JP2021185591A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

ウエーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021185591A
JP2021185591A JP2020090229A JP2020090229A JP2021185591A JP 2021185591 A JP2021185591 A JP 2021185591A JP 2020090229 A JP2020090229 A JP 2020090229A JP 2020090229 A JP2020090229 A JP 2020090229A JP 2021185591 A JP2021185591 A JP 2021185591A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
sheet
thermocompression bonding
cutting
bonding sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020090229A
Other languages
English (en)
Inventor
巻子 大前
Makiko Omae
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2020090229A priority Critical patent/JP2021185591A/ja
Priority to KR1020210054536A priority patent/KR20210145667A/ko
Priority to CN202110544651.7A priority patent/CN113725137A/zh
Priority to TW110118347A priority patent/TW202145327A/zh
Publication of JP2021185591A publication Critical patent/JP2021185591A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/24—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/241—Polyolefin, e.g.rubber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C09J7/25—Plastics; Metallised plastics based on macromolecular compounds obtained otherwise than by reactions involving only carbon-to-carbon unsaturated bonds
    • C09J7/255—Polyesters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
    • H01L2221/68386—Separation by peeling

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】ウエーハの表面から保護テープを剥離しても粘着層の一部がデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることがないウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】ウエーハの加工方法において、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シート２０を配設する熱圧着シート配設工程と、チャックテーブルと、ウエーハに切削水を供給しながら切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、加工送りする送り手段を少なくとも備えた切削装置を準備する切削装置準備工程と、切削ブレードでウエーハの分割予定ライン１４を切削して個々のデバイスチップに分割する切削工程と、デバイスチップの表面から熱圧着シートを剥離する剥離工程と、を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＣＭＯＳ、ＣＣＤ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、ダイシング装置によって個々のデバイスチップに分割され携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。
ダイシング装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しながら切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を少なくとも備え、ウエーハを高精度に個々のデバイスチップに分割することができる。
また、デバイスの表面に切削屑が付着してデバイスの品質を低下させるという問題を回避するためにウエーハの表面に保護テープを貼着し、ダイシングする技術が提案されている（例えば特許文献１を参照）。
特開２０１０−１２９６２２号公報
