸除保護構件之工夫及保護構件的厚度的精度的降低之功效。

針對用於實施本發明的方式（實施方式），一邊參照圖式一邊詳細地進行說明。本發明並不受限於以下的實施方式所記載之內容。並且，在以下所記載之構成要素中，包含本發明所屬技術領域中具通常知識者可輕易思及者、實質上相同者。再者，以下所記載之構成能適當組合。並且，在不脫離本發明的主旨之範圍內，可進行構成的各種省略、取代或變更。

［實施方式一］ 基於圖式說明本發明的實施方式一之保護構件的設置方法。圖1係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物的一例之立體圖。圖2係示意性地表示構成藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置於被加工物之保護構件之薄片滾筒的立體圖。

（被加工物） 實施方式一之保護構件的設置方法係將圖2所示之保護構件1設置於圖1所示之被加工物200之方法。在實施方式一之保護構件的設置方法中，設置有保護構件1之被加工物200在實施方式一中係將矽、藍寶石或鎵等作為基板201之圓板狀的半導體晶圓或光元件晶圓等晶圓。如圖1所示，被加工物200係在正面202的藉由多條分割預定線203所劃分之區域分別形成有元件204。

元件204例如係IC（Integrated Circuit，積體電路）或LSI（Large Scale Integration，大型積體電路）等積體電路、CCD（Charge Coupled Device，電荷耦合元件）或CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）等影像感測器，或者各種記憶體（半導體記憶裝置）。並且，在實施方式一中，元件204具備與電極等連接之導電性的球狀的凸塊205。

並且，在實施方式一中，被加工物200的基板201的正面被樹脂206被覆。在實施方式一中，凸塊205從被加工物200的正面202亦即樹脂206的正面突出，被加工物200的正面202凹凸地形成。被加工物200在設置保護構件1之後，沿著分割預定線203被分割成一個個元件204。

（保護構件） 藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置於被加工物200之保護構件1係在圖2所示之圓筒狀的芯11的外周被捲繞成滾筒狀，而構成薄片滾筒10。在實施方式一中，保護構件1包含熱塑性樹脂，並被形成為具有大於被加工物200的直徑207（圖1所示）的寬度2之長型的薄片狀。保護構件1係在寬度方向3與芯11的軸心平行且長度方向4沿著芯11的外周方向之狀態下，被捲繞於芯11的外周而構成薄片滾筒10。

在實施方式一中，構成保護構件1之熱塑性樹脂，具體而言，可舉例選自丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸樹脂、乙烯系樹脂、聚縮醛、天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、聚乙烯、聚丙烯、聚（4－甲基－1－戊烯）、聚（1－丁烯）等聚烯烴、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯、尼龍－6、尼龍－66、聚己二醯間苯二甲胺（polymetaxylene adipamide）等聚醯胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚醚醯亞胺、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚碸、聚醚碸、聚苯、聚醚、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、熱塑性聚氨酯樹脂、苯氧基樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、氟樹脂、乙烯－不飽和羧酸共聚樹脂、乙烯－乙酸乙烯酯共聚樹脂、離子聚合物、乙烯－乙酸乙烯酯－馬來酸酐三元共聚樹脂、乙烯－乙酸乙烯酯共聚皂化樹脂及乙烯－乙烯醇共聚樹脂等的一種或兩種以上。

構成上述的乙烯－不飽和羧酸共聚物之不飽和羧酸例示丙烯酸、甲基丙烯酸、馬來酸、衣康酸、馬來酸單甲酯、馬來酸單乙酯、馬來酸酐及衣康酸酐等。在此，乙烯－不飽和羧酸共聚物不僅包含乙烯與不飽和羧酸的二元共聚物，亦進一步包含共聚合有其他單體之多元共聚物。作為可與乙烯－不飽和羧酸共聚物共聚合之上述其它單體，例示如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯般的乙烯酯，如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸異丁酯、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯般的不飽和羧酸酯等。

並且，在實施方式一中，保護構件1係藉由適當調整前述之熱塑性樹脂的成分、分子量等，而將軟化點調整成0℃以上且300℃以下（較佳為80℃以上且100℃以下）。並且，在實施方式一中，保護構件1的軟化點低於被覆被加工物200的基板201的正面之樹脂206的軟化點及熔點。在實施方式一中，保護構件1在10℃至30℃的儲存模數為1×10 ⁶（Pa）以上且1×10 ⁹（Pa）以下，加熱時（黏貼時）在溫度80℃至100℃的儲存模數為1×10 ⁶（Pa）以上且1×10 ⁷（Pa）以下。

