CN1774790A - 处理半导体晶圆之整合系统 - Google Patents

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伯利斯·葛兹曼
贝纳德·M·佛瑞
伯格斯雷·A·那可司基
德格拉斯·W·杨
哈马洋·达理
布兰特·M·巴萨尔
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Abstract

提出一种用于化学机械处理、清洗与干燥半导体工件的整合处理工具。整合处理工具包括CMP模组与清洗及干燥模组。在处理过后，工件使用移动外壳从CMP模组传送至清洗及干燥模组。在清洗及干燥模组中，在工件藉由移动外壳的支撑结构转动及握持时，清洗机构用于清洗工件。清洗及干燥模组的干燥机构将晶圆从移动外壳抓起，并将其旋干。在整个CMP处理、清洗及干燥过程中，晶圆的处理面向下。

Description

处理半导体晶圆之整合系统
相关申请
本专利发明申请为于2001年2月28日提交的美国专利申请号09/795,687(NT-202)的部分连续申请，本申请并要求于2002年2月15日提交的美国临时专利申请号60/357,148(NT-228)及于2002年7月20日提交的美国临时专利申请号60/397,740(NT-255)的优先权。
技术领域
本发明为关于半导体处理技术，且特别是处理半导体晶圆之整合系统。本发明也包括执行特定工作的独立处理模组，例如工件清洗与干燥模组。
背景技术
在半导体工业中，各种处理可用于沉积与蚀刻晶圆上的材质。沉积技术包括如电化学沉积(ECD)与电化学机械沉积(ECMD)处理。在这2种处理中，导体藉由在与工件表面(阴极)接触的电解液中通入电流，而沉积在半导体晶圆或工件上。ECMD处理能够以导电材质均匀地填满工件表面上的孔洞与沟槽，而维持表面的平坦。ECMD方法与装置较详尽的说明，可在同样由本发明的受让人所拥有之美国专利号6,176,992标题“用于电化学机械沉积之方法与装置”中获得。
如果传统的镀膜处理用于在沉积腔体中沉积导电材质，工件可以转移至用于化学机械研磨(CMP)的群组工具内的另一腔体。如所知，材质移除也可藉由在完成ECD或ECMD处理后使工件相对一电极成为阳极(正极)，使用电化学蚀刻来实现。
不管使用何种处理，工件在沉积及/或抛光步骤后，接着传送至冲洗/清洗站或模组。在冲洗/清洗步骤中，因沉积及/或抛光处理所产生的各种残留物以流体冲离工件，例如去离子水或具有少量其它清洗及/或钝化剂的去离子水，且随后将工件加以干燥。
传统上，处理腔体设计在复数个处理站或模组内，其排列成群以构成群组工具或系统。这样的群组工具或系统通常用来在同一时间处理复数个工件。一般而言，群组工具装配成复数个处理站或模组，并设计用于特定的工作。然而，在这样的传统群组工具中，沉积与清洗处理步骤典型上都需要不同的腔体。为此原因，在所知的群组工具中，对于要处理与清洗的工件必须移至另一站或系统。所以，这样装配而成的系统需要从特定的处理环境中取出工件，并将它们置入清洗环境。工件可在清洗与干燥模组中加以清洗与干燥，举例而言，使用在此技艺中所知的冲洗与旋干处理。
当工件传送至清洗与干燥模组时，污染物可能会附着在工件表面上。这些污染物的来源可能为镀膜/抛光剂、传送机构、周围环境的空气、处理工具、人员、处理化学物品以及类似的事物。工件表面不应有如此的污染物，否则，污染物可能会影响组件的特性，且会造成组件比一般更快速地发生故障。
工件由一模组传送至下一模组的速度也很重要。如半导体工业中所熟知，制造工件的生产线由开始至结束必须以最有效率的方式来进行。
发明内容
本发明针对一种整体群组工具的新颖之清洗与干燥模组。本发明进一步提供比目前所用更经济、有效率、无污染物之用于清洗及干燥工件的方法与设备。
在本发明的一个观点中，提供一种用于处理、清洗及干燥半导体工件的设备。此设备包括用来处理工件表面的处理区域，以及用来清洗与干燥工件的清洗干燥区域。移动外壳将工件从处理区域传送至清洗与干燥区域。移动外壳包括能够握持工件的支撑结构。清洗机构在工件由支撑结构转动并握持时清洗工件。干燥机构从移动外壳接收工件，用来干燥工件。当工件的处理面向下时，工件被握持、清洗与干燥。
在本发明的另一观点中，提供一种用于在处理模组中清洗与干燥工件的方法，该处理模组具有清洗与干燥区域及处理区域。此方法包括：置放工件在移动外壳上、移动移动外壳进入处理模组之清洗与干燥区域、在清洗与干燥区域中使用清洗流体清洗工件表面、从移动外壳传送工件至具有旋转轮之干燥机构并干燥工件。在置放工件至移动外壳的步骤前，在邻接处理模组的清洗与干燥区域之处理区域内，工件表面在置放步骤前加以处理。
附图说明
图1为本发明之系统的图示说明，包括本发明的整合化学机械处理站之实施例；
图2为本发明之另一系统的图示说明，包括本发明的化学机械抛光处理站；
图3为本发明之另一系统的图示说明，包括本发明的化学机械抛光处理站与退火站；
图4为本发明之化学机械抛光处理站的图示说明；
图5为本发明之清洗干燥模组的图示说明，包括根据本发明之一实施例的清洗与干燥机构；
图6为指示握持轴及干燥器夹钳之相关位置的晶圆之图示说明；
图7为干燥器的晶圆释放与握持机构之实施例的图示说明；
图8为本发明之另一系统的图示说明，其具有复数个化学机械抛光站与退火站；
图9为本发明之退火站的图示说明，其中此站具有退火槽及用作缓冲区的缓冲槽；
图10为整合化学机械抛光处理站之另一实施例的图示说明；
图11为本发明之整合化学机械抛光处理站的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之图示说明；
图12为本发明的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之平面图示；
