JP2023099487A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置が提供され、基板を支持する基板サポータと、基板に処理溶液を供給する処理溶液供給装置と、処理溶液を回収するように構成された第1回収容器及び第2回収容器と、第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管と、第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管と、第1配管と接する第1除電装置と、第2配管と接する第2除電装置と、第1除電装置及び第2除電装置に連結される複数の第1導電性ラインと、を含むものでもある。【選択図】図2

Description

本発明は、基板処理装置に関する。
基板表面に残留するパーティクル(particle)、有機残留物そして金属残留物のような汚染物質は、半導体素子の特性と、生産収率とに多くの影響を及ぼす。そのような基板表面上の汚染物質を除去する工程を洗浄工程と言う。該洗浄工程は、半導体製造工程において核心的な要素であり、半導体素子製造のための各単位工程の前後段階で遂行される。
該洗浄工程は、多様な処理溶液を半導体基板上に適用する工程を含み、該洗浄工程に使用された処理溶液は、洗浄装備の回収容器に連結された配管によって回収される。
本発明が解決しようとする課題は、信頼性が向上された基板処理装置を提供することである。
前記技術的課題を達成するための例示的な実施形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置は、基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータ;前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置;前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器;前記第1回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第2回収容器;前記第1回収容器及び前記第2回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器;前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管;前記第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管;前記第1配管と接する第1除電装置;前記第2配管と接する第2除電装置;前記第1除電装置及び前記第2除電装置に連結される複数の第1導電性ライン;を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、基板処理装置が提供される。該基板処理装置は、基板を支持する基板サポータ;前記基板に処理溶液を供給するように構成されたノズルを含む処理溶液供給装置;前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器;前記第1回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第2回収容器;前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管;前記第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管;及び前記第1配管によって生成された静電気(electrostatic charge)を除去するように構成された第1除電装置を含むものの、前記第1除電装置は、導電性物質を含み、前記第1配管の折り曲がった部分を取り囲み、前記第1配管の折り曲がった部分と接することができる。
基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータ;前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置;前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器;前記第1回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第2回収容器;前記第2回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第3回収容器;前記第1回収容器ないし前記第3回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器;前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管;前記第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管;前記第3回収容器に連結され、導電性物質を含む第3配管;前記第1配管の折り曲がった部分と接する第1除電装置;前記第2配管の折り曲がった部分と接する第2除電装置;前記第1除電装置、前記第2除電装置及び前記第3配管に静電気を放電させるための経路を提供する複数の第1導電性ライン;前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に動作のための基準電位を提供するように構成された複数の第2導電性ライン;前記複数の第1導電性ラインと連結された第1接地バー;前記複数の第2導電性ラインと連結され、前記第1接地バーから離隔された第2接地バー;前記第1接地バーと連結された第3導電性ライン;前記第2接地バーと連結された第4導電性ライン;前記第3導電性ライン及び前記第4導電性ラインと連結された第3接地バー;及び前記第3接地バーとアースグラウンドとを連結する第5導電性ライン;を含むものでもある。
本発明の技術的思想によれば、基板処理装置の処理溶液を回収するための配管によって生じる静電気(electrostatic charge)を効果的に除去することができる。それにより、前記静電気による通信障害及びノイズを緩和させることができるが、信頼性が向上された基板処理装置を提供することができる。
本発明の例示的な実施形態から得られる効果は、以上で言及された効果に制限されるものではなく、言及されていない他の効果は、以下の説明から、本開示の例示的な実施形態が属する技術分野において当業者に明確に導き出されて理解されうるであろう。すなわち、本開示の例示的な実施形態を実施に導く意図されていない効果も、本開示の例示的な実施形態から、当該技術分野の当業者によって導き出されうるものである。
例示的な実施形態による基板処理システムについて説明するための平面図である。 図1の第1基板処理装置について説明するための断面図である。 第1除電装置及び第1配管を示す斜視図である。 例示的な実施形態による第1基板処理装置の除電作用について説明するためのブロック図である。 他の例示的な実施形態による第1基板処理装置について説明するための断面図である。
以下、添付図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。図面上の同一構成要素については、同一参照符号を使用し、それらに係わる重複説明は、省略する。
図1は、例示的な実施形態による基板処理システム100について説明するための平面図である。
図1を参照すれば、基板処理システム100は、インデックスモジュール1000及び工程モジュール2000を含むものでもある。
インデックスモジュール1000は、外部から、基板S(図2)を伝達され、工程モジュール2000に基板S(図2)を伝達し、工程モジュール2000は、洗浄工程、及び超臨界流体を利用した乾燥工程を遂行することができる。
インデックスモジュール1000は、設備前端モジュール(EFEM:equipment front end module)であり、ロードポート1100及び移送フレーム1200を含むものでもある。
ロードポート1100は、基板S(図2)が保存される容器Cを収容するようにも構成される。非制限的例示として、容器Cは、前面開放一体型ポッド(FOUP:front opening unified pod)でもある。容器Cは、オーバーヘッドトランスファ(OHT:overhead transfer)システムにより、外部からロードポート1100に取り込んだり、ロードポート1100から外部に取り出したりすることができる。
移送フレーム1200は、ロードポート1100に置かれた容器Cと、工程モジュール2000との間に基板S(図2)を伝達することができる。移送フレーム1200は、インデックスロボット1210及びインデックスレール1220を含むものでもある。インデックスロボット1210は、インデックスレール1220上で移動するようにも構成される。それにより、インデックスロボット1210は、基板S(図2)が引き出されたり収納されたりする容器Cと、工程モジュール2000とのうちいずれか一つに隣接した位置に移動することができる。
工程モジュール2000は、半導体素子を製造するために、基板を処理するモジュールであり、バッファチャンバ2100、移送チャンバ2200、複数の第1基板処理装置3000、及び複数の第2基板処理装置4000を含むものでもある。
バッファチャンバ2100は、インデックスモジュール1000から工程モジュール2000に、または工程モジュール2000からインデックスモジュール1000に伝達される基板S(図2)を臨時に保存することができる。バッファチャンバ2100は、基板S(図2)が置かれるバッファスロットを含むものでもある。
移送チャンバ2200は、移送レール2220に隣接するように配されたバッファチャンバ2100、第1基板処理装置3000及び第2基板処理装置4000に、基板S(図2)を伝達することができる。移送チャンバ2200は、移送ロボット2210及び移送レール2220を含むものでもある。移送ロボット2210は、第1基板処理装置3000及び第2基板処理装置4000に基板S(図2)を伝達するように、移送レール2220上において、第1基板処理装置3000及び第2基板処理装置4000に隣接した位置に移動することができる。
複数の第1基板処理装置3000、及び複数の第2基板処理装置4000は、洗浄工程を遂行することができる。該洗浄工程は、複数の第1基板処理装置3000のうち一つ、及び複数の第2基板処理装置4000のうち一つによって順次に遂行されうる。複数の第1基板処理装置3000それぞれは、基板S(図2)に、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程を含む洗浄工程を遂行するように構成され、第2基板処理装置4000それぞれは、洗浄工程が遂行された前記基板S(図2)に、超臨界流体を利用した乾燥工程を遂行するようにも構成される。
複数の第1基板処理装置3000、及び複数の第2基板処理装置4000は、移送チャンバ2200の側面に沿っても配される。例えば、複数の第1基板処理装置3000、及び複数の第2基板処理装置4000は、移送チャンバ2200挟み、互いに離隔されうる。
第1基板処理装置3000と第2基板処理装置4000とのそれぞれの個数及び配置は、前述の例に限定されるものではなく、基板処理システム100のフットプリントや工程効率のような多様な要素を考慮し、適切に変更されうる。
図2は、図1の第1基板処理装置3000について説明するための断面図である。
図3は、第1除電装置3441及び第1配管3410を示す斜視図である。
図2及び図3を参照すれば、第1基板処理装置3000は、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程を遂行することができる。第1基板処理装置3000は、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程のうち一部のみを選択的に遂行することもできる。
ここで、該ケミカル工程は、基板Sに洗浄剤を提供し、基板S上の異物を除去する工程であり、該リンス工程は、基板Sにリンス剤を提供し、基板S上に残留する洗浄剤を除去する工程であり、該有機溶剤工程は、基板Sに有機溶剤を提供し、基板Sの回路パターン間に残留するリンス剤を、前記リンス剤の表面張力より低い表面張力を有する有機溶剤で置換する工程である。
基板サポータ3100は、基板Sを支持して固定し、基板Sの上面に垂直な方向を軸に基板Sを回転させることができる。基板サポータ3100は、支持プレート3110、支持ピン3111、チャッキングピン3112、回転軸3120及び回転駆動器3130を含むものでもある。
ここで、基板Sは、半導体ウェーハでもある。基板Sは、例えば、シリコン(Si)を含むものでもある。基板Sは、ゲルマニウム(Ge)のような半導体物質、またはSiC(silicon carbide)、GaAs(gallium arsenide)、InAs(indium arsenide)及びInP(indium phosphide)のような化合物半導体を含むものでもある。
支持ピン3111及びチャッキングピン3112は、支持プレート3110の上面上にも配される。支持ピン3111は、基板Sを支持し、チャッキングピン3112は、支持された基板Sを固定することができる。例示的な実施形態によれば、支持ピン3111及びチャッキングピン3112は、基板Sのピックアンドプレース(pick and place)を容易にし、基板背面の汚染を防止するために、基板Sの背面を支持プレート3110の上面から離隔させることができる。
支持プレート3110は、回転軸3120とも連結される。回転軸3120は、支持プレート3110を回転させるように、回転駆動器3130からのトークを、支持プレート3110に伝達することができる。それにより、支持プレート3110に載置された基板Sが回転することができる。このとき、チャッキングピン3112は、基板Sが定位置を離脱することを防止することができる。
処理溶液供給装置3200は、基板Sに処理溶液を噴射するようにも構成される。前記処理溶液は、洗浄剤、リンス剤及び有機溶剤などを含むものでもある。処理溶液供給装置3200は、ノズル3210、ノズルバー3220、ノズル軸3230及びノズル軸駆動器3240を含むものでもある。
非制限的例示として、洗浄剤は、過酸化水素(H)、アンモニア(NHOH)、塩酸(HCl)、硫酸(HSO)及びフッ酸(HF)などを含むものでもある。非制限的例示として、リンス剤は、純水(pure water)を含むものでもある。
非制限的例示として、有機溶剤は、イソプロピルアルコール(IPA)、エチレングリコール(ethylene glycol)、1-プロパノール(propanol)、テトラヒドロフラン(THF)、4-ヒドロキシ4-メチル2-ペンタノン(4-hydroxyl 4-methyl 2-pentanone)、1-ブタノール(butanol)、2-ブタノール、メタノール(methanol)、エタノール(ethanol)、n-プロピルアルコール(n-propyl alcohol)、ジメチルエーテル(dimethylether)を含むものでもある。
ノズル3210は、ノズルバー3220の一端の下面にも位置する。ノズルバー3220は、ノズル軸3230にも結合される。ノズル軸駆動器3240は、ノズル軸3230を昇降または回転させ、ノズル3210の位置を調節することができる。
処理溶液供給装置3200により、基板Sに処理溶液が供給されれば、基板サポータ3100は、基板Sを回転させることができる。該処理溶液は、スピンコーティングを介し、基板Sの全領域に均一に分配されうる。基板Sが回転すれば、基板Sから処理溶液のうち一部が飛散しうる。該処理溶液は、回収装置3300によっても回収される。
回収装置3300は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330、昇降バー3340及び昇降駆動器3350を含むものでもある。
第1回収容器3310は、基板サポータ3100を取り囲むリング形状を有しうる。第2回収容器3320は、第1回収容器3310を取り囲むリング形状を有しうる。第3回収容器3330は、第2回収容器3320を取り囲むリング形状を有しうる。第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330は、互いに固定されうる。
第1回収容器3310の内部空間は、処理溶液が流入される第1回収容器3310の第1流入口3311でもあり、第1回収容器3310と第2回収容器3320との間の空間は、処理溶液が流入される第2回収容器3320の第2流入口3321でもあり、第2回収容器3320と第3回収容器3330との間の空間は、処理溶液が流入される第3回収容器3330の第3流入口3331でもある。
第3流入口3331は、第2流入口3321より上に(すなわち、ノズル3210に近く)配され、第2流入口3321は、第1流入口3311よりも上に配される。それにより、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330は、処理溶液のうち互いに異なる処理溶液を回収することができる。
昇降バー3340は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330にも連結される。昇降バー3340は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330を上下に移動させるように、昇降駆動器3350からの駆動力を、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330に伝達することができる。
基板Sが基板サポータ3100上に置かれるか(placed)、あるいは基板サポータ3100から持ち上げられる(picked)とき、基板サポータ3100が第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330に対して上部に突出されるように、昇降バー3340及び昇降駆動器3350は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330を下降させることができる。
また、基板Sが処理される間、基板Sから飛散された処理溶液が、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330に流入されうるように、昇降バー3340及び昇降駆動器3350は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330の位置を調節することができる。
第1配管3410は、第1回収容器3310の下面にも連結され、第2配管3420は、第2回収容器3320の下面にも連結され、第3配管3430は、第3回収容器3330の下面にも連結される。例示的な実施形態によれば、第1配管3410、第2配管3420及び第3配管3430は、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330で収集された処理溶液を、薬剤再生システムに伝達することができる。
例示的な実施形態によれば、第1回収容器3310、第2回収容器3320及び第3回収容器3330は、処理溶液のうち互いに異なる物質を回収することができ、それにより、第1配管3410、第2配管3420及び第3配管3430は、処理溶液のうち互いに異なる物質を伝達することができる。例えば、第1配管3410は、洗浄剤を伝達し、第2配管3420は、リンス剤を伝達し、第3配管3430は、有機溶剤を伝達することができる。他の例として、第1配管3410及び第2配管3420は、互いに異なる洗浄剤を伝達し、第3配管3430は、洗浄剤、リンス剤及び有機溶剤の組み合わせを伝達することもできる。
例示的な実施形態によれば、第1配管3410及び第2配管3420は、第3配管3430と異なる物質を含むものでもある。例えば、第1配管3410及び第2配管3420は、絶縁性物質を含むものでもあり、第3配管3430は、導電性物質を含むものでもある。
非制限的例示として、第1配管3410及び第2配管3420は、ポリ塩化ビニル(PVC)のような耐腐食性物質を含むものでもある。第3配管3430は、炭素ファイバパイプなどを含むものでもある。第3配管3430は、イソプロピルアルコール(IPA)のような腐食性が強い物質を伝達することができる。
例示的な実施形態によれば、第3配管3430が炭素ファイバパイプであるので、イソプロピルアルコール(IPA)のような物質を安全に伝達することができる。また、第1配管3410及び第2配管3420がポリ塩化ビニル(PVC)パイプであるので、低コストでもって、第1配管3410及び第2配管3420を提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441は、第1配管3410と接することができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3442は、第2配管3420と接することができる。例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441は、第1配管3410の部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3442は、第2配管3420の部分を取り囲むことができる。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441及び第2除電装置3442は、第1配管3410及び第2配管3420に蓄積された電荷を放電させることができる物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441及び第2除電装置3442は、導電性物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441及び第2除電装置3442は、カーボン、シリコン及び金属などを含むものでもある。非制限的例示として、第1除電装置3441及び第2除電装置3442それぞれは、導電性スレッド(thread)、導電性フィルム及び導電性鋳物(すなわち、テンプレート工程によって製造された要素)を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441は、第1配管3410の静電気(electrostatic charge)が蓄積されやすい部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3442は、第2配管3420の静電気が蓄積されやすい部分と接することができる。それにより、第1配管3410及び第2配管3420に誘導された静電気を除去することができる。
一例として、処理溶液と、第1配管3410及び第2配管3420それぞれの折り曲がった部分との摩擦は、該処理溶液と、第1配管3410及び第2配管3420それぞれの真っ直ぐな部分との摩擦よりもさらに大きくなる。例えば、該処理溶液と、第1配管3410及び第2配管3420との摩擦は、第1配管3410及び第2配管3420それぞれの折り曲がった部分において極大化され、それにより、第1配管3410及び第2配管3420それぞれの折り曲がった部分に、摩擦電気のような静電気が容易に誘導されうる。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441は、第1配管3410の折り曲がった部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3442は、第2配管3420の折り曲がった部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441は、第1配管3410の折り曲がった部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3442は、第2配管3420の折り曲がった部分と接することができる。
例示的な実施形態によれば、第1導電性ライン3541は、第3配管3430、並びに第1除電装置3441及び第2除電装置3442にも連結される。前述のように、第3配管3430は、導電性物質を含むが、第1導電性ライン3541は、第3配管3430に直接連結されうる。第1導電性ライン3541にグラウンド電位GNDが印加されうる。第1導電性ライン3541は、第3配管3430、並びに第1除電装置3441及び第2除電装置3442に蓄積された電荷を放出するための経路を提供することができる。非制限的例示として、第1導電性ライン3541は、銅(Cu)を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第1基板処理装置3000は、コントローラをさらに含むものでもある。前記コントローラは、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組み合わせによっても具現される。例えば、前記コントローラは、ワークステーションコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータのようなコンピュータ装置を含むものでもある。前記コントローラは、単純コントローラ;マイクロプロセッサ、CPU