JPH10330972A - 反応性イオンエッチング装置 - Google Patents
反応性イオンエッチング装置Info
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- JPH10330972A JPH10330972A JP15762797A JP15762797A JPH10330972A JP H10330972 A JPH10330972 A JP H10330972A JP 15762797 A JP15762797 A JP 15762797A JP 15762797 A JP15762797 A JP 15762797A JP H10330972 A JPH10330972 A JP H10330972A
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- JP
- Japan
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- chamber
- etching
- vacuum
- substrate holder
- reactive ion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 エッチング処理を終了する度毎にエッチング
処理部内の真空を破ることなく、連続して次の被処理体
のエッチング処理を行うことができる反応性イオンエッ
チング装置を提供する。 【解決手段】 エッチング処理前の被処理体Ｗを収容す
る予備室７と、予備室７から搬入された被処理体Ｗにエ
ッチング処理を施すエッチング室８と、エッチング室８
から搬入されたエッチング処理後の被処理体Ｗを収容す
る製品取出室９とを共通の減圧槽２内に形成し、製品取
出室９内を減圧した状態で、エッチング室８にてエッチ
ング処理を終えた被処理体Ｗを製品取出室９に搬送した
後、予備室８内を減圧した状態で、次の被処理体Ｗを予
備室７からエッチング室８に搬入することにより、エッ
チング室８内の真空を破ることなく、次々と連続してエ
ッチング処理を行うことができるようにした。また、被
処理体Ｗを基板ホルダ１３ごと複数枚ずつエッチング室
８に搬送して一括処理することで極めて効率良くエッチ
ング処理できるようにした。
処理部内の真空を破ることなく、連続して次の被処理体
のエッチング処理を行うことができる反応性イオンエッ
チング装置を提供する。 【解決手段】 エッチング処理前の被処理体Ｗを収容す
る予備室７と、予備室７から搬入された被処理体Ｗにエ
ッチング処理を施すエッチング室８と、エッチング室８
から搬入されたエッチング処理後の被処理体Ｗを収容す
る製品取出室９とを共通の減圧槽２内に形成し、製品取
出室９内を減圧した状態で、エッチング室８にてエッチ
ング処理を終えた被処理体Ｗを製品取出室９に搬送した
後、予備室８内を減圧した状態で、次の被処理体Ｗを予
備室７からエッチング室８に搬入することにより、エッ
チング室８内の真空を破ることなく、次々と連続してエ
ッチング処理を行うことができるようにした。また、被
処理体Ｗを基板ホルダ１３ごと複数枚ずつエッチング室
８に搬送して一括処理することで極めて効率良くエッチ
ング処理できるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応性イオンエッ
チング装置に関し、特にエッチング室の真空を破ること
なく連続してエッチング処理を実施できるようにした生
産効率の高い反応性イオンエッチング装置に関するもの
である。
チング装置に関し、特にエッチング室の真空を破ること
なく連続してエッチング処理を実施できるようにした生
産効率の高い反応性イオンエッチング装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の反応性イオンエッチング装
置の一例を示す概略構成図である。図示するように、従
来の反応性イオンエッチング装置２０は、減圧槽２１内
に上部電極２２と下部電極２３とを対向配置し、両電極
間２２、２３に高周波電源２４を接続してなる。減圧槽
２１は、上側部材２１ａと下側部材２１ｂとをパッキン
２５を介して気密に接合してなり、下側部材２１ｂの底
部に設けた排気口２４から槽内を排気しつつ、側部に設
