JPH08107092A - Ｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
Ｓｏｉ基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH08107092A JPH08107092A JP27417794A JP27417794A JPH08107092A JP H08107092 A JPH08107092 A JP H08107092A JP 27417794 A JP27417794 A JP 27417794A JP 27417794 A JP27417794 A JP 27417794A JP H08107092 A JPH08107092 A JP H08107092A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- active substrate
- grinding
- soi substrate
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来技術に比し、取り加工後の活性基板の残
留層の厚さを薄く且つばらつきを少なく研削し、Ｖ溝の
発生をなくと共に、短時間で製造することができるＳＯ
Ｉ基板の製造方法を提供する。 【構成】 支持基板２と活性基板３を貼り合わせて貼合
せウェハ４を得る。ダイシングマシンに研削砥石１を設
ける。貼合せウェハ４を水平方向に回転させると共に、
研削砥石１を活性基板３に対し垂直に回転させる。貼合
せウェハ４の外周部の上面に研削砥石１を上方から接触
させる。残留層１１ａを残し活性基板３の外周部を研削
する。
留層の厚さを薄く且つばらつきを少なく研削し、Ｖ溝の
発生をなくと共に、短時間で製造することができるＳＯ
Ｉ基板の製造方法を提供する。 【構成】 支持基板２と活性基板３を貼り合わせて貼合
せウェハ４を得る。ダイシングマシンに研削砥石１を設
ける。貼合せウェハ４を水平方向に回転させると共に、
研削砥石１を活性基板３に対し垂直に回転させる。貼合
せウェハ４の外周部の上面に研削砥石１を上方から接触
させる。残留層１１ａを残し活性基板３の外周部を研削
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、支持基板として機能す
る半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェ
ハを貼り合わせて得られる貼合せウェハからＳＯＩ基板
を製造するＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
る半導体ウェハと、活性基板として機能する半導体ウェ
ハを貼り合わせて得られる貼合せウェハからＳＯＩ基板
を製造するＳＯＩ基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、高性能の半導体デバイス用基板と
して、その高耐圧性や高速性などからＳＯＩ基板が要求
されており、この種の要求を満たす大面積で結晶欠陥の
少ないＳＯＩ基板は、２枚の半導体ウェハを貼り合わせ
て得られる貼合せウェハから比較的容易に作れるように
なった。通常、このような貼合せウェハの製造は次に示
すような工程で行われる。 （１）図２（ａ）に示すように、支持基板１２を熱処理
し、その表面に酸化膜１３を形成する。 （２）図２（ｂ）に示すように、活性基板１１と支持基
板１２の互いの接合面を洗浄、親水処理し、乾燥処理し
た後、まだ親水性を保持した状態で接合させる。これに
再度熱処理を行うことにより活性基板１１と支持基板１
２は互いに貼着すると共に、活性基板１１側にも酸化膜
１３が形成される。これにより貼合せウェハ１４を得ら
れる。
して、その高耐圧性や高速性などからＳＯＩ基板が要求
されており、この種の要求を満たす大面積で結晶欠陥の
少ないＳＯＩ基板は、２枚の半導体ウェハを貼り合わせ
て得られる貼合せウェハから比較的容易に作れるように
なった。通常、このような貼合せウェハの製造は次に示
すような工程で行われる。 （１）図２（ａ）に示すように、支持基板１２を熱処理
し、その表面に酸化膜１３を形成する。 （２）図２（ｂ）に示すように、活性基板１１と支持基
板１２の互いの接合面を洗浄、親水処理し、乾燥処理し
た後、まだ親水性を保持した状態で接合させる。これに
再度熱処理を行うことにより活性基板１１と支持基板１
２は互いに貼着すると共に、活性基板１１側にも酸化膜
１３が形成される。これにより貼合せウェハ１４を得ら
れる。
【０００３】ところが、この親水処理及び乾燥処理をす
ることにより残留水素や水素イオンがこの貼合せウェハ
１４の外周部に集まりやすく、それが気泡を形成して未
接着部（ボイド）発生の原因となる。この未接着部は他
の部位より強度が落ち、後のデバイス工程でチッピング
やパーティクル発生の原因となることから、未接着部を
含む活性基板１１の外周部を取り除く必要がある。従
来、この活性基板１１の外周部を取り除く方法として、
未接着部を含む活性基板１１の外周部を研削加工により
面取りした後、エッチングにより残留部分を除去する方
法が行われている。すなわち、図２（ｃ）に示すよう
に、この研削加工は接合部の中間酸化膜１３ａを傷つけ
ないように厚さ数十μｍ程度の残留層１１ａを残して行
われる。次に図２（ｄ）に示すように、残留層１１ａを
水酸化カリウムなどの無機アルカリの水溶液、またはピ
ペラジンなどの有機アルカリの水溶液を用いたエッチン
グにより除去する。
ることにより残留水素や水素イオンがこの貼合せウェハ
１４の外周部に集まりやすく、それが気泡を形成して未
接着部（ボイド）発生の原因となる。この未接着部は他
の部位より強度が落ち、後のデバイス工程でチッピング
やパーティクル発生の原因となることから、未接着部を
含む活性基板１１の外周部を取り除く必要がある。従
来、この活性基板１１の外周部を取り除く方法として、
未接着部を含む活性基板１１の外周部を研削加工により
面取りした後、エッチングにより残留部分を除去する方
法が行われている。すなわち、図２（ｃ）に示すよう
に、この研削加工は接合部の中間酸化膜１３ａを傷つけ
ないように厚さ数十μｍ程度の残留層１１ａを残して行
われる。次に図２（ｄ）に示すように、残留層１１ａを
水酸化カリウムなどの無機アルカリの水溶液、またはピ
