JP2009260243A - 基板処理装置の基板載置台及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加熱部5が内包されているサセプタ分体4と、前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板8載置面を設定する基板載置部と、前記基板載置面に設けられた均熱部7とを有する基板載置台1を提供する。
【選択図】図3
Description
図2(a)は、ウエハ8が載置されている状態のサセプタ2を上面から見た図である。A-Aは切り取り線であり、図2(c)及び図3がその断面図となる。図2(b)は、サセプタ分体4とヒータ分体5(加熱部)及び電力供給端子53、54との関連を示す説明図である。図3は前述の通りA-A線の断面図ではあるが、説明の便宜上、サセプタ昇降機構44及びサセプタ分体支持部49等を省略している。
このように、先端部54に電力供給端子を設けることで、各ヒータ電力供給線55を集中して配設することが可能となり、その結果サセプタ昇降機構44の水平方向断面の面積を小さくすることができる。水平方向断面の面積を小さくすることで、安価にサセプタ昇降機構44を作成することが可能となり、またそれに付随するモータ等の昇降機構も小さいパワーのものを設定することが可能となる。
サセプタ分体4の先端部54はサセプタ昇降機構44に支持され、また円弧側の領域はサセプタ分体支持部49により支持されている。
尚、均熱板7は、ウエハ8全面が載置されれば良く、例えば円状に限らず四角条でも良い。
図4は、ウエハが載置された状態のサセプタ16を上面から見た図である。図5は、図4のB−B線を切り取ったときの断面図である。尚、サセプタ昇降機構44やサセプタ分体支持部49等は、説明の便宜上省略している。
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
前記複数のサセプタ分体の間に、伝熱部を有する付記5記載の基板載置台。
前記均熱部の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される付記6記載の基板載置台。
前記均熱部の径は、載置される基板の径より大きい付記5乃至7記載の基板載置台。
前記均熱部及び前記伝熱部は、同材質である付記6乃至8記載の基板載置台。
前記並べられた複数のサセプタ分体は上面が扇形であって、前記サセプタ分体の先端部に加熱部電力供給端子を設ける請求項5乃至9記載の基板載置台。
処理ガスを供給するガス供給部と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体と、前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を並べ、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する基板処理装置。
前記基板載置面に、伝熱部を有する付記10記載の基板処理装置。
前記第一または伝熱部は、SiCである付記11記載の基板処理装置。
処理ガスを供給するガス供給部と、基板を加熱処理する処理室と、前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、前記基板載置部は加熱部が内包されているサセプタ分体と、 前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を並べ、基板載置面を設定する基板載置部と、前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する
基板処理装置。
2 サセプタ
4 サセプタ分体
5 ヒータ分体
6 非連続部分
7 均熱板
8 ウエハ
15 処理室
16 サセプタ
35 筒状電極
36 プラズマ生成領域
39 筒状磁石
42 処理炉
44 サセプタ昇降機構
51 伝熱板
Claims (10)
- 加熱部が内包されているサセプタ分体と、
前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、
前記基板載置面に設けられた均熱部と
を有する基板載置台。 - 前記複数のサセプタ分体の間に、伝熱部を有する請求項1記載の基板載置台。
- 前記伝熱部の下端部は、鉛直方向で、前記加熱部と前記サセプタ分体の下端部の間に設定される請求項2記載の基板載置台。
- 前記均熱部の径は、載置される基板の径より大きい請求項1乃至3記載の基板載置台。
- 前記均熱部及び前記伝熱部は、同材質である請求項2乃至4記載の基板載置台。
- 前記並べられた複数のサセプタ分体は上面が扇形であって、前記サセプタ分体の先端部に加熱部電力供給端子を設ける請求項1乃至5記載の基板載置台。
- 処理ガスを供給するガス供給部と、
プラズマを生成するプラズマ生成部と、
前記プラズマにより処理される基板を内包する処理室と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、
前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、
前記基板載置部は
加熱部が内包されているサセプタ分体と、
前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、
前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する
基板処理装置。 - 前記基板載置面に、伝熱部を有する請求項7記載の基板処理装置。
- 前記第一または伝熱部は、SiCである請求項8記載の基板処理装置。
- 処理ガスを供給するガス供給部と、
基板を加熱処理する処理室と、
前記処理室の雰囲気を排出する排気部と、
前記処理室に設けられ、処理される基板を載置する基板載置部とを有する基板処理装置であって、
前記基板載置部は
加熱部が内包されているサセプタ分体と、
前記サセプタ分体を複数有し、前記複数のサセプタ分体を平面状に配置し、基板載置面を設定する基板載置部と、
前記複数のサセプタ分体の間に設けられた均熱部とを有する
基板処理装置。
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