KR101211079B1 - 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101211079B1
KR101211079B1 KR1020100109723A KR20100109723A KR101211079B1 KR 101211079 B1 KR101211079 B1 KR 101211079B1 KR 1020100109723 A KR1020100109723 A KR 1020100109723A KR 20100109723 A KR20100109723 A KR 20100109723A KR 101211079 B1 KR101211079 B1 KR 101211079B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
arm
chamber
substrate
electrostatic chuck
conveyance
Prior art date
Application number
KR1020100109723A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110051146A (ko
Inventor
시게루 이시자와
마사키 곤도
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20110051146A publication Critical patent/KR20110051146A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101211079B1 publication Critical patent/KR101211079B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0058—Means for cleaning manipulators, e.g. dust removing means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J19/00—Accessories fitted to manipulators, e.g. for monitoring, for viewing; Safety devices combined with or specially adapted for use in connection with manipulators
    • B25J19/0066—Means or methods for maintaining or repairing manipulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Manipulator (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

반송 암에 부착되어 있는 오염물을 제거하는 기판 처리 장치의 세정 방법을 제공한다. 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암의 세정 방법으로서, 상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고, 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반송 암의 세정 방법을 제공함으로써 상기 과제를 해결한다.

Description

반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치{CLEANING METHOD FOR TRANSFER ARM, CLEANING METHOD FOR SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스를 제조할 때에는, 반도체 웨이퍼에 대하여 각종 박막의 성막 처리, 개질 처리, 산화 확산 처리, 아닐 처리, 에칭 처리 등이 차례로 반복해서 행해져, 이에 따라 반도체 웨이퍼 상에 다층막으로 이루어지는 반도체 디바이스가 제조된다.
이러한 반도체 디바이스를 제조하는 제조 장치로는 매엽식의 기판 처리 장치가 있다. 이 매엽식의 기판 처리 장치에서는, 다양한 처리를 행하기 위한 복수의 처리실과 하나의 반송실을 연결하고, 각각의 처리실 내에서 반도체 웨이퍼에서의 처리를 차례로 행함으로써, 하나의 기판 처리 장치에서 각종 처리를 행하는 것이 가능하게 하는 것이다. 이 매엽식의 기판 처리 장치에서는, 처리실 간에서의 반도체 웨이퍼의 이동은 반송실에 설치된 반송 암의 신축 동작 및 회전 동작 등에 의해 행해진다. 이 반송 암은 통상적으로 정전 척 기능을 가지고 있어, 반도체 웨이퍼는 반송 암에 정전 척에 의해 흡착되어 반송된다.
그런데, 기판 처리 장치에서의 반송 암은 구동 기구를 가지고 있다는 점에서, 장기간 기판 처리 장치를 사용함으로써 이물(異物)로 이루어진 컨태미네이션(이하, 오염물이라고 기재함) 등이 발생하는 경우 또는 기판 처리 장치의 처리실에서 성막 처리가 행해지는 경우에는, 처리실의 벽면에 성막 처리에서 부착된 막이 박리되어 오염물 등을 발생시키는 경우가 있다. 이와 같이 발생한 오염물 등은 챔버 내를 부유(浮遊)하여 반송 암 또는 반도체 기판에 부착되는 경우가 있다. 오염물 등이 반도체 웨이퍼에 부착된 경우는 물론, 반송 암에 부착된 경우에도, 반송 암을 개재하여 반송 암에 의해 반송되는 반도체 웨이퍼에도 오염물 등이 부착되어 제조되는 반도체 디바이스의 수율을 저하시킨다.
일본특허공개공보 평6-252066호 일본특허공개공보 평7-302827호
상기와 같이 발생한 오염물 등을 제거하기 위해서는, 오염물 등이 부착된 반송 암을 챔버 내로부터 취출하여 반송 암의 표면에 부착되어 있는 오염물 등을 닦아냄으로써 제거하는 방법이 있다. 그러나, 기판 처리 장치의 챔버 내로부터 반송 암을 취출할 필요가 있어 시간과 노력을 필요로 하고, 특히 진공 챔버 내에 설치되어 있는 반송 암을 취출하기 위해서는 진공 챔버 내를 대기압 상태로 할 필요가 있어 한층 더 시간과 노력을 필요로 한다. 또한, 챔버 내를 부유하고 있는 오염물 등을 제거하기 위해서는 챔버 내부의 벽면 등을 닦아내는 방법이 있는데, 마찬가지로 시간과 노력을 필요로 하여 용이하지 않다. 또한, 상술한 바와 같이 오염물 등을 닦아내는 작업을 행하는 경우, 다른 오염물 등을 부착시키는 경우도 있다.
이 때문에, 기판 처리 장치의 챔버 내로부터 반송 암을 취출하지 않고 용이하게 단시간에 반송 암에 부착되어 있는 오염물 등을 제거하는 방법, 또한 챔버 내부에 부유하고 있는 오염물 등을 용이하게 단시간에 제거하는 방법이 요구되고 있었다.