ペラジンなどの有機アルカリの水溶液を用いたエッチン
グにより除去する。
【０００４】従来、上記した活性基板１１の外周部を面
取りする研削は、面取り機に取り付けられたカップホイ
ール１５により行われている。すなわち、図３（ａ）に
示すように、貼合せウェハ１４をそれぞれ水平方向に回
転させると共に、器を伏せた形状に形成されたカップホ
イール１５を水平方向に回転させながら、活性基板１１
の上方から垂直移動させる。図３（ｂ）に示すように、
カップホイール１５を垂直移動させることにより、この
カップホイール１５が活性基板１１の外周部に接触し、
残留層１１ａを残すように外周部の上面から徐々に研削
される。
取りする研削は、面取り機に取り付けられたカップホイ
ール１５により行われている。すなわち、図３（ａ）に
示すように、貼合せウェハ１４をそれぞれ水平方向に回
転させると共に、器を伏せた形状に形成されたカップホ
イール１５を水平方向に回転させながら、活性基板１１
の上方から垂直移動させる。図３（ｂ）に示すように、
カップホイール１５を垂直移動させることにより、この
カップホイール１５が活性基板１１の外周部に接触し、
残留層１１ａを残すように外周部の上面から徐々に研削
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなカップホイール１５による面取りにおいては、面取
り機の剛性と精密性の限界から、残留層１１ａの厚さは
数十μｍ程度にしかできない。また、水平方向に回転す
るカップホイール１５の場合は、活性基板１１の研削面
からの反作用によりカップホイール１５にぶれが生じる
ため、部位によって残留層１１ａの厚さに大きなばらつ
きが生じるという不具合があった。この不具合により、
次の工程であるエッチングにおいて、厚い残留層１１ａ
ではリードタイムが長く、生産に時間がかかり過ぎると
いう問題点があった。さらに、残留層の厚さに大きなば
らつきが有る場合、薄い部分は他の部分より早く融けて
しまい、その部分にＶ溝が発生するという問題点があっ
た。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、活性基
板の面取り加工における残留層の厚さを、従来技術に比
しばらつきが少なく且つ薄く研削することができ、これ
によりＶ溝の発生をなくすることができ、且つ短時間で
製造することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
うなカップホイール１５による面取りにおいては、面取
り機の剛性と精密性の限界から、残留層１１ａの厚さは
数十μｍ程度にしかできない。また、水平方向に回転す
るカップホイール１５の場合は、活性基板１１の研削面
からの反作用によりカップホイール１５にぶれが生じる
ため、部位によって残留層１１ａの厚さに大きなばらつ
きが生じるという不具合があった。この不具合により、
次の工程であるエッチングにおいて、厚い残留層１１ａ
ではリードタイムが長く、生産に時間がかかり過ぎると
いう問題点があった。さらに、残留層の厚さに大きなば
らつきが有る場合、薄い部分は他の部分より早く融けて
しまい、その部分にＶ溝が発生するという問題点があっ
た。本発明は、上記問題に鑑みなされたもので、活性基
板の面取り加工における残留層の厚さを、従来技術に比
しばらつきが少なく且つ薄く研削することができ、これ
によりＶ溝の発生をなくすることができ、且つ短時間で
製造することができるＳＯＩ基板の製造方法を提供する
ことを目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため本発明では、支
持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として
機能する半導体ウェハを貼り合わせてＳＯＩ基板を製造
するに当たり、活性基板の外周部を面取りする方法にお
いて、貼り合わせた半導体ウェハを水平方向に回転させ
ると共に、これに対し略垂直方向に回転する研削砥石を
前記活性基板の上方から接触させて研削するようにした
ものである。
持基板として機能する半導体ウェハと、活性基板として
機能する半導体ウェハを貼り合わせてＳＯＩ基板を製造
するに当たり、活性基板の外周部を面取りする方法にお
いて、貼り合わせた半導体ウェハを水平方向に回転させ
ると共に、これに対し略垂直方向に回転する研削砥石を
前記活性基板の上方から接触させて研削するようにした
ものである。
【０００５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す
模式図、図２は従来技術のＳＯＩ基板の製造工程を示す
図、図３は従来技術のＳＯＩ基板の製造方法を示す模式
図である。
する。図１は本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す
模式図、図２は従来技術のＳＯＩ基板の製造工程を示す
図、図３は従来技術のＳＯＩ基板の製造方法を示す模式
図である。
【０００６】本実施例のＳＯＩ基板の製造方法における
貼合せウェハ４は、上記した従来技術と同様の工程によ
り得られる。次に本実施例の研削方法を説明する。図１
（ａ）に示すように、円盤状の研削砥石１はダイシング
マシンの回転軸６により軸支され、貼合せウェハ４に対
して垂直方向に回転するようにされている。これと同時
に前記工程により得られた貼合せウェハ４を水平方向に
回転させる。図１（ｂ）に示すように、研削砥石１を上
方から活性基板３に対し垂直方向に移動させ、活性基板
３の外周部の上面から当接させることにより、この外周
部を研削して面取りする。
貼合せウェハ４は、上記した従来技術と同様の工程によ
り得られる。次に本実施例の研削方法を説明する。図１
（ａ）に示すように、円盤状の研削砥石１はダイシング
マシンの回転軸６により軸支され、貼合せウェハ４に対
して垂直方向に回転するようにされている。これと同時
に前記工程により得られた貼合せウェハ４を水平方向に
回転させる。図１（ｂ）に示すように、研削砥石１を上
方から活性基板３に対し垂直方向に移動させ、活性基板
３の外周部の上面から当接させることにより、この外周
部を研削して面取りする。
【０００７】この面取りの後の工程は従来技術と同様で
あり、面取りされた貼合せウェハ４はエッチングにより
残留層３ａを除去され、活性基板３の上面を所定の厚さ
まで平面研削され、酸化膜５がフッ酸溶液によるエッチ
ングで中間酸化膜５ａを残した状態で取り除かれた後、
活性基板３の上面をさらに薄く研磨してＳＯＩ基板（図
示せず）が得られる。
あり、面取りされた貼合せウェハ４はエッチングにより
残留層３ａを除去され、活性基板３の上面を所定の厚さ
まで平面研削され、酸化膜５がフッ酸溶液によるエッチ
ングで中間酸化膜５ａを残した状態で取り除かれた後、
活性基板３の上面をさらに薄く研磨してＳＯＩ基板（図
示せず）が得られる。
【０００８】ここで、本実施例のダイシングマシンによ
る研削砥石１を使用した面取りの仕上がり状態と、従来
技術である面取り機のカップホイール１５を使用した面
取りの仕上がり状態とを比較すると表１のとおりであ
る。
る研削砥石１を使用した面取りの仕上がり状態と、従来
技術である面取り機のカップホイール１５を使用した面
取りの仕上がり状態とを比較すると表１のとおりであ
る。
【表１】
【０００９】
【発明の効果】本発明では以上のように構成したので、
従来技術におけるカップホイールによる面取りに比べ次
のような優れた効果がある。 （１）面取りによって残る残留層の厚さをより薄くでき
ることにより、その後の工程であるエッチングにかかる
時間を短縮できる。 （２）面取りによって残る残留層の厚さのばらつきを小
さくでき、Ｖ溝の発生を防止できる。 （３）研削速度が速く、面取りが効率良く行われること
により、生産性が向上する。
従来技術におけるカップホイールによる面取りに比べ次
のような優れた効果がある。 （１）面取りによって残る残留層の厚さをより薄くでき
ることにより、その後の工程であるエッチングにかかる
時間を短縮できる。 （２）面取りによって残る残留層の厚さのばらつきを小
さくでき、Ｖ溝の発生を防止できる。 （３）研削速度が速く、面取りが効率良く行われること
により、生産性が向上する。
【図１】本発明に係るＳＯＩ基板の製造方法を示す模式
図である。
図である。
【図２】従来技術のＳＯＩ基板の製造工程を示す図であ
る。
る。
【図３】従来技術のＳＯＩ基板の製造方法を示す模式図
である。
である。
１ 研削砥石 ２ 支持基板 ３ 活性基板 ４ 貼合せウェハ ５ 酸化膜 ５ａ 中間酸化膜 ６ 回転軸 １１ 活性基板 １１ａ 残留層 １２ 支持基板 １３ 酸化膜 １３ａ 中間酸化膜 １４ 貼合せウェハ １５ カップホイール
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋口 英里子 宮崎県宮崎郡清武町大字木原1112番地 九 州コマツ電子株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板として機能する半導体ウェハ
と、活性基板として機能する半導体ウェハを貼り合わせ
てＳＯＩ基板を製造するに当たり、活性基板の外周部を
面取りする方法において、貼り合わせた半導体ウェハを
水平方向に回転させると共に、これに対し略垂直方向に
回転する研削砥石を前記活性基板の上方から接触させて
研削するようにしたことを特徴とするＳＯＩ基板の製造
方法。 - 【請求項２】 ダイシングマシンを用い、該ダイシング
マシンに研削砥石を設け、該研削砥石により研削するこ
とを特徴とする請求項１記載のＳＯＩ基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27417794A JPH08107092A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| TW85100499A TW284893B (ja) | 1994-09-30 | 1996-01-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27417794A JPH08107092A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107092A true JPH08107092A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17538114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27417794A Pending JPH08107092A (ja) | 1994-09-30 | 1994-09-30 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107092A (ja) |
| TW (1) | TW284893B (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP2005116614A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2010245254A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2010245167A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2011142201A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 |
| US8535117B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-09-17 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing a substrate having a grinded back surface |
| JP2016058518A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2017170541A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2017177251A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2021049638A (ja) * | 2020-12-01 | 2021-04-01 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2022066282A (ja) * | 2020-12-01 | 2022-04-28 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
-
1994
- 1994-09-30 JP JP27417794A patent/JPH08107092A/ja active Pending
-
1996
- 1996-01-16 TW TW85100499A patent/TW284893B/zh active
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000173961A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-06-23 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および製造装置 |
| JP2005116614A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP4675559B2 (ja) * | 2003-10-03 | 2011-04-27 | 株式会社ディスコ | 積層ウェーハの加工方法 |
| JP2010245167A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2010245254A (ja) * | 2009-04-06 | 2010-10-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| US8535117B2 (en) | 2009-12-03 | 2013-09-17 | Ebara Corporation | Method and apparatus for polishing a substrate having a grinded back surface |
| JP2011142201A (ja) * | 2010-01-07 | 2011-07-21 | Okamoto Machine Tool Works Ltd | 半導体基板の平坦化加工装置および平坦化加工方法 |
| JP2016058518A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2017170541A (ja) * | 2016-03-22 | 2017-09-28 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2017177251A (ja) * | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2021049638A (ja) * | 2020-12-01 | 2021-04-01 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
| JP2022066282A (ja) * | 2020-12-01 | 2022-04-28 | 株式会社東京精密 | 面取り装置及び面取り方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW284893B (ja) | 1996-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100533660C (zh) | 贴合晶片的制造方法及贴合晶片的外周磨削装置 | |
| KR101151458B1 (ko) | 접합 웨이퍼의 제조방법 및 접합 웨이퍼 | |
| KR100789205B1 (ko) | 실리콘 웨이퍼 및 에스오아이 웨이퍼의 제조방법, 그리고그 에스오아이 웨이퍼 | |
| JP3352896B2 (ja) | 貼り合わせ基板の作製方法 | |
| JP4892201B2 (ja) | 貼合せワークの外周エッジ部の段差加工方法及び装置 | |
| JPH08107092A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP2010263084A (ja) | Ｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| JP2587184B2 (ja) | 半導体集積回路の製造方法 | |
| JP2662495B2 (ja) | 接着半導体基板の製造方法 | |
| JP3239884B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH0897111A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP4103808B2 (ja) | ウエーハの研削方法及びウエーハ | |
| JPH08107091A (ja) | Ｓｏｉ基板の製法 | |
| KR20040060990A (ko) | 접합 웨이퍼의 제조 방법 | |
| JPH03183130A (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPS61256621A (ja) | 接着型半導体基板の製造方法 | |
| JP3553196B2 (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JPH05226305A (ja) | 張合せウェハの製造方法 | |
| JP3964029B2 (ja) | 半導体基板の製造方法 | |
| JPH08107193A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP4581349B2 (ja) | 貼合せｓｏｉウェーハの製造方法 | |
| JP3524009B2 (ja) | Ｓｏｉウェーハおよびその製造方法 | |
| JP2011071283A (ja) | 貼合せｓｏｉウェーハ及びその製造方法 | |
| JP2003151939A (ja) | Ｓｏｉ基板の製造方法 | |
| JP7103269B2 (ja) | 貼り合わせウェーハのテラス加工方法 |