KR20230029440A - 기판 처리 라인 - Google Patents

기판 처리 라인 Download PDF

Info

Publication number
KR20230029440A
KR20230029440A KR1020210111935A KR20210111935A KR20230029440A KR 20230029440 A KR20230029440 A KR 20230029440A KR 1020210111935 A KR1020210111935 A KR 1020210111935A KR 20210111935 A KR20210111935 A KR 20210111935A KR 20230029440 A KR20230029440 A KR 20230029440A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
chamber
processing
transfer robot
vertical transfer
Prior art date
Application number
KR1020210111935A
Other languages
English (en)
Inventor
채희성
이승은
윤근식
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020210111935A priority Critical patent/KR20230029440A/ko
Priority to US17/671,053 priority patent/US20230061965A1/en
Priority to CN202220353480.XU priority patent/CN217114338U/zh
Publication of KR20230029440A publication Critical patent/KR20230029440A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00—Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/0052—Gripping heads and other end effectors multiple gripper units or multiple end effectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

기판 처리 라인을 개시한다. 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 수직 방향으로 적층된 복수 개의 처리 챔버를 포함하는 챔버부; 및 복수 개의 파지부를 포함하고, 복수 개의 기판을 수직 방향으로 동시에 이송하여 각각의 상기 기판을 각각의 상기 처리 챔버에 반입 또는 반출하는 수직 반송 로봇을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 라인{SUBSTRATE TREATMENT LINE}
아래의 실시 예는 기판 처리 라인에 관한 것이다.
일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판을 세정 및 건조하는 공정, 즉 기판 처리 공정이 요구된다.
한편, 기판 처리 공정은 기판을 복수 개의 처리 챔버에 대하여 반입, 반출 또는 이송하는 과정이 요구되며, 이러한 과정은 반도체 제조 공정에 있어서 많은 시간을 소비한다. 따라서, 복수 개의 기판을 동시에 세정 또는 건조시킬 수 있는 병렬적인 구조를 갖는 기판 처리 라인이 요구되는 실정이다.
전술한 배경기술은 발명자가 본원의 개시 내용을 도출하는 과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예에 따른 목적은 복수 개의 기판을 동시에 처리할 수 있는 기판 처리 라인을 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 목적은 기판의 효율적인 동선을 제공하는 기판 처리 라인을 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 목적은 기판의 신속한 처리를 가능하게 하는 기판 처리 라인을 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 수직 방향으로 적층된 복수 개의 처리 챔버를 포함하는 챔버부; 및 복수 개의 파지부를 포함하고, 복수 개의 기판을 수직 방향으로 동시에 이송하여 각각의 상기 기판을 각각의 상기 처리 챔버에 반입 또는 반출하는 수직 반송 로봇을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 챔버부는 복수 개로 구비되어 수평 방향으로 이격 배치되고, 상기 기판을 각각의 상기 챔버부의 사이에서 수평 방향으로 이송하는 수평 반송 로봇을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 챔버부는, 제1 챔버부 및 제2 챔버부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 수직 반송 로봇은, 제1 챔버부에 대하여 상기 기판을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송하는 제1 수직 반송 로봇; 및 제2 챔버부에 대하여 상기 기판을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송하는 제2 수직 반송 로봇을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 챔버부의 처리 챔버는, 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버 및 제3 처리 챔버를 포함하고, 상기 제2 챔버부의 처리 챔버는, 제4 처리 챔버 및 제5 처리 챔버를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버 및 제3 처리 챔버는 하측에서 상측으로 순서대로 적층되고, 상기 제4 처리 챔버 및 제5 처리 챔버는 상측에서 하측으로 순서대로 적층될 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 내지 제3 처리 챔버는, 접촉식 세정 챔버로 구비되며, 상기 제4 및 제5 처리 챔버는 비접촉식 세정 챔버 또는 건조 챔버로 구비될 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 수직 반송 로봇은, 기판을 파지하기 위한 제1 파지부, 제2 파지부 및 제3 파지부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 수직 반송 로봇은, 제1 높이를 갖는 제1 상태 및 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는 