图13为本发明的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之图示说明，其中晶圆以模组的清洗机构加以清洗；
图14A-14B为用于模组中的的滚筒毛刷之图示说明；
图15为本发明的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之图示说明，其中在晶圆清洗过后，晶圆由干燥主轴取出；
图16为本发明的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之图示说明，其中晶圆以模组的干燥主轴旋干；以及
图17为本发明之系统的图示说明，包括复数个化学处理/清洗/冲洗-干燥模组。
具体实施方式
本发明现在将更加详尽地加以说明，其将进一步明了本发明之较佳实施例。如他处所说明，基于原理及在此讲述的，不同实施例之各种改进与取代是可行的。
本发明之较佳实施例将参考图1-17加以说明，其中类似的零件、部件、滚筒、齿轮、轨道、马达、横杆等等在不同的图中标示成类似的参考数字。再者，特定的参数与零件在此提出，其意欲做为解释而非限制。
较佳实施例将使用工件或晶圆为例加以说明，但是如封装体、平面显示器及磁头之不同应用也可使用本发明。本发明说明工件清洗与干燥模组。本发明之清洗与干燥模组能在不同时间处理不同直径的工件，但对于一次给定的处理进行典型上将处理相同尺寸的工件。工件可以使用移动外壳从镀膜或抛光处理模组传送。
本发明提供一种用于半导体组件制作的系统。系统包含数种处理模组，以进行如电化学机械处理(ECMPR)、电化学沉积(ECD)、化学机械抛光(CMP)及电化学抛光(EC-抛光)之处理步骤，其整合如清洗、边缘斜角去除及干燥之其它处理步骤。电化学机械处理(ECMPR)一词用在包括电化学机械沉积(ECMD)处理与电化学机械蚀刻(ECME)，其也称为电化学机械抛光(ECMP)。应注意一般ECMD与ECME处理称为电化学机械处理(ECMPR)，因为两者包含电化学处理与机械作用。
此外，本发明之整合工具设计成利用这些处理模组来进行有关电化学沉积、化学机械抛光及电化学抛光之多重处理步骤。
在ECD、ECMP、CMP或电化学抛光处理之后，电解液残留物须冲离晶圆，且随后晶圆必须加以干燥。此外，在这些处理后必须移除部份的金属，其沉积在靠近晶圆表面边缘。此处理通常称为「斜边清洗」或「边缘移除」步骤。在本发明中，某些示范的处理腔体，即ECD、ECMPR或电化学抛光腔体以及其各别的清洗腔体乃垂直堆迭，虽然在此也说明了一额外的CMP腔体，其清洗腔体与化学机械抛光区域水平配置。边缘移除步骤可在清洗腔体中进行，不论清洗腔体对于处理是垂直配置与否。在此应用的背景中，清洗腔体为进行清洗(使用例如水或类似之流体以去除残留物)、干燥与可能的边缘移除处理步骤之腔体。
图1描绘本发明之整合工具100或系统，其包含晶圆处理区域102以及透过缓冲区域106连接至处理区域102的装载/卸载区域104或卡匣区域。处理区域102可以包含1个或更多的电化学机械处理站或子系统108A-108C，以及1个或更多的化学机械抛光处理站或子系统108D，其与晶圆抓取区域109组合于晶圆处理区域102内，如图1所示。在此实施例中，处理站108A-108C较佳为垂直堆迭的腔体，其具有电化学机械沉积(ECMD)腔体与清洗腔体(即ECMD/清洗腔体)。
以此组合，本发明之整合工具100能够在不同时间处理不同直径的晶圆，但对于一次给定的处理进行典型上仅处理相同尺寸的晶圆。一种处理腔体108A-108C的示范垂直腔体设计与运作揭示于同样由本发明的受让人所拥有之美国专利号6,352,623标题“用于多重处理的垂直装配腔体”。
在较佳的运作顺序中，欲镀膜的晶圆110或工件送至卡匣区域104的卡匣112中，且随后以第1机械臂114逐片抓取并传送至缓冲区域106。每片晶圆110随后以第2机械臂116传送至处理区域102内的处理站108A-108C。如前所述，处理站108A-108D能够处理200或300毫米(mm)晶圆，或是所需之其它尺寸工件。在电化学机械沉积与清洗处理完成后，每片晶圆传送至化学机械抛光处理站108D。
之后所说明的化学机械抛光处理站108D包含晶圆进入区域402与独立的晶圆退出区域404，如图4所示。如之后将说明的，化学机械抛光处理站108D特别适用于处理所沉积的铜高达数千埃而须移除之晶圆，而大多数的移除典型上使用化学机械抛光处理站108D来达成。晶圆110使用第2机械臂116载入化学机械抛光处理站108D的晶圆进入区域402(见图4)，且随后使用第1机械臂114从化学机械抛光处理站108D移出至晶圆退出区域404(见图4)。
当较佳的运作顺序如前所述时，应注意系统100能够以有别于前述之顺序将晶圆110从每个子系统移动至另一子系统。因此，某些处理子系统单独之用途，以及处理子系统以不同于前述之顺序的用途皆在本发明之范畴内。
图2描绘本发明之整合工具200或系统的另一实施例。在此实施例中，处理站208A-208C存在于不同形式的沉积工具，如电化学机械处理站208A及电化学处理站208B及C。每个处理站208A-208C较佳装配成如前所述之垂直腔体，且进一步说明于同样由本发明的受让人所拥有之美国专利号6,352,623标题“用于多重处理的垂直装配腔体”。这样允许了在所使用的处理形式间作变化，并因此对能够进行之处理运作形式而言较具弹性。
但是，对图1而言，较佳的运作顺序与先前所讨论的相同，其中处理站208A-C之一最早使用，且随后化学机械抛光处理站208D加以使用。所以，处理区域202、卡匣212与卡匣区域204、抓取区域209、缓冲区域206、第1机械臂214及第2机械臂216与参考图1分别说明之处理区域102、卡匣112与卡匣区域104、抓取区域109、缓冲区域106、第1机械臂114及第2机械臂116以相同方式运作。
