CN102097292A - 运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法 - Google Patents

运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供去除附着在运送臂上的污染物的运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法。通过提供运送臂的清洁方法来解决上述问题，该清洁方法是一种用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂的清洁方法，其特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，并且去除附着在所述运送臂上的异物。

Description

运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法
技术领域
本发明涉及运送臂的清洁方法、基片处理装置的清洁方法、以及基片处理装置。
背景技术
当制造半导体器件时，对半导体晶片依次反复进行各种薄膜的成膜处理、改质处理、氧化扩散处理、退火处理、刻蚀处理等，并由此在半导体晶片上制造由多层膜构成的半导体器件。
作为制造这种半导体器件的制造装置，有单片式基片处理装置。在该单片式基片处理装置中，进行各种处理的多个处理室和一个运送室连结，从而通过在各个处理室内依次对半导体晶片进行处理，可在一个基片处理装置中进行各种处理。在该单片式基片处理装置中，处理室之间的半导体晶片的移动通过设置在运送室内的运送臂的伸缩动作以及旋转动作等来进行。该运送臂通常具有静电吸附功能，半导体晶片通过静电吸盘被吸附在运送臂上来被运送。
但是，由于基片处理装置中的运送臂具有驱动机构，因此通过长时间使用基片处理装置，有时会产生作为异物的污染物等，或者当在基片处理装置的处理室中进行成膜处理时，有时会由于在成膜处理中附着到处理室壁面上的膜脱落而产生污染物等。如此产生的污染物等悬浮在腔室内，并有时会附着到运送臂或半导体基片上。不用说污染物等附着到半导体晶片上的时候，就连附着到运送臂上时污染物也会经运送臂附着到通过运送臂运送的半导体晶片上，从而降低制造的半导体器件的成品率。
专利文献1：日本专利文献特开平6-252066号公报；
专利文献1：日本专利文献特开平7-302827号公报。
发明内容
发明要解决的问题
为了去除如上产生的污染物等，已有将附着了污染物等的运送臂从腔室内取出并通过擦去附着在运送臂表面上的污染物等来去除的方法。但是，这需要从基片处理装置的腔室内取出运送臂，费时费力，尤其为了取出设置在真空腔室内的运送臂，而需要将真空腔室内部设置成大气压状态，从而更加费时费力。此外，为了去除悬浮在腔室内的污染物等，虽有对腔室内部的壁面等进行擦拭的方法，但同样费时费力，并不容易。此外，当进行如上述擦去污染物等的作业时，有时会附着另外的污染物等。
因此，一直渴望得到不从基片处理装置的腔室内取出运送臂、且在短时间内容易地去除附着在运送臂上的污染物等的方法，而且还渴望得到在短时间内容易地去除悬浮在腔室内的污染物等的方法。
用于解决问题的手段
本发明是一种用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂的清洁方法，其特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，从而去除附着在所述运送臂上的异物。
此外，本发明是一种用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂的清洁方法，其特征在于，具有以下工序：在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；并且去除所述运送臂附近的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，并且去除附着在所述运送臂上的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；与所述运送室连接的加载互锁真空室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室以及加载互锁真空室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，并且去除附着在所述运送臂上的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，具有以下工序：在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；并且去除所述处理室或所述运送室中带电的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；与所述运送室连接的加载互锁真空室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室以及加载互锁真空室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，具有以下工序：在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；并且去除所述处理室或所述运送室中带电的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，具有以下工序：在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下从所述运送室向所述处理室插入所述运送臂的具有静电吸盘的部分的运送臂插入工序；向所述静电吸盘的电极施加电压的电压施加工序；以及在所述运送臂插入工序以及所述电压施加工序之后将所述运动臂的具有静电吸盘的部分返回到所述运送室内的运送臂返回工序；并且去除所述处理室中带电的异物。
此外，本发明是一种基片处理装置，具有用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂，所述基片处理装置的特征在于，具有控制部，该控制部进行以下控制：当所述运送臂上附着有带电的异物时，在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压来去除附着在所述运送臂上的异物。
发明效果
【0016】
根据本发明，通过静电吸盘能够在短时间内容易地去除具有运送臂的基片处理装置中附着在运送臂上的污染物等、或者悬浮在腔室内的污染物等。
附图说明
图1是第一实施方式中的基片处理装置的结构图；
图2是运送臂的俯视图；
图3是运送臂的截面放大图；
图4是第一实施方式中的基片处理装置的控制方法的流程图；
图5是第一实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(1)；
图6是第一实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(2)；
图7是第一实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(3)；
图8是第一实施方式中的另一基片处理装置的控制方法的说明图；
图9是第二实施方式中的基片处理装置的控制方法的流程图；
图10是第二实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(1)；
图11是第二实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(2)；
图12是第二实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(3)；
图13是第二实施方式中的基片处理装置的控制方法的说明图(4)；
图14是第三实施方式中的基片处理装置的控制方法的流程图。
具体实施方式
以下，对用于实施本发明的方式进行说明。
〔第一实施方式〕
对第一实施方式进行说明。本实施方式涉及在使用运送臂运送半导体晶片的所谓单片式的基片处理装置中去除附着在运送臂上的污染物等的运送臂的清洁方法以及基片处理装置的清洁方法。
(基片处理装置)
在本实施方式中使用的基片处理装置具有多个处理室和与多个处理室连接的运送室并进行半导体晶片等基片的处理，在运送室中设置有通过静电吸盘(ESC：Electrostatic Chuck)来吸附半导体晶片的运送臂，能够通过运送臂来在各处理室之间或者在处理室与加载互锁真空室之间移动作为基片的半导体晶片。
基于图1，对本实施方式中的基片处理装置进行说明。本实施方式中的基片处理装置具有：运入运送室10；共用运送室20；四个处理室41、42、43、44；以及控制部50。运入运送室10以及共用运送室20如后所述具有作为运送室的运送机构。
共用运送室20形成为大致六边形的形状，四个处理室41、42、43、44连接在与大致六边形的边相当的部分上。此外，在共用运送室20与运入运送室10之间设置有两个加载互锁真空室31和32。在共用运送室20与每个处理室41、42、43、44之间分别设置有闸门阀61、62、63、64，每个处理室41、42、43、44能够与共用运送室20隔离。此外，在共用运送室20与每个加载互锁真空室31和32之间分别设置有闸门阀65以及66，在每个加载互锁真空室31、32与运入运送室10之间分别设有闸门阀67以及68。另外，共用运送室20上连接有图中没有示出的真空泵，可进行真空排气，并且加载互锁真空室31以及32上连接有图中没有示出的真空泵，从而可独立进行排气。
另外，在运入运送室10的与设置有两个加载互锁真空室31以及32的面相反的面上连结着三个导入12A、12B、12C，在该三个导入口12A、12B、12C处设置有能够收纳多片半导体晶片的晶片盒。
在运入运送室10内设置有运入侧运送机构16，运入侧运送机构16具有用于保持半导体晶片W的两个运送臂16A以及16B，通过运送臂16A以及16B进行伸缩、旋转、升降以及直线移动等动作，能够取出收纳在导入口12A、12B、12C处的晶片盒内的半导体晶片W，并将其移动到加载互锁真空室31以及32中任一个的内部。此外，在运入运送室10内设置有氮供应喷嘴17，用于向运送臂16A以及16B喷射氮气。
在共用运送室20内设置有运送机构80，运送机构80具有用于保持半导体晶片W的两个运送臂80A以及80B，通过运送臂80A或80B进行伸缩动作以及旋转动作等，能够在各处理室41、42、43、44之间移动半导体晶片W，能够将半导体晶片W从加载互锁真空室31或32的内部移动到各处理室41、42、43、44，以及从各处理室41、42、43、44移动到加载互锁真空室31或32的内部。
具体来说，通过运送臂80A以及80B，能够将半导体晶片W从加载互锁真空室31或32移动到各处理室41、42、43、44中，从而在各处理室41、42、43、44中对半导体晶片W进行处理。在处理室41、42、43、44中分别单独进行半导体晶片W的处理，因此半导体晶片W通过运送臂80A以及80B而在处理室41、42、43、44之间移动并被处理。在半导体晶片W的处理结束后，半导体晶片W通过运送臂80A或80B而从处理室41、42、43、44移动到加载互锁真空室31或32，进而通过运入运送室10中的运入侧运送机构16的运送臂16A或16B，完成基片处理的半导体晶片W被收纳到运送口12A、12B、12C处的晶片盒内。此外，在共用运送室20内设置有氮供应喷嘴27，用于向运送臂80A以及80B喷射氮气。
此外，控制部50对运入侧运送机构16中的运送臂16A或16B的动作、运送机构80中的运送臂80A或80B的动作、处理室41、42、43、44中的半导体晶片的处理、闸门阀61、62、63、64、65、66、67、68、加载互锁真空室31或32的排气等进行控制。此外，控制部50还进行向运送臂16A或16B、运送臂80A以及80B中的用于静电吸附的电极施加预定电压的控制。
接下来，基于图2和图3，对本实施方式中的运送臂80A进行说明。图3是在图2的虚线3A-3B处切断的截面放大图。运送臂80A具有分成两个支臂的U字形的前端部分，半导体晶片W被载置在该前端部分上。运送臂80A的主体部81由氧化铝等陶瓷材料形成，并具有用于载置半导体晶片W的U字形的前端部分。该U字形的前端部分具有用于进行静电吸附的由金属材料形成的电极82以及83，在电极82以及83的表面上形成有由聚酰亚胺(polyimide)等形成的绝缘层84以及85。此外，在运送臂80A的主体部81的半导体晶片W的吸附面侧，设置有由含硅化合物的硅类橡胶构成的O环，从而被构成为使得半导体晶片W不与主体部81直接接触。在电极82以及83的表面中由绝缘层84以及85构成的静电吸盘部87进行静电吸附，绝缘层84以及85由聚酰亚胺(polyimide)等形成。此外，运送臂80B以及运入侧运送机构16中的运送臂16A、16B也具有相同的结构。附着在运送臂80A以及80B上的污染物等通过氮气被去除的位置是各装置中所设置的图中没有示出的排气口附近、从处理室41、42、43、44退出(retract)的位置、漏口(1eak)等处的氮气供应口的附近。
(基片处理装置的控制方法)
接下来，对本实施方式中的基片处理装置的控制方法进行说明。图4是本实施方式中的基片处理装置的控制方法的流程图。
运送臂80A由于反复进行半导体晶片W的静电吸附，因此绝缘层84以及85会稍许带电，如图5所示，即使在电极82以及83上没有电压施加的状态(施加有0V电压的状态)下，也处于作为异物的带负电的污染物91以及带正电的污染物92附着在绝缘层84以及85的表面上的状态。
起初，在步骤102(S102)中，向附着有带负电的污染物91以及带正电的污染物92的运送臂80A喷射氮气。具体来说，如图6所示，从氮供应喷嘴27供应氮气，从运送臂80A的上方向运送臂80A的U字形的前端部分喷射氮气(气体供应工序)。
接着，在步骤104(S104)中，向电极82以及83施加极性与所带电的污染物91以及92的电荷极性相同的电压，以使得极性与绝缘层84以及85的表面所带的电的极性相反(电压施加工序)。具体地，如图7所示，在运送臂80A中，向电极82施加负电压，向电极83施加正电压。
通过向电极82施加负电压，运送臂80A的绝缘层84的表面侧变为负极，附着在绝缘层84的表面上的带负电的污染物91通过电性力而排斥，从运送臂80A的绝缘层84的表面脱离。氮气从氮供应喷嘴27被喷射到运送臂80A的表面，脱离绝缘层84的表面的带负电的污染物91承载在从氮供应喷嘴27供应的氮气的气流上而被去除。
同样地，通过向电极83施加正电压，运送臂80A的绝缘层85的表面侧变成正极，附着在绝缘层85的表面上的带正电的污染物92通过电性力而排斥，从运送臂80A的绝缘层85的表面脱离。氮气从氮供应喷嘴27被喷射到运送臂80A的表面，脱离绝缘层85的表面的带正电的污染物92承载在从氮供应喷嘴27供应的氮气的气流上而被去除。
以上，通过本实施方式中的基片处理装置的控制方法，能够去除附着在运送臂80A的表面上的带负电的污染物91以及带正电的污染物92。
在上述说明中，对氮供应喷嘴27从运送臂80A的上方(与运送臂80A的面方向垂直的上方)向表面供应氮气的场合进行了说明，但如图8所示，氮供应喷嘴27也可以被构成为设置在运送臂80A的侧面侧。在此情况下，从氮供应喷嘴27供应的氮气沿着运送臂80A的面方向流动，通过施加电压而从运送臂80A脱离的带负电的污染物91以及带正电的污染物92随着氮气流动并被去除。
此外，在上述说明中，对运送臂80A进行了详细的说明，但关于运送臂80B也一样，而且关于运入侧运送机构16中的运送臂16A以及16B也一样，能够与运送臂80A同样地通过使用氮供应喷嘴17来去除附着在运送臂16A以及16B的表面上的污染物等。
〔第二实施方式〕
接下来，对第二实施方式进行说明。本实施方式涉及能够在使用运送臂来运送半导体晶片的所谓单片式的基片处理装置中，去除构成基片处理装置的腔室(处理室、共用运送室、加载互锁真空室、运入运送室)内的污染物等的运送臂的清洁方法以及基片处理装置的清洁方法。另外，本实施方式中的运送臂的清洁方法以及基片处理装置的清洁方法使用第一实施方式中所使用的基片处理装置。
基于图9，对本实施方式中的基片处理装置的控制方法进行说明。如图10所示，在没有向运送臂80A的电极82以及83施加电压的状态下，并且在绝缘层84以及85的表面上也不存在残留电荷的情况下，带负电的污染物91以及带正电的污染物92悬浮在腔室内而未附着在运送臂80A上。
起初，在步骤202(S202)中，向电极82以及电极83上施加电压(第一电压施加工序)。具体地，如图11所示，向电极82施加正电压，向电极83施加负电压。有时也将这样的电压施加表述为正向电压的施加。通过向电极82施加正电压，绝缘层84的表面侧带正的电荷，带负电的污染物91附着到绝缘层84的表面上。此外，通过向电极83施加负电压，绝缘层85的表面侧带负的电荷，带正电的污染物92附着到绝缘层85的表面上。
接着，在步骤204(S204)中，向附着有带负电的污染物91以及带正电的污染物92的运送臂80A喷射氮气(气体供应工序)。具体地，如图12所示，从氮供应喷嘴27供应氮气，从运送臂80A的上方喷射氮气。
接着，步骤206(S206)中，在供应着氮气的状态下，向电极82以及83施加电压，以使得极性与绝缘层84以及85所带的电的极性相反(第二电压施加工序)。具体地，如图13所示，在运送臂80A中施加与步骤202的时候相反极性的电压。有时也将这样的电压施加表述为反向电压的施加。通过向电极82施加负电压，运送臂80A的绝缘层84的表面侧变成负极，附着在绝缘层84的表面上的带负电压的污染物91通过电性力而排斥，从运送臂80A的绝缘层84的表面脱离。氮气从氮供应喷嘴27被喷射到运送臂80A的表面，脱离绝缘层84的表面的带负电的污染物91被承载在从氮供应喷嘴27供应的氮气的气流上并从腔室内被去除。
同样地，通过向电极83施加正电压，运送臂80A的绝缘层85的表面侧变成正极，附着在绝缘层85的表面上的带正电的污染物92通过电性力而排斥，从运送臂80A的绝缘层85的表面脱离。氮气从氮供应喷嘴27被喷射到运送臂80A的表面，脱离绝缘层85的表面的带正电的污染物92被承载在从氮供应喷嘴27供应的氮气的气流上并从腔室内被去除。
如此，通过将悬浮在运送臂80A周围的带负电的污染物91以及带正电的污染物92临时吸附在运送臂80A的表面上，然后通过氮供应喷嘴27吹走，由此能够去除腔室内的污染物。
此外，在上述说明中，对氮供应喷嘴27从运送臂80A的上方(与运送臂80A的面方向垂直的上方)向表面供应氮气的场合进行了说明，但氮供应喷嘴27也可以被构成为设置在运送臂80A的侧面侧。此外，在第一电压印加工程中施加反向电压、并在第二电压施加工序中施加正向电压的情况下，也同样能够去除腔室内的污染物。
此外，在上述说明中，对运送臂80A进行了详细的说明，但关于运送臂80B也一样，而且关于运入侧运送机构16中的运送臂16A以及16B也一样，能够与运送臂80A同样地利用运送臂16A以及16B并通过氮供应喷嘴17来去污染物等。
〔第三实施方式〕
接下来，对第三实施方式进行说明。本实施方式尤其涉及第二实施方式中去除没有运送臂的腔室(处理室、加载互锁真空室)中的污染物的方法。另外，本实施方式中的基片处理装置的洗浄方法使用第一实施方式中所使用的基片处理装置。
基于图14，对本实施方式中的基片处理装置的控制方法进行说明。
起初，在步骤302(S302)中，打开闸门阀61，将运送臂80A的U字形的前端部分从共用运送室20插入处理室41中(运送臂挿入工序)。
接着，在步骤304(S304)中，向电极82以及电极83上施加电压(第一电压施加工序)。具体地，向电极82施加正电压，向电极83施加负电压。有时也将这样的电压施加表述为正向电压的施加。通过向电极82施加正电压，绝缘层84的表面侧带正的电荷，带负电的污染物91附着到绝缘层84的表面上。此外，通过向电极83施加负电压，绝缘层85的表面侧带负的电荷，带正电的污染物92附着到绝缘层85的表面上。
接着，在步骤306(S306)中，将运送臂80A的U字形的前端部分从处理室41返回到共用运送室20内，关闭闸门阀61(运送臂返回工序)。
接着，在步骤308(S308)中，向附着有带负电的污染物91以及带正电的污染物92的运送臂80A喷射氮气。具体地，从氮供应喷嘴27供应氮气，从运送臂80A的上方向运送臂80A的U字形的前端部分喷射氮气(气体供应工序)。
接着，在步骤310(S310)中，在供应着氮气的状态下，向电极82以及83施加电压，以使得极性与绝缘层84以及85所带的电的极性相反(第二电压施加工序)。即施加极性与在步骤304中施加的电压的极性相反的电压(第二电压施加工序)。有时也将这样的电压施加表述为反向电压的施加。由此使得附着在运送臂80A的表面上的带负电的污染物91以及带正电的污染物92从运送臂80A脱离，通过从氮供应喷嘴27供应的氮气来去除。
通过以上的工序，能够去除处理室41内的带负电的污染物91以及带正电的污染物92。
在上述说明中，对氮供应喷嘴27从运送臂80A的上方(与运送臂80A的面方向垂直的上方)向表面供应氮气的场合进行了说明，但氮供应喷嘴27也可以被构成为设置在运送臂80A的侧面侧。此外，在第一电压印加工程中施加反向电压、并在第二电压施加工序中施加正向电压的情况下，也同样能够去除腔室内的污染物。
此外，在上述说明中，对运送臂80A进行了详细的说明，但关于运送臂80B也一样，而且关于处理室42、处理室43、处理室44、加载互锁真空室31以及加载互锁真空室32也一样，能够通过同样的方法来去除污染物等。并且，关于运入侧运送机构16中的运送臂16A以及16B也一样，能够与运送臂80A同样地利用运送臂16A以及16B来去污染物，也能够将运送臂16A以及16B利用于加载互锁真空室31以及加载互锁真空室32中的污染物的去除中。另外，上述以外的内容与第二实施方式中的相同。
以上对与本发明的实施相关的方式进行了说明，但上述内容并不是用来限定发明的内容的。
标号说明
10运入运送室
12A、12B、12C导入口
16运入侧运送机构
16A、16B运送臂
17氮供应喷嘴
20共用运送室
27氮供应喷嘴
31、32加载互锁真空室
41、42、43、44处理室
50控制部
61、62、63、64、65、66、67、68闸门阀
80运送机构
80A、80B运送臂
81主体部
82、83电极
84、85绝缘层
86 O环
87静电吸盘部
W半导体晶片

Claims (17)

1.一种运送臂的清洁方法，其中，所述运送臂用于进行基片的运送并具有静电吸盘，所述运送臂的清洁方法的特征在于，
在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，
具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，
并且去除附着在所述运送臂上的异物。
2.如权利要求1所述的运送臂的清洁方法，其特征在于，
具有在所述电压施加工序之前朝向所述运送臂的静电吸盘供应气体的气体供应工序，并且
在供应着所述气体的状态下进行所述电压施加工序。
3.一种运送臂的清洁方法，所述运送臂用于进行基片的运送并具有静电吸盘，所述运送臂的清洁方法的特征在于，
具有以下工序：
在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及
在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；
并且去除所述运送臂附近的异物。
4.如权利要求3所述的运送臂的清洁方法，其特征在于，
具有在所述第一电压施加工序之后朝向所述运送臂的静电吸盘供应气体的气体供应工序，并且
在供应着所述气体的状态下进行所述第二电压施加工序。
5.如权利要求1至4中任一项所述的运送臂的清洁方法，其特征在于，在所述气体供应工序中供应的气体是氮气。
6.如权利要求1至5中任一项所述的运送臂的清洁方法，其特征在于，所述气体供应工序通过气体供应喷嘴进行供应，并且
所述气体供应喷嘴被设置在与所述运送臂的设置有所述静电吸盘的面相向的面或者被设置在所述运送臂的设置有所述静电吸盘的面的侧面上。
7.一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；
所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，
在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，
具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，
并且去除附着在所述运送臂上的异物。
8.一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；与所述运送室连接的加载互锁真空室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室以及加载互锁真空室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；
所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，
在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，
具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，
并且去除附着在所述运送臂上的异物。
9.如权利要求7或8所述的基片处理装置的清洁方法，其特征在于，
具有在所述电压施加工序之前朝向所述运送臂的静电吸盘供应气体的气体供应工序，并且
在供应着所述气体的状态下进行所述电压施加工序。
10.一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；
所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，
具有以下工序：
在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及
在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；
并且去除所述处理室或所述运送室中带电的异物。
11.一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；与所述运送室连接的加载互锁真空室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室以及加载互锁真空室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，
具有以下工序：
在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的一个电极施加正电压、并向另一个电极施加负电压的第一电压施加工序；以及
在所述第一电压施加工序之后向所述静电吸盘的一个电极施加负电压、并向另一个电极施加正电压的第二电压施加工序；
并且去除所述处理室或所述运送室中带电的异物。
12.如权利要求10或11所述的基片处理装置的清洁方法，其特征在于，
具有在所述第一电压施加工序之后且所述第二电压施加工序之前朝向所述运送臂的静电吸盘供应气体的气体供应工序，并且
在供应着所述气体的状态下进行所述第二电压施加工序。
13.一种基片处理装置的清洁方法，所述基片处理装置包括：进行基片处理的多个处理室；与所述多个处理室连接的运送室；以及运送臂，该运送臂被设置在所述运送室内，用于在所述处理室之间进行基片运送，并具有静电吸盘；所述基片处理装置的清洁方法的特征在于，
具有以下工序：
在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下从所述运送室向所述处理室插入所述运送臂的具有静电吸盘的部分的运送臂插入工序；
向所述静电吸盘的电极施加电压的电压施加工序；以及
在所述运送臂插入工序以及所述电压施加工序之后将所述运动臂的具有静电吸盘的部分返回到所述运送室内的运送臂返回工序；
并且去除所述处理室中带电的异物。
14.如权利要求13所述的基片处理装置的清洁方法，其特征在于，
具有在所述运送臂返回工序之后朝向所述运送臂的静电吸盘供应气体的气体供应工序。
15.如权利要求7至14中任一项所述的基片处理装置的清洁方法，其特征在于，在所述气体供应工序中供应的气体是氮气。
16.如权利要求7至15中任一项所述的基片处理装置的清洁方法，其特征在于，所述气体供应工序通过气体供应喷嘴进行供应，并且
所述气体供应喷嘴被设置在与所述运送臂的设置有所述静电吸盘的面相向的面或者被设置在所述运送臂的设置有所述静电吸盘的面的侧面上。
17.一种基片处理装置，具有运送臂，该运送臂用于进行基片的运送并具有静电吸盘，所述基片处理装置的特征在于，
具有控制部，该控制部进行以下控制：当所述运送臂上附着有带电的异物时，在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压来去除附着在所述运送臂上的异物。
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