제2 상태 사이에서 이동 가능할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 상태에서 상기 제1 내지 제3 파지부는 상기 제1 내지 제3 처리 챔버와 대응되는 높이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 수직 반송 로봇은, 제1 상태에서 상기 제1 내지 제3 처리 챔버에서 처리된 기판을 파지 및 반출할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제1 수직 반송 로봇은, 상기 제2 상태로 이동하여 상기 제1 및 제2 파지부는 기판을 상기 제2 및 제3 처리 챔버에 반입하고, 상기 제3 파지부는 기판을 제1 위치에 반입하고, 제1 상태로 이동할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제2 수직 반송 로봇은, 기판을 파지하기 위한 제4 파지부 및 제5 파지부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제2 수직 반송 로봇은, 제3 높이를 갖는 제3 상태 및 제3 높이보다 낮은 제4 높이를 갖는 제4상태 사이에서 이동 가능할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제4 상태에서 상기 제4 및 제5 파지부는 상기 제4 및 제5 처리 챔버와 대응되는 높이에 위치될 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제2 수직 반송 로봇은, 상기 제3 상태에서 제2 위치에 위치된 기판 및 제4 처리 챔버에서 처리된 기판을 파지 및 반출할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 제2 수직 반송 로봇은, 상기 제4 상태로 이동하여 상기 제4 및 제5 파지부는 기판을 상기 제4 및 제5 처리 챔버에 반입하고, 제3 상태로 이동할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은, 상기 수평 반송 로봇은, 제1 위치에 위치된 기판을 파지하여 제2 위치로 이송하는 제6 파지부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은 복수 개의 기판을 동시에 처리할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은 기판의 효율적인 동선을 제공할 수 있다.
일 실시 예에 따른 기판 처리 라인은 기판의 신속한 처리를 가능하게 할 수 있다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인의 개략적인 사시도이다.
도 2a 내지 도 2g는 기판의 처리 과정을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 3a 내지 도 3g는 기판의 처리 과정을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 4a 내지 도 4g는 기판의 처리 과정을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세하게 설명한다. 그러나, 실시예들에는 다양한 변경이 가해질 수 있어서 특허출원의 권리 범위가 이러한 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 실시예들에 대한 모든 변경, 균등물 내지 대체물이 권리 범위에 포함되는 것으로 이해되어야 한다.
실시예에서 사용한 용어는 단지 설명을 목적으로 사용된 것으로, 한정하려는 의도로 해석되어서는 안 된다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 실시예가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성 요소는 동일한 참조부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 실시예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 실시예의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인(1)의 개략적인 사시도이다.
도 1을 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인(1)은 연마된 기판(예: 도2a 내지 도 4g의 기판(W))을 처리하는 기판 처리 공정에 사용될 수 있다. 일 실시 예에서, 기판 처리 라인(1)은 챔버부(10), 수직 반송 로봇(11) 및 수평 반송 로봇(12)을 포함할 수 있다.
기판(W)은 반도체 기판이 되는 실리콘 웨이퍼(Silicon Wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(W)은 액정표시장치(liquid crystal display, LCD)와 플라즈마 표시 장치(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이(Display) 장치용 유리 기판일 수 있다. 또한, 기판(W)은 형상 및 크기가 한정되는 것은 아니며, 원형 및 사각형 플레이트(Plate) 등 실질적으로 다양한 형상과 크기를 가질 수 있다.
챔버부(10)는 기판(W)에 대한 처리 공정이 진행되는 공간을 제공할 수 있다. 기판 처리 공정은 기판 세정 공정 및 기판 건조 공정을 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 챔버부(10)는 복수개로 구비될 수 있으며, 수평 방향(예: y축 방향)으로 이격 배치될 수 있다. 예를 들어, 챔버부(10)는 제1 챔버부(100) 및 제2 챔버부(101)를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 챔버부(10)의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 챔버부(10)는 적어도 하나의 처리 챔버를 포함할 수 있다.
처리 챔버는 연마된 기판(W)에 대한 처리 공정을 수행할 수 있다. 일 실시 예에서, 처리 챔버는 복수 개로 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 챔버부(100)는 제1 처리 챔버(1000), 제2 처리 챔버(1001) 및 제3 처리 챔버(1002)를 포함할 수 있다. 또한, 제2 챔버부(101)는 제4 처리 챔버(1010) 및 제5 처리 챔버(1011)를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 처리 챔버의 개수가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 처리 챔버의 적어도 일부는 수직 방향으로 적층될 수 있다. 예를 들어, 제1 처리 챔버(1000), 제2 처리 챔버(1001) 및 제3 처리 챔버(1002)는 지면을 기준으로 하측에서 상측으로(예: +z축 방향) 순서대로 적층될 수 있다. 또한, 제4 처리 챔버(1010) 및 제5 처리 챔버(1011)는 지면을 기준으로 상측에서 하측으로(예: -z축 방향) 순서대로 적층될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 처리 챔버의 배치가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 처리 챔버는 기판(W)을 세정 또는 건조할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 처리 챔버(1000, 1001, 1002)는 접촉식 세정 챔버로 구비되며, 제4 및 제5 처리 챔버(1010, 1011)는 비접촉식 세정 챔버 또는 건조 챔버로 구비될 수 있다. 또한, 처리 챔버는 내부에는 처리 공정을 수행하기 위한 유체가 공급되는 노즐이 구비될 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 처리 챔버의 기판(W) 처리 방식이 이에 한정되는 것은 아니다.
일 실시 예에서, 제1 처리 챔버(1000)의 제3 위치(P3)로, 연마된 기판(W)이 반입될 수 있다. 예를 들어, 별도의 로봇(미도시)이 연마된 기판(W)을 제1 처리 챔버(1000)의 제3 위치(P3)로 반입할 수 있다. 일 실시 예에서, 제3 위치(P3)는, 후술할 제1 수직 반송 로봇(110)이 기판(W)을 반출하기 전 스테이지로 기능할 수 있다. 일 실시 예에서, 기판 처리 라인(1)에서 처리가 완료된 기판(W)은 제5 처리 챔버(1011)를 통해 반출될 수 있다. 예를 들어, 별도의 로봇(미도시)이, 처리가 완료된 기판(W)을 제5 처리 챔버(1011)를 통해 반출할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 처리 전 또는 처리 후 기판(W)이 반입 또는 반출되는 방식이, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 연마된 기판(W)을 반입하고 처리된 기판(W)을 반출하는 곳이 제1 처리 챔버(1000) 및 제5 처리 챔버(1011)로 한정되는 것은 아니다.
수직 반송 로봇(11)은 기판(W)을 수직 방향으로 이송할 수 있으며, 기판(W)을 처리 챔버에 반입 또는 반출할 수 있다. 예를 들어, 수직 반송 로봇(11)은 복수 개의 기판(W)을 수직 방향으로 동시에 이송하여 각각의 기판(W)을 각각의 처리 챔버에 반입 또는 반출할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 수직 반송 로봇(11)의 동작 방식이 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 수직 반송 로봇(11)은 복수개로 구비될 수 있다. 예를 들어, 수직 반송 로봇(11)은 제1 수직 반송 로봇(110) 및 제2 수직 반송 로봇(111)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 수직 반송 로봇(110)은 제1 챔버부(100)에 대하여 기판(W)을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송하며, 제2 수직 반송로봇은 제2 챔버부(101)에 대하여 기판(W)을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 수직 반송 로봇(11)의 개수 및 배치가 이에 한정되는 것은 아니다. 일 실시 예에서, 수직 반송 로봇(11)은 파지부를 포함할 수 있다.
파지부는 기판(W)을 파지하여 안정적으로 이송할 수 있다. 일 실시 예에서, 파지부는 복수 개로 구비될 수 있다. 예를 들어, 파지부는 처리 챔버와 대응되는 개수로 구비될 수 있다. 예를 들어, 제1 수직 반송 로봇(110)은 제1 파지부(1100), 제2 파지부(1101) 및 제3 파지부(1102)를 포함할 수 있으며, 제2 수직 반송 로봇(111)은 제4 파지부(1110) 및 제5 파지부(1111)를 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 파지부의 개수 및 배치가 이에 한정되는 것은 아니다.
수평 반송 로봇(12)은 기판(W)을 각각의 챔버부(10) 사이에서 지면을 기준으로 수평 방향(예: y축 방향)으로 이송할 수 있다. 일 실시 예에서, 수평 반송 로봇(12)은 제6 파지부(120)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제6 파지부(120)는 기판(W)을 파지하여 안정적으로 이송할 수 있다. 일 실시 예에서, 제6 파지부(120)는 수평 반송 로봇(12)의 제1 및 제2 위치(P1, P2) 사이를 이동할 수 있다.
도 2a 내지 2g는 기판(W)의 처리 과정을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 2a 내지 2g를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인(1)은 복수 개의 기판(W)을 동시에 처리할 수 있다.
일 실시 예에 따른 제1 수직 반송 로봇(110)은 제1 높이(H1)를 갖는 제1 상태(예: 도 2a, 도 2b, 도 2f 및 도 2g) 및 제1 높이(H1)보다 높은 제2 높이(H2)를 갖는 제2 상태(예: 도 2c 내지 도 2e) 사이에서 반복적으로 왕복 이동할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에서, 제1 상태에서 제1 내지 제3 파지부(1100, 1101, 1102)는 제1 내지 제3 처리 챔버(1000, 1001, 1002)와 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 수직 반송 로봇(110)은 제1 내지 제3 처리 챔버(1000, 1001, 1002)에서 처리된 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있다. 예를 들어, 제1 내지 제3 파지부(1100, 1101, 1102)는 제1 내지 제3 처리 챔버(1000, 1001, 1002)에 대하여 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 수직 반송 로봇(110)은, 기판(W)을 반출한 후, 제1 상태에서 제2 상태로 이동할 수 있다.
도 2a 및 도 2b에서, 수평 반송 로봇(12)은 제1 위치(P1)에 위치된 기판(W)을 제2 위치(예: 도 1의 제2 위치(P2))로 이송할 수 있다.
도 2c 내지 도 2e에서, 제2 상태에서 제1 및 제2 파지부(1100, 1101)는 제1 및 제2 처리 챔버(1000, 1001)와 대응되는 높이에 위치될 수 있으며, 제3 파지부(1102)는 제1 위치(P1)와 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 수직 반송 로봇(110)은 제2 및 제3 처리 챔버(1001, 1002), 및 제1 위치(P1)에 대하여 기판(W)을 반입할 수 있다. 예를 들어, 제1 및 제2 파지부(1100, 1101)는 기판(W)을 제2 및 제3 처리 챔버(1001, 1002)에 반입하고, 제3 파지부(1102)는 기판(W)을 제1 위치(P1)에 반입할 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 수직 반송 로봇(110)은 제2 상태에서 제1 상태로 이동할 수 있다.
도 2f 및 도 2g에서, 제1 상태에서 제1 수직 반송 로봇(110)은 제1 내지 제3 처리 챔버(1000, 1001, 1002)에서 처리된 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있으며, 이는 도 2a 및 2b에서의 실시 예와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 내용은 생략하도록 한다.
도 3a 내지 3g를 참조하면, 일 실시 예에 따른 기판 처리 라인(1)은 복수 개의 기판(W)을 동시에 처리할 수 있다.
일 실시 예에 따른 제2 수직 반송 로봇(111)은 제3 높이(H3)를 갖는 제3 상태(예: 도 3a, 3b 및 3f) 및 제3 높이(H3)보다 낮은 제4 높이(H4)를 갖는 제4 상태(예: 도 3c 내지 3e) 사이에서 반복적으로 왕복 이동할 수 있다.
도 3a 및 3b에서, 제3 상태에서 제4 파지부(1110)는 제2 위치(P2)와 대응되는 높이에 위치될 수 있으며, 제5 파지부(1111)는 제4 처리 챔버(1010)와 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 수직 반송 로봇(111)은 제2 위치(P2)에 위치된 기판(W) 및 제4 처리 챔버(1010)에서 처리된 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있다. 예를 들어, 제4 파지부(1110)는 제2 위치(P2)에 위치된 기판(W)을, 제5 파지부(1111)는 제4 처리 챔버(1010)에서 처리된 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 수직 반송 로봇(111)은, 기판(W)을 반출한 후, 제3 상태에서 제4 상태로 이동할 수 있다.
도 3c 내지 3e에서, 제4 상태에서 제4 및 제5 파지부(1111)는 제4 및 제5 처리 챔버(1010, 1011)와 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 수직 반송 로봇(111)은 제4 및 제5 처리 챔버(1010, 1011)에 대하여 기판(W)을 반입할 수 있다. 예를 들어, 제4 및 제5 파지부(1111)는 기판(W)을 제4 및 제5 처리 챔버(1010, 1011)에 반입할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 수직 반송 로봇(111)은 제4 상태에서 제3 상태로 이동할 수 있다.
도 3c 내지 3e에서, 일 실시 예에서, 수평 반송 로봇(12)은 제1 위치(예: 도 1의 제1 위치(P1))에 위치된 기판(W)을 제2 위치(P2)로 이송할 수 있다.
도 3f 및 도 3g에서, 제3 상태에서 제2 수직 반송 로봇(111)은 제2 위치에 위치된 기판(W) 및 제4 처리 챔버(1010)에서 처리된 기판(W)을 파지 및 반출할 수 있으며, 이는 도 3a 및 도 3b에서의 실시 예와 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 내용은 생략하기로 한다.
도 4a 내지 도 4c는 기판(W)의 처리 과정을 설명하기 위한 개략적인 정면도이다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 일 실시 예에 따른 수평 반송 로봇(12)은 기판(W)을 복수 개의 챔버부(10) 사이에서 수평 방향으로 이송할 수 있다. 예를 들어 수평 반송 로봇(12)은 제1 및 제2 위치(P1, P2) 사이에서 반복적으로 왕복 이동할 수 있다. 일 실시 예에서, 수평 반송 로봇(12)은 제6 파지부(120)를 포함할 수 있다. 일 실시 예에서, 제6 파지부(120)는 제1 위치(P1)에 위치된 기판(W)을 파지하여 제2 위치(P2)로 이동할 수 있다.
도 4a에서, 제1 위치(P1)로 기판(W)이 반입될 수 있다. 일 실시 예에서, 제1 위치(P1)는 제6 파지부(120)가 기판(W)을 이송하기 전 스테이지로 기능할 수 있다.
도 4b에서, 제1 위치(P1)에 기판(W)이 반입되면, 수평 반송 로봇(12)은 제1 위치(P1)로 이동하여 기판(W)을 파지할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 위치(P1)에 기판(W)이 반입되기 전이라도, 수평 반송 로봇(12)이 먼저 제1 위치(P1)로 이동할 수 있으며, 제1 수평 로봇이 제1 위치(P1)에서 대기하고 있을 수 있다.
도 4c에서, 수평 반송 로봇(12)은, 제1 위치(P1)에서 기판(W)을 파지하면, 제2 위치(P2)로 이동할 수 있다. 즉, 수평 반송 로봇(12)은 기판(W)을 제1 위치(P1)에서 제2 위치(P2)로 이송할 수 있다. 일 실시 예에서, 제2 위치(P2)는 제2 수직 반송 로봇(예: 도 1의 제2 수직 반송 로봇(111))이 기판(W)을 파지하기 전 스테이지로 기능할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기를 기초로 다양한 기술적 수정 및 변형을 적용할 수 있다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 청구범위의 범위에 속한다.
1: 기판 처리 라인
10: 챔버부
100: 제1 챔버부
101: 제2 챔버부
11: 수직 반송 로봇
110: 제1 수직 반송 로봇
111: 제2 수직 반송 로봇
12: 수평 반송 로봇
H1: 제1 높이
H2: 제2 높이
H3: 제3 높이
H4: 제4 높이
P1: 제1 위치
P2: 제2 위치
P3: 제3 위치

Claims (18)

  1. 수직 방향으로 적층된 복수 개의 처리 챔버를 포함하는 챔버부; 및
    복수 개의 파지부를 포함하고, 복수 개의 기판을 수직 방향으로 동시에 이송하여 각각의 상기 기판을 각각의 상기 처리 챔버에 반입 또는 반출하는 수직 반송 로봇을 포함하는, 기판 처리 라인.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버부는 복수 개로 구비되어 수평 방향으로 이격 배치되고,
    상기 기판을 각각의 상기 챔버부의 사이에서 수평 방향으로 이송하는 수평 반송 로봇을 더 포함하는, 기판 처리 라인.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 챔버부는,
    제1 챔버부 및 제2 챔버부를 포함하는, 기판 처리 라인.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 수직 반송 로봇은,
    제1 챔버부에 대하여 상기 기판을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송하는 제1 수직 반송 로봇; 및
    제2 챔버부에 대하여 상기 기판을 반입, 반출 또는 수직 방향으로 이송하는 제2 수직 반송 로봇을 포함하는, 기판 처리 라인.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 챔버부의 처리 챔버는,
    제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버 및 제3 처리 챔버를 포함하고,
    상기 제2 챔버부의 처리 챔버는,
    제4 처리 챔버 및 제5 처리 챔버를 포함하는, 기판 처리 라인.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 처리 챔버, 제2 처리 챔버 및 제3 처리 챔버는 하측에서 상측으로 순서대로 적층되고,
    상기 제4 처리 챔버 및 제5 처리 챔버는 상측에서 하측으로 순서대로 적층되는, 기판 처리 라인.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 처리 챔버는,
    접촉식 세정 챔버로 구비되며,
    상기 제4 및 제5 처리 챔버는
    비접촉식 세정 챔버 또는 건조 챔버로 구비되는, 기판 처리 라인.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 수직 반송 로봇은,
    기판을 파지하기 위한 제1 파지부, 제2 파지부 및 제3 파지부를 포함하는, 기판 처리 라인.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1 수직 반송 로봇은,
    제1 높이를 갖는 제1 상태 및 제1 높이보다 높은 제2 높이를 갖는 제2 상태 사이에서 이동 가능한, 기판 처리 라인.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 상태에서 상기 제1 내지 제3 파지부는 상기 제1 내지 제3 처리 챔버와 대응되는 높이에 위치되는, 기판 처리 라인.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 수직 반송 로봇은,
    상기 제1 상태에서 상기 제1 내지 제3 처리 챔버에서 처리된 기판을 파지 및 반출하는, 기판 처리 라인.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 수직 반송 로봇은, 상기 제2 상태로 이동하여 상기 제1 및 제2 파지부는 기판을 상기 제2 및 제3 처리 챔버에 반입하고, 상기 제3 파지부는 기판을 제1 위치에 반입하고, 상기 제1 상태로 이동하는, 기판 처리 라인.
  13. 제6항에 있어서,
    상기 제2 수직 반송 로봇은,
    기판을 파지하기 위한 제4 파지부 및 제5 파지부를 포함하는, 기판 처리 라인.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제2 수직 반송 로봇은,
    제3 높이를 갖는 제3 상태 및 제3 높이보다 낮은 제4 높이를 갖는 제4 상태 사이에서 이동 가능한, 기판 처리 라인.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제4 상태에서 상기 제4 및 제5 파지부는 상기 제4 및 제5 처리 챔버와 대응되는 높이에 위치되는, 기판 처리 라인.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 수직 반송 로봇은, 상기 제3 상태에서 제2 위치에 위치된 기판 및 제4 처리 챔버에서 처리된 기판을 파지 및 반출하는, 기판 처리 라인.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제2 수직 반송 로봇은, 상기 제4 상태로 이동하여 상기 제4 및 제5 파지부는 기판을 상기 제4 및 제5 처리 챔버에 반입하고, 상기 제3 상태로 이동하는, 기판 처리 라인.
  18. 제6항에 있어서,
    상기 수평 반송 로봇은,
    제1 위치에 위치된 기판을 파지하여 제2 위치로 이송하는 제6 파지부를 포함하는, 기판 처리 라인.
KR1020210111935A 2021-08-24 2021-08-24 기판 처리 라인 KR20230029440A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210111935A KR20230029440A (ko) 2021-08-24 2021-08-24 기판 처리 라인
US17/671,053 US20230061965A1 (en) 2021-08-24 2022-02-14 Substrate treatment line
CN202220353480.XU CN217114338U (zh) 2021-08-24 2022-02-22 基板处理线