（薄片設置裝置） 接著，說明實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置20。圖3係示意性地表示實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置的薄片送出單元的構成之側視圖。圖4係示意性地表示實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置的薄片設置單元的構成之側視圖。

實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置20具備未圖示之裝置本體、圖3所示之薄片送出單元30、圖4所示之薄片設置單元40及未圖示之控制單元。

如圖3所示，薄片送出單元30具備薄片滾筒保持輥31與多個加熱輥32。薄片滾筒保持輥31的外觀被形成為圓柱狀，並插通芯11內而保持薄片滾筒10亦即保護構件1。薄片滾筒保持輥31係繞著軸心旋轉自如地支撐於裝置本體。薄片滾筒保持輥31將薄片滾筒10的芯11的內周面固定於外周面，並藉由繞著軸心旋轉，而將保護構件1從一端依序朝向薄片設置單元40送出。

多個加熱輥32的外觀分別被形成為圓柱狀，且軸心互相平行地空開間隔而配置。在實施方式一中，多個加熱輥32的外徑相等地形成，且從靠近薄片滾筒保持輥31者起一個個依序地使從薄片滾筒保持輥31送出之保護構件1抵接於外周面，而從靠近薄片滾筒保持輥31者起依序架設保護構件1。並且，在實施方式一中，多個加熱輥32的最靠近薄片滾筒保持輥31的加熱輥32的下方使保護構件1通過，在最靠近薄片滾筒保持輥31的加熱輥32的相鄰的加熱輥32的上方使保護構件1通過，而從最靠近薄片滾筒保持輥31者起依序在上方與下方交互地使保護構件1通過，而架設保護構件1。

並且，加熱輥32在內部內置將抵接於外周面之保護構件1進行加熱之加熱器，且藉由未圖示之馬達等驅動源而繞著軸心旋轉。加熱輥32一邊以加熱器加熱保護構件1，一邊藉由馬達而繞著軸心旋轉，藉此將從薄片滾筒保持輥31送出之保護構件1朝向薄片設置單元40送出。在實施方式一中，加熱輥32係藉由馬達而繞著軸心旋轉，藉此從被保持於薄片滾筒保持輥31之薄片滾筒10拉出保護構件1。並且，在實施方式一中，加熱輥32將從被保持於薄片滾筒保持輥31之薄片滾筒10拉出之保護構件1加熱至超過保護構件1的軟化點且低於熔點之溫度。

並且，在實施方式一中，加熱輥32的轉速被設定成靠近薄片設置單元40的轉速比靠近薄片滾筒保持輥31的轉速更高速。亦即，加熱輥32的轉速被設定成隨著遠離薄片滾筒保持輥31而更高速。因此，在實施方式一中，多個加熱輥32亦即薄片送出單元30使從薄片滾筒10拉出之保護構件1在薄片滾筒10的拉出方向亦即保護構件1的長度方向4慢慢地延伸而薄化。

薄片設置單元40具備保持台41、一對搬送輥42、推壓輥43、薄片切斷單元44及捲收輥45。

保持台41保持被加工物200。保持台41被形成為外徑大於被加工物200的直徑207的圓板狀，且上表面係載置被加工物200之與水平方向平行的保持面411。保持面411係在與此保持面411成為同軸之位置載置被加工物200。保持台41係藉由未圖示之吸引源而吸引載置於保持面411之被加工物200，藉此進行吸引保持。在保持台41，從薄片送出單元30送出之保護構件1會通過保持面411上。

並且，在實施方式一中，保持台41內置加熱器412，所述加熱器412係藉由加熱保持於保持面411之被加工物200，而加熱設置於被加工物200之保護構件1。在實施方式一中，保持台41的加熱器412將保護構件1加熱至超過保護構件1的軟化點且低於熔點之溫度。

