CN1149636C - 晶片和基底的加工方法和装置及传送该晶片和基底的装置 - Google Patents

晶片和基底的加工方法和装置及传送该晶片和基底的装置 Download PDF

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Abstract

为使加工或检验晶片或基底的步骤更合理并提高半导体装置或液晶面板的生产效率，在该晶片或基底被传送经过的通路中的一个位置上设置用于在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中产生气体放电的单元，该晶片的表面被暴露于由气体放电发生单元所产生的放电气体的激发和活化形态之下，适当地选择所述放电气体的类型，按在线方式完成对所述晶片的表面处理，例如抛光、清洗和提供亲水性。

Description

晶片和基底的加工方法和装置及 传送该晶片和基底的装置
本发明涉及在半导体装置(例如半导体器件或LSI或液晶显示板)的制造工艺过程中使用的一种方法和一种装置，该方法和该装置可以这样地来加工晶片和基底，结果，传送装置(例如遥控臂和传送带)被用来自动地传送晶片和基底，以便连续地完成各种工艺过程，例如成膜工艺、蚀刻工艺和离子注入工艺，或厚度、电特性、外观等的各种检验。
更具体地讲，本发明涉及一种用于将一系列晶片或基底由一个暗盒传送至另一个暗盒的装置。
通常，一直是按照这样一种方式制造半导体装置或液晶显示板，使得可以完成各种工艺，例如通过溅射或类似方法在晶片或基底的表面上形成薄膜、使用利用光刻膜的光刻工艺、完成热处理和引入杂质。作为前述那些工艺(即所述晶片或所述基体的表面的改善、脱油渍和洗涤)的一种在先的或在后的工艺，完成用于除去可以粘附在上述表面上的金属的和外来的物质的脱油渍、洗涤或类似工艺。此外，还要在该制造工艺过程中或在所述产品生产出来之后根据要求完成各种对外观、尺寸、厚度、电阻值、电特性和类似指标的检验。在前述那些工艺之间，或在检验过程之间，作为一批，将大量的(例如10到25个)晶片或基底放到一个暗盒上并且传送走，使得生产率得以改善。近来，以上那些工艺的每一种的自动化已经受到重视并且业已研究出一种用于自动传送晶片或基底并且用于连续地完成所述各种工艺的连续工艺系统，结果，使得所述生产工艺更为合理并且业已提高了生产率。前述的自动化的趋势导致操作人员数量的减少，而这些操作人员正是产生尘埃的来源，结果，使生产区的环境的清洁度得以改善并且防止了产品的缺陷。
具体讲，当利用溅射法形成一种薄膜时，一般采用这样一种工艺，例如，在这种工艺中，在形成Al-Cu+TiN膜之前，是形成Ti+TiN膜，而后使用一种抛光机，利用氧等离子体使TiN膜氧化，以便改善势垒特性。当形成保护膜时，在将该防蚀涂料涂到所述晶片或基底上之前直接利用所述抛光机用氧等离子体处理该晶片或基底，以便使该晶片或基底的表面具有亲水性，这使得在接下去的湿蚀刻工艺中加入蚀刻溶液变得更为方便。同样，在湿蚀刻过程完成之前直接利用抛光机用氧等离子体处理所述晶片或基底，结果，所述保护膜获得亲水性并因此使得加入所述蚀刻溶液变得更为方便。
尽管干蚀刻工艺通常是利用真空中产生的等离子体完成的，但该保护膜上的浮渣是在所述干蚀刻完成之前利用一种抛光机用氧等离子体除去的；并且在该蚀刻过程完成之后，用CF4、O2或类似物质对表面进行处理、以便完成防腐蚀工艺。为了彻底地除掉残余的光刻胶，利用抛光用氧等离子体除去由于所述蚀刻工艺被等离子体破坏了的一层光刻胶膜；并且残余的光刻胶膜利用一台抛光机用氧等离子体除去；并且残余的光刻胶膜是通过一种使用化学溶液的湿式方法分离的。该抛光工艺和接下去的用于分离所述光刻胶膜的工艺分别使用专用的暗盒以防止所述晶片或基底被污染。此外，还使用一种专门的装置将大量的晶片或基底由一个暗盒传送到另一个暗盒，以便完成一种连续的工艺过程。
为了适应所述晶片或基底的作用，要通过湿洗工艺用硫酸、有机溶剂、纯水、擦洗剂或类似材料对该晶片或基底进行洗涤，或者通过干洗工艺用臭氧、紫外线、氧等离子体或类似手段进行洗涤。通过恰当地设定进行洗涤的位置、洗涤方法和洗涤条件，对所述晶片或基底进行令人满意地洗涤。这样，就可以保持形成于所述晶片或基底之上的薄膜的质量、厚度以及与其底部的接触。此外，除去在所述薄膜形成前后容易粘附到所述晶片或基底表面上的外来物将防止产生缺陷并提高生产率，这样就降低了生产成本并提高了可靠性。同时，还为了防止由于容易粘附到用于传送和容纳所述晶片或基底的暗盒上的灰尘和/或外来物对该晶片或基底的污染，对该暗盒应当进行定期洗涤。
然而，由于常规的抛光和一般是在真空中产生等离子体，所以需要一种专门的装置，例如真空室或真空泵。因此，该装置的整体尺寸很大，它的构造复杂；并且该装置价格昂贵，这样就导致不可能降低成本。更糟的是，在用于完成溅射、形成光刻胶膜和利用所述抛光机完成蚀刻工艺的这些一体化的工艺设备中，为了自动地并且连续地完成所述这些顺序的工序，困难增加了。这样，就产生了一个问题，这就是所述生产工艺的合理化和提高生产率受到了限制。例如，如上所述的干蚀刻工艺需要一台抛光机、一台用于分离所述光刻胶膜的装置和一台用于在上述设备之间传送所述晶片的装置，以便完全除去所述光刻胶。进而，因为抛光、晶片传送和光刻胶分离是单独完成的，所以工艺操作太复杂，以至于不能完成，并且需要的时间也太长。此外，由于为了防止对晶片或基底的污染，上述那些工艺过程都是在一个清洁度极为良好的清洁室完成的，这个清洁室必须具有很大的空间。
制造工艺的自动化导致使用许多机械，例如遥控臂、传送带和支架。在这些传送机械的与那许许多多的被连续传送的晶片或基底直接接触的那些部分中，容易粘附到这些晶片或类似材料上的灰尘的轻微的污染会存留下来，并且随着时间的流逝而积累起来。如果使用受到这样污染的传送机械，那么业已在前面按照一种洗涤方法清洗过的基底由于所述残余的污染而被污染。于是，就出现了这样一个问题，这就是，例如在成膜过程中，膜的质量变差或产生缺陷，并因此成品率也变差。尽管常规的工艺要对所述暗盒进行以上所述的湿洗，但是所述传送机械的那些直接与所述基底接触的部分(例如遥控臂)还要接受一种简单的处理，例如由操作者用浸有有机溶剂的防尘布或类似物擦洗被污染的部分。这样，一直不能获得令人满意的清洁度。
用于处理晶片或基底的某些业已借助于一体化的一些传送机械实现自动化的装置具有更为复杂的构造并因此不可能使用所述防尘布完成擦拭所述传送机械的操作。在前述这种情况下，将直接与所述基底接触的传送机械的那些部拆卸下来并进行湿洗是有效的。然而，在湿洗过程中，必须使该工艺设备停止工作。这样，就出现了这样一个问题，这就是生产效率大大地下降了。
就前边所述看来，本发明的一个任务就是提供一种用于加工晶片或基底的装置，该装置可以连续地完成有关晶片或基底的各种工艺，例如溅射、形成光刻胶膜、湿式和干式蚀刻，以及作为随伴前述那些工艺的前处理或后处理的表面处理(例如抛光)，不需要用于实现真空状态或减压的专门的设备和清洁室；该装置可以使所述设备的整体相对地简化并且具有较低的成本；借助于该装置可以使生产工艺更为合理并且可以提高生产率。
本发明的另一个任务是提供一种用于连续地和自动地完成各种加工过程或对晶片或基底的检验过程装置和工艺方法，该装置可以在现场洗涤在传送晶片或基底时直接与该晶片或基底接触的传送机械的那些部分，而不必将该传送机械从该工艺装置上拆卸下来，借助于该装置可以防止对晶片或基底的污染而不会降低生产率，并且该装置可以提高产量、降低成本、改善生产效率和可靠性。
本发明的另一个任务是提供一种用于传送晶片或基底的装置，该装置在大量的晶片或基底在不同的工艺阶段之间由一个暗盒被输送到另一个暗盒时为了完成表面处理(例如抛光)不需要任何专门的用于获得真空状态或降低压力的设备，借助于这种装置，整个设备主体可以被简化并且它的尺寸可以缩小，可以有效地使用清洁室的空间并且安装该装置，这种装置可以低成本加以制造，这使得可以简化工艺和操作，借助于该装置可以降低成本和缩短工艺时间，以便提高生产效率。
本发明可以完成以上所述这些任务并且有一些内容将在一此实施例中参考附图加以说明。
根据本发明第一方面，提供了一种用于加工晶片或基底的装置，包括：用于加工或检验晶片或基底的设备；用于将所述晶片或所述基底向所述加工检验装置传送或从所述加工或检验装置传送走的装置；以及用于对所述晶片或所述基底进行作为所述加工或检验的前处理或后处理的表面处理的装置，其特征在于：所述表面处理装置包括用于在常压或接近常压的压力下在预定确定的放电气体中引发气体放电、以便使所述晶片或所述基底暴露于由于该气体放电而产生的所述放电气体的激发和活化形态之下的装置。
