JP3948325B2 - フィルム基板処理方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フィルム基板の処理に際してフィルム基板の受け渡しを行う技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
実装技術の分野において、電子機器の小型化・高機能化に伴い高密度な実装が要求されている。そのため、実装基板への素子の接続は微細化され、より信頼性の高い実装が必要とされている。信頼性を確保する方法の一つとしてプラズマによる表面改質方法がある。たとえば、このプラズマ処理によって、表面に付着した有機物汚染が除去され、ワイヤーボンディングのボンディング強度を向上したり、濡れ性が改善され、基板と封止樹脂との密着性を向上することができる。すなわち、酸素プラズマにより基板表面の活性化を起こし、カルボキシル基(−COOH)、カルボニル基(=C=O)などができて、接合強度の向上につながるといった表面活性化作用を生じさせる。また、アルゴンイオンまたは酸素イオンによるスパッタリング作用により、表面洗浄作用を生じさせる。
【0003】
特に、フィルムなどから構成されるフレキシブル回路基板において基板表面に塩素が残っていると、基板周囲の湿気と回路を流れる電流との影響で回路が腐食する可能性があるため、プラズマ処理によって、表面に付着した塩素を除去し、基板と樹脂との密着性を向上させて外部から水分の侵入を防いでいる。
【0004】
このようなプラズマ処理の従来の構成としては、フィルムを数枚ずつ人の手でチャンバ内に載置し、チャンバ蓋を閉じてから、真空粗引き、本引き、ガスバルブ開、高周波電力印加、高周波電力印加停止、大気圧復帰、チャンバ開の一連の動作を人が1つずつ行う。真空圧の確認は真空計によって行い、高周波電力印加時間はストップウォッチで計測する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構造のものでは、必然的にバッチ処理になるために、スループットに限界がある。また、人の手によってフィルムを出し入れするために、フィルムが汚染される可能性がある。さらに、洗浄と次工程の間にブランクが発生するために、フィルムの管理が難しい。
【0006】
そこで、本発明は、フィルムを静電式のステージに載置させて処理するとともに処理の自動化を実現する技術を提供することを主たる目的としている。
【0007】
【問題を解決するための手段】
請求項1に記載の発明は、搬送用保持部により被処理面側からフィルム基板を保持して搬送する搬送工程と、前記搬送用保持部が前記被処理面側から付勢しつつステージに前記フィルム基板を載置する載置工程と、前記ステージが、前記被処理面とは反対側の裏面を静電気力により保持するステージ保持工程と、前記ステージの周囲を減圧する減圧工程と、前記被処理面に所定の処理を行う処理工程と、
を有するフィルム基板処理方法において、前記ステージ保持工程が、前記ステージに電圧を与える工程と、前記電圧の変化後に前記搬送用保持部による前記フィルム基板の保持を解除する工程とを有するフィルム基板処理方法である。
【0008】
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板上の少なくとも互いに対向する端部領域を前記ステージに向けて付勢するフィルム基板処理方法である。
【0009】
請求項3に記載の発明は、請求項1に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板の周縁部全体を前記ステージに向けて付勢するフィルム基板処理方法である。
【0010】
請求項4に記載の発明は、搬送用保持部により被処理面側からフィルム基板を保持して搬送する搬送工程と、前記搬送用保持部が前記被処理面側から付勢しつつステージに前記フィルム基板を載置する載置工程と、前記ステージが、前記被処理面とは反対側の裏面を静電気力により保持するステージ保持工程と、前記ステージの周囲を減圧する減圧工程と、前記被処理面に所定の処理を行う処理工程と、
を有するフィルム基板処理方法であって、前記ステージ保持工程が、前記ステージに電圧を与える工程と、前記ステージへの電流を検出し、電圧付与後の電流の低下を検出する電流検出工程と、前記電流の低下の検出後に前記搬送用保持部による前記フィルム基板の保持を解除する解除工程とを有するフィルム基板処理方法である。
【0011】
