JP2015109348A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低コストにMEMSデバイスを破損することなくウエーハを分割することができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウエーハの加工方法は表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されかつ分割予定ラインによって区画された領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法である。ウエーハの加工方法はウエーハWの裏面WRに保護テープTを貼着する保護部材貼着ステップと個々のデバイスチップDTにウエーハWを分割する分割ステップとドライアイス洗浄ステップとを備える。ドライアイス洗浄ステップでは分割ステップを実施したウエーハWの表面WSに粉末状のドライアイスを噴射してウエーハWに付着した切削屑を除去する。【選択図】図4
Description
本発明は、ウエーハの加工方法、特にMEMSウエーハを加工するためのウエーハの加工方法に関する。
例えば加速度センサや圧力センサ等のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの製造工程では、ウエーハ上に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にMEMSデバイスを配設したデバイスウエーハが形成される。その後、デバイスウエーハを分割予定ラインに沿って切削装置やレーザー加工装置で分割することで、個々のMEMSデバイスを製造する。
しかし、切削装置での分割加工では、切削時に切削屑を除去するために大量の切削液を切削ブレードとウエーハに供給しながら加工を行うため、切削液の衝突する勢いでウエーハ上に形成されたMEMSデバイスの脆弱な薄膜部等が破損してしまうと言う問題が有り、加工が困難である。さらに、発生した切削屑を除去するために、切削加工後洗浄装置での洗浄を実施するのが通常であるが、洗浄装置の洗浄液の衝突によっても同様にMEMSデバイスの破損が発生してしまう。
レーザー加工装置での無水加工ではこうした問題が発生しないが、装置自体が高価であり、MEMS製造メーカーにとって導入コストが非常に高くなるという課題も残されていた。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、低コストにMEMSデバイスを破損することなくウエーハを分割することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、ウエーハの裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、該保護部材貼着ステップを実施したウエーハの表面を露出させつつチャックテーブルの保持面で保持し、ウエーハの該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、個々のデバイスチップにウエーハを分割する分割ステップと、該分割ステップを実施したウエーハの表面に粉末状のドライアイスを噴射してウエーハに付着した切削屑を除去するドライアイス洗浄ステップと、を備えることを特徴とする。
また、本発明のウエーハの加工方法は、前記分割ステップでは、切削液をウエーハに供給しないで切削することが望ましい。
また、本発明のウエーハの加工方法は、前記ウエーハの前記デバイスは、マイクロマシンであることが望ましい。
そこで、本発明のウエーハの加工方法であれば、切削加工時にデバイスの破損原因となる切削液を使用しない切削加工と、洗浄液ではなく粉末状にしたドライアイスを吹きかける洗浄方法でMEMSデバイスが形成されたウエーハを加工するので、切削装置による無水加工によりMEMSデバイスの破損の恐れを大幅に低減しつつ分割が可能となると言う効果を奏する。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態〕
本発明の実施形態に係るウエーハの加工方法を図面に基いて説明する。図1(a)は、実施形態に係るウエーハの加工方法が施されるウエーハなどを示す斜視図、図1(b)は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護部材貼着ステップを示す図、図2は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップの概要を示す側断面図、図3は、実施形態に係るウエーハの加工方法のドライアイス洗浄ステップで用いられるドライアイス洗浄装置の構成例を示す斜視図、図4は、実施形態に係るウエーハの加工方法のドライアイス洗浄ステップの概要を示す側断面図である。
本発明の実施形態に係るウエーハの加工方法を図面に基いて説明する。図1(a)は、実施形態に係るウエーハの加工方法が施されるウエーハなどを示す斜視図、図1(b)は、実施形態に係るウエーハの加工方法の保護部材貼着ステップを示す図、図2は、実施形態に係るウエーハの加工方法の分割ステップの概要を示す側断面図、図3は、実施形態に係るウエーハの加工方法のドライアイス洗浄ステップで用いられるドライアイス洗浄装置の構成例を示す斜視図、図4は、実施形態に係るウエーハの加工方法のドライアイス洗浄ステップの概要を示す側断面図である。
実施形態に係るウエーハの加工方法(以下、単に加工方法と呼ぶ)は、図1(a)及び図1(b)に示すウエーハWを加工する加工方法であって、ウエーハWを個々のデバイスチップDT(図2などに示す)に分割する方法である。
なお、本実施形態に係る加工方法により個々のデバイスチップDTに分割される加工対象としてのウエーハWは、シリコンなどを母材とする半導体ウエーハであって、図1に示すように、表面WSに複数の分割予定ラインLが格子状に形成されているとともに、複数の分割予定ラインLによって区画された複数の個々の領域にデバイスDが形成されている。ウエーハWの表面WSに形成されるデバイスDは、例えば、圧力センサや加速度センサなどのMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイス、即ちマイクロマシンである。デバイスDは、所謂マイクロマシンであるために適宜箇所に微細な空洞が形成されている。
実施形態に係る加工方法は、保護部材貼着ステップと、分割ステップと、ドライアイス洗浄ステップとを備える。
保護部材貼着ステップでは、図1(b)に示すように、デバイスDが形成された表面WSの裏側の裏面WRに外縁部に環状フレームFが貼着された保護テープT(保護部材に相当)を貼着する。なお、保護テープTは、電気的に絶縁性を有する合成樹脂などで構成されている。そして、分割ステップに進む。
分割ステップでは、保護部材貼着ステップを実施したウエーハWの表面WSを露出させつつ、ウエーハWを分割予定ラインLに沿って切削する切削装置10のチャックテーブル11(図2に示す)のポーラス状の保持面11a上に保護テープTを介してウエーハWを載置する。チャックテーブル11に図示しない真空吸引経路を介して接続された真空吸引源により保持面11aを吸引して、図2に示すように、保護テープTを介してウエーハWの裏面WR側をチャックテーブル11の保持面11aで吸引保持する。また、チャックテーブル11の周囲に設けられかつ保持面11aよりも低い位置のクランプ部12を図示しないエアーアクチュエータにより駆動して、クランプ部12でウエーハWの周囲の環状フレームFを挟持する。
その後、分割ステップでは、切削装置10の図示しない撮像手段が取得した画像に基いて、アライメントを遂行する。そして、チャックテーブル11と切削装置10の軸心回りに回転した切削ブレード13とを図示しない移動手段により分割予定ラインLに沿って相対的に移動させながら、図2に示すように、ウエーハWの分割予定ラインLに沿って切削ブレード13を保護テープTまで切り込ませる。分割ステップでは、切削液をウエーハWに供給しないでウエーハWを切削する。分割ステップでは、すべての分割予定ラインLに沿って順に切削ブレード13を保護テープTまで切り込ませ、個々のデバイスチップDTにウエーハWを分割する。
なお、分割ステップでは、真空吸引源により保持面11a上にウエーハWを吸引保持している。また、分割ステップでは、切削ブレード13の近傍に設けられた切削ノズル14から切削ブレード13が切削直後の分割予定ラインLに向けて粉末状のドライアイスを噴射させる。切削ノズル14は、図示しない液化炭酸ガス容器から供給された液化炭酸ガスを図示しない噴射用ガス供給源からの加圧気体により噴射する。切削ノズル14は、液化炭酸ガスが断熱膨張することによって冷却されて得られる粉末状のドライアイスを切削直後の分割予定ラインLに向けて噴射することで、切削時の冷却目的として用いられる。ウエーハWを個々のデバイスチップDTに分割すると、ドライアイス洗浄ステップに進む。
ドライアイス洗浄ステップでは、まず、保持面11aのウエーハWの吸引保持を解除し、クランプ部12の環状フレームFの挟持を解除する。そして、図示しない搬送手段により、ウエーハWを環状フレームF毎、図3に示すドライアイス洗浄装置20に搬送する。
ドライアイス洗浄装置20は、図3に示すように、洗浄チャンバー21と、保持テーブル22と、ドライアイス噴射ノズル23と、静電気除去機24(図4に示す)を備えている。洗浄チャンバー21は、ウエーハWの洗浄を外部と隔離した状態で行うためのものである。洗浄チャンバー21は、本実施形態では、上方が開口した円筒状の形状であり、内部に、保持テーブル22と、ドライアイス噴射ノズル23が配設されている。洗浄チャンバー21は、上方の開口を通して、図示しない搬送手段によりウエーハWが出し入れされる。また、洗浄チャンバー21は、ウエーハWを洗浄する際には、上方の開口が図示しない蓋等により塞がれるとともに、吸引ポンプ25により内部の気体とともに切削屑などが排出される。
保持テーブル22は、ウエーハWを吸引・保持し、ウエーハWを回転させるものである。保持テーブル22は、上面22aを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない吸引手段に連結されている。保持テーブル22は、上面22aに環状フレームFに保護テープTを介して装着されたウエーハWが載置され、吸引手段により負圧が作用されることによりウエーハWを表面に吸引・保持する。また、保持テーブル22には、図示しない電動モータの駆動軸26が連結している。保持テーブル22は、電動モータの回転駆動力により、鉛直方向と平行な軸心回りに回転される。また、保持テーブル22の周囲には、ウエーハWの周囲の環状フレームFを挟持するクランプ部27が複数設けられている。
ドライアイス噴射ノズル23は、保持テーブル22に保持されたウエーハWの表面WSに粉末状のドライアイスを噴射するものである。ドライアイス噴射ノズル23は、ウエーハWを洗浄する際には、保持テーブル22上のウエーハWに向かって垂直にドライアイスを噴射する先端の噴射口28が保持テーブル22の回転中心を通るように、図示しないモータにより揺動される。また、ドライアイス噴射ノズル23は、洗浄チャンバー21内にウエーハWを出し入れする際には、図示しないモータにより保持テーブル22に保持されたウエーハWの上方から退避される。
ドライアイス噴射ノズル23は、ウエーハWを洗浄する際には、液化炭酸ガス供給源29からの液化炭酸ガスと、噴射用ガス供給源30からの加圧気体とが供給される。ドライアイス噴射ノズル23は、噴射口28から液化炭酸ガスと加圧気体とが混合され液化炭酸ガスが断熱膨張することによって冷却されて得られる粉末状のドライアイスをウエーハWの表面WSに向かって噴射する。ドライアイス噴射ノズル23の噴射口28からの粉末状のドライアイスの噴射速度は、ウエーハWの表面WSに形成されたデバイスDが破損しない程度の速度に調整されている。
ウエーハWの表面WSに向かって噴射された粉末状のドライアイスは、ウエーハWの表面WSと当該表面WSに付着した切削屑などの異物との間に侵入し、その後、気化膨張して、切削屑をウエーハWの表面WSから除去する。このとき、ウエーハWの表面WSに衝突した粉末状のドライアイスは、衝突時の摩擦などにより静電気をウエーハWの表面WSに発生させることになる。ウエーハWの表面WSに発生した静電気は、保護テープTが絶縁性の合成樹脂で構成されているために、保持テーブル22を介してアースに導かれることなく、ウエーハWの表面WSに帯電する。また、液化炭酸ガス供給源29からの液化炭酸ガスと噴射用ガス供給源30からの加圧気体とをドライアイス噴射ノズル23に供給する供給経路32には、粉末状のドライアイスが帯電することを抑制する帯電防止手段31が設けられている。
静電気除去機24は、ドライアイス噴射ノズル23がウエーハWを洗浄する際に、プラス、マイナスに帯電したイオンをウエーハWの表面WSに吹き付け、粉末状のドライアイスが衝突することでウエーハWの表面WSに生じる静電気を中和するものである。また、ドライアイス洗浄装置20では、洗浄チャンバー21と、保持テーブル22と、ドライアイス噴射ノズル23とは、図示しないアースに電気的に接続している。
ドライアイス洗浄ステップでは、図示しない搬送手段によりウエーハWを環状フレームF毎、ドライアイス洗浄装置20に搬送した後、保持テーブル22の上面22a上に保護テープTを介して載置する。なお、この状態では、ドライアイス噴射ノズル23の噴射口28は保持テーブル22の上方から退避して、粉末状のドライアイスを噴射していないとともに、静電気除去機24はイオンを吹き付けていない。そして、吸引手段が駆動して、保持テーブル22の上面22aにウエーハWを吸引・保持するとともに、クランプ部27により環状フレームFを挟持する。そして、蓋等により洗浄チャンバー21の開口を塞いで、吸引ポンプ25により洗浄チャンバー21内の気体を外部に排出する。
そして、電動モータを駆動して、保持テーブル22とウエーハWを軸心回りに回転させる。ドライアイス噴射ノズル23を搖動させながら保持テーブル22に保持された分割ステップを実施したウエーハWの表面WSにドライアイス噴射ノズル23の噴射口28から粉末状のドライアイスを噴射する。そして、ウエーハWに付着した切削屑を表面WSなどから除去する。除去された切削屑は、吸引ポンプ25により吸引されて、洗浄チャンバー21外に排出される。また、ドライアイス洗浄ステップでは、ドライアイス噴射ノズル23の噴射口28から粉末状のドライアイスを噴射する際には、静電気除去機24からプラス、マイナスに帯電したイオンをウエーハWの表面WSに吹き付けて、ウエーハWの表面WSにドライアイスの衝突によって生じる静電気を除電する。
そして、ドライアイスの噴射などを所定時間行った後、粉末状のドライアイスの噴射を停止させ、ドライアイス噴射ノズル23の揺動を停止させる。ドライアイス噴射ノズル23をウエーハWの上方から退避した位置に停止させるとともに、静電気除去機24からのイオンの吹き付けを停止させる。そして、保持テーブル22の吸引・保持とクランプ部27の環状フレームFの挟持を解除した後、搬送手段により保持テーブル22上のウエーハWを次工程へと搬送する。
以上のように、実施形態に係る加工方法によれば、分割ステップでは、デバイスDの破損原因となる切削液を使用しないとともに、ドライアイス洗浄ステップでは、洗浄液ではなく粉末状のドライアイスを噴射する。このために、デバイスDに形成される空洞に水が入ることを防止でき、デバイスDが破損することを抑制することができる。また、加工方法によれば、切削ブレード13を切り込ませてウエーハWを個々のデバイスDに分割するので、分割にかかるコストの高騰を抑制することができる。したがって、加工方法によれば、低コストにMEMSデバイスを破損することなくウエーハWを分割することができる。
前述した実施形態では、ウエーハWを回転させながらドライアイス噴射ノズル23をウエーハWの表面WS上で搖動させたが、本発明では、ウエーハWを回転させることなく、ドライアイス噴射ノズル23の噴射口28をウエーハWの表面WSの少なくとも分割予定ラインLに沿って移動させればよい。これは、切削屑が、主に分割予定ラインLに付着するからである。また、本発明では、図5に示すように、ドライアイス噴射ノズル23の他に切削屑を吸引する切削屑吸引ノズル50を設けてもよい。図5は、実施形態の変形例に係るウエーハの加工方法のドライアイス洗浄ステップで用いられるドライアイス洗浄装置の構成例を示す斜視図であり、図5において、実施形態と同一部分には、同一符号を付して説明を省略する。図5では、切削屑吸引ノズル50をドライアイス噴射ノズル23に取り付けている。本発明では、これに限定されることなく、例えば、切削屑吸引ノズル50をドライアイス噴射ノズル23と別体にしてもよい。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
11 チャックテーブル
11a 保持面
13 切削ブレード
F 環状フレーム
T 保護テープ(保護部材)
L 分割予定ライン
D デバイス
DT デバイスチップ
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
11a 保持面
13 切削ブレード
F 環状フレーム
T 保護テープ(保護部材)
L 分割予定ライン
D デバイス
DT デバイスチップ
W ウエーハ
WS 表面
WR 裏面
Claims (3)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハの加工方法であって、
ウエーハの裏面に保護部材を貼着する保護部材貼着ステップと、
該保護部材貼着ステップを実施したウエーハの表面を露出させつつチャックテーブルの保持面で保持し、ウエーハの該分割予定ラインに沿って切削ブレードを切り込ませ、個々のデバイスチップにウエーハを分割する分割ステップと、
該分割ステップを実施したウエーハの表面に粉末状のドライアイスを噴射してウエーハに付着した切削屑を除去するドライアイス洗浄ステップと、を備えるウエーハの加工方法。 - 前記分割ステップでは、切削液をウエーハに供給しないで切削する請求項1記載のウエーハの加工方法。
- 前記ウエーハの前記デバイスは、マイクロマシンである請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
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