当较佳的运作顺序如前所述时，应注意系统200能够以有别于前述之顺序将晶圆210从每个子系统移动至另一子系统。因此，某些处理子系统单独之用途，以及处理子系统以不同于前述之顺序的用途皆在本发明之范畴内。
前述的系统同时包含用于将晶圆退火之退火腔体，这也是在本发明的范畴内。当包含退火腔体时，最好使退火腔体位于靠近缓冲区域处，且退火腔体处理子系统包括能够加热晶圆之“热”区域，以及在退火完成后能够冷却晶圆之“冷”区域。这种退火腔体典型上具有一次处理单片晶圆的能力，且为人所熟知。因此，进一步的说明相信不再需要。本发明的优点在于退火腔体与其它处理区域整合之方式，以提高效率与产出率。特别是如图3所示，机械臂314及316能够对退火腔体处理站308E放置晶圆或取出晶圆310。如果两机械臂能够进行这样的运作，如以下所说明，那幺如果在退火后没有进一步的运作，退火腔体能够作为代替的缓冲区域。
然而，在较佳的运作模式中，进一步的化学机械处理运作在退火运作之后进行。在此运作模式中，描绘于图3之整合系统300因以下因素而为有利的。
如图3所描绘，本发明之整合工具300或系统使用如前所述之退火腔体处理站308E。退火腔体处理站308E包括处理区域302及连接至晶圆处理区域302的载入/卸载区域304，之后将进一步详细说明。与退火腔体处理站308E分隔但垂直配置的是缓冲区域306，容许晶圆透过缓冲区域306在卡匣区域304内的卡匣312与处理区域302之间作进出移动。如之后也将加以说明的，对于系统300容许装配成具有退火腔体处理站308E，或者不具有退火腔体处理站308E。
处理区域302可包含除了退火腔体处理站308E以外之第1、第2、第3与第4处理站308A、308B、308C与308D，其可以成群环绕抓取区域309，如图3所示之方式。当每个处理站308A-308D能够进行前述制程中的不同形式之处理时，在一较佳实施例中，每个处理站308A-308C为相同形式的处理站，如ECMPR处理站，且处理站308D包含了CMP处理子系统，其具有进入区域402与退出区域404(见图4)，如之后所将要进一步之说明。
在较佳的运作顺序中，欲镀膜(以ECD及/或ECMD方式)的晶圆310或工件传送至卡匣区域304内的卡匣312，且随即每一片藉由第1机械臂314传送至缓冲区域306。每片晶圆310随后藉由第2机械臂316抓起并传送至垂直腔体站308A-308C之一，使得在晶圆正面的导体材质之镀膜及/或移除与初始清洗得以进行。之后，第2机械臂316抓起晶圆310并传送至退火腔体处理站308E。一旦在退火腔体处理站308E中完成退火与冷却，晶圆310随后可藉由第2机械臂316抓起并传送至CMP腔体处理站308D的进入区域402(见图4)。一旦导体材质使用CMP腔体处理站308D从晶圆正面加以移除后，处理站308D也将进行如进一步要说明之清洗，其位于晶圆退出区域404(见图4)，使得第1机械臂314能够直接抓起并传送晶圆310至卡匣区域304。
当较佳的运作顺序如前所述时，应注意系统300能够以有别于前述之顺序将晶圆310从每个子系统移动至另一子系统。特别是在退火运作前，进行化学机械抛光运作是有帮助的。因此，某些处理子系统单独之用途，以及处理子系统以不同于前述之顺序的用途皆在本发明之范畴内。
图4描绘化学机械抛光处理站400之概要，其随后用于图1所描绘的处理站108D、图2所描绘的208D与图3所描绘的308D。对于图4-7，在其中所运作的晶圆标不为晶圆410。
化学机械抛光处理站400之后将加以详细说明。其初步的运作概要首先加以提出。从图4可明显得知，化学机械抛光处理站400包括移动输入外壳414，在晶圆进入区域402以如同图1所描绘的机械臂116之第2机械臂接收晶圆410。如图4所示，移动输入外壳414可移动在晶圆进入区域402与化学机械处理装置420间的晶圆410，其以化学机械方式抛光晶圆410。另一个移动外壳432移动化学机械处理装置420与盖子442盖住的清洗及干燥区域之间的晶圆410，清洗及干燥区域分别清洗与干燥晶圆。在清洗及干燥区域内也有晶圆退出区域404(在图4中以外壳形标示)，由此区域，晶圆410可以如同图1描绘的机械臂114之第1机械臂从化学机械抛光处理站400移出。
在随后的说明中，化学机械抛光处理站400将参考透过处理站400移动的单片晶圆410加以说明。由此说明可清楚得知处理站400的优点在于能够一次放置1片以上的晶圆410在处理站400内。特别是在任一时刻，高达3片的晶圆可放在系统中。在这3片晶圆中，1片晶圆放在移动输入外壳414上，等待将其晶圆放入化学机械处理装置420，第2片晶圆由化学机械处理装置420处理中，且第3片晶圆在清洗与干燥区域内处理。当化学机械抛光在1片晶圆上进行，且同一时间清洗与干燥在另1片晶圆上进行，这样的组合因而得以改进产出率。
化学机械抛光处理站400现在将更加详细地说明。先前所提及的晶圆进入区域402包括复数个安装在移动外壳414上的至少3个握持脚418。每个握持脚418装配成使晶圆410依靠在每个握持脚418的一部份上，所有的握持脚418因而将晶圆支撑在移动外壳414上。在晶圆410由握持脚418支撑时，移动外壳414能够在晶圆进入区域402与化学机械抛光处理装置420之间的轨道438移动。移动外壳414的移动较佳是使用由电路控制器490(如图5所示)运作之滚筒(未绘出)，电路控制器较佳是采电脑为基础并使用应用软体写入运作，以控制在此说明的不同零件之移动。