搬送輥42的外觀被形成為圓柱狀，且軸心互相平行並互相空開間隔而配置。並且，搬送輥42係在俯視下將保持台41定位於彼此之間，繞著軸心旋轉自如地支撐於裝置本體，且配置於保持面411的上方。在實施方式一中，搬送輥42的軸心被配置成與薄片滾筒保持輥31及加熱輥32的軸心平行，並在外周面推壓從薄片送出單元30送出之保護構件1，而對保護構件1施加張力，且藉由繞著軸心旋轉，而以保護構件1通過保持台41的保持面411上之方式支撐保護構件1。

推壓輥43的外觀被形成為外周面平坦的圓柱狀，並被配置成軸心與薄片滾筒保持輥31、加熱輥32及搬送輥42的軸心平行。推壓輥43係藉由未圖示之移動單元，而被支撐成在搬送輥42之間於沿著水平方向平行且相對於軸心呈正交之方向移動自如，且被支撐成在相對於保持面411呈正交之方向升降自如。

推壓輥43係藉由下降，而將被加熱輥32等加熱而軟化之一對搬送輥42之間的保護構件1推壓至被保持於保持台41之被加工物200，且在下降之狀態下在水平方向移動，藉此使已軟化之保護構件1密接於被加工物200，而將保護構件1設置於被加工物200。

薄片切斷單元44係在推壓輥43將保護構件1設置於被加工物200之後，沿著被加工物200的外緣切斷保護構件1。薄片切斷單元44配置於保持台41的保持面411的上方。

在實施方式一中，薄片切斷單元44具備：切割刃441；圓板狀的安裝基座442，其在外緣部安裝切割刃441；以及未圖示的移動單元，其將安裝基座442支撐成繞著保持台41的保持面411的中心上的軸心旋轉自如且升降自如。

切割刃441係在下端具有比被送出至保持台41的保持面411上之保護構件1的厚度更長的切刃。切割刃441的切刃係與被保持於保持台41的保持面411之被加工物200的外緣面對。安裝基座442被形成為與保持台41同軸的圓板狀，並與保持面411面對而配置，且被形成為外徑大於保持台41的外徑。

薄片切斷單元44係藉由移動單元而使安裝基座442亦即切割刃441下降，並使切割刃441的切刃切入被加工物200的外緣上的保護構件1。薄片切斷單元44係藉由移動單元而將安裝基座442繞著軸心旋轉，藉此利用切割刃441而沿著被保持於保持台41之被加工物200的外緣切斷保護構件1。

捲收輥45捲收被薄片切斷單元44沿著被加工物200的外緣切斷後的保護構件1的不要部分。此外，保護構件1的不要部分係保護構件1的被切割刃441切斷之比被加工物200的外緣更外周側的部分。

在實施方式一中，捲收輥45配置於一對搬送輥42之中遠離薄片送出單元30之側的搬送輥42的上方。捲收輥45被形成為軸心與薄片滾筒保持輥31、加熱輥32、搬送輥42及推壓輥43的軸心平行的圓柱狀，並藉由未圖示之馬達等驅動裝置而繞著軸心旋轉，藉此在外周面上捲收保護構件1。捲收輥45係藉由在外周面上捲收保護構件1，而從被支撐於薄片滾筒保持輥31之薄片滾筒10拉出保護構件1。

控制單元分別控制薄片設置裝置20的上述之各構成要素，並使薄片設置裝置20實施將保護構件1設置於被加工物200之設置動作。控制單元係電腦，所述電腦具有：運算處理裝置，其具有如CPU（central processing unit，中央處理單元）般的微處理器；記憶裝置，其具有如ROM（read only memory，唯讀記憶體）或RAM（random access memory，隨機存取記憶體）般的記憶體；以及輸入輸出介面裝置。控制單元的運算處理裝置遵循記憶於記憶裝置之電腦程式實施運算處理，而將用於控制薄片設置裝置20的控制訊號透過輸入輸出介面裝置輸出至薄片設置裝置20的上述之各單元。

並且，控制單元連接有：顯示單元，其顯示設置動作的狀態與圖像等；輸入單元，其在操作員將設置條件等輸入薄片設置裝置20的控制單元之際使用；以及，通知單元，其發出聲音與光之中至少一者並通知操作員。

