CN1449234A - 膜基板处理装置、膜基板处理方法和膜基板搬出方法 - Google Patents

膜基板处理装置、膜基板处理方法和膜基板搬出方法 Download PDF

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Abstract

提供一种将膜基板稳妥地放置到静电吸附式操作台上的膜基板处理装置。在该膜基板处理装置中，其将膜基板放置到静电吸附式操作台上的第1吸附部上设有吸附垫和将膜基板的端部区域朝操作台挤压的挤压部件。由此，可稳稳地将膜基板吸附于操作台上，在减压气氛下稳妥地对膜基板进行处理。

Description

膜基板处理装置、膜基板处理方法和膜基板搬出方法
                          技术领域
本发明涉及处理膜基板时进行膜基板的交接技术。
                          背景技术
在实装技术领域，伴随着电子设备的小型化和高性能化，要求实装密度提高。为此，要求有一种在实装基板上的元件连接变得微细、可靠性更高的实装技术。为确保可靠性，一种方法是，用等离子体进行表面改性。例如，通过等离子处理，可除去附着在表面的有机物污染、提高丝焊的焊接强度、改善润湿性、提高基板与密封树脂之间的粘附性。即，用氧等离子体将基板表面活化，引起活性氧与有机物反应、产生羧基(-COOH)、羰基(-C＝O)等、从而提高接合强度这样的表面活化作用。此外，通过由氩离子或氧离子产生的溅射作用，产生表面净化作用。
特别是由膜等构成的挠性电路基板，如基板表面残留氯，则由于基板周围的湿气和电路中的电流的影响，电路有可能受到腐蚀，因此，通过等离子处理，除去附着在表面的氯。此外，提高基板与树脂之间的粘附性，防止水分从外部侵入。
以往，进行这样的等离子处理的方法是，人工进行下述各步骤：用人的手将膜几片几片地放置在操作室中，盖上盖子后，先抽成接近真空，再抽成真空，打开气体阀门，施加高频电流，停止施加高频电流，恢复至大气压，打开操作室。用真空计确认真空压，并用秒表测定高频电流施加时间。
然而，这样的处理必然是间歇式处理，处理量有限。此外，由于用人手取出、放入膜，因此，膜有可能被污染。而且，由于净化和下道工序之间有空隙，难以管理好膜。
                          发明内容
因此，本发明的主要目的是，提供一种将膜放置在静电式操作台上进行处理并实现处理自动化的技术。
第1个发明是一种膜基板处理装置，它具有：
用静电力将膜基板的与被处理面相反侧的背面进行保持(holding)的操作台，
内部配置有上述操作台的操作室，
在上述操作室被减压的状态下对上述用操作台加以保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，
从被处理面侧保持膜基板、进行搬运、边从上述被处理面侧进行挤压边将膜基板放置至上述操作台上的搬运机构。
第2个发明是，在上述第1发明所述的装置中，所述搬运机构具有通过吸引吸附来保持膜基板的搬入用保持部。
第3个发明是，在上述第1或第2发明所述的装置中，所述搬入用保持部具有将膜基板的至少端部区域朝上述操作台挤压的挤压部件。
第4个发明是，在上述第1或第2发明所述的装置中，所述搬入用保持部具有使膜基板的整个边缘部朝上述操作台挤压的挤压面。
第5个发明是一种膜基板的处理方法，它具有：
通过搬入用保持部从被处理面将膜基板保持、进行搬运的搬运工序，
上述搬入用保持部边从被处理面侧挤压膜基板边将膜基板放置到操作台上的放置工序，
上述操作台通过静电力对与上述被处理面相反侧的膜基板的背面进行保持的操作台保持工序，
将上述操作台周围减压的减压工序，
对上述膜基板的被处理面进行规定处理的处理工序。
第6个发明是，在上述第5发明所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的的至少端部朝操作台挤压。
第7个发明是，在上述第5发明所述的方法中，在放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的整个边缘部朝操作台挤压。
第8个发明是，在上述第5至第7中的任一项发明所述的方法中，所述操作台保持工序包括：
施加电压于操作台，
在上述电压变化后，解除搬入用保持部对膜基板的保持。