所述表面处理装置是沿着所述晶片或基底被所述传送装置传送到通过的一条通路装置的。
所述放电气体是含有氧气的气体。
所述加工或检验装置完成一系列不同的加工或检验。
所述加工或检验装置是溅射装置。
所述加工检验装置是用于形成光刻胶膜的装置。
所述加工或检验装置是湿法蚀刻装置。
所述加工或检验装置是干法蚀刻装置。
本发明还提供了一种加工晶片和基底的方法，包括以下步骤：加工或检验晶片或基底；在加工或检验晶片或基底前，或在加工或检验晶片或基底后，传送所述晶片或所述基底，以便进行所述加工或所述检验；以及清洗传送所述晶片或所述基底的传送装置；其特征在于：所述清洗过程是一种在常压或接近常压的压力下在含有氧气的气体中引发气体放电的过程，所述传送装置的直接与所述晶片或所述基底接触的那些部分被暴露于由于气体放电所产生的所述气体的激发和活化形态之下。
所述用于传送所述晶片或所述基底的过程由一系列传送过程构成的，并且所述清洗过程是一个在一个第一传送过程和一个第二传送过程之间清洗所述传送装置的过程。
本发明的另一个方面，提供了一种用于加工晶片和基底的装置，包括：用于加工或检验晶片或基底的设备；用于将所述晶片或所述基底向所述加工或所述检验装置传送或从所述加工或检验装置传送走的装置，以及用于在所述加工或检验所述晶片或基底前或者在所述加工或检验所述晶片或基底前后，不将所述晶片或基底移走就清洗所述传送装置的装置，其特征在于：所述清洗装置包括用于在常压或接近常压的压力下在含氧气的气体中引发气体放电并且将所述传送装置与所述晶片或所述基底直接接触的那些部分暴露于由于气体放电产生的所述气体的激发和活化形态之下的装置。
所述清洗装置是沿着所述晶片或所述基底被所述输送装置传送所通过的一条通路设置的。
所述的加工或检验装置是用于完成一系列不同的加工或检验的装置。
本发明又提供了一种用于加工晶片或基底的装置，包括：用于加工或检验晶片或基底的设备；当所述晶片或所述基底用所述加工或检验装置进行加工或检验时，用于夹持固定所述晶片或所述基底的装置；以及用于在所述加工或检验所述晶片或基底前或者在所述加工或检验所述晶片或基底前后，不将所述晶片或基底移走就清理所述夹持固定装置的清理装置；其特征在于：所述清理装置在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中引发气体放电，以便将所述夹持固定装置暴露于由于气体放电所产生的放电气体的激发和活化形态之下。
本发明还提供了一种用于在加工或检验晶片或基底之前或在加工或检验晶片或衬底之后输送晶片或基底的装置，包括：用于一个接一个地从一个放有许多晶片或基底的第一暗盒中取出晶片或基底的装置；用于将从所述第一暗盒中取出所述晶片或所述基底传送至一个第二暗盒的装置；以及用于将所述被传送的晶片或所述被传送的基底放入所述第二暗盒中的装置，其特征在于：所述传送装置具有用于抛光正在被传送的所述晶片或所述基底的装置，并且所述抛光装置包括用于常压或接近常压的压力下在预定的气体中引发气体放电的装置和用于将正在被输送的所述晶片或所述基底的表面暴露于由于所述气体放电产生的所述气体的激发和活化形态之下的装置。
所述气体放电发生装置具有一个尺寸大于所述晶片或所述基底的尺寸的接地电极和一个被设置在所述接地电极和所述晶片或所述基底之间并且尺寸大于所述接地电极的尺寸的介电器件，所述气体放电发生装置在所述气体放电发生装置和所述接地电极之间发生所述气体放电。
所述接地电极和所述介电器件可以由所述传送装置整体地移动，并且所述晶片或所述基底被传送时是被放置在所述介电器件之上。
所述接地电极和所述介电器件被固定在预定的位置上，并且所述晶片或所述基底被所述传送装置传送通过所述介电器件上方的一个位置。
所述抛光装置进一步包括用于将所述的预定的气体送至靠近所述气体放电发生装置的一个位置，并且所述暴露装置是用于将含有由于所述气体放电所产生的激发和活化形态的气体的气体喷射到所述晶片或所述基底的表面上的装置。
根据本发明的第一方面的用于加工晶片或基底的装置，可以连续地完成对所述晶片或基底的加工或检验、所述晶片或基底的传送以及使用由于在大气中的气体放电而产生的等离子体的前处理或后处理过程。因为为了完成所述前处理或后处理并不需要任何真空设备，所以所述工艺以及所述装置的整体结构都可以被简化。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，可以在传送所述晶片或基底的过程中完成对所述晶片或基底的所要求的表面处理。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置中，所述气体放电是在含有氧的放电气体中进行的，结果产生了氧的激发和活化形态。通过将所述晶片或基底的表面暴露于所述氧的激发和活化形态之下，可以使所述晶片及其他类似物的表面获得亲水性的抛光和表面改性。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，可以连续地完成一系列加工或检验以及随伴它们的表面处理。根据本发明的第五方面的加工装置，可以连续地完成溅射以及伴随它的对所述晶片或基底的表面处理。根据本发明的加工装置，可以连续完成光刻胶的形成及伴随它的晶片或基底的表面处理。根据本发明的加工装置，可以连续地完成湿蚀刻和它所伴随的对所述晶片或基底的表面处理。根据本发明的第八方面的加工装置，可以连续地完成干蚀刻和它所伴随的对所述晶片或基底的表面处理。
在现场利用抛光法完成对所述传送机械的清洗，而不会由于将所述传送机械暴露于在常压下所产生的氧的激发和活化形态下造成生产效率的下降，可以连续地完成对所述晶片或基底的加工或检验而不需要拆卸所述传送机械或不需要真空设备。因此，可以有效地防止由于所述传送机械使所述晶片或基底重新粘附污染物。
根据本发明的加工晶片或基底的方法，所述传送机械可以在第一次传送过程和处于空载状态(即所述传送机械上没有放置所述晶片或基底)的第二次传送过程之间进行清洗。因此，可以不中断所述晶片或基底的加工或检验。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，不需要任何真空设备的清洗装置简化了该装置的整体结构。因此，可以很容易地制造出一种具有用于加工或检验晶片或基底的装置的在线系统，结果实现了根据本发明的第九方面的方法。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，所述传统机械可以在通过传送晶片或基底的通常的操作过程中进行冲洗。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，一系列加工或检验被连续地完成，结果，使得可以清洗所述传送机械而不会使生产效率下降。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置，可以为一种用于对晶片或基底进行任何一种处理(例如溅射和蚀刻)的或用于检验晶片或基底的外观蔌电性能的装置提供一种自清洁机械。因此，一种用于夹持固定一个晶片或一个基底的装置(例如一个台架或一个平台)可以在很短时间内、在室温下和在常压下加以清洗。
根据本发明的用于输送晶片或基底的装置，为了完成打算在传送所述晶片或基底的过程中完成的抛光过程，不需要任何真空设备或用于容纳所述晶片或基底的加工室。因此，该装置的工艺和整体可以被简化，并且可以迅速处理正在被高速传送的晶片或基底。
根据本发明的用于输送晶片或基底的装置，将所述的介电器件设置在所述接地电极和所述晶片或基底之间将可以使气体放电稳定，而不会出现火花放电。通过使所述接地电极具有大于所述晶片或基底的尺寸并且通过使所述介电器件具有大于所述接地电极的尺寸，所述晶片或基底的整个表面可以被暴露于所述气体放电，而不是直接使所述接地电极暴露于气体放电。
根据本发明的用于输送晶片或基底的装置，所述介电器件和接地电极被用作放置所述晶片或基底的平台，结果，所述晶片或基底被暴露于气体放电，以便在所述晶片或基底被所述传送装置由第一个暗盒传送至第二个暗盒时加抛光。
根据本发明的用于输送晶片或基底的装置，固定所述介电器件和接地电极将可以使气体放电总是进行而不管是否存在晶片或基底。这样，就可以使气体放电稳定。
根据本发明的用于输送晶片或基底的装置，所述晶片或基底并不直接暴露于所述气体放电，结果可以防止所述晶片或基底受到损坏。通过改变用于喷射含有激发和活化形态成分的气体流的喷口的尺寸和形状，可以进行一种适合于所述晶片或基底形状的抛光工艺。