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板上の少なくとも互いに対向する端部領域を前記ステージに向けて付勢するフィルム基板処理方法である。
【0012】
請求項6に記載の発明は、請求項4に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板の周縁部全体を前記ステージに向けて付勢するフィルム基板処理方法である。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係る実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0022】
本発明の第1の実施の形態に係るプラズマ処理装置は、図1(A),(B)に示すように、フィルム基板2などの回路基板をチャンバ8内の基板を保持する電極を有するステージ8b上に自動的に搬入し、チャンバ8内を排気しかつ所定の反応ガスをチャンバ8内に導入して所定の減圧状態を維持した上で、高周波電源8cから高周波電力を印加してチャンバ8内に酸素プラズマを発生させ、発生した酸素プラズマにより、ステージ8b上に保持した基板2の表面をプラズマ処理して、基板2の表面の有機物の炭素原子と酸素を結合させて二酸化炭素の気相として基板2の表面から有機物を自動的に除去して、ICチップや部品などを接合するための基板電極などの接合部の表面を活性化させて接合力を強化できるようにするものである。
【0023】
具体的には、プラズマ処理装置は、図2に示すように、一対のフィルム基板2を保持してプラズマ処理装置本体10外からプラズマ処理装置本体10内に搬入する基板搬入スライダ1と、基板搬入スライダ1から一対のフィルム基板2を吸着保持しかつ移動する一対の搬送アーム装置3A,3Bと、一対の搬送アーム装置3A,3Bが固定されて支持されかつ一対の搬送アーム装置3A,3Bを基板搬送方向(図2の左方向)F沿いに移動させる移動装置4と、一対のフィルム基板2のプラズマ処理を行う第1チャンバ8Aと一対のフィルム基板2のプラズマ処理を行う第2チャンバ8Bとを有するプラズマ処理チャンバ8と、一対のフィルム基板2を保持してプラズマ処理装置本体10内からプラズマ処理装置本体10外に搬出する基板搬出スライダ9とを備えている。
【0024】
上記基板搬入スライダ1は、プラズマ処理装置本体10外の基板搬入準備位置Aと、プラズマ処理装置本体10内の基板搬入位置Bとの間で、一対のフィルム基板2を吸着保持しつつ、モータまたはエアシリンダなどの駆動装置の駆動により移動する。
【0025】
上記移動装置4は、一対の搬送アーム装置3A,3Bが移動体4a上に固定されて支持され、移動体4aは、サーボモータ4cなどの駆動装置によりガイド部材4bに沿って基板搬送方向F沿いに往復移動可能となっている。
【0026】
一対の搬送アーム装置3A,3Bのそれぞれは、移動体4aに固定されたモータなどのアーム部駆動装置6aと、モータなどの駆動装置6aの駆動により軸方向(基板搬送方向Fと直交する方向)に移動するアーム部6を備え、搬送アーム装置3Aはアーム部6の先端に一対の第1吸着部7Aを有し、搬送アーム装置3Bはアーム部6の先端に一対の第2吸着部7Bを有する。第1吸着部7Aおよび第2吸着部7Bは吸着部昇降装置7aにより上下動可能とされ、下端位置まで下降させて図示しない吸引装置の駆動により、一対のフィルム基板2を同時的に吸着保持することができる。また、移動体4aの近傍側の基板搬入スライダ1または基板搬出スライダ9と各チャンバ8との間でアーム部駆動装置6aの駆動により一対の第1吸着部7Aまたは第2吸着部7Bが移動可能とされ、両装置間で一対のフィルム基板2が同時的に受け渡し可能とされている。
【0027】
一方の(図2では右側のすなわち基板搬入側に近い側の)搬送アーム装置3Aはチャンバ8A,8Bにフィルム基板2を搬入する搬送アーム装置である。他方の(図2では左側のすなわち基板搬出側に近い側の)搬送アーム装置3Bは、チャンバ8A,8Bからフィルム基板2を搬出する搬送アーム装置である。従って、それぞれの搬送アーム装置は、プラズマ処理前のフィルム基板2またはプラズマ処理後のフィルム基板2を常に吸着することになり、プラズマ処理前と後の両方の状態のフィルム基板2を同じ搬送アーム装置で吸着しないため、吸着による汚染を無くすことができる。
【0028】