第9个发明是，在上述第5至第7中任一项发明所述的方法中，所述操作台保持工序包括：
施加电压于操作台，
对流向操作台的电流和施加电压后的电流下降进行检测，
在检测出上述电流下降后解除搬入用保持部对膜基板的保持。
第10个发明是一种膜基板处理装置，它具有将膜基板从通过静电力将膜基板保持的操作台搬出的搬出用保持部，其特征在于，所述搬出用保持部具有将膜基板端部保持、从操作台举起的端部举起部和将膜基板的其它部位保持、使膜基板整体与操作台分离的整体分离部。
第11个发明是，在第10发明所述的装置中，所述端部举起部为与膜基板接触并进行吸附的圆弧面的一侧部位，而所述整体分离部为圆弧面的其它部位。
第12个发明是一种膜基板的搬出方法，它将膜基板从保持膜基板的操作台搬出，它具有：
端部举起部将操作台上的膜基板的端部保持、整体分离部将其它部位保持的保持工序，
端部举起部离开操作台、将膜基板端部从操作台举起的端部举起工序，
整体分离部离开操作台、使膜基板整体与操作台分离的整体分离工序。
第13个发明是，在第12发明所述的方法中，操作台通过静电力将膜基板保持，在端部举起工序之前，还具有将施加在操作台上的电压解除的电压解除工序和检测操作台电压变化的电压检测工序。
第14个发明是，在第13发明所述的方法中，在电压解除工序之前，还具有施加反电压于操作台的反电压施加工序。
第15个发明是一种膜基板处理装置，它具有搬运膜基板的搬运机构、用静电力保持膜基板的与被处理面相反侧的背面的操作台、内部配置有上述操作台的操作室、在上述操作室处于减压状态下对由操作台保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，其特征在于，所述搬运机构具有从被处理面侧保持膜基板、进行搬运、在从上述被处理面侧挤压的同时将膜基板放置到操作台上的搬入用保持部和从用静电力保持膜基板的操作台将膜基板搬出的搬出用保持部。
第16个发明是，在第15发明所述的装置中，所述搬出用保持部通过吸引吸附将膜基板保持、将膜基板的端部区域朝操作台挤压。
第17个发明是，在第15发明所述的装置中，所述搬出用保持部先将膜基板的端部保持，然后将膜基板整体从操作台举起。
根据上面所述的本发明的膜基板处理装置和方法，在减压气氛下对膜基板进行处理时，可将膜基板稳稳地保持在操作台上。此外，根据本发明的膜基板处理装置和膜基板搬出方法，不用强力就可从用静电力保持膜基板的操作台将该膜基板接取。
                          附图说明
图1A是操作室结构的示意图。
图1B是说明用等离子体处理基板的原理的图。
图2是膜基板处理装置的平面图。
图3是操作室的纵向剖面图。
图4是膜基板处理装置的操作流程图。
图5是膜基板处理装置的操作流程图。
图6是第1吸附部的正面图。
图7是吸附膜基板的第1吸附部的底面图。
图8是说明第1吸附部将膜基板传送给操作台的情况的图。
图9是说明第1吸附部将膜基板传送给操作台的情况的图。
图10是第1吸附部将膜基板传送给操作台时的时序图。
图11是第2吸附部的正面图。
图12是吸附膜基板的第2吸附部的底面图。
图13是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的状态的图。
图14是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的状态的图。
图15是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。
图16是第2吸附部从操作台接取膜基板时的时序图。
图17是第1吸附部的另一例的正面图。
图18是第1吸附部的另一例的底面图。
图19是第2吸附部的另一例的正面图。
图20是第2吸附部的又一例的正面图。
第21是第2吸附部的又一例的底面图。
图22是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。
图23是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。
图24是说明第2吸附部从操作台接取膜基板的情况的图。
图25是说明用电流计代替图6所示的电压计的情况的图。
图26是膜基板从第1吸附部传送至操作台时的时序图。
