JP6012597B2 - 光起電力電池素子のためのシリコンウエハの表面テクスチャ修飾を制御する方法および装置 - Google Patents
光起電力電池素子のためのシリコンウエハの表面テクスチャ修飾を制御する方法および装置 Download PDFInfo
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Description
本発明は、シリコン系光起電力(PV)素子のドライ化学テクスチャ加工のための方法および装置に関する。より具体的には、本発明は、活性エッチング液種を生成するために、プラズマ放電を使用することなく、大気圧において、インライン連続通過ドライ化学エッチングのための方法および装置に関する。
1.非常に大量の水および他の化学物質が、これらのウェット化学エッチングステップの際に消耗される。
2.ウェットエッチングプロセスは、より薄いウエハ(<160μm)に対して適切ではない。
3.より安価な多結晶シリコン太陽電池の従来のアルカリウェット化学エッチングによるテクスチャ加工は、満足のゆく反射防止特性をもたらさない。これは、多結晶シリコン基板の異方性性質によるものである。
4.多結晶シリコン太陽電池製造のための確実なプロセスは、酸性溶液、例えば、HFおよびHNO3の混合を使用した、付加的ウェットエッチングステップの使用である。本「混酸テクスチャ加工」は、多結晶基板上の従来の異方性エッチングより低い反射率をもたらす。しかしながら、ポイント1に概略されるように、単結晶基板上の従来のアルカリエッチングと同一結果をもたらさない。これは、多結晶シリコン太陽電池の全体的電池変換効率に、より高価な単結晶シリコン太陽電池の変換効率から後れを取らせる。
5.ウェットエッチング機器は、非常に大型であり得(ある場合には、長さが最大17m)、制限されたプロセス生産性能力を有する。
6.ウェットエッチング効率は、ウエハの結晶学的構造に非常に依存し、単または多Siウエハに対して、異なる化学物質配合を必要とする。
7.限定された片側のウェットプロセスは、分離表面処理を提供しない。
8.ウェットエッチングは、作用するために、ウエハ内にいくつかの欠陥を必要とする。平滑表面からは作用しない。
基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するステップと、
基板または蒸着された層を予加熱するステップと、
基板または蒸着された層を、外部周囲環境からパージガス封込めカーテンを通して開放大気リアクタの中まで、エッチングするために連続的に移動させるステップと、
リアクタ内側のエッチング液送達特徴の中をまたはそれを通して、基板を連続的に移動させるステップと、
適用されるエッチング液ガスの流量および角度を制御することによって、基板上に所望のテクスチャを生成するように、リアクタ内の基板または蒸着された層に、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するステップと、
開放大気リアクタから、さらなるまたは同一の組のパージガス封込めカーテンを通して、外部周囲環境へと、基板または蒸着された層をエッチングするために連続的に移動させるステップと
を備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される、方法が、提供される。
(i)筐体と、
(ii)大気リアクタと、
(iii)少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、
(iv)基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するための手段と、
(v)基板または蒸着された層を予加熱するための手段と、
(vi)大気リアクタを通して、エッチングするために、基板または蒸着された層を連続的に移動させるための手段と、
(vii)リアクタ内の基板または蒸着された層に、圧力下、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するに際して、リアクタ内側のエッチング液送達モジュール下において、基板を連続的に移動させるための手段と、
(viii)プロセスのエッチング速度を制御する手段と
を備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される装置が提供される。
(i)筐体と、
(ii)エッチング液ガス送達リアクタと、
(iii)少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、
(iv)大気圧において、エッチング液ガスを筐体に送達するための手段と
を備える装置が提供される。
(i)支持基板上にエッチングのための基板を配置するステップと、
(ii)基板を予加熱するステップと、
(iii)エッチングのための基板をエッチングチャンバに送達するステップと、
(iv)チャンバ内の基板に、圧力下、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を適用するステップと
を備え、少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を備える群から選択される方法が提供される。好ましくは、圧力は、大気圧であってもよい。
(項目1)
シリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を、光起電力(PV)素子を作製するために好適である、所望のテクスチャに修飾するための方法であって、
該方法は、
該基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するステップと、
該基板または蒸着された層を予加熱するステップと、
該基板または蒸着された層を、外部周囲環境からパージガス封込めカーテンを通して開放大気リアクタの中に、エッチングするために連続的に移動させるステップと、
該基板を、該リアクタ内側のエッチング液送達特徴の中にまたはそれを通して、連続的に移動させるステップと、
該適用されるエッチング液ガスの流量および角度を制御することによって該基板上に該所望のテクスチャを生成するように、該リアクタの中で、ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を該基板または蒸着された層に適用するステップと、
該基板または蒸着された層を、該開放大気リアクタから、さらなるまたは同一の組のパージガス封込めカーテンを通して該外部周囲環境まで、エッチングするために連続的に移動させるステップと
を含み、
該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を含む群から選択される、方法。
(項目2)
前記エッチング液は、いかなるプラズマの必要もなく、熱的に活性化される、項目1に記載の方法。
(項目3)
前記プロセスは、連続通過プロセスとして行われる、項目1に記載の方法。
(項目4)
前記ガス形態のエッチング液ガスは、大気圧下において、前記基板または蒸着された層に適用される、項目1〜3のうちのいずれかに記載の方法。
(項目5)
前記リアクタの反応領域は、パージガスカーテンによって密閉される、項目1〜4のうちのいずれかに記載の方法。
(項目6)
前記予加熱ゾーンは、前記パージガスカーテンの内側に位置する、項目5に記載の方法。
(項目7)
結果として生じた基板の表面テクスチャは、その反射率を減少させ、吸収される光を増加させるように、粗面である、項目1〜6のうちのいずれかに記載の方法。
(項目8)
結果として生じた基板の表面テクスチャは、平滑である、項目1〜6のうちのいずれかに記載の方法。
(項目9)
前記エッチング液ガスは、フッ素分子もしくは原子、または熱活性化を可能にするエネルギー結合値を有する任意の他のシリコンエッチングガスである、項目1〜8に記載の方法。
(項目10)
前記フッ素含有ガスは、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、フッ化カルボニル、六フッ化硫黄、三フッ化窒素、二フッ化キセノン、およびフッ素元素を含む群から選択される、項目1〜9に記載の方法。
(項目11)
前記塩素系化合物テトラクロロメタン、トリクロロシランと水素の混合物、および塩化水素を含む群から選択される、項目1〜10に記載の方法。
(項目12)
酸素またはオゾンが、前記テクスチャ加工プロセスを向上させるために付加的に提供される、項目1〜11に記載の方法。
(項目13)
エッチングのための前記基板は、太陽光電池、シリコンウエハ、またはガラス、AlTiC、ITO、およびFR4積層を含む群から選択される基板上に蒸着された層を含む群から選択される、項目1〜12に記載の方法。
(項目14)
プラズマの不在下において行われる、項目1〜13に記載の方法。
(項目15)
光起電力(PV)素子を作製するために好適である、ガスのみ使用して制御可能な方式でシリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を修飾するための装置であって、、
該装置は、
(i)筐体と、
(ii)大気リアクタと、
(iii)少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、
(iv)該基板または蒸着された層を可動搬送装置上に配置するための手段と、
(v)該基板または蒸着された層を予加熱するための手段と、
(vi)該エッチング液ガスを加熱するための手段と、
(vii)該大気リアクタを通してエッチングするために、該基板または蒸着された層を連続的に移動させるように適応されたコンベヤと、
(viii)ガス形態の少なくとも1つのエッチング液を該リアクタ内の該基板または蒸着された層に適用するに際して、該リアクタ内側のエッチング液送達モジュール下にある該コンベヤを使用して該基板を連続的に移動させるための手段と
(ix)プロセスのエッチング速度を制御する手段と
を含み、
該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスおよび塩素系化合物を含む群から選択される、装置。
(項目16)
前記大気リアクタの中のエッチング液ガスは、前記ドライエッチングを行うための塩基ラジカルを産生するように加熱される、項目15に記載の装置。
(項目17)
前記大気リアクタは、約室温と約450℃との間の温度まで加熱される、項目15または項目16に記載の装置。
(項目18)
ガス形態の前記エッチング液は、大気圧下において、前記基板または蒸着された層に適用される、項目15〜17のいずれかに記載の装置。
(項目19)
前記プロセスのエッチング速度を制御する手段は、前記適用されるガス形態のエッチング液の流量および角度を制御することを含む、項目15〜18のいずれかに記載の装置。
