JP4180109B2 - エッチング方法及び装置並びに被処理物 - Google Patents
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Description
特許文献3には、CF4等のフッ素系ガス中に大気圧近傍放電を起こすことによりHFを生成し、このHFによって酸化シリコンをエッチング(式12)することが記載されている。
Si+2O3→SiO2+2O2 (式11)
SiO2+4HF+H2O→SiF4+3H2O (式12)
被処理物の表面の処理ガスが当たっている領域には、処理ガス中の水やエッチング反応で生成された水が一時的に凝縮し、凝縮層が形成されることが知られている。この凝縮層にHF及びO3が溶解して拡散し、被処理物の表面に到達することにより、エッチング反応が維持される。一方、被処理物には場所によって凝縮層が集まりやすく水溜り状になる所があると考えられる。例えば、図12の隅角部19がそれであるが、平坦面上にも水溜り状になる所が存在する。このような箇所では、O3が溶解してから被処理物の表面に到達するまでに必要な拡散距離が大きくなり、被処理物の表面上でのO3の反応が減る。したがって、エッチングが進まず、これが処理ムラを惹き起こしていると考えられる。
前記被処理物が配置されるべき設置部と、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並べられた複数の噴出部と、
前記1又は複数の噴出部を、前記設置部に対し一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させるスキャン機構と、
前記スキャン機構による移動の速度を所定以上に設定する設定部と、
を備えている。前記設定部は、前記被処理物の表面上に形成される凝縮層の厚さが所定以下になるよう、前記スキャン機構による移動の速度を所定以上に設定するのが好ましい。或いは、前記設定部は、1の噴出部が前記被処理物と対向する位置を相対的に1回通過するときの前記シリコンのエッチング深さが所定以下になるよう、前記スキャン機構による移動の速度を所定以上に設定するのが好ましい。
前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を1mm以下又は約1mmにするときは、前記移動の速度を3m/min以上70m/min以下の範囲で設定することにしてもよい。
前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を2mm以下又は約2mmにするときは、前記移動の速度を3m/min以上15m/min以下の範囲で設定することにしてもよい。
前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を3mm以下又は約3mmにするときは、前記移動の速度を3m/min以上8m/min以下の範囲で設定することにしてもよい。
前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を4mm以下又は約4mmにするときは、前記移動の速度を3m/min以上4m/min以下の範囲で設定することにしてもよい。
前記フッ化水素原料ガスの露点が14℃以下であれば、前記エッチング深さが60Å以下になるよう前記速度設定を行なうことにしてもよい。このときの速度範囲は2m/min以上とすることができる(実施例1の表2)。
前記フッ化水素原料ガスの露点が18℃以下であれば、前記エッチング深さが25Å以下になるよう前記速度設定を行なうことが好ましい。このときの速度範囲は10m/min以上とするのが好ましい(実施例1の表4)。
前記フッ化水素の生成後に、該フッ化水素含有ガスにオゾン含有ガスを混合して前記処理ガスを生成するのが好ましい。
スキャン回数の上限は、エッチングすべきシリコンの厚さや装置のスキャン能力やタクト時間等を考慮して適宜設定するとよい。
ちなみに、一般的な大気圧プラズマ処理におけるスキャン速度は、1〜2m/min程度であり、シリコン層の厚さ1000Åあたりのスキャン回数は、1〜2回程度である。
1の噴出部に対し前記移動の方向の下流側に、前記被処理物の乾燥を促す強制乾燥部が設けられていてもよい。噴出部が複数並べられている場合、噴出部ごとに強制乾燥部が設けられていてもよく、複数の噴出部に対し1つの強制乾燥部が設けられていてもよい。
これにより、処理ガスが吹き付けられる箇所より下流側の部分の凝縮層を確実に減衰させ、ないしは消滅させることができ、スキャンの度に凝縮層が累積していくのを防止することができる。
前記乾燥部は、乾燥ガスを噴き出す乾燥ガス供給部であってもよく、被処理物を加熱する加熱部であってもよい。
本発明は、略大気圧でのエッチング処理に適用される。ここで、略大気圧とは、1.013×104〜50.663×104Paの範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、1.333×104〜10.664×104Paが好ましく、9.331×104〜10.397×104Paがより好ましい。
10 被処理物
11 ガラス基板
12 ゲート線
13 SiNx層
14 α−Si層
15 n+層
16 シリコン層
17 レジスト
18 凝縮層
20 設置部
30 処理ガス供給部
31 フッ化水素生成部
32 炭化フッ素供給部
33 プラズマ生成部
34 水添加部
35 電極
36 オゾン生成部
37 酸素供給部
38 オゾナイザー
39 処理ヘッド
40 ノズル部
41 噴出口(噴出部)
42 吸引口(吸引部)
50 吸引手段
60 スキャン機構(移動機構)
70 設定部(設定手段)
80 乾燥ガス供給源
81 乾燥ガス供給口(強制乾燥部)
90 加熱部(強制乾燥部)
R1 処理ガスとの接触領域(反応領域)
t 凝縮層の厚さ
[第1実施形態]
図1に示すように、エッチング装置Mは、設置部20と、処理ガス供給部30と、スキャン機構60(移動機構)と、設定部70(設定手段)とを有している。
図2(a)に示すように、ガラス基板11の表面には、ゲート線12のパターンが設けられ、さらにSiNx層13、α−Si層14、n+層15が下から順次積層されている。n+層15上のゲート線12に対応する部分には、レジスト17が設けられている。
α−Si層14は、アモルファスシリコンにて構成されている。n+層15は、シリコンにリン(P)をドーピングしたものである。これらα−Si層14とn+層15とが、本発明のエッチング対象のシリコン16を構成する。α−Si層14とn+層15を合計したシリコン層16の厚さは、例えば2000A程度である。
フッ化水素生成部31は、フッ素系原料供給部32と、水添加部34と、プラズマ生成部33とを有している。原料供給部32からのCF4に水添加部34からの水蒸気(H2O)が添加されて、フッ素系原料ガスが生成され、このフッ素系原料ガスがプラズマ生成部33に導入されるようになっている。
原料供給部32においてCF4を不活性ガスで希釈し、これに添加部34においてH2Oを添加して、フッ素系原料ガスを得ることにしてもよい。不活性ガスとしては、Ar、He、Ne等の希ガスやN2を用いるとよい。
CF4+2H2O → 4HF+CO2 …式(1)
図において、ノズル部40の下面と被処理物9の上面との間の距離(ギャップg)は、誇張されている。
上記処理ガス(HF+O3)が噴出口41に導入され、下方へ吹出されるようになっている。
吸引口42は、真空ポンプ等を含む吸引手段50に接続されている。吸引口42の下端周辺のガスが吸引口42に吸込まれ、吸引手段50にて吸引排気されるようになっている。
上記に代えて、スキャン機構60を設置部20に接続し、設置部20を移動させる一方、処理ヘッド39を固定してもよい。その場合、スキャン機構60及び設置部20としてローラコンベアやベルトコンベアを用いてもよい。
設置工程
設置部20に被処理物10を設置する。圧力環境は、略大気圧とし、好ましくは大気圧とする。
温調工程
被処理物10の温度は、好ましくは20〜60℃、より好ましくは25〜35℃になるように調節する。
処理ガス供給部30によって、HFとO3を主成分とする処理ガスを生成し、噴出口41から吹出す。このとき、フッ素系原料供給部32からのCF4の流量は、被処理物Wの前後方向(図1の紙面直交方向)の長さ1mあたり、5〜20slmとするのが好ましく、5〜10slmとするのがより好ましい。
添加部34による水蒸気の添加量は、その大部分が式(1)のプラズマ化反応によって消費される量に設定するのが好ましく、具体的にはH2O/(CF4+H2O)=10〜50vol%とするのが好ましく、10〜25vol%とするのがより好ましい。必要に応じAr、N2、He、Ne等の不活性ガスで希釈してもよい。
プラズマ生成部33の電極35間における電界強度は、1〜20kV/mmとするのが好ましく、5〜10kV/mmとするのがより好ましく、周波数は、5〜100KHzとするのが好ましく、10〜50KHzとするのがより好ましい。
オゾン生成部36によるオゾン生成量は、爆発限界以下とし、具体的にはオゾナイザー38の出口でO3/(O2+O3)=1〜10vol%であるのが好ましく、5〜8vol%であるのがより好ましい。
噴出口41からの処理ガス中のHF濃度は、処理ガス全体に対し例えば0.1〜5vol%となるようにしてもよく、0.3〜1vol%となるようにしてもよい。HF濃度の下限値は、処理ガス全体に対し0.1vol%以上が好ましく、1vol%以上がより好ましい。HF濃度の上限値は、処理ガス全体に対し8vol%以下が好ましく、5vol%以下がより好ましい。HF濃度をあまり大きくしても凝縮層の制御が難しくなる。HF濃度の最適値は、ノズル部40の下面と被処理物9の上面との間の距離(ギャップg)や移動速度に応じて設定するとよい。