如同图1中之机械臂116的1个机械臂，将放置晶圆410于晶圆进入区域402，使得晶圆握持脚418能够如前所述将其握持。一旦握持后，移动外壳414移动晶圆410至化学机械抛光处理装置420。一旦进入化学机械抛光处理装置420内，晶圆410较佳使用置中装置422加以置中。如图4所描绘，置中装置包括一横杆423，其以例如活塞作机械移动并于侧面推动晶圆，使其能够使用2个握持脚418的上方边缘418A与横杆423的尾端加以适当地定位。这样确保晶圆410能在搬运头426的适当位置内，以便随后抓起晶圆410。当搬运头426抓起晶圆410时，晶圆410的正面位于下方位置，且搬运头426的移动将允许正面接触化学机械抛光处理所用之抛光垫或皮带424。使用抛光垫或皮带424或是抛光剂之化学机械抛光处理，在化学机械抛光处理装置420内可以传统之方式进行，较佳搬运头转动且化学机械抛光处理装置420具有转动的抛光垫，最佳是双线性移动。在化学机械抛光装置最佳的双线性移动中，化学机械处理系统使用如同样由本发明的受让人所拥有之美国专利6,468,139中所说明之化学机械抛光装置420。
一旦在化学机械抛光处理装置420中的化学机械抛光完成后，握持晶圆握持轴436的支撑器434所附着的另一移动外壳432在化学机械抛光处理装置420下方移动，而移动外壳414移动至晶圆进入区域402以等待接收另一片晶圆。晶圆410从搬运头426卸载至晶圆握持轴436上。握持轴436从上方观看较佳为圆形，由不会与水及清洗溶液起反应的坚硬材质制成，且具有比上缘436B长的下缘436A。当握持轴436在开启位置时，此结构允许释放晶圆410至下缘436A上。一旦晶圆410从搬运头426移出至握持轴436的下缘436A上，握持轴436随即使用未绘出的马达定位至关闭位置，其由图5所描绘的电路控制器490加以控制。握持轴436在关闭位置时，晶圆410被紧密地握持其边缘于下缘436A与上缘436B之间。晶圆410就定位后，移动外壳432传送晶圆410至清洗与干燥区域，其为由盖子442所盖住的区域。
一旦晶圆410在清洗区域440内，盖子442的一部份442A下降以盖住晶圆410与移动外壳432，使得清洗与干燥处理得以进行。如之后所将说明的，清洗处理在晶圆仍依附于移动外壳432时进行，且一旦清洗发生，可旋转之晶圆传送装置460将晶圆从移动外壳432抓起并将其旋干。一旦晶圆干燥后，将在前述提及的退出区域404中由可旋转晶圆传送装置460握持，盖子部份442A将升起，且随后依照所用的系统结构，另一个如机械臂114或机械臂116的机械臂将从可旋转晶圆传送装置460上的握持位置抓起晶圆410，并传送晶圆410至下一个位置。
图5进一步描绘位在清洗与干燥区域440内的细部组件。如所绘，分别装配在晶圆的正面与背面上的2个清洗滚筒452与454在晶圆410的一部份上移动，使得能够覆盖晶圆410的整个半径范围。滚筒452与454随后以所绘的马达456旋转驱动，并由电路控制器490加以控制，虽然其它的驱动及控制机构也可使用。在滚筒452与454旋转时，握持轴436使用装配在移动外壳432内未绘出的马达加以转动，并由电路控制器490加以控制。握持轴436的转动每一个皆为相同的转动方向，造成晶圆410转动，使得晶圆410之正面与背面的每部份在清洗处理时接触滚筒452与454之一者于某一点。如所知在清洗时，清洗剂典型上施加在晶圆上，同时清洗滚筒移除从化学机械抛光处理所留下的残留物，且随后使用高压喷嘴458进行DI水冲洗。如前所述，滚筒452与454及高压喷嘴458将在晶圆410仍维持在移动外壳432上的握持轴436之间时运作。
一旦晶圆清洗后，必须加以干燥。为了加以干燥，可旋转之晶圆传送装置460用来将晶圆410带离握持轴436，将晶圆升至转动位置并旋转晶圆使其干燥。构成可旋转之晶圆传送装置460的组件包括使用马达470转动的转动轴462与驱动组件472，且其使用透过上/下驱动组件476连接之上/下滚筒474做上与下之移动，其所有皆透过电路控制器490加以控制。依附于转动轴462的是包含夹钳466的晶圆载具464，其运作之后将配合释放机构480进一步说明，其同时也是透过电路控制器490加以控制。
图6描绘晶圆410定位在握持轴436之间，以及夹钳466相对握持轴436之方向，使得能够确保晶圆410不会掉落之上视图。在晶圆410传送时，握持轴436保持在关闭位置以确保其握持晶圆410，直到夹钳466也握持，此时，握持轴436移至开启位置且晶圆能升起，通过不再握持晶圆410的握持轴之上缘436B。图7进一步说明释放机构480，其用于控制夹钳466的位置，使得在某些时间夹钳在握持晶圆410的位置，而在其它时间在外部位置使其不妨碍晶圆410，如同现在所将说明的。
如前所述在晶圆410清洗后的初始位置上，晶圆载具464配置于晶圆410上方，使得夹钳466不会妨碍清洗运作。可旋转之晶圆传送装置460随后必须移至提起晶圆410之位置。当此移动发生时，夹钳466必须配置于开启位置。此开启位置藉由使用释放机构480来作保证，其透过电路控制器使结合释放柱482的横杆483动作，并使释放杠杆484向下移动，且释放杆485因而移动。释放杆485向下移动将造成释放杆485的斜角边缘区域486移动与每个夹钳466结合的每个水平释放构件487，且因而使每个夹钳466绕轴点465向外转动。即使电源中断时，夹钳466仍维持在开启位置，因为释放柱482将横杆483锁至往外的位置，其需要来自电路控制器490的另一个致动讯号以释放横杆483，允许夹钳466能够关闭。
一旦夹钳466在握持晶圆410的正确位置但仍是开启位置时，致动讯号加入且夹钳自动关闭，因为弹簧488的弹力将造成水平释放构件487收缩，其转而将造成释放杆485向上移动。
夹钳466在关闭位置时，延着释放机构480的整个晶圆载具464移至旋转位置，在此，晶圆载具464与晶圆410被旋干。
之后，移动晶圆载具464使得晶圆410在退出位置404中，且晶圆能从夹钳466移至另一机械臂上。应注意如果在夹钳466握持晶圆410时发生电源中断，弹簧488的偏压仍将维持晶圆410而不会掉落。
如图1-3所示，在这些实施例中，晶圆退出位置404是卡匣区域内的第1机械臂将抓起晶圆之处。这样减少了处理区域的抓取区域内第2机械臂所需的传送工作次数。
