KR101798700B1 - 연마 방법 및 연마 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 연마 레이트를 높일 수 있으며, 또한 기판의 에지부에 매끄러운 수직면을 형성할 수 있는 연마 방법을 제공한다.
본 연마 방법은 기판(W)을 회전시키고, 제1 연마구(3A)를 기판(W)의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하고, 제1 연마구(3A)보다도 기판(W)의 반경 방향에 있어서 내측에 배치된 제2 연마구(3B)를 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마한다. 제1 연마구(3A)는, 제2 연마구(3B)보다도 거친 연마면을 갖고 있다.

Description

연마 방법 및 연마 장치{POLISHING METHOD AND POLISHING APPARATUS}
본 발명은, 웨이퍼 등의 기판을 연마하는 연마 방법에 관한 것이며, 특히 기판의 에지부에 연마구를 가압하여 상기 에지부를 연마하는 연마 방법에 관한 것이다.
웨이퍼의 주연부를 연마하기 위해, 연마 테이프 또는 고정 지립 등의 연마구를 구비한 연마 장치가 사용되고 있다. 이러한 종류의 연마 장치는, 웨이퍼를 회전시키면서 웨이퍼의 주연부에 연마구를 접촉시킴으로써 웨이퍼의 주연부를 연마한다. 본 명세서에서는, 웨이퍼의 주연부를 웨이퍼의 최외주에 위치하는 베벨부와, 이 베벨부의 반경 방향 내측에 위치하는 톱 에지부 및 보텀 에지부를 포함하는 영역으로서 정의한다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다. 보다 상세하게는, 도 8의 (a)는 소위 스트레이트형의 웨이퍼의 단면도이며, 도 8의 (b)는 소위 라운드형의 웨이퍼의 단면도이다. 도 8의 (a)의 웨이퍼(W)에 있어서, 베벨부는 상측 경사부(상측 베벨부)(P), 하측 경사부(하측 베벨부)(Q) 및 측부(에이펙스(apex))(R)로 구성되는 웨이퍼(W)의 최외주면(부호 B로 나타냄)이다. 도 8의 (b)의 웨이퍼(W)에 있어서는, 베벨부는 웨이퍼(W)의 최외주면을 구성하는, 만곡된 단면을 갖는 부분(부호 B로 나타냄)이다. 톱 에지부는, 베벨부(B)보다도 반경 방향 내측에 위치하는 평탄부(E1)이다. 보텀 에지부는, 톱 에지부와는 반대측에 위치하고, 베벨부(B)보다도 반경 방향 내측에 위치하는 평탄부(E2)이다. 이하, 이들 톱 에지부(E1) 및 보텀 에지부(E2)를 총칭하여 에지부라고 칭한다. 에지부는, 디바이스가 형성된 영역을 포함하는 경우도 있다.
SOI(Silicon on Insulator) 기판 등의 제조 공정에서는, 도 9에 도시한 바와 같이 웨이퍼(W)의 에지부에 수직면 및 수평면을 형성하는 것이 요구되고 있다. SOI 기판은, 디바이스 기판과 실리콘 기판을 접합함으로써 제조된다. 보다 구체적으로는, 도 10의 (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 디바이스 기판(W1)과 실리콘 기판(W2)을 접합하고, 도 10의 (c)에 도시한 바와 같이 디바이스 기판(W1)을 그 이면으로부터 그라인더로 연삭함으로써, 도 10의 (d)에 도시한 바와 같은 SOI 기판을 얻는다.
도 9에 도시한 바와 같은 에지부의 단면 형상은, 도 11에 도시하는 연마 장치에 의해 형성할 수 있다. 즉, 웨이퍼(W)를 회전시키면서, 가압 부재(100)로 연마 테이프(101)의 테두리부를 에지부에 위로부터 가압함으로써, 웨이퍼(W)의 에지부를 연마한다. 연마 테이프(101)의 하면은 지립을 유지한 연마면을 구성하고 있으며, 이 연마면은 웨이퍼(W)와 평행하게 배치된다. 그리고, 연마 테이프(101)의 테두리부를 웨이퍼(W)의 에지부에 위치시킨 상태에서, 가압 부재(100)로 연마 테이프(101)의 연마면을 웨이퍼(W)의 에지부에 대하여 가압함으로써, 도 9에 도시한 바와 같은 직각의 단면 형상, 즉 수직면 및 수평면을 웨이퍼(W)의 에지부에 형성할 수 있다.
일본 특허 공개 제2011-171647호 공보 일본 특허 공개 제2012-213849호 공보
도 11에 도시하는 연마 장치의 스루풋을 높이기 위해서는, 거친 연마면을 갖는 연마 테이프를 사용하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(W)의 연마 레이트(제거 레이트라고도 함)가 높아지기 때문이다. 그러나, 거친 연마면을 갖는 연마 테이프를 웨이퍼(W)의 에지부에 누르면, 에지부의 수직면이 거칠어져, 경우에 따라서는 에지부가 결여되는 경우가 있다. 미세한 연마면을 갖는 연마 테이프를 사용하면, 매끄러운 수직면을 에지부에 형성하는 것은 가능하다. 그러나, 미세한 연마면을 갖는 연마 테이프를 사용하면, 웨이퍼(W)의 연마 레이트가 저하되어 버린다.
본 발명은 상술한 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 연마 레이트를 높일 수 있고, 또한 기판의 에지부에 매끄러운 수직면을 형성할 수 있는 연마 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 한 형태는, 기판을 회전시키고, 제1 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하고, 상기 제1 연마구보다도 상기 기판의 반경 방향에 있어서 내측에 배치된 제2 연마구를 상기 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하는 공정을 포함하며, 상기 제1 연마구는 상기 제2 연마구보다도 거친 연마면을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 연마 방법이다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 연마구를 상기 기판의 에지부에 접촉시킨 시점부터 소정의 시간이 경과한 후에, 상기 제2 연마구를 상기 기판의 에지부에 접촉시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제1 연마구의 접촉 폭은, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제2 연마구의 접촉 폭 이상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트는, 상기 제2 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트보다도 높은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 연마구는 거친 연마용의 연마구이며, 상기 제2 연마구는 마무리 연마용의 연마구인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 연마구는 제1 연마 테이프이며, 상기 제2 연마구는 제2 연마 테이프인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 바람직한 형태는, 상기 제1 연마구는 제1 지석이며, 상기 제2 연마구는 제2 지석인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 제1 연마구에 의해 기판의 에지부가 먼저 연마된다. 따라서, 제2 연마구와 에지부의 접촉 면적이 작아지고, 결과적으로 제2 연마구의 에지부에 대한 압력이 높아진다. 따라서, 제1 연마구보다도 미세한 연마면을 갖는 제2 연마구는 높은 연마 레이트(제거 레이트)로 기판의 에지부를 연마할 수 있다. 또한, 미세한 연마면을 갖는 제2 연마구에 의해 매끄러운 수직면을 에지부에 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명에 관한 연마 방법의 한 실시 형태를 실시하기 위한 연마 장치의 모식도이다.
도 2는 도 1에 도시하는 연마 장치의 평면도이다.
도 3은 제1 연마 테이프를 가압 패드에 의해 웨이퍼의 에지부에 가압하여, 웨이퍼의 에지부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 측면도다.
도 4는 제1 연마 테이프와 제2 연마 테이프의 배치를 설명하기 위한 도면이다.
도 5의 (a) 내지 (c)는, 본 발명에 관한 연마 방법의 한 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 6은 1개의 연마 테이프로 웨이퍼의 에지부를 연마하고 있는 모습을 도시하는 도면이다.
