JPH0897111A - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
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- JPH0897111A JPH0897111A JP26923294A JP26923294A JPH0897111A JP H0897111 A JPH0897111 A JP H0897111A JP 26923294 A JP26923294 A JP 26923294A JP 26923294 A JP26923294 A JP 26923294A JP H0897111 A JPH0897111 A JP H0897111A
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Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術に比し短時間で製造することがで
き、またＶ溝の発生をなくすことができるＳＯＩ基板の
製造方法を提供する。 【構成】 支持基板２と活性基板３を貼り合わせて貼合
せウェハ４を得る。活性基板３の上面を平面研削する。
貼合せウェハ４を水平方向に回転させると共に、研磨テ
ープ７を垂直方向に摺動させる。貼合せウェハ４の外周
部を研磨テープ７の表面に当接させる。押え具８により
研磨テープ７を矢印Ａの方向に押圧する。押え具８によ
り研磨テープ７が活性基板３の外周部を垂直に研磨す
る。活性基板３の外周部が未接着部分と共に取り除かれ
る。
き、またＶ溝の発生をなくすことができるＳＯＩ基板の
製造方法を提供する。 【構成】 支持基板２と活性基板３を貼り合わせて貼合
せウェハ４を得る。活性基板３の上面を平面研削する。
貼合せウェハ４を水平方向に回転させると共に、研磨テ
ープ７を垂直方向に摺動させる。貼合せウェハ４の外周
部を研磨テープ７の表面に当接させる。押え具８により
研磨テープ７を矢印Ａの方向に押圧する。押え具８によ
り研磨テープ７が活性基板３の外周部を垂直に研磨す
る。活性基板３の外周部が未接着部分と共に取り除かれ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、支持基板として機能す
る半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェ
ハを貼り合わせて得られる貼合せウェハからＳＯＩ基板
を製造するＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
る半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェ
ハを貼り合わせて得られる貼合せウェハからＳＯＩ基板
を製造するＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高性能の半導体デバイス用基板と
して、その高耐圧性や高速性などからＳＯＩ基板が要求
されており、この種の要求を満たす大面積で結晶欠陥の
少ないＳＯＩ基板は、２枚の半導体ウェハを貼り合わせ
て得られる貼合せウェハから比較的容易に作れるように
なった。従来、このような貼合せウェハからのＳＯＩ基
板の製造は、通常次に示すような工程で行われる（図３
参照）。 （１）活性基板１１を熱処理し、その表面に酸化膜１３
を形成した後、支持基板１２との接合面１１ａに鏡面仕
上げを施す一方、支持基板１２の接合面１２ａにも鏡面
仕上げを施す（図３（ａ））。 （２）それぞれの基板の鏡面仕上げを施した接合面１１
ａ、１２ａを洗浄、親水処理し、乾燥処理した後、まだ
親水性を保持した状態でそれぞれの接合面１１ａ、１２
ａを互いに接合させる。これに再度熱処理を行うことに
より活性基板１１と支持基板１２は互いに貼着すると共
に、支持基板１２側にも酸化膜１３が形成される。これ
により貼合せウェハ１４が得られる（図３（ｂ））。と
ころが、この親水処理及び乾燥処理をすることにより残
留水素や水素イオンがこの貼合せウェハ１４の外周部に
集まりやすく、それが気泡を形成して未接着部（ボイ
ド）が発生する原因となる。この未接着部は他の部位よ
り強度が落ち、後のデバイス工程でチッピングやパーテ
ィクル発生の原因となる。 （３）このため、次の工程として未接着部を含む活性基
板１１の外周部を研削加工により面取りする（図３
（ｃ））。この際、研削加工は接合部の中間酸化膜１３
ａを傷つけないように厚さ数十μｍ程度の残留層１１ｂ
を残して行われる。 （４）次に、残留層１１ｂを水酸化カリウムなどの無機
アルカリの水溶液、またはピペラジンなどの有機アルカ
リの水溶液を用いたエッチングにより除去する（図３
（ｄ））。 （５）最後に、活性基板１１をさらに所定の厚さまで平
面研削した後、フッ酸溶液によりエッチングして支持基
板１２の酸化膜１３を除去し、ＳＯＩ基板１０を得る
（図３（ｅ））。
して、その高耐圧性や高速性などからＳＯＩ基板が要求
されており、この種の要求を満たす大面積で結晶欠陥の
少ないＳＯＩ基板は、２枚の半導体ウェハを貼り合わせ
て得られる貼合せウェハから比較的容易に作れるように
なった。従来、このような貼合せウェハからのＳＯＩ基
板の製造は、通常次に示すような工程で行われる（図３
参照）。 （１）活性基板１１を熱処理し、その表面に酸化膜１３
を形成した後、支持基板１２との接合面１１ａに鏡面仕
上げを施す一方、支持基板１２の接合面１２ａにも鏡面
仕上げを施す（図３（ａ））。 （２）それぞれの基板の鏡面仕上げを施した接合面１１
ａ、１２ａを洗浄、親水処理し、乾燥処理した後、まだ
親水性を保持した状態でそれぞれの接合面１１ａ、１２
ａを互いに接合させる。これに再度熱処理を行うことに
より活性基板１１と支持基板１２は互いに貼着すると共
に、支持基板１２側にも酸化膜１３が形成される。これ
により貼合せウェハ１４が得られる（図３（ｂ））。と
ころが、この親水処理及び乾燥処理をすることにより残
留水素や水素イオンがこの貼合せウェハ１４の外周部に
集まりやすく、それが気泡を形成して未接着部（ボイ
ド）が発生する原因となる。この未接着部は他の部位よ
り強度が落ち、後のデバイス工程でチッピングやパーテ
ィクル発生の原因となる。 （３）このため、次の工程として未接着部を含む活性基
板１１の外周部を研削加工により面取りする（図３
（ｃ））。この際、研削加工は接合部の中間酸化膜１３
ａを傷つけないように厚さ数十μｍ程度の残留層１１ｂ
を残して行われる。 （４）次に、残留層１１ｂを水酸化カリウムなどの無機
アルカリの水溶液、またはピペラジンなどの有機アルカ