본 발명은 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암의 세정 방법으로서, 상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고, 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암의 세정 방법에 있어서, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과, 상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정을 가지고, 상기 반송 암 근방의 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고, 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실과 접속된 로드록실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 및 로드록실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고, 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치된 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과, 상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정을 가지고, 상기 처리실 또는 상기 반송실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실과 접속된 로드록실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 및 로드록실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과, 상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정을 가지고, 상기 처리실 또는 상기 반송실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치된 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 반송실로부터 상기 처리실에 상기 반송 암의 정전 척을 가지는 부분을 삽입하는 반송 암 삽입 공정과, 상기 정전 척의 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 공정과, 상기 반송 암 삽입 공정 및 상기 전압 인가 공정 후 상기 반송 암의 정전 척을 가지는 부분을 상기 반송실 내로 되돌리는 반송 암 복귀 공정을 가지고, 상기 처리실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가함으로써 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 제어를 행하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 정전 척에 의해 반송 암을 가지는 기판 처리 장치에서 반송 암에 부착되어 있는 오염물 등, 또는 챔버 내에 부유하고 있는 오염물 등을 용이하게 단시간에 제거할 수 있다.
도 1은 제 1 실시예에서의 기판 처리 장치의 구성도이다.
도 2는 반송 암의 상면도이다.
도 3은 반송 암의 단면 확대도이다.
도 4는 제 1 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 순서도이다.
도 5는 제 1 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(1)이다.
도 6은 제 1 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(2)이다.
도 7은 제 1 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(3)이다.
도 8은 제 1 실시예에서의 다른 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도이다.
도 9는 제 2 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 순서도이다.
도 10은 제 2 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(1)이다.
도 11은 제 2 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(2)이다.
도 12는 제 2 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(3)이다.
도 13은 제 2 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 설명도(4)이다.
도 14는 제 3 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 순서도이다.
본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 이하에 설명한다.
[제 1 실시예]
제 1 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는, 반송 암을 이용하여 반도체 웨이퍼를 반송하는 이른바 매엽식의 기판 처리 장치에서 반송 암에 부착되어 있는 오염물 등을 제거하는 반송 암의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 방법에 관한 것이다.
(기판 처리 장치)
본 실시예에서 이용되는 기판 처리 장치는, 복수의 처리실과 복수의 처리실과 접속되어 있는 반송실을 가지는 반도체 웨이퍼 등의 기판의 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 반송실에는 정전 척(ESC : Electrostatic Chuck)에 의해 반도체 웨이퍼를 흡착시키는 반송 암이 설치되어 있어, 반송 암에 의해 각각의 처리실 간 또는 처리실과 로드록실 간에서 기판인 반도체 웨이퍼의 이동을 할 수 있는 것이다.
도 1에 기초하여 본 실시예에서의 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 본 실시예에서의 기판 처리 장치는 반입 반송실(10)과 공통 반송실(20)과 4 개의 처리실(41, 42, 43, 44), 제어부(50)를 가지고 있다. 또한, 반입 반송실(10) 및 공통 반송실(20)은 후술하는 바와 같이 반송실로서의 반송 기구를 가지는 것이다.
공통 반송실(20)은 대략 6 각형의 형상을 하고 있으며, 대략 6 각형의 변에 상당하는 부분에서 4 개의 처리실(41, 42, 43, 44)이 접속되어 있다. 또한, 공통 반송실(20)과 반입 반송실(10)의 사이에는 2 개의 로드록실(31) 및 로드록실(32)이 설치되어 있다. 공통 반송실(20)과 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)의 사이에는 각각 게이트 밸브(61, 62, 63, 64)가 설치되어 있어, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)은 공통 반송실(20)과 차단시킬 수 있다. 또한, 공통 반송실(20)과 각각의 로드록실(31) 및 로드록실(32)의 사이에는 각각 게이트 밸브(65) 및 게이트 밸브(66)가 설치되어 있고, 각각의 로드록실(31) 및 로드록실(32)과 반입 반송실(10)의 사이에는 각각 게이트 밸브(67) 및 게이트 밸브(68)가 설치되어 있다. 또한, 공통 반송실(20)에는 도시하지 않은 진공 펌프가 접속되어 있어 진공 배기 가능하고, 또한 로드록실(31) 및 로드록실(32)에는 도시하지 않은 진공 펌프가 접속되어 있어 독립적으로 배기 가능하다.
또한, 반입 반송실(10)의 2 개의 로드록실(31) 및 로드록실(32)이 설치되어 있는 면의 반대면에는 반도체 웨이퍼를 복수 매 수납할 수 있는 카세트가 설치되는 3 개의 도입 포트(12A, 12B, 12C)가 연결되어 있다.
