CN104603926A - 基板处理装置和液晶显示面板制造装置 - Google Patents

基板处理装置和液晶显示面板制造装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104603926A
CN104603926A CN201380045564.0A CN201380045564A CN104603926A CN 104603926 A CN104603926 A CN 104603926A CN 201380045564 A CN201380045564 A CN 201380045564A CN 104603926 A CN104603926 A CN 104603926A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
supporting parts
board treatment
suppressing portion
electrostatic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380045564.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104603926B (zh
Inventor
原田吉典
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN104603926A publication Critical patent/CN104603926A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104603926B publication Critical patent/CN104603926B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本发明包括支承基板(1)的棒状的基板支承部件(2)，基板支承部件(2)包括至少在与基板(1)接触的部分形成有凹凸的静电抑制部(21)。

Description

基板处理装置和液晶显示面板制造装置
技术领域
本发明涉及抑制在处理结束后将基板从装置取下时静电的产生的基板处理装置。
背景技术
液晶显示面板具有如下构造：隔着规定的间隙配置透明基板(以下简称为基板)，并在该间隙填充液晶晶材料的构造，其中，上述透明基板在表面形成有薄膜晶体管等的电子部件、透明导电膜等。
在制作这样的液晶显示面板的情况下，在基板处理装置中，进行退火处理，作为上述基板的晶体管的形成工序。上述退火处理是将上述基板配置在高温环境中一定时间的处理。在上述基板处理装置中，进行上述退火处理，所以，作为支承上述基板的支承部件，使用耐热性高的石英材料。在上述基板处理装置中进行退火处理的情况下，上述基板的周围变成高温，所以上述基板的周围的湿度下降。上述基板的周围的湿度低，所以，在将上述基板从上述基板处理装置搬出时，上述基板被从上述支承部件取下(剥离)时，容易产生剥离带电，容易在上述基板存积静电。
近年来，液晶显示面板正在大型化、高精细化，与现有技术相比，容易在基板存积静电，产生静电放电(ESD)而进行静电破坏的问题变得深刻。作为该原因，能够列举形成在上述基板的配线长，由于天线效应而容易受到电荷的影响。另外，静电破坏的发生部位多在晶体管部，晶体管的数量因上述液晶显示面板的高精细化而增加，发生静电破坏的概率增加，也被认为是原因之一。因此，在构成大型以及(或者)高精细的液晶显示面板的基板中，优选尽可能在基板不产生静电。
作为这样抑制在因剥离产生的基板带有静电的方法，例如在日本特开2002-43396号公报中，提出了一种方法：用形成在上述支承部件(载置台)的陶瓷销(尖的部件)支承上述基板，通过减少上述基板和上述支承部件的接触面积来抑制静电。另外，在该公报中也提出了一种方法：通过提高基板自身或者基板的周围的湿度，来抑制上述基板和上述支承部件(载置台)之间的静电的产生。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-128129号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
液晶显示面板大型化，上述基板也大型化。上述基板大型化时其重量也变大。而且，为了抑制静电而用日本特开2002-43396号公报所示那样的陶瓷销支承基板时，陶瓷销与基板的接触部分的接触面积变小。在上述大型的基板中，陶瓷销那样的尖的部件作用于上述基板的接触部的压力变大，成为上述基板发生变形、破损的原因，所以难以采用陶瓷销那样的尖的部件来减小接触面积的方法。
