JP2021153122A - エッジリング、基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 - Google Patents

エッジリング、基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021153122A
JP2021153122A JP2020053034A JP2020053034A JP2021153122A JP 2021153122 A JP2021153122 A JP 2021153122A JP 2020053034 A JP2020053034 A JP 2020053034A JP 2020053034 A JP2020053034 A JP 2020053034A JP 2021153122 A JP2021153122 A JP 2021153122A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
edge ring
ring
mounting surface
heat transfer
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020053034A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7454976B2 (ja
Inventor
宏 辻本
Hiroshi Tsujimoto
宏 辻本
有生 桑原
Yuki Kuwabara
有生 桑原
黎夫 李
Lifu Li
黎夫 李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020053034A priority Critical patent/JP7454976B2/ja
Priority to TW110107420A priority patent/TW202205347A/zh
Priority to KR1020210029362A priority patent/KR20210119296A/ko
Priority to US17/195,728 priority patent/US20210305022A1/en
Priority to CN202110264471.3A priority patent/CN113451096A/zh
Publication of JP2021153122A publication Critical patent/JP2021153122A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7454976B2 publication Critical patent/JP7454976B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23QDETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642Focus rings
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715Workpiece holder
    • H01J37/32724Temperature
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02NELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/002Cooling arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/332Coating
    • H01J2237/3322Problems associated with coating
    • H01J2237/3323Problems associated with coating uniformity
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334Etching
    • H01J2237/3343Problems associated with etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

【課題】伝熱シートが介在したエッジリングと基板支持台との間の熱伝達性を維持しながら、基板支持台からの伝熱シートの剥離性を向上させる。【解決手段】基板が載置される基板載置面と、前記基板載置面に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングが載置されるリング載置面と、前記エッジリングを前記リング載置面に静電力により吸着保持するための電極と、を有し、前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面に、伝熱シートが貼り着けられ、当該伝熱シートを介して、前記リング載置面に載置され、前記伝熱シートには、前記リング載置面と対向する面に、導電膜が形成され、前記エッジリングは、当該エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートの前記導電膜が、前記電極により形成される静電力によって吸着されることで、前記リング載置面に保持される。【選択図】図3

Description

本開示は、エッジリング、基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法に関する。
特許文献1には、基板処理装置に設けられたフォーカスリングと載置台との間に、粘着性と柔らかさを有する伝熱シートを配置することが開示されている。
特許文献2に開示の基板処理装置は、基板を載置する基板載置面とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面を有するサセプタを備えた載置台と、複数の位置決めピンとを備える。この基板処理装置は、リフタピンと、搬送アームとを備える。リフタピンは、フォーカスリング載置面から突没するように載置台に設けられ、フォーカスリングを位置決めピンごと持ち上げて、フォーカスリング載置面から脱離させるものである。搬送アームは、処理室の外側に設けられ、処理室に設けられた搬出入口を介して、リフタピンとの間でフォーカスリングを位置決めピンが取り付けられたままやり取りするものである。
特許文献3に開示の基板処理装置は、複数の電極と供給部とを備えている。上記複数の電極は、基板が載置される静電チャック内部の、フォーカスリングに対応する領域に設けられ、静電チャックにフォーカスリングを吸着するための電圧が印加される。また、上記供給部は、基板が載置される領域を囲んで静電チャック上に設けられたフォーカスリングと静電チャックとで挟まれる空間に熱媒体を供給する。
特開2016−119334号公報 特開2011−054933号公報 特開2016−122740号公報
本開示にかかる技術は、伝熱シートが介在したエッジリングと基板支持台との間の熱伝達性を維持しながら、基板支持台からの伝熱シートの剥離性を向上させる。
本開示の一態様は、基板支持台であって、基板が載置される基板載置面と、前記基板載置面に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングが載置されるリング載置面と、前記エッジリングを前記リング載置面に静電力により吸着保持するための電極と、を有し、前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面に、伝熱シートが貼り着けられ、当該伝熱シートを介して、前記リング載置面に載置され、前記伝熱シートには、前記リング載置面と対向する面に、導電膜が形成され、前記エッジリングは、当該エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートの前記導電膜が、前記電極により形成される静電力によって吸着されることで、前記リング載置面に保持される。
本開示によれば、伝熱シートが介在したエッジリングと基板支持台との間の熱伝達性を維持しながら、基板支持台からの伝熱シートの剥離性を向上させることができる。
本実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 処理モジュールの構成の概略を示す縦断面図である。 伝熱シートの構成の概略を示す断面図である。 エッジリングの他の例を説明するための図である。 昇降ピンの他の例を説明するための図である。 昇降ピンの他の例を説明するための図である。 エッジリングの他の例を説明するための図である。
半導体デバイス等の製造プロセスでは、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」という。)等の基板に対して、プラズマを用いて、エッチングや成膜等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理は、処理容器内の基板支持台にウェハが載置され、処理容器内が減圧された状態で行われる。
また、プラズマ処理の際に、基板の中央部と周縁部とで良好且つ均一な処理結果を得るために、基板支持台上の基板の周囲を囲むように、エッジリングが基板支持台に載置されることがある。
さらに、プラズマ処理では、基板の温度制御が重要なため、温度調整機構で基板支持台を温度調整し、その基板支持台を介して基板を所望の温度に調整している。
エッジリングを用いる場合、エッジリングの温度制御も重要である。その理由は、エッジリングは、プラズマの影響を受けてその温度が変動し、エッジリングの温度は基板の周縁部のプラズマ処理結果に影響を与えるためである。そのため、エッジリングの温度も、基板支持台を介して調整される。しかし、エッジリングと基板支持台を鏡面仕上げしたとしても、その表面にラフネスが存在し、また、プラズマの影響を受けて、エッジリング及び基板支持台は膨張するため、エッジリングと基板支持台の間には微小な空間が形成される。そのため、単純にエッジリングを基板支持台に載置するだけでは、処理容器室内を減圧したときに、上記空間が真空断熱層となり、エッジリングと基板支持台の間の熱伝達性が悪いので、基板支持台を介してエッジリングの温度を所望の温度に調整することは難しい。
そのための対策技術として、エッジリングと基板支持台との間に、伝熱シートを配する技術が提案されている(特許文献1参照)。特に、伝熱シートが粘着性及び伸縮性を有していると、伝熱シートとエッジリングとの接触の安定性及び伝熱シートと基板支持台との接触の安定性が増すため、エッジリングと基板支持台との間の熱伝達性を向上させることができる。
しかしながら、伝熱シートが粘着性を有している場合、エッジリングの交換のために作業者がエッジリングを基板支持台から離脱させたときに、伝熱シートの一部が基板支持台に残ることがある。これは、特許文献2のように、エッジリングを持ち上げるリフタピンを用いて、エッジリングの交換を行う場合も同様である。基板支持台に伝熱シートが残ると、その除去に手間や時間を要する。
なお、基板支持台とエッジリングとの間の熱伝達性を改善するための技術として、基板支持台にエッジリングを静電力により吸着するための電圧が印加される電極を基板支持台に設けると共に、基板支持台とエッジリングとの間の空間に、伝熱ガスを供給する技術も提案されている(特許文献3参照)。
この技術では、エッジリングの交換の際に、伝熱シートが基板支持台に残ることがないが、基板支持台とエッジリングとの間の空間に供給する伝熱ガスの流量が大きいと、エッジリングが外れてしまう。そのため、上記伝熱ガスの流量には制限があるので、エッジリングと基板支持台との間の熱伝達性に改善の余地がある。例えば、近年、プラズマ処理の処理結果の向上のためにプラズマの大エネルギー化が進められているところ、上述の伝熱ガスを用いる技術では、プラズマのエネルギーが大きく、エッジリングへのプラズマからの入熱が大きいと、エッジリングを所望の温度に制御することが難しい。
そこで、本開示にかかる技術は、伝熱シートが介在したエッジリングと基板支持台との間の熱伝達性を維持しながら、基板支持台からの伝熱シートの剥離性を向上させる。
以下、本実施形態にかかるエッジリング、基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
図1は、本実施形態にかかるプラズマ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
図1のプラズマ処理システム1では、基板としてのウェハWに対して、プラズマを用いて例えばエッチング、成膜、拡散などのプラズマ処理を行う。
図1に示すようにプラズマ処理システム1は、大気部10と減圧部11とを有し、これら大気部10と減圧部11とがロードロックモジュール20、21を介して一体に接続されている。大気部10は、大気圧雰囲気下においてウェハWに所望の処理を行う大気モジュールを備える。減圧部11は、減圧雰囲気下においてウェハWに所望の処理を行う減圧モジュールを備える。
ロードロックモジュール20、21は、ゲートバルブ(図示せず)を介して、大気部10の後述するローダモジュール30と、減圧部11の後述するトランスファモジュール50を連結するように設けられている。ロードロックモジュール20、21は、ウェハWを一時的に保持するように構成されている。また、ロードロックモジュール20、21は、内部を大気圧雰囲気と減圧雰囲気(真空状態)とに切り替えられるように構成されている。
大気部10は、後述する搬送装置40を備えたローダモジュール30と、フープ31a、31bを載置するロードポート32とを有している。フープ31aは、複数のウェハWを保管可能なものであり、フープ31bは、複数のエッジリングEを保管可能なものである。なお、ローダモジュール30には、ウェハWやエッジリングEの水平方向の向きを調節するオリエンタモジュール(図示せず)や複数のウェハWを格納する格納モジュール(図示せず)などが隣接して設けられていてもよい。
ローダモジュール30は内部が矩形の筐体からなり、筐体の内部は大気圧雰囲気に維持されている。ローダモジュール30の筐体の長辺を構成する一側面には、複数、例えば5つのロードポート32が並設されている。ローダモジュール30の筐体の長辺を構成する他側面には、ロードロックモジュール20、21が並設されている。
ローダモジュール30の内部には、ウェハWやエッジリングEを搬送する搬送装置40が設けられている。搬送装置40は、ウェハWやエッジリングEを支持して移動する搬送アーム41と、搬送アーム41を回転可能に支持する回転台42と、回転台42を搭載した基台43とを有している。また、ローダモジュール30の内部には、ローダモジュール30の長手方向に延伸するガイドレール44が設けられている。基台43はガイドレール44上に設けられ、搬送装置40はガイドレール44に沿って移動可能に構成されている。
減圧部11は、ウェハWやエッジリングEを搬送するトランスファモジュール50と、トランスファモジュール50から搬送されたウェハWに所望のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置としての処理モジュール60を有している。トランスファモジュール50及び処理モジュール60の内部はそれぞれ、減圧雰囲気に維持される。1つのトランスファモジュール50に対し、処理モジュール60は複数、例えば8つ設けられている。なお、処理モジュール60の数や配置は本実施形態に限定されず、任意に設定することができ、エッジリングEの交換が必要な少なくとも1つの処理モジュールが設けられていればよい。また、エッジリングEの格納場所を減圧部11に設けてもよい。すなわち、フープ31bの代わりに、またはフープ31bと共に、トランスファモジュール50に接続されたエッジリング格納モジュールを設け、エッジリングEを格納してもよい。
トランスファモジュール50は内部が多角形状(図示の例では五角形状)の筐体からなり、上述したようにロードロックモジュール20、21に接続されている。トランスファモジュール50は、ロードロックモジュール20に搬入されたウェハWを一の処理モジュール60に搬送すると共に、処理モジュール60で所望のプラズマの処理が行われたウェハWを、ロードロックモジュール21を介して大気部10に搬出する。また、トランスファモジュール50は、ロードロックモジュール20に搬入されたエッジリングEを一の処理モジュール60に搬送すると共に、処理モジュール60内の交換対象のエッジリングEを、ロードロックモジュール21を介して大気部10に搬出する。
処理モジュール60は、ウェハWに対し、プラズマを用いて例えばエッチング、成膜、拡散などのプラズマ処理を行う。処理モジュール60には、目的のプラズマ処理を行うモジュールを任意に選択することができる。また、処理モジュール60は、ゲートバルブ61を介してトランスファモジュール50に接続されている。なお、この処理モジュール60の構成は後述する。
トランスファモジュール50の内部には、ウェハWやエッジリングEを搬送する搬送装置70が設けられている。搬送装置70は、ウェハWやエッジリングEを支持して移動する支持部としての搬送アーム71と、搬送アーム71を回転可能に支持する回転台72と、回転台72を搭載した基台73とを有している。また、トランスファモジュール50の内部には、トランスファモジュール50の長手方向に延伸するガイドレール74が設けられている。基台73はガイドレール74上に設けられ、搬送装置70はガイドレール74に沿って移動可能に構成されている。
トランスファモジュール50では、ロードロックモジュール20内で保持されたウェハWやエッジリングEを搬送アーム71で受け取り、処理モジュール60に搬入する。また、処理モジュール60内で保持されたウェハWやエッジリングEを搬送アーム71で受け取り、ロードロックモジュール21に搬出する。
さらに、プラズマ処理システム1は制御装置80を有する。一実施形態において、制御装置80は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理システム1に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御装置80は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理システム1の他の要素それぞれを制御するように構成され得る。一実施形態において、制御装置80の一部又は全てがプラズマ処理システム1の他の要素に含まれてもよい。制御装置80は、例えばコンピュータ90を含んでもよい。コンピュータ90は、例えば、処理部(CPU:Central Processing Unit)91、記憶部92、及び通信インターフェース93を含んでもよい。処理部91は、記憶部92に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部92は、RAM(Random Access Memory)、ROM(Read Only Memory)、HDD(Hard Disk Drive)、SSD(Solid State Drive)、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース93は、LAN(Local Area Network)等の通信回線を介してプラズマ処理システム1の他の要素との間で通信してもよい。
次に、以上のように構成されたプラズマ処理システム1を用いて行われるウェハ処理について説明する。
まず、搬送装置40によって、所望のフープ31aからウェハWが取り出され、ロードロックモジュール20に搬入される。ロードロックモジュール20にウェハWが搬入されると、ロードロックモジュール20内が密閉され、減圧される。その後、ロードロックモジュール20の内部とトランスファモジュール50の内部が連通される。
次に、搬送装置70によってウェハWが保持され、ロードロックモジュール20からトランスファモジュール50に搬送される。
次に、ゲートバルブ61が開放され、搬送装置70によって所望の処理モジュール60にウェハWが搬入される。その後、ゲートバルブ61が閉じられ、処理モジュール60においてウェハWに所望の処理が行われる。なお、この処理モジュール60においてウェハWに対して行われる処理については後述する。
次に、ゲートバルブ61が開放され、搬送装置70によって処理モジュール60からウェハWが搬出される。その後、ゲートバルブ61が閉じられる。
次に、搬送装置70によって、ロードロックモジュール21にウェハWが搬入される。ロードロックモジュール21にウェハWが搬入されると、ロードロックモジュール21内が密閉され、大気開放される。その後、ロードロックモジュール21の内部とローダモジュール30の内部が連通される。
次に、搬送装置40によってウェハWが保持され、ロードロックモジュール21からローダモジュール30を介して所望のフープ31aに戻されて収容される。これで、プラズマ処理システム1における一連のウェハ処理が終了する。
続いて、処理モジュール60について、図2を用いて説明する。図2は、処理モジュール60の構成の概略を示す縦断面図である。
図2に示すように処理モジュール60は、処理容器としてのプラズマ処理チャンバ100、ガス供給部130、RF(Radio Frequency:高周波)電力供給部140及び排気システム150を含む。また、処理モジュール60は、後述の電圧印加部120も含む(図3参照)。さらに、処理モジュール60は、基板支持台としてのウェハ支持台101及び上部電極シャワーヘッド102を含む。
ウェハ支持台101は、減圧可能に構成されたプラズマ処理チャンバ100内のプラズマ処理空間100sの下部領域に配置される。上部電極シャワーヘッド102は、ウェハ支持台101の上方に配置され、プラズマ処理チャンバ100の天部(ceiling)の一部として機能し得る。
ウェハ支持台101は、プラズマ処理空間100sにおいてウェハWを支持するように構成される。一実施形態において、ウェハ支持台101は、下部電極103、静電チャック104、絶縁体105、昇降ピン106及び昇降ピン107を含む。図示は省略するが、ウェハ支持台101は、静電チャック104及びウェハWのうち少なくとも1つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含む。温調モジュールは、ヒータ、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、冷媒、伝熱ガスのような温調流体が流れる。
下部電極103は、例えばアルミニウム等の導電性材料で形成されている。一実施形態において、上述の温調モジュールは下部電極103に設けられていてもよい。
静電チャック104は、ウェハWと、エッジリングEとの両方を静電力により吸着保持可能に構成された部材であり、下部電極103上に設けられている。静電チャック104は、周縁部の上面に比べて中央部の上面が高く形成されている。静電チャック104の中央部の上面104aは、ウェハWが載置される基板載置面となり、静電チャック104の周縁部の上面104bは、エッジリングEが載置されるリング載置面となる。エッジリングEは、平面視環状に形成されており、静電チャック104の中央部の上面(以下、ウェハ載置面)104aに載置されたウェハWを囲むように配置される部材である。エッジリングEは、伝熱シートTを介して、リング載置面104bに載置される。具体的には、エッジリングEは、静電チャック104の周縁部の上面(以下、リング載置面)104bに対向する下面に、伝熱シートTが予め貼り着けられ一体化された状態で、リング載置面104bに載置される。
静電チャック104の中央部には、ウェハWを吸着保持するための電極108が設けられ、静電チャック104の周縁部には、エッジリングEを吸着保持するための電極109が設けられている。静電チャック104は、絶縁材料からなる絶縁材の間に電極108、109を挟んだ構成を有する。電極108、109には、ウェハWやエッジリングEを吸着するための静電力が生じるよう、電圧印加部120(図3参照)から電圧が印加される。
本実施形態において、電極108が設けられる静電チャック104の中央部と、電極109が設けられる周縁部とは一体となっているが、これら中央部と周縁部とは別体であってもよい。
また、静電チャック104の中央部は、例えば、ウェハWの直径よりも小径に形成されており、ウェハWがウェハ載置面104aに載置されたときに、ウェハWの周縁部が静電チャック104の中央部から張り出すようになっている。
図示は省略するが、静電チャック104のウェハ載置面104aには、当該ウェハ載置面104aに載置されたウェハWの裏面に伝熱ガスを供給するため、ガス供給穴が形成されている。ガス供給穴からは、ガス供給部(図示せず)からの伝熱ガスが供給される。ガス供給部は、1又はそれ以上のガスソース及び1又はそれ以上の流量制御器を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部は、例えば、ガスソースからの伝熱ガスを、流量制御器を介して伝熱ガス供給穴に供給するように、構成される。上記流量制御器はそれぞれ、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。
静電チャック104のウェハ載置面104aには、上述のように、伝熱ガス供給穴が形成されているが、リング載置面104bには、伝熱ガス供給穴は形成されていない。
リング載置面104bに載置されるエッジリングEは、その上部に段差が形成されており、外周部の上面が内周部の上面より高く形成されている。エッジリングEの内周部は、静電チャック104の中央部から張り出したウェハWの周縁部の下側にもぐり込むように形成されている。つまり、エッジリングEは、その内径が、ウェハWの外径よりも小さく形成されている。
また、エッジリングEの材料には例えば石英が用いられる。エッジリングEの材料には、シリコン(Si)やシリコンカーバイド(SiC)を用いてもよい。
絶縁体105は、セラミック等で形成された円筒状の部材であり、静電チャック104を支持する。絶縁体105は、例えば、下部電極103の外径と同等の外径を有するように形成され、下部電極103の周縁部を支持する。
昇降ピン106は、静電チャック104のウェハ載置面104aから突没するように昇降する、柱状の部材であり、例えばセラミックから形成される。昇降ピン106は、静電チャック104の周方向、具体的には、ウェハ載置面104aの周方向に沿って、互いに間隔を空けて3本以上設けられている。昇降ピン106は、例えば、上記周方向に沿って等間隔で設けられている。昇降ピン106は、上下方向に延びるように設けられる。
昇降ピン106は、当該昇降ピン106を昇降させる昇降機構110に接続されている。昇降機構110は、例えば、複数の昇降ピン106を支持する支持部材111と、支持部材111を昇降させる駆動力を発生させ、複数の昇降ピン106を昇降させる駆動部112とを有する。駆動部112は、上記駆動力を発生するモータ(図示せず)を有する。
昇降ピン106は、静電チャック104のウェハ載置面104aから下方に延び下部電極103の底面まで至る貫通孔113に挿通される。貫通孔113は、言い換えると、静電チャック104の中央部及び下部電極103を貫通するように形成されている。
昇降ピン107は、静電チャック104のリング載置面104bから突没するように昇降する、柱状の部材であり、例えばアルミナや石英、SUS等から形成される。昇降ピン107は、静電チャック104の周方向、具体的には、ウェハ載置面104a及びリング載置面104bの周方向に沿って、互いに間隔を空けて3本以上設けられている。昇降ピン107は、例えば、上記周方向に沿って等間隔で設けられている。昇降ピン107は、上下方向に延びるように設けられ、その上端面が水平となるように設けられる。
なお、昇降ピン107の太さは、例えば1〜3mmである。
昇降ピン107は、昇降ピン107を駆動させる昇降機構114に接続されている。昇降機構114は、例えば、複数の昇降ピン107を支持する支持部材115と、支持部材115を昇降させる駆動力を発生させ、複数の昇降ピン107を昇降させる駆動部116とを有する。駆動部116は、上記駆動力を発生するモータ(図示せず)を有する。
昇降ピン107は、静電チャック104のリング載置面104bから下方に延び下部電極103の底面まで至る貫通孔117に挿通される。貫通孔117は、言い換えると、静電チャック104の周縁部及び下部電極103を貫通するように形成されている。
上部電極シャワーヘッド102は、ガス供給部130からの1又はそれ以上の処理ガスをプラズマ処理空間100sに供給するように構成される。一実施形態において、上部電極シャワーヘッド102は、ガス入口102a、ガス拡散室102b、及び複数のガス出口102cを有する。ガス入口102aは、例えば、ガス供給部130及びガス拡散室102bと流体連通している。複数のガス出口102cは、ガス拡散室102b及びプラズマ処理空間100sと流体連通している。一実施形態において、上部電極シャワーヘッド102は、1又はそれ以上の処理ガスをガス入口102aからガス拡散室102b及び複数のガス出口102cを介してプラズマ処理空間100sに供給するように構成される。
ガス供給部130は、1又はそれ以上のガスソース131及び1又はそれ以上の流量制御器132を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部130は、例えば、1又はそれ以上の処理ガスを、それぞれに対応のガスソース131からそれぞれに対応の流量制御器132を介してガス入口102aに供給するように構成される。各流量制御器132は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部130は、1又はそれ以上の処理ガスの流量を変調又はパルス化する1又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。
RF電力供給部140は、RF電力、例えば1又はそれ以上のRF信号を、下部電極103、上部電極シャワーヘッド102、又は、下部電極103及び上部電極シャワーヘッド102の双方のような1又はそれ以上の電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間100sに供給された1又はそれ以上の処理ガスからプラズマが生成される。したがって、RF電力供給部140は、プラズマ処理チャンバにおいて1又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。RF電力供給部140は、例えば、2つのRF生成部141a、141b及び2つの整合回路142a、142bを含む。一実施形態において、RF電力供給部140は、第1のRF信号を第1のRF生成部141aから第1の整合回路142aを介して下部電極103に供給するように構成される。例えば、第1のRF信号は、27MHz〜100MHzの範囲内の周波数を有してもよい。
また、一実施形態において、RF電力供給部140は、第2のRF信号を第2のRF生成部141bから第2の整合回路142bを介して下部電極103に供給するように構成される。例えば、第2のRF信号は、400kHz〜13.56MHzの範囲内の周波数を有してもよい。代わりに、第2のRF生成部141bに代えて、DC(Direct Current)パルス生成部を用いてもよい。
さらに、図示は省略するが、本開示においては他の実施形態が考えられる。例えば、代替実施形態において、RF電力供給部140は、第1のRF信号をRF生成部から下部電極103に供給し、第2のRF信号を他のRF生成部から下部電極103に供給し、第3のRF信号をさらに他のRF生成部から下部電極103に供給するように構成されてもよい。加えて、他の代替実施形態において、DC電圧が上部電極シャワーヘッド102に印加されてもよい。
またさらに、種々の実施形態において、1又はそれ以上のRF信号(すなわち、第1のRF信号、第2のRF信号等)の振幅がパルス化又は変調されてもよい。振幅変調は、オン状態とオフ状態との間、あるいは、2又はそれ以上の異なるオン状態の間でRF信号振幅をパルス化することを含んでもよい。
排気システム150は、例えばプラズマ処理チャンバ100の底部に設けられた排気口100eに接続され得る。排気システム150は、圧力弁及び真空ポンプを含んでもよい。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、粗引きポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。
続いて、伝熱シートT及び電圧印加部120について説明する。図3は、伝熱シートTの構成の概略を示す断面図である。
伝熱シートTは、シート状に形成された部材であり、平面視での形状は、エッジリングEと同様に環状であり、具体的には、その外径がエッジリングEの外径より小さく且つその内径がエッジリングEの内径より小さい環状である。
また、伝熱シートTは、高い熱伝導率(例えば0.2〜5W/m・K)及び高い伸縮性を有するように形成されている。例えば、伝熱シートTは、耐熱性の有機材料が基材として用いられ、多数の伝熱性フィラーが混入され、分散している。耐熱性の有機材料は、例えば、シリコン成分を含む耐熱性の粘着剤やゴムである。また、伝熱性フィラーは、例えばアルミナの粒状態である。
伝熱シートTは、例えば、エッジリングEへの貼り付け時において、ゲル化し粘着性を有しており、その粘着性(粘着力)により、エッジリングEへ貼り着けられる。
さらに、伝熱シートTは、図3に示すように、リング載置面104bと対向する面に、導電膜Taが形成されている。
導電膜Taは、金属材料等の導電性材料から形成された膜である。金属材料としては、例えば、ウェハW及びプラズマ処理チャンバ100の汚染を避けるため、プラズマ処理チャンバ100の材料、具体的には、プラズマ処理チャンバ100の側壁や底壁の材料と同じ、アルミニウム(Al)が用いられる。
伝熱シートTへの導電膜Taの形成方法は、例えば、金属材料から成る金属箔を、伝熱シートTが有する粘着性(粘着力)により、貼り着ける方法である。スパッタリングや蒸着により導電膜Taを形成するようにしてもよい。なお、伝熱シートTへの導電膜Taの形成は、伝熱シートTのエッジリングEへの貼り着け前に行ってもよいし、貼り付け後に行ってもよい。
また、導電膜Taは、その厚さが例えば10μm以下と薄く、好ましくは、形成可能な範囲で最も薄く形成される。このように、導電膜Taは、薄いため、エッジリングEを吸着したとき等に塑性変形するので、導電膜Taとリング載置面104bとの間に隙間が生じることがない。なお、導電膜Taは、伝熱シートTの熱伝導率以上の熱伝導率であることが好ましいが、上述のように薄ければ、伝熱シートTの熱伝導率より高くてもよい。
このような伝熱シートTが貼り着けられたエッジリングEは、伝熱シートTに形成された導電膜Taと電極109との間に生じる静電力により、リング載置面104bに吸着保持される。
電極109は、例えば、一対の電極109a、109bを含む双極型である。この電極109a、109bに対し、電圧印加部120が設けられている。
電圧印加部120は、例えば、2つの直流電源121a、121b及び2つのスイッチ122a、122bを含む。
直流電源121aは、スイッチ122aを介して電極109aに接続され、当該電極109aに、エッジリングEを吸着するための正の電圧又は負の電圧を選択的に印加する。
直流電源121bは、スイッチ122bを介して電極109bに接続され、当該電極109bに、エッジリングEを吸着するための正の電圧又は負の電圧を選択的に印加する。
さらに、電圧印加部120は、例えば、直流電源121c及びスイッチ122cを含む。
直流電源121cは、スイッチ122cを介して電極108に接続され、当該電極108に、ウェハWを吸着するための電圧を印加する。
なお、本実施形態において、エッジリングEを吸着保持するための電極109は、双極型であるものとしたが、単極型であってもよい。
また、本実施形態において、静電チャック104に電極109を設けてエッジリングEを静電力により吸着保持するようにしていたが、例えば、下部電極103に直流電圧も印加するようにし、それにより生じる静電力によりエッジリングEを吸着保持するようにしてもよい。
次に、処理モジュール60を用いて行われるウェハ処理の一例について説明する。なお、処理モジュール60では、ウェハWに対して、例えばエッチング処理、成膜処理、拡散処理などの処理を行う。
先ず、プラズマ処理チャンバ100の内部にウェハWが搬入され、昇降ピン106の昇降により静電チャック104上にウェハWが載置される。その後、静電チャック104の電極108に、直流電源121cから直流電圧が印加され、これにより、ウェハWが、静電力によって静電チャック104に静電吸着され、保持される。また、ウェハWの搬入後、排気システム150によってプラズマ処理チャンバ100の内部が所定の真空度まで減圧される。
次に、ガス供給部130から上部電極シャワーヘッド102を介してプラズマ処理空間100sに処理ガスが供給される。また、RF電力供給部140からプラズマ生成用の高周波電力HFが下部電極103に供給され、これにより、処理ガスを励起させて、プラズマを生成する。この際、RF電力供給部140からイオン引き込み用の高周波電力LFが供給されてもよい。そして、生成されたプラズマの作用によって、ウェハWにプラズマ処理が施される。
プラズマ処理を終了する際には、RF電力供給部140からの高周波電力HFの供給及びガス供給部130からの処理ガスの供給が停止される。プラズマ処理中に高周波電力LFを供給していた場合には、当該高周波電力LFの供給も停止される。次いで、直流電源121cからの直流電圧の供給が停止され、静電チャック104によるウェハWの吸着保持が停止される。
その後、昇降ピン106によりウェハWを上昇させ、静電チャック104からウェハWを離脱させる。この離脱の際には、ウェハWの除電処理を行ってもよい。そして、プラズマ処理チャンバ100からウェハWを搬出して、一連のウェハ処理が終了する。
なお、エッジリングEは、ウェハ処理中、静電力により吸着保持され、具体的には、プラズマ処理中も、プラズマ処理の前後も静電力により吸着保持される。プラズマ処理の前後では、電極109aと電極109bとの間に電位差が生じるように、直流電源121a及び直流電源121bを用いて、電極109a及び電極109bに互いに異なる電圧が印加される。これによって発生した、電位差に応じた静電力により、エッジリングEが吸着保持される。それに対し、プラズマ処理中は、直流電源121a及び直流電源121bを用いて、電極109aと電極109bとに同電圧(例えば正の同電圧)が印加され、プラズマを通じて接地電位とされたエッジリングEと、電極109a及び電極109bとの間に電位差が生じる。これによって発生した、電位差に応じた静電力により、エッジリングEが吸着保持される。なお、エッジリングEが静電力により吸着されている間、昇降ピン107は、静電チャック104のリング載置面104bから没した状態とされる。
続いて、前述のプラズマ処理システム1を用いて行われる、処理モジュール60内へのエッジリングEの取り付け処理の一例について説明する。なお、以下の処理は、制御装置80による制御の下、行われる。また、以下では、予め伝熱シートTが一体化されたエッジリングEを交換用エッジリングEということがある。本開示では、交換用エッジリングEから伝熱シートTを除いたものをエッジリング本体ということがある。
まず、減圧されたプラズマ処理チャンバ100内に、搬入出口(図示せず)を介して、交換用エッジリングEを保持した搬送アーム71が挿入され、静電チャック104のリング載置面104bの上方へ、交換用エッジリングEが搬送される。
次いで、昇降ピン107の上昇が行われ、搬送アーム71から昇降ピン107へ、交換用エッジリングEが受け渡される。
続いて、搬送アーム71のプラズマ処理チャンバ100からの抜き出しすなわち搬送アーム71の退避と、昇降ピン107の下降が行われ、これにより、交換用エッジリングEが、静電チャック104のリング載置面104bに載置される。
その後、静電チャック104の周縁部に設けられた電極109に、電圧印加部120からの直流電圧が印加され、これによって生じる静電力により、交換用エッジリングEに貼り着けられた伝熱シートTの導電膜Taがリング載置面104bに吸着される。具体的には、直流電源121a、121bから電極109a及び電極109bに互いに異なる電圧が印加され、これによって発生した、電位差に応じた静電力により、交換用エッジリングEに貼り着けられた伝熱シートTの導電膜Taがリング載置面104bに吸着保持される。その結果、交換用エッジリングEがリング載置面104bに吸着保持される。
これで、一連のエッジリングEの取り付け処理が完了する。
交換用エッジリングEの取り外し処理は、上述の交換用エッジリングEの取り付け処理と逆の手順で行われる。交換用エッジリングEの取り外しの際、伝熱シートTには導電膜Taが形成されており、交換用エッジリングEのリング載置面104bとの接触面には粘着性がないため、昇降ピン107で交換用エッジリングEを上昇させたときに、リング載置面104bに伝熱シートTが残ることがない。
なお、交換用エッジリングEの取り外しの際は、交換用エッジリングEのクリーニング処理を行ってから、エッジリングEをプラズマ処理チャンバ100から搬出するようにしてもよい。
また、交換用エッジリングEの取り付けまたは取り外しの際、フープ31bと交換対象の処理モジュール60との間での交換用エッジリングEの搬送は、前述のウェハ処理時の際の、フープ31aと処理モジュール60との間でのウェハWの搬送と同様に行われる。
以上のように、本実施形態にかかるウェハ支持台101は、ウェハWが載置されるウェハ載置面104aと、ウェハ載置面104aに載置されたウェハWを囲むように配置されるエッジリングEが載置されるリング載置面104bと、エッジリングEをリング載置面104bに静電力により吸着保持するための電極109と、を有する。また、エッジリングEが、リング載置面104bと対向する面に、伝熱シートTが貼り着けられ、当該伝熱シートTを介して、リング載置面104bに載置される。そして、伝熱シートTが、リング載置面104bと対向する面に、導電膜Taが形成されている。そのため、伝熱シートTは、エッジリングE側の面にのみ粘着性があり、リング載置面104bとの接触面には、粘着性がないので、エッジリングEをリング載置面104bから脱離させたときに、エッジリングEと共に伝熱シートTも一緒に脱離され、リング載置面104bに伝熱シートTが残ることがない。また、本実施形態では、エッジリングEが、当該エッジリングEに貼り着けられた伝熱シートTの導電膜Taが、電極109により形成される静電力によって吸着されることで、ウェハ支持台101のリング載置面104bに保持される。そのため、上記静電力により、導電膜Taがリング載置面104bに押圧され変形するため、導電膜Taとリング載置面104bとが隙間なく密着する。したがって、導電膜Taを形成することにより、エッジリングEとウェハ支持台101との間の熱伝達性が阻害されることがない。
このように、本実施形態によれば、伝熱シートTが介在したエッジリングEとウェハ支持台101との間の熱伝達性を維持しながら、ウェハ支持台101からの伝熱シートTの剥離性を向上させることができる。
前述のように、特許文献3に開示のように伝熱ガスを用いるときに、エッジリングへのプラズマからの入熱が大きい場合に、エッジリングを所望の温度に制御できないことがある。これは、入熱によりエッジリング及びウェハ支持台が大きく膨張することで、両者間の隙間が大きくなり、エッジリングに働く静電力が弱まるため、伝熱ガスが漏れ出し、その結果、エッジリングとウェハ支持台との間の熱伝達性が低下すること等が理由である。それに対し、本実施形態では、伝熱ガスを用いておらず、プラズマからの入熱によりエッジリングE及びウェハ支持台101が大きく膨張した場合でも、その膨張に、伝熱シートT及び導電膜Taが追従できる。したがって、エッジリングEとウェハ支持台101との間に隙間が形成されないため、エッジリングEをウェハ支持台101を介して所望の温度に制御することができる。
伝熱ガスとしては例えばヘリウムガスが用いられるが、ヘリウムガスは高価である。本実施形態では、このような高価なヘリウムガスを用いていないため、低コスト化を図ることができる。
また、本実施形態によれば、昇降ピン107や搬送装置70を用いて、エッジリングEを交換するときにも、伝熱シートがウェハ支持台101のリング載置面104bに残ることがない。つまり、本実施形態によれば、作業者によらず、自動でエッジリングEを交換することができる。
さらに、本実施形態では、伝熱ガスを供給するガス供給穴が、リング載置面104bに形成されていない。したがって、リング載置面104bのエッジリングEに対する接触面積が大きいため、エッジリングEとウェハ支持台101と間で高い熱伝達性を得ることができる。昇降ピン107が挿通される貫通孔117を省略し、エッジリングEの交換を作業者によりエッジリングEを交換する場合は、リング載置面104bのエッジリングEに対する接触面積をさらに大きくすることができるため、エッジリングEとウェハ支持台101と間で熱伝達性をさらに高くすることができる。
また、本実施形態では、エッジリングEに貼り着けられた伝熱シートTの導電膜Taを利用してエッジリングEを静電吸着する。したがって、エッジリングEの材料として、石英等の絶縁性材料を用いることができる。
図4は、エッジリングの他の例を説明するための図である。
図4のエッジリングE1は、リング載置面104bと対向する面に、リング載置面104bから離間する方向に凹む凹部E1aを有する。そして、この凹部E1aに、伝熱シートTが貼り着けられている。
この構成によれば、プラズマ処理空間100sに露出する伝熱シートTの側面積が低減する。したがって、伝熱シートTがプラズマによりダメージを受けるのを抑制することができる。
図5及び図6は、昇降ピンの他の例を説明するための図である。
図5及び図6の昇降ピン200、210は、側面視において、上下方向に延びる円柱状または角柱状の柱状部200a、210aを下方に有しており、また、エッジリングEとの当接面すなわち上端面の面積が柱状部200a、210aの水平断面の断面積より大きい。つまり、昇降ピン200、210は、図2等に示した昇降ピン107に比べて、エッジリングEと当接する上端面(具体的にはエッジリングEと一体化された伝熱シートTと当接する上端面)が大きく形成されている。
昇降ピン200は、側面視において、L字を上下逆さにした形状に形成されることで、上端面が大きく形成されている。昇降ピン210は、側面視T字状に形成されることで上端面が大きく形成されている。
このように昇降ピン200、210の上端面を大きく形成することで、昇降ピン200、210を上昇させたときに、伝熱シートTが損傷するのを防ぐことができる。
なお、昇降ピンの上端部は、その内径がエッジリングEの内径より大きくその外径がエッジリングEの外径より小さい平面視円環状に形成されていてもよい。
図7は、エッジリングの他の例を説明するための図である。
図7のエッジリングE2は、リング載置面104bと対向する面における、昇降ピン107が当接する部分に、伝熱シートT及び導電膜Taが形成されていない。
この構成によれば、昇降ピン107により伝熱シートT及び導電膜Taが損傷するのを防ぐことができる。
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な追加、省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
60 処理モジュール
70 搬送装置
71 搬送アーム
100 プラズマ処理チャンバ
100s プラズマ処理空間
101 ウェハ支持台
104a ウェハ載置面
104b リング載置面
107 昇降ピン
109 電極
109a 電極
109b 電極
200 昇降ピン
210 昇降ピン
E エッジリング
E1 エッジリング
E2 エッジリング
T 伝熱シート
Ta 導電膜
W ウェハ

Claims (13)

  1. 基板が載置される基板載置面と、
    前記基板載置面に載置された基板を囲むように配置されるエッジリングが載置されるリング載置面と、
    前記エッジリングを前記リング載置面に静電力により吸着保持するための電極と、を有し、
    前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面に、伝熱シートが貼り着けられ、当該伝熱シートを介して、前記リング載置面に載置され、
    前記伝熱シートには、前記リング載置面と対向する面に、導電膜が形成され、
    前記エッジリングは、当該エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートの前記導電膜が、前記電極により形成される静電力によって吸着されることで、前記リング載置面に保持される、基板支持台。
  2. 伝熱ガスを供給するガス供給穴が、前記リング載置面に形成されていない、請求項1に記載の基板支持台。
  3. 前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面に凹部を有し、
    前記伝熱シートは、前記凹部に貼り着けられている、請求項1または2に記載の基板支持台。
  4. 前記エッジリングは、石英から形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板支持台。
  5. 前記エッジリングは、SiまたはSiCから形成される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の基板支持台。
  6. 前記導電膜は、Alから形成される、請求項1〜5のいずれか1項に記載の基板支持台。
  7. 前記導電膜の厚さは、10μm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の基板支持台。
  8. 前記エッジリングを昇降させる昇降部材を有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載の基板支持台。
  9. 前記昇降部材は、上下方向に延びる柱状部を下方に有すると共に、前記エッジリングとの当接面の面積が前記柱状部の断面積より大きい、請求項8に記載の基板支持台。
  10. 前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面における、前記昇降部材が当接する部分に、前記伝熱シート及び前記導電膜が形成されていない、請求項8に記載の基板支持台。
  11. 請求項8〜10のいずれか1項に記載の基板支持台と、前記基板支持台が内部に設けられ、減圧可能に構成された処理容器と、前記電極に電圧を印加する電圧印加部と、前記昇降部材を昇降させる昇降機構と、を有し、前記基板支持台上の基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置と、
    前記エッジリングを支持する支持部を有し、前記処理容器へ前記支持部を挿抜させて前記処理容器に対して前記エッジリングを搬入出させる搬送装置と、
    前記電圧印加部、前記昇降機構及び前記搬送装置を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、
    前記支持部に支持された前記エッジリングを、前記基板支持台上に搬送する工程と、
    前記昇降部材を上昇させ、前記支持部から前記昇降部材へ前記エッジリングを受け渡す工程と、
    前記支持部の退避後、前記昇降部材を下降させ、前記エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートを介して、前記エッジリングを、前記リング載置面に載置する工程と、
    前記電極に電圧を印加し、これにより生じる静電力によって、前記エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートの前記導電膜を吸着し、前記リング載置面に前記エッジリングを保持する工程と、が実行されるように、前記電圧印加部、前記昇降機構及び前記搬送装置を制御する、プラズマ処理システム。
  12. プラズマ処理装置内のエッジリングの交換方法であって、
    前記プラズマ処理装置は、
    減圧可能に構成された処理容器と、
    前記処理容器の内部に設けられた基板支持台と、を有し、
    前記基板支持台は、
    基板が載置される基板載置面と、
    前記基板載置面に載置された基板を囲むように前記エッジリングが載置されるリング載置面と、
    前記エッジリングを前記リング載置面に静電力により吸着保持するための電極と、
    前記エッジリングを昇降させる昇降部材と、を有し、
    前記エッジリングは、前記リング載置面と対向する面に、粘着性を有する伝熱シートが貼り着けられ、
    前記伝熱シートは、前記リング載置面と対向する面に、導電膜が形成され、
    当該交換方法は、
    搬送装置の支持部に支持された前記エッジリングを、前記基板支持台の上方に搬送する工程と、
    前記昇降部材を上昇させ、前記支持部から前記昇降部材へ前記エッジリングを受け渡す工程と、
    前記支持部の退避後、前記昇降部材を下降させ、前記エッジリングを、当該エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートを介して、前記リング載置面に載置する工程と、
    前記電極に電圧を印加し、これにより生じる静電力によって、前記エッジリングに貼り着けられた前記伝熱シートの前記導電膜を吸着し、前記リング載置面に前記エッジリングを保持する工程と、を含む、エッジリングの交換方法。
  13. 基板に対しプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に設けられた、基板支持台上の基板を囲み得るように、前記基板支持台上に載置されるエッジリングであって、
    平面視環状に形成されたリング本体と、
    平面視環状に形成され、且つ、前記エッジリングを前記基板支持台上に載置したときに、前記リング本体と前記基板支持台との間に介在する伝熱シートと、を備え、
    前記リング本体は、前記基板支持台と対向する面に、前記伝熱シートが予め貼り着けられ一体化され、
    前記伝熱シートは、
    前記基板支持台と対向する面に、導電膜が形成されている、エッジリング。

JP2020053034A 2020-03-24 2020-03-24 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法 Active JP7454976B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020053034A JP7454976B2 (ja) 2020-03-24 2020-03-24 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
TW110107420A TW202205347A (zh) 2020-03-24 2021-03-03 邊緣環、基板支持台、電漿處理系統及邊緣環之更換方法
KR1020210029362A KR20210119296A (ko) 2020-03-24 2021-03-05 에지 링, 기판 지지대, 플라즈마 처리 시스템 및 에지 링의 교환 방법
US17/195,728 US20210305022A1 (en) 2020-03-24 2021-03-09 Edge ring, substrate support, plasma processing system and method of replacing edge ring
CN202110264471.3A CN113451096A (zh) 2020-03-24 2021-03-11 边缘环及其更换方法、基片支承台和等离子体处理系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020053034A JP7454976B2 (ja) 2020-03-24 2020-03-24 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021153122A true JP2021153122A (ja) 2021-09-30
JP7454976B2 JP7454976B2 (ja) 2024-03-25

Family

ID=77808912

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020053034A Active JP7454976B2 (ja) 2020-03-24 2020-03-24 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20210305022A1 (ja)
JP (1) JP7454976B2 (ja)
KR (1) KR20210119296A (ja)
CN (1) CN113451096A (ja)
TW (1) TW202205347A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023114082A1 (en) * 2021-12-15 2023-06-22 Lam Research Corporation Improved thermal and electrical interface between parts in an etch chamber
KR20240027534A (ko) 2022-08-23 2024-03-04 유나이티드 세미컨덕터 재팬 씨오. 엘티디. 웨이퍼 지지판 및 그것을 구비한 반도체 제조 장치
WO2024135385A1 (ja) * 2022-12-21 2024-06-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び制御方法
WO2024142930A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7134104B2 (ja) * 2019-01-09 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の載置台
TW202137326A (zh) * 2020-03-03 2021-10-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板支持台、電漿處理系統及環狀構件之安裝方法
JP7499142B2 (ja) * 2020-10-23 2024-06-13 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
CN116798931A (zh) * 2022-03-14 2023-09-22 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 薄膜沉积装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064460A (ja) * 2003-04-24 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置
JP2008244096A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
JP2008251742A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
JP2011151263A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置及びリング部材
JP2012009563A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング及びその製造方法
JP2012204742A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法
JP2014143244A (ja) * 2013-01-22 2014-08-07 Tokyo Electron Ltd 載置台及びプラズマ処理装置
JP2016025277A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 クアーズテック株式会社 フォーカスリング
JP2018010992A (ja) * 2016-07-14 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング交換方法
JP2018098239A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040261946A1 (en) * 2003-04-24 2004-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, focus ring, and susceptor
JP5102500B2 (ja) * 2007-01-22 2012-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5650935B2 (ja) 2009-08-07 2015-01-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び位置決め方法並びにフォーカスリング配置方法
JP6001529B2 (ja) * 2011-03-29 2016-10-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
JP6430233B2 (ja) 2014-12-18 2018-11-28 東京エレクトロン株式会社 伝熱シート及び基板処理装置
JP6346855B2 (ja) 2014-12-25 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 静電吸着方法及び基板処理装置
US20190122870A1 (en) * 2016-07-14 2019-04-25 Tokyo Electron Limited Focus ring replacement method and plasma processing system

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064460A (ja) * 2003-04-24 2005-03-10 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置
JP2008244096A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 熱伝導シート及びこれを用いた被処理基板の載置装置
JP2008251742A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及びフォーカスリングを載置する基板載置台
JP2010278166A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理用円環状部品、及びプラズマ処理装置
JP2011151263A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Tokyo Electron Ltd エッチング方法、エッチング装置及びリング部材
JP2012009563A (ja) * 2010-06-23 2012-01-12 Tokyo Electron Ltd フォーカスリング及びその製造方法
JP2012204742A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置の処理室内構成部材及びその温度測定方法
JP2014143244A (ja) * 2013-01-22 2014-08-07 Tokyo Electron Ltd 載置台及びプラズマ処理装置
JP2016025277A (ja) * 2014-07-23 2016-02-08 クアーズテック株式会社 フォーカスリング
JP2018010992A (ja) * 2016-07-14 2018-01-18 東京エレクトロン株式会社 フォーカスリング交換方法
JP2018098239A (ja) * 2016-12-08 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023114082A1 (en) * 2021-12-15 2023-06-22 Lam Research Corporation Improved thermal and electrical interface between parts in an etch chamber
KR20240027534A (ko) 2022-08-23 2024-03-04 유나이티드 세미컨덕터 재팬 씨오. 엘티디. 웨이퍼 지지판 및 그것을 구비한 반도체 제조 장치
WO2024135385A1 (ja) * 2022-12-21 2024-06-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び制御方法
WO2024142930A1 (ja) * 2022-12-27 2024-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム

Also Published As

Publication number Publication date
CN113451096A (zh) 2021-09-28
JP7454976B2 (ja) 2024-03-25
KR20210119296A (ko) 2021-10-05
TW202205347A (zh) 2022-02-01
US20210305022A1 (en) 2021-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7454976B2 (ja) 基板支持台、プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
JP3650248B2 (ja) プラズマ処理装置
CN101405857B (zh) 承载基片的装置和方法
JP7534249B2 (ja) プラズマ処理システム及び環状部材の取り付け方法
US20060237138A1 (en) Apparatuses and methods for supporting microelectronic devices during plasma-based fabrication processes
JP2010514213A (ja) 環状固定及び背面冷却を行う静電クランプ
US11804368B2 (en) Cleaning method and plasma processing apparatus
JP7530807B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理システム及びエッジリングの位置合わせ方法
JP2021141305A (ja) プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
JP2024105634A (ja) プラズマ処理システム及びエッジリングの交換方法
US20210319988A1 (en) Substrate support stage, plasma processing system, and method of mounting edge ring
JP2004095665A (ja) 静電吸着装置および処理装置
JPH06349938A (ja) 真空処理装置
JP7409976B2 (ja) プラズマ処理システム、プラズマ処理装置及びエッジリングの交換方法
WO2024075423A1 (ja) 基板処理システム及びエッジリングの取り付け方法
WO2024071074A1 (ja) 基板処理システム
JPH11330056A (ja) 電極のクリーニング方法
WO2024135385A1 (ja) プラズマ処理装置及び制御方法
WO2024071073A1 (ja) 基板処理システム
KR20230085867A (ko) 기판 지지대, 플라즈마 처리 장치 및 링의 교환 방법
JP2022135646A (ja) 基板支持台及びプラズマ処理装置
JP7361306B2 (ja) プラズマ処理装置、プラズマ処理方法ならびに素子チップの製造方法
WO2023120679A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2022136624A (ja) プラズマ処理システム及び消耗部材の取り付け方法
TW202310678A (zh) 處理方法及電漿處理裝置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230929

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231003

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231204

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240312

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7454976

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150