而卡匣区域内的第1机械臂能够用来从晶圆退出位置抓起晶圆，并非对所有结构皆必要。当然，在某些结构中，第2机械臂也能够从晶圆退出位置抓起晶圆。
第2机械臂从晶圆退出位置抓起晶圆的1个实施例描绘于图8中，此实施例呈现如前所述之复数个化学机械抛光站808D，且使用或不使用退火处理站808E。在此实施例中，晶圆抓取区域809中的机械臂816从缓冲区806移动晶圆至退火处理站808E或化学机械抛光站808D之一。配置在卡匣区域804内的第1机械臂814将从其卡匣移动晶圆至缓冲区806。
在前述的每个实施例中，应注意期望卡匣区域内的第1机械臂以正面向上抓起晶圆，而以正面向下放置晶圆至缓冲区上。之后，处理区域的晶圆抓取区域与每个处理子系统内的机械臂，将以晶圆正面向下的方式运作。虽然这是非必要，但能够降低复杂度并减少会造成晶圆掉落之晶圆移动。
图9为进一步详细描绘退火腔体处理站908E之图示。如所描绘，退火腔体处理站908E包含一空旷区域910，容许退火腔体处理站908E加入现有的系统，而空旷区域910对应缓冲区906的位置。所以，缓冲区906配置在退火腔体处理站908E的晶圆进入/退出区域912之上方或下方(绘出的是上方)。
在前述的不同实施例中，应注意本发明能够运作于不同尺寸的晶圆，而晶圆置于卡匣区域。在每个不同卡匣内的晶圆尺寸，举例而言，是透过使用系统控制器的软体标示而得知。再者，抓起晶圆的机械臂装配成为不论每片晶圆的尺寸，皆能侦测其中心，并适当地抓起晶圆。
此外，对于每片晶圆，系统控制器也依照晶圆的需要载入处理顺序或制作法，而处理顺序的各部份由不同的处理站进行。当传送特定的晶圆至特定的处理站时，部份的制作法以系统控制器的指令方式传送至处理站模组，且处理随之进行，同时也提供追踪正在循环的晶圆。
当在生产环境中，典型上对于每片晶圆具有相同的处理顺序，且这也是本发明所考量的，在某些研发设定上，对每片晶圆处理有较多控制是有益的。所以，当每片晶圆传送至适当的处理站(可包括相同型式运作于不同尺寸晶圆的处理站)时，系统控制器将追踪通过系统之晶圆的进行，使得晶圆从处理站至处理站的传送协调得以存在。
每个在此参考的不同子系统较佳包含电路控制器，例如有关化学机械抛光装置400说明的电路控制器490，提供每个不同的子系统独立运作于整合系统中。在整合系统运作时，每个特定子系统的电路控制器将与系统控制器一同工作，以确保其它子系统及晶圆抓取系统的运作与整体系统运作能够同步。在每个子系统独立运作时，特定子系统的电路控制器能够控制特定子系统所进行的运作。因此，因为子系统能够同时且独立地使用，相同子系统可用于非常多样化的组合，因此增加了其弹性。
图10-16描绘根据本发明的另一实施例中的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组。本发明的模组能够进行化学处理，施加机械及超音波清洗方法与冲洗及干燥处理于相同模组中。一般而言，化学处理/清洗/冲洗-干燥模组包括放在一封闭且可移动的外壳中之化学处理/清洗/冲洗装置与干燥装置。化学处理/清洗/冲洗装置可为滚筒毛刷与在工件上喷洒DI水或化学处理溶液的各种喷嘴，以及超音波喷嘴。干燥装置可为用于旋干工件的旋转器。此模组外壳具有一开口，以容许移动外壳进出模组。
移动外壳包括支撑结构，其含有握持器以握持移动外壳上的工件外壳。握持器可以包含支撑构件兴位在支撑构件上方的握持轴。其中1个握持轴也可当作驱动轴使用，当工件在清洗处理由握持轴握持时转动工件。在此实施例中，移动外壳可包含一门，当移动外壳在模组内时，其关闭且密封模组的开口。然而，可使用其它可密封模组开口的机构，同时也在本发明的范畴内。一旦移动外壳在模组内，驱动轴也啮合连接至驱动马达的齿轮并转动。这样在清洗藉由化学处理/清洗/冲洗装置与干燥装置完成后，因而转动移动外壳上的工件。一旦工件清洗后，干燥组件抓起工件并将其旋干。虽然任何其它的干燥方法也可用来使工件干燥。在旋干处理后，工件使用机械臂送出模组。
图10描绘包括了根据本发明之化学处理/清洗/冲洗-干燥模组1104的实施例之群组工具1100的简化侧视图。在此实施例中，群组工具1100可以包括镀膜或抛光模组1102、化学处理/清洗/冲洗-干燥模组1104及移动外壳1106。工具1100可使用于先前结合图1、2、3与8说明之任意系统。化学处理/清洗/冲洗-干燥模组1104之后将参照为模组。应明了模组1104可当作工具1100的整合部份，或当作各别独立的化学处理/清洗/冲洗-干燥模组使用。如果希望模组是各别的形式时，晶圆可以手动或机械臂送入与移出。如图17所示，复数个模组可置于系统中。
虽然在较佳实施例中，镀膜或抛光模组1102为CMP模组，但也可为用于整体工件制造过程中的任意处理模组，如ECMD、ECME或ECD。须明了绘于图10的群组工具类似绘于图4的CMP处理站400。类似于先前的实施例，移动输入外壳(未绘出)从机械臂116接收晶圆，例如绘于图1的第2机械臂。移动输入外壳(未绘出)随后移动晶圆至CMP模组1102。工件1108可使用移动外壳1106从任意模组(即镀膜或抛光模组1102)传送至模组1104。
移动外壳1106包括连接至基底1114的中心部份1109。支撑构件(即水平支撑构件1110与垂直支撑构件1111)藉由水平支撑构件1110连接至中心部份1109。如同以下将更完整地说明，工件1108握持于垂直支撑构件1111上。移动外壳1106包括用来延着轨道1112移动移动外壳1106的基底1114。门1113连接至基底1114，且可视为移动外壳1106的一部份。移动外壳1106可使用任何所知的方法，延着轨道1112移动。
与移动外壳1106结合的模组1104包含外壳1105、干燥组件1200以及化学处理/清洗/冲洗组件1300，例如毛刷、清洗溶液喷嘴、超音波清洗器喷嘴及其相关零件。
模组1104的外壳1105包括延着外壳侧壁之开口端1123。开口端1123当成移动外壳1106的进入与退出区域。当移动外壳1106在模组1104内时，移动外壳1106的进入与退出区域1123由移动外壳1106在模组1104内的门1113所密封。
干燥组件1200包含转动晶圆传送装置1202或旋干机，以及旋干机移动组件1204。模组1104的旋干机1202包含转动轴1190，以及依附在转动轴1190下端的旋转轮1118。如同以下将更完整地说明，旋干机1202藉由移动组件1204加以转动。用来握持工件1108的夹钳1136依附在旋转轮1118的外缘。当清洗与旋干处理完成后，工件1108透过工件退出区域1140传送出模组1104。工件1108可使用具有叶片与真空装置的机械臂传送出模组1104。工件1108也可使用任何其它已知的传送装置与方法传送出。
图11描绘当移动外壳1106移入模组1104内，模组的侧视图。当模组的入口1123由移动外壳的门1113密封时，移动外壳1106握持清洗的晶圆1108并旋干。在图11中，旋干机在完全缩回的位置，以允许工件清洗。如先前所解释，在先前的实施例中，移动外壳维持如晶圆的工件上方向下，使得晶圆1108的正面1108’向下，而晶圆1108的背面1108”向上。晶圆的正面可使用CMP作预处理。图12显示在模组1104内移动外壳的平面图示。参考图11与12，移动外壳的的中心部份1109固定至移动外壳1106中心的基底1114。移动外壳利用啮合于基底1114两侧的轨道1112移动。3个水平支撑构件1110在中心部份与垂直支撑构件1111之间延伸，并环绕中心部份均匀地呈放射状排列。2个水平支撑构件之间的角度较佳为120度。在此实施例中，移动外壳具有3个水平与3个垂直支撑构件。垂直支撑构件1111附着于水平支撑构件的外侧端，并垂直延伸且平行于中心部份1109的垂直轴A。参考图11，垂直支撑构件1111的上端进一步包括轴或握持轴1302，其用于在清洗处理时固定工件1108。握持轴在先前结合了图4-5加以说明。垂直支撑构件1111的放射状位置可排列以容纳不同尺寸(即200mm、300mm等等)的晶圆。
图11也显示部份的旋干机移动组件1204与旋干机1202。旋干机1202依附于移动组件1204的旋干机驱动马达1116并由其转动，其位在外壳1105的顶部1183上。驱动马达1116安装在平台1315上，其进一步附着至汽缸1314(见图15)。图15中所显示的汽缸1314藉由空气压力，垂直上下地移动驱动马达1116及旋干机。驱动马达1116附着至旋干机之轴1190的上端。
旋转轮的夹钳1136在干燥处理时握持工件1108。夹钳1136可移动地依附在臂1130的尾端，且在旋干处理前、处理中与处理后以气控方式抓起、握持与松开工件。旋转轮包括3个臂1130。来自空气源(未绘出)的空气管路1135通过该轴，且随后分布至旋转轮1118的臂1130。夹钳1136藉由推进器1122’、1122”移至开启与关闭位置，其可移动地位在臂的尾端。推进器1122’弹性装入并加压，以保持夹钳在关闭位置。推进器1122”位在每个臂1130内空气管路1135的尾端。为了开启夹钳，用从空气管路1135而来的加压空气将气动推进器1122’移向夹钳，并因而造成每个夹钳绕着轴点P向外转动。当空气压力释放时，推进器1122’造成夹钳绕着轴点P向内转动，并藉以关闭它们。旋干机及其组件可藉由类似先前实施例中所说明的电路控制系统加以控制。
图13显示具有化学处理/清洗/冲洗组件1300的模组1104之侧视图，包括如一对滚筒毛刷1132之机械清洗器、超音波喷嘴1137与喷嘴1141a-1141e。喷嘴位在模组外壳1105的侧壁上或底部。在此实施例中，于工件在移动外壳1106上转动时，喷嘴1141a喷洒标示为S的溶液至工件1108的背面，而喷嘴1141b-1141e能够外壳喷洒溶液S至工件正面。在此实施例中，标示为S的溶液可以是用于化学处理工件的化学溶液，或是冲洗工件的DI水。
参考图12与13，毛刷1132与超音波喷嘴1137呈现在待机位置I与清洗位置II及III。滚筒毛刷在位置II及III之间转动与进行来回动作时，清洗转动晶圆1108的正面1108’与背面1108”。毛刷与超音波喷嘴的各种机械动作受到驱动单元1139的控制。如以下将说明的，工件使用工件转动机构在移动外壳1106上转动。超音波喷嘴在工作于工件背面1108”之毛刷1132旁。超音波喷嘴1137在清洗处理时产生超音波。特别是超音波去除了使用毛刷难以移除的微粒。在此方面，超音波喷嘴可与毛刷同时使用，或在毛刷清洗前单独使用，或者在毛刷清洗后单独使用。
图13也描绘根据本发明的工件转动机构1123。工件1108可以使用1个垂直支撑器转动，其将视为驱动支撑器。驱动支撑器包括驱动齿轮。如先前所述，1个垂直支撑器1111搭配能够使其转动的1个驱动部件。当此特定支撑器转动时，也将转动在其上方的轴1302。轴1302转而转动由轴握持的晶圆。当驱动支撑器的支撑齿轮1129啮合工件转动机构1123的驱动齿轮1128时，支撑器由工件转动机构1123的驱动齿轮1128所转动。驱动齿轮1128附着于位在套筒1127中的可移动活塞1126，允许活塞1126在套筒内前后移动与旋转。当活塞1126由附着在侧壁上的驱动马达(未绘出)转动时，驱动齿轮1128转动并同时转动驱动支撑器。
如图14A与14B所示，在一实施例中使用滚筒毛刷。它们可为圆筒状且清洗溶液可透过它们运送。在此实施例中，滚筒毛刷1132具有圆锥或锥形外观。在一种制造方法中，圆筒形的毛刷区域1400配合圆锥形的毛刷轴1410，因而采用此轴外形。此构造消除了在毛刷清洗时，在工件或晶圆的缓慢移动中心区域与快速移动边缘区域之间的清洗差异。对于传统的圆筒形滚筒毛刷，晶圆的缓慢移动中心区域之清洗花费较长的时间。如果滚筒毛刷能够在中心区域上运用比边缘区域更大的压力，这样的清洗差异能避免。这种作法可使毛刷呈圆锥形来达成，使得接触晶圆中心区域的毛刷之第1尾端1420施加更大的压力并加速清洗。毛刷之第2尾端1430较窄，所以运用较小的压力至晶圆的边缘区域。施加在中心区域的力量补偿了因为晶圆边缘与中心区域的速度差异所产生之清洗差异。
图15显示了旋干机1202之移动组件的细部图。在图15中，旋干机在完全伸展的位置，以便在化学处理、清洗与冲洗的处理步骤后，从移动外壳抓起晶圆用于干燥处理。旋干机的驱动马达1116安装在平台上1315，其进一步附着于汽缸1314。汽缸1314垂直上下移动驱动马达1116和旋干机。驱动马达1116附着于旋干机轴1190的上端。弹簧1117为了平衡目的也附着于平台1315。
图16显示模组1104的侧视图。在图16中，旋干机1202抓起晶圆1108，并完全缩回以旋干晶圆1108。在运作时，一旦镀膜或抛光完成，移动外壳1106接收安装在支撑器1111的3个握持轴上的工件。如先前说明的，支撑器1111附着于横杆1110与中心区域1109。一旦感测器(未绘出)感测到工件1108位在握持轴上，工件1108被固定且移动外壳1106经由开口1123移入模组1104。门1113接触模组1104的侧壁，并自我调整以提供适当的密封。移动外壳1106随后将其本身放置在模组1104的中心。
当移动外壳1106适当地定位时，驱动支撑齿轮啮合活塞上的齿轮。驱动支撑器的转动造成工件1108转动。当工件1108转动时，清洗滚筒1132随后接触工件1108的上下表面，以开始化学处理/清洗/冲洗-干燥处理。虽然可使用不同的顺序，此处理可包括第1步骤的化学处理、第2步骤的毛刷与超音波清洗以及第3步骤的DI冲洗，接着旋干。化学处理步骤可藉由从喷嘴喷洒酸性或碱性溶液来进行，以清洗晶圆。溶液的性质依据所清洗的材质而定。化学处理溶液也可能包含钝化剂(为了防止腐蚀)。钝化步骤也可使用钝化溶液来进行。举例而言，对于晶圆的后CMP铜清洗，可以使用柠檬酸来清洗晶圆。在此例中，如BTA之钝化剂可与化学处理溶液或冲洗水配合使用，或其本身单独使用。滚筒与超音波喷嘴可在化学处理时或处理后使用，当作不同的清洗步骤。在化学处理、毛刷与超音波清洗后，如先前所讨论，晶圆1108可使用去离子水冲洗。钝化剂也可以加入冲洗水中。
在工件1108冲洗后，需要干燥处理。在干燥处理前，转动机构从移动外壳松开以停止转动晶圆。夹钳1136用来从支撑器1111的轴抓起工件。旋干机向下移动，且加压空气送至旋转轮1118。推进器1122”随后推动夹钳1136至“开启”位置。在此同时，中心区域1109开启以松开工件1108。当空气关掉时，推进器1122’推动夹钳1136，藉以迫使它们接触在工件1108上。之后，带着工件1108的旋转轮1118垂直向上移动，且旋转轮1118与工件1108旋转。在工件1108干燥后，位置1140的外部机械臂(图10)啮合工件1108，使其能传送出模组1104。
如图17所示，如前所述的复数个化学处理/清洗/冲洗-干燥模组可构成系统1500。此系统可包含卡匣区域1502、缓冲区1504、晶圆抓取区域1505与化学处理/清洗/冲洗-干燥模组1506A-1506F。在此实施例中，晶圆抓取区域内的机械臂1508将晶圆从缓冲区1504移至化学处理/清洗/冲洗-干燥模组之一。装配在卡匣区域1502内的第1机械臂1510将晶圆从其卡匣移至缓冲区1504。在此实施例中，化学处理/清洗/冲洗-干燥模组可如图17所示以肩靠肩的方式装配，或是任何其它的结构，例如模组可彼此向上堆迭。
虽然不同的较佳实施例先前已详细说明，熟习此技艺之人士将很容易得知在不实质地偏离本发明的新技术与优点时，许多示范实施例的修改是可行的。

Claims (50)

1.一种用于处理、清洗与干燥半导体工件之装置，此装置包含：处理工件表面的处理区域；
从处理区域传送工件至清洗与干燥区域之移动外壳，其中移动外壳具有能够握持工件的支撑结构；
当工件以支撑结构转动并握持时，用于清洗工件的清洗机构；以及
用于从移动外壳接收工件并干燥工件的干燥机构。
2.如申请专利范围第1项之装置，进一步包含另一个移动外壳，以传送工件至用来处理的处理区域。
3.如申请专利范围第1项之装置，其中支撑结构包含复数个支撑器，其具有至少2个闲置支撑器与1个驱动支撑器。
4.如申请专利范围第3项之装置，其中驱动支撑器连接至用于转动工件的工件转动机构。
5.如申请专利范围第1项之装置，其中清洗机构包含毛刷。
6.如申请专利范围第1项之装置，其中清洗机构包含超音波清洗器。
7.如申请专利范围第1项之装置，其中清洗机构包含溶液供应系统。
8.如申请专利范围第5项之装置，其中毛刷为滚筒毛刷。
9.如申请专利范围第7项之装置，其中溶液供应系统包含在清洗时导引清洗溶液至工件的喷嘴。
10.根据申请专利范围第1项之装置，其中干燥机构包含：
旋转轮；
复数个位在旋转轮外缘用来固定工件的夹钳；以及
用来转动旋转轮的工具。
11.如申请专利范围第1项之装置，其中在工件表面向下时，工件在移动外壳上被握持与清洗。
12.如申请专利范围第11项之装置，其中在工件表面向下时，干燥机构接收与干燥晶圆。
13.如申请专利范围第1项之装置，其中处理区域包含化学机械抛光装置。
14.如申请专利范围第1项之装置，其中处理区域包含电化学机械处理装置。
15.一种在具有清洗与干燥区域及处理区域的处理模组中用来清洗与干燥工件的方法，包含：
放置工件在移动外壳上；
移动移动外壳至处理模组的清洗与干燥区域
在清洗与干燥区域中使用清洗流体清洗工件表面；
从移动外壳传送工件至具有旋转轮的干燥机构；以及
干燥工件。
16.如申请专利范围第15项之方法，进一步包含在放置步骤前，在邻接处理模组的清洗与干燥区域之处理区域内，处理工件表面。
17.如申请专利范围第16项之方法，进一步包含在另一个移动外壳上传送工件至外壳处理模组。
18.如申请专利范围第15项之方法，进一步包含在清洗步骤时，使用工件转动机构转动工件。