本发明的其他的任务、特性和优点通过以下的说明将显示得更为充分。
图1是一幅用图解方式显示根据本发明的晶片输送装置的结构的图；
图2是一幅显示图1所示的晶片输送装置的平面图；
图3是一幅显示图1所示的晶片输送装置的抛光机的结构的剖面图；
图4是一幅显示所述抛光机的另一个实施例的剖视图；
图5是一幅显示所述抛光机的另一个实施例的剖视图；
图6是一幅类似于图1的侧视图，显示出所述晶片输送装置的另一个实施例；
图7是一幅类似于图2的平面图，显示出所述晶片输送装置的另一个实施例；
图8是一幅局部平面图，以图解的方式显示根据本发明的用于加工晶片或基底的装置的一个传送机构；
图9是一幅局部放大侧视图，显示图8所示的一个传送臂；
图10是一幅局部放大侧视图，显示图8所示的传送臂借助根据本发明的方法用常压等离子体清洗的情况；
图11是一幅显示所述传送臂的另一个实施例的局部放大图；
图12是一幅平面图，以图解的方式显示出根据本发明的一个溅射装置；
图13A是一幅平面图，以图解方式显示出根据本发明的光刻胶模形成装置的结构，图13B是一幅前视图；
图14A是一幅平面图，以图解方式显示出根据本发明的一个湿式蚀刻装置的结构；图14B是一幅前视图；以及
图15是一幅平面图，以图解方式显示出根据本发明的一个干式蚀刻装置的结构。
现在，将参考附图对本发明的一些优选的实施例作详细的说明。
图1和2以图解方式显示出根据本发明的晶片输送装置的一个优选的实施例。根据这个实施例的一个晶片输送装置1例如，将业已接受过干式蚀刻的晶片按照从一个暗盒到另一个暗盒的方式进行输送，以便将所述晶片引导至以下的光刻胶膜分离阶段。晶片输送装置1在容纳多个晶片2的传送器暗盒3和接收器暗盒4之间包括一个用于传送晶片2的传送器装置5；一个用于从传送器暗盒3中取出晶片2放到传送器装置5上的卸载装置6；以及一个用于将晶片2由传送器装置5输送到接收器暗盒4的加载装置7。
传送器装置5包括由传送器暗盒3延伸到接收器暗盒4的导轨8以及一个由驱动装置(未示出)驱动沿两个相反的方向在导轨8上移动的滑动器9。一个用电介材料制成的并且可以在其上接收晶片2的圆盘状平台10通过一个接地的用导电材料制的底板11固定到滑动器9的上表面上。底板11呈圆盘状，其直径大于晶片的直径，而平台10的直径又大于底板11。一个根据本发明的抛光器12设置在两个暗盒9和4之间的中间位置的及导轨8的上方。
卸载器6和装载器7具有相同的结构，包括相应的旋转臂13和14，每一个臂都能前后伸缩。滑动器暗盒3和接收器暗盒4设置在相应的提升装置15和16上，使得这两个暗盒3和4的每一个都可以上下移动至所要求的高度。两个暗盒3和4包括有相应的搁物架17和18，结果许多晶片2被一个一个地设置在所述搁物架上，使得这些晶片可以可以垂直存放。
装满晶片2的传送器暗盒被提升装置15移动，使得传送器暗盒3中的最下面那个晶片2对准卸载器6的旋转臂13的高度。另一方面，空的接收器暗盒4被提升装置16移动，使得最上面一个搁物架18对准装载器7的旋转臂14的高度。卸载器6使旋转臂13伸入传送器暗盒3，结果最下面的晶片2被放在旋转臂13的前部并被取出。而后，卸载器6使旋转臂13朝向设置在靠近传送器暗盒3的位置A处的平台10旋转，此时再次伸出旋转臂13。这样，晶片2被放置在平台10的预定的位置上。当滑动器9由前述驱动装置驱动沿导轨8移动时，平台10由位置A移动到靠近接收器暗盒4的位置B。装载器7使旋转臂14伸向处在位置B的平台10，结果晶片2被取出并放到旋转臂14的前部，接下去使旋转臂14旋转，以便将晶片2放置在接近器暗盒4的搁物架18上。
平台10由所述驱动装置驱动由位置B返回位置A。传送器暗盒3由提升装置15向下移动，使得由下面位置计算的第二个晶片2的位置对准卸载器6的旋转臂13的高度。接收器暗盒4由提升装置16向上移动，使得由下面位置计算的第二个搁物架18对准装载器7的旋转臂14的高度。借助于类似的方法，由下面位置计算的第二个晶片2由传送器暗盒3中被取出，接下去由传送装置5传送，以便将晶片2放入接收器暗盒中由上面位置计算的第二个搁物架18上。通过重复上述过程，传送器暗盒中的全部晶片2都可以分别被输送接收器暗盒4中。
如图3所示，抛光器12具有一个与一个高频电源19相连的薄板形的电源电极20，以便在常压下或接近常压的压力下产生气体放电。如图3所示，电源电极20垂直地设置在与导轨8相交的方向(即与晶片2运动方向垂直的方向)上。电源电极20以可拆卸的方式通过盖21的顶部开口插入盖21，此盖在前述交叉方向上具有至少此平台10的直径长的长度，并且是用介电材料(例如石英)制成的。一个由绝缘材料构成的并且向下开口的箱形导向器件22被设置在盖21的外侧，使得在它与盖21之间形成一个狭窄的空腔。空腔23在其顶端具有一个气体导入喷口24，以便与外部供气装置25相连接，空腔23还有向下开口的下端。这样，相对于电源电极的全长形成了一条气体从上部位置向下流动所通过的气路。一个外套26被设置在导向器件22的外侧，外套26延伸至靠近通过抛光器12之下的某一位置的平台10的上表面的一个位置。
如上所述，由所述驱动装置驱动，让业已放置有晶片2的平台10以预定的速度通过抛光器12之下的那个位置。此时，由气体供给装置25供给放电气体，以取代空腔23中内部空气的气体，更进一步，由高频电源19向电极20提供高频电压。接地的底板11作为与电源电极20相对应的另一个电极，结果，在电极20的下端和晶片2的上表面之间产生气体放电，如图3所示。结果，形成了一个通过高频电源19、电源电极20、盖21、气体放电区27、晶片2、平台10和底板11(它是接地电极)的电路。此时，在相对于用绝缘材料制成的导向器件22的间隙中通常不发生放电。
放电区27直接形成在与晶片2移动所在方向垂直的方向上。当平台10按照预定的速度被移动时，晶片2的整个表面被暴露于前述气体放电之下。反应形态的放电气体在常压下或接近常压的压力下直接对晶片的整个表面进行加工。在另个一实施例中，使用微波的非电极放电同样可以产生气体放电，取代了高频放电。
因为由导电材料制成的并且尺寸大于晶片2的底板11被设置在晶片2之下，并且平台10要制作得尺寸大于如上所述的导电器件，所以可以防止底板11直接暴露于气体放电，但是晶片2的整个表面是可以暴露于放电区27的。更进一步，前述结构可以使气体放电稳定地产生而不管晶片2是否是由导电材料构成的。要注意，如果晶片2是由玻璃构成的，那么由介电材料构成的平台10可以从结构中省略掉。在这种情况，导电底板11要制作得其尺寸要稍小于晶片2的尺寸，并且晶片2被直接支撑在底板11上。如果晶片2是由导电材料构成的，那么将晶片2通过一个介电器件(例如平台10)接地是很方便的。
在这个实施例中，在进行实验时，使用氦放电气，高频电源19的频率为13.56MHz，由电源电极20到晶片2的距离为2mm，而电源电极20的长度为200mm。氦气由供气装置25通过气体引入喷口24引入空腔23，结果，用氦气取代了电源电极20的前端附近的大气。同时，将前述频率的电能由高频电源19提供给电源电极20。通过加大供给电源电极20的电能，实现对于电源电极20的整个长度都均匀的放电状态。在这种状态下，还进一步证实了这样一个事实，即处于放电区27附近的大气中的氧由于气体放电的作用成为一种活化形态，例如氧自由基，接下去氧自由基就与晶片2上的光刻胶反应。这种活化形态的光刻胶被转化为蒸气或二氧化碳，而后被蒸发掉，以便将它们除去，结果，完成了抛光。当增加氦气流速时，气体放电变得稳定。通过供给按重量计1％至2％与氦气相混合的氧气，可以使抛光速度进一步变得稳定。可以仅在放电的开头使用氦气，当放电状态已变得稳定之后，可以供给压缩空气或类似气体。
更为可取的是减少价格昂贵的氦气的量，以便降低成本。因此，根据本发明的晶片输送装置1的抛光器12具有这样的结构，这就是如此向下延伸以至于复盖晶片2的外套26很容易地防止了进入空腔23中的氦气放电。为了防止再次粘附由于对晶片2或平台10进行抛光加工而产生的反应产物，必须避免结构过分靠近。根据由本发明的发明人所做实验的结果，紧凑状态达到当所使用的氦气的流速为2至5 SLM时仍可以发生稳定的气体放电的程度较为可取。
在这个实施例中，电源电极20被用介电材料制成的盖21复盖，其上放置有晶片2的平台10是用介电材料制成的，于是，有效地防止了并在常压下实现了稳定放电。为了防止高频电磁波的泄漏，必须在导向器件22的外侧设置一个接地的金属器件。在这种情况，导向器件22必须具有足够的厚度，以便防止在导向器件22与电源电极20之间发生放电。