도 7의 (a) 내지 (c)는, 본 실시 형태의 연마 장치에 의해 연마된 기판을 사용하여 SOI 기판을 제조하는 공정을 설명하는 도면이다.
도 8의 (a) 및 (b)는, 웨이퍼의 주연부를 도시하는 확대 단면도이다.
도 9는 웨이퍼의 에지부에 형성된 수직면 및 수평면을 도시하는 도면이다.
도 10의 (a) 내지 (d)는, SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제조 공정을 설명하는 도면이다.
도 11은 도 9에 도시하는 에지부의 단면 형상을 형성할 수 있는 연마 장치의 일례를 도시하는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은, 본 발명에 관한 연마 방법의 한 실시 형태를 실시하기 위한 연마 장치의 모식도이고, 도 2는 도 1에 도시하는 연마 장치의 평면도이다. 연마 장치는, 기판의 일례인 웨이퍼(W)를 유지하여 회전시키는 기판 유지부(1)와, 기판 유지부(1)에 유지된 웨이퍼(W)의 에지부를 연마하는 제1 연마 유닛(2A) 및 제2 연마 유닛(2B)과, 웨이퍼(W)의 중심부에 연마액(예를 들어 순수)을 공급하는 연마액 공급 기구(4)를 구비하고 있다.
2개의 연마 유닛(2A, 2B)의 배치는, 웨이퍼 유지부(1)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 대칭이다. 제1 연마 유닛(2A)은, 제1 연마구로서의 제1 연마 테이프(3A)를 웨이퍼(W)의 에지부에 미끄럼 접촉시킴으로써 상기 에지부를 연마하고, 제2 연마 유닛(2B)은, 제2 연마구로서의 제2 연마 테이프(3B)를 웨이퍼(W)의 에지부에 미끄럼 접촉시킴으로써 상기 에지부를 연마한다. 제1 연마 테이프(3A)는, 제2 연마 테이프(3B)보다도 거친 연마면을 갖고 있다. 웨이퍼(W)의 연마 중에는, 연마액 공급 기구(4)로부터 연마액이 웨이퍼(W)의 중심부에 공급된다. 사용되는 연마액의 예로서는, 순수를 들 수 있다. 제1 연마구 및/또는 제2 연마구로서, 연마 테이프 대신에 지석을 사용해도 좋다.
제1 연마 유닛(2A)과 제2 연마 유닛(2B)은 동일 구성을 갖고 있으므로, 이하, 제1 연마 유닛(2A)에 대하여 설명한다. 제1 연마 유닛(2A)은, 제1 연마 테이프(3A)를 지지하는 연마 테이프 지지 기구(연마구 지지 기구)(5)와, 제1 연마 테이프(3A)를 웨이퍼(W)의 에지부에 위로부터 가압하는 가압 패드(7)와, 가압 패드(7)를 웨이퍼 표면에 대하여 수직인 방향으로 이동시키는 수직 이동 기구(9)와, 가압 패드(7) 및 수직 이동 기구(9)를 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키는 가압 패드 이동 기구(가압 부재 이동 기구)(10)와, 제1 연마 테이프(3A) 및 연마 테이프 지지 기구(5)를 웨이퍼(W)의 반경 방향으로 이동시키는 테이프 이동 기구(연마구 이동 기구)(11)를 구비하고 있다.
가압 패드 이동 기구(10) 및 테이프 이동 기구(11)는, 서로 독립적으로 동작 가능하게 되어 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 반경 방향에 있어서의 가압 패드(7)와 제1 연마 테이프(3A)의 상대 위치는, 가압 패드 이동 기구(10) 및 테이프 이동 기구(11)에 의해 조정할 수 있다. 수직 이동 기구(9), 가압 패드 이동 기구(10) 및 테이프 이동 기구(11)로서는, 에어 실린더의 조합 또는 서보 모터와 볼 나사의 조합 등을 사용할 수 있다.