上記した特許文献１に記載された技術によれば、デバイスの表面に、ダイシングによって発生する切削屑が付着することは防止される。しかし、一般的に使用される保護テープの貼着面には粘着層が形成されており、図７に示すように、ウエーハＷを、図示を省略するダイシング装置によって個々のデバイスチップＤ’に分割する分割溝１１０を形成した場合、切削屑がウエーハＷのデバイチップＤ’に付着することは防止されるものの、保護テープ２００をウエーハＷの表面Ｗａから剥離すると、保護テープ２００の粘着層を構成する糊剤の一部がデバイスチップＤ’の表面に付着して残存する場合がある。より具体的に説明すると、ウエーハＷに形成されたデバイスが、数ｃｍ角（例えば３ｃｍ角程度）の大きさ（右方側に拡大して示す）であって、直径（又は一辺）が１０〜２０μｍ程度の細孔Ｈが１０〜２０μｍ間隔で複数形成され（下方側に拡大して示す）ている電子ビーム描画デバイスである場合、保護テープ２００をウエーハＷから剥離した際に、保護テープ２００の粘着層を構成する糊剤２１０が細孔Ｈの淵に付着して髭のように残存して品質を低下させるという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの表面から保護テープを剥離しても粘着層の一部がデバイスの表面に付着してデバイスの品質を低下させることがないウエーハの加工方法を提供することにある。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、ウエーハの表面に熱圧着シートを配設する熱圧着シート配設工程と、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しながら切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を少なくとも備えた切削装置を準備する切削装置準備工程と、ウエーハの裏面側を該チャックテーブルに保持し切削水を供給しながら切削ブレードでウエーハの分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する切削工程と、デバイスチップの表面から熱圧着シートを剥離する剥離工程と、を含み構成されるウエーハの加工方法が提供される。
該ウエーハに形成され個々に分割されるデバイスは、複数の細孔が表面に形成された電子ビーム描画デバイスであることが好ましい。また、ウエーハを収容する開口部が中央に形成されたフレームにダイシングテープを介してウエーハの裏面側を支持するダイシングテープ支持工程を、該切削工程の前に実施することが好ましい。
該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シートであり、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができる。また、該熱圧着シートは、ポリエステル系シートであり、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかから選択することができる。さらに、熱圧着シート配設工程において、熱圧着シートをウエーハに配設する際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は１２０℃〜１４０℃であり、ポリプロピレンシートが選択された場合は１６０℃〜１８０℃であり、ポリスチレンシートが選択された場合は２２０℃〜２４０℃であり、ポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は２５０℃〜２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は１６０℃〜１８０℃であることが好ましい。
本発明のウエーハの加工方法は、ウエーハの表面に熱圧着シートを配設する熱圧着シート配設工程と、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しながら切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を少なくとも備えた切削装置を準備する切削装置準備工程と、ウエーハの裏面側を該チャックテーブルに保持し切削水を供給しながら切削ブレードでウエーハの分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する切削工程と、デバイスチップの表面から熱圧着シートを剥離する剥離工程と、を含み構成されており、熱圧着シートは、それのみで粘着力を発揮し、貼着面には粘着層が形成されていないことから、従来のように保護テープの粘着層の一部がデバイスの表面に付着して残り、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。特に、本発明を、例えば、３ｃｍ角の領域に直径（又は１辺）が１０〜２０μｍの細孔が１０〜２０μｍの間隔で複数形成された電子ビーム描画デバイスを個々のデバイスチップに分割する場合に適用すれば、切削工程において発生する切削屑が該細孔に進入することを防止すると共に、従来のように保護テープを剥離した際に、該細孔の淵に、髭のように粘着層の一部が残存して品質を低下させるという問題がなくなり、品質が向上する。
（ａ）熱圧着シートをウエーハ上に載置する態様を示す斜視図、（ｂ）ウエーハ上に載置された熱圧着シートを熱圧着する態様を示す斜視図である。 （ａ）熱圧着シートとなるペレットをウエーハ上に載置する斜視図、（ｂ）（ａ）に示すペレットを加熱圧縮して熱圧着シートをウエーハ上に配設する態様を示す斜視図である。 ダイシングテープ支持工程の実施態様を示す斜視図である。 切削装置準備工程によって準備される切削装置の全体斜視図である。 切削工程の実施態様を示す斜視図である。 剥離工程の実施態様を示す斜視図である。 従来技術における剥離工程を示す斜視図である。
以下、本発明に基づいて構成されるウエーハの加工方法に係る実施形態について添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１には、本実施形態のウエーハの加工方法によって加工されるウエーハ１０と共に、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シート２０を配設する熱圧着シート配設工程の実施態様が示されている。図１に例示されるウエーハ１０は、複数の電子ビーム描画デバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され表面１０ａに形成されたウエーハである。ウエーハ１０は、例えば１５０μｍ程度の厚みで形成され、電子ビーム描画デバイス１２は、右方側に拡大して示すように、例えば３ｃｍ角程度の大きさで形成され、その一部をさらに拡大して下方に示すように、一辺が１５μｍの細孔１２１が、１５μｍの間隔で複数形成されたデバイスである。なお、図示は省略するが、ウエーハ１０を以下に示す加工方法を実施するに際し、同一形状のガラス基板上にウエーハ１０の裏面１０ｂ側を支持させて剛性を高めるようにしてもよい。
上記したウエーハ１０を用意し、ウエーハ１０の裏面１０ｂ側を下方に向けて図示を省略する熱圧着用の保持テーブル上に載置し、図１（ａ）に示すように、熱圧着シート２０を、上方からウエーハ１０の表面１０ａに敷設する。なお、本実施形態の熱圧着シート２０は、平面視でウエーハ１０と同一の形状で設定される。
熱圧着シート２０は、加熱することにより粘着力を発揮する樹脂製のシートであり、ポリオレフィン系シート、又はポリエステル系シートが好適である。ポリオレフィン系シートを採用する場合は、ポリエチレン（ＰＥ）シート、ポリプロピレン（ＰＰ）シート、ポリスチレン（ＰＳ）シートのいずれかから選択され、ポリエステル系シートを採用する場合は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）シート、のいずれかから選択されることが好ましい。本実施形態においては、熱圧着シート２０として、ポリオレフィン系シートからポリエチレンシートが選択されているものとして、以下説明する。なお、ウエーハ１０の表面１０ａに貼着される熱圧着シート２０の載置面には糊剤を含む粘着層は形成されていない。
ウエーハ１０上に熱圧着シート２０を敷設したならば、図１（ｂ）に示すように、熱圧着シート２０上に、熱圧着装置５０（一部のみを示している）を位置付ける。熱圧着装置５０は、回転軸５４を中心に矢印Ｒ１で示す方向に回転可能に保持された加熱ローラ５２を備える。加熱ローラ５２の表面には、熱圧着シート２０が加熱されることによって粘着力を発揮しても付着しないように、フッ素樹脂がコーティングされている。加熱ローラ５２の内部には、電気ヒータ及び温度センサが内蔵（図示は省略する）されており、別途用意される制御装置によって、加熱ローラ５２の表面を所望の温度に調整することができる。熱圧着装置５０を熱圧着シート２０上に位置付けたならば、図に示すように、熱圧着シート２０を加熱ローラ５２で加熱しながら押圧し、加熱ローラ５２を矢印Ｒ１で示す方向に回転させながら、熱圧着シート２０の表面に沿って矢印Ｒ２で示す方向に移動させる。加熱ローラ５２によって熱圧着シート２０を加熱する際の加熱温度は、１２０℃〜１４０℃の範囲に設定される。この温度は、熱圧着シート２０を構成するポリエチレンシートの融点近傍の温度であり、熱圧着シート２０が過度に溶融せず、且つ軟化して粘着性を発揮する温度で設定される。このようにすることで、ウエーハ１０の表面１０ａに熱圧着シート２０が熱圧着され、図１（ｂ）の下方に示すようにウエーハ１０と熱圧着シート２０とが一体とされて、熱圧着シート配設工程が完了する。
本発明の熱圧着シート配設工程は、図１に示した実施態様に限定されない。図２を参照しながら、熱圧着シート配設工程の他の実施形態について説明する。
図２（ａ）に示すウエーハ１０は、上記した図１のウエーハ１０と同一のウエーハであり、複数の細孔１２１が形成された電子ビーム描画デバイス１２が分割予定ライン１４によって区画され形成されている。図２に示す熱圧着シート配設工程を実施するに際し、ポリエチレン樹脂をペレット状にしたペレット２２を用意し、ペレット２２をウエーハ１０の表面１０ａ上の所定の位置に載置する。なお、図２（ａ）では、説明の都合上３つのペレット２２を示しているが、ペレット２２の形状、寸法、数はこれに限定されるものではない。
次いで、ウエーハ１０を、図２（ｂ）に示す加熱圧着装置６０の直下に位置付ける。加熱圧着装置６０は、例えば、円板形状の加熱プレス板６２と、加熱プレス板６２を上下に昇降させる昇降手段（図示は省略する）とを備えている。加熱プレス板６２の内部には、電気ヒータ及び温度センサが内蔵（図示は省略する）されており、別途用意される制御装置によって、加熱プレス板６２の表面を所望の温度に調整することができる。加熱プレス板６２の下面は平坦面に形成されており、ペレット２２が加熱されることによって粘着力を発揮しても付着しないように、フッ素樹脂がコーティングされている。上記したようにペレット２２をウエーハ１０の表面１０ａに載置したならば、加熱プレス板６２の表面を１２０℃〜１４０℃の範囲で加熱し、該昇降手段を作動して、矢印Ｒ３で示す方向にゆっくり下降させる。
加熱プレス板６２が下降してペレット２２が加熱圧縮されることによりペレット２２が軟化してウエーハ１０の表面１０ａ上で広がりシート状に形成され、さらに粘着力が発揮されることによりウエーハ１０の表面１０ａ上を隙間なく被覆して、図２（ｂ）に示すように、ペレット２２から形成された熱圧着シート２２’がウエーハ１０の表面に熱圧着された状態となる。なお、図２（ｂ）に示す実施形態では、ウエーハ１０の外側にはみ出した熱圧着シート２２’は適宜カットされている。
上記したように、熱圧着シート配設工程を実施したならば、ウエーハ１０を個々のデバイスに分割する切削工程を実施する。切削工程を実施するに際し、好ましくは図３に示すように、予めウエーハ１０を収容することが可能に構成された開口部Ｆａが中央に形成された環状のフレームＦにダイシングテープＴを介してウエーハ１０の裏面１０ｂ側を支持するダイシングテープ支持工程を実施しておくと好都合である。
さらに、追って説明する切削工程を実施するための切削装置１（図４を参照）を準備する切削装置準備工程を実施する。切削装置１は、ウエーハ１０を保持する保持手段５に回転可能に配設されたチャックテーブル５ａと、チャックテーブル５ａに保持されたウエーハ１０に切削水を供給しながら切削する切削ブレード８１を回転可能に備えた切削手段８と、チャックテーブル５ａと切削手段８とを相対的に加工送りする送り手段と、を少なくとも備えている。さらに具体的に説明すると、切削装置１は、上記した構成に加え、略直方体形状のハウジング１Ａを備え、ハウジング１Ａのカセット載置領域２Ａに載置されるカセット２と、カセット２から被加工物であるウエーハ１０を仮置きテーブル３に搬出する搬出入手段４と、仮置きテーブル３に搬出されたウエーハ１０を保持手段５のチャックテーブル５ａに搬送して載置する旋回アームを有する搬送手段６と、チャックテーブル５ａ上に載置され保持されたウエーハ１０を撮像する撮像手段７と、切削手段８により切削加工が施されたウエーハ１０をチャックテーブル５ａから洗浄位置に搬送するための搬送手段９と、を備えている。
上記した送り手段は、保持手段５を図中矢印Ｘで示す方向で移動させる移動手段、及び切削手段８を矢印Ｙ、Ｚで示す方向で移動させる移動手段（いずれも切削装置１のハウジング１Ａの内部に収容されており図示は省略する）により構成され、図示を省略する制御手段によって制御される。
切削手段８は、図５に示すように、図中矢印Ｙで示すＹ軸方向に沿ってスピンドルハウジング８２に回転自在に支持され先端に切削ブレード８１が装着されたスピンドル８３と、スピンドル８３の先端側に配設され切削ブレード８１を覆うブレードカバー８４と、切削ブレード８１が切削加工を施す切削位置に切削水を供給する切削水ノズル８５と、を備えている。スピンドル８３は、スピンドルハウジング８２の後端側に配設された図示を省略するスピンドルモータにより回転駆動される。
上記した熱圧着シート配設工程が施されたウエーハ１０は、図４に示すカセット２に収容された状態で切削装置１に搬入され、搬出入手段４、搬送手段６によって搬出されて、チャックテーブル５ａに搬送され、裏面１０ｂ側を下方に向けて載置され、図示しない吸引手段を作動させて、チャックテーブル５ａの保持面に吸引保持される。次いで、ウエーハ１０を撮像手段７の直下に位置付けて撮像して、切削すべき分割予定ラインを検出するアライメント工程を実施する。アライメント工程を実施することにより検出した分割予定ライン１４の位置情報に基づいて、上記した送り手段を作動してチャックテーブル５ａを切削手段８の直下に位置付けて、所定の方向に形成された加工開始位置となる分割予定ライン１４をＸ軸方向に整合させる。さらに、上記した送り手段を作動して、切削水ノズル８５から切削水を供給しながら切削ブレード８１を回転させて該分割予定ライン１４に沿って熱圧着シート２０と共にウエーハ１０を切削して分割溝１２０を形成する。
さらに、分割溝１２０を形成した分割予定ライン１４にＹ軸方向で隣接し、分割溝１２０が形成されていない分割予定ライン１４上に切削手段８の切削ブレード８１を割り出し送りして、上記と同様にして分割溝１２０を形成する。これらを繰り返すことにより、Ｘ軸方向に沿うすべての分割予定ライン１４に沿って分割溝１２０を形成する。次いで、チャックテーブル５ａを９０度回転し、先に分割溝１２０を形成した方向と直交する方向をＸ軸方向に整合させ、上記した切削加工を新たにＸ軸方向に整合させたすべての分割予定ライン１４に対して実施し、ウエーハ１０に形成されたすべての分割予定ライン１４に沿って分割溝１２０を形成する。このようにして分割工程を実施してウエーハ１０を個々のデバイスチップに分割する（切削工程）。
次いで、図６に示すように、切削工程が施されたウエーハ１０の表面１０ａ、すなわち、個々のデバイスチップ１２’の表面から熱圧着シート２０（又は熱圧着シート２２’）を剥離する（剥離工程）。なお、熱圧着シート２０を剥離する際には、別途のテープ（図示は省略する）等を熱圧着シート２０の上面に張り付けることで、容易にウエーハ１０の表面１０ａから剥離することができる。なお、剥離工程は、図６に示すように、ウエーハ１０をダイシングテープＴ上に保持させた状態で実施することに限定されず、例えば、ウエーハ１０から、個々のデバイスチップ１２’をピックアップした後、個別に剥離するようにしてもよい。
本実施形態によれば、熱圧着シート２０は、それのみで粘着力を発揮し、貼着面には粘着面が形成されていない。これにより、従来のように保護テープの粘着層の一部がデバイスの表面に付着して残り、デバイスの品質を低下させるという問題が解消する。
特に、上記した実施形態を、例えば、上記したような３ｃｍ角の領域に直径（又は１辺）が１０〜２０μｍの細孔が１０〜２０μｍの間隔で複数形成された電子ビーム描画デバイス１２を個々のデバイスチップ１２’に分割する加工に適用すれば、切削工程において発生する切削屑が細孔１２１に進入しないようにされると共に、保護テープを剥離した際に、細孔１２１の淵に髭のように粘着層の一部が残存して品質を低下させるという問題がなくなり、品質が向上する。なお、当該効果は、図２に基づいて説明した熱圧着シート２２’においても同様に得ることができる。
上記した実施形態では、熱圧着シート２０、熱圧着シート２２’をポリエチレンシートとしたが、本発明はこれに限定されず、ポリオレフィン系のシート、又はポリエステル系のシートから適宜選択することができる。
熱圧着シート２０を、ポリオレフィン系のシートから選択する場合、上記した実施形態において選択されたポリエチレンシートの他に、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかから選択することができる。
熱圧着シート２０としてポリプロピレンシートを選択した場合は、上記した熱圧着シート配設工程を実施する際の加熱温度を１６０℃〜１８０℃とすることが好ましい。また、熱圧着シート２０としてポリスチレンシートを選択した場合は、熱圧着シート配設工程を実施する際の加熱温度を２２０℃〜２４０℃とすることが好ましい。
熱圧着シート２０を、ポリエステル系のシートから選択する場合、具体的には、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかから選択することができる。
熱圧着シート２０としてポリエチレンテレフタレートシートを選択した場合は、熱圧着シート配設工程を実施する際の加熱温度を２５０℃〜２７０℃とすることが好ましい。また、熱圧着シート２０としてポリエチレンナフタレートシートを選択した場合は、熱圧着シート配設工程を実施する際の加熱温度を１６０℃〜１８０℃とすることが好ましい。
さらに、上記したペレット２２は、上記したポリエチレンによって形成することに限定されず、ポリオレフィン系の樹脂（例えばポリプロピレン、ポリスチレン）、又はポリエステル系の樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）から適宜選択して形成し、熱圧着シート配設工程によってウエーハ１０上に熱圧着シートとして配設することができる。
なお、上記した実施形態では、被加工物となるウエーハとして、電子ビーム描画デバイスが形成されたウエーハを選択した場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、デバイスにビアホール等の複数の細孔を形成したウエーハの加工方法として適用する場合であっても、上記したのと同様の作用効果を奏することができる。
１：切削装置
２：カセット
３：仮置きテーブル
４：搬出入手段
５：保持手段
５ａ：チャックテーブル
６：搬送手段
７：撮像手段
８：切削手段
８１：切削ブレード
８２：スピンドルハウジング
８３：スピンドル
８４：ブレードカバー
８５：切削水ノズル
９：搬送手段
１０：ウエーハ
１０ａ：表面
１０ｂ：裏面
１２：電子ビーム描画デバイス
１４：分割予定ライン
２０：熱圧着シート
２２：ペレット
２２’：熱圧着シート
５０：熱圧着装置
５２：加熱ローラ
５４：回転軸
６０：加熱圧着装置
６２：加熱プレス板

Claims (7)

  1. 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスチップに分割するウエーハの加工方法であって、
    ウエーハの表面に熱圧着シートを配設する熱圧着シート配設工程と、
    ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハに切削水を供給しながら切削する切削ブレードを回転可能に備えた切削手段と、該チャックテーブルと該切削手段とを相対的に加工送りする送り手段と、を少なくとも備えた切削装置を準備する切削装置準備工程と、
    ウエーハの裏面側を該チャックテーブルに保持し切削水を供給しながら切削ブレードでウエーハの分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスチップに分割する切削工程と、
    デバイスチップの表面から熱圧着シートを剥離する剥離工程と、
    を含み構成されるウエーハの加工方法。
  2. ウエーハに形成され個々に分割されるデバイスは、複数の細孔が表面に形成された電子ビーム描画デバイスである請求項１に記載のウエーハの加工方法。
  3. ウエーハを収容する開口部が中央に形成されたフレームにダイシングテープを介してウエーハの裏面側を支持するダイシングテープ支持工程を、該切削工程の前に実施する請求項１、又は２に記載のウエーハの加工方法。
  4. 該熱圧着シートは、ポリオレフィン系シートであり、ポリエチレンシート、ポリプロピレンシート、ポリスチレンシートのいずれかである請求項１から３のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  5. 該熱圧着シートは、ポリエステル系シートであり、ポリエチレンテレフタレートシート、ポリエチレンナフタレートシートのいずれかである請求項１から３のいずれかに記載のウエーハの加工方法。
