JP5523436B2 - 半導体清浄装置および半導体清浄方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体清浄装置および半導体清浄方法に関し、特に、半導体装置から異物を除去するための半導体清浄装置および半導体清浄方法に関するものである。

半導体装置の製造は、半導体装置の集合体である半導体ウエハに対して、複数の工程を経て行われる。半導体装置の製造工程では、種々の工程において、異物が持ち込まれることにより、半導体装置に不具合が発生することがある。この場合、半導体装置の歩留まりが悪化する。そのため、半導体装置から異物を除去することが望まれている。

半導体装置の製造工程において異物を除去可能な装置は、たとえば特開平１１−８７４５７号公報（特許文献１）および特開２０１１−９９１５６公報（特許文献２）に提案されている。上記の特開平１１−８７４５７号公報に記載された装置は、静電吸着搬送アームと異物除去用の板状部材とを有している。静電吸着搬送アームのウエハ裏面が接触する部分の異物は板状部材に転写されることで除去される。また、上記の特開２０１１−９９１５６号公報に記載された装置は、静電チャックが設けられた搬送アームを有している。静電チャックの電極に搬送アームに付着している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧が印加され、搬送アームに窒素ガスが吹き付けられることで異物が除去される。

特開平１１−８７４５７号公報 特開２０１１−９９１５６号公報

しかしながら、上記の特開平１１−８７４５７号公報に記載された装置は、静電吸着搬送アームのウエハ裏面が接触する部分の異物を板状部材に転写するため、半導体ウエハの側面に付着した異物を除去することはできない。また、上記の特開２０１１−９９１５６号公報に記載された装置は半導体ウエハの裏面を静電チャックにより吸着するため、半導体ウエハの側面に付着した異物を除去することは困難である。さらにガスが吹き付けられて異物が除去されるため、吹き付けられたガスにより散乱した異物が除去されずに再付着することがある。

一方、半導体ウエハがダイシング等により細片化されて作製された個々の半導体装置においても、製造工程の後の電気的特性の評価等の試験工程において、異物の存在が問題となる。たとえば、電気的に接続するためのパッドが存在する半導体装置の表面に異物が付着すると、短絡および放電の原因となることがある。そして、これらによって半導体装置に不具合が発生する。

また、半導体装置の縦方向、つまり面外方向に電流を流す縦型構造の半導体装置においては、表面側だけでなく裏面側も電極として用られているため、裏面に異物が付着すると、半導体装置と外部電極との密着性が悪くなる。半導体装置と外部電極との密着性が悪くなることは、接触抵抗に影響し、ひいては電気的特性に影響を与える。また、異物の存在により、異物と半導体装置との接触部および接触部近傍において、クラック等の欠陥が生じることによって、半導体装置が一部破損することもある。

なお、個々の半導体装置における異物については、半導体ウエハから半導体装置への細片化の際、半導体装置の側面から半導体ウエハ材料の小片、屑等が多数生じ、それらが異物となって半導体装置の側面および側面近傍に付着したまま、後の試験工程に持ち込まれることが知られている。そして、これらの異物は半導体装置の表面および裏面に移動することがある。

本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の側面に付着した異物を除去することができ、かつ除去された異物が再付着することを防止できる、半導体清浄装置および半導体清浄方法を提供することである。

本発明の半導体清浄装置は、半導体装置から異物を除去するためのものであって、半導体装置の側面に対向するように配置された外部電極と、半導体装置が設置可能に設けられ、かつ半導体装置が設置された状態で半導体装置の側面と外部電極との間の位置において半導体装置の側面の下方に設けられた開口部を有する基台と、絶縁性を有し、かつ外部電極に接して半導体装置の側面に対向するように基台上に配置された枠部と、基台の開口部に接続され、開口部から異物を吸い込み可能な吸気手段とを備えている。

本発明の半導体清浄装置によれば、半導体装置の側面に対向するように外部電極が配置されているため、外部電極は半導体装置の側面に付着した異物を側面から除去することができる。そして、吸気手段は半導体装置の側面の下方に設けられた開口部から異物を吸い込み可能であるため、半導体装置の側面から除去された異物が再付着することを防止することができる。