연마 테이프 지지 기구(5)는, 제1 연마 테이프(3A)를 가압 패드(7)에 조출하는 조출 릴(12)과, 제1 연마 테이프(3A)를 권취하는 권취 릴(14)을 구비하고 있다. 제1 연마 테이프(3A)는, 조출 릴(12)로부터 가압 패드(7)를 경유하여 권취 릴(14)까지 연장되어 있다. 제1 연마 테이프(3A)는, 그 연마면이 웨이퍼(W)의 표면과 평행하도록, 또한 연마면이 웨이퍼(W)의 에지부에 대향하도록 연마 테이프 지지 기구(5)에 의해 지지되어 있다.
제1 연마 테이프(3A)의 편면(하면)은, 지립이 고정된 연마면을 구성하고 있다. 제1 연마 테이프(3A)는 긴 연마구이며, 웨이퍼(W)의 접선 방향을 따라 배치되어 있다. 가압 패드(7)는, 제1 연마 테이프(3A)를 웨이퍼(W)의 에지부에 가압하기 위한 가압 부재이며, 웨이퍼(W)의 에지부의 상방에 배치되어 있다. 제1 연마 테이프(3A)는, 가압 패드(7)와 웨이퍼(W)의 에지부 사이에 배치되어 있다. 가압 패드(7)의 저면에는, 제1 연마 테이프(3A)의 외측으로의 이동을 제한하는 테이프 스토퍼(17)가 고정되어 있다. 이 테이프 스토퍼(17)는 생략해도 좋다.
도 3은, 제1 연마 테이프(3A)를 가압 패드(7)에 의해 웨이퍼(W)의 에지부에 가압하여, 웨이퍼(W)의 에지부를 연마하고 있는 상태를 도시하는 도면이다. 제1 연마 유닛(2A)은, 제1 연마 테이프(3A)를 사용하여 웨이퍼(W)의 에지부를 연마한다. 마찬가지로 제2 연마 유닛(2B)은, 제1 연마 테이프(3A)와는 상이한 제2 연마 테이프(3B)를 사용하여 웨이퍼(W)의 에지부를 연마한다. 제1 연마 테이프(3A)는, 제2 연마 테이프(3B)보다도 거친 연마면을 갖고 있다. 예를 들어, 제1 연마 테이프(3A)는 거친 연마용의 거친 연마면을 갖는 연마 테이프이며, 제2 연마 테이프(3B)는 마무리 연마용의 미세한 연마면을 갖는 연마 테이프이다.
도 4에 도시한 바와 같이, 제2 연마 테이프(3B) 및 제2 연마 유닛(2B)의 가압 패드(7)는, 웨이퍼(W)의 반경 방향에 있어서 제1 연마 테이프(3A) 및 제1 연마 유닛(2A)의 가압 패드(7)보다도 내측에 배치되어 있다. 즉, 도 4에 도시한 바와 같이, 제1 연마 테이프(3A)의 내측 테두리부와 웨이퍼(W)의 최외주 단부의 거리(L1)는, 제2 연마 테이프(3B)의 내측 테두리부와 웨이퍼(W)의 최외주 단부의 거리(L2)보다도 짧다. 따라서, 제2 연마 테이프(3B)는, 제1 연마 테이프(3A)의 반경 방향 내측에 있는 에지부의 개소를 연마한다.
도 5의 (a) 내지 (c)는, 본 발명에 관한 연마 방법의 한 실시 형태를 도시하는 도면이다. 웨이퍼(W)는 그 축심 둘레에 기판 유지부(1)(도 1 및 도 2 참조)에 의해 회전된다. 이 상태에서, 도 5의 (a)에 도시한 바와 같이, 제1 연마 테이프(3A)가 우선 웨이퍼(W)의 에지부에 접촉하여, 에지부의 연마를 개시한다. 이때, 제2 연마 테이프(3B)는 웨이퍼(W)로부터 이격되어 있다. 제1 연마 테이프(3A)가 웨이퍼(W)의 에지부에 접촉한 시점(즉, 제1 연마 테이프(3A)가 에지부의 연마를 개시한 시점)부터 소정의 시간이 경과한 후, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 연마 테이프(3B)가 웨이퍼(W)의 에지부에 접촉하여, 에지부의 연마를 개시한다. 또한, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 연마 유닛(2A, 2B)의 가압 패드(7, 7)를 눌러서 내림으로써, 제1 연마 테이프(3A) 및 제2 연마 테이프(3B)에 의해 웨이퍼(W)의 에지부에 수직면 및 수평면을 형성한다. 도 5의 (a) 내지 (c)에는 도시하지 않았지만, 웨이퍼(W)의 에지부의 연마 중에는 연마액 공급 기구(4)로부터 연마액이 웨이퍼(W)의 상면에 공급된다.
가압 패드(7)의 웨이퍼 가압면(기판 가압면)은 웨이퍼 표면과 평행한 수평면이다. 연마 유닛(2A, 2B)은 이 수평인 가압면으로 연마 테이프(3A, 3B)를 웨이퍼(W)의 에지부에 가압함으로써, 각각 웨이퍼(W)의 에지부에 수직면 및 수평면을 형성한다. 웨이퍼(W)에 접촉하고 있는 연마 테이프(3A, 3B)의 연마면은, 웨이퍼(W)의 표면과 평행하다.
도 5의 (c)로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 연마 테이프(3A)가 먼저 에지부의 외측 영역을 연마하고, 계속해서 제2 연마 테이프(3B)가 에지부의 내측 영역을 연마한다. 에지부에 접촉하고 있을 때의 제1 연마 테이프(3A)의 접촉 폭(P1)은, 에지부에 접촉하고 있을 때의 제2 연마 테이프(3B)의 접촉 폭(P2) 이상인 것이 바람직하다. 이것은, 제2 연마 테이프(3B)와 에지부의 접촉 면적을 작게 하여, 제2 연마 테이프(3B)의 에지부에 대한 연마 압력을 높이기 위함이다. 여기서, 상기 접촉 폭은, 웨이퍼(W)의 반경 방향에 있어서의 연마 테이프(3A, 3B)의 접촉 폭이다.
연마 중, 항상 제1 연마 테이프(3A)가 제2 연마 테이프(3B)보다도 선행하여 에지부를 연마하도록, 제1 연마 테이프(3A)에 의해 연마되는 에지부의 제거 레이트는 제2 연마 테이프(3B)에 의해 연마되는 에지부의 제거 레이트보다도 높은 것이 바람직하다.
도 6은, 1개의 연마 테이프(20)를 사용하여 웨이퍼(W)의 에지부를 연마하는 모습을 도시하는 도면이다. 도 6과 도 5의 (c)의 대비로부터 알 수 있는 바와 같이, 제1 연마 테이프(3A)와 웨이퍼(W)의 접촉 면적 및 제2 연마 테이프(3B)와 웨이퍼(W)의 접촉 면적은, 도 6의 연마 테이프(20)와 웨이퍼(W)의 접촉 면적보다도 작다. 이것은, 제1 연마 테이프(3A) 및 제2 연마 테이프(3B)의 웨이퍼(W)에 대한 압력이 도 6에 도시하는 연마 테이프(20)의 웨이퍼(W)에 대한 압력보다도 높은 것을 의미한다. 따라서, 제1 연마 테이프(3A) 및 제2 연마 테이프(3B)는, 모두 웨이퍼(W)의 에지부를 높은 연마 레이트로 연마할 수 있다.