リの水溶液を用いたエッチングにより除去する（図３
（ｄ））。 （５）最後に、活性基板１１をさらに所定の厚さまで平
面研削した後、フッ酸溶液によりエッチングして支持基
板１２の酸化膜１３を除去し、ＳＯＩ基板１０を得る
（図３（ｅ））。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな活性基板１１の外周部を面取りした後にエッチング
により残留層１１ｂを除去する方法においては、エッチ
ングのリードタイムが長いため生産に時間がかかりすぎ
るという問題点があった。また、残留層の厚さは均一で
はなく、薄い部分は他の部分より早く融けてしまい、そ
の部分にＶ溝が発生するおそれがあるという問題点があ
った。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、従来
技術に比し短時間で製造することができ、またＶ溝の発
生をなくすことができるＳＯＩ基板の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
うな活性基板１１の外周部を面取りした後にエッチング
により残留層１１ｂを除去する方法においては、エッチ
ングのリードタイムが長いため生産に時間がかかりすぎ
るという問題点があった。また、残留層の厚さは均一で
はなく、薄い部分は他の部分より早く融けてしまい、そ
の部分にＶ溝が発生するおそれがあるという問題点があ
った。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、従来
技術に比し短時間で製造することができ、またＶ溝の発
生をなくすことができるＳＯＩ基板の製造方法を提供す
ることを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、支
持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として
機能する半導体ウェハを貼り合わせてＳＯＩ基板を製造
するに当たり、活性基板を平面研削した後、該活性基板
の外周部の未接着部分を除去する方法において、表面に
砥粒を設けた研磨テープを前記活性基板に対し略直角に
当接させて、摺動させるようにしたものである。
持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として
機能する半導体ウェハを貼り合わせてＳＯＩ基板を製造
するに当たり、活性基板を平面研削した後、該活性基板
の外周部の未接着部分を除去する方法において、表面に
砥粒を設けた研磨テープを前記活性基板に対し略直角に
当接させて、摺動させるようにしたものである。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す
模式図、図２は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法の製
造工程を示す図、図３は従来技術のＳＯＩ基板の製造方
法の製造工程を示す図である。
する。図１は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す
模式図、図２は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法の製
造工程を示す図、図３は従来技術のＳＯＩ基板の製造方
法の製造工程を示す図である。
【０００６】本実施例のＳＯＩ基板の製造方法は、貼合
せウェハ４を得るところまでは上記した従来技術と同様
である。すなわち、図２（ａ）に示すように、支持基板
２を熱処理し、その表面に酸化膜５を成長させた後、親
水処理および乾燥処理を経て、その上面に活性基板３を
接合させる。図２（ｂ）に示すように、接合した支持基
板２と活性基板３を熱処理することにより互いに貼着さ
せると共に、全体に酸化膜５を成長させて貼合せウェハ
４を得る。図２（ｃ）に示すように、貼合せウェハ４の
活性基板３の上面を研削機により平面研削する。
せウェハ４を得るところまでは上記した従来技術と同様
である。すなわち、図２（ａ）に示すように、支持基板
２を熱処理し、その表面に酸化膜５を成長させた後、親
水処理および乾燥処理を経て、その上面に活性基板３を
接合させる。図２（ｂ）に示すように、接合した支持基
板２と活性基板３を熱処理することにより互いに貼着さ
せると共に、全体に酸化膜５を成長させて貼合せウェハ
４を得る。図２（ｃ）に示すように、貼合せウェハ４の
活性基板３の上面を研削機により平面研削する。
【０００７】次に本実施例の研磨方法を説明する。図１
（ａ）に示すように、研磨を行う研磨テープ７の表面に
は砥粒（図示せず）が接着剤により固着されている。ま
た、その裏面はガイドローラー６ａ、６ｂにより支持さ
れ、活性基板に対し垂直方向に摺動するようにされてい
る。さらに、鋭角面を有する押え具８がガイドローラー
６ａと６ｂの間で研磨テープ７の裏面を上方から押圧で
きるように設けられている。これにより、活性基板３の
上面が平面研削された貼合せウェハ４を水平方向に回転
させると共に、研磨テープ７を活性基板に対し垂直方向
に摺動させ、貼合せウェハ４の外周部を研磨テープ７の
表面に当接させる。この研磨テープ７による研磨の際に
は、切削水９を上方から研磨面に吹きつけて行われる。
この研磨工程の初期においては、研磨テープ７の表面が
活性基板３の上面から支持基板３の外周部に渡って当接
する状態で研磨が開始され、押え具８を上方から押圧し
て矢印Ａの方向に移動させながら研磨を行う。
（ａ）に示すように、研磨を行う研磨テープ７の表面に
は砥粒（図示せず）が接着剤により固着されている。ま
た、その裏面はガイドローラー６ａ、６ｂにより支持さ
れ、活性基板に対し垂直方向に摺動するようにされてい
る。さらに、鋭角面を有する押え具８がガイドローラー
６ａと６ｂの間で研磨テープ７の裏面を上方から押圧で
きるように設けられている。これにより、活性基板３の
上面が平面研削された貼合せウェハ４を水平方向に回転
させると共に、研磨テープ７を活性基板に対し垂直方向
に摺動させ、貼合せウェハ４の外周部を研磨テープ７の
表面に当接させる。この研磨テープ７による研磨の際に
は、切削水９を上方から研磨面に吹きつけて行われる。
この研磨工程の初期においては、研磨テープ７の表面が
活性基板３の上面から支持基板３の外周部に渡って当接
する状態で研磨が開始され、押え具８を上方から押圧し
て矢印Ａの方向に移動させながら研磨を行う。
【０００８】図１（ｂ）に示すように、研磨テープ７が
垂直方向に摺動することにより、研磨テープ７は押え具
８により活性基板３の外周部を垂直に研磨し、その下部
でガイドローラー６ｂにより中間酸化膜５ａ及び支持基
板２の酸化膜５の外周部に沿うように湾曲される。この
研磨テープ７による研磨が完了すると図２（ｄ）に示す
ように、活性基板３の外周部が取り除かれた状態とな
る。
垂直方向に摺動することにより、研磨テープ７は押え具
８により活性基板３の外周部を垂直に研磨し、その下部
でガイドローラー６ｂにより中間酸化膜５ａ及び支持基
板２の酸化膜５の外周部に沿うように湾曲される。この
研磨テープ７による研磨が完了すると図２（ｄ）に示す
ように、活性基板３の外周部が取り除かれた状態とな
る。
【０００９】活性基板３の外周部が取り除かれた貼合せ
ウェハ４は、フッ酸溶液によりエッチングされて、図２
（ｅ）に示すように支持基板２の酸化膜５が中間酸化膜
５ａを残して取り除かれる。最後に図２（ｆ）に示すよ
うに、活性基板３の上面をさらに平面研削して薄くし、
ＳＯＩ基板１を得る。
ウェハ４は、フッ酸溶液によりエッチングされて、図２
（ｅ）に示すように支持基板２の酸化膜５が中間酸化膜
５ａを残して取り除かれる。最後に図２（ｆ）に示すよ
うに、活性基板３の上面をさらに平面研削して薄くし、
ＳＯＩ基板１を得る。
【００１０】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
従来のＳＯＩ基板の製造工程における面取り及びエッチ
ングによる外周部の未接着部分の除去に替わり、この除
去をテープ研磨により１度で行うことができるので、Ｓ
ＯＩ基板の製造に大幅な時間節減を図ることができると
いう優れた効果がある。また、従来のエッチングと違い
機械的なテープ研磨によるため、外周部を除去する際に
Ｖ溝が生じる危険性がなく、不良品の発生を防止するこ
とができるという優れた効果がある。
従来のＳＯＩ基板の製造工程における面取り及びエッチ
ングによる外周部の未接着部分の除去に替わり、この除
去をテープ研磨により１度で行うことができるので、Ｓ
ＯＩ基板の製造に大幅な時間節減を図ることができると
いう優れた効果がある。また、従来のエッチングと違い
機械的なテープ研磨によるため、外周部を除去する際に
Ｖ溝が生じる危険性がなく、不良品の発生を防止するこ
とができるという優れた効果がある。
【図１】本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す模式
図である。
図である。
【図２】本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法の製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】従来技術のＳＯＩ基板の製造方法の製造工程を
示す図である。
示す図である。
１ ＳＯＩ基板 ２ 支持基板 ３ 活性基板 ４ 貼合せウェハ ５ 酸化膜 ５ａ 中間酸化膜 ６ａ ガイドローラー ６ｂ ガイドローラー ７ 研磨テープ ８ 押え具 ９ 切削水 １０ ＳＯＩ基板 １１ 活性基板 １１ａ 接合面 １１ｂ 残留層 １２ 支持基板 １２ａ 接合面 １３ 酸化膜 １３ａ 中間酸化膜 １４ 貼合せウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板として機能する半導体ウェハ
と、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせ
てＳＯＩ基板を製造するに当たり、活性基板を平面研削
した後、該活性基板の外周部の未接着部分を除去する方
法において、表面に砥粒を設けた研磨テープを前記活性
基板に対し略直角に当接させて、摺動させるようにした
ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項２】 鋭角面を有する押え具の鋭角部分を研磨
テープの裏面に押圧することにより、活性基板に対し研
磨テープを略直角に当接させたことを特徴とする請求項
１記載のＳＯＩ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923294A JPH0897111A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26923294A JPH0897111A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897111A true JPH0897111A (ja) | 1996-04-12 |
Family
ID=17469507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26923294A Pending JPH0897111A (ja) | 1994-09-26 | 1994-09-26 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0897111A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027999A1 (fr) * | 1999-10-14 | 2001-04-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de tranches collees et tranche collee |
| KR20030043697A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 및 연마 장치 |
| WO2011092795A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2011171647A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Ebara Corp | 半導体装置の製造方法 |
| EP2502701A2 (en) | 2011-03-25 | 2012-09-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| CN103659534A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
| JP2014063955A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Ebara Corp | 研磨方法 |
| CN103962918A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