반입 반송실(10) 내에는 반도체 웨이퍼(W)를 보지(保持)하기 위하여 2 개의 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)을 가지는 반입측 반송 기구(16)가 설치되어 있어, 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)이 신축, 회전, 승강 및 직선 이동 등의 동작을 행함으로써 도입 포트(12A, 12B, 12C)에서의 카세트 내에 수납되어 있는 반도체 웨이퍼(W)를 취출하여 로드록실(31) 및 로드록실(32) 중 어느 한 내부까지 이동시킬 수 있다. 또한, 반입 반송실(10) 내에는 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)에 질소 가스를 분사하기 위하여 질소 공급 노즐(17)이 설치되어 있다.
공통 반송실(20) 내에는 반도체 웨이퍼(W)를 보지하기 위하여 2 개의 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)을 가지는 반송 기구(80)가 설치되어 있어, 반송 암(80A) 또는 반송 암(80B)이 신축 동작 및 회전 동작 등을 행함으로써 반도체 웨이퍼(W)를 각각의 처리실(41, 42, 43, 44) 간의 이동, 로드록실(31) 또는 로드록실(32)의 내부로부터 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로의 이동, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로부터 로드록실(31) 또는 로드록실(32)의 내부로 이동시킬 수 있다.
구체적으로는, 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)에 의해 반도체 웨이퍼(W)는 로드록실(31) 또는 로드록실(32)로부터 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)로 이동시킬 수 있고, 각각의 처리실(41, 42, 43, 44)에서 반도체 웨이퍼(W)에 대한 처리가 행해진다. 처리실(41, 42, 43, 44)에서는 각각 개별적으로 반도체 웨이퍼(W)의 처리가 행해지기 때문에, 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)에 의해 처리실(41, 42, 43, 44) 간에서 반도체 웨이퍼(W)를 이동시켜 처리가 행해진다. 반도체 웨이퍼(W)에서의 처리가 종료된 후에 반도체 웨이퍼(W)는 반송 암(80A) 또는 반송 암(80B)에 의해 처리실(41, 42, 43, 44)로부터 로드록실(31) 또는 로드록실(32)로 이동하고, 또한 반입 반송실(10)에서의 반입측 반송 기구(16)의 반송 암(16A) 또는 반송 암(16B)에 의해 반송 포트(12A, 12B, 12C)에서의 카세트 내에 기판 처리가 종료된 반도체 웨이퍼(W)가 수납된다. 또한, 공통 반송실(20) 내에는 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)에 질소 가스를 분사하기 위하여 질소 공급 노즐(27)이 설치되어 있다.
또한, 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 암(16A) 또는 반송 암(16B)의 동작, 반송 기구(80)에서의 반송 암(80A) 또는 반송 암(80B)의 동작, 처리실(41, 42, 43, 44)에서의 반도체 웨이퍼의 처리, 게이트 밸브(61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68), 로드록실(31) 또는 로드록실(32)의 배기 등의 제어는 제어부(50)에서 행해진다. 또한, 제어부(50)에 의해 반송 암(16A) 또는 반송 암(16B), 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)에서의 정전 척을 위한 전극에 소정의 전압을 인가하는 제어도 행해진다.
이어서, 도 2 및 도 3에 기초하여 본 실시예에서의 반송 암(80A)에 대하여 설명한다. 도 3은 도 2에서의 파선 3A - 3B에서 절단한 단면 확대도이다. 반송 암(80A)은 두 갈래로 나누어진 반도체 웨이퍼(W)가 재치되는 U 자 형상의 선단 부분을 가지고 있다. 반송 암(80A)의 본체부(81)는 산화 알류미늄 등의 세라믹 재료에 의해 형성되어 있으며, 반도체 웨이퍼(W)를 재치하기 위한 U 자 형상의 선단 부분을 가지고 있다. 이 U 자 형상의 선단 부분에는 정전 척을 행하기 위한 금속 재료에 의해 형성되는 전극(82) 및 전극(83)을 가지고 있고, 전극(82) 및 전극(83)의 표면의 폴리이미드 등으로 이루어지는 절연체층(84) 및 절연체층(85)이 형성되어 있다. 또한, 반송 암(80A)에서의 본체부(81)의 반도체 웨이퍼(W)의 흡착면측에는 실리콘 화합물을 함유하는 실리콘계 고무로 이루어지는 O 링(86)이 설치되어 있어, 반도체 웨이퍼(W)는 본체부(81)와 직접 접촉하지 않도록 구성되어 있다. 또한 정전 척은, 전극(82) 및 전극(83)의 표면에는 폴리이미드 등으로 이루어지는 절연체층(84) 및 절연체층(85)으로 이루어지는 정전 척부(87)에서 행해진다. 또한, 반송 암(80B) 및 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)에 대해서도 동일한 구성으로 되어 있다. 또한, 반송 암(80A) 및 반송 암(80B)에 부착되어 있는 오염물 등이 질소 가스에 의해 제거되는 위치는, 각 장치에 설치되어 있는 도시하지 않은 배기구 부근, 처리실(41, 42, 43, 44)로부터 리트랙트된 위치, 리크 등 질소 가스 공급구의 근방이다.