上記基板搬出スライダ9は、プラズマ処理装置本体10外の基板搬出準備位置Cと、プラズマ処理装置本体10内の基板搬出位置Dとの間で、一対のフィルム基板2を吸着保持しつつ、モータまたはエアシリンダなどの駆動装置の駆動により移動する。なお、一対のフィルム基板2の保持の方法は、吸着に限らず、他の手段、例えば、係止部材などで保持できるようにしてもよい。
【0029】
第1チャンバ8Aと第2チャンバ8Bとは、それぞれ独立してプラズマ処理を行うことができる。よって、例えば、一方のチャンバでプラズマ処理を行っているときに、他方のチャンバでプラズマ処理が終了したフィルム基板2を搬出し、次にプラズマ処理を行うフィルム基板2を搬入させることができる。なお、フィルム基板2のチャンバ8への搬出入は図1(または、後述の図3)に示す蓋8aが開いた状態で行われ、蓋8aは蓋開閉用エアシリンダの駆動によりそれぞれ開閉される。
【0030】
第1チャンバ8Aおよび第2チャンバ8Bは同一構成であり、そのチャンバ8を図3に示す。図3において、8aは上下方向にスライドして開閉するチャンバ8の蓋、8eはチャンバ8の側壁内面に配置された石英のカバー、8gは基板静電吸着用のDC電極と高周波電力が印加されるステージ8bとを絶縁する絶縁材、8hはステージ8bを冷却する冷却水流路、8iは冷却水流路に冷却水を供給する冷却水用配管、8kはステージ8bとチャンバ8とを絶縁するためのアルミナなどから構成されるインシュレータ、8mはSUS304などから構成されるチャンバ8の側壁、8nはSUS304などから構成されるチャンバ8のべース、8pは基板静電吸着用のDC電源8tに接続された基板静電吸着用のDC電極、8qはステージ8bの冷却水流路を形成するためのSUS304などから構成される水冷ジャケット、8rは高周波電源8cに接続された高周波印加電極である。
【0031】
なお、チャンバ8の側壁8m、ベース8n、蓋8aはアースされている。従って、フィルム基板2は、各チャンバ8内のステージ8b上に載置されると、基板静電吸着用のDC電源8tからDC電圧が基板静電吸着用のDC電極8pに印加されて、フィルム基板2が静電吸着作用によりステージ8b上に吸着保持される。プラズマ処理中、フィルム基板2はこのように静電吸着された状態で保持され、プラズマ処理終了後、取り出すときには、基板静電吸着用のDC電極8pへのDC電圧の印加を停止または逆方向に電圧を作用させて、フィルム基板2がステージ8b上から取出しやすくする。
【0032】
図4および図5は1つのチャンバ8(第1チャンバ8Aにまたは第2チャンバ8B)に関するプラズマ処理装置の動作の流れを示す図である。
【0033】
まず、一対のフィルム基板2を保持する基板搬入スライダ1が基板搬入準備位置Aから基板搬入位置Bへと移動し(図2参照)、移動装置4が搬送アーム装置3Aの一対の第1吸着部7Aのそれぞれをフィルム基板2の上方に位置させる。そして、吸着部昇降装置7aが第1吸着部7Aを下降してフィルム基板2に当接させ、第1吸着部7Aに形成された吸引孔による吸引が開始される。これにより、各第1吸着部7Aがフィルム基板2を被処理面側から吸引吸着する。
【0034】
次に、吸着部昇降装置7aにより第1吸着部7Aが上昇するとともにアーム部駆動装置6aがアーム部6をチャンバ8側へと移動させ、フィルム基板2を被処理面側から保持しつつチャンバ8内へと搬送する(ステップS11)。吸着部昇降装置7aにより一対の第1吸着部7Aはチャンバ8内にて下降し、フィルム基板2がステージ8bに渡される(ステップS12〜S16)。以下、第1吸着部7Aからステージ8bにフィルム基板2が渡される様子についてさらに詳説する。
【0035】
図6は第1吸着部7Aの構造および第1吸着部7Aとステージ8bとの間におけるフィルム基板2の受け渡しに関する構成を示す図であり、図7は第1吸着部7Aおよびフィルム基板2の底面図である。第1吸着部7Aでは、本体ブロック71の下面に吸引孔を有する吸着パッド72が取り付けられ、フィルム基板2の長手方向に沿うように2つの付勢部材73が取り付けられている。付勢部材73は例えばステンレス鋼にて形成される。
【0036】
吸着パッド72の吸引孔は本体ブロック71内の流路を経由して2つの配管に接続されており、一方の配管は弁511を介してエア供給部512に接続され、他方の配管は弁521を介して排気部522に接続される。2つの弁511,521は全体制御部53により電気的に開閉制御される。また、全体制御部53はステージ8bによる静電吸着のためのDC電源8tの制御も行い、DC電源8tによりステージ8bに与えられる電圧が電圧計55により計測され、計測値が全体制御部53に入力される。
【0037】
図8および図9は、第1吸着部7Aが図7に示す状態からフィルム基板2をステージ8b上に載置する様子を示す図であり、図10はこのときの動作を示すタイムチャートである。フィルム基板2が被処理面側から保持されつつステージ8b上に載置される際には、図8に示すように吸着パッド72が弾性変形する。これにより、付勢部材73がフィルム基板2の長手方向の端部をステージ8b側へと付勢する(図4:ステップS12)。
【0038】
第1吸着部7A(ノズル)が十分に下降すると、図10に示すようにDC電源8tによりステージ8bに静電吸着(静電チャック)のための電圧が与えられる(ステップS13)。所定の時間T1が経過して図6に示す電圧計55からの計測値に基づいて電圧の安定が確認されると(ステップS14)、弁521が閉じられて第1吸着部7Aによる吸引吸着が停止され、フィルム基板2の保持が解除される(ステップS15)。さらに、弁511が開かれてエア供給部512からの圧縮空気が吸着パッド72から噴出され、フィルム基板2に向けてブローが行われる。ブローはブロー時間T2の間維持され、ブローが終了する直前に第1吸着部7Aが下限に位置する下限維持時間T3が経過し、図9に示すように第1吸着部7Aがフィルム基板2をステージ8bに残して上昇する(ステップS16)。
【0039】
以上のように、フィルム基板2がステージ8bに渡される際にフィルム基板2の互いに対向する端部領域が被処理面側から付勢されつつステージ8bにフィルム基板2が載置されることから、ステージ8bが被処理面とは反対側の裏面を静電気力により確実に保持することができ、フィルム基板2に無理な力を作用させることなく、円滑に、第1吸着部7Aからステージ8bにフィルム基板2を渡すことが実現される。なお、第1吸着部7Aがフィルム基板2を吸引吸着するため、フィルム基板2を大気圧下にて容易にチャンバ8内へと搬入することができる。
【0040】
フィルム基板2がステージ8bに渡されると、一対の第1吸着部7Aが図2に示すアーム部駆動装置6aによりチャンバ8外へと待避され、チャンバ8の蓋8aが閉じられる(ステップS17)。チャンバ8内は排気されて減圧され、アルゴン、酸素などの反応ガスが導入された後(ステップS18)、ステージ8bに高周波電力が印加されてチャンバ8内にプラズマが発生する(ステップS19)。これにより、各フィルム基板2の被処理面にプラズマによる洗浄、改質等の処理が施される。
【0041】
プラズマによる処理が終了するとチャンバ8内が大気圧に戻されてチャンバ8の蓋8aが開かれ(ステップS20,S21)、搬送アーム装置3Bの第2吸着部7Bがアーム部駆動装置6aによりチャンバ8内へと進入する。その後、ステージ8bと第2吸着部7Bとの間でフィルム基板2の受け渡しが行われる(図5:ステップS31〜S36)。
【0042】
図11は第2吸着部7Bの構造を示す正面図であり、図12は第2吸着部7Bおよびフィルム基板2を示す底面図である。第2吸着部7Bは、本体ブロック74の下面の長手方向の端部に吸着パッド75aが固定され、下面の中央近傍に吸着パッド75bが上下方向に移動可能なシャフト761の先端に取り付けられる。シャフト761はバネ762により下方に付勢されており、吸着パッド75bに力が作用しない状態において、吸着パッド75bの下端が吸着パッド75aの下端より若干下側に位置する。なお、各吸着パッド75a,75bの吸引孔は、図6に示す第1吸着部7Aと同様に、弁を介してエア供給部512および排気部522に接続され、吸引およびブローが全体制御部53により制御される。
【0043】
図13ないし図15は、図11に示す状態から第2吸着部7Bがステージ8bからフィルム基板2を受け取る様子を示す図であり、図16はこのときの動作を示すタイムチャートである。まず、第2吸着部7Bが下降し、フィルム基板2の中央付近に吸着パッド75bが当接し、バネ762が圧縮された後に吸着パッド75aが図13に示すようにフィルム基板2の端部領域に当接する(ステップS31)。
【0044】
第2吸着部7B(ノズル)が十分に下降すると、吸着パッド75a,75bによる吸引が開始され(ステップS32)、静電チャックのための電圧が解除される(ステップS33)。このとき、図16に示すように、僅かな時間T4の間に逆電圧V1が付与される。電圧の解除が電圧計55による計測値に基づいて検出され(ステップS34)、さらに、第2吸着部7Bの位置が下限にて安定する下限安定時間T5が経過すると、搬送アーム装置3Bの吸着部昇降装置7aにより第2吸着部7Bがステージ8bから離間する。
【0045】
吸着パッド75bは上下に移動可能であるとともにバネ762により下側に付勢されていることから、図14に示すように、まず吸着パッド75aがステージ8bから離れ、フィルム基板2の端部のみが持ち上げられる(ステップS35)。そして、第2吸着部7Bがさらに上昇することにより吸着パッド75bがステージ8bから離れ、図15に示すようにフィルム基板2全体がステージ8bから分離される(ステップS36)。
【0046】
以上の受け渡し動作により、フィルム基板2がステージ8bに密着している場合であっても、フィルム基板2が端部から剥がされるようにして無理な力を作用させることなく第2吸着部7Bへと渡される。また、ステージ8bに逆電圧を付与した後に静電チャックのための電圧が解除されるため、フィルム基板2の帯電を適切に除去することができ、フィルム基板2がステージ8bから分離される際にフィルム基板2に作用する力を一層低減することが実現される。なお、第2吸着部7Bがフィルム基板2を吸引吸着により保持することにより、大気圧下にてフィルム基板2を容易にチャンバ8外へと搬出することができる。
【0047】
一対の第2吸着部7Bはフィルム基板2と共にアーム部駆動装置6aによりチャンバ8外へと待避され、フィルム基板2の搬出が行われる(ステップS37)。第2吸着部7Bは吸着部昇降装置7aにより下降し、基板搬出準備位置Cに位置する基板搬出スライダ9上にフィルム基板2を当接させ、吸着パッド75a,75bからブローを行って上方へと待避し、フィルム基板2を基板搬出スライダ9上へと移載する。そして、基板搬出スライダ9が基板搬出準備位置Cから基板搬出位置Dへと移動して処理済みのフィルム基板2がプラズマ処理装置外へと搬送される。
【0048】
以上のように、プラズマ処理装置では、減圧が行われるチャンバ8内にて静電チャックによるフィルム基板2の保持を行い、チャンバ8外では吸引吸着による保持が行われることから、フィルム基板2の搬送および処理を適切に行うことができる。また、第1吸着部7Aはフィルム基板2をステージ8b側へと付勢しながらフィルム基板2の受け渡しを行うため、対象物が可撓性を有する場合であっても対象物を静電チャックであるステージ8bに密着させることができ、適切に保持させることができる。一方、第2吸着部7Bもフィルム基板2をステージ8bから受け取る際に、まず、フィルム基板2の端部をステージ8bから持ち上げ、その後、フィルム基板2全体をステージ8bから分離することから、可撓性を有する対象物を適切に受け取ることができる。
【0049】
図17は第1吸着部7Aの他の例を示す正面図であり、図18は第1吸着部7Aをフィルム基板2とともに示す底面図である。図17および図18に示す第1吸着部7Aは、本体ブロック71aの底面712aが鏡面加工された平面とされ、フィルム基板2よりも大きなサイズとなっている。本体ブロック71aの底面712aには複数の吸引孔711が直接形成される。第1吸着部7Aによりステージ8bにフィルム基板2が載置される際には、本体ブロック71aの底面712aがフィルム基板2の少なくとも周縁部全体をステージ8b側へと付勢することから、フィルム基板2をステージ8bに確実に保持させることができる。
【0050】
図19は簡素化された第2吸着部7Bの例を示す正面図である。図19に示す第2吸着部7Bは吸着パッド75cを1つだけ有し、吸着パッド75cがフィルム基板2の端部を吸引吸着する。これにより、第2吸着部7Bが上昇すると、まず、フィルム基板2の端部が図19に示すようにステージ8bから持ち上げられ、第2吸着部7Bがさらに上昇することによりフィルム基板2全体がステージ8bから分離される。
【0051】
図20は第2吸着部7Bのさらに他の例を示す正面図であり、図21は底面図である。図20および図21に示す第2吸着部7Bは、本体ブロック71bの底面712bがステージ8bに平行な(図20において紙面に垂直な)中心軸を有する円筒面の一部となっており、底面712bの一方の端部に吸引孔711aが形成され、他方の端部に吸引孔711bが形成される。本体ブロック71の上面には回動アーム721が取り付けられ、回動アーム721はジョイント722を中心に回動可能とされる。ジョイント722は図2に示すアーム部6に固定された固定アーム723に取り付けられる。なお、本体ブロック71の底面(円筒面)712bの中心軸はジョイント722に位置する。
【0052】
