TWI715602B - 基板托架 - Google Patents

基板托架 Download PDF

Info

Publication number
TWI715602B
TWI715602B TW105124487A TW105124487A TWI715602B TW I715602 B TWI715602 B TW I715602B TW 105124487 A TW105124487 A TW 105124487A TW 105124487 A TW105124487 A TW 105124487A TW I715602 B TWI715602 B TW I715602B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
area
substrate holder
item
patent application
Prior art date
Application number
TW105124487A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201719803A (zh
Inventor
塞巴斯汀 瑞斯克
艾瑞克 安索治
莫高 柯爾
克里斯汀 鮑恩
Original Assignee
德商梅耶博格（德國）有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 德商梅耶博格（德國）有限公司 filed Critical 德商梅耶博格（德國）有限公司
Publication of TW201719803A publication Critical patent/TW201719803A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI715602B publication Critical patent/TWI715602B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67333—Trays for chips
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Packaging Of Annular Or Rod-Shaped Articles, Wearing Apparel, Cassettes, Or The Like (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本發明涉及具有基板托架板的基板托架，其包含前側基板托架表面，在其上用於接收基板的至少一基板接收區域分別地被提供。本發明之目的係提供基板托架，其使得當以快速方式操作時，該基板之安全支撐與該基板從該基板托架之簡單、無損害移除，且能無需該基板之該些特性的減損或該基板處理。根據本發明目的被達成，其中該基板接收區域包含內部區域與運行在該內部區域周圍之外部區域，其中該外部區域包含相較於該內部區域之表面被升高的間隔平台，其用於支撐該基板的邊緣區域，其中通風通道在平台之間被提供。

Description

基板托架
本發明涉及具有基板托架板的基板托架，其包含前側基板托架表面，在其上用於接收基板的至少一基板接收區域分別地被提供。
特別地被使用來處理諸如矽晶圓之半導體基板的基板托架，應穩固地保持至少一基板，從而分別地實現其無缺陷處理。藉此，水平排列之基板托架，所謂的托盤或托架係通常被使用在其表面至少一諸如半導體晶圓的層狀基板上，其被放置和在此位置被處理以及/或在基板托架上被傳輸。基板從而會穩固地被支撐在基板托架上。在有效傳輸之後的分別有效處理之後，基板可以從基板托架被取出而不損壞。
例如，從文獻DE 40 26 244 C2中已知的最初提到類型之基板托架。已知的基板托架包含具有在其中基板以層狀形式被支撐之加深的基板托架板。加深之側壁將基板保持在其位置中。對於基板托架上之基板的真空固定、以及 在真空處理後可能的通風，基板和基板托架之間的周緣空間、以及基板下方穿過基板托架的孔根據當前之技術被提供。也就是說，基板被安排在基板托架上之一種基座上，然而基板的外部區域不接觸基板托架，由於基板托架在該些區域凹陷。況且，另一空間可以居中地被安排在基板下方，其中基板托架板包含在此中心區域的貫穿開口。當前之技術不利的是基座可以在電漿處理中特別地被複製在基板上，從而例如導電性之基板的特徵可以受到負面地影響。而且，基板可以傾斜於周緣加深中，並且因此不再以層狀形式被支撐在基板托架上。從而，例如，在諸如非均質基板塗佈之基板處理期間，可以產生基板之損壞和/或發生非均質。
因而，本發明之目的係提供基板托架，其使得當以快速方式操作時，該基板之安全支撐與該基板從該基板托架之簡單、無損害移除，且能無需該基板之該些特性的減損或該基板處理。
根據本發明目的被達成，其中該基板接收區域包含內部區域與運行在該內部區域周圍之外部區域，其中該外部區域包含相較於該內部區域之表面被升高的間隔平台，其用於支撐該基板的周緣區域，其中通風通道在平台之間被提供。
在根據本發明之基板托架中，在前側基板托架表面中提供藉由間隙被隔開之數個支撐部分，其係為至少部分地被安排在被提供在基板托架上之基板下方，形成用於被放置在基板托架上的基板之周緣區域的支撐區域。如此，相較於在基板托架板上的基板接收區域之內部區域，基板位於升高水平的邊緣面上。在間隔平台之間以及在基板接收區域的內部區域中，前側基板托架表面包含較該平台低的水平。從而，通道在平台之間被提供，其作為通風和/或期間的通風通道，將氣體引導至基板接收區域之內部區域，並且因此實現基板的後方通風，另一方面允許基板從基板托架之簡單、無損壞的移除。
因此，根據本發明之基板托架具有優點：具有其周緣區域之基板係可以平面平行形式快速地被放置在基板接收區域上，且這麼做時，基板和支撐部份之間不會產生氣墊，由此可以大幅地避免在基板托架上之基板的水平位移。從而，基板托架和基板之間至少一自由空間在基板接收區域之內部區域被提供。位於該自由空間中的氣體可以通過基板支撐中的平台之間被提供的通風通道逸散到外部，使得基板不會「漂浮」在外部區域。因為避免了氣墊上之基板的位移，此能促進在基板托架板上安全且快速的放置基板。
通風通道進一步實現了，當從基板托架取基板時，氣體在基板下方被側向引導，並且從而基板可以從基板托架板被輕易地抬起而且沒有損壞。而且，平台和通風通道僅在基板之邊緣區域被提供，使得在基板上之該些結構的再 產生被最小化。
在根據本發明之基板托架的較佳實施例中，其特徵在於除了該內側區域之表面，該平台在相同水平上被提供作為前側基板托架表面。也就是說，不同的、即較前側基板托架表面之其餘部份更低的水平，僅被提供於內部區域和通風通道。平台可以藉由位於通風通道之間的前側基板托架表面被形成。其結果係為根據本發明之基板托架的具有成本效益的生產。
在根據本發明之基板托架之有利開發中，通風通道被提供在基板接收區域周圍的所有側。從而，基板之背側的均勻除氣和通風係為可能。因此，基板下方之氣體或氣墊在基板托架支撐中均勻地被移除、在基板移除中均勻地被再產生，使得基板不僅牢固地和以層狀形式置於基板托架上，而且也可以從其牢固地和快速地被移除。
在本發明中平台特別地較佳地被提供為棒形狀。藉由此，一方面穩定支撐方法被提供，同時另一方面，棒形狀平台僅形成小型支撐區域，和如此在基板處理中僅最低限度地、或根本不在基板的背側和/或在基板托架前側上再產生。形成平台部分之支撐係如此較佳地係長型和/或矩形，從而平台和/或通風通道之簡單和具有成本效益的產生係為可能。如至根據基板托架之較佳實施例，該通風通道被銑削至該前側基板托架表面。這就是為什麼通風通道可以用簡單和具有成本效益的方法產生。具有較外部區域更低之高度水平的內部區域，其可以平均地被銑削於前側 基板托架表面。
在本發明之替代性實施例中，在內部區域中，至少一支撐結構被提供，在其中基板可以至少部分地被支撐。
從而，基板和基板托架之間的接觸區域有效地被增加，因此基板托架和基板之間的之間的熱傳遞被改善。然而，支撐結構之結構可以在基板上被再產生，特別是在基板前側上，以及其可以在電漿處理期間導致電漿之不欲的影響。
在根據本發明之基板托架的合適實施例中，平台和/或支撐結構藉由材料塗佈被應用到前側基板托架表面上。塗佈該平台狀的支撐部分以及支撐結構之變形係為，例如，3D列印、(光)微影方法、旋鎖式、軟焊、點銲或熔接。況且，可以組合本發明之實施例，其中通風通道被銑削於前側基板托架表面，且平台藉由材料塗佈被施加於前側基板托架表面上。
根據本發明之基板托架的特別有利之開發，平台之高度和/或通風通道之深度係在0.1mm到1mm之範圍內，較佳地範圍係從0.2mm到0.5mm。藉此，平台的高度係注定為相較於基板支撐區域之內部區域的高度和/或相較於通風通道之最深點之高度。已被證明0.1mm到1mm、較佳為0.2mm到0.5mm之深度範圍和/或高度範圍內之通風與除氣對於至少一基板的快速處理係為令人滿意的。另一方面，良好的熱連接應該被提供在基板和基板托架之間，其也藉由0.1mm到1mm、較佳為0.2mm到0.5mm之 深度範圍和/或高度範圍確保被提供。
若平台彼此之間之距離和/或通風通道之寬度係在0.1mm到5mm之範圍內、較佳為0.2mm到1mm之範圍內，根據本發明之基板托架已被證明特別有利。因此，平台彼此之間之距離係意味著其中基板支撐區域之外部區域中的平台必須是相鄰平台的距離，即由兩平台之間的通風通道之寬度所造成之距離。在此0.1mm到5mm、較佳為0.2mm到1mm之距離範圍和/或寬度範圍中，結果係為除氣和/或通風處理期間之良好的氣體助熔。
在根據本發明之基板托架之較佳實施例中，該基板托架板由至少一導電性材料被形成和/或以至少一導電性材料被塗覆。從而，基板托架板可以被提供作為例如基板處理腔室中的電極。特別合宜的係為若至少一被處理的基板必須被調節到特定電位。導電材料可以係為例如金屬或合金、特別是鋁、鈦或該些金屬之一的合金。而且，導電材料也具有良好的熱傳導性，其係為基板托架板之所欲特徵，藉由在基板托架板之背側的回火裝置，用以加熱或冷卻被安排在基板托架板之前側基板托架表面的基板。
根據本發明之基板托架之有利的開發，該基板接收區域之該外部區域係最多為被提供在該基板托架上之基板之表面的十分之一。從而，藉由在處理過程中基板上外部區域之幾何再產生的基板的可能影響被最小化。
特別較佳的是，當用於基板接收區域上之基板支撐區域之橫向限制的至少一升高突點被提供斷開於前側基板托架表面。突點被使用作為基板的橫向支撐。如此，基板不能在例如通風狀態中水平位移，且被固定在其在基板接收區域上之位置。有利的是，數個突起被提供在基板接收區域周圍，使得任何方向之基板的位移被防止。況且，一突點可以精確地在相鄰基板之間被分別地提供，使得相鄰基板分別地「共享」一突點。或者，間隔突點也可以在相鄰基板之間被提供，使得各突點僅分別地鄰近一基板。
在本發明之替代實施例中，突點可以被提供作為運行前側基板托架表面中之基板接收區域周圍的至少一步驟。此步驟具有較外部區域支平台高的水平，因此所謂的基板支座被形成。通風通道通過該步驟運行，其可以例如被連接於外部區域之通風通道。因此，藉由該步驟基板不完全周圍緊密地被封閉，並且基板接收區域之有效通風和除氣可以被確保。
在根據本發明之基板托架的有利開發中，至少一突點係為螺柱。藉此，螺柱意味著圓柱形物體，其橫向表面垂直於前側基板托架表面延伸。該螺柱常見的術語係為「插針」。該圓柱形物體可以特別具有成本效益地製造。在替代實施例中，螺柱也可以被提供作為通用稜柱，例如，三面稜柱、立方體或八面稜柱，其中稜柱之橫向表面沿著稜柱之長延伸部分分別地垂直地延伸到前側基板托架表面。
較佳地，突點被放置在前側基板托架表面之盲孔中。盲孔係為基板托架表面中的凹處，其不通過基板托架板。突點被插入盲孔中，且如此部分地陷入孔中和僅一部份突 點從孔中突出，以為了防止基板橫向位移。因此，突點被寬鬆地插入盲孔中。或者，突點也可以在盲孔中以適合形狀保持，例如，藉由卡口密封或藉由盲孔之表面且突點彼此相對楔形延伸。從而，突點可以牢固地但可釋放的方式被連接於基板托架板。在特殊情況中，突點可以被提供作為螺釘，以及可提供具有纒繞之盲孔，使得突點可以被旋擰在前側基板托架表面中。
在本發明之特殊實施例中，突點從基板拖架之背側被插入，其中突點從前側基板托架表面之開口突出，其中突點藉由開口的尺寸被保持在開口中，以及其中突點藉由固定元件從背側被固定在開口中。如此，在此變形中，提供了通過基板托架板之開口，突點可以通過其從基板托架之背側延伸。開口和突點可以從而以在前側基板托架表面之方向提供一種擋止件的形式被形成，如此突點可以僅通過開口直到特定點。在基板托架的背側且如此在開口的背側，突點藉由固定元件被固定在基板托架。固定可以特別地氣密地被提供，使得突點的固定關閉基板托架中的開口。
根據本發明之另一替代實施例，突點被安排在被提供在平行運行於前側基板托架表面的基板托架板中的凹槽，其中被提供在凹槽中之突點的支撐元件被抵抗支撐元件包圍。因此，可以在深區域中提供較靠近前側基板托架表面之區域更寬的凹槽，使得前側基板托架表面之方向中的凹槽錐形被提供。錐形區域可以形成抵抗支撐元件。在該部 分上之突點也可以在凹槽中提供的底部部分被擴展，類似螺絲頭。突點的擴展區域可以形成固定元件。從而，突點藉由形狀閉合被保持在凹槽中。在長凹槽的情況中，如所謂卡槽螺帽的突點，可以在所欲位置中被位移和可以藉由至少一阻擋元件一側地或雙側地被固定防止位移。
在根據本發明之基板托架之較佳實施例中，突點從至少一電絕緣體被提供。電絕緣體係為不良導熱體，從而藉由作為突點之螺柱防止散熱體的形成。況且，基板托架板可以在基板處理過程中作為電極被使用。藉由作為電絕緣體之突點的形成，防止在基板托架板上方之潛在頂部堆積。若基板在例如電漿中被處理，電漿之變形如此藉由被提供作為電絕緣體之突點被避免。諸如玻璃、石英、陶瓷、或塑膠、特別是氧化鋁係為可能用於突點的材料。因而，該突點也可以被稱為「陶瓷插針」。
根據本發明之基板托架的有利開發，突點內部係為中空。突點可以係為諸如中空圓柱體。由於藉由除氣期間產生的負壓，突點不可以從盲孔被拉出，此有利於真空中的基板處理過程。
若突點背離該基板托架板(1)的一端係為錐形或圓型，也已被證明係為有利的。若基板錯誤地被放置在基板接收區域之前側基板托架表面外側，使得基板接觸突點的傾斜表面，則此突點的傾斜表面導致基板向基板接收區域之引導。從而，此實現了基板被安排在突點之間。
1‧‧‧基板托架板
1a‧‧‧基板托架板
1b‧‧‧基板托架板
2‧‧‧前側基板托架表面
3‧‧‧基板接收區域
3a‧‧‧基板接收區域
4‧‧‧基板
5‧‧‧內部區域
5a‧‧‧內部區域
6‧‧‧外部區域
7‧‧‧平台
8‧‧‧通風通道
9‧‧‧突點
9a‧‧‧突點
9b‧‧‧突點
9c‧‧‧突點
9d‧‧‧突點
91‧‧‧固定元件
92‧‧‧支撐元件
10‧‧‧盲孔
11‧‧‧支撐結構
12‧‧‧背側
13‧‧‧開口
14‧‧‧凹槽
15‧‧‧抵抗支撐元件
本發明之有利實施例，其結構、功能和優點藉由以下圖示更詳細地被解釋，其中圖1示意性地顯示根據本發明之基板托架之前側基板托架表面的俯視圖；圖2示意性地顯示具有被放置在基板接收區域之基板的圖1之基板托架之前側基板托架表面之俯視圖；圖3示意性地顯示根據本發明之基板托架的剖面圖，其具有沿著基板接收區域之平台被放置的基板；圖4示意性地顯示根據圖3之本發明的基板托架的另一剖面圖，其具有沿著通風通道被放置的基板；圖5示意性地顯示根據本發明之基板托架的詳細圖的剖面圖，其在盲孔中具有圓柱形或長方體突點；圖6示意性地顯示根據本發明之基板托架的詳細圖的剖面圖，其在盲孔中具有角錐形或圓錐形突點；圖7示意性地顯示根據本發明之基板托架的詳細圖的剖面圖，其在盲孔中具有內部係為中空之突點；圖8示意性地顯示根據本發明之基板托架替代實施 例的詳細圖的剖面圖，其具有穿過基板托架之開口的突點；圖9示意性地顯示根據本發明之基板托架另一替代實施例的詳細圖的剖面圖，其具有被保持在凹槽中的突點；以及圖10示意性地顯示根據本發明之基板托架之基板接收區域的俯視圖，其具有被安排在內部區域的支撐結構。
圖1以俯視圖顯示基板托架之實施例。基板托架包含具有前側基板托架表面2之基板托架板1。矩形基板接收區域3在基板托架表面2上被彼此隔開成數個直列和橫排。每個基板接收區域3包含矩形內部區域5，其分別地具有低高度水平以及運行在內部區域5周圍的外部區域6。或者，也可想見的是基板接收區域3和內部區域5具有除了矩形之外的其他幾何形狀，例如圓形、橢圓形或八邊形。
在外部區域6中，具有相較於內部區域5較高水平的平台7以及具有內部區域5之低高度水平的通風通道8被提供。在圖1之實施例中，通風通道8被提供作為平行或垂直對齊彼此的折皺，和平台7被提供作為平行或垂直對齊彼此的棒狀物。在根據本發明之其他實施例中，通風通道8也可以彼此成銳角或鈍角地被安排。同樣地，平台7 也可以彼此成銳角或鈍角地被安排。
從基板托架表面2突出的突點9被提供在基板接收區域3周圍。在圖1之實施例中，一突點9精確地被提供給基板接收區域3的每一側，使得基板接收區域3被四突點9環繞。從而，基板4在每個方向之位移可以被防止。在替代性實施例中，數個突點9可以被安排於基板接收區域3的每側。當具有基板接收區域3的圓形或橢圓幾何圖形時，安排突點9也圓形或橢圓形圍繞基板接收區域3係為有利。圖1之實施例的突點9被安排在平台7上。或者，突點9可以被安排在通風通道8中，其中通風通道8較突點9更寬，使得通過通風通道8之氣體助熔不受阻礙。
圖2顯示圖1之基板托架在前側基板托架表面2上的俯視圖，其具有位於基板托架板1上之基板4。因此，基板4位於基板接收區域3上並覆蓋它們。在此所顯示的實施例中，基板4係為矩形，但也可以係為，例如圓形或其他、例如多邊形幾何形狀。
突點9和基板4被橫向地間隔開來。短距離被提供在基板4和突點9之間，使得每一基板4可以被安排環繞在基板4之四突點9之間。另一方面，基板4和突點9之間的距離如此的小，若略微水平地位移，則基板4藉由一突點9被限制。
而且，通風通道8分別地橫向地被安排在基板4之邊緣區域中，從外部區域6運行至內部區域5，和因此部分地被安排在個別基板4下方。平台7分別地被提供在二通風通道8之間，其中基板4位於平台7上，其中在圖2中的平台7僅可辨識為通風通道8之間的區域。
圖3顯示根據本發明之基板托架的剖面圖，其具有根據圖2之A-A線沿著平台7被支撐之基板4。在基板托架板1之前側基板托架表面2上，數個基板4被安排。數個突點9每個以到個別基板4較小的距離與基板4被橫向地間隔開來。基板4分別地在至少一平台7上被支撐於外部區域6中，然而在基板4下方的內部區域5中，基板4和基板托架板1之間的自由空間或中空空間被提供。
圖4顯示根據本發明之基板托架的剖面圖，其具有根據圖2之B-B線沿著通風通道8被支撐之基板4。與圖3相反，在外部區域6中延伸在基板4下方的通風通道8藉此係為可見。通風通道8係在和內部區域5相同的高度水平上，且與在基板托架板1上和下被提供之空間同樣地流體連通。若在其上放置基板4的基板托架板1在真空過程中被除氣，基板托架板1和基板4之間的中空空間中在內部區域5被安排之氣體，可以通過通風通道8被引導到外部。若通風於真空過程之後完成，氣體依次可以通過通風通道8流到內部區域5，而且因此可以從背部通風基板4。
圖5示意性地顯示在盲孔10中形成為根據本發明之基板托架之螺柱的突點9之詳細圖的剖面圖。盲孔10被插入基板托架板1之前側基板托架表面2中，其中盲孔10顯示出在前側基板托架表面2中的凹陷，其不穿過基 板托架板1。因此，盲孔10可以係為圓形凹部，也可係為圓柱之形狀；然後，其或者也可以具有角度或橢圓底部區域。
在其底部區域的突點9較佳地係與盲孔10的底部區域全等但較小，使得突點9到盲孔10之平滑嵌入係為可能的。在圓形盲孔10的情況中，棒形狀突點9因此被提供為圓柱形。在圖5之實施例中，突點9由一塊件形成且作為筆直物體。
圖6示意性地顯示在根據本發明之基板托架之實施例中的突點9a之詳細圖的剖面圖，其可替代突點9。突點9a被形成向上的錐形物體，即在圓形底部區域為圓錐體的情況中，以及在角度底部區域為角錐體的情況中。或者，也可想見的是被形成為筆直物體之突點9a的基座陷入盲孔10中，且僅突點9a之區域在盲孔上方被升高、形成向上的錐形物體。在圖6之實施例中，突點9a由一塊件形成。
圖7示意性地顯示突點9b之另一替代性實施例的詳細圖的剖面圖，其可取代基板托架中的突點9或9a。突點9b內部係為中空，如此可以係為內部中空的圓柱管或稜柱。特別是在真空過程中，此具有的優點係當除氣時，由於前側基板托架表面2上方產生的負壓，突點9b不會被拉出盲孔10。
圖8示意性地顯示根據本發明之基板托架的替代性實施例的剖面圖，其中基板托架板1a包含貫穿開口13。突點9c從基板托架之一背側12穿過開口13延伸到前側基板托架表面2。開口13以及突點9c在前側基板托架表面2的方向漸縮，其中開口13和突點9c在所顯示實施例中的前側基板托架表面2具有相同的周長，從而突點9c不能進一步通過開口13突出。在基板托架之背側12，固定元件91被安排在突點9c，其可以藉由例如焊接與背側12牢固地和氣密地被連接。從而，可以防止突點9c從基板托架板1a之脫落。
圖9示意性地顯示根據本發明之基板托架的另一實施例的剖面圖，其具有基板托架板1b。基板托架板1b包含在前側基板托架表面2提供的凹槽14，其相較於靠近基板托架表面2之區域變寬。在凹槽14中提供的突點9d形狀適合於凹槽14，如此在下部分具有加寬，其形成支撐元件92。支撐元件92由抵抗支撐元件15包圍，其藉由在基板托架板1b中的凹槽14被提供。從而，藉由形狀閉合防止突點9d從凹槽14之垂直拉出。突點9d可以藉由至少一阻擋元件被固定防止凹槽14中的水平位移，其可以分別地被固定在凹槽14中的突點9d之外。
圖10以俯視圖顯示接收區域3a之替代性實施例。與根據圖1之實施例相反，四個矩形支撐結構11的每個在內部區域5a中被提供，其可以具有與平台7相同的水平。如此，支撐結構11可與基板4接觸，其可以被放置在基板接收區域3a上。從而，一方面可避免基板4在內部區域3a之下沉。此外，相較於根據圖1之實施例，基 板4和基板托架板1之間的接觸區域因此被增大，從而基板托架板1和基板4之間的熱傳遞被增加。
1‧‧‧基板托架板
2‧‧‧前側基板托架表面
3‧‧‧基板接收區域
5‧‧‧內部區域
6‧‧‧外部區域
7‧‧‧平台
8‧‧‧通風通道
9‧‧‧突點

Claims (18)

  1. 一種具有基板托架板(1、1a、1b)的基板托架，其包含前側基板托架表面(2)，在其上用於接收基板(4)的至少一基板接收區域(3、3a)分別地被提供，其中該基板接收區域(3、3a)包含內部區域(5)與延伸在該內部區域(5)周圍之外部區域(6)，其中該外部區域(6)包含相較於該內部區域(5)之表面被升高且間隔開的複數平台(7)，其用於支撐該基板(4)的邊緣區域，其中通風通道(8)在該等平台(7)之間被提供，和其中從外部區域(6)運行至內部區域(5)的該等通風通道(8)被提供作為平行或垂直對齊彼此的槽，該等平台(7)被提供作為平行或垂直對齊彼此的棒狀物，該等通風通道(8)係在和該內部區域(5)相同的高度位準上，且與在該基板托架板(1)上和下被提供之空間同樣地流體連通。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中除了該內部區域(5)之表面，該等平台(7)在相同水平上被提供作為該前側基板托架表面(2)。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該等通風通道(8)在該基板接收區域(3a)周圍被周圍地提供。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該等通風通道(8)被銑削至該前側基板托架表面(2)中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中至少 一支撐結構(11)在該內部區域(5)中被提供，在其上該基板(4)可至少部分地被支撐。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該等平台(7)藉由材料塗層被應用到該前側基板托架表面(2)上。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該等平台(7)的高度與/或該等通風通道(8)的深度係在0.1mm到1mm的範圍中。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該等平台(7)到彼此的距離與/或該等通風通道(8)的寬度係在0.1mm到5mm的範圍中。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該基板托架板(1、1a、1b)由至少一導電性材料被提供和/或以至少一導電性材料被塗覆。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中該基板接收區域(3)之該外部區域(6)係最多為被提供在該基板托架上之基板(4)之表面的十分之一。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之基板托架，其中從該前側基板托架表面(2)突起的至少一突點(9、9a、9b、9c、9d)被提供用於該基板接收區域(3)上之基板支撐區域的橫向限制。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該至少一該突點(9、9a、9b、9c、9d)係螺柱。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該 突點(9、9a、9b、9c、9d)被插入在該前側基板表面(2)中被提供的盲孔(10)中。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)從該基板托架之背側(12)被插入，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)從該前側基板托架表面(2)之該開口(13)突出，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)藉由該開口(13)之尺寸被支撐以及其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)藉由固定元件(91)從該開口(13)中的該背側(12)被固定。
  15. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)被安排在平行運行於該前側基板托架表面(2)之該基板托架板(1)的凹槽(14)中，其中在該凹槽(14)中被提供之該突點(9、9a、9b、9c、9d)之支撐元件(92)藉由該凹槽(14)之抵抗支撐元件(15)被圍繞。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)係以至少一電絕緣體被提供。
  17. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)係內部中空。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之基板托架，其中該突點(9、9a、9b、9c、9d)在遠離該基板托架板(1)的一端係錐形或圓型。
TW105124487A 2015-08-24 2016-08-02 基板托架 TWI715602B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015113956.1A DE102015113956B4 (de) 2015-08-24 2015-08-24 Substratträger
DE102015113956.1 2015-08-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201719803A TW201719803A (zh) 2017-06-01
TWI715602B true TWI715602B (zh) 2021-01-11

Family

ID=56738139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105124487A TWI715602B (zh) 2015-08-24 2016-08-02 基板托架

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10964568B2 (zh)
EP (1) EP3178109B1 (zh)
KR (1) KR20180044375A (zh)
CN (1) CN108140607B (zh)
DE (1) DE102015113956B4 (zh)
EA (1) EA032316B9 (zh)
HU (1) HUE057728T2 (zh)
MY (1) MY194334A (zh)
SG (1) SG11201801454QA (zh)
TW (1) TWI715602B (zh)
WO (1) WO2017033076A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016115614A1 (de) 2016-08-23 2018-03-01 Aixtron Se Suszeptor für einen CVD-Reaktor
GB2559985A (en) * 2017-02-23 2018-08-29 Asm Assembly Systems Singapore Pte Ltd Support for flexible workpieces
CN109112477A (zh) * 2018-11-13 2019-01-01 合肥鑫晟光电科技有限公司 掩膜版、掩膜组件以及蒸镀方法
TW202414659A (zh) * 2022-09-15 2024-04-01 美商艾德亞半導體接合科技有限公司 用於處理單一化的晶粒之設備以及使用其之方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200637929A (en) * 2005-04-22 2006-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Substrate holder
US20100107974A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Asm America, Inc. Substrate holder with varying density

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4762606A (en) * 1985-04-12 1988-08-09 Hughes Aircraft Company Mini chip carrier slotted array
DE4026244C2 (de) 1990-08-18 1996-02-08 Ant Nachrichtentech Substratträger
US5731230A (en) * 1995-03-28 1998-03-24 Micron Technology, Inc. Method for processing and/or shipping integrated circuit devices
US6113702A (en) * 1995-09-01 2000-09-05 Asm America, Inc. Wafer support system
US5758776A (en) * 1996-09-12 1998-06-02 Kinetrix, Inc. Integrated circuit tray with flexural bearings
JPH11111707A (ja) * 1997-10-07 1999-04-23 Hitachi Electron Eng Co Ltd 気相成長装置
KR20010111058A (ko) * 2000-06-09 2001-12-15 조셉 제이. 스위니 전체 영역 온도 제어 정전기 척 및 그 제조방법
JP4441356B2 (ja) * 2003-10-16 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
EP1719167B1 (en) * 2004-02-13 2011-10-26 ASM America, Inc. Substrate support system for reduced autodoping and backside deposition
TWI327339B (en) * 2005-07-29 2010-07-11 Nuflare Technology Inc Vapor phase growing apparatus and vapor phase growing method
CN101687229B (zh) * 2007-07-12 2012-01-18 应用材料股份有限公司 将基板置中设置于处理室内的设备及方法
DE102009021563B4 (de) 2009-05-15 2018-08-16 Von Ardenne Gmbh Einrichtung zum Transport von Substraten in und aus Vakuumanlagen
US9076644B2 (en) * 2011-01-18 2015-07-07 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, substrate supporter and method of manufacturing semiconductor device
DE102011055061A1 (de) 2011-11-04 2013-05-08 Aixtron Se CVD-Reaktor bzw. Substrathalter für einen CVD-Reaktor
US10128140B2 (en) * 2012-08-31 2018-11-13 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd System and method for automatically correcting for rotational misalignment of wafers on film frames
DE102014100024A1 (de) * 2014-01-02 2015-07-02 Aixtron Se Vorrichtung zur Anordnung von Substraten, insbesondere Suszeptor eines CVD-Reaktors
US20150228517A1 (en) * 2014-02-13 2015-08-13 Apple Inc. Universal process carrier for substrates
US9443819B2 (en) * 2014-02-13 2016-09-13 Apple Inc. Clamping mechanism for processing of a substrate within a substrate carrier

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200637929A (en) * 2005-04-22 2006-11-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Substrate holder
US20100107974A1 (en) * 2008-11-06 2010-05-06 Asm America, Inc. Substrate holder with varying density

Also Published As

Publication number Publication date
CN108140607A (zh) 2018-06-08
SG11201801454QA (en) 2018-03-28
KR20180044375A (ko) 2018-05-02
TW201719803A (zh) 2017-06-01
US10964568B2 (en) 2021-03-30
DE102015113956A1 (de) 2017-03-02
EA032316B1 (ru) 2019-05-31
US20180247845A1 (en) 2018-08-30
DE102015113956B4 (de) 2024-03-07
EP3178109B1 (de) 2021-12-01
EP3178109A1 (de) 2017-06-14
EA201890432A1 (ru) 2018-09-28
WO2017033076A1 (de) 2017-03-02
MY194334A (en) 2022-11-29
EA032316B9 (ru) 2019-07-31
CN108140607B (zh) 2022-04-15
HUE057728T2 (hu) 2022-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI715602B (zh) 基板托架
US9165813B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus member
US8198567B2 (en) High temperature vacuum chuck assembly
JP6865145B2 (ja) 保持装置
JP6634315B2 (ja) 保持装置および保持装置の製造方法
TWI640054B (zh) 托盤及晶圓固持裝置
US20210118716A1 (en) Electrostatic chuck, method of manufacturing electrostatic chuck, and plasma processing apparatus
US20200126773A1 (en) Electrostatic-chuck heater
KR102501916B1 (ko) 웨이퍼 유지체
JP2011114178A (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN111668148B (zh) 静电吸盘及处理装置
CN111668150B (zh) 静电吸盘及处理装置
JP2008199017A (ja) チャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置
KR20210033420A (ko) 기판 고정 장치 및 정전 척
JP2021057468A (ja) 保持装置
JP2004282047A (ja) 静電チャック
KR100995250B1 (ko) 열 응력 감소를 위한 버퍼층을 포함하는 정전 척
US10923383B2 (en) Electrostatic chuck
KR20180002859A (ko) 기판유지장치, 기판유지부재 및 기판유지방법
JP6643029B2 (ja) 単結晶炭化ケイ素基板の加熱処理容器及びエッチング方法
KR20220112664A (ko) 반도체 제조 장치용 부재 및 플러그
KR20220146327A (ko) 정전 흡착 부재 및 기판 고정 장치
CN107564788A (zh) 用于介电蚀刻室的室充填器套件
JP4622890B2 (ja) ウエハ処理装置
KR20210109609A (ko) 시료 유지구