  6. 熱圧着シート配設工程において、熱圧着シートをウエーハに配設する際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンシートが選択された場合は１２０℃〜１４０℃であり、ポリプロピレンシートが選択された場合は１６０℃〜１８０℃であり、ポリスチレンシートが選択された場合は２２０℃〜２４０℃である請求項４に記載のウエーハの加工方法。
  7. 熱圧着シート配設工程において、熱圧着シートをウエーハに配設する際の加熱温度は、該熱圧着シートとしてポリエチレンテレフタレートシートが選択された場合は２５０℃〜２７０℃であり、ポリエチレンナフタレートが選択された場合は１６０℃〜１８０℃である請求項５に記載のウエーハの加工方法。
JP2020090229A 2020-05-25 2020-05-25 ウエーハの加工方法 Pending JP2021185591A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020090229A JP2021185591A (ja) 2020-05-25 2020-05-25 ウエーハの加工方法
KR1020210054536A KR20210145667A (ko) 2020-05-25 2021-04-27 웨이퍼의 가공 방법
CN202110544651.7A CN113725137A (zh) 2020-05-25 2021-05-19 晶片的加工方法
TW110118347A TW202145327A (zh) 2020-05-25 2021-05-20 晶圓之加工方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020090229A JP2021185591A (ja) 2020-05-25 2020-05-25 ウエーハの加工方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021185591A true JP2021185591A (ja) 2021-12-09

Family

ID=78672660

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020090229A Pending JP2021185591A (ja) 2020-05-25 2020-05-25 ウエーハの加工方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2021185591A (ja)
KR (1) KR20210145667A (ja)
CN (1) CN113725137A (ja)
TW (1) TW202145327A (ja)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010129622A (ja) 2008-11-26 2010-06-10 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210145667A (ko) 2021-12-02
CN113725137A (zh) 2021-11-30
TW202145327A (zh) 2021-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7181020B2 (ja) ウエーハの加工方法
KR20210054986A (ko) 웨이퍼의 처리 방법
TWI810309B (zh) 晶圓的加工方法
JP2021185591A (ja) ウエーハの加工方法
TWI830807B (zh) 板狀物加工方法
TWI813674B (zh) 晶圓的加工方法
JP7317482B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2005260154A (ja) チップ製造方法
JP7374657B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7317483B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP7404109B2 (ja) 一体化方法
CN110867396B (zh) 晶片的保护方法
JP7355568B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2005116588A (ja) チップ部品の製造方法
CN110858537A (zh) 晶片的保护方法、保护部件和保护部件的生成方法
JP2024004777A (ja) マスクの形成方法
CN116640371A (zh) 热压接片
KR20220072739A (ko) SiC 웨이퍼의 가공 방법
JP2021048209A (ja) ウエーハの加工方法
KR20220118311A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2021068742A (ja) リングフレーム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230403

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20230825

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20231213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231219