本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の概略平面図である。 図１のＰ１部を拡大して示す概略平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う概略断面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う概略断面図である。 本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の変形例１の概略断面図である。 本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の変形例２の概略断面図である。 本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の変形例３の概略平面図であって、図２のＰ２部に対応する部分の図である。 本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の変形例４の概略平面図であって、図２のＰ３部に対応する部分の図である。 図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う概略断面図である。 本発明の実施の形態１における半導体清浄装置の変形例５の概略断面図である。 本発明の実施の形態２における半導体清浄装置の概略断面図である。 本発明の実施の形態２における半導体装置の変形例の概略断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
最初に本発明の実施の形態１の半導体清浄装置の構成について説明する。

図１〜図４を参照して、本実施の形態の半導体清浄装置は、半導体装置１から異物２を除去するためのものである。図１〜３では半導体清浄装置に半導体装置１が設置されている。図１では、見やすくするため半導体装置１は１つのみ図示されている。図１〜２では、説明の便宜のため吸気手段は図示されていない。図２では、１つの半導体装置１を設置する部分が図示されている。図４では、見やすくするため吸気手段は図示されていない。

半導体装置１は、たとえばシリコンウエハからダイシングして作製されたシリコン基板からなる半導体チップである。異物２は半導体装置１の側面１ａに存在するシリコン小片およびシリコン屑などである。

半導体清浄装置は、外部電極１１と、基台１２と、枠部１３と、吸気手段１４とを主に有している。基台１２および枠部１３は、半導体試験治具１０を構成している。半導体試験治具１０は、主として半導体装置１の電気的特性を測定する際に用いる試験治具である。なお、半導体試験治具１０は半導体装置１の搬送に用いることもできる。つまり、半導体試験治具１０は、清浄後の電気的特性測定のための装置への半導体装置１の搬送に用いることもできる。

また、半導体試験治具１０は第１の位置決め手段３と、第２の位置決め手段４とを有している。第１の位置決め手段３および第２の位置決め手段４によって、異物除去を行う清浄装置および電気的特性を測定する試験装置に対して半導体試験治具１０に設置された半導体装置１の位置が決定される。第１の位置決め手段３は、基台１２の１つの角部に設けられた斜辺部で構成されている。第１の位置決め手段３によって半導体試験治具１０の上下左右方向が判断され得る。第２の位置決め手段４は、基台１２の一辺と、一辺に対向する他辺とに設けられた複数の孔で構成されている。第２の位置決め手段４の複数の孔が吸気手段１４に設けられた凸部と嵌め合わせられることで半導体試験治具１０の位置決めが行われる。

外部電極１１は、半導体装置１の側面１ａに対向するように配置されている。半導体装置１の側面１ａは、基台１２に対向する半導体装置１の底面と交差する面である。半導体装置１の側面１ａに付着している異物２は、摩擦および接触などによって帯電している。外部電極１１は、正負のどちらかの極性に帯電している異物２を静電吸着によって半導体装置１の側面１ａから分離して除去可能に構成されている。

外部電極１１は枠部１３の内部に配置されていてもよい。この場合、外部電極１１は枠部１３によって覆われている。電気配線は図示されていないが、外部電極１１にたとえば正の電圧が印加されると、枠部１３の表面側は負になり、正に帯電した異物２が吸着される。逆に外部電極１１に負の電圧が印加されると、枠部１３の表面側は正になり、負に帯電した異物２が吸着される。

基台１２は、半導体装置１が設置可能に設けられている。基台１２は、半導体装置１が設置された状態で半導体装置１の側面１ａと外部電極１１との間の位置において半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた開口部１２ａを有している。開口部１２ａは基台１２の表裏面を貫通するように設けられている。

基台１２は導電性を有していてもよい。これにより、基台１２を電極として用いて縦型構造の半導体装置１が評価され得る。基台１２は、たとえば金属で形成されており、具体例として板状のアルミニウムで形成されていてもよい。なお、電極パッドが表面のみに設けられた横型構造の半導体装置１の評価では、基台１２は導電性を有する必要はない。

基台１２は複数の半導体装置１を設置可能に設けられていてもよい。本実施の形態では、基台１２は一例として１６個の半導体装置１を設置可能に構成されている。基台１２は溝部１２ｂを有していてもよい。溝部１２ｂは半導体装置１が設置された面において開口部１２ａに繋がるように半導体装置１の側面１ａの下方に設けられている。

基台１２は、半導体装置１が設置された面において溝部１２ｂに囲まれた設置部１２ｃを有している。設置部１２ｃの面積は、半導体装置１の面積よりも小さい。設置部１２ｃは、半導体装置１の設置面にダメージを与えないために、バリおよび突起がないように洗浄および研磨工程を経てフラットな面を確保することが望ましい。

溝部１２ｂは開口部１２ａに向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有している。この傾斜構造は凹状の傾斜面１２ｄによって構成されている。なお、第１の位置決め手段３、第２の位置決め手段４、開口部１２ａ、溝部１２ｂのそれぞれは、基台１２に対して機械加工により作製されてもよい。

枠部１３は絶縁性を有している。枠部１３は隣り合って設置された半導体装置１が互いに導通しないように設けられている。また、枠部１３は隣り合って設置された他の半導体装置１の放電を抑制するように設けられている。枠部１３は、たとえばＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂などの絶縁性材料で形成されている。

枠部１３は外部電極１１に接して半導体装置１の側面１ａに対向するように基台１２上に配置されている。枠部１３は凸状に構成されている。枠部１３は、半導体装置１の側面１ａに向かって突出する突起部１３ａを有していてもよい。突起部１３ａが半導体装置１の側面１ａに接触することで、側面１ａと枠部１３とが面で接触することが防止される。

枠部１３は半導体装置１の側面１ａを取り囲むように設けられていてもよい。枠部１３は複数の半導体装置の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられていてもよい。本実施の形態では、半導体試験治具１０は１６個の半導体装置１を設置可能に構成されているが、これに限るものではなく、試験装置の大きさおよび半導体装置の大きさに応じて設置する半導体装置１の数量は増減してもよい。

吸気手段１４は、基台１２の開口部１２ａに接続され、開口部１２ａから異物２を吸い込み可能に設けられている。吸気手段１４は回転ファンを有していてもよい。吸気手段１４は、本体部１４ａと、吸気管１４ｂと、異物除去フィルタ１４ｃと、吸気部１４ｄと、排気口１４ｅとを有していてもよい。本体部１４ａに吸気管１４ｂが形成されている、吸気管１４ｂは開口部１２ａに接続されている。吸気管１４ｂは異物除去フィルタ１４ｃを経由して吸気部１４ｄに接続されている。吸気部１４ｄには排気口１４ｅが形成されている。吸気部１４ｄはたとえば回転ファンであってもよい。

吸気手段１４は、吸気部１４ｄが吸気管１４ｂを介して開口部１２ａから空気を吸い込むことで、開口部１２ａから異物２が吸い込まれるように構成されている。開口部１２ａから吸い込まれた異物２は異物除去フィルタ１４ｃにて取り除かれる。排気口１４ｅから吸い込み空気（エア）が排出される。

枠部１３に吸着された異物２は、開口部１２ａを経て、半導体試験治具１０の裏面から排出される。異物２を裏面から排出することで、半導体装置１が設置部１２ｃに設置されたままでも異物２の再付着が防止される。そのため、半導体装置１を移動する工程を増加することなく効率的に異物２が除去される。

次に、本実施の形態の半導体清浄装置を用いた半導体清浄方法について説明する。
まず、半導体試験治具１０の基台１２に半導体装置１が設置される。より具体的には基台１２の設置部１２ｃに半導体装置１の設置面が接するように半導体装置１が設置される。この際、半導体装置１の側面１ａおよび側面１ａの近傍に付着した異物２の一部は、半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた開口部１２ａまたは溝部１２ｂに落下する。つまり、設置時に発生する振動および衝撃等によって、側面１ａおよび側面１ａの近傍に付着していた異物２が半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた開口部１２ａまたは溝部１２ｂに落下する。

続いて、半導体装置１が設置された状態で外部電極１１にたとえば正の電圧が印加される。外部電極１１の静電吸着によって、摩擦および接触などによって正に帯電した異物２が外部電極１１を覆う枠部１３に吸着される。なお、外部電極１１には正負のいずれかの電圧が印加されればよく、負の電圧が印加されてもよい。

次に、吸気手段１４によって開口部１２ａから半導体装置１の側面１ａに付着した異物２を吸い込むように吸気が開始される。吸気が開始された状態で外部電極１１に逆電圧（負の電圧）が印加される。この際、正に帯電した異物２が吸気手段１４によって開口部１２ａから吸い出されるとともに、外部電極１１の静電吸着によって、摩擦および接触などによって負に帯電した異物２が外部電極１１を覆う枠部１３に吸着される。

次に、吸気が継続された状態で外部電極１１にさらに逆電圧（正の電圧）が印加される。この際、負に帯電した異物２が吸気手段１４によって開口部１２ａから吸い込まれる。これにより、異物２が半導体装置１から除去される。その後、吸気手段１４による吸気が終了されると、異物２の除去が終了する。

続いて、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例について説明する。
図５を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例１のように吸気手段１４は真空排気装置を有していてもよい。真空排気装置はたとえば真空ポンプである。この変形例１では、基台１２および枠部１３によって仕切られ、囲まれた半導体装置１を設置する空間ＳＰはキャップ部２０で覆われて閉じた領域とされる。この空間ＳＰに真空排気が行われることで、開口部１２ａから異物２が吸い込まれる。

図６を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例２のように、キャップ部２０は、空間ＳＰに連通する複数の貫通孔２１を有していてもよい。この変形例２では、枠部１３上がキャップ部２０で覆われることにより、吸気の際の空気流が制限されて、効果的に異物２が除去される。さらに具体的には、たとえば、開口部１２ａに対して図中Ｚ方向に対向しない位置（重ならない位置）に貫通孔２１が設けられている。傾斜面１２ｄに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部１２ｂに落下した異物２が排出される。このため異物２が効果的に開口部１２ａから除去される。

図７を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例３のように、突起部１３ａの半導体装置１への対向面が円弧状の曲面に形成されていてもよい。これにより、この変形例３では、突起部１３ａと半導体装置１との接触時における衝撃を緩和することができる。

図８および図９を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例５のように、突起部１３ａは先端が針状に形成されていてもよい。突起部１３ａは断面形状が鋭角である突起を有している。複数の突起部１３ａが形成されていてもよい。先端が針状に形成された突起部（針状突起部）１３ａによって、半導体装置１の側面１ａとの距離が縮まる。また、断面が鋭角である先端部に電荷が集中することで、帯電した異物２を吸着する力が増加する。

また、外部電極１１は、複数の外部電極部材を１１ａ，１１ｂを有していてもよい。外部電極部材１１ａ，１１ｂは、互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられている。半導体装置１の側面１ａに対して、複数の外部電極部材１１ａ，１１ｂが対向するため、隣り合う外部電極部材１１ａ，１１ｂ同士で異なる符号の電圧が印加されることで、１度の電圧印加工程で、正負の両符号に帯電した異物２を吸着することが可能となる。

また、図９に示されるように、枠部１３は、溝部１２ｂの傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されていてもよい。枠部１３の高さが溝部１２ｂの傾斜構造の傾斜面１２ｄに沿って変化することで、突起部１３ａに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部１２ｂに落下した異物２が排出される。

また、開口部１２ａから離れた針状突起部１３ａは図中Ｚ軸方向に対して傾斜して設置されていてもよい。これにより、効果的に突起部１３ａに沿うように空気流を制限することができる。なお、断面が鋭角である突起部１３ａが図中Ｚ軸方向に連続するように構成されている場合について説明したが、これに限られるものではなく、複数の個別の突起部１３ａが、図中Ｚ軸方向に連続するように構成されていてもよい。

図１０を参照して、本実施の形態における半導体清浄装置の変形例５のように、外部電極１１は基台１２の内部に配置されていてもよい。この場合、外部電極１１が基台１２の内部に配置されるため、外部電極１１の設置が容易である。

次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態の半導体清浄装置によれば、半導体装置１の側面１ａに対向するように外部電極１１が配置されているため、外部電極１１は半導体装置１の側面１ａに付着した異物２を側面１ａから除去することができる。そして、吸気手段１４は半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた開口部１２ａから異物２を吸い込み可能であるため、半導体装置１の側面１ａから除去された異物２が再付着することを防止することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台１２は導電性を有しているため、これにより、基台１２を電極として用いて縦型構造の半導体装置１を評価することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部は半導体装置の側面に向かって突出する突起部を有しているため、突起部１３ａが半導体装置１の側面１ａに接触することで、側面１ａと枠部１３とが面で接触することを防止することができる。面で接触した場合、異物２が半導体装置１の側面１ａと枠部１３に面で挟まれることになるため、異物２を半導体装置１の側面１ａから引き離すこと困難である。このため異物２の除去が困難となる。本実施の形態の半導体清浄装置では側面１ａと枠部１３とが面で接触することを防止することができるため、異物２を容易に除去することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、突起部１３ａは先端が針状に形成されているため先端に電荷が集中することで帯電した異物２を吸着する力を増加することができる。このため、より効果的に異物２を除去することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部１３は半導体装置１の側面１ａを取り囲むように設けられているため、確実に隣り合って設置された半導体装置１が互いに導通しないように、また隣り合って設置された他の半導体装置１の放電を抑制することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台１２は複数の半導体装置１を設置可能に設けられており、枠部１は複数の半導体装置１の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられているため、複数の半導体装置１を１度に清浄することができる。このため、半導体装置１の清浄を効率化することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極１１は枠部１３の内部に配置されているため、半導体清浄装置を小型化することができる。また、外部電極１１と半導体装置１の側面１ａを接近させることにより、異物２を吸着する力を増加させることができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極１１は基台１２の内部に配置されているため、外部電極１１の設置が容易であるので半導体清浄装置を製造しやすくすることができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、外部電極部材１１ａ，１１ｂは互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられているため、帯電した異物２の符号が異なっていても、１度の電圧印加工程で、正負の両符号に帯電した異物２を吸着することができる。外部電極１１が１つの場合には、正負の電圧を印加するためには２度の電圧印加工程が必要である。それに対し、本実施の形態の半導体清浄装置によれば、複数の外部電極部材１１ａ，１１ｂによって、１度の電圧印加工程で正負の電圧を印加することができるため、外部電極１１が１つの場合に比べて半分となるので工程の簡略化が可能となる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台１２は開口部１２ａに繋がるように半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた溝部１２ｂを有しているため、半導体装置１の側面１ａやその近傍から発生する異物２を溝部１２ｂ内に収めることができる。これにより、電気的特性に影響を及ぼす異物２が設置部１２ｃおよび半導体装置１の表裏面へ移動することを抑制することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、設置部１２ｃの面積は半導体装置１の面積よりも小さいため、異物２が設置部１２ｃに付着することを抑制することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、溝部１２ｂは開口部１２ａに向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有しているため、開口部１２ａへ異物２を容易に引き込むことができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、枠部１３は溝部１２ｂの傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されているため、突起部１３ａに沿うように空気流が制限され、効果的に溝部１２ｂに落下した異物２を排出することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、基台１２および枠部１３によって囲まれた空間ＳＰを覆うように設けられたキャップ部２０を有しているため、効果的に開口部１２ａから異物２を吸い込むことができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、キャップ部２０は空間ＳＰに連通する複数の貫通孔２１を有しているため、吸気の際の空気流が制限されて、効果的に異物２を除去することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、吸気手段１４は回転ファンを含むため、回転ファンを用いて異物２を吸い込むことができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、吸気手段１４は真空排気装置を含むため、真空排気装置を用いて異物２を吸い込むことができる。

（実施の形態２）
本発明の実施の形態２は、実施の形態１と比較して除電手段を備えている点で主に異なっている。

図１１を参照して、本実施の形態の半導体清浄装置は半導体装置１に付着した異物２を除電するための除電手段を有している。除電手段はイオナイザー２３を有していてもよい。イオナイザー２３は、キャップ部２０の上面に設けられている。イオナイザー２３は、キャップ部２０に設けられた貫通孔２１を通じて、マイナスとプラスのイオンを枠部１３の近傍に供給することで帯電した異物２を除電可能に構成されている。除電された異物２は、容易に枠部１３から離間するため、予め吸気を開始しておけば、離間した異物２は開口部１２ａに容易に吸い込まれる。なお、イオナイザー２３には直流式と交流式とがあり、交流式はプラスのイオンとマイナスのイオンを交互に生成し、直流式は専用の電極から決められた符号のイオンを生成することができる。直流式のイオナイザー２３を用いて、図１１に示されるように外部電極１１と貫通孔２１とを位置を対応させ、吸着した異物２の符号に対応する定められた符号のイオンを供給すれば、除電はより効果的に行われる。これにより除電時間は短縮される。

次に、本実施の形態の半導体清浄装置を用いた半導体清浄方法について説明する。
まず、半導体試験治具１０の基台１２に半導体装置１が設置される。この際、半導体装置１の側面１ａおよび側面１ａの近傍に付着した異物２の一部は、半導体装置１の側面１ａの下方に設けられた開口部１２ａまたは溝部１２ｂに落下する。

続いて、半導体装置１が設置された状態で複数の外部電極１１に正負の電圧がそれぞれ印加される。複数の外部電極１１の静電吸着によって、摩擦および接触などによって正負に帯電した異物２がそれぞれ外部電極１１を覆う枠部１３に吸着される。

次に、吸気手段１４によって開口部１２ａから半導体装置１の側面１ａに付着した異物２を吸い込むように吸気が開始される。そして、イオナイザー２３が稼動され、イオンが供給される。これにより、除電された異物２が枠部１３から離間する。枠部１３から離間した異物２が吸気手段１４によって開口部１２ａから吸い込まれる。これにより、異物２が半導体装置１から除去される。その後、吸気手段１４による吸気が終了されると、異物２の除去が終了する。

なお、上記では除電手段としてイオナイザー２３を用いる場合について説明したが、これに限るものではなく、除電手段として、加湿手段または加熱手段を設けてもよく、さらに複数の除電手段を設けてもよい。これによりさらに除電の効果を上げることができる。

図１２を参照して本実施の形態における半導体清浄装置の変形例では、除電手段として、加湿手段２４および加熱手段２５が設けられている。加湿手段２４はたとえば加湿器である。加熱手段２５はたとえばヒーターである。

なお、本実施の形態のこれ以外の構成および清浄方法は上述した実施の形態１と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、半導体装置１に付着した異物２を除電するための除電手段を有しているため、帯電した異物２の電荷の符号が異なっていても除電することで異物２を開口部１２ａから容易に除去することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段はイオナイザー２３を含むため、イオナイザー２３を用いて異物２を除電することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段は加湿手段２４を含むため、加湿手段２４を用いて異物２を除電することができる。

本実施の形態の半導体清浄装置によれば、除電手段は加熱手段２５を含むため、加熱手段２５を用いて異物２を除電することができる。

上記の各実施の形態は適宜組み合わせることができる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

１ 半導体装置、１ａ 側面、２ 異物、３ 第１の位置決め手段、４ 第２の位置決め手段、１０ 半導体試験治具、１１ 外部電極、１１ａ，１１ｂ 外部電極部材、１２ 基台、１２ａ 開口部、１２ｂ 溝部、１２ｃ 設置部、１２ｄ 傾斜面、１３ 枠部、１３ａ 突起部、１４ 吸気手段、１４ａ 本体部、１４ｂ 吸気管、１４ｃ 異物除去フィルタ、１４ｄ 吸気部、１４ｅ 排気口、２０ キャップ部、２１ 貫通孔、２３ イオナイザー、２４ 加湿手段、２５ 加熱手段。

Claims (22)

1. 半導体装置から異物を除去するための半導体清浄装置であって、
   前記半導体装置の側面に対向するように配置された外部電極と、
   前記半導体装置が設置可能に設けられ、かつ前記半導体装置が設置された状態で前記半導体装置の側面と前記外部電極との間の位置において前記半導体装置の側面の下方に設けられた開口部を有する基台と、
   絶縁性を有し、かつ前記外部電極に接して前記半導体装置の側面に対向するように前記基台上に配置された枠部と、
   前記基台の前記開口部に接続され、前記開口部から前記異物を吸い込み可能な吸気手段とを備えた、半導体清浄装置。
2. 前記基台は導電性を有している、請求項１に記載の半導体清浄装置。
3. 前記枠部は、前記半導体装置の側面に向かって突出する突起部を含む、請求項１および２のいずれかに記載の半導体清浄装置。
4. 前記突起部は先端が針状に形成されている、請求項３に記載の半導体清浄装置。
5. 前記枠部は前記半導体装置の側面を取り囲むように設けられている、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体清浄装置。
6. 前記基台は前記半導体装置を含む複数の半導体装置を設置可能に設けられており、
   前記枠部は前記複数の半導体装置の各々を個別に取り囲むように格子状に設けられている、請求項５に記載の半導体清浄装置。
7. 前記外部電極は前記枠部の内部に配置されている、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体清浄装置。
8. 前記外部電極は前記基台の内部に配置されている、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体清浄装置。
9. 前記外部電極は、複数の外部電極部材を含み、
   前記外部電極部材は、互いに異なる正負の電圧を印加可能に設けられている、請求項１〜８のいずれかに記載の半導体清浄装置。
10. 前記基台は、前記半導体装置が設置された面において前記開口部に繋がるように前記半導体装置の側面の下方に設けられた溝部を含む、請求項１〜９のいずれかに記載の半導体清浄装置。
11. 前記基台は、前記半導体装置が設置された面において前記溝部に囲まれた設置部を含み、
    前記設置部の面積は、前記半導体装置の面積よりも小さい、請求項１０に記載の半導体清浄装置。
12. 前記溝部は前記開口部に向かって高さが低くなるように形成された傾斜構造を有している、請求項１０または１１に記載の半導体清浄装置。
13. 前記枠部は、前記溝部の前記傾斜構造に沿って高さが変化するように形成されている、請求項１２に記載の半導体清浄装置。
14. 前記基台および前記枠部によって囲まれた空間を覆うように設けられたキャップ部をさらに備えた、請求項１〜１３のいずれかに記載の半導体清浄装置。
15. 前記キャップ部は、前記空間に連通する複数の貫通孔を有している、請求項１４に記載の半導体清浄装置。
16. 前記吸気手段は回転ファンを含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体清浄装置。
17. 前記吸気手段は真空排気装置を含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の半導体清浄装置。
18. 前記半導体装置に付着した前記異物を除電するための除電手段をさらに備えた、請求項１〜１７のいずれかに記載の半導体清浄装置。
19. 前記除電手段はイオナイザーを含む、請求項１８に記載の半導体清浄装置。
20. 前記除電手段は加湿手段を含む、請求項１８または１９に記載の半導体清浄装置。
21. 前記除電手段は加熱手段を含む、請求項１８〜２０のいずれかに記載の半導体清浄装置。
22. 請求項１〜２１のいずれかに記載の半導体清浄装置に前記半導体装置を設置する工程と、
    前記半導体装置が設置された状態で前記半導体装置の側面に付着した異物を前記吸気手段が吸い込むことによって前記異物が前記半導体装置から除去される工程とを備えた、半導体清浄方法。

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