电源电极20要用盖21复盖，以便防止由于放电而被氧化或损坏。如果盖21过厚，则电阻加大，因此必须提高由高频电源输出的输出电压的电压值。如果盖21太薄，则盖21会出现绝缘受到破坏的危险。根据本发明的发明人所做实验的结果，盖21和平台10之中任一种的厚度大约为0.5mm至3mm较为可取，尽管这还取决于电源的频率、放电气体的类型、从电源电极20到晶片2的距离等因素。
按照与从电源电极20到晶片2的距离成反比的关系，提高抛光速度。然而，在所述晶片的表面上所发生的放电状态并不总是保持恒定，因为这取决于所述晶片表面的粗糙度、出现在所述晶片表面上的薄金属部分以及电极20和晶片2或晶片传送装置之间的平衡程度。在所述晶片的表面上放电状态的强度分布中出现明显的差别与从所述电极到所述晶片的距离成反比。如果从所述电极到所述晶片的距离被加上，放电就不容易发生，因此，必须提高由电源19输出的电压。根据本发明的发明人所做的实验的结果，通过将由电源电极20到晶片2的距离设定为大约1mm到20mm、最好是从大约1mm到5mm，实现了令人满意的放电状态。
而后，使用氮气和按重量计1％至2％的氧的混合气体和大气(压缩空气)代替氦完成实验。通常，为了在除氦和氖以外的气体中发生气体放电，需要高电压值。如果所述电源频率高，就不容易将高电压加到所述电极上。如果所述电源的频率太低，就容易发生等离子体流束放电或火花放电。结果，在待处理的晶片的表面上发生了充电。
而后在如下条件下进行实验：电源19的频率为13.56MHz、400KHz和10KHt，使用大气为环境，以及从电源电极20到晶片20的距离为3mm。结果如下：在频率为13.56的条件下不出现气体放电，在频率为400KHz条件下气体发电不稳定。虽然在频率为10KHt条件下发生了稳定的气体放电，但是这种气体放电是等离子束流放电。进一步证实，如果设置在电极20外侧的盖21的厚度不厚，那么所述气体放电就转化为火花放电。尽管所述晶片可以利用等离子体束流进行抛光，但加工的效果不规则。因此，在前述条件下，按照与所述频率成反比，并与所述电压成正比的条件下可以获得令人满意的结果。如果所述频率超过400KHz，则可以获得特别令人满意的结果。
当将压缩空气沿水平方向输向放电区27时，放电由等离子体束流放电转变为辉光放电。在前述情况下，抛光速度被降低，但抛光加工的结果并不象用等离子体束流放电那样变得不规则。在任何情况下这都是有效的，这是因为按照与电源的频率成正比的关系可以防止在晶片的表面上产生的充电现象。当如上所述将压缩空气沿水平方向输向放电区27时，可以获得更为令人满意的结果。
图4示出了抛光器12的另一个实例。根据这个实施例的抛光器12包括两个电源电极28和29，这两个电极之中的每一个都由一个类似于根据图3所示实施例的电源电极20的薄片形导电器件构成。这两个电极28和29被相应的盖30和31所覆盖，这两个盖之中的每一个都是由介电材料制成的。这两个电源电极28和29垂直地设置在与晶片2垂直的方向上，同时安装的位置使它们彼此离开。这样，在这两个电源电极28和29之间形成了空腔32。空腔32具有通过一个气体引入喷口33与供气装置2相连的顶端，空腔32的下端朝向晶片2的上表面开口。一个用绝缘材料制成的箱形套34被设置在电源电极28和29的盖30和31的外侧。套34的下端如此延伸达到靠近晶片2的上表面的一个位置，以至于将晶片2盖住。
通过由电源19向两个电源电极28和29施加高频电压，同时，由供气装置25向空腔32供应放电气体，在这两个电源电极28和29和晶片2之间发生气体放电。在这个实施例中，共用了两个电源电极，结束，可以获得较大的放电区域35，并因此可以同时对较大的晶片面积进行处理。
图5示出了抛光器12的另一个实施例，这个抛光器12可以对晶片2进行抛光，同时又保护晶片2免于直接暴露于气体放电之下。根据这个实施例的抛光器12具有类似于图3所示的实施例的抛光器的结构，结果，一个与高频电源19相连的薄板状电极20以可拆卸的方式穿过盖21的上端被插入由介电材料制成的盖21中。电极20被竖直地设置在与晶片2运动方向垂直的方向上。一个由绝缘材料构成的导向器件36设置在盖21的外侧，以便按照预先确定的小间隙面对盖21的两个外侧表面。导向器件36的下端部分37向内倾斜，并且下端部分37的前端延伸至低于电源电极20的前端。一对用作与电源电极20相对应的接地电极38加到下端部分37的外表面上。
空腔39形成在盖21和导向器件36之间，空腔38的顶部穿过气体引入喷口40与一个外部供气装置25相连。空腔39的下端穿过一个由导向器件36的下端部分37形成的窄且直的形状的气体喷口41朝外开口。当放电气体由供气装置25送入空腔39，并且高频电压由高频电源19加到电极20上时，如所说明的那样，在电源电极20和接地电极38之间的某一位置处的空腔39中发生气体放电。因此，在这个实施例中，没有必要象图3所示实施例那样，将接地电极(例如底板11)设置在晶片2之下并且将晶片2放置在介电平台10之上。
例如，通过供给按重量计含1％至2％的氧的氦气、同样按重量计含1％至2％的氧的氮气或压缩空气为放电气体，在放电区42产生所述抛光工艺所需要的氧的活化形态。由于从气体供给装置25连接地供应放电气，就形成了氧的活化形态并进入气流，该气流向下喷向晶片2的表面，结果，可以对晶片2的表面进行抛光。当该气流向外喷射而同时晶片由传送器暗盒被移向接收器暗盒时，即使晶片2具有很大的尺寸，它的整个表面也可以加以处理。
因为在这个实施例中晶片2不直接暴露于放电区域42，即使不发生稳定的辉光放电而发生等离子体束流放电(这取决于电源频率或气体形态的类型)，抛光仍然可以相当均匀地进行。取决于放电类型的产生氧的活化形态的差别导致了抛光速度的差别。如果使用压缩空气作为放电气体，那么提高流速可以防止等离子体束流放电。此外，降低电源频率将减少成本，同时不必使用氦气。如果为气体喷口41设置一个接地金属网43，则可以捕获并中和气流中的含等离子体中的离子和电子。这样，就可以防止在晶片2的表面上发生充电。
图6示出了根据本发明的晶片输送装置的另一个实施例。在这个实施例中，传送装置5包括一个由两个驱动辊44驱动以预定的速度按箭头所指方向运动的循环传送带45。传送带45受到操纵，使它通过两个暗盒3和4，同时保持预先确定的水平状态。被装在传送器暗盒中的晶片2可以一个接一个地放在传送带45上，以便通过由升降装置15按照预定的间隔连续地向下移动传送器暗盒而顺序地将它们传送走，传送是由处在最下面那个搁物架17上的晶片2开始，被传送到接收器暗盒4中的晶片2通过由升降装置6按照预定的间隔、按照在最上层搁物架18开始放置传送带4上的晶片2的方式向上连续移动接收器暗盒4，一个一个地被放置。
抛光器12被设置在两个暗盒之间的一个中间位置，这个中间位置是恰好在传送带45上的位置，与放置在抛光器12之上的晶片2保持一微小间隙。这个实施例与图1至3所示的实施例不同，使得与抛光器12的电源电极相对应的接地电极46和被置于接地电极46和晶片2之间的介电器件47并没有设置在传送带45的上方，但是它们被设置和固定在通过抛光器12下方一个位置的传送带45的上方。因此，抛光器12可以在它本身和介电器件47之间总是产生气体放电，而不管放置在传送带45之上的晶片2是否通过抛光器12下方的一个位置。当今放置在传送带45上的晶片2通过放电区48时，晶片2被抛光。晶片2可以按照这样的方式加以处理，即使传送带45停在放电区48。如果抛光器12具有图5所示的结构，接地电极46和介电器件47当然可以从该结构中省略掉。
图7示出了根据本发明的晶片输送装置的另一个实施例。在这个实施例中，所述传送装置包括一个装载器/卸载器49。装载器/卸载器49包括一个具有与图1和2所示装载器6和卸载器5的结构相同的结构的可伸缩臂50并且按照类似的方式加以操纵，以便从传送器暗盒3中取出晶片2并将晶片3放入接收器暗盒4中。具有图3所示结构的抛光器12被设置在两个暗盒3和4之间，同时，用介电材料制成的平台10和一个接地电极被固定在抛光器12下方的那些位置上。在传送带将晶片2向接收器暗盒传送之前，装载器/卸载器49将从传送器暗盒3中取出的晶片2放到平台10上。在通过操纵抛光器12使晶片2受到抛光之后，装载器/卸载器49将晶片2从平台10上拾起，以便将晶片2传送至接收器暗盒4。
根据前述那些实施例的传送装置可以是业已被使用来输送晶片的各种装置之中的任意一种。根据本发明用于输送晶片或基底的装置并不限于前述那些实施例的任务，使得在干式蚀刻过程完成之后剩余的光刻胶也被除掉了。根据本发明的输送装置可以用作由暗盒到暗盒型的输送装置的抛光器，用于除去有机物质，以防止对晶片或基底的污染。