另外，在提高上述基板自身或者上述基板的周围的湿度的方法的情况中，杂质容易附着在上述基板的表面，有可能无法保持上述基板的表面的清洁性。另外，在提高湿度时喷水，所以，必须具有用于对上述基板处理装置处理水的机能，从而上述基板处理装置变得大型化、复杂化。并且，在上述基板的表面残留水分的附着痕迹时，存在成为显示不均、晶体管特性异常的原因的情况。
所以，本发明的目的在于提供利用简单的结构能够抑制上述基板的静电破坏、抑制不良件的产生的基板处理装置和使用基板处理装置的液晶显示面板制造装置。
用于解决技术课题的技术方案
为了实现上述目的，本发明为一种基板处理装置，其包括用外周面来支承基板的棒状的基板支承部件，对上述基板实施规定的处理，该基板处理装置特征在于：上述基板支承部件包括至少在与上述基板接触的部分形成有凹凸的静电抑制部。
根据该结构，上述基板支承部件包括在与上述基板接触的部分具有凹凸的静电抑制部，所以，与使用具有圆滑的外周面的基板支承部件的情况相比，上述基板与上述基板支承部件的接触面积变小。
由此，在上述基板处理装置中，当进行上述基板的移动或者进行上述基板的处理时，能够抑制上述基板的与上述基板支承部件接触的部分的摩擦带电、剥离带电。
另外，上述基板支承部件为棒状，所以，不以点而以线或者面支承上述基板。因此，与用销等支承基板的基板支承部件相比，支承基板的部分较广，所以，即使上述基板的重量变大，力(应力)也难以集中在上述基板，难以产生上述基板的变形和破损。
根据上述情况，在上述基板处理装置中进行上述基板的处理，能够抑制因上述基板所带的静电导致的静电破坏和因上述基板的重量导致的应力集中而产生不良件。
在上述构成中，上述静电抑制部可以形成在上述基板支承部件的外周面整个面。根据该结构，与部分形成上述静电抑制部的情况相比，制造简单。
在上述构成中，至少上述静电抑制部可以由多孔材料形成。
在上述构成中，至少上述静电抑制部可以由具有耐热性的材料形成。
在上述构成中，至少上述静电抑制部可以由具有导电性的材料形成，上述静电抑制部可以接地。
在上述构成中，上述静电抑制部可以形成有在上述基板支承部件的长度方向上排列的凹部。根据该结构，具有上述凹部，能够减小上述基板与上述基板支承部的接触面积，仅此就能够抑制在上述基板发生摩擦带电、剥离带电。
在上述构成中，上述凹部可以为在上述基板支承部件的周方向上连续形成的凹槽。上述凹槽可以相对于上述基板支承部件形成为螺旋状。
在上述构成中，作为对上述基板实施的处理能够列举进行退火处理。
发明效果
当采用本发明时，能够提供一种利用简单的结构就能抑制上述基板的静电破坏并抑制不良件的产生的基板处理装置和使用基板处理装置的液晶显示面板制造装置。
附图说明
图1是表示本发明的基板处理装置的一个例子的概略立体图。
图2是图1所示的基板处理装置所使用的基板支承部件的截面图。
图3是本发明的基板处理装置的其它的例子所使用的基板支承部件的概略图。
图4是表示图3所示的基板支承部件的其它的例子的图。
图5是表示本发明的基板处理装置的另一例子的图。
图6是表示实验方法的概略图。
图7是表示实施例和比较例中的基板支承部件和基板的接触分离次数导致的表面带电量的平均值的变化的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
(第一实施方式)
图1是表示本发明的基板处理装置的一个例子的概略立体图。如图1所示，基板处理装置A是对构成液晶显示面板的液晶玻璃基板1(以下称为基板1)实施规定的处理(在此为退火处理)的处理装置。另外，基板处理装置A不限于退火处理，也可以实施这以外的处理，另外，也能够同时或者依次进行退火处理和其它的处理。
基板处理装置A具有支承基板1的基板支承部件2。如图1所示，基板支承部件2为具有圆柱形状的棒状的部件，以2根为一组支承基板1。基板支承部件2配置成轴在水平方向上延伸，在水平方向平行地排列。此外，基板支承部件2并不需要一定为平行。而且，基板支承部件2可以由保持架3牢固地保持为不发生旋转、滑动。
基板支承部件2与基板1的底面接触，由此支承基板1。即，在基板处理装置A中，在排列配置的基板支承部件2的上方载置基板1，由此基板支承部件2支承基板1。如上所述，基板支承部件2为圆柱状的部件并且配置成轴为水平，由此以线支承基板1。由此，与以点进行支承的情况相比，抑制力集中在支承点，抑制基板1的变形、破损。另外，基板支承部件2平行配置，由此，基板1将端部以保持水平状态地支承于基板支承部件2。
此外，在图1的基板处理装置A中，基板支承部件2和保持架3成为支承1个基板1的结构，但是，实际上具有能够上下地隔开间隙地保持多个基板1的结构。
在基板处理装置A中，能够对基板1实施退火处理。在此，退火处理是形成晶体管所必需的处理，是将基板1在规定的高温环境下配置一定时间的处理。而且，要求基板支承部件2在进行退火处理间、在高温环境下稳定地支承基板1。即，需要基板支承部件2具有耐热性(即使在高温环境下也难以发生变形、破损)，在此，使用由石英形成的圆柱部件。
如图1所示，在用2个基板支承部件2支承基板1的情况下，基板1被稳定地支承。另一方面，在处理结束后，使基板1移动时，基板1被从基板支承部件2取下(剥离)时，因剥离带电而容易在基板1存积静电。另外，由于对基板1的处理，具有在基板1和基板支承部件2之间产生摩擦的情况，存在因摩擦带电而在基板1存积静电的情况。另外，在基板处理装置A中，当进行退火处理时，使配置基板1的部分的温度为高温，因此，相对湿度降低。根据上述情况，也变得容易产生静电。
如上所述，液晶显示面板大型化、高精细化，与现有技术相比，在基板1存积静电、产生静电放电(ESD)进行静电破坏的问题变得深刻化。根据上述情况，在构成大型或者高精细的液晶显示面板的基板1的处理(退火处理)中，优选尽可能在基板1不产生静电。
于是，在基板处理装置A中，使用抑制基板1产生静电的基板支承部件2。图2是图1所示的基板处理装置所使用的基板支承部件的截面图。如图2所示，基板支承部件2的外周面设置有在表面形成细小的凹凸的静电抑制部21。通过设置这样的静电抑制部21，能够减小基板1与基板支承部件2的接触面积。
另外，静电抑制部21形成有细小的凹凸，基板1与基板支承部件2以较大的范围接触。因此，当基板支承部件2支承基板1时，能够抑制力集中在基板1的一部分使基板1发生变形或者破损。
设置有静电抑制部21的基板支承部件2能够通过对由石英形成的圆棒的表面实施喷砂处理而形成。另外，不限于喷砂处理，例如能够广泛使用使由石英形成的圆棒浸渍于化学药品中的方法等，在表面形成具有细小的凹凸的基板支承部件2的方法。另外，在基板处理装置A中，在基板支承部件2的外周面整体形成具有细小的凹凸的静电抑制部21，但是，也可以仅在与基板1接触的部分形成静电抑制部21。
像这样，形成静电抑制部21将基板1与基板支承部件2的接触面积形成得较小，由此，当从基板支承部件2取下基板1时，抑制基板1上因摩擦带电以及(或者)剥离带电导致的静电的蓄积。由此，能够抑制基板1的静电放电导致的静电破坏。
此外，该凹凸为了减少基板1的带电量而优选表面粗糙度Ra在0.6μm以上，但是，当凹凸的表面粗糙度Ra过大时，基板支承部件2自身的耐久性容易降低，并且，基板1的与基板支承部件2的接触部分容易产生损伤。根据上述情况，为了兼顾基板1的带电量的减少和基板1的保持，优选表面粗糙度Ra为0.8μm～1.2μm。
另外，在上述的实施方式中，作为基板支承部件2使用石英制的棒状部件，但是，不限定于此，能够采用在高温环境下难以发生变形、破损的材质的部件。另外，例如，可以利用具有耐热性的陶瓷形成基板支承部件2。陶瓷为多孔质，所以预先在表面具有细小的凹凸即静电抑制部，能够节省形成静电抑制部的步骤。另外，基板支承部件2可以不是一体成型部件。例如，可以利用在表面具有凹凸的材料来形成静电抑制部后，安装于棒状的部件。
并且，在上述的实施方式中，基板支承部件2为圆柱形状(截面圆形状)，但是，不限于此，能够广泛采用椭圆柱形状(截面为椭圆形状)、截面为多边形的柱状等的与基板1的接触面积小且能够稳定地保持基板1的形状。
(第二实施方式)
参照附图对本发明的基板处理装置的其它的例子进行说明。图3是本发明的基板处理装置的其它的例子所使用的基板支承部件的概略图。图3所示的基板支承部件4在外周面设置具有螺旋状的凹槽411的静电抑制部41。使用这样的具有螺旋状的凹槽411的基板支承部件4，能够减小基板支承部件4与和基板1的接触面积。
根据上述情况，在用基板支承部件4支承基板1的状态下，能够抑制在进行处理时或者将基板1从基板支承部件4取下时产生的摩擦带电、剥离带电。此外，也可以在基板支承部件4的外周面形成螺旋状的凹槽411，并进一步在表面形成细小的凹凸作为静电抑制部41。通过如上述方式构成，能够进一步防止静电的产生。另外，如图3所示，凹槽411的截面为V字状，但是不限定于此，能够广泛采用能够在表面形成不连续部分的形状(例如截面为矩形状、截面为半圆状等)。
另外，如图4所示，可以在基板支承部件4b的外周面设置具有在轴方向上排列形成的环状的凹部421的静电抑制部42。图4是表示图3所示的基板支承部件的其它的例子的图。此外，可以在静电抑制部42的表面形成细小的凹凸。在该结构中，与图3所示的基板支承部件4同样，也能够有效地抑制在基板1产生的静电。
此外，其它的效果与第1实施方式相同。
(第三实施方式)
参照附图对本发明的基板处理装置的其它的例子进行说明。图5是表示本发明的基板处理装置的另一例子的图。图5所示的基板处理装置B具有基板支承部件5和保持基板支承部件5的保持架6。
图5所示的基板支承部件5由具有耐热性和导电性的材料(例如、SiC等)形成。而且，保持架6也由耐热性高的金属形成，基板支承部件5与保持架6直接接触，成为导通状态。接着，如图5所示，在基板处理装置B中，保持架6接地。由此，基板支承部件5也接地。
像这样，通过使用接地的基板支承部件5，能够抑制对基板1进行处理时或者将基板1从基板支承部件5取下时使基板1带静电。
此外，其它的效果与第1实施方式相同。
(实施例1)
关于本发明的基板处理装置所使用的基板支承部件的效果实际地测量基板的带电量进行了确认。在实验中，作为实施例使用对石英的圆柱的表面实施了喷砂处理的基板支承部件，作为比较例使用石英的圆柱作为基板支承部件。
首先，说明实验方法。图6是表示实验方法的概略图。在实验中使用的基板，设定为液晶显示面板，为玻璃基板。如图6所示，将基板支承部件配置成水平，使得能够支承730mm×920mm的长方形板状的玻璃基板。此时，基板支承部件保持于塑料制的保持架。
在如上述方式配置的基板支承部件载置基板中，使接触分离反复规定次数，测量此时的基板上的多个点的表面带电量。测量部位为与各基板支承部件接触的部分的两端部和中央部分。如图6所示，标注(1)～(6)的附图标记。而且，每次使接触分离反复10次，检测各部位的表面带电量。
表1表示实施例的结果，表2表示比较例的结果。另外，在实施例和比较例中，按接近离开次数，计算出所测量的表面带电量的平均值，将该结果表示于图7。图7是表示实施例和比较例中的基板支承部件与基板的接触分离次数导致的表面带电量的平均值的变化的图。在图7中，纵轴为表面带电量(kV)，横轴为基板1与基板支承部件2的接近离开次数。
[表1]
[表2]
当观看表1、表2以及图7时可知，在实施例中，即使反复100次左右的接触分离，表面带电量几乎不发生变化。另一方面，可知在比较例中，每次反复接触分离，表面带电量增加。
这可以说是，在实施例中，基板与基板支承部件的接触面积变小，因此，难以发生进行基板与基板支承部件的接触分离时的剥离带电。另一方面，可知在比较例中，基板与基板支承部件的接触面积较大，所以每当进行基板与基板支承部件的接触分离时产生剥离带电，此时产生的电荷被蓄积。
根据上述情况可知，在本发明的基板处理装置中，能够抑制基板的带电、抑制产生因静电破坏导致的不良基板。
此外，在上述实施方式以及实施例中，对以液晶显示面板所使用的玻璃基板为处理的对象的基板处理装置进行了说明，但是也能够应用于液晶显示面板以外、例如太阳能电池面板等的制造所使用的基板。
以上，对于本发明的实施方式进行了说明，但是本发明不限于该内容。另外，本发明的实施方式，只要不脱离发明的主旨，能够进行各种改变。
工业上的可利用性
本发明能够用于基板的制造装置。
附图标记说明
1 基板
2 基板支承部件
21 静电抑制部
3 保持架
1 便携终端

Claims (10)

1.一种基板处理装置，其包括用外周面来支承基板的棒状的基板支承部件，对所述基板实施规定的处理，该基板处理装置的特征在于：
所述基板支承部件包括至少在与所述基板接触的部分形成有凹凸的静电抑制部。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述静电抑制部形成在所述基板支承部件的外周面整个面。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：
至少所述静电抑制部由多孔材料形成。
4.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
至少所述静电抑制部由具有耐热性的材料形成。
5.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
至少所述静电抑制部由具有导电性的材料形成，所述静电抑制部接地。
6.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
所述静电抑制部形成有在所述基板支承部件的长度方向上排列的凹部。
7.如权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于：
所述凹部为在所述基板支承部件的周方向上连续形成的凹槽。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：
所述凹槽相对于所述基板支承部件形成为螺旋状。
9.如权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于：
对所述基板进行退火处理。
10.一种液晶显示面板制造装置，其特征在于：
所述基板为玻璃基板，
包括权利要求1至3中任一项所述的基板处理装置。
CN201380045564.0A 2012-08-29 2013-08-22 基板处理装置和液晶显示面板制造装置 Expired - Fee Related CN104603926B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-188635 2012-08-29
JP2012188635 2012-08-29
PCT/JP2013/072342 WO2014034503A1 (ja) 2012-08-29 2013-08-22 基板処理装置及び液晶表示パネル製造装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104603926A true CN104603926A (zh) 2015-05-06
CN104603926B CN104603926B (zh) 2017-03-01

Family

ID=50183318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380045564.0A Expired - Fee Related CN104603926B (zh) 2012-08-29 2013-08-22 基板处理装置和液晶显示面板制造装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6001667B2 (zh)
CN (1) CN104603926B (zh)
WO (1) WO2014034503A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110293107A (zh) * 2019-06-17 2019-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 清洁基板玻璃的装置及其方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1066827A (zh) * 1991-05-15 1992-12-09 Skc株式会社 薄膜生产设备中使用的抗静电滚子
CN1702495A (zh) * 2004-05-24 2005-11-30 统宝光电股份有限公司 静电消除装置及其机台
CN101071785A (zh) * 2006-05-11 2007-11-14 中华映管股份有限公司 可消除静电的基板载具
CN101353786A (zh) * 2007-07-24 2009-01-28 Sfa股份有限公司 承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置
CN102015855A (zh) * 2008-04-30 2011-04-13 日东电工株式会社 多孔片材及其制造方法以及隔热片
CN201947522U (zh) * 2011-03-22 2011-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种去除不良静电装置
CN102214550A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 株式会社迪思科 保持工作台

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785036B2 (ja) * 2000-10-24 2006-06-14 エスペック株式会社 積載装置のワーク受け
JP4449299B2 (ja) * 2002-09-17 2010-04-14 株式会社ニコン 基板ホルダ、基板トレイ、ステージ装置、露光装置
JP4051500B2 (ja) * 2002-09-19 2008-02-27 光洋サーモシステム株式会社 熱処理装置用ワーク積載装置
JP2004299850A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Printing Co Ltd 処理方法及び処理装置
JP2005268270A (ja) * 2004-03-16 2005-09-29 Sharp Corp 液晶ガラス基板用載置台およびこれを用いた液晶ガラス基板のクリーニング装置
JP4287800B2 (ja) * 2004-08-05 2009-07-01 統寶光電股▲ふん▼有限公司 静電除去装置
JP4570054B2 (ja) * 2009-10-13 2010-10-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2012160491A (ja) * 2011-01-28 2012-08-23 Sharp Corp 基板搬送装置及び基板処理装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1066827A (zh) * 1991-05-15 1992-12-09 Skc株式会社 薄膜生产设备中使用的抗静电滚子
CN1702495A (zh) * 2004-05-24 2005-11-30 统宝光电股份有限公司 静电消除装置及其机台
CN101071785A (zh) * 2006-05-11 2007-11-14 中华映管股份有限公司 可消除静电的基板载具
CN101353786A (zh) * 2007-07-24 2009-01-28 Sfa股份有限公司 承座及其制造方法以及具有该承座的化学气相沉积装置
CN102015855A (zh) * 2008-04-30 2011-04-13 日东电工株式会社 多孔片材及其制造方法以及隔热片
CN102214550A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 株式会社迪思科 保持工作台
CN201947522U (zh) * 2011-03-22 2011-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种去除不良静电装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110293107A (zh) * 2019-06-17 2019-10-01 深圳市华星光电技术有限公司 清洁基板玻璃的装置及其方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP6001667B2 (ja) 2016-10-05
JPWO2014034503A1 (ja) 2016-08-08
CN104603926B (zh) 2017-03-01
WO2014034503A1 (ja) 2014-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10008402B1 (en) Vertical wafer boat
US9153721B1 (en) Solar cell assembly, solar cell panel, and method for manufacturing the same
CN102844832A (zh) 加速度开关及电子器件
CN103337479A (zh) 一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制作方法
CN104603926A (zh) 基板处理装置和液晶显示面板制造装置
WO2012049087A3 (en) Semiconductor module and method of manufacturing a semiconductor module
KR101206725B1 (ko) 서로 다른 전위면 사이의 갭에 완충 절연재가 삽입된기판처리장치
CN108461492A (zh) 薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置
CN101924057B (zh) 载板及连续等离子体镀膜装置
US9803796B2 (en) Quartz clip device and manufacturing method thereof and OLED high-temperature oven having same
US20120319932A1 (en) ESD Protection Device of LCD Display
CN106201115A (zh) 一种压力触控装置和显示装置
CN102656752A (zh) 连接器的固定结构
KR101805921B1 (ko) 정전기 측정 셀 및 이를 구비한 정전기 측정 장치
US9957605B2 (en) Substrate fixing apparatus
US9402296B2 (en) Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same comprising at least two conductive portions having a resistivity exceeding that of at least two second connecting portions
KR20180010376A (ko) 정전척
CN207381369U (zh) 基板处理装置
KR20210157631A (ko) 필름 타입의 집진판 제조방법 및 필름 타입의 집진판
US20110247918A1 (en) Substrate delivery device and aligner unit applied therein
CN211541287U (zh) 一种机械手臂用防静电支撑块
CN111462629A (zh) 显示面板
CN104124126A (zh) 一种承载装置及等离子体加工设备
CN210103808U (zh) 一种抗静电离型膜
CN215576036U (zh) 液晶显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170301

Termination date: 20210822