（保護構件的設置方法） 接著，說明實施方式一之保護構件的設置方法。圖5係表示實施方式一之保護構件的設置方法的流程之流程圖。圖6係示意性地表示圖5所示之保護構件的設置方法的一體化步驟的薄片切斷單元沿著被加工物的外緣切斷保護構件之狀態之側視圖。圖7係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物被研削之狀態之側視圖。圖8係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物被切割之狀態之側視圖。

實施方式一之保護構件的設置方法係將保護構件1設置於被加工物200之方法，亦為前述之薄片設置裝置20將保護構件1設置於被加工物200之設置動作。如圖5所示，實施方式一之保護構件的設置方法具備準備步驟101、拉出步驟102、薄化步驟103及一體化步驟104。

（準備步驟） 準備步驟101係準備將保護構件1設置於薄片設置裝置20的被加工物200之設置動作之步驟。在實施方式一中，在準備步驟101中，首先，操作員等將薄片滾筒10保持於薄片滾筒保持輥31，從薄片滾筒10拉出保護構件1的一端，將保護構件1從靠近薄片滾筒保持輥31者依序架設於多個加熱輥32，並通過一對搬送輥42的下方之後，捲繞於捲收輥45的外周面上。

在實施方式一中，在準備步驟101中，操作員等將被加工物200的正面202的背側的背面208載置於保持台41的保持面411，將設置條件登綠至控制單元。在準備步驟101中，薄片設置裝置20中，若控制單元受理來自操作員等的設置動作的開始指示，則驅動加熱輥32的加熱器及保持台41的加熱器412，加熱保護構件1，並開始設置動作，而前進至拉出步驟102。

（拉出步驟） 拉出步驟102係從保護構件1被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒10拉出保護構件1之步驟。在拉出步驟102中，薄片設置裝置20將被加工物200吸引保持於保持台41的保持面411，一邊以加熱輥32的加熱器及保持台41的加熱器加熱保護構件1，一邊以捲收輥45捲收保護構件1，且將加熱輥32以前述之轉速旋轉，從被保持於薄片滾筒保持輥31之薄片滾筒10拉出保護構件1，而前進至薄化步驟103。

（薄化步驟） 薄化步驟103係一邊加熱所拉出之保護構件1而使其軟化或熔化，一邊使保護構件1在薄片滾筒10的拉出方向亦即保護構件1的長度方向4延伸而薄化之步驟。在實施方式一中，在薄化步驟103中，薄片設置裝置20將各加熱輥32的加熱器及保持台41的加熱器412加熱至超過保護構件1的軟化點且低於熔點之溫度，因此使從薄片滾筒10拉出之保護構件1軟化。

在實施方式一中，在薄化步驟103中，薄片設置裝置20一邊使從薄片滾筒10拉出之保護構件1軟化，一邊將多個加熱輥32以前述之轉速旋轉，因此保護構件1在加熱輥32之間沿著長度方向4被延伸，而薄化保護構件1。若在長度方向4被延伸並薄化之保護構件1藉由多個加熱輥32而位於保持台41上，則前進至一體化步驟104。

此外，在實施方式一中，在薄化步驟103中，薄片設置裝置20係因應設置於被加工物200之保護構件1的厚度，而適當變更加熱輥32之間的轉速的差。亦即，隨著設置於被加工物200之保護構件1的厚度變薄，將加熱輥32之間的轉速差變大，而使保護構件1的長度方向4的延伸量增加。如此進行，在實施方式一中，在薄化步驟103中，薄片設置裝置20係藉由控制保護構件1的長度方向4的延伸量，而調整設置於被加工物200之保護構件1的厚度。

（一體化步驟） 一體化步驟104係使在薄化步驟103所薄化之保護構件1密接於被加工物200，使被加工物200與保護構件1一體化之步驟。在實施方式一中，在一體化步驟104中，若保護構件1的藉由多個加熱輥32而薄化之處位於被保持於保持台41之被加工物200的上方，則薄片設置裝置20停止捲收輥45的保護構件1的捲收，且停止加熱輥32的旋轉，而將保護構件1的藉由多個加熱輥32而薄化之處在被保持於保持台41之被加工物200的上方停止。此外，位於被保持於保持台41之被加工物200的上方之保護構件1保持將在薄化步驟103所加熱之熱進行保持之狀態（在實施方式一中，被加熱至超過軟化點且低於熔點之溫度之狀態）。

在實施方式一中，在一體化步驟104中，薄片設置裝置20使推壓輥43下降，而將被加熱輥32的加熱器加熱至超過軟化點之溫度之保護構件1推抵至被加工物200，且使推壓輥43在一對搬送輥42之間於水平方向移動預定次數。於是，在一體化步驟104中，由於保護構件1係超過軟化點之溫度並軟化，且推壓輥43的外周面係平坦，因此保護構件1會進入被加工物200的凸塊205之間，且從被加工物200的正面202起的厚度變得一樣，且保護構件1的上表面平坦地形成。

如此進行，在實施方式一中，在一體化步驟104中，薄片設置裝置20使從保護構件1的正面202起的厚度為一樣且上表面為平坦的保護構件1密接於被加工物200的正面202整體，而將保護構件1設置於被加工物200的正面202，並將保護構件1與被加工物200一體化。如此，在實施方式一中，在薄化步驟103之後，在保護構件1保持藉由薄化步驟103所加熱之熱之狀態（亦即，保護構件1被加熱至超過軟化點且低於熔點之溫度之狀態）下，立即實施一體化步驟104。因此，實施方式一之保護構件的設置方法係在將保護構件1與被加工物200一體化之際不需要再度加熱而進行軟化或熔融。

在實施方式一中，在一體化步驟104中，薄片設置裝置20將保護構件1設置於被加工物200的正面202之後，使推壓輥43上升，且使薄片切斷單元44的安裝基座442及切割刃441下降，而使切割刃441切入被加工物200的外緣上的保護構件1。在實施方式一中，在一體化步驟104中，如圖6所示，薄片設置裝置20將安裝基座442繞著軸心旋轉至少一圈，而藉由切割刃441沿著被保持於保持台41之被加工物200的外緣切斷保護構件1。在實施方式一中，在一體化步驟104中，薄片設置裝置20使薄片切斷單元44上升，並停止保持台41的被加工物200的吸引保持，而結束實施方式一之保護構件的設置方法亦即設置動作。

此外，在本發明中，只要保護構件1在保持台41上保持超過軟化點且低於熔點之溫度，則保持台41亦可不具備加熱器412。並且，在本發明中，保持台41亦可不具備加熱器412，而是推壓輥43具備將保護構件1進行加熱之加熱器。

如圖7所示，在正面202設置有保護構件1並與保護構件1一體化之被加工物200例如係保護構件1側被吸引保持於研削裝置50的卡盤台51，並一邊被供給研削水52一邊被研削輪53的研削磨石54研削。並且，如圖8所示，在正面202設置有保護構件1並與保護構件1一體化之被加工物200例如亦可保護構件1側被切割裝置60的卡盤台61吸引保持，並一邊被供給切割水一邊藉由切割刀片62切割分割預定線。

並且，在本發明中，在正面202設置有保護構件1並與保護構件1一體化之被加工物200亦可保護構件1側被雷射加工裝置的卡盤台吸引保持，並對被加工物200照射具有穿透性或吸收性之雷射光束而施行雷射加工。總而言之，在本發明中，在正面202設置有保護構件1並與保護構件1一體化之被加工物200被施行各種加工。

以上說明之實施方式一之保護構件的設置方法係在拉出步驟102中從被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒10拉出保護構件1，在薄化步驟103中加熱保護構件1而使其在長度方向4延伸並薄化，且在一體化步驟104中使保護構件1密接於被加工物200，而將保護構件1設置於被加工物200，因此不需要加熱保護構件1並推壓於被加工物200而使其密接。

因此，實施方式一之保護構件的設置方法可抑制從推壓輥43剝離保護構件1之工夫，並可抑制在設置於被加工物200後從推壓輥43卸除保護構件1之工夫。

並且，實施方式一之保護構件的設置方法係在拉出步驟102中從被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒10拉出保護構件1，且在薄化步驟103中加熱保護構件1而使其在長度方向4延伸並薄化，因此比一邊加熱一邊將保護構件1推壓至被加工物200而密接之際更可抑制推壓輥43受到之保護構件1的熱的影響。因此，實施方式一之保護構件的設置方法可抑制設置於被加工物200之保護構件1的厚度的精度的降低。

其結果，實施方式一之保護構件的設置方法發揮可抑制在設置後卸除保護構件1之工夫與保護構件1的厚度的精度的降低之效果。

並且，實施方式一之保護構件的設置方法因薄化步驟103中加熱保護構件1而使其軟化並薄化，故在一體化步驟104中保護構件1在保持薄化步驟103中所加熱之熱之狀態下直接與被加工物200一體化。其結果，實施方式一之保護構件的設置方法因不需要為了使保護構件1與被加工物200一體化而再度加熱，故對生產性的提高有所貢獻。

此外，本發明並不受限於上述實施方式。亦即，在不脫離本發明的主旨之範圍內可進行各種變形變更並實施。例如，在本發明中，亦可將保護構件1設置於被加工物200的背面208。並且，在本發明中，亦可在薄化步驟103中，一邊以加熱輥32的加熱器將保護構件1加熱至超過保護構件1的熔點之溫度為止而使其熔融，一邊使保護構件1在長度方向4延伸而薄化，而設置於被加工物200。並且，在本發明中，在一體化步驟104中，亦可取代推壓輥43而以具有與保持面411平行且平坦的推壓面之推壓構件將保護構件1推壓至被加工物200而一體化，亦可藉由在被加工物200與保護構件1之間形成真空狀態，而將保護構件1與被加工物200一體化。

並且，在本發明中，亦可將保護構件1設置於圖9及圖10所示之封裝基板亦即被加工物200-1。圖9及圖10所示之被加工物200-1係QFN（Quad Flat Non-leaded Package，四方平面無引腳封裝）基板或CSP（Chip Scale Packaging，晶片級封裝）基板等封裝基板，所述封裝基板具備：基板210，其設定有互相交叉之分割預定線211；元件晶片，其設置於基板210的正面212的藉由分割預定線211所包圍之區域；以及密封樹脂213，其被覆基板210的正面212上的元件晶片。

在本發明中，在保護構件1設置於封裝基板亦即被加工物200-1之情形中，將保護構件1設置於基板210的正面212或背面214。此外，圖9係圖1所示之被加工物的變形例的立體圖。圖10係從背側觀看圖9所示之被加工物之立體圖。

1:保護構件 2:寬度 4:長度方向（拉出方向） 10:薄片滾筒 102:拉出步驟 103:薄化步驟 104:一體化步驟 200,200-1:被加工物 207:直徑

圖1係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物的一例之立體圖。 圖2係示意性地表示構成藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置於被加工物之保護構件之薄片滾筒的立體圖。 圖3係示意性地表示實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置的薄片送出單元的構成之側視圖。 圖4係示意性地表示實施實施方式一之保護構件的設置方法之薄片設置裝置的薄片設置單元的構成之側視圖。 圖5係表示實施方式一之保護構件的設置方法的流程之流程圖。 圖6係示意性地表示圖5所示之保護構件的設置方法的一體化步驟的薄片切斷單元沿著被加工物的外緣切斷保護構件之狀態之側視圖。 圖7係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物被研削之狀態之側視圖。 圖8係示意性地表示藉由實施方式一之保護構件的設置方法而設置有保護構件之被加工物被切割之狀態之側視圖。 圖9係圖1所示之被加工物的變形例的立體圖。 圖10係從背側觀看圖9所示之被加工物之立體圖。

S101:準備步驟

S102:拉出步驟

S103:薄化步驟

S104:一體化步驟

Claims (2)

1. 一種保護構件的設置方法，其將保護構件設置於被加工物，且特徵在於具備： 拉出步驟，其從保護構件被捲繞成滾筒狀之薄片滾筒拉出該保護構件，該保護構件包含熱塑性樹脂，並被形成為具有大於被加工物的直徑的寬度之薄片狀； 薄化步驟，其一邊加熱所拉出之該保護構件而使其軟化或熔融，一邊使該保護構件在該薄片滾筒的拉出方向延伸而薄化；以及 一體化步驟，其使在該薄化步驟所薄化之該保護構件密接於該被加工物，使該被加工物與該保護構件一體化， 在該保護構件保持藉由該薄化步驟所加熱之熱之狀態下，藉由實施該一體化步驟，而在將該保護構件與該被加工物一體化之際不需要再度加熱而進行軟化或熔融。
2. 如請求項1之保護構件的設置方法，其中，在該薄化步驟中，藉由控制該拉出方向的延伸量，而調整該保護構件的厚度。