けたガス導入口２５から槽内にフッ化ガスなどの反応ガ
スを導入できるようになっている。下部電極２３上には
半導体基板などの被処理体２６が複数枚保持される。ま
た、下部電極２３内には図示しないヒータが内蔵されて
いる。この反応性イオンエッチング装置２０の動作は次
のとおりである。先ず、下部電極２３上に所定数の被処
理体２６をセットし、減圧槽２１の上側部材２１ａと下
側部材２１ｂとを接合した後、減圧槽２１内を排気す
る。減圧槽２１内が所定の真空度になったら、反応ガス
を導入しつつ、上部電極２２と下部電極２３間に高周波
電界を印加する。これにより減圧槽２１内に導入された
反応ガスがイオン化され、反応ガス中のイオンにより下
部電極２３上の複数の被処理体２６の表面がエッチング
される。
置の一例を示す概略構成図である。図示するように、従
来の反応性イオンエッチング装置２０は、減圧槽２１内
に上部電極２２と下部電極２３とを対向配置し、両電極
間２２、２３に高周波電源２４を接続してなる。減圧槽
２１は、上側部材２１ａと下側部材２１ｂとをパッキン
２５を介して気密に接合してなり、下側部材２１ｂの底
部に設けた排気口２４から槽内を排気しつつ、側部に設
けたガス導入口２５から槽内にフッ化ガスなどの反応ガ
スを導入できるようになっている。下部電極２３上には
半導体基板などの被処理体２６が複数枚保持される。ま
た、下部電極２３内には図示しないヒータが内蔵されて
いる。この反応性イオンエッチング装置２０の動作は次
のとおりである。先ず、下部電極２３上に所定数の被処
理体２６をセットし、減圧槽２１の上側部材２１ａと下
側部材２１ｂとを接合した後、減圧槽２１内を排気す
る。減圧槽２１内が所定の真空度になったら、反応ガス
を導入しつつ、上部電極２２と下部電極２３間に高周波
電界を印加する。これにより減圧槽２１内に導入された
反応ガスがイオン化され、反応ガス中のイオンにより下
部電極２３上の複数の被処理体２６の表面がエッチング
される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の反応性イオンエッチング装置２０では、被処理体２
６のセット時及び取り出し時にその都度減圧槽２１の上
側部材２１ａを下側部材２１ｂから取り外して減圧槽２
１内の真空を破る必要があるため、急激な気圧変化によ
り減圧槽２１の内壁などに付着した粒子が減圧槽２１内
に舞い上がり、処理後の被処理体２６の表面に付着して
しまうという問題があった。また、エッチング処理を一
回行う度毎に減圧槽２１内の清掃を行い、再度減圧槽２
１内を所定の真空度に減圧する必要があるため、エッチ
ング処理のサイクルタイムの短縮が困難であるという欠
点もあった。本発明の解決すべき課題は、上記従来の技
術の欠点を解消し、エッチング処理を終了する度毎にエ
ッチング処理部内の真空を破ることなく、次々と連続し
て被処理体のエッチング処理を行うことができる反応性
イオンエッチング装置を提供することにある。
来の反応性イオンエッチング装置２０では、被処理体２
６のセット時及び取り出し時にその都度減圧槽２１の上
側部材２１ａを下側部材２１ｂから取り外して減圧槽２
１内の真空を破る必要があるため、急激な気圧変化によ
り減圧槽２１の内壁などに付着した粒子が減圧槽２１内
に舞い上がり、処理後の被処理体２６の表面に付着して
しまうという問題があった。また、エッチング処理を一
回行う度毎に減圧槽２１内の清掃を行い、再度減圧槽２
１内を所定の真空度に減圧する必要があるため、エッチ
ング処理のサイクルタイムの短縮が困難であるという欠
点もあった。本発明の解決すべき課題は、上記従来の技
術の欠点を解消し、エッチング処理を終了する度毎にエ
ッチング処理部内の真空を破ることなく、次々と連続し
て被処理体のエッチング処理を行うことができる反応性
イオンエッチング装置を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の発明に係る反応性イオンエッチン
グ装置は、エッチング処理前の被処理体を収容する予備
室と、当該予備室から搬入された被処理体にエッチング
処理を施すエッチング室と、当該エッチング室から搬入
されたエッチング処理後の被処理体を収容する製品取出
室とを共通の減圧槽内に形成したことを特徴としてい
る。上記構成によれば、製品取出室内を減圧した状態
で、エッチング室にてエッチング処理を終えた被処理体
を製品取出室に搬送した後、予備室内を減圧した状態
で、次の被処理体を予備室からエッチング室に搬入する
ことにより、エッチング室内の真空を破ることなく、連
続して次の被処理体のエッチング処理を行うことができ
る。また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の
装置構成を前提にして、複数の被処理体を一括保持して
前記予備室から前記製品取出室まで順次搬送するように
構成したことを特徴としている。上記構成によれば、被
処理体を複数単位で一括してエッチング処理でき、且
つ、エッチング処理の度毎にエッチング室内の真空を破
ることなく、連続して次の複数の被処理体のエッチング
処理を行うことができる。
に、請求項１に記載の発明に係る反応性イオンエッチン
グ装置は、エッチング処理前の被処理体を収容する予備
室と、当該予備室から搬入された被処理体にエッチング
処理を施すエッチング室と、当該エッチング室から搬入
されたエッチング処理後の被処理体を収容する製品取出
室とを共通の減圧槽内に形成したことを特徴としてい
る。上記構成によれば、製品取出室内を減圧した状態
で、エッチング室にてエッチング処理を終えた被処理体
を製品取出室に搬送した後、予備室内を減圧した状態
で、次の被処理体を予備室からエッチング室に搬入する
ことにより、エッチング室内の真空を破ることなく、連
続して次の被処理体のエッチング処理を行うことができ
る。また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の
装置構成を前提にして、複数の被処理体を一括保持して
前記予備室から前記製品取出室まで順次搬送するように
構成したことを特徴としている。上記構成によれば、被
処理体を複数単位で一括してエッチング処理でき、且
つ、エッチング処理の度毎にエッチング室内の真空を破
ることなく、連続して次の複数の被処理体のエッチング
処理を行うことができる。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に示した実施の形
態により本発明の詳細を説明する。図１は本発明に関わ
る反応性イオンエッチング装置の実施の形態の一例を示
す装置構成図である。この反応性イオンエッチング装置
１は、減圧槽２内を板状の４つの真空弁３〜６で仕切る
ことにより、減圧槽２内に予備室７、エッチング室８、
及び製品取出室９を区画形成してなる。各真空弁３〜６
は図示しない昇降機構により各々別々に上下に移動でき
るようになっている。そして、第１の真空弁３を上げる
と予備室７の搬入口が開放され、第２の真空弁４を上げ
ると予備室７とエッチング室８とが互いに連通し、第３
の真空弁５を上げるとエッチング室８と製品取出室９と
が互いに連通し、第４の真空弁６を上げると製品取出室
９の搬出口が開放されるようになっている。エッチング
室８の内部には、上部電極１０と下部電極１１とが対向
配置されており、両電極１０、１１間に高周波電源１２
により高周波電界を印加できるようになっている。下部
電極１０上には被処理体である半導体基板Ｗが複数枚ず
つ基板ホルダ１３に保持されてセットされる。エッチン
グ室８の天井部にはガス導入口１４が、底部には排気口
１５が設けられており、上記第２、第３の真空弁４、５
を閉じた状態で排気口１５からエッチング室８内を排気
しつつ、ガス導入口１４からエッチング室８内にフッ化
ガスなどの反応ガスを導入できるようになっている。予
備室７及び製品取出室９には基板ホルダ１３を保持する
図示しない保持機構がそれぞれ設けられている。予備室
７及び製品取出室９の底部にもそれぞれ排気口１６、１
７が設けられており、図示しない真空ポンプにより予備
室７及び製品取出室９内をエッチング室８と同程度の真
空度に真空排気できるようになっている。
態により本発明の詳細を説明する。図１は本発明に関わ
る反応性イオンエッチング装置の実施の形態の一例を示
す装置構成図である。この反応性イオンエッチング装置
１は、減圧槽２内を板状の４つの真空弁３〜６で仕切る
ことにより、減圧槽２内に予備室７、エッチング室８、
及び製品取出室９を区画形成してなる。各真空弁３〜６
は図示しない昇降機構により各々別々に上下に移動でき