第2吸着部7Bがフィルム基板2を受け取る際には、まず、第2吸着部7B全体が下降して本体ブロック71bがフィルム基板2に当接し、図22に示すように固定アーム723がフィルム基板2の端部に向かって(図21に示す吸引孔711a側に)移動する。このとき、本体ブロック71bがジョイント722を中心に回動し、吸引孔711aとフィルム基板2とが接する。なお、ジョイント722は底面(円筒面)712bの中心軸に位置するため、固定アーム723を上下に移動させる必要はない。
【0053】
次に、図22に示す状態において吸引孔711aからの吸引が開始され、固定アーム723がフィルム基板2のもう一方の端部に向かって(吸引孔711b側に)移動する。これにより、吸引孔711aに吸引吸着されたフィルム基板2の端部がステージ8bから持ち上げられ、やがて底面712bに沿ってフィルム基板2全体がステージ8bから分離されて図23に示す状態となる。そして、吸引孔711bからの吸引が開始され、フィルム基板2全体が底面712bに吸引吸着される。
【0054】
その後、固定アーム723がフィルム基板2の中央に向かって移動し、さらに固定アーム723が上昇することにより、図24に示すようにフィルム基板2全体がステージ8bから分離され、フィルム基板2が第2吸着部7Bへと完全に渡される。
【0055】
なお、第2吸着部7Bから図2に示す基板搬出スライダ9へとフィルム基板2が渡される際には、底面712bの中央が基板搬出スライダ9と当接する直前の状態で吸引孔711bのうち最も端のものから他端側の吸引孔711aへと順番にブローが行われる。これにより、フィルム基板2がブローの影響を受けることなく吸引孔711b側から基板搬出スライダ9上の所定位置に確実に載置される。なお、第2吸着部7Bの底面712bの中央がフィルム基板2を挟んで基板搬出スライダ9と当接した状態で全ての吸引孔711a,711bから同時にブローが行われてもよい。
【0056】
図25は、図6に示す電圧計55に代えて電流計55aが利用される様子を示す図であり、図26は第1吸着部7Aからステージ8bにフィルム基板2が渡される際の動作のタイムチャートである。
【0057】
電流計55aが利用される場合、第1吸着部7Aが下降してDC電源8tがON状態にされると、図26に示すようにステージ8bに向けて一時的に電流が流れる。電流計55aはこの電流を計測して全体制御部53に入力する。全体制御部53では、電流値が十分に低下したことを検出してから第1吸着部7Aによる吸着を解除し、ブローを開始する。すなわち、図4に示すステップS14において、電圧に代えて電流の確認が行われ、これにより、ステージ8bによる保持を適切に行うことができる。
【0058】
なお、電圧計測に代えて電流計測を行うのではなく、電圧および電流双方の計測が行われてもよい。この場合、電圧および電流を用いて受け渡しタイミングをより適切に行うことができるとともに、電圧および電流のいずれかのみに異常が生じた場合に異常を検出することも可能となる。
【0059】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【0060】
例えば、第1吸着部7Aおよび第2吸着部7Bの構造は同等の機能を有するのであるならば、適宜変更されてよい。第1吸着部7Aはフィルム基板2の互いの対向する端部領域と他の領域とをステージ8bに向けて付勢してもよく、第2吸着部7Bもフィルム基板2の端部を持ち上げた後に全体をステージ8bから分離する他の構造が採用されてよい。さらに、フィルム基板2が吸引吸着以外の手法により保持されてもよい。
【0061】
また、チャンバ8にてフィルム基板2に施される処理はプラズマ処理に限定されず、電子ビーム、紫外線、高速原子ビームなどによる処理であってもよい。
【0062】
【発明の効果】
本発明に係るフィルム基板処理装置および方法によれば、減圧雰囲気下にてフィルム基板に処理を施す際にフィルム基板をステージに確実に保持させることができる。また、本発明に係るフィルム基板保持装置および方法によれば、フィルム基板を静電気力により保持するステージから無理な力を作用させることなく受け取ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(A)はチャンバの構造を示す図
(B)はプラズマによる基板処理の原理を説明するための図
【図2】プラズマ処理装置を示す平面図
【図3】チャンバを示す縦断面図
【図4】プラズマ処理装置の動作の流れを示す図
【図5】プラズマ処理装置の動作の流れを示す図
【図6】第1吸着部を示す正面図
【図7】第1吸着部およびフィルム基板を示す底面図
【図8】第1吸着部がフィルム基板をステージに渡す様子を示す図
【図9】第1吸着部がフィルム基板をステージに渡す様子を示す図
【図10】第1吸着部がフィルム基板をステージに渡す際のタイムチャート
【図11】第2吸着部を示す正面図
【図12】第2吸着部およびフィルム基板を示す底面図
【図13】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図14】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図15】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図16】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る際のタイムチャート
【図17】第1吸着部の他の例を示す正面図
【図18】第1吸着部の他の例を示す底面図
【図19】第2吸着部の他の例を示す正面図
【図20】第2吸着部のさらに他の例を示す正面図
【図21】第2吸着部のさらに他の例を示す底面図
【図22】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図23】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図24】第2吸着部がフィルム基板をステージから受け取る様子を示す図
【図25】図6に示す電圧計に代えて電流計が利用される様子を示す図
【図26】第1吸着部からステージにフィルム基板が渡される際のタイムチャート
【符号の説明】
2 フィルム基板
3A,3B 搬送アーム装置
7A 第1吸着部
8 チャンバ
8b ステージ
8c 高周波電源
73 付勢部材
75a,75b,75c 吸着パッド
711a,711b 吸引孔
712a,712b 底面
S11〜S15,S18,S19,S32〜S36 ステップ
Claims (6)
- 搬送用保持部により被処理面側からフィルム基板を保持して搬送する搬送工程と、前記搬送用保持部が前記被処理面側から付勢しつつステージに前記フィルム基板を載置する載置工程と、前記ステージが、前記被処理面とは反対側の裏面を静電気力により保持するステージ保持工程と、前記ステージの周囲を減圧する減圧工程と、前記被処理面に所定の処理を行う処理工程とを有するフィルム基板処理方法において、
前記ステージ保持工程が、前記ステージに電圧を与える工程と、前記電圧の変化後に前記搬送用保持部による前記フィルム基板の保持を解除する工程とを有することを特徴とするフィルム基板処理方法。 - 請求項1に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板上の少なくとも互いに対向する端部領域を前記ステージに向けて付勢することを特徴とするフィルム基板処理方法。
- 請求項1に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板の周縁部全体を前記ステージに向けて付勢することを特徴とするフィルム基板処理方法。
- 搬送用保持部により被処理面側からフィルム基板を保持して搬送する搬送工程と、前記搬送用保持部が前記被処理面側から付勢しつつステージに前記フィルム基板を載置する載置工程と、前記ステージが、前記被処理面とは反対側の裏面を静電気力により保持するステージ保持工程と、前記ステージの周囲を減圧する減圧工程と、前記被処理面に所定の処理を行う処理工程とを有するフィルム基板処理方法であって、
前記ステージ保持工程が、前記ステージに電圧を与える工程と、
前記ステージへの電流を検出し、電圧付与後の電流の低下を検出する電流検出工程と、前記電流の低下の検出後に前記搬送用保持部による前記フィルム基板の保持を解除する解除工程とを有することを特徴とするフィルム基板処理方法。 - 請求項4に記載のフィルム基板処理方法であって、
前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板上の少なくとも互いに対向する端部領域を前記ステージに向けて付勢することを特徴とするフィルム基板処理方法。 - 請求項4に記載のフィルム基板処理方法であって、前記載置工程において、前記搬送用保持部が前記フィルム基板の周縁部全体を前記ステージに向けて付勢することを特徴とするフィルム基板処理方法。
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