噴出口41からの処理ガス中のO3濃度は、処理ガス全体に対し1〜5vol%となるようにするのが好ましく、3〜4vol%となるようにするのがより好ましい。噴出口41からの処理ガス中の水分濃度は、0.001〜0.01%(水蒸気分圧で0.01kPa〜0.1kPa)が好ましい。
4HF+2O3+Si → SiF4+2H2O+2O2 …式(2)
処理ガスの噴出と併行して、スキャン機構60によって処理ヘッド39を被処理物10に対し往復移動(スキャン)させる。見かけ上、この処理ヘッド39に追随するようにして、凝縮層18も被処理物10の表面上を移動する。通常のエッチングでは、スキャンは1回〜2回である。これに対し、本発明では、スキャンを好ましくは3〜4回以上とし、より好ましく5〜8回以上とし、さらに好ましくは9回以上する。こで、1回のスキャンとは、片側移動すなわち往方向への1回の移動、又は復方向への1回の移動を意味し、1回の往復は、2回のスキャンに対応する。
ここで、凝縮層18の厚さtが所定以下になるよう、設定部70によって処理ヘッド39の移動速度(スキャン速度)を所定以上に設定する。凝縮層18の厚さtは、2μm以下になるようにするのが好ましく、t=0.5〜2μmになるようにしてもよく、t=0.5〜1μmになるようにしてもよい。凝縮層18の厚さtは、好ましくはt=20〜60Åになるようにする。
処理ヘッド39の移動速度の下限は、3m/min程度に設定するのが好ましく、3〜9m/minに設定してもよく、6〜9m/minに設定してもよい。
処理ヘッド39の移動速度の上限は、スキャン機構60の能力にも依るが、9〜20m/minとしてもよく、10〜15m/minとしてもよい。移動速度が大きくなると、処理ヘッド39と被処理物10との間への雰囲気ガスの巻き込み量が増大し、処理ガスが希釈されるため、移動速度の上限は、処理ヘッド39と被処理物10との間の間隔(ギャップg)に応じて設定するのが好ましい。処理ヘッド39と被処理物10との間の間隔(ギャップg)がg=1mm程度のときは、70m/min以下にするとよく、ギャップがg=2mm程度のときは、15m/min以下にするとよく、ギャップがg=3mm程度のときは、8m/min以下の範囲で設定するとよく、ギャップがg=4mm程度のときは、4m/min以下にするとよい。これによって、処理ヘッド39と被処理物10との間への雰囲気ガスの巻き込み量を抑えることができ、エッチングが確実に行なわれるようにすることができる(図10)。
図4に示すエッチング装置M2では、ノズル部40の乾燥ガス供給口81(乾燥ガス供給部)が設けられている。乾燥ガス供給口81は、ノズル部40の下面の周縁に沿う底面視四角形の環状をなしている。
これによって、被処理物Wのエンチャント接触領域R1の外部では乾燥を促進させることができ、凝縮層18を減衰させて確実に消滅させることができる。したがって、スキャンの回数が増えるにしたがって凝縮層18が累積するのを防止でき、凝縮層18の厚さtを所定以下に確実に抑えることができる。
凝縮層の厚さが0.1μm以下の場合、クリーンルームの中の相対湿度50%程度でも1〜2秒以下で乾燥を行なうことができる。
図5に示すエッチング装置M3では、ノズル部40の左右の吸引口42のさらに外側に、一対の加熱部90が設けられている。加熱部90は、電熱ヒータで構成されていてもよく、赤外線等の輻射ヒータで構成されていてもよい。
加熱部90による被処理物10の加熱温度は、20〜100℃程度が好ましく、25〜50℃程度がより好ましく、25〜30℃がさらに好ましく、30〜50℃程度にしてもよい。
加熱部90は、ノズル部40の吸引口42より外側だけに限られず、噴出口41と吸引口42の間に配置してもよく、ノズル部40の噴出口41及び吸引口42を除くほぼ全域に配置してもよく、左右どちらか一方にだけ配置してもよい。処理ヘッド39から離してその外側に配置してもよい。加熱部90は、被処理物10を裏側(下側)から加熱するようになっていてもよい。
図6に示すエッチング装置M4では、処理ヘッド39が左右(移動方向)に一定の間隔を置いて複数(図では3つだけ図示)設けられている。各処理ヘッド30には、吸引口42が噴出口41の片側(ここでは右側)にだけ設けられている。噴出口41から噴き出された処理ガスのほぼ全量が右側へ流れ、1つの吸引口42から吸引される。被処理物10の表面における各処理ヘッド39の噴出口41と吸引口42との間に対応する部分が反応領域R1となる。
設置部20及びスキャン機構60としてローラコンベア等の搬送コンベアを用いてもよい。被処理物10に代えて、第1実施形態と同様に処理ヘッド39を移動させるようになっていてもよい。
なお、上記間隔は、処理ヘッド39と被処理物9との間の間隔(ギャップg)より十分に大きい。図においては、ギャップgが誇張されている。
反応領域R1の長さ(噴出口41から吸引口42までの距離): 4cm
処理ガス流量 7.9L/min(単位処理幅(図1の紙面直交方向の1m)あたり)
HF濃度 2.25vol%
オゾン濃度 3vol%
雰囲気温度 25℃ 相対湿度50%
ギャップ g=1〜4mm
移動速度: 0.25〜102.5m/min
処理ヘッド39の台数:1回のスキャン(片道移動)でシリコン層16の全体がエッチングされるだけの台数
処理ヘッド39と被処理物10との間のギャップgが小さいほど、凝縮層の厚さが大きい。
なお、グラフ表示は省略するが、処理ガス接触領域R1の長さが大きくなるほど、凝縮層の厚さが増大する。
なお、グラフ表示は省略するが、反応領域R1の長さが大きくなるほど、エッチング体積は大きくなる。
なお、グラフ表示は省略するが、反応領域R1の長さが大きくなるほど、エッチング深さは大きくなる。
移動速度が低速域から大きくなるにしたがって、エッチング体積が増大する。凝縮層が薄くなり反応が促進される効果と、速度が増すことによりエッチング面積が広がる効果が相俟ったものである。移動速度がある大きさになった時点でエッチング体積がピークに達し、それより高速側では速度が増すにしたがってエッチング体積が減少していく。これは、外部の雰囲気ガス(外気)がノズル部40と被処理物10との間に巻き込まれるためである。移動速度がある大きさに達すると、エッチング体積が不連続的に0になる。上記の巻き込み量が大きくなり過ぎ、凝縮層が生成されなくなり、反応が起きなくなるためである。
なお、グラフ表示は省略するが、反応領域R1の長さが大きくなるほど、エッチング体積のピークが大きくなるが、エッチング体積が不連続的に0になる移動速度は、反応領域R1の長さに依らずギャップgが同じであればほぼ一定である。
図11に示すエッチング装置M5では、処理ヘッド39が一定の間隔を隔てて複数設けられている。これら処理ヘッド39は、スキャン機構60による移動方向に沿って一列に並べられている。隣接する処理ヘッド39,39どうしの間隔は、第4実施形態と同様に被処理物9の表面上の各ポイントがこれら処理ヘッド39,39間を通り過ぎるときに凝縮層が乾燥し得る程度に設定されている。各処理ヘッド39には、噴出口41と吸引口42が設けられている。ここでは、第1実施形態と同様に、噴出口41を挟んでその両側に吸引口42が配置されている。各噴出口41から第1実施形態(図1)と等量の処理ガスが噴き出され、各吸引口42から吸引されるようになっている。
スキャン機構60は、設置部20を介して被処理物10を移動させるようになっているが、これに代えて、複数の処理ヘッド39をまとめて移動させるようになっていてもよい。
例えば、HFのフッ素原料は、CF4に限られず、CHF3、C2F6、C3F6、C3F8、C4F8等のフルオロカーボン、SF6、NF3のフッ素含有化合物を用いてもよく、フッ素単体(F2)を用いてもよい。
HFの水素原料は、H2Oに限られず、アルコール等のOH基含有化合物を用いてもよい。
HFの供給手段として、フッ化水素を蓄えたボンベを用いてもよく、フッ酸水溶液を気化又は霧化してキャリアガスで搬送するフッ酸ベーパーを用いてもよい。フッ酸の気化方法としては、フッ酸水溶液にキャリアガスを通したり、フッ酸水溶液を加熱して気化させ、気化したフッ化水素をキャリアガスに接触させたりするとよい。弗酸の霧化方法としては、弗酸水溶液をキャリアガス中に霧化させるとよい。キャリアガスとしては、He、Ne、Ar等の希ガスやN2を用いるとよい。
オゾン生成部36としてプラズマ生成装置を用いてもよい。
上記第1〜第5実施形態のうち2以上の実施形態を互いに組み合わせてもよい。例えば、第2実施形態の乾燥ガス供給と、第3実施形態の強制加熱とを組み合わせてもよい。第4、第5実施形態の各処理ヘッド39に第2、第3実施形態の乾燥機構を組み込むことにしてもよい。そうすると、隣接する処理ヘッド39,39どうしの間隔を小さくすることができる。
図1に示す装置Mと実質的に同様の装置を用い、被処理物10のシリコン層16のエッチングを行なった。装置構成及び処理条件は以下の通りである。
噴出口41の幅(図1の左右方向の寸法): 2mm
噴出口41の長さ(図1の紙面直交方向の寸法): 100mm
吸引口42の幅(図1の左右方向の寸法): 0.7mm
吸引口42の長さ(図1の紙面直交方向の寸法): 100mm
噴出口41と左側の吸引口42との間の距離: 20mm
噴出口41と右側の吸引口42との間の距離: 20mm
ノズル部40の下面と被処理物10との間の間隔(ワーキングディスタンスすなわちギャップg):g=1mm
電極35への印加電圧: Vpp=135v(パルス電圧)
一対の電極35間の距離: 1mm
上記印加電圧の周波数: 20kHz
上記印加電圧のパルス幅: 10μs
被処理物10の温度: 30℃
処理ガス
プラズマ生成部33へ導入されるフッ素系原料ガス:
CF4+H2O+Ar 約0.5slm
成分ごとに記述すると
CF4 0.05slm
Ar 0.45slm
H2O 0.0070〜0.0117slm
上記フッ素系原料ガスの露点: 12〜20℃
オゾン生成部36からのオゾン含有ガス: O3+O2 0.3slm
上記オゾン含有ガスのO3濃度(O3/(O3+O2)):8vol%
すなわち、O2 0.276slm、O3 0.024slm
左右の吸引口42からの合計吸引流量: 1.5slm
スキャン機構60による相対移動速度: 500〜10000mm/min
スキャンの回数: SiNx層13が析出するまで
シリコン層16の厚さ: 2000Å
ここで、露点12℃のときの上記フッ素系原料ガス中のH2O流量は、0.0070slmである。露点14℃のときの上記フッ素系原料ガス中のH2O流量は、0.0080slmである。露点16℃のときの上記フッ素系原料ガス中のH2O流量は、0.0091slmである。露点18℃のときの上記フッ素系原料ガス中のH2O流量は、0.0103slmである。露点20℃のときの上記フッ素系原料ガス中のH2O流量は、0.0117slmである。
これにより、スキャン機構60による移動速度を大きくするにしたがって処理の均一性が向上することが確認された。プラズマ生成部33へ導入される加湿フッ素系原料ガス(CF4+H2O+Ar)の露点が低いほど、すなわち、水添加部34からのH2Oの添加量が小さいほど、移動速度が小さくても処理ムラを小さくできることが確認された。移動速度は、H2Oの添加量に応じて1m/min〜10m/min以上にするとよく、好ましくは5m/min〜10m/min以上にするとよいことが確認された。
表2より、フッ素系原料ガスの露点が14℃程度のときは、スキャン1回あたりのエッチング深さが60Å以下になるよう速度設定を行なうと、エッチング品質を十分に確保できることが確認された。このときの移動速度の下限は2m/min程度とすることができる
表4より、フッ素系原料ガスの露点が18℃程度のときは、スキャン1回あたりのエッチング深さが25Å以下になるよう速度設定を行なうと、エッチング品質を十分に確保できることが確認された。このときの移動速度は約10m/min以上である。
その他の装置構成及び処理条件は、実施例1と同様とした。ただし、スキャン機構60による相対移動速度は、10000mm/minの一通りとし、スキャンは110回行なった。
その結果、処理ムラはほとんど現れず、均一エッチングできることが確認された。
Claims (18)
- 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物の表面に形成されたシリコンをエッチングする方法であって、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並んだ複数の噴出部を、前記被処理物に対し前記一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させる工程と、
前記被処理物の表面上に形成される凝縮層の厚さが所定以下になるよう、前記移動の速度を所定以上に設定する工程と、を含むことを特徴とするエッチング方法。 - 前記凝縮層の厚さが2μm以下になるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記凝縮層の厚さが、20Å〜60Åになるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項1又は2に記載のエッチング方法。
- 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物の表面に形成されたシリコンをエッチングする方法であって、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並んだ複数の噴出部を、前記被処理物に対し前記一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させる工程と、
1の噴出部が前記被処理物と対向する位置を相対的に1回通過するときの前記シリコンのエッチング深さが所定以下になるよう、前記移動の速度を所定以上に設定する工程と、
を含むことを特徴とするエッチング方法。 - フッ素原料と水を含む露点12℃以下のフッ化水素原料ガスを略大気圧下でプラズマ化することにより前記フッ化水素を生成し、
前記エッチング深さが100Å以下になるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。 - フッ素原料と水を含む露点14℃以下のフッ化水素原料ガスを略大気圧下でプラズマ化することにより前記フッ化水素を生成し、
前記エッチング深さが60Å以下になるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。 - フッ素原料と水を含む露点16℃以下のフッ化水素原料ガスを略大気圧下でプラズマ化することにより前記フッ化水素を生成し、
前記エッチング深さが40Å以下になるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。 - フッ素原料と水を含む露点18℃以下のフッ化水素原料ガスを略大気圧下でプラズマ化することにより前記フッ化水素を生成し、
前記エッチング深さが25Å以下になるよう前記速度設定を行なうことを特徴とする請求項4に記載のエッチング方法。 - 前記相対移動の速度を3m/min以上に設定することを特徴とする請求項1〜8の何れかに記載のエッチング方法。
- 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物の表面に形成されたシリコンをエッチングする方法であって、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並んだ複数の噴出部を、前記被処理物に対し前記一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させ、
前記移動の速度を3m/min以上に設定することを特徴とするエッチング方法。 - 前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を1mm以下になるようにし、
前記移動の速度を3m/min以上70m/min以下の範囲で設定することを特徴とする請求項9又は10に記載のエッチング方法。 - 前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を2mm以下になるようにし、
前記移動の速度を3m/min以上15m/min以下の範囲で設定することを特徴とする請求項9又は10に記載のエッチング方法。 - 前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を3mm以下になるようにし、
前記移動の速度を3m/min以上8m/min以下の範囲で設定することを特徴とする請求項9又は10に記載のエッチング方法。 - 前記噴出部が前記被処理物と対向するときの噴出部と被処理物との間の間隔を4mm以下になるようにし、
前記移動の速度を3m/min以上4m/min以下の範囲で設定することを特徴とする請求項9又は10に記載のエッチング方法。 - 1の噴出部より前記移動方向の下流側で前記被処理物を強制乾燥させることを特徴とする請求項1〜14の何れかに記載のエッチング方法。
- 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物上に形成されたシリコンをエッチングする装置であって、
前記被処理物が配置されるべき設置部と、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並べられた複数の噴出部と、
前記1又は複数の噴出部を、前記設置部に対し一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させるスキャン機構と、
前記被処理物の表面上に形成される凝縮層の厚さが所定以下になるよう、前記スキャン機構による移動の速度を所定以上に設定する設定部と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。 - 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物上に形成されたシリコンをエッチングする装置であって、
前記被処理物が配置されるべき設置部と、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並べられた複数の噴出部と、
前記1又は複数の噴出部を、前記設置部に対し一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させるスキャン機構と、
1の噴出部が前記被処理物と対向する位置を相対的に1回通過するときの前記シリコンのエッチング深さが所定以下になるよう、前記スキャン機構による移動の速度を所定以上に設定する設定部と、
を備えたことを特徴とするエッチング装置。 - 略大気圧下において、フッ化水素とオゾンを含む処理ガスを被処理物に吹き付け、前記被処理物上に形成されたシリコンをエッチングする装置であって、
前記被処理物が配置されるべき設置部と、
前記処理ガスを噴き出す1又は一方向に並べられた複数の噴出部と、
前記1又は複数の噴出部を、前記設置部に対し一方向に沿って相対的に往復又は片道移動させるスキャン機構と、
を備え、前記移動の速度が3m/min以上に設定されていることを特徴とするエッチング装置。
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