るようになっている。そして、第１の真空弁３を上げる
と予備室７の搬入口が開放され、第２の真空弁４を上げ
ると予備室７とエッチング室８とが互いに連通し、第３
の真空弁５を上げるとエッチング室８と製品取出室９と
が互いに連通し、第４の真空弁６を上げると製品取出室
９の搬出口が開放されるようになっている。エッチング
室８の内部には、上部電極１０と下部電極１１とが対向
配置されており、両電極１０、１１間に高周波電源１２
により高周波電界を印加できるようになっている。下部
電極１０上には被処理体である半導体基板Ｗが複数枚ず
つ基板ホルダ１３に保持されてセットされる。エッチン
グ室８の天井部にはガス導入口１４が、底部には排気口
１５が設けられており、上記第２、第３の真空弁４、５
を閉じた状態で排気口１５からエッチング室８内を排気
しつつ、ガス導入口１４からエッチング室８内にフッ化
ガスなどの反応ガスを導入できるようになっている。予
備室７及び製品取出室９には基板ホルダ１３を保持する
図示しない保持機構がそれぞれ設けられている。予備室
７及び製品取出室９の底部にもそれぞれ排気口１６、１
７が設けられており、図示しない真空ポンプにより予備
室７及び製品取出室９内をエッチング室８と同程度の真
空度に真空排気できるようになっている。
【０００６】図２（ａ）、（ｂ）はそれぞれ基板ホルダ
１３の平面図、及び側断面図であり、基板ホルダ１３上
は半導体基板Ｗを４枚まで保持できるようになってい
る。基板ホルダ１３は図示しない搬送機構により予備室
７からエッチング室８へ、エッチング室８から製品取出
室９へと搬送されるようになっている。次に、本実施の
形態の動作を説明する。まず、第１の真空弁３を開き、
予備室７内の保持機構に半導体基板Ｗをセットした基板
ホルダ１３を保持させる。次に、第１、第２及び第３の
真空弁３、４、５を閉じ、予備室７内及びエッチング室
８内を真空排気する。予備室７及びエッチング室８の排
気が完了したら、第２の真空弁４を開き、基板ホルダ１
３をエッチング室８内に搬送し下部電極１１上にセット
する。その後、第２の真空弁４を閉じ、エッチング室８
内に反応ガスを導入しつつ、上部電極１０と下部電極１
１間に高周波電界を印加して、基板ホルダ１３上の半導
体基板Ｗのエッチング処理を実施する。エッチング室１
でエッチング処理が行われている間に、予備室７に次の
基板ホルダ１３をセットし、第１及び第６の真空弁３、
６を閉じて予備室７及び製品取出室９内を排気してお
く。そして、エッチング処理が完了したら、第３の真空
弁５を開けて処理済みの半導体基板Ｗを保持した基板ホ
ルダ１３をエッチング室８から製品取出室９に搬送す
る。その後、第３の真空弁５を閉じ、第４の真空弁６を
開いて、製品取出室９から基板ホルダ１３を取り出す。
そして、製品取出室９から基板ホルダ１３を取り出す間
に、前述と同じ手順で順次エッチング室８及び予備室７
に未処理の半導体基板Ｗを保持した基板ホルダ１３を連
続的に供給して行く。
１３の平面図、及び側断面図であり、基板ホルダ１３上
は半導体基板Ｗを４枚まで保持できるようになってい
る。基板ホルダ１３は図示しない搬送機構により予備室
７からエッチング室８へ、エッチング室８から製品取出
室９へと搬送されるようになっている。次に、本実施の
形態の動作を説明する。まず、第１の真空弁３を開き、
予備室７内の保持機構に半導体基板Ｗをセットした基板
ホルダ１３を保持させる。次に、第１、第２及び第３の
真空弁３、４、５を閉じ、予備室７内及びエッチング室
８内を真空排気する。予備室７及びエッチング室８の排
気が完了したら、第２の真空弁４を開き、基板ホルダ１
３をエッチング室８内に搬送し下部電極１１上にセット
する。その後、第２の真空弁４を閉じ、エッチング室８
内に反応ガスを導入しつつ、上部電極１０と下部電極１
１間に高周波電界を印加して、基板ホルダ１３上の半導
体基板Ｗのエッチング処理を実施する。エッチング室１
でエッチング処理が行われている間に、予備室７に次の
基板ホルダ１３をセットし、第１及び第６の真空弁３、
６を閉じて予備室７及び製品取出室９内を排気してお
く。そして、エッチング処理が完了したら、第３の真空
弁５を開けて処理済みの半導体基板Ｗを保持した基板ホ
ルダ１３をエッチング室８から製品取出室９に搬送す
る。その後、第３の真空弁５を閉じ、第４の真空弁６を
開いて、製品取出室９から基板ホルダ１３を取り出す。
そして、製品取出室９から基板ホルダ１３を取り出す間
に、前述と同じ手順で順次エッチング室８及び予備室７
に未処理の半導体基板Ｗを保持した基板ホルダ１３を連
続的に供給して行く。
【０００７】以上のように本実施の形態の反応性イオン
エッチング装置１では、エッチング処理前の半導体基板
Ｗを保持した基板ホルダ１３を収容する予備室７と、エ
ッチング処理後の半導体基板Ｗを保持した基板ホルダ１
３を収容する製品取出室９とをエッチング室８の前後に
連続して配置したことにより、エッチング室８の真空を
破ることなく、次々と連続的にエッチング処理を実行す
ることができるので、半導体基板Ｗへのゴミ等の付着を
大幅に低減できるととともに、エッチング処理のサイク
ルタイムを従来より大幅に短縮できる。しかも、半導体
基板Ｗを基板ホルダ１３ごと複数枚ずつエッチング室８
に搬送して一括処理するようにしたので、極めて効率良
くエッチング処理を行うことができる。なお、上記にお
いて、基板ホルダ１３がセットされる下部電極１１を水
平回転させる機構を付加することにより、基板ホルダ１
３上の半導体基板Ｗのエッチングの均一性を高めること
ができる。また、半導体基板Ｗを基板ホルダ１３に静電
気や機械的方法などで固定すれば、基板ホルダ１３を上
部電極１０に保持させた状態で、すなわち半導体基板Ｗ
の被処理面を下に向けた状態でエッチング処理を行うこ
とができるので、半導体基板Ｗ表面へのゴミ等の付着を
さらに低減することができる。
エッチング装置１では、エッチング処理前の半導体基板
Ｗを保持した基板ホルダ１３を収容する予備室７と、エ
ッチング処理後の半導体基板Ｗを保持した基板ホルダ１
３を収容する製品取出室９とをエッチング室８の前後に
連続して配置したことにより、エッチング室８の真空を
破ることなく、次々と連続的にエッチング処理を実行す
ることができるので、半導体基板Ｗへのゴミ等の付着を
大幅に低減できるととともに、エッチング処理のサイク
ルタイムを従来より大幅に短縮できる。しかも、半導体
基板Ｗを基板ホルダ１３ごと複数枚ずつエッチング室８
に搬送して一括処理するようにしたので、極めて効率良
くエッチング処理を行うことができる。なお、上記にお
いて、基板ホルダ１３がセットされる下部電極１１を水
平回転させる機構を付加することにより、基板ホルダ１
３上の半導体基板Ｗのエッチングの均一性を高めること
ができる。また、半導体基板Ｗを基板ホルダ１３に静電
気や機械的方法などで固定すれば、基板ホルダ１３を上
部電極１０に保持させた状態で、すなわち半導体基板Ｗ
の被処理面を下に向けた状態でエッチング処理を行うこ
とができるので、半導体基板Ｗ表面へのゴミ等の付着を
さらに低減することができる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば以
下のような優れた効果を発揮できる。請求項１に記載の
発明に係る反応性イオンエッチング装置によれば、エッ
チング処理前の被処理体をを収容する予備室と、エッチ
ング処理後の被処理体を収容する製品取出室とをエッチ
ング室の前後に連続して配置したことにより、エッチン
グ室の真空を破ることなく、次々と連続的にエッチング
処理を実行することができるので、被処理体へのゴミ等
の付着を大幅に低減できるととともに、エッチング処理
のサイクルタイムを従来より大幅に短縮して効率良くエ
ッチング処理を行うことができる。また、請求項２に記
載の発明に係る反応性イオンエッチング装置によれば、
被処理体を複数枚ずつエッチング室に搬送して一括処理
できるので、請求項１よりも更に効率良くエッチング処
理を行うことができる。
下のような優れた効果を発揮できる。請求項１に記載の
発明に係る反応性イオンエッチング装置によれば、エッ
チング処理前の被処理体をを収容する予備室と、エッチ
ング処理後の被処理体を収容する製品取出室とをエッチ
ング室の前後に連続して配置したことにより、エッチン
グ室の真空を破ることなく、次々と連続的にエッチング
処理を実行することができるので、被処理体へのゴミ等
の付着を大幅に低減できるととともに、エッチング処理
のサイクルタイムを従来より大幅に短縮して効率良くエ
ッチング処理を行うことができる。また、請求項２に記
載の発明に係る反応性イオンエッチング装置によれば、
被処理体を複数枚ずつエッチング室に搬送して一括処理
できるので、請求項１よりも更に効率良くエッチング処
理を行うことができる。
【図１】本発明に関わる反応性イオンエッチング装置の
実施の形態の一例を示す装置構成図である。
実施の形態の一例を示す装置構成図である。
【図２】（ａ）は基板ホルダの一例を示す平面図、
（ｂ）は側断面図である。
（ｂ）は側断面図である。
【図３】従来の反応性イオンエッチング装置の一例を示
す概略構成図である。
す概略構成図である。
１ 反応性イオンエッチング装置、２ 減圧槽、３ 真
空弁、４ 真空弁、５真空弁、６ 真空弁、７ 予備
室、８ エッチング室、９ 製品取出室、１０上部電
極、１１ 下部電極、１２ 高周波電源、１４ ガス導
入口、１５ 排気口、１３ 基板ホルダ、１６ 排気
口、１７ 排気口、Ｗ 半導体基板（被処理体）。
空弁、４ 真空弁、５真空弁、６ 真空弁、７ 予備
室、８ エッチング室、９ 製品取出室、１０上部電
極、１１ 下部電極、１２ 高周波電源、１４ ガス導
入口、１５ 排気口、１３ 基板ホルダ、１６ 排気
口、１７ 排気口、Ｗ 半導体基板（被処理体）。
Claims (2)
- 【請求項１】 エッチング処理前の被処理体を収容する
予備室と、当該予備室から搬入された被処理体にエッチ
ング処理を施すエッチング室と、当該エッチング室から
搬入されたエッチング処理後の被処理体を収容する製品
取出室とを共通の減圧槽内に形成したことを特徴とする
反応性イオンエッチング装置。 - 【請求項２】 複数の被処理体を一括保持して前記予備
室から前記製品取出室まで順次搬送するように構成した
ことを特徴とする請求項１に記載の反応性イオンエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15762797A JPH10330972A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 反応性イオンエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15762797A JPH10330972A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 反応性イオンエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330972A true JPH10330972A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15653869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15762797A Pending JPH10330972A (ja) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | 反応性イオンエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10330972A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001335971A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| JP2014003147A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP15762797A patent/JPH10330972A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001335971A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面処理方法及び装置 |
| JP2014003147A (ja) * | 2012-06-18 | 2014-01-09 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
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