通过改变放电气体的类型以满足输送晶片或基底的移动前后的若干处理步骤的要求，根据前述那些实施例的抛光器还可以用来完成抛光工艺以外的表面处理。例如，使用氦、氮或类似气体，使得晶片或基底的表面具有可润湿性。通过使用CF4和氦或类似气体的混合气体，可以进行蚀刻。通过利用含氟气体(例如CF4或SF6)，可以使晶片或基底具有防水性。
根据本发明的用于加工晶片或基底的装置和方法将参考图8至11加以说明，利用所述装置和方法可以在现场借助于使用常压等离子体的表面处理装置对与晶片或基底接触的传送或它的一些部件进行清洗而不必拆卸该机械。
图8所示的用于加工基底的装置包括一个用于把液晶显示板的基底51从暗盒52输送至处理室53的自动装置54。在处理室53中可以进行任何一种处理，例如成膜、蚀刻、涂光刻胶或暴露基底51的表面，或任意一种检验，例如对外观、尺寸、厚度、电阻值、电性能等的检验。自动装置54包括一个通过一个连接机械56与旋转轴55相连接的传送臂57。一个表面处理部分58被设置在暗盒52和自动装置54之间，所采用方式使得表面处理部分58沿基底51被传送所经过的通路设置，就在传送臂57的上方。表面处理部分58具有类似图5所示的抛光器的结构，以便在常压或接近常压的压力下可以使用放电气(例如含有氧气的氦气)引起气体放电，使得喷射出含有激发和活化形态气体的气流。
自动装置54使旋转轴55转动，使传送臂57伸展出，以便一个接一个地取出放在暗盒52中的基底51并将基底51移动到用图8的虚线指示的处理室53前面的一个位置59，接下去使传送臂57伸出，将基底51传送至处理室53。业已在处理室53受到处理的基底51又被传送臂57取出，以便使它返回暗盒52。在另一个实施例中，从处理室53中取出的基底可以放入另一个暗盒中。当为了连续对一个晶片或基底进行一系列处理而为一个处理装置提供一系列处理室的情况下，从处理室53中取出的基底由自动装置54移至下一个处理室。
在传送臂57的上表面上形成四个支撑部分60，使得它们如在图9中所集中显示的那样凸出在该上表面之上，结果，基底51的反面直接被支撑住并将基底51输送走。如果必要，每一个支撑部分60都带有一个用于真空吸取基底51的机构。传送臂与基底接触的那些部分通常是用橡胶树脂构成的。如果必要，可以使用耐热橡胶、陶瓷(例如氧化铝)或金属(例如SVS)。利用常压等离子体由表面处理部分58进行干式清洗的根据这个实施例的支撑部分60最好是用陶瓷或金属制成的。
在这个实施例中，当为了取出基底将传送臂朝向暗盒51移动时，在表面处理部分58中发生了气体放电，如图10所示那样，传送臂57的上表面上的支撑部分60受到干清洗。气流62将通过一个形成在表面处理部分58的下面的喷出口61喷出并且含有激发和活化形态的放电气体，每一个支撑部分60的位置彼此对齐，然后使传送臂停止运动或者移动传动臂，以便完成这一过程。作为放电气体，所使用的氦气的流为几个SLM至十几个SLM，而氧气的流速按重量计为氦气流速的百分之几至百分之几十，同时供给高频电流，其频率为13.56MHz，而其电功能为几十至几百瓦。这样，包含有大量激发和活化形态的氧的气流被提供用来清洗支撑部分60并使它脱除油渍。使从喷射口61到支撑部分60的距离为几mm比较合适。
当在生产过程中所述基底接受各种处理时容易粘附到基底的反面的有机物质或其他类似物质的污染物容易粘附并沉积在与基底直接接触的支撑部分上。支撑部分60所接受的表面处理消除了污染的转移到而后要传送的另一个基底的危险或污染另一个处理装置的危险。这样，可以提高半导体装置的产量。在考虑被传送的基底的数量和操作周期的情况下，周期性地进行清洗传送臂57是适宜的。例如，如果清洗过程是在用于变换暗盒52的传送臂停止操作过程中进行的，那么就可以有效地防止处理装置工作效率的下降。
在另一个实施例中，表面处理部分58可以被设置在与基底被传送通过的通路分开的另外的处理位置处。在前述情况下，在变换暗盒的过程中，传送臂57被移动至前述处理位置，使支撑部分60得到清洗。在这个实施例中被固定地设置的表面处理部分也可以做成可活动的，并且按照进行扫描的需要传送臂可以停下来或者移动，以便对支撑部分进行处理。在另一个实施例中，可以使暗盒52是可移动的，可以利用表面处理部分58对它进行干式清洗并在其后使它返回另一个位置。
图11示出了为自动装置54设置的传送臂的另一个实施例。传送臂63包括设置在与连续机构56相连接的一个固定部分64的下方的钩65和66，钩65和66悬挂得可以使它的开口朝向左右两个方向。基底51在被传送时在相应的钩65和66的前部由支撑部分67从其两侧支撑它，在这种情况下，表面处理部分58被沿晶片或基底被传送所经过的通路设置或者被设置在一个单独的处理位置处，使得不必将传送臂从自动装置54上拆卸下来就可以对传送臂63进行干清洗而这样，可以容易从基底的反面除去粘附在每个支撑部分67和68上的有机物或类似的污染物。
图12至15示出了用于处理晶片或基底的装置的一些优选的实施例，每一个这样的装置都包括一个使用常压等离子体并且整体形成的表面处理部分，该部分可以连续地并且自动地进行一系列的处理步骤。
图12以图解方式说明了一个适用于本发明的溅射装置。溅射装置71包括一个暗盒装载器74(在该装载器上放置有两个暗盒73，每一个暗盒中都装有许多晶片72)和一个真空室79(该真空室包括一个自动装置75，该自动装置具有两个用于向两个暗盒73中送入晶片72或从其中卸下晶片的传送臂)，真空室79还包括设置在自动装置75的周围并可以溅射不同金属的第一至第三溅射室76至78。表面处理部分80被设置在暗盒装载器74和真空室79之间，表面处理装置80被定位于晶片72被传送所经过的通路的上方，表面处理装置80具有类似于图3至5所示的抛光器32的结构，以便使用例如含有氧气的氦气放电气体在常压或接近常压的压力下产生气体放电。
晶片72一个接一个地被自动装置75从相应的暗盒73中取出，然后让它们穿过一个活门80，以便将它们传送到真空室79中。使表面处理装置释放电荷，结果在与晶片被传送所在的方向垂直的方向上产生直接放电区，或者包括激发和活化形态的气体被喷出，这与图3至5所示的那些实施例类似。这样，通过表面处理装置80下方一个位置的晶片72的表面被暴露于氧的激发和活化形态。结果，如前面用于溅射操作的工艺那样，晶片72受到干洗，有机物和其他类似物就被从晶片72的表面上清除掉。此外，所述表面和所述溅射膜之间的接触可以得到改善。
被传送到真空室79的晶片72由自动装置75输送到第一溅射室76，结果通过溅射形成了Ti膜。而后，晶片72被输送到第二溅射室77，结果，在Ti膜上形成了TiN膜。而后，自动装置75使晶片72穿过活门81由真空室79被传送到表面处理部分80。重新使表面处理部分80释放电荷，结果，被置于表面处理部分80下方的晶片72的TiN膜的表面被暴露于氧气的激发和活化形态，以便将该表面氧化。通过如上所述那样在TiN膜的表面上形成氧化膜，可以改善阻挡层特性并可以防止合金尖刺。而后，使晶片72返回真空室79，以便将它输送到第三溅射室78，结果，在TiN膜上形成Al-Cu膜。而后再次将晶片72输送至第二溅射室77，结果在Al-Cu膜上又形成TiN膜。业已接受过溅射成膜处理的晶片72由自动装置75使它穿过活门81结果，使晶片72返回暗盒装载器74的原来的暗盒73。
根据这个实施例的溅射装置具有使用常压等离子体的表面处理部分，这个表面处理部分是为用于在所述暗盒和所述真空室之间传送晶片的输送结构而提供的。这样，就可以自动地并且连续地完成由溅射、抛光和溅射这样的一系列步骤构成的成膜工艺。结果，需要真空设备的抛光器与溅射装置分开设置这样的常规的结构就没有必要了。因此，生产工艺可以实现自动化和合理化，因此成本也降低了。此外，由于这种连续的工艺晶片就不容易受到污染，结果生产效率提高了，并且产量和可靠性都得到了改善。
根据这个实施例的结构使得可以对自动装置75的传送臂在现场进行干式清洗而不必拆下传送臂。这就是说，使表面处理部分80释放电荷并且移动其上未放晶片的空的传送臂，结果，该传送臂被暴露在氧气的激发和活化形态之下。结果，就可以除去从被传送的基底上转移下来的并且容易粘附在传送臂上的有机物质的污染。这样，就可以防止重新污染晶片，同时又不会使生产效率下降。
图13A和13B以图解方式示出了用于形成适用于本发明的光刻胶膜的一种装置的一个优选的实施例。光刻胶膜形成装置82在形成于其一端的传送器部分83和形成于其另一端的接触器部分84之间包括一个使用常压等离子体的表面处理部分85、一个用于改善所述光刻胶膜的接触的预处理部分86、一个由一块冷却板构成的冷却部分87、一个用于将光刻胶树脂涂在所述晶片的表面上的光刻胶涂覆部分88、一个由一块加热板构成的加热部分89和一个由一块冷却板构成的冷却部分90，以上这些部分按照所述这些工艺的顺序安装起来。许多晶片91分别被放置在两条传送带92上，以便将它们沿水平从传送器部分83传送到接收器部分84，结果，这些晶片91连续地被相应的处理部分处理。
与图12所示的溅射装置类似，表面处理部分85具有类似于图3至5所示抛光器的结构，以便使用含氧气的氦或其他放电气体，在常压或接近常压的压力下产生气体放电。每一个晶片91的表面都被暴露于气体放电所产生的氧气的激发和活化形态之下，结果，所述表面获得了亲水性。而后，进行与常规方法类似的处理，结果，在晶片91的表面上形成了光刻胶膜。因为如上所述在前面已赋于将要在其中形成光刻胶膜的表面亲水性，在接下去的湿蚀刻过程中，蚀刻溶液就很容易加到晶片91的表面上。于是，可以令人满意地进行蚀刻，因此可以提高产量并改善生产效率。
根据这个实施例的结构使得用于传送晶片和类似物的传送带92可以利用氧气的激发和活化形态加以清洗，这类似于利用表面处理部分85完成的对晶片91的处理。在另一个实施例中，变换用于表面处理部分85的放电气体将使得所述晶片的表面可以具有除亲水性之外的若干特性。如果使用氩气或氮气作为放电气体，就可以对所述晶片的表面进行表面处理以改善与光刻胶膜的接触。通过使用适当的气体作为放电气体，所述晶片的表面可以改善而具有与所使用的气体相对应的所要求的特性。
图14A和14B以图解的方式示出了适用于本发明的一个湿蚀刻装置的一个优选的实施例。湿蚀刻装置93在形成于其一端的传送器部分94和形成于其另一端的接收器部分95之间包括一个使用常压等离子体的表面处理部分96、一个用于利用加入其中的蚀刻溶液完成蚀刻加工的处理室97，以及一个清洗部分98。许多晶片99被分别放置在两个传送带100上，以便将它们沿水平方向从传器部分94传送至接收器部分95，结果，连续地完成了为完成湿蚀刻的需要的一系列工艺。
最初，操纵表面处理部分96以便先对晶片99的表面进行处理。表面处理部分96具有类似图3至5所示的抛光器32的结构，以便在常压或接近常压的压力下利用含有氧气的氦或其他气体构成的放电气体产生气体放电。晶片99被暴露于由于放电所产生的氧气的激发和活化形态之下，晶片99的光刻胶膜获得了亲水性能。结果，当在所述暴露完成后直接在处理室97中进行蚀刻亲水工艺时，所述蚀刻溶液很容易被加上去。这样，可以令人满意地完成蚀刻工艺。因此，可以提高产量，并且不需要象常规方法那样在湿蚀刻装置和抛光器之间传送晶片。结果，可以防止在晶片传送过程中出现的污染，并且使生产工艺更为合理。对蚀刻过的晶片99在清洗部分98中用纯水或类似材料进行水洗，接下去将晶片从接收器部分95传送走。
图15以图解方式示出了适用于本发明的一种干蚀刻装置的一个优选的实施例。一个干蚀刻装置101在其常压侧穿过一个活门包括一个晶片进口部分103、一个晶片出口部分104和一个表面处理部分105。该干蚀刻装置101在其真空压力侧包括一个真空室106和一个蚀刻室107。晶片进口部分103和晶片出口部分104分别包括自动装置110和111(每一个自动装置具有一个用于送入/取出晶片的传送臂并且被设置在其上放置未经蚀刻的晶片的两个传送器暗盒之间)以及两个用于容纳已蚀刻晶片的接收器暗盒。为了与前述那些单元一致，真空室106包括用于临时存放从传送器暗盒108中接收的并待输送到接收器暗盒109的晶片的缓冲暗盒112和113和自装置114和15(每一个自动装置都具有一种用于在每一个缓冲器暗盒112和113和蚀刻室107之间传送晶片的传送臂)。表面处理部分105具有类似图3至5所示的抛光器32的结构，以便利用含有氧气的氦气或类似气体作为放电气体在常压或接近常压的压力下产生气体发电。
由自动装置110将全部装进每一个传送器暗盒108中的晶片116一个接一个地取出，接下去让它们通过表面处理部分105和活门102。这样，全部晶片16被设置在传送侧缓冲暗盒112上。此时，使表面处理部分105进行气体放电，结果，通过表面处理部分105下方的一个位置的每一个晶片116的表面都被暴露于氧气的激发和活化形态之下。这样，就可以除去所述光刻胶膜表面上的碎屑。由自动装置114一个接一个地将缓冲暗盒112中的晶片116取出，以便将它们传送到蚀刻室107。在晶片116经过蚀刻后，由自动装置115将晶片116送回接收侧缓冲暗盒113。由自动装置111将接收侧缓冲暗盒中的晶片116一个接一个地取出，以便让它们再次通过表面处理部分105和活门102，接下去将它们放置到接收器暗盒109上。
表面处理装置105使用含有氧的气体(例如CHF3或CF4)和氧气的混合气体作为放电气体引发气体放电。这样，晶片116的表面就被暴露于所述混合气体的激发和活化形态之下。结果，在经过蚀刻的晶片116的表面上形成防水涂层膜。这样，如果在用于干蚀刻工艺的反应气中所含的Cl成分被留在该晶片的表面上，那么要对该晶片进行防腐蚀处理，以防止接触环境中的大气和水。而后，将放电气变换为氦和氧的混合气体以便进行放电，而后在将晶片116放置在自动装置111的传送臂上的同时，使晶片116通过表面处理装置105下方的一个位置。结果，晶片116的表面被暴露于由于放电所产生氧气的激发和活化形态之下，处在该表面上的光刻胶膜利用抛光被分离下来。
在所述抛光过程中，所述放电气体可以包括醇类(例如甲醇)和氧气的混合气。在另一个实施例中，使用醇类(例如甲醇)和氧气的混合气体，使得由自动装置111从真空室106传送走的晶片116只用一次表面处理过程使同时受到用于除去Cl成分的抗腐蚀处理和利用氧气的激发和活化形态抛光除去光刻胶膜的处理。在前述情况下，最好是避免与大气(具体讲是大气中的水)的不必要的接触，直至完成表面处理，所采取的具体措施包括使氮气沿晶片116的表面流过、或者缩小晶片116的表面和表面处理部分105之间的间隙以防大气的进入以及将晶片116加热至200℃或更高，以增强去除Cl成分。如果光刻胶膜留在被放置在接收器暗盒109中的晶片116的表面上，那么就需要另一个装置以便利用湿蚀刻除去所述光刻胶膜。
根据这个实施例的干蚀刻装置包括整体地设置在晶片入口部分103、晶片出口部分104和真空室106之间的使用常压等离子体的表面处理部分105。结果，就没有必要提供另一个抛光器或者向这个抛光器传送晶片和从这个抛光器传送走晶片。这样，就可以使该装置更为紧凑，并且可以使生产工艺更为合理。此外，还可以消除在传送过程中使晶片受到污染的危险，使得产量和可靠性都得到改善。
根据这个实施例的结构使得自动装置110和111的传送臂可以用表面处理装置105加以干清洗。这就是说，由含氧的氦气或其他气体构成的放电气体被用来引发气体放电，并且使其上未放晶片的空的传送臂通过表面处理装置105下方的一个位置，以便使所述传送臂的表面暴露于氧气的激发和活化形态。结果，可以消除从被传送的基底上转移下来并容易粘附到所述传送臂上的有机物质或其他物质的污染。由于所述传送臂可以加以清洗而不必拆卸下来，所以可以防止产量下降并可以防止对晶片的二次污染。
尽管本发明业已按照它的最佳形式做了说明，但是，当然所述最佳形式的目前披露的内容还可以加以变换并且还可以对若干部分进行组合和布置。例如，除去图12至15所示的结构之外，还可以改变所述溅射装置、光刻胶膜形成装置和湿式或干式蚀刻装置的结构。
本发明可应用于各种处理装置当中的任意一种，例如用于借助于CVD法形成氧化硅膜、氮化硅膜、多晶硅膜、无定型硅膜或硅膜的装置，用于借助旋涂形成绝缘膜(例如SCG、PSG、BPSG)的装置以及用于向所述晶片或基底的表面注入磷、硼、砷或其他离子的离子注入装置。本发明还可以应用于用于测量所形成的膜的厚度、尺寸、电阻或类似参数的装置和用于检验该装置的电性能或所述基底的外观和缺陷的装置。此外，使用常压等离子体的表面处理部分可以以整体连接的方式带有一个可连续完成一系列工艺过程(例如形成膜的过程、形成光刻胶膜的过程、蚀刻过程、用于注入杂质的过程或检验过程，以及前面所述的专门的处理和检验过程)的处理装置。
本发明使得可以为每一个前述的加工或检验装置提供一个清理部分，该清理部分使用常压等离子体清理被固定用于接收或保持基底或晶片的平台或工作台。借助于提供在室温和常压下进行并可以在短时间内完成的自清理功能；常常可以完成清理操作而在实际上并不会降低生产效率。因此，生产效率和可靠性可以得到改善。
作为采用以上结构的结果，可以获得以下一些效果。
根据权利要求1中所要求保护的用于处理晶片或基底的装置，可以连续地完成各种加工工艺，例如对晶片或基底进行溅射和蚀刻、电性能等的检验、传送以及使用由于在常压下的气体放电而产生的等离子体的前处理或后处理。此外，并不需要任何用于完成前处理和后处理的真空设备。因此该装置的整个机体可以以整体形式构成，并且该装置容易以低成本进行制造。此外，还可以使生产工艺更为合理，结果使成本降低和使生产效果提高。
此外，根据权利要求2中所要求保护的加工晶片或基底的装置，为了完成对晶片或基底的加工或检验，可以在传送晶片或基底的过程中完成前处理或后处理。因此，可以进一步使生产工艺合理化。
根据权利要求9中所要求保护的加工晶片或基底的方法，可以在现场通过等离子体处理完成用于清洗传送机械的工艺，这不需要任何真空设备并且是在常压下完成的，不必将所述传送机械与所述晶片或基底直接接触的那些部分拆卸下来。因此，实际上不会使连续加工或检验晶片或基底的过程中断。因为可以在不降低产量的条件下防止由所述传送机械重新污染所述晶片和基底，所以生产工艺可以变得更为合理并且生产效率也可以得到改善。因此，成本可以降低并且产量可以提高。根据权利要求11所要求保护的用于加工晶片或基底的装置，清洗装置不需要真空设备。因此，可以很容易地形成一种在线系统，使得很容易实现权利要求9所要求保护的方法。此外，该装置的整体结构可以被简化，其尺寸也可以缩小，这样，可以减少安装空间并且可以降低成本。
根据权利要求14所要求保护的用于加工晶片或基底的装置，所述清理装置通过使用在常压附近一个压力下由于气体放电产生的等离子体活化形态清洗用了保持晶片或基底的平台或工作台。这样，可以删除使用常规的结构所需要的复杂的操作，以便有效地完成自清理而实际上不会降低生产效率。结果，与常规的结构相比较，可以更为频繁地进行清理处理。因此，可以改善生产效率和可靠性。
根据权利要求15中所要求保护的晶片输送装置，抛光处理是在接近常压的压力下进行的。因此，不需要任何真空设置，该装置的整体可以被简化，其尺寸也可以被减小。因此，中以很容易地制成一种带有所述输送装置的在线系统，使得所述抛光过程是在一系列的晶片或基底被连续地从一个暗盒输送至另一个暗盒的过程中连续地完成的。结果，可以使这种操作变得更为方便，可以缩短处理时间、降低成本并提高生产效率。此外，所述尺寸的减小可以使超净室的空间得到更为有效的利用。
此外，根据权利要求16中所要求保护的晶片输送装置，所速晶片或基底的表面可以通过无火花放电的稳定的气体放电进行令人满意的抛光。因为接地电极没有被直接暴露于气体放电之下，所以可以防止由于放电造成的对该电极的危害。这样就可以令人满意地省去维护该装置的操作，并且用于维护的费用也可以减少。
根据权利要求19中所要求的晶片输送装置，所述抛光过程是按照这样一种方式完成的，使得由于在常压附近的压力下所发生的气体放电而产生的等离子体活化形态形成了一股气流，所述晶片或基底被暴露于这股气流之下。因此，所述晶片或基底的表面可以均匀地受到处理，而不管电源的频率或所使用的气体的类型。
尽管对本发明业已按照它的优选的形式以某种程度的特殊性进行过说明，但是毫无疑问，目前披露的优选形的内容在结构的细节上还可以改变，并且还可以对若干部分进行组合和布置而不会脱离本发明的精神和范围，正如后面权利要求中所要求保护的那样。

Claims (19)

1.一种用于加工晶片或基底的装置，包括：
用于加工或检验晶片或基底的设备；
用于将所述晶片或所述基底向所述加工检验装置传送或从所述加工或检验装置传送走的装置；以及
用于对所述晶片或所述基底进行作为所述加工或检验的前处理或后处理的表面处理的装置，
其特征在于：所述表面处理装置包括用于在常压或接近常压的压力下在预定确定的放电气体中引发气体放电、以便使所述晶片或所述基底暴露于由于该气体放电而产生的所述放电气体的激发和活化形态之下的装置。
2.根据权利要求1所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述表面处理装置是沿着所述晶片或基底被所述传送装置传送到通过的一条通路装置的。
3.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述放电气体是含有氧气的气体。
4.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述加工或检验装置完成一系列不同的加工或检验。
5.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述加工或检验装置是溅射装置。
6.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述加工检验装置是用于形成光刻胶膜的装置。
7.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述加工或检验装置是湿法蚀刻装置。
8.根据权利要求1或2所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述加工或检验装置是干法蚀刻装置。
9.一种加工晶片和基底的方法，包括以下步骤：
加工或检验晶片或基底；
在加工或检验晶片或基底前，或在加工或检验晶片或基底后，传送所述晶片或所述基底，以便进行所述加工或所述检验；以及
清洗传送所述晶片或所述基底的传送装置；
其特征在于：所述清洗过程是一种在常压或接近常压的压力下在含有氧气的气体中引发气体放电的过程，所述传送装置的直接与所述晶片或所述基底接触的那些部分被暴露于由于气体放电所产生的所述气体的激发和活化形态之下。
10.根据权利要求9所述的加工晶片基底的方法，其特征在于所述用于传送所述晶片或所述基底的过程由一系列传送过程构成的，并且所述清洗过程是一个在一个第一传送过程和一个第二传送过程之间清洗所述传送装置的过程。
11.一种用于加工晶片和基底的装置，包括：
用于加工或检验晶片或基底的设备；
用于将所述晶片或所述基底向所述加工或所述检验装置传送或从所述加工或检验装置传送走的装置，以及
用于在所述加工或检验所述晶片或基底前或者在所述加工或检验所述晶片或基底前后，不将所述晶片或基底移走就清洗所述传送装置的装置，
其特征在于：所述清洗装置包括用于在常压或接近常压的压力下在含氧气的气体中引发气体放电并且将所述传送装置与所述晶片或所述基底直接接触的那些部分暴露于由于气体放电产生的所述气体的激发和活化形态之下的装置。
12.根据权利要求1所述的用于加工晶片或基底的装置，其特征在于所述清洗装置是沿着所述晶片或所述基底被所述输送装置传送所通过的一条通路设置的。
13.根据权利要求11或12所述的用于加工晶片和暴露的装置，其特征在于所述的加工或检验装置是用于完成一系列不同的加工或检验的装置。
14.一种用于加工晶片或基底的装置，包括：
用于加工或检验晶片或基底的设备；
当所述晶片或所述基底用所述加工或检验装置进行加工或检验时，用于夹持固定所述晶片或所述基底的装置；以及
用于在所述加工或检验所述晶片或基底前或者在所述加工或检验所述晶片或基底前后，不将所述晶片或基底移走就清理所述夹持固定装置的清理装置；
其特征在于：所述清理装置在常压或接近常压的压力下在预定的放电气体中引发气体放电，以便将所述夹持固定装置暴露于由于气体放电所产生的放电气体的激发和活化形态之下。
15.一种用于在加工或检验晶片或衬底之前或在加工或检验晶片或衬底之后输送晶片或基底的装置，包括：
用于一个接一个地从一个放有许多晶片或基底的第一暗盒中取出晶片或基底的装置；
用于将从所述第一暗盒中取出所述晶片或所述基底传送至一个第二暗盒的装置；以及
用于将所述被传送的晶片或所述被传送的基底放入所述第二暗盒中的装置，
其特征在于：所述传送装置具有用于抛光正在被传送的所述晶片或所述基底的装置，并且所述抛光装置包括用于常压或接近常压的压力下在预定的气体中引发气体放电的装置和用于将正在被输送的所述晶片或所述基底的表面暴露于由于所述气体放电产生的所述气体的激发和活化形态之下的装置。
16.根据权利要求15所述的用于输送晶片和基底的装置，其特征在于所述气体放电发生装置具有一个尺寸大于所述晶片或所述基底的尺寸的接地电极和一个被设置在所述接地电极和所述晶片或所述基底之间并且尺寸大于所述接地电极的尺寸的介电器件，所述气体放电发生装置在所述气体放电发生装置和所述接地电极之间发生所述气体放电。
17.根据权利要求16所述的用于输送晶片和基底的装置，其特征在于所述接地电极和所述介电器件可以由所述传送装置整体地移动，并且所述晶片或所述基底被传送时是被放置在所述介电器件之上。
18.根据权利要求16所述的用于输送晶片和基底的装置，其特征在于所述接地电极和所述介电器件被固定在预定的位置上，并且所述晶片或所述基底被所述传送装置传送通过所述介电器件上方的一个位置。
19.根据权利要求15所述的用于输送晶片和基底的装置，其特征在于所述抛光装置进一步包括用于将所述的预定的气体送至靠近所述气体放电发生装置的一个位置，并且所述暴露装置是用于将含有由于所述气体放电所产生的激发和活化形态的气体的气体喷射到所述晶片或所述基底的表面上的装置。
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10160794A (ja) * 1996-12-02 1998-06-19 Mitsubishi Electric Corp Ｉｃ着脱装置及びその着脱ヘッド
EP1162646A3 (en) 2000-06-06 2004-10-13 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and method
KR100816329B1 (ko) * 2001-05-30 2008-03-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 인라인 제조 시스템
KR100620165B1 (ko) * 2001-06-25 2006-09-04 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체웨이퍼 보관장치
US7157659B2 (en) 2002-08-26 2007-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Plasma processing method and apparatus
TW200501201A (en) * 2003-01-15 2005-01-01 Hirata Spinning Substrate processing method and apparatus
JP4860295B2 (ja) * 2005-03-02 2012-01-25 エア・ウォーター株式会社 プラズマ処理方法
JP2007026781A (ja) * 2005-07-13 2007-02-01 Sharp Corp プラズマ処理装置
JP4578383B2 (ja) * 2005-10-25 2010-11-10 株式会社堀場製作所 パネル部材検査装置及びそれに適用されるパネル部材検査用プログラム
JP2007158023A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Nec Electronics Corp 半導体ウェハの研磨装置及び半導体ウェハの研磨方法
JP4855142B2 (ja) * 2006-05-22 2012-01-18 東京エレクトロン株式会社 処理システム，搬送アームのクリーニング方法及び記録媒体
KR100849366B1 (ko) * 2006-08-24 2008-07-31 세메스 주식회사 기판을 처리하는 장치 및 방법
JP2008244318A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Tokyo Electron Ltd 基板搬送部材の洗浄方法、基板搬送装置及び基板処理システム
JP4516089B2 (ja) * 2007-03-30 2010-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ウェハ搬送用ブレード
JP4602390B2 (ja) * 2007-11-01 2010-12-22 Ｓｄフューチャーテクノロジー株式会社 塗布乾燥装置
JP4450081B2 (ja) * 2008-02-13 2010-04-14 セイコーエプソン株式会社 部品試験装置
JP4564078B2 (ja) * 2008-04-28 2010-10-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
DE102009045008A1 (de) * 2008-10-15 2010-04-29 Carl Zeiss Smt Ag EUV-Lithographievorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten einer Maske
JP5006898B2 (ja) * 2009-03-26 2012-08-22 積水化学工業株式会社 ドライエッチング処理装置および処理方法
JP2010283095A (ja) * 2009-06-04 2010-12-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
KR101033776B1 (ko) * 2009-08-03 2011-05-13 주식회사 탑 엔지니어링 클리너를 구비한 어레이 테스트 장치
JP6012597B2 (ja) 2010-05-11 2016-10-25 ウルトラ ハイ バキューム ソリューションズ リミテッド ティー／エー ナインズ エンジニアリング 光起電力電池素子のためのシリコンウエハの表面テクスチャ修飾を制御する方法および装置
GB2486883A (en) * 2010-12-22 2012-07-04 Ultra High Vacuum Solutions Ltd Method and apparatus for surface texture modification of silicon wafers for photovoltaic cell devices
US9561586B2 (en) 2012-03-29 2017-02-07 Ulvac, Inc. Articulated robot, and conveying device
CN104176466B (zh) * 2013-05-28 2017-06-09 北京中电科电子装备有限公司 具有清洗功能的工件传输装置
JP6601257B2 (ja) * 2016-02-19 2019-11-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP6731805B2 (ja) * 2016-07-12 2020-07-29 東京エレクトロン株式会社 接合システム
KR102628919B1 (ko) * 2019-05-29 2024-01-24 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
CN110344106A (zh) * 2019-07-15 2019-10-18 长兴云腾新能源科技有限公司 一种不锈钢半导体级洁净处理装置
KR102392489B1 (ko) * 2019-12-27 2022-05-02 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
JP3014111B2 (ja) * 1990-02-01 2000-02-28 科学技術振興事業団 大気圧グロープラズマエッチング方法
JPH0817171B2 (ja) * 1990-12-31 1996-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 プラズマ発生装置およびそれを用いたエッチング方法
JP2840699B2 (ja) * 1990-12-12 1998-12-24 株式会社 半導体エネルギー研究所 被膜形成装置及び被膜形成方法

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Publication number Publication date
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TW289128B (zh) 1996-10-21

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