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210111935A KR20230029440A (ko) 2021-08-24 2021-08-24 기판 처리 라인

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20230029440A true KR20230029440A (ko) 2023-03-03

Family

ID=82598318

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210111935A KR20230029440A (ko) 2021-08-24 2021-08-24 기판 처리 라인

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230061965A1 (ko)
KR (1) KR20230029440A (ko)
CN (1) CN217114338U (ko)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101958874B1 (ko) * 2008-06-04 2019-03-15 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN217114338U (zh) 2022-08-02
US20230061965A1 (en) 2023-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8851819B2 (en) Substrate processing apparatus
JP7175191B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
JP5610009B2 (ja) 基板処理装置
US20080075563A1 (en) Substrate handling system and method
KR20110051146A (ko) 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치
KR20140016421A (ko) 기판처리장치, 기판처리설비 및 기판처리방법
TW201824343A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US20220208584A1 (en) Wafer transfer method and mechanical arm
KR20200083233A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
KR20230029440A (ko) 기판 처리 라인
CN117438336A (zh) 基板处理装置
JP2009239000A (ja) 基板処理システム
KR100521401B1 (ko) 기판세정시스템
KR20230029449A (ko) 기판 처리 시스템
KR20230029443A (ko) 기판 세정 라인 및 이를 포함하는 기판 세정 시스템
KR20080072238A (ko) 반도체 소자 제조 시스템
KR20210041688A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20190031322A (ko) 웨이퍼형 기판 프로세싱 방법, 장치 및 이것의 용도
WO2022244516A1 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
KR20240074300A (ko) 기판 공정 시스템
US11069546B2 (en) Substrate processing system
KR20080023587A (ko) 기판 세정 장치
KR20230125752A (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 기록 매체
CN117747475A (zh) 基板处理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination