TW202133250A - 基板處理裝置 - Google Patents

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TW202133250A
TW202133250A TW110101188A TW110101188A TW202133250A TW 202133250 A TW202133250 A TW 202133250A TW 110101188 A TW110101188 A TW 110101188A TW 110101188 A TW110101188 A TW 110101188A TW 202133250 A TW202133250 A TW 202133250A
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飯野正
福田喜輝
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日商東京威力科創股份有限公司
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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置，能夠將整流構件的安裝後至可進行穩定之運作為止的時間縮短。基板處理裝置，具備：空氣供給部，將空氣空氣供給至基板所在的場所；以及整流構件，具有複數個貫通孔，將由該空氣供給部所供給的該空氣整流；該整流構件，具備基材、及設置於該基材的表面之電荷擴散層；使附著於該整流構件的表面之電荷，沿著該電荷擴散層擴散。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種基板處理裝置。
單片式洗淨裝置等基板處理裝置，於腔室之頂棚部設置風扇過濾單元；在風扇過濾單元與保持基板的基板保持機構之間，設置整流板。整流板，整理從風扇過濾單元發出的氣流。 [習知技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開第2005-72374號公報
[本發明所欲解決的問題]
本發明提供一種基板處理裝置，可將整流構件的安裝後至可進行穩定之運作為止的時間縮短。 [解決問題之技術手段]
本發明的一態樣之基板處理裝置，具備：空氣供給部，將空氣供給至基板所在的場所；以及整流構件，具有複數個貫通孔，將由該空氣供給部所供給的該空氣整流；該整流構件，具備基材、及設置於該基材的表面之電荷擴散層；使附著於該整流構件的表面之電荷，沿著該電荷擴散層擴散。 [本發明之效果]
依本發明，則可將整流構件的安裝後至可進行穩定之運作為止的時間縮短。
以下，參考圖式，針對本發明之實施形態予以說明。於各圖式中，有對相同或相對應之構成給予相同或相對應之符號而將說明省略的情形。
＜基板處理系統的構成＞ 首先，針對實施形態之基板處理系統的構成予以說明。圖1係顯示實施形態之基板處理系統的概略構成之圖。以下，為了使位置關係明確化，界定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，使Z軸正方向為鉛直向上之方向。
如圖1所示，基板處理系統1，具備搬出入站2及處理站3。搬出入站2與處理站3鄰接設置。
搬出入站2，具備載具載置部11及搬運部12。於載具載置部11，載置有將複數片晶圓W以水平狀態收納的複數個載具C。
搬運部12，與載具載置部11鄰接設置，於內部具備基板搬運裝置13及傳遞部14。基板搬運裝置13，具備保持晶圓W之晶圓保持機構。此外，基板搬運裝置13，可進行往水平方向與鉛直方向的移動、及以鉛直軸為中心的迴旋，利用晶圓保持機構在載具C與傳遞部14之間施行晶圓W的搬運。
處理站3，與搬運部12鄰接設置。處理站3，具備搬運部15及複數個蝕刻單元16。複數個蝕刻單元16，於搬運部15的兩側並排設置。另，蝕刻單元16的個數，並未限定於圖1所示之例子。
搬運部15，於內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17，具備保持晶圓W之晶圓保持機構。此外，基板搬運裝置17，可進行往水平方向與鉛直方向的移動、及以鉛直軸為中心的迴旋，利用晶圓保持機構在傳遞部14與蝕刻單元16之間施行晶圓W的搬運。
蝕刻單元16，對藉由基板搬運裝置17搬運之晶圓W，施行既定的基板處理。
此外，基板處理系統1，具備控制裝置4。控制裝置4，具備控制部18與記憶部19。
控制部18，例如包含具有CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）、ROM（Read Only Memory，唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory，隨機存取記憶體）、輸出入埠等之微電腦與各種電路。控制部18，將RAM作為作業區域使用，使CPU實行儲存在ROM的程式，藉以控制基板處理系統1的運作。
另，上述程式，記錄於可由電腦讀取之記錄媒體，亦可從該記錄媒體安裝至控制裝置4的記憶部19。作為可由電腦讀取之記錄媒體，例如有硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）、記憶卡等。
記憶部19，例如係藉由RAM、快閃記憶體（Flash Memory）等半導體記憶體元件，或硬碟、光碟等記憶裝置而實現。
＜蝕刻單元的構成＞ 接著，針對蝕刻單元16的構成予以說明。圖2係顯示蝕刻單元16的概略構成之圖。
如圖2所示，蝕刻單元16，具備腔室20、基板保持機構30、供給部40、及回收杯50。
腔室20，收納：基板保持機構30、供給部40、及回收杯50。例如，腔室20接地。於腔室20的頂棚部，設置風扇過濾單元（Fan Filter Unit：FFU）21。FFU21，於腔室20內形成降流。腔室20為殼體的一例，FFU21為空氣供給部的一例。
基板保持機構30，具備保持部31、支柱部32、及驅動部33。保持部31，將晶圓W水平地保持。晶圓W，以形成有作為蝕刻對象之膜的面朝向上方之狀態，保持在保持部31。
在本實施形態，使保持部31具備複數個握持部31a，藉由利用複數個握持部31a握持晶圓W之邊緣部，而保持晶圓W，但並未限定於此一形態，保持部31，亦可為將晶圓W吸附保持的真空吸盤等。
支柱部32，係沿著鉛直方向延伸之構件，其基端部藉由驅動部33以可旋轉的方式支持，於其前端部中將保持部31水平地支持。驅動部33，使支柱部32繞鉛直軸而旋轉。此基板保持機構30，藉由利用驅動部33使支柱部32旋轉而使支持於支柱部32之保持部31旋轉，藉此，使保持於保持部31之晶圓W旋轉。
供給部40，配置在保持於保持部31之晶圓W的上方。將供給路41之一端連接至供給部40，將供給路41之另一端與處理液之供給源42連接。於供給路41之中途部，插設可進行供給路41之開閉運作及處理液之供給流量的調節之流量調整閥43。因此，若開啟流量調整閥43，則從供給部40對保持於保持部31之晶圓W供給處理液。藉此，對晶圓W供給處理液。處理液，例如為純水（DIW）、NH4 OH（氨水）及H2 O2 （過氧化氫）之水溶液（SC1液）、稀氫氟酸（DHF）、異丙醇（IPA）等。於圖2，圖示一組供給部40、供給路41、供給源42及流量調整閥43，但供給部40、供給路41、供給源42及流量調整閥43的套組，於每種處理液設置。
回收杯50，以包圍保持部31之方式配置，集取因保持部31的旋轉而從晶圓W飛散之處理液。於回收杯50的底部，形成排液口51，將藉由回收杯50集取到之處理液，從排液口51往蝕刻單元16的外部排出。此外，於回收杯50的底部，形成將由FFU21供給之氣體往蝕刻單元16的外部排出之排氣口52。
在腔室20的內部中，於FFU21之下方設置整流板60。於腔室20的側壁22，安裝支持整流板60之支持構件70，藉由支持構件70支持整流板60。整流板60為整流構件的一例。
＜整流板的構成＞ 接著，針對整流板60的構成予以說明。圖3係顯示整流板60之一例的概略構成之圖。圖3（a）為俯視圖，圖3（b）為剖面圖。