(기판 처리 장치의 제어 방법)
이어서, 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 대하여 설명한다. 도 4는 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법의 순서도이다.
반송 암(80A)은 반도체 웨이퍼(W)의 정전 척을 반복하여 행하는 것이기 때문에, 절연체층(84) 및 절연체층(85)은 약간 대전되어 있으며, 도 5에 도시한 바와 같이 전극(82) 및 전극(83)에 전압이 인가되어 있지 않은 상태(0 V의 전압이 인가되어 있는 상태)에서도 이물이 되는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)이 절연체층(84) 및 절연체층(85)의 표면에 부착된 상태로 되어 있다.
먼저, 단계(102)(S102)에서 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)이 부착되어 있는 반송 암(80A)에 질소 가스를 분사한다. 구체적으로는, 도 6에 도시한 바와 같이 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스를 공급하여, 반송 암(80A)의 상방으로부터 반송 암(80A)의 U 자 형상의 선단 부분에 질소 가스를 분사한다(가스 공급 공정).
이어서, 단계(104)(S104)에서 절연체층(84) 및 절연체층(85)의 표면에서의 대전된 극성과 반대의 극성이 되도록, 즉 대전된 오염물(91) 및 오염물(92)의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 전극(82) 및 전극(83)에 인가한다(전압 인가 공정). 구체적으로는, 도 7에 도시한 바와 같이 반송 암(80A)에서 전극(82)에 음의 전압을 인가하고 전극(83)에 양의 전압을 인가한다.
전극(82)에 음의 전압을 인가함으로써 반송 암(80A)의 절연체층(84)의 표면측은 음이 되고, 절연체층(84)의 표면에 부착되어 있는 음으로 대전된 오염물(91)이 전기적인 힘에 의해 반발하여 반송 암(80A)의 절연체층(84)의 표면으로부터 이탈한다. 반송 암(80A)의 표면에는 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스가 분사되고 있어, 절연체층(84)의 표면으로부터 이탈한 음으로 대전된 오염물(91)이 질소 공급 노즐(27)로부터 공급되는 질소 가스의 흐름을 타고 제거된다.
마찬가지로, 전극(83)에 양의 전압을 인가함으로써 반송 암(80A)의 절연체층(85)의 표면측은 양이 되고, 절연체층(85)의 표면에 부착되어 있는 양으로 대전된 오염물(92)은 전기적인 힘에 의해 반발하여 반송 암(80A)의 절연체층(85)의 표면으로부터 이탈한다. 반송 암(80A)의 표면에는 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스가 분사되고 있어, 절연체층(85)의 표면으로부터 이탈한 양으로 대전된 오염물(92)은 질소 공급 노즐(27)로부터 공급되는 질소 가스의 흐름을 타고 제거된다.
이상, 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 의해 반송 암(80A)의 표면에 부착되어 있는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)을 제거할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 상방(반송 암(80A)의 면방향으로 수직인 상방)으로부터 표면으로 공급하는 경우에 대하여 설명하였으나, 도 8에 도시한 바와 같이 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 측면측에 설치한 구성이어도 좋다. 이 경우에서는, 질소 공급 노즐(27)로부터 공급된 질소 가스는 반송 암(80A)의 면방향을 따라 흘러 전압을 인가함으로써 반송 암(80A)으로부터 이탈되어 있는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)은 질소 가스에 의해 흘러 제거된다.
또한, 상기 설명에서는 반송 암(80A)에 대하여 상세하게 설명하였으나, 반송 암(80B)에 대해서도 동일하며, 또한 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)에 대해서도 반송 암(80A)과 마찬가지로 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)의 표면에 부착되어 있는 오염물 등을 질소 공급 노즐(17)을 이용하여 제거하는 것도 가능하다.
[제 2 실시예]
이어서, 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는, 반송 암을 이용하여 반도체 웨이퍼를 반송하는 이른바 매엽식의 기판 처리 장치에서 기판 처리 장치를 구성하는 챔버(처리실, 공통 반송실, 로드록실, 반입 반송실) 내의 오염물 등을 제거할 수 있는 반송 암의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 방법에 관한 것이다. 또한, 본 실시예에서의 반송 암의 세정 방법 및 기판 처리 장치의 세정 방법은 제 1 실시예에서 이용한 기판 처리 장치를 이용하는 것이다.
도 9에 기초하여 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 대하여 설명한다. 도 10에 도시한 바와 같이, 반송 암(80A)의 전극(82) 및 전극(83)에 전압이 인가되어 있지 않은 상태이며 절연체층(84) 및 절연체층(85)의 표면에도 잔류하고 있는 전하가 존재하지 않는 경우에는, 반송 암(80A)에는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)은 반송 암(80A)에는 부착되어 있지 않고, 챔버 내를 부유하고 있다.
먼저, 단계(202)(S202)에서 전극(82) 및 전극(83)에 전압을 인가한다(제 1 전압 인가 공정). 구체적으로는, 도 11에 도시한 바와 같이 전극(82)에는 양의 전압을 인가하고 전극(83)에는 음의 전압을 인가한다. 또한, 이 전압의 인가를 순전압의 인가라고 표현하는 경우도 있다. 전극(82)에 양의 전압을 인가함으로써 절연체층(84)의 표면측은 양의 전하가 대전되고, 음으로 대전된 오염물(91)이 절연체층(84)의 표면에 부착된다. 또한, 전극(83)에 음의 전압을 인가함으로써 절연체층(85)의 표면측은 음의 전하가 대전되고, 양으로 대전된 오염물(92)이 절연체층(85)의 표면에 부착된다.
이어서, 단계(204)(S204)에서 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)이 부착되어 있는 반송 암(80A)에 질소 가스를 분사한다(가스 공급 공정). 구체적으로는, 도 12에 도시한 바와 같이 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스를 공급하여, 반송 암(80A)의 상방으로부터 질소 가스를 분사한다.
이어서, 단계(206)(S206)에서 질소 가스가 공급된 상태인 채로 절연체층(84) 및 절연체층(85)이 대전된 극성과 반대의 극성이 되도록 전극(82) 및 전극(83)에 전압을 인가한다(제 2 전압 인가 공정). 구체적으로는, 도 13에 도시한 바와 같이 반송 암(80A)에서 단계(202)의 경우와는 반대의 극성의 전압을 인가한다. 또한, 이 전압의 인가를 역전압의 인가라고 표현하는 경우도 있다. 전극(82)에 음의 전압이 인가됨으로써 반송 암(80A)의 절연체층(84)의 표면측은 음이 되고, 절연체층(84)의 표면에 부착되어 있는 음으로 대전된 오염물(91)은 전기적인 힘에 의해 반발하여 반송 암(80A)의 절연체층(84)의 표면으로부터 이탈한다. 반송 암(80A)의 표면에는 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스가 분사되고 있어, 절연체층(84)의 표면으로부터 이탈한 음으로 대전된 오염물(91)은 질소 공급 노즐(27)로부터 공급되는 질소 가스의 흐름을 타고 챔버 내로부터 제거할 수 있다.
마찬가지로, 전극(83)에 양의 전압이 인가됨으로써 반송 암(80A)의 절연체층(85)의 표면측은 양이 되고, 절연체층(85)의 표면에 부착되어 있는 양으로 대전된 오염물(92)은 전기적인 힘에 의해 반발하여 반송 암(80A)의 절연체층(85)의 표면으로부터 이탈한다. 반송 암(80A)의 표면에는 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스가 분사되고 있어, 절연체층(85)의 표면으로부터 이탈한 양으로 대전된 오염물(92)은 질소 공급 노즐(27)로부터 공급되는 질소 가스의 흐름을 타고 챔버 내로부터 제거할 수 있다.
이와 같이 하여 반송 암(80A)의 주위에 부유하고 있는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)을 반송 암(80A)의 표면에 일단 흡착시키고, 그 후 질소 공급 노즐(27)에 의해 흘려보냄으로써 챔버 내의 오염물을 제거할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 상방(반송 암(80A)의 면방향으로 수직인 상방)으로부터 표면으로 공급하는 경우에 대하여 설명하였으나, 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 측면측에 설치한 구성이어도 좋다. 또한, 제 1 전압 인가 공정에서 역전압을 인가하고 제 2 전압 인가 공정에서 순전압을 인가한 경우에도 마찬가지로 챔버 내의 오염물을 제거할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 반송 암(80A)에 대하여 상세하게 설명하였으나, 반송 암(80B)에 대해서도 동일하며, 또한 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)에 대해서도 반송 암(80A)과 마찬가지로 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)을 이용하여 질소 공급 노즐(17)에 의해 오염물 등을 제거할 수 있다.
[제 3 실시예]
이어서, 제 3 실시예에 대하여 설명한다. 본 실시예는, 특히 제 2 실시예에서 반송 암을 가지지 않는 챔버(처리실, 로드록실)에서의 오염물을 제거하는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 세정 방법은 제 1 실시예에서 이용한 기판 처리 장치를 이용하는 것이다.
도 14에 기초하여 본 실시예에서의 기판 처리 장치의 제어 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 단계(302)(S302)에서 게이트 밸브(61)을 열어 반송 암(80A)의 U 자 형상의 선단 부분을 공통 반송실(20)로부터 처리실(41)에 삽입한다(반송 암 삽입 공정).
이어서, 단계(304)(S304)에서 전극(82) 및 전극(83)에 전압을 인가한다(제 1 전압 인가 공정). 구체적으로는, 전극(82)에는 양의 전압을 인가하고 전극(83)에는 음의 전압을 인가한다. 또한, 이 전압의 인가를 순전압의 인가라고 표현하는 경우도 있다. 전극(82)에 양의 전압이 인가됨으로써 절연체층(84)의 표면측은 양의 전하가 대전되고, 음으로 대전된 오염물(91)이 절연체층(84)의 표면에 부착된다. 또한, 전극(83)에 음의 전압이 인가됨으로써 절연체층(85)의 표면측은 음의 전하가 대전되고, 양으로 대전된 오염물(92)이 절연체층(85)의 표면에 부착된다.
이어서, 단계(306)(S306)에서 반송 암(80A)의 U 자 형상의 선단 부분을 처리실(41)로부터 공통 반송실(20) 내로 되돌리고 게이트 밸브(61)를 닫는다(반송 암 복귀 공정).
이어서, 단계(308)(S308)에서 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)이 부착되어 있는 반송 암(80A)에 질소 가스를 분사한다. 구체적으로는, 질소 공급 노즐(27)로부터 질소 가스를 공급하여, 반송 암(80A)의 상방으로부터 반송 암(80A)의 U 자 형상의 선단 부분에 질소 가스를 분사한다(가스 공급 공정).
이어서, 단계(310)(S310)에서 질소 가스가 공급된 상태인 채로 절연체층(84) 및 절연체층(85)이 대전된 극성과 반대의 극성이 되도록 전극(82) 및 전극(83)에 전압을 인가한다. 즉, 단계(304)에서 인가되는 전압과 반대의 극성의 전압을 인가한다(제 2 전압 인가 공정). 또한, 이 전압의 인가를 역전압의 인가라고 표현하는 경우도 있다. 이에 따라 반송 암(80A)의 표면에 부착되어 있는 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)을 반송 암(80A)으로부터 이탈시켜, 질소 공급 노즐(27)로부터 공급되는 질소 가스에 의해 제거할 수 있다.
이상의 공정에 의해, 처리실(41) 내에서의 음으로 대전된 오염물(91) 및 양으로 대전된 오염물(92)을 제거할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 상방(반송 암(80A)의 면방향으로 수직인 상방)으로부터 표면으로 공급하는 경우에 대하여 설명하였으나, 질소 공급 노즐(27)은 반송 암(80A)의 측면측에 설치한 구성이어도 좋다. 또한, 제 1 전압 인가 공정에서 역전압을 인가하고 제 2 전압 인가 공정에서 순전압을 인가한 경우에도 마찬가지로 챔버 내의 오염물을 제거할 수 있다.
또한, 상기 설명에서는 반송 암(80A)에 대하여 상세하게 설명하였으나, 반송 암(80B)에 대해서도 동일하며, 또한 처리실(42), 처리실(43), 처리실(44), 로드록실(31) 및 로드록실(32)에 대해서도 동일한 방법에 의해 오염물 등을 제거할 수 있다. 또한, 반입측 반송 기구(16)에서의 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)에 대해서도 반송 암(80A)과 마찬가지로 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)을 이용하여 오염물을 제거할 수 있고, 로드록실(31) 및 로드록실(32)에서의 오염물의 제거에는 반송 암(16A) 및 반송 암(16B)을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 상기 이외의 내용에 대해서는 제 2 실시예와 동일하다.
이상, 본 발명의 실시에 따른 형태에 대하여 설명하였으나, 상기 내용은 발명의 내용을 한정하지는 않는다.
10 : 반입 반송실
12A, 12B, 12C : 도입 포트
16 : 반입측 반송 기구
16A, 16B : 반송 암
17 : 질소 공급 노즐
20 : 공통 반송실
27 : 질소 공급 노즐
31, 32 : 로드록실
41, 42, 43, 44 : 처리실
50 : 제어부
61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68 : 게이트 밸브
80 : 반송 기구
80A, 80B : 반송 암
81 : 본체부
82, 83 : 전극
84, 85 : 절연체층
86 : O 링
87 : 정전 척부
W : 반도체 웨이퍼

Claims (19)

  1. 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암의 세정 방법으로서,
    상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고,
    상기 전압 인가 공정 전에 상기 반송 암의 정전 척을 향하여 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 가지며,
    상기 가스를 공급하고 있는 상태에서 상기 전압 인가 공정을 행함으로써,
    상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반송 암의 세정 방법.
  2. 삭제
  3. 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암의 세정 방법에 있어서,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과,
    상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정을 가지고,
    상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 반송 암의 정전 척을 향하여 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 가지며,
    상기 가스를 공급하고 있는 상태로 상기 제 2 전압 인가 공정을 행함으로써,
    상기 반송 암 근방의 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 반송 암의 세정 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서 공급되는 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 반송 암의 세정 방법.
  6. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서의 가스는 가스 공급 노즐에 의해 공급되는 것으로서,
    상기 가스 공급 노즐은 상기 반송 암의 정전 척이 설치되어 있는 면과 대향하고 있는 면, 또는 상기 반송 암의 상기 정전 척이 설치되어 있는 면의 측면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 반송 암의 세정 방법.
  7. 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고,
    상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  8. 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실과 접속된 로드록실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 및 로드록실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가하는 전압 인가 공정을 가지고,
    상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 전압 인가 공정 전에 상기 반송 암의 정전 척을 향하여 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 가지며,
    상기 가스를 공급하고 있는 상태로 상기 전압 인가 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  10. 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치된 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과,
    상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정
    을 가지고, 상기 처리실 또는 상기 반송실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  11. 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실과 접속된 로드록실과, 상기 반송실 내에 설치되며 상기 처리실 및 로드록실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 일방에 양의 전압을 인가하고 타방에 음의 전압을 인가하는 제 1 전압 인가 공정과,
    상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 정전 척의 전극의 일방에 음의 전압을 인가하고 타방에 양의 전압을 인가하는 제 2 전압 인가 공정
    을 가지고, 상기 처리실 또는 상기 반송실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  12. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 전압 인가 공정 후 상기 제 2 전압 인가 공정 전에 상기 반송 암의 정전 척을 향하여 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 가지며,
    상기 가스를 공급하고 있는 상태로 상기 제 2 전압 인가 공정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  13. 기판의 처리를 행하는 복수의 처리실과, 상기 복수의 처리실이 접속된 반송실과, 상기 반송실 내에 설치된 상기 처리실 간에서 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치의 세정 방법에 있어서,
    상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 반송실로부터 상기 처리실에 상기 반송 암의 정전 척을 가지는 부분을 삽입하는 반송 암 삽입 공정과,
    상기 정전 척의 전극에 전압을 인가하는 전압 인가 공정과,
    상기 반송 암 삽입 공정 및 상기 전압 인가 공정 후 상기 반송 암의 정전 척을 가지는 부분을 상기 반송실 내로 되돌리는 반송 암 복귀 공정
    을 가지고, 상기 처리실에서 대전된 이물을 제거하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 반송 암 복귀 공정 후 상기 반송 암의 정전 척을 향하여 가스를 공급하는 가스 공급 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서 공급되는 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  16. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서의 가스는 가스 공급 노즐에 의해 공급되는 것으로서,
    상기 가스 공급 노즐은 상기 반송 암의 정전 척이 설치되어 있는 면과 대향하고 있는 면, 또는 상기 반송 암의 상기 정전 척이 설치되어 있는 면의 측면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  17. 기판의 반송을 행하기 위한 정전 척을 가지는 반송 암을 가지는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 반송 암에 대전된 이물이 부착되어 있는 경우에, 상기 반송 암에 상기 기판이 재치되어 있지 않은 상태로 상기 정전 척의 전극의 각각에 대전된 이물의 전하의 극성과 동일한 극성의 전압을 인가함으로써 상기 반송 암에 부착되어 있는 이물을 제거하는 제어를 행하는 제어부를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서 공급되는 가스는 질소 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  19. 제 14 항에 있어서,
    상기 가스 공급 공정에서의 가스는 가스 공급 노즐에 의해 공급되는 것으로서,
    상기 가스 공급 노즐은 상기 반송 암의 정전 척이 설치되어 있는 면과 대향하고 있는 면, 또는 상기 반송 암의 상기 정전 척이 설치되어 있는 면의 측면에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
KR1020100109723A 2009-11-09 2010-11-05 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치 KR101211079B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-256300 2009-11-09
JP2009256300A JP4897030B2 (ja) 2009-11-09 2009-11-09 搬送アームの洗浄方法及び基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110051146A KR20110051146A (ko) 2011-05-17
KR101211079B1 true KR101211079B1 (ko) 2012-12-11

Family

ID=43973216

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100109723A KR101211079B1 (ko) 2009-11-09 2010-11-05 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20110108056A1 (ko)
JP (1) JP4897030B2 (ko)
KR (1) KR101211079B1 (ko)
CN (1) CN102097292A (ko)
TW (1) TWI414035B (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5523436B2 (ja) 2011-12-19 2014-06-18 三菱電機株式会社 半導体清浄装置および半導体清浄方法
JP5768731B2 (ja) 2012-01-27 2015-08-26 三菱電機株式会社 異物除去装置、異物除去方法
JP5976377B2 (ja) * 2012-04-25 2016-08-23 東京エレクトロン株式会社 被処理基体に対する微粒子付着の制御方法、及び、処理装置
JP5990047B2 (ja) * 2012-06-28 2016-09-07 日本特殊陶業株式会社 保持装置
JP6068118B2 (ja) * 2012-12-05 2017-01-25 日本特殊陶業株式会社 搬送装置及び搬送用部材
US9211568B2 (en) * 2013-03-12 2015-12-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Clean function for semiconductor wafer scrubber
KR20150006563A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 파티클 제거 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR102125598B1 (ko) * 2016-04-27 2020-06-22 주식회사 엘지화학 전기장 흡착 방식을 이용한 이물질 제거 시스템 및 제거 방법
WO2018179295A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社ニコン 露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
KR102008581B1 (ko) * 2017-11-29 2019-08-07 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 유기 el 표시장치의 제조방법
KR102429845B1 (ko) * 2017-12-28 2022-08-04 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 장치의 컴포넌트로부터 오염물 입자를 제거하는 장치 및 방법
WO2019219163A1 (en) * 2018-05-14 2019-11-21 Applied Materials, Inc. Cleaning device for attracting particles in a substrate processing system, processing system for processing a substrate, and method of operation of a cleaning device
JP7234549B2 (ja) * 2018-09-12 2023-03-08 東京エレクトロン株式会社 真空搬送モジュール及び真空搬送方法
CN110943066A (zh) * 2018-09-21 2020-03-31 联华电子股份有限公司 具有高电阻晶片的半导体结构及高电阻晶片的接合方法
WO2024122025A1 (ja) * 2022-12-08 2024-06-13 株式会社日立ハイテク ウェハ搬送用ハンド、ウェハ交換装置、荷電粒子線装置および真空装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317783A (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム及びその洗浄方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0764979A3 (en) * 1995-09-20 1998-07-15 Hitachi, Ltd. Electrostatically attracting electrode and a method of manufacture thereof
JPH10256345A (ja) * 1997-03-13 1998-09-25 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置および基板搬送方法
JPH1187457A (ja) * 1997-09-16 1999-03-30 Hitachi Ltd 異物除去機能付き静電吸着装置を備えた半導体製造装置
JPH11251419A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Ceramics Co Ltd 基板保持用静電チャック及び基板保持方法
US20060011213A1 (en) * 2004-04-28 2006-01-19 Tokyo Electron Limited Substrate transfer device and cleaning method thereof and substrate processing system and cleaning method thereof
JP4745099B2 (ja) * 2006-03-28 2011-08-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、搬送ピックのクリーニング方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取り可能な記憶媒体
US20070233313A1 (en) * 2006-03-28 2007-10-04 Tokyo Electron Limited Transfer pick, transfer device, substrate processing apparatus and transfer pick cleaning method
JP2007296488A (ja) * 2006-05-02 2007-11-15 Trinc:Kk 除塵装置
US20090109595A1 (en) * 2007-10-31 2009-04-30 Sokudo Co., Ltd. Method and system for performing electrostatic chuck clamping in track lithography tools

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005317783A (ja) 2004-04-28 2005-11-10 Tokyo Electron Ltd 基板搬送装置及びその洗浄方法、並びに基板処理システム及びその洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20110108056A1 (en) 2011-05-12
JP2011099156A (ja) 2011-05-19
TWI414035B (zh) 2013-11-01
JP4897030B2 (ja) 2012-03-14
KR20110051146A (ko) 2011-05-17
TW201140729A (en) 2011-11-16
CN102097292A (zh) 2011-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101211079B1 (ko) 반송 암의 세정 방법, 기판 처리 장치의 세정 방법 및 기판 처리 장치
KR101371559B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법
CN112530800B (zh) 蚀刻方法和基板处理系统
US7782591B2 (en) Methods of and apparatus for reducing amounts of particles on a wafer during wafer de-chucking
JP2015512135A (ja) 太陽電池用ウェハのプラズマ処理のためのシステム構成
US20190096702A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and computer storage medium
KR20110139629A (ko) 진공처리장치
EP1018477A1 (en) Air stream transfer apparatus
KR101558283B1 (ko) 기판 처리용 클러스터 설비
TW201340239A (zh) 基板處理裝置
KR101503728B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리용 클러스터 설비 및 기판 처리 방법
JP4073657B2 (ja) 処理方法
JPH11145266A (ja) 静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた基板搬送装置および基板搬送方法
KR101552110B1 (ko) 기판 처리 방법
KR101344924B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102318392B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20230029440A (ko) 기판 처리 라인
JP2000174088A (ja) ウエハローダ
CN114695194A (zh) 用于处理基板的装置
KR101571808B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 부착 장치 및 기판 처리 장치의 제어 방법
JP2017017184A (ja) 搬送装置及びその制御方法
KR100892089B1 (ko) 웨이퍼 세정 처리장치
KR20210143816A (ko) 프로세싱 시스템, 프로세싱 시스템에서 기판을 수송하기 위한 캐리어, 및 캐리어를 수송하기 위한 방법
KR20090072192A (ko) 웨이퍼 이송 장치
KR20180090412A (ko) 기판 처리 장치 및 핸드

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee