KR101004159B1 - 실리콘의 에칭 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 실리콘을 포함하는 피처리물을 에칭하는 방법에 있어서,실리콘을 산화 가능한 산화성 가스로서 오존과 불소계 반응성 가스를 각각 별도로 생성하여, 온도를 10℃ 내지 50℃로 한 피처리물에 분무하고,상기 불소계 반응성 가스가 COF2, CF3OH 및 F2로부터 선택되는 비라디칼의 불소계 중간 가스를 포함하며, 불소 원자수 (F)와 수소 원자수 (H)의 비가 (F)/(H)>1.5이고,상기 불소계 중간 가스가 물과 반응하여 산화 실리콘의 에칭능을 갖는 불소계 에칭 가스가 생성되고, 이 불소계 에칭 가스에 의한 산화 실리콘의 에칭 반응에 의해 물이 생성되는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소계 반응성 가스가 상기 불소계 중간 가스로서 COF2를 포함함과 함께 상기 불소계 에칭 가스로서 HF를 포함하며,오존의 부피 유량이 HF 부피 유량의 2분의 1과 COF2 부피 유량의 합계 이상인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 오존의 부피 유량이 상기 합계의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소계 중간 가스가 COF2인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 산화성 가스가 산소 가스를 대기압 근방의 플라즈마 공간에 통과시킴으로써 얻은 것임을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 불소계 반응성 가스가 실리콘과의 반응성을 갖지 않는 불소계 원료에 노점이 10℃ 내지 40℃가 되는 양의 물을 첨가하여 이루어지는 저노점 불소계 원료 가스를 대기압 근방의 플라즈마 공간에 통과시킴으로써 얻은 것임을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 실리콘을 포함하는 피처리물을 에칭하는 방법에 있어서,실리콘과의 반응성을 갖지 않는 불소계 원료와, 이 불소계 원료에 대하여 노점이 10℃ 내지 40℃가 되는 양의 물과, 산소를 혼합하여 혼합 가스를 얻는 혼합 공정과,상기 혼합 가스를 대기압 근방의 플라즈마 공간에 통과시킴으로써 반응성 가스를 생성하는 플라즈마화 공정과,상기 반응성 가스를, 온도를 10℃ 내지 50℃로 한 피처리물에 분무하는 분무 공정을 실행하고, 상기 혼합 가스 중의 산소의 비율이 상기 불소계 원료에 대하여 5 내지 20 vol%이며,상기 반응성 가스가(a) 실리콘을 산화 가능한 산화성 가스로서 오존과,(b) COF2, CF3OH 및 F2로부터 선택되는 비라디칼의 불소계 중간 가스를 포함하고, 불소 원자수 (F)와 수소 원자수 (H)의 비가 (F)/(H)>1.5인 불소계 반응성 가스를 포함하고, 상기 불소계 중간 가스가 물과 반응하여 산화 실리콘의 에칭능을 갖는 불소계 에칭 가스가 생성되고, 이 불소계 에칭 가스에 의한 산화 실리콘의 에칭 반응에 의해 물이 생성되는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 불소계 원료가 CF4인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 플라즈마 공간에 통과시킨 후의 물의 농도가 통과시키기 전의 1/10 이하인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 노점이 10℃ 내지 20℃인 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 피처리물의 온도를 10℃ 내지 30℃로 하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 피처리물의 온도 범위의 하한을 10℃ 대신에 실내 노점으로 하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
- 제1항 또는 제7항에 있어서, 상기 피처리물의 온도를 실온으로 하는 것을 특징으로 하는 에칭 방법.
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