                             具体实施方式
下面根据附图对本发明的实施例作详细说明。
图1A是膜基板处理装置的操作室，图1B是说明等离子处理的原理的图。
本实施例的膜基板2是0.05-0.5mm厚的挠性绝缘膜，其上面有用金属膜形成的布线图。该绝缘膜是合成树脂，例如PET、聚酰亚胺、PPS等。当然，本发明不限于这样的膜基板2乃自不待言。
首先，说明本发明的等离子处理装置的原理。在图1A所示的操作室8内设置具有电极的操作台8b，将膜基板2等电路基板自动搬入操作台8b上。将操作室8内的气体排出并导入规定的反应气体，维持规定的减压状态，从高频电源8c施加100-500W高频电力(随处理时间变化)，使操作室8内产生氧等离子体。如图1B所示，用产生的氧等离子体对保持在操作台8b上的基板2的表面进行等离子处理。基板2表面上的有机物中的碳原子与离子化的氧反应，成为二氧化碳的气相，从下部的排气口排出。由此，基板2表面的有机物被自动除去。这样，就可以使得基板电极等的用于将集成电路片、零部件等接合的接合部的表面活化，强化其接合力。
下面，具体说明膜基板处理装置。
如图2所示，膜基板处理装置具有：
将一对膜基板2保持、搬入膜基板处理装置机身10内的基板搬入滑动器1，
从基板搬入滑动器1将一对膜基板2吸附保持并进行移动的一对搬运臂装置(搬入用保持部、搬出用保持部的一部分)3A、3B，
将一对搬运臂装置3A、3B固定、支承并沿基板搬运方向(图2的左方向)F移动的移动装置4，
具有对一对膜基板2进行等离子处理的第1操作室8A和第2操作室8B的等离子操作室8，
将一对膜基板2保持、从膜基板处理装置机身10搬出的基板搬出滑动器9。
上述基板搬入滑动器1位于膜基板处理装置机身10外的基板搬入准备位置A与膜基板处理装置机身10内的基板搬入位置B之间，在将膜基板2吸附保持的同时，通过马达或汽缸等驱动装置的驱动进行移动。
在上述移动装置4中，一对搬运臂装置3A、3B固定、支承于移动体4a上。移动体4a可由辅助马达4c等驱动装置驱动，顺着导向部件4沿基板搬运方向F往复移动。
一对搬运臂装置3A、3B各具有固定在移动体4a上的马达等臂部驱动装置6a和由该臂部驱动装置6a驱动、在轴方向(与基板搬运方向F垂直的方向)移动的臂部6。搬运臂装置3A在臂部6的前端有一对第1吸附部7A，搬运臂装置3B在臂部6的前端有一对第2吸附部7B。第1吸附部7A和第2吸附部7B可借助吸附部升降装置7a上下移动。将第1吸附部7A和第2吸附部7B下降至下端位置，通过图中未标出的吸引装置的驱动，可同时将一对膜基板2吸附保持。此外，通过臂部驱动装置6a的驱动，一对第1吸附部7A或第2吸附部7B可在位于移动体4a近旁侧的基板搬入滑动器1或基板搬出滑动器9与各操作室8之间移动。这样，一对膜基板2可同时在两装置之间进行交接。
一方(图2中，在右侧，即，靠近基板搬入侧)的搬运臂装置3A是将膜基板2搬入操作室8A、8B的搬运臂装置。另一方(图2中，在左侧，即，靠近基板搬出侧)的搬运臂装置3B是将膜基板2从操作室8A、8B搬出的搬运臂装置。由此，各搬运臂装置一直吸附着等离子处理前的膜基板2或等离子处理后的膜基板2。由于等离子处理前后的膜基板2用不同的搬运臂装置吸附，因此，可消除由吸附引起的污染。
上述基板搬出滑动器9在将一对膜基板2吸附保持的同时，通过马达或汽缸等驱动装置的驱动，在膜基板处理装置机身10内的基板搬出位置C与装置机身10外的基板搬出准备位置D之间移动。保持一对膜基板2的方法不限于吸附，也可采用其它手段，例如，可以用系缚部件等进行保持。
第1操作室8A和第2操作室8B可各自独立地进行等离子处理。这样，例如，在一方的操作室进行等离子处理时，可将另一方操作室中作完了等离子体处理的膜基板2搬出、再搬入下一批膜基板2。膜基板2从操作室8的进出在图1(或后述的图3)所示的盖子8a打开的状态下进行。盖子8a通过开盖关盖用的汽缸的驱动进行开关。
第1操作室8A和第2操作室8B为同一结构，操作室8如图3所示。在图3中，8a为在上下方向上滑动、开关的操作室8的盖子，8e为配置在操作室8侧壁内面的石英覆层，8g为使基板静电吸附用的DC电极与施加了高频电力的操作台8b绝缘的绝缘材料，8h为使操作台8b冷却的冷却水流路，8I为向冷却水流路供应冷却水的冷却水管，8k为用于使操作台8b与操作室8绝缘的由氧化铝等构成的绝缘体，8m为由不锈钢SUS304等构成的操作室8的侧壁，8n为由不锈钢SUS304等构成的操作室8的基座，8p为与基板静电吸附用的DC电源8t连接的基板静电吸附用的DC电极，8q为用于形成操作台8b的冷却水流路的由SUS304等构成的水冷却套，8r为与高频电源8c连接的高频施加电极。
操作室8的侧壁8m、基座8n、盖子8a接地。因此，将膜基板2放置在各操作室8内的操作台8b上后，DC电压从基板静电吸附用的DC电源8t施加到基板静电吸附用的DC电极8p上，膜基板2由于静电吸附作用而吸附在操作台8b上。等离子处理中，膜基板2就这样以被静电吸附的状态保持着。等离子处理结束后取出时，使DC电压停止施加在基板静电吸附用的DC电极8p上或使电压作用于反方向上，使膜基板2容易地从操作台8b上取出。
图4和图5是操作室8为一个(第1操作室8A或第2操作室8B)的情况下的膜基板处理装置的操作流程图。
首先，保持着一对膜基板2的基板搬入滑动器1从基板搬入准备位置A移向基板搬入位置B(参见图2)。移动装置4将搬运臂装置3A的一对第1吸附部7A移至膜基板2的上方。吸附部升降装置7a使第1吸附部7A下降，与膜基板2接触，通过形成于第1吸附部7A的吸引孔进行吸引。由此，各第1吸附部7A将膜基板2从被处理面例吸引吸附。
接着，吸附部升降装置7a提升第1吸附部7A，同时，臂部驱动装置6a将臂部6移向操作室8侧，在从被处理面侧保持膜基板2的同时将膜基板2搬入操作室8内(步骤S11)。吸附部升降装置7a使一对第1吸附部7A在操作室8内下降，膜基板2被传送至操作台8b(步骤S12～S16)。
下面，就膜基板2从第1吸附部7A传送至操作台8b的情况作更详细的说明。
图6显示第1吸附部7A的结构和在第1吸附部7A与操作台8b之间交接膜基板2之前的情况，图7是吸附了膜基板2的第1吸附部7A的底面图。在第1吸附部7A上装有在机身块体71的下表面上有吸引孔的用弹性体制成的吸附垫72，沿着膜基板2的纵向装有2个挤压部件73。挤压部件73例如用不锈钢制成。吸附垫72的下端从挤压部件73的下表面向下略微突出，在吸附垫72吸附膜基板2的状态下，在膜基板2与挤压部件73的下表面之间存在微小的间隙。
吸附垫72的吸引孔经过机身块体71内的流路与2根管线连接，一根管线通过阀511与空气供给部512连接，另一根管线通过阀521与排气部522连接。2个阀511、521由总体控制部53进行电动开关控制。由于用操作台8b进行静电吸引，因此，总体控制部53也控制与操作台8b连接的DC电源8t，由DC电源8t施加在操作台8b上的电压用电压计55测定，测定值输入总体控制部53。
图8和图9显示第1吸附部7A从图7所示状态将膜基板2放置到操作台8b上的情况，图10是此时的运作时序图。在第1吸附部7A从被处理面侧将膜基板2保持并将其放置到操作台8b上时，如图8所示，吸附垫72碰撞操作台8b，发生弹性变形。由此，膜基板2与挤压部件73下表面之间的间隙消失，挤压部件73将膜基板2的纵向端部朝操作台8b侧挤压(图4：步骤S12)。
第1吸附部7A(嘴部)充分下降后，如图10所示，用于静电吸附(静电吸持)的电压(2kV～3kV)从DC电源8t施加到操作台8b上(步骤S13)。经过规定时间T1(0.1-0.3秒)后，根据图6所示的电压计55的检测值确认电压稳定(步骤S14)，然后，阀521关闭，第1吸附部7A的吸引吸附停止，膜基板2的保持(holding)被解除(步骤S15)。接着，阀511打开，来自空气供给部512的压缩空气从吸附垫72喷出，向膜基板2吹气。在吹气时间T2(0.1-0.5秒)期间维持吹气，在吹气临结束前，第1吸附部7A处于下限位置的下限维持时间T3(通常，T3＝T1+T2)经过，如图9所示，第1吸附部7A将膜基板2留在操作台8b上，向上升起(步骤S16)。
如上面所描述的，在膜基板2传送至操作台8b时，膜基板2的端部区域被挤压部件73从被处理面侧挤压，并同时被放置到操作台8b上，操作台8b通过静电力将与被处理面相反侧的表面稳稳保持，由此，不用向膜基板2施加强力，就可平稳地将膜基板2从第1吸附部7A传送至操作台8b。由于第1吸附部7A吸引吸附膜基板2，因此，可容易地在大气压下将膜基板2搬入操作室8内。
膜基板2传送至操作台8b后，一对第1吸附部7A由图2所示的臂部驱动装置6a传送至操作室8的外面作准备，操作室8的盖子8a关闭(步骤S17)。操作室8内的空气被排出、减压(约0.1-1P)，氩气、氧气等反应气体以5-20cc/min的速率导入(步骤S18)，在操作台8b上施加100-500W高频电力5-30秒，操作室8内产生等离子体(步骤S19)。操作室8内的压力为1-50P。以这样的方式，用等离子体对各膜基板2的被处理面进行清洗、改性等处理。
等离子处理结束后，操作室8内恢复至大气压，操作室8的盖子8a打开(步骤S20、S21)，搬运臂装置3B的第2吸附部7B由臂部驱动装置6a驱动，进入操作室8内。然后，在操作台8b与第2吸附部7B之间进行膜基板2的交接(图5：步骤S31～S36)。
图11是第2吸附部7B结构的正面图，图12是吸附了膜基板2的第2吸附部7B的底面图。第2吸附部7B的机身块体74的下表面的纵向两端部上固定有吸附垫75a。在下表面的中心附近，吸附垫75b装在可上下移动的轴杆761的前端。上述吸附垫75a、75b用金属或合成树脂制成。轴杆761由于弹簧762而具有向下的能量，在没有力作用于吸附垫75b的状态下，吸附垫75b的下端处于比吸附垫75a的下端略低的位置。各吸附垫75a、75b的吸引孔与图6所示的第1吸附部7A同样，通过阀与空气供给部512和排气部522连接，吸引和吹气由总体控制部53控制。
图13至图15显示从图11所示状态开始，第2吸附部7B将膜基板2从操作台8b接取的情况。图16是此时的运作时序图。
首先，第2吸附部7B下降，吸附垫75B与膜基板2的中心附近接触，弹簧762被压缩后，吸附垫75a如图13所示，与膜基板2的端部区域接触(步骤S31)。
第2吸附部7B(嘴部)充分下降后，通过吸附垫75a、75b的吸引开始(步骤S32)，用于静电吸持的电压被解除(步骤S33)。此时，如图16所示，在很短的时间T4(0.5-1秒)期间，施加反电压V1(-1kV～-2kV)。电压解除根据电压计55的检测值测出(步骤S34)，并且，在第2吸附部7B的位置稳定于下限的下限稳定时间T5(1-1.5秒)经过后，第2吸附部7B借助搬运臂装置3B的吸附部升降装置7a离开操作台8b。
由于吸附垫75b可上下移动并由于弹簧762而具有向下的能量，因此，如图14所示，首先，吸附垫75a离开操作台8b，仅膜基板2的端部被举起(步骤S35)。然后，第2吸附部7B进一步上升，吸附垫75b离开操作台8b，如图15所示，膜基板2整体与操作台8b分离(步骤S36)。
通过上述交接操作，即使在膜基板2紧密附着于操作台8b的情况下，也不用施加强力就可使膜基板2从端部开始剥离、将其传送至第2吸附部7B。此外，由于在操作台8b上施加反电压后用于静电吸持的电压解除，因此，可妥善地除去膜基板2的电荷，并得以在膜基板2与操作台8b分离时进一步减小作用于膜基板2上的力。通过第2吸附部7B以静电力吸引吸附膜基板2，可以在大气压下容易地将膜基板2从操作室8搬出。
一对第2吸附部7B与膜基板2一起通过臂部驱动装置6a的驱动，传送至操作室8的外面作准备，进行膜基板2的搬出(步骤S37)。第2吸附部7B通过吸附部升降装置7a降下，使膜基板2与位于基板搬出准备位置C的基板搬出滑动器9接触，从吸附垫75a、75b吹气，传送至上方作准备，将膜基板2移至基板搬出滑动器9上。基板搬出滑动器9从基板搬出准备位置C移向基板搬出位置D，经过处理的膜基板2被搬出膜基板处理装置。
如上所述，在等离子处理装置中，在减压的操作室8内，膜基板2通过静电吸持加以保持，而在操作室8外，通过吸引吸附加以保持，由此，可稳妥地搬运和处理膜基板2。此外，由于第1吸附部7A边将膜基板2朝操作台8b侧挤压、边交接膜基板2，因此，即使对象物具有挠性，也可使对象物紧密附着于操作台8b(静电吸持器)上，稳妥地保持对象物。另一方面，在从操作台8b接取时，第2吸附部7B也是先将膜基板2的两端部从操作台8b举起，然后使膜基板2整体与操作台8b分离，由此可稳妥地接取具有挠性的对象物。
图17是第1吸附部7A的另一例的正面图，图18是吸附了膜基板2的第1吸附部7A的底面图。图17和图18所示的第1吸附部7A，其机身块体71a的底面712a为经过镜面加工的平面，比膜基板2的尺寸大。多个吸引孔711直接形成在机身块体71a的底面712a上。通过第1吸附部7A将膜基板2放置到操作台8b上时，由于机身块体71a的底面712a将膜基板2的至少整个边缘部朝操作台8b侧挤压，因此，可稳稳地将膜基板2保持在操作台8b上。
图19是简化了的第2吸附部7B之一例的正面图。图19所示的第2吸附部7B只有一个吸附垫75c，吸附垫75c吸引吸附膜基板2的端部。这样，第2吸附部7B上升时，首先，膜基板2的端部如图19所示，被从操作台8b举起，随着第2吸附部7B进一步上升，膜基板2整体与操作台8b分离。
图20是第2吸附部7B的又一例的正面图，图21是底面图。图20和图21所示的第2吸附部7B，其机身块体71b的底面712b为具有与操作台8b平行的中心轴(在图20中，为与纸面垂直的线)的圆弧面，底面712b的一侧端部有吸引孔711a，另一侧端部有吸引孔711b。机身块体71的上表面装有转动臂721，转动臂721能够以接头722为中心进行转动。接头722装在固定于图2所示的臂部6的固定臂723上。机身块体71的底面(圆弧面)712b的中心轴位于接头722。
第2吸附部7B接取膜基板2时，首先，第2吸附部7B整体下降，机身块体71b与膜基板2接触，如图22所示，固定臂723朝膜基板2的端部(向图21所示的吸引孔711a侧)移动。此时，机身块体71b以接头722为中心进行转动，吸引孔711a与膜基板2接触。由于接头722位于底面(圆弧面)712b的中心轴上，因此，无需使固定臂723上下移动。
接着，在图22所示的状态下，吸引孔711a开始吸引，固定臂723朝膜基板2的另一方端部(向吸引孔711b侧)移动。由此，被吸引孔711a吸引吸附的膜基板2的端部被从操作台8b举起，不久，膜基板2整体沿底面712b与操作台8b分离，变成图23所示的状态。并且，吸引孔711b开始吸引，膜基板2整体被底面712b吸引吸附。
然后，固定臂723向图23的左横方向移动，在固定臂723与转动臂721成一直线之际，固定臂723上升，由此，如图24所示，膜基板2整体与操作室8b分离，膜基板2完全传送到第2吸附部7B上。
在膜基板2从第2吸附部7B向图2所示的基板搬出滑动器9传送时，在底面712b的中心就要与基板搬出滑动器9接触之前的状态下，从吸引孔711b中最靠边的一个至另一端的吸引孔711a依次进行吹气。这样，膜基板2可不受吹气的影响，从吸引孔711b侧稳稳地放置到基板搬出滑动器9上的规定位置。此外，也可以在第2吸附部7B底面712b的中心将膜基板2夹持、与基板搬出滑动器9接触的状态下从所有的吸引孔711a、711b同时吹气。
图25显示用电流计55a代替图6所示的电压计55的情况，图26是膜基板2从第1吸附部7A传送至操作台8b时的运作时序图。
使用电流计55a时，第1吸附部7A下降、DC电源8t处于ON的状态后，如图26所示，电流短时间地(0.1-0.2秒)流向操作台8b。电流计55a测出此电流，将数值输入总体控制部53。总体控制部53测出电流值充分下降后，解除第1吸附部7A的吸附，开始吹气。即，在图4所示的步骤S14中，代替电压，对电流进行确认，由此，可稳妥地通过操作台8b加以保持。
除了用电流检测代替电压检测之外，也可同时对电压、电流进行检测。此时，不但可更稳妥地用电压和电流控制交接时机，而且，只要电压和电流中有任何一个出现异常时，就能检测出来。
上面对本发明的实施方式进行了说明，但本发明不限于上述实施方式，可以进行各种变化。
例如，只要第1吸附部7A和第2吸附部7B的结构具有同等功能，就可进行适当变化。第1吸附部7A可以使膜基板2的方向彼此相反的端部区域和其它区域产生朝向操作台8b的能量，第2吸附部7B也可以采用将膜基板2的端部举起后使其整体与操作台8b分离的其它结构。此外，还可以用吸引吸附以外的方法保持膜基板2。
另外，在操作室8对膜基板2进行的处理不限于等离子处理，也可以用电子束、紫外线、高速原子束等进行处理。

Claims (17)

1.一种膜基板处理装置，它具有：
用静电力将膜基板的与被处理面相反侧的背面进行保持的操作台，
内部配置有上述操作台的操作室，
在上述操作室被减压的状态下对上述用操作台加以保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，
从被处理面侧保持膜基板、进行搬运、边从上述被处理面侧进行挤压边将膜基板放置至上述操作台上的搬运机构。
2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述搬运机构具有通过吸引吸附来保持膜基板的搬入用保持部。
3.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述搬入用保持部具有将膜基板的至少端部区域朝上述操作台挤压的挤压部件。
4.如权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述搬入用保持部具有将膜基板的整个边缘部朝上述操作台挤压的挤压面。
5.一种膜基板的处理方法，它具有：
通过搬入用保持部从被处理面将膜基板保持、进行搬运的搬运工序，
上述搬入用保持部边从被处理面侧挤压膜基板边将膜基板放置到操作台上的放置工序，
上述操作台通过静电力对与上述被处理面相反侧的膜基板的背面进行保持的操作台保持工序，
将上述操作台周围减压的减压工序，
对上述膜基板的被处理面进行规定处理的处理工序。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的的至少端部朝操作台挤压。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述放置工序中，所述搬入用保持部将膜基板的整个边缘部朝操作台挤压。
8.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述操作台保持工序包括：
施加电压于操作台，
在上述电压变化后，解除搬入用保持部对膜基板的保持。
9.如权利要求5至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述操作台保持工序包括：
施加电压于操作台，
对流向操作台的电流和施加电压后的电流下降进行检测，
在检测出上述电流下降后解除搬入用保持部对膜基板的保持。
10.一种膜基板处理装置，它具有将膜基板从通过静电力将膜基板保持的操作台搬出的搬出用保持部，
其特征在于，所述搬出用保持部具有将膜基板端部保持、从操作台举起的端部举起部和将膜基板的其它部位保持、使膜基板整体与操作台分离的整体分离部。
11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述端部举起部为与膜基板接触并进行吸附的圆弧面的一侧部位，而所述整体分离部为圆弧面的其它部位。
12.一种膜基板的搬出方法，它将膜基板从保持膜基板的操作台搬出，它具有：
端部举起部将操作台上的膜基板的端部保持、整体分离部将其它部位保持的保持工序，
端部举起部离开操作台、将膜基板端部从操作台举起的端部举起工序，
整体分离部离开操作台、使膜基板整体与操作台分离的整体分离工序。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，
操作台通过静电力将膜基板保持，
在端部举起工序之前，还具有将施加在操作台上的电压解除的电压解除工序和检测操作台电压变化的电压检测工序。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，在电压解除工序之前，还具有施加反电压于操作台的反电压施加工序。
15.一种膜基板处理装置，它具有搬运膜基板的搬运机构、用静电力保持膜基板的与被处理面相反侧的背面的操作台、内部配置有上述操作台的操作室、在上述操作室处于减压状态下对由操作台保持的膜基板的被处理面进行规定处理的处理部，
其特征在于，所述搬运机构具有保持膜基板、进行搬运、在从上述被处理面侧挤压的同时将膜基板放置到操作台上的搬入用保持部和从用静电力保持膜基板的操作台将膜基板搬出的搬出用保持部。
16.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述搬出用保持部通过吸引吸附将膜基板保持、将膜基板的端部区域朝操作台挤压。
17.如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述搬出用保持部先将膜基板的端部保持，然后将膜基板整体从操作台举起。
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