SOI(Silicon on Insulator) 기판의 제조 공정에서는, 제1 연마 테이프(3A)에 의해 형성된 수평면 및 수직면은 그라인더에 의해 제거된다. 즉, 도 7의 (a) 및 도 7의 (b)에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태의 연마 장치에 의해 연마된 디바이스 기판(W1)을 실리콘 기판(W2)에 접합하고, 디바이스 기판(W1)을 그 이면으로부터 그라인더로 연삭함으로써, 도 7의 (c)에 도시한 바와 같은 SOI 기판을 얻는다. 디바이스 기판(W1)에는, 미세한 연마면을 갖는 제2 연마 테이프(3B)에 의해 형성된 매끄러운 수직면만이 남는다.
상술한 실시 형태는, 본 발명이 속하는 기술 분야에 있어서의 통상의 지식을 갖는 자가 본 발명을 실시할 수 있는 것을 목적으로서 기재된 것이다. 상기 실시 형태의 다양한 변형예는 당업자라면 당연히 이룰 수 있는 것이며, 본 발명의 기술적 사상은 다른 실시 형태에도 적용할 수 있는 것이다. 따라서, 본 발명은 기재된 실시 형태로 한정되지 않으며, 특허 청구 범위에 의해 정의되는 기술적 사상에 따른 가장 넓은 범위로 해석되는 것이다.
1 기판 유지부
2A, 2B 연마 유닛
3A, 3B 연마 테이프
4 연마액 공급 기구
5 연마 테이프 지지 기구(연마구 지지 기구)
7 가압 패드(가압 부재)
9 수직 이동 기구
10 가압 패드 이동 기구(가압 부재 이동 기구)
11 테이프 이동 기구(연마구 이동 기구)
12 조출 릴
14 권취 릴
17 테이프 스토퍼

Claims (10)

  1. 베벨부와 에지부를 갖는 기판이며, 상기 베벨부는 최외주부이고, 상기 에지부는 상기 베벨부의 반경 방향 내측에 위치하는 평탄부인 기판을 회전시키고,
    제1 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하고,
    상기 제1 연마구보다도 상기 기판의 반경 방향에 있어서 내측에 배치된 제2 연마구를 상기 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하는 공정을 포함하며,
    상기 제1 연마구는 상기 제2 연마구보다도 거친 연마면을 갖고 있고,
    상기 제1 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하고 있는 도중에, 상기 제2 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부의 연마를 개시시키는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 연마구와 상기 제2 연마구의 배치는, 상기 기판에 대하여 대칭인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제1 연마구의 접촉 폭은, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제2 연마구의 접촉 폭 이상인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트는, 상기 제2 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트보다도 높은 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1 연마구는 거친 연마용의 연마구이며, 상기 제2 연마구는 마무리 연마용의 연마구인 것을 특징으로 하는 연마 방법.
  6. 베벨부와 에지부를 갖는 기판이며, 상기 베벨부는 최외주부이고, 상기 에지부는 상기 베벨부의 반경 방향 내측에 위치하는 평탄부인 기판을 회전시키는 기판 유지부와,
    상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하는 제1 연마구와,
    상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하는 제2 연마구이며, 상기 제1 연마구보다도 상기 기판의 반경 방향에 있어서 내측에 배치된 제2 연마구를 구비하고,
    상기 제1 연마구는, 상기 제2 연마구보다도 거친 연마면을 갖고 있고,
    상기 제1 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부를 연마하고 있는 도중에, 상기 제2 연마구를 상기 기판의 에지부에 눌러서 상기 에지부의 연마를 개시하는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1 연마구와 상기 제2 연마구는, 상기 기판에 대하여 대칭으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제1 연마구의 접촉 폭은, 상기 에지부에 접촉하고 있을 때의 상기 제2 연마구의 접촉 폭 이상인 것을 특징으로 하는 연마 장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트는, 상기 제2 연마구에 의해 연마되는 상기 에지부의 제거 레이트보다도 높은 것을 특징으로 하는 연마 장치.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제1 연마구는 거친 연마용의 연마구이며, 상기 제2 연마구는 마무리 연마용의 연마구인 것을 특징으로 하는 연마 장치.
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