19.如申请专利范围第15项之方法，进一步包含藉由转动旋转轮来干燥工件。
20.如申请专利范围第16项之方法，其中处理、放置、移动、清洗、传送与干燥的步骤，在工件表面向下时进行。
21.如申请专利范围第16项之方法，其中处理步骤包含化学机械抛光。
22.如申请专利范围第16项之方法，其中处理步骤包含电化学机械处理。
23.一种用来在具有外壳的清洗模组内干燥半导体工件的装置，包含：
附在外壳的第1汽缸与第2汽缸；
附在外壳的马达，马达具有连接至在外缘有复数个用来固定工件的夹钳之旋转轮的马达轴。
24.如申请专利范围第23项之装置，其中第1汽缸允许复数个夹钳作垂直移动。
25.如申请专利范围第23项之装置，其中第2汽缸透过马达轴提供空气，使得夹钳能够啮合与松开工件。
26.一种使用1个或多个的轨道从处理模组传送工件至清洗模组的移动外壳，包含：
可延着1个或多个的轨道移动之基底；以及
连接至基底的门，其中门能在移动外壳位于清洗模组内时密封清洗模组。
27.如申请专利范围第26项之移动外壳，其中门使用托架、螺钉与弹簧连接至基底。
28.如申请专利范围第27项之移动外壳，其中弹簧提供适当的张力以密封清洗模组。
29.如申请专利范围第26项之移动外壳，进一步包含：
连接至基底的中心部份；
连接至中心部份的复数个横杆；以及
复数个支撑器，其中每个支撑器连接至复数个横杆其中之一。
30.如申请专利范围第29项之移动外壳，其中复数个支撑器包含至少2个闲置的支撑器与1个驱动支撑器。
31.如申请专利范围第30项之移动外壳，其中驱动支撑器包括齿轮。
32.如申请专利范围第31项之移动外壳，其中齿轮能够与工件转动机构的第2齿轮啮合。
33.一种用于处理工件的装置，包含：
具有复数个支撑器的移动外壳；
在清洗过程用于握持工件的复数个握持轴，其中每个握持轴连接至复数个支撑器其中之一；
用于转动复数个支撑器使得工件在清洗过程转动之工具；
用于从移动外壳接收工件使得工件能在干燥过程加以干燥之转动晶圆传送装置，传送装置具有用于固定与松开工件的夹钳与释放机构；以及
用于在干燥过程转动工件之工具。
34.一种用于处理复数个晶圆的整合晶圆处理系统，包含：
至少1个电化学机械处理子系统，其能够在晶圆正面上沉积金属；
至少1个化学机械抛光处理子系统，其包含个别的晶圆进入与晶圆退出点；以及
晶圆抓取子系统，用于传送每片晶圆进出至少1个电化学机械处理子系统及至少1个化学机械抛光处理子系统。
35.一种用于处理复数个晶圆的整合晶圆处理系统，包含：
用于沉积金属在晶圆正面上的至少1个沉积处理子系统；
退火腔体；
至少1个化学机械抛光处理子系统，其包含个别的晶圆进入与晶圆退出点；以及
晶圆抓取子系统，用于传送每片晶圆进出至少1个沉积处理子系统、退火腔体与至少1个化学机械抛光处理子系统。
36.一种用于处理复数个晶圆的整合晶圆处理系统，包含：
用于握持需要运作的晶圆与已运作的晶圆之卡匣区域；
用于沉积金属在晶圆正面上的至少1个沉积处理子系统；
一部份提供退火而另一部份用于晶圆抓取之处理区域；
至少1个化学机械抛光处理子系统，其包含个别的晶圆进入与晶圆退出点；以及
用于传送每片晶圆之晶圆抓取子系统，晶圆抓取子系统包括第1与第2晶圆移动装置，其中：
第1晶圆移动装置能够将晶圆带出卡匣区域、处理区域及化学机械抛光处理子系统，并将晶圆放至卡匣区域与处理区域；
第2晶圆移动装置能够将晶圆带出处理区域与沉积处理子系统，并将晶圆放至沉积处理子系统、处理区域与化学机械抛光处理子系统。
37.一种运作于半导体基板的整合处理工具，包含：
化学机械处理装置，其化学机械性地抛光基板；
清洗与干燥晶圆的清洗与干燥模组，且同时包含晶圆输出区域；
在晶圆输入区域与化学机械处理装置之间移动晶圆的移动输入外壳；以及
在化学机械处理装置与清洗及干燥区域之间移动晶圆的另一个移动外壳。
38.一种运作于晶圆的系统，包含：
接收晶圆的晶圆抓取区域；
具有化学机械性地抛光晶圆的化学机械处理装置之第1处理模组，第1处理模组包括清洗与干燥晶圆的清洗与干燥装置；
在晶圆抓取区域与第1处理模组之间移动晶圆的第1移动输入外壳；以及
在化学机械处理装置与清洗及干燥装置之间移动晶圆的第2移动外壳。
39.如申请专利范围第38项之系统，进一步包含：
靠近第1处理模组的清洗及干燥装置之出口的晶圆缓冲区域；
靠近晶圆缓冲区域的晶圆接收区域；以及
第1晶圆抓取机械臂，其中：
第2移动外壳从第1处理模组的清洗及干燥装置传送晶圆至晶圆缓冲区域；以及
第1晶圆抓取机械臂从晶圆缓冲区域传送晶圆至晶圆接收区域。
40.如申请专利范围第39项之系统，其中晶圆接收区域可配置以接收能够握持复数个晶圆的卡匣。
41.如申请专利范围第40项之系统，进一步包含电化学处理晶圆的第2处理模组，其中第1晶圆抓取机械臂从卡匣传送晶圆至晶圆缓冲区域，晶圆缓冲区域具有用来传送晶圆至第2处理模组的第2晶圆抓取机械臂。
42.如申请专利范围第41项之系统，其中第1抓取机械臂从卡匣传送正面向上的晶圆，并放置正面向下的晶圆至晶圆缓冲区域。
43.如申请专利范围第42项之系统，其中第2抓取机械臂传送正面向下的晶圆至第2处理模组。
44.如申请专利范围第40项之系统，其中第2处理模组配置成用以进行电化学机械沉积。
45.如申请专利范围第40项之系统，其中第2处理模组配置成用以进行电化学机械蚀刻。
46.如申请专利范围第40项之系统，其中第2处理模组包括第2化学机械处理装置与第2清洗及干燥装置。
47.如申请专利范围第40项之系统，进一步包含靠近晶圆缓冲区域的退火模组。
48.如申请专利范围第47项之系统，其中退火模组包括配置用来加热晶圆的热区域。
49.如申请专利范围第47项之系统，其中退火模组包括配置用来冷却晶圆的冷区域。
50.如申请专利范围第41项之系统，其中诸模组环绕晶圆抓取区域而群集。
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