(項目20)
項目1〜14のいずれかに記載の方法によってエッチングされた基板を含む、素子。
(項目21)
光起電力太陽電池、シリコンウエハ、ガラス基板、またはウエハ基板(非晶質シリコン、SiNx、SiOx)上に蒸着された層を含む群から選択される、項目20に記載の素子。
Claims (12)
- シリコン基板または基板上に蒸着されたシリコン層の表面構造を所望のテクスチャに修飾するための方法であって、該所望のテクスチャは、光起電力(PV)素子を作製するために好適である、該方法は、
可動搬送装置上に該基板を配置するステップと、
予加熱ゾーン内で該基板を予加熱するステップと、
外部周囲環境からパージガス封込めカーテンを通して開放大気リアクタの中に、エッチングするために該基板を連続的に移動させるステップと、
該リアクタ内側のエッチング液送達特徴の中にまたはそれを通して該基板を連続的に移動させるステップと、
適用される少なくとも1つのエッチング液ガスの流量および角度を制御することによって該基板上に該所望のテクスチャを生成するように、該リアクタの中で、少なくとも1つのエッチング液ガスを該基板に適用するステップと、
該開放大気リアクタから、さらなるまたは同一の組のパージガス封込めカーテンを通して該外部周囲環境まで、エッチングするために該基板を連続的に移動させるステップと
を含み、
該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスであり、該エッチング液ガスは、プラズマを必要とすることなく熱的に活性化され、該エッチング液ガスは、大気圧下で該基板に適用される、方法。 - 前記方法は、連続通過プロセスとして行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記リアクタ内側の前記エッチング液送達特徴は、パージガスカーテンによって密閉される、請求項1〜2のうちのいずれかに記載の方法。
- 前記予加熱ゾーンは、前記パージガスカーテンの内側に位置する、請求項1に記載の方法。
- 前記基板の表面テクスチャは、その反射率を減少させ、吸収される光を増加させるように、粗面である、請求項1〜4のうちのいずれかに記載の方法。
- 前記エッチング液ガスは、フッ素分子もしくは原子、または、熱活性化を可能にするエネルギー結合値を有する任意の他のシリコンエッチングガスである、請求項1〜5のうちのいずれかに記載の方法。
- 前記フッ素含有ガスは、テトラフルオロメタン、トリフルオロメタン、フッ化カルボニル、六フッ化硫黄、三フッ化窒素、二フッ化キセノン、フッ素元素を含む群から選択される、請求項1〜6のうちのいずれかに記載の方法。
- 酸素またはオゾンが、前記シリコン基板または前記蒸着されたシリコン層の表面構造を所望のテクスチャに修飾するための前記方法を向上させるために付加的に提供される、請求項1〜7のうちのいずれかに記載の方法。
- エッチングのための前記基板は、太陽光電池、シリコンウエハ、または、ガラス、AlTiC、ITO、FR4積層を含む群から選択される基板上に蒸着された層を含む群から選択される、請求項1〜8のうちのいずれかに記載の方法。
- 光起電力(PV)素子を作製するために好適である、ガスのみ使用して制御可能な方式でシリコン基板または蒸着されたシリコン層の表面構造を修飾するための装置であって、該装置は、
(i)筐体と、
(ii)大気リアクタと、
(iii)少なくとも1つのエッチング液ガス排気プレナムと、
(iv)可動搬送装置上に基板または蒸着された層を配置するための手段と、
(v)該基板または該蒸着された層を予加熱するための手段と、
(vi)該エッチング液ガスを加熱するための手段と、
(vii)該大気リアクタを通してエッチングするために、該基板または該蒸着された層を連続的に移動させるように適合されたコンベヤと、
(viii)少なくとも1つのエッチング液ガスを該リアクタ内の該基板または該蒸着された層に適用することによって、該リアクタ内側のエッチング液送達モジュール下にある該コンベヤを使用して該基板を連続的に移動させるための手段と、
(ix)該少なくとも1つのエッチング液ガスを該リアクタ内の該基板または該蒸着された層に適用する速度を制御する手段と
を含み、
該少なくとも1つのエッチング液ガスは、フッ素含有ガスから選択され、該大気リアクタ内の該エッチング液ガスは、ドライエッチングを行うための塩基ラジカルを産生するように加熱され、該エッチング液ガスは、大気圧下で該基板または該基板上に蒸着された層に適用される、装置。 - 前記大気リアクタは、約室温と約450℃との間の温度まで加熱される、請求項10に記載の装置。
- 前記少なくとも1つのエッチング液ガスを前記基板または前記蒸着された層に適用する速度を制御する手段は、適用される該少なくとも1つのエッチング液ガスの流量および角度を制御することを含む、請求項10または請求項11に記載の装置。
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US4834020A (en) * | 1987-12-04 | 1989-05-30 | Watkins-Johnson Company | Atmospheric pressure chemical vapor deposition apparatus |
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