| US9457448B2 (en) | 2011-03-28 | 2016-10-04 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US9492910B2 (en) | 2012-07-25 | 2016-11-15 | Ebara Corporation | Polishing method |
-
1994
- 1994-09-26 JP JP26923294A patent/JPH0897111A/ja active Pending
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027999A1 (fr) * | 1999-10-14 | 2001-04-19 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de production de tranches collees et tranche collee |
| US6797632B1 (en) | 1999-10-14 | 2004-09-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Bonded wafer producing method and bonded wafer |
| KR100733112B1 (ko) * | 1999-10-14 | 2007-06-27 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합웨이퍼의 제조방법 |
| KR20030043697A (ko) * | 2001-11-26 | 2003-06-02 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 장치의 제조 방법 및 연마 장치 |
| KR20120116444A (ko) * | 2010-01-28 | 2012-10-22 | 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 | 접합 웨이퍼의 제조 방법 |
| JP2011155200A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| US8603897B2 (en) | 2010-01-28 | 2013-12-10 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method for manufacturing bonded wafer |
| WO2011092795A1 (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-04 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP2011171647A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Ebara Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8748289B2 (en) | 2010-02-22 | 2014-06-10 | Ebara Corporation | Method for manufacturing semiconductor device |
| EP2502701A2 (en) | 2011-03-25 | 2012-09-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US8979615B2 (en) | 2011-03-25 | 2015-03-17 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US10493588B2 (en) | 2011-03-25 | 2019-12-03 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US9457447B2 (en) | 2011-03-28 | 2016-10-04 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US9457448B2 (en) | 2011-03-28 | 2016-10-04 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US9492910B2 (en) | 2012-07-25 | 2016-11-15 | Ebara Corporation | Polishing method |
| CN103659534A (zh) * | 2012-09-24 | 2014-03-26 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
| JP2014063955A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Ebara Corp | 研磨方法 |
| US20140094095A1 (en) * | 2012-09-24 | 2014-04-03 | Ebara Corporation | Polishing method |
| US9630289B2 (en) * | 2012-09-24 | 2017-04-25 | Ebara Corporation | Polishing method involving a polishing member polishing at angle tangent to the substrate rotational direction |
| KR20140040011A (ko) * | 2012-09-24 | 2014-04-02 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 방법 |
| TWI680031B (zh) * | 2012-09-24 | 2019-12-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 研磨方法及研磨裝置 |
| CN103962918A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨方法 |
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