如圖3所示，整流板60的第1例之整流板160，具備板狀的基材61、電荷擴散層64、及電荷擴散層65。例如，基材61係由絕緣性之材料構成。於基材61之材料，例如使用聚氯乙烯（PVC）、聚丙烯（PP）、聚四氟乙烯（PTFE）、聚氯三氟乙烯（PCTFE）等樹脂。電荷擴散層64覆蓋基材61的頂面62，電荷擴散層65覆蓋基材61的底面63。電荷擴散層64及65，由導電性或靜電擴散性之材料構成。若電荷附著於整流板60的表面，則該電荷沿著電荷擴散層64或65擴散。電荷擴散層64及65，宜對處理液具有耐腐蝕性。作為導電性之材料，例如可列舉金、鉑等貴金屬。作為靜電擴散性之材料，可列舉：氧化錫、摻銻氧化錫（ATO）、摻錫氧化銦等。於整流板160，形成複數個貫通孔69。貫通孔69，貫通電荷擴散層64、基材61、及電荷擴散層65。電荷擴散層64及65的厚度，例如為0.1μm以上0.3μm以下程度。電荷擴散層64及65的薄片電阻，例如為105 Ω/sq～1011 Ω/sq程度。貫通孔69的直徑，例如為3mm～5mm程度。
＜基板處理系統的具體運作＞ 接著，針對基板處理系統1的具體運作予以說明。圖4係顯示基板處理系統1所實行的基板處理之程序的流程圖。基板處理系統1所具備之各裝置，遵循控制部18的控制而實行圖4所示之各處理程序。
如圖4所示，基板處理系統1，首先，施行晶圓W之往蝕刻單元16的搬入處理（步驟S101）。具體而言，搬出入站2之基板搬運裝置13，從載置於載具載置部11的載具C將晶圓W取出，將取出之晶圓W載置於傳遞部14。將載置於傳遞部14之晶圓W，藉由處理站3之基板搬運裝置17從傳遞部14取出，往蝕刻單元16搬入。將搬入至蝕刻單元16之晶圓W，藉由蝕刻單元16的保持部31保持。
接著，基板處理系統1，施行蝕刻處理（步驟S102）。在蝕刻處理，藉由驅動部33使保持晶圓W之保持部31旋轉，並從供給部40對保持在保持部31的晶圓W供給蝕刻用之處理液。此外，藉由驅動部33使保持晶圓W之保持部31旋轉，並從供給部40對保持在保持部31的晶圓W供給清洗用之處理液。
接著，基板處理系統1，施行乾燥處理（步驟S103）。在乾燥處理，使晶圓W的旋轉持續，並停止清洗用之處理液的供給。藉此，將殘留在晶圓W上之處理液去除，使晶圓W乾燥。
接著，基板處理系統1，施行搬出處理（步驟S104）。在搬出處理，將乾燥處理後之晶圓W藉由基板搬運裝置17從蝕刻單元16搬出，載置於傳遞部14。而後，藉由基板搬運裝置13，使載置於傳遞部14的處理完畢之晶圓W返回載具載置部11的載具C。藉此，結束對於一片晶圓W之一連串的基板處理。
在此等一連串的基板處理之期間，FFU21於腔室20內形成空氣的降流。整流板60，對於由FFU21形成之空氣的降流使壓降產生，作為正壓狀態之緩衝器而作用。因此，藉由整流板60，調整降流的流速。
＜整流板的作用＞ 一般而言，施行基板處理系統的維修之情況，有將整流板從腔室取下的情形。此時，操作者接觸整流板。此外，亦有擦拭取下之整流板的情形。如此地，整流板因摩擦而帶靜電。整流板帶電強大之情況，有塵埃等異物附著於整流板的情形。附著於整流板的異物，有從整流板脫離、掉落而污染腔室內的疑慮。因此，於整流板的安裝後至可進行穩定之運作為止，耗費時間。亦即，在腔室內的潔淨度到達可進行穩定之運作的預先決定之既定潔淨度為止，耗費時間。
在本實施形態，於整流板60，設置由導電性或靜電擴散性之材料構成的電荷擴散層64及65，故相較於未設置電荷擴散層64及65之整流板，即便帶電仍可緩和伴隨電荷集中的電場。圖5及圖6，係整流板之電荷的分布之示意圖。圖5（a），顯示未設置電荷擴散層64及65且未接地的整流板60X中之電荷的分布之變化；圖5（b），顯示未設置電荷擴散層64及65且接地的整流板60X中之電荷的分布之變化。圖6（a），顯示未接地且處於電性浮動之狀態的整流板60中之電荷的分布之變化；圖6（b），顯示接地的整流板60中之電荷的分布之變化。此處，整流板60X係由絕緣性之基材61形成。
如圖5（a）所示，於整流板60X，電荷80聚集而附著於任意區域的情況，即便時間經過電荷80仍停留在附著之區域。因此，產生局部性高電位之區域，塵埃等異物容易附著於該區域。
即便使整流板60X接地，仍因整流板60X係由絕緣性之基材61形成，故如圖5（b）所示，電荷80無法移動，即便時間經過電荷80仍停留在附著之區域。因此，產生局部性高電位之區域，塵埃等異物容易附著於該區域。
另一方面，如圖6（a）所示，於整流板60，電荷80聚集而附著於任意區域的情況，電荷80沿著電荷擴散層64及65快速地擴散。因此，電荷擴散層64及65處於電性浮動之狀態，即便電荷80殘留在整流板60，仍抑制局部性高電位之區域的產生，可抑制塵埃等異物的附著。
此外，使整流板60接地之情況，如圖6（b）所示，將電荷80拉出至接地電位，從整流板60去除。因此，可進一步抑制局部性高電位之區域的產生，可進一步抑制塵埃等異物之往整流板60的附著。
如此地，在本實施形態，使用整流板60，故可抑制局部性高電位之區域的產生，可抑制異物之往整流板60的附著。而藉由異物的附著之抑制，可將整流板60的安裝後至可進行穩定之運作為止的時間縮短。
整流板之帶電原因不限於維修時的摩擦，亦有在基板處理之期間，由於在腔室內飛散的霧狀之處理液的附著而使整流板帶電之情形。在基板處理之期間，若整流板的電位局部性地變高，則在腔室內產生未預期的放電，有造成形成於晶圓W的膜發生靜電擊穿、對膜之電氣特性造成影響等疑慮。在本實施形態，可抑制局部性高電位之區域的產生，故亦可抑制此等放電。亦即，可進一步改善運作的穩定性。
進一步，異物變得不易附著於整流板60，故可使維修之作業簡化。
此外，基材61之材料，由聚氯乙烯（PVC）等可見光可透射之材料構成的情況，亦可在較整流板60更為上方設置光學式感測器68（參考圖2），藉由光學式感測器68施行晶圓W的有無等之偵測。
另，貫通孔69，不必以一定密度形成，亦可使整流板60包含局部性貫通孔69之密度高的區域、及局部性貫通孔69之密度低的區域。此外，貫通孔69之直徑，亦可不為一定。可藉由貫通孔69之密度及直徑的調整，而調整空氣之供給量的分布及流速。
＜整流板的製造方法＞ 接著，針對圖3所示的第1例之整流板160的製造方法予以說明。圖7係顯示第1例之整流板160的製造方法之剖面圖。
首先，如圖7（a）所示，準備基材61，於基材61的頂面62上形成電荷擴散層64，於基材61的底面63上形成電荷擴散層65。電荷擴散層64及65的形成，例如係施行含有構成電荷擴散層64及65之材料的粒子之糊膏的塗布，施行該糊膏的鍛燒。接著，如圖7（b）所示，於基材61、電荷擴散層64及65的複合體，形成複數個貫通孔69。貫通孔69，例如可藉由機械加工而形成。於貫通孔69的形成後，宜將貫通孔69的形成時所產生之毛邊去除。
如此地，可製造圖3所示之整流板160。
＜整流板之另一例的構成＞ 接著，針對整流板60之另一例的構成予以說明。圖8係顯示整流板60之另一例的概略構成之圖。圖8（a）係顯示整流板60的第2例之剖面圖，圖8（b）係顯示整流板60的第3例之剖面圖。
整流板60的第2例之整流板260，如圖8（a）所示，具備基材61、電荷擴散層64、電荷擴散層65、及電荷擴散層262。電荷擴散層262，與電荷擴散層64及65連結，覆蓋基材61的側面66。電荷擴散層262，與電荷擴散層64及65同樣地，由導電性或靜電擴散性之材料構成。電荷擴散層262的厚度，例如為0.1μm～0.3μm程度；電荷擴散層262的薄片電阻，例如為105 Ω/sq～1011 Ω/sq程度。
在整流板160，使電荷擴散層64與電荷擴散層65彼此絕緣分離，與其相對，在整流板260，使電荷擴散層64與電荷擴散層65，經由電荷擴散層262而彼此電性連接。因此，若使電荷擴散層64或65的一方接地，則另一方亦成為接地。
整流板60的第3例之整流板360，如圖8（b）所示，具備基材61、電荷擴散層64、電荷擴散層65、電荷擴散層262、及電荷擴散層362。電荷擴散層362，與電荷擴散層64及65連結，覆蓋貫通孔69的內壁面67。電荷擴散層362，與電荷擴散層64及65同樣地，由導電性或靜電擴散性之材料構成。電荷擴散層362的厚度，例如為0.1μm～0.3μm程度；電荷擴散層362的薄片電阻，例如為105 Ω/sq～1011 Ω/sq程度。
在整流板360，使電荷擴散層64與電荷擴散層65，經由電荷擴散層262及362而彼此電性連接。因此，可將電荷擴散層64與電荷擴散層65之間的電阻較整流板260更為降低。
＜整流板之另一例的製造方法＞ 接著，針對圖8（a）所示的第2例之整流板260的製造方法、及圖8（b）所示的第3例之整流板360的製造方法予以說明。圖9係顯示第2例之整流板260的製造方法之剖面圖。圖10係顯示第3例之整流板360的製造方法之剖面圖。
在第2例之整流板260的製造方法，首先，如圖9（a）所示，準備基材61，於基材61的頂面62上形成電荷擴散層64，於基材61的底面63上形成電荷擴散層65，於基材61的側面66上形成電荷擴散層262。電荷擴散層64、65及262的形成，例如，係施行含有構成電荷擴散層64、65及262之材料的粒子之糊膏的塗布，施行該糊膏的鍛燒。接著，如圖9（b）所示，於基材61與電荷擴散層64、65及262的複合體，形成複數個貫通孔69。貫通孔69，例如可藉由機械加工形成。於貫通孔69的形成後，宜將貫通孔69的形成時所產生之毛邊去除。
如此地，可製造圖8（a）所示之整流板260。
在第3例之整流板360的製造方法，首先，如圖10（a）所示，準備基材61，於基材61形成複數個貫通孔69。貫通孔69，例如可藉由機械加工形成。於貫通孔69的形成後，宜將貫通孔69的形成時所產生之毛邊去除。接著，如圖10（b）所示，於基材61的頂面62上形成電荷擴散層64，於基材61的底面63上形成電荷擴散層65，於基材61的側面66上形成電荷擴散層262，於貫通孔69的內壁面67上形成電荷擴散層362。在電荷擴散層64、65、262及362的形成，係施行含有構成電荷擴散層64、65、262及362之材料的粒子之糊膏的塗布，施行該糊膏的鍛燒。
如此地，可製造圖8（b）所示之整流板360。
另，使電荷擴散層64及65之電荷擴散的功能（電荷擴散能力），在與頂面62、底面63平行之面內不必非得呈均一。圖11係顯示整流板60之變形例的概略構成之俯視圖。
例如，如圖11所示，亦可使電荷擴散層64及65之俯視時與晶圓W重疊的中央區域461之第1電荷擴散能力，較其周邊的周邊區域462之第2電荷擴散能力更高。亦即，於中央區域461中，亦可使電荷較周邊區域462更容易擴散。此變形例中，靜電尤其不易滯留於中央區域461，可進一步抑制異物之往晶圓W的掉落、在晶圓W附近的放電。中央區域461為第1區域的一例，周邊區域462為第2區域的一例。
在製造此變形例之整流板60時，例如可使成為中央區域461的部分中之構成電荷擴散層64及65的材料之粒子的含有量，較成為周邊區域462的部分中之構成電荷擴散層64及65的材料之粒子的含有量更多。
＜整流板的接地＞ 如同上述，使整流板60之電荷擴散層64及65接地的情況，容易去除靜電而抑制局部性高電位之區域的產生。此處，針對將電荷擴散層64及65接地連接的構造予以說明。圖12係顯示支持構件70之一例的概略構成之圖。
在此例中，於安裝時，使整流板60朝向Y軸正方向移動；於取下時，使整流板60朝向Y軸負方向移動。亦即，將整流板60沿著Y軸方向插入移除。支持構件70，具備沿著Y軸方向延伸之軌道構件170。軌道構件170，安裝於腔室20之具有與X軸方向垂直的面之2片側壁22的內側。支持構件70具備短路構件270，短路構件270於腔室20之具有與Y軸方向垂直的面之2片側壁22中安裝在位於Y軸正方向側的側壁22。圖13係顯示軌道構件170的概略構成之剖面圖。圖14係顯示短路構件270的概略構成之剖面圖。另，在圖13及圖14，將貫通孔69省略。
如圖13所示，軌道構件170之與Y軸方向垂直的剖面，成為具備2個平板部的L字形。一方之平板部接觸側壁22，另一方之平板部接觸整流板60。軌道構件170，具備基材171、及形成於基材171的表面之電荷擴散層172。例如，基材171之材料與基材61之材料相同，電荷擴散層172之材料與電荷擴散層64及65之材料相同。軌道構件170，利用金屬螺絲173固定於側壁22。電荷擴散層172，形成為至少將與電荷擴散層65接觸的部分，和安裝金屬螺絲173的部分連結。藉由將金屬螺絲173，例如與接地線等連接接地，而可經由電荷擴散層172使電荷擴散層65接地。此外，亦可使供給路41所包含之配管174接地，將配管174以2個導電性樹脂175夾入，藉由金屬螺絲176將導電性樹脂175固定於軌道構件170。此一情況，若電荷擴散層172形成為與導電性樹脂175或金屬螺絲176接觸，則可使電荷擴散層65接地。
使電荷擴散層64與電荷擴散層65彼此絕緣分離的情況，例如，亦可使用與電荷擴散層64接觸之中繼構件180。中繼構件180，具備基材181、及形成於基材181的表面之電荷擴散層182。例如，基材181之材料與基材61之材料相同，電荷擴散層182之材料與電荷擴散層64及65之材料相同。中繼構件180，利用金屬螺絲183固定於側壁22。電荷擴散層182，形成為至少將與電荷擴散層64接觸的部分，和安裝金屬螺絲183的部分連結。藉由將金屬螺絲183，例如與接地線等連接接地，而可經由電荷擴散層182使電荷擴散層64接地。在電荷擴散層64與電荷擴散層65彼此電性連接的情況，亦可不使用中繼構件180。
如圖14所示，短路構件270之與X軸方向垂直的剖面，成為具備3個平板部的U字形。2個彼此平行之平板部與整流板60接觸，另一個平板部與側壁22接觸。短路構件270，具備基材271、及形成於基材271的表面之電荷擴散層272。例如，基材271之材料與基材61之材料相同，電荷擴散層272之材料與電荷擴散層64及65之材料相同。電荷擴散層272，形成為至少將與電荷擴散層64接觸的部分，和與電荷擴散層65接觸的部分連結。若藉由軌道構件170使電荷擴散層65接地，則經由短路構件270使電荷擴散層64亦接地。另，短路構件270，可利用金屬螺絲273固定於側壁22，亦可將金屬螺絲273，例如藉由與接地線等連接接地，而使電荷擴散層64及65接地。
圖15係顯示支持構件70之另一例的概略構成之圖。於此例中，亦於安裝時使整流板60朝向Y軸正方向移動，於取下時使整流板60朝向Y軸負方向移動。亦即，將整流板60沿著Y軸方向插入移除。將沿著Z軸方向延伸之框架376設置於腔室20；支持構件70，具備利用金屬螺絲373固定於框架376的塊件370。於整流板60的底面，固定連結構件374。連結構件374，例如藉由熔接或焊接固定於整流板60。連結構件374與塊件370，在將整流板60安裝於腔室20內時以面接觸。連結構件374，利用金屬螺絲375而以可裝卸的方式固定於塊件370。如同後述，金屬螺絲375，貫通側壁22及塊件370而到達連結構件374。圖16係顯示塊件370的概略構成之剖面圖。另，在圖15及圖16，將貫通孔69省略。
如圖16所示，塊件370，具備基材371、及形成於基材371的表面之電荷擴散層372。例如，基材371之材料與基材61之材料相同，電荷擴散層372之材料與電荷擴散層64及65之材料相同。金屬螺絲375，貫通側壁22及塊件370而到達連結構件374。電荷擴散層372，形成為至少將與電荷擴散層65接觸的部分，和安裝金屬螺絲375的部分連結。藉由將金屬螺絲375，例如與接地線等連接接地，而可經由電荷擴散層372使電荷擴散層65接地。電荷擴散層372，亦可形成為至少將與電荷擴散層65接觸的部分，和基材61的側面連結。藉由使電荷擴散層372之形成於基材61的側面之部分接地，而可使電荷擴散層65接地。
另，設置於腔室20內之整流板60的數量並無限定，例如亦可將2片整流板60於Z軸方向並排而配置於腔室20內。此一情況，可於2片整流板60設置電荷擴散層，亦可僅於配置在下方之整流板60設置電荷擴散層。
此外，整流板60，不僅應用於蝕刻單元，亦可應用於例如在晶圓W上形成膜之成膜單元等基板處理單元。整流板60，不僅應用於單片式之基板處理單元，亦可應用於處理複數片晶圓W的批次式之基板處理單元。整流板60，不僅應用於基板處理單元，亦可應用於搬運部15等之設置FFU的部分。
以上，雖對較佳實施形態等詳細地說明，但上述實施形態等並無限制，可不脫離發明申請專利範圍所記載之範疇地，對上述實施形態等施加各種變形及置換。
1:基板處理系統 2:搬出入站 3:處理站 4:控制裝置 11:載具載置部 12:搬運部載具載置部 13:基板搬運裝置 14:傳遞部 15:搬運部 16:蝕刻單元 17:基板搬運裝置 18:控制部 19:記憶部 20:腔室 21:FFU(Fan Filter Unit，風扇過濾單元) 22:側壁 30:基板保持機構 31:保持部 31a:握持部 32:支柱部 33:驅動部 40:供給部 41:供給路 42:供給源 43:流量調整閥 50:回收杯 51:排液口 52:排氣口 60,60X,160,260,360:整流板 61,171,181,271,371:基材 62:頂面 63:底面 64,65,172,182,262,272,362,372:電荷擴散層 66:側面 67:內壁面 68:光學式感測器 69:貫通孔 70:支持構件 80:電荷 170:軌道構件 173,176,183,273,373,375:金屬螺絲 174:配管 175:導電性樹脂 180:中繼構件 270:短路構件 370:塊件 374:連結構件 376:框架 461:中央區域 462:周邊區域 C:載具 W:晶圓
圖1係顯示實施形態之基板處理系統的概略構成之圖。 圖2係顯示蝕刻單元的概略構成之圖。 圖3（a）、（b）係顯示整流板之一例的概略構成之圖。 圖4係顯示基板處理系統所實行的基板處理之程序的流程圖。 圖5（a）、（b）係整流板之電荷的分布之示意圖（其一）。 圖6（a）、（b）係整流板之電荷的分布之示意圖（其二）。 圖7（a）、（b）係顯示第1例之整流板的製造方法之剖面圖。 圖8（a）、（b）係顯示整流板之另一例的概略構成之圖。 圖9（a）、（b）係顯示第2例之整流板的製造方法之剖面圖。 圖10（a）、（b）係顯示第3例之整流板的製造方法之剖面圖。 圖11係顯示整流板之變形例的概略構成之俯視圖。 圖12係顯示支持構件之一例的概略構成之圖。 圖13係顯示軌道構件的概略構成之剖面圖。 圖14係顯示中繼構件的概略構成之剖面圖。 圖15係顯示支持構件之另一例的概略構成之圖。 圖16係顯示區塊的概略構成之剖面圖。
60,160:整流板
61:基材
62:頂面
63:底面
64,65:電荷擴散層
69:貫通孔

Claims (13)

  1. 一種基板處理裝置，包含： 空氣供給部，將空氣供給至基板所在的場所； 整流構件，具有複數個貫通孔，將由該空氣供給部所供給的該空氣整流； 該整流構件，包括： 基材、以及 設置於該基材的表面之電荷擴散層； 使附著於該整流構件的表面之電荷，沿著該電荷擴散層擴散。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，包含導電性或靜電擴散性之材料的層。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層的厚度，為0.1μm以上0.3μm以下。
  4. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，包含： 第1區域，具備第1電荷擴散能力；以及 第2區域，設置成俯視時較該第1區域更遠離該基板，具有較該第1電荷擴散能力更低的第2電荷擴散能力。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，設置於該基材的頂面及底面。
  6. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，亦設置於該基材的側面； 設置於該頂面之該電荷擴散層與設置於該底面之該電荷擴散層，經由設置於該側面之該電荷擴散層而電性連接。
  7. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，亦設置於該複數個貫通孔的內壁面； 設置於該頂面之該電荷擴散層與設置於該底面之該電荷擴散層，經由設置於該內壁面之該電荷擴散層而電性連接。
  8. 如請求項5之基板處理裝置，其中， 設置於該頂面之該電荷擴散層與設置於該底面之該電荷擴散層，係彼此絕緣分離。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層，係處於電性浮動之狀態。
  10. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 該電荷擴散層係接地。
  11. 如請求項10之基板處理裝置，其中， 更包含接地之殼體，其收納該整流構件； 該電荷擴散層，與該殼體電性連接。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中， 更包含支持構件，該支持構件與該殼體及該電荷擴散層電性連接，並在該殼體內支持該整流構件。
  13. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中， 更包含光學式感測器，該光學式感測器設置於該空氣供給部與該整流構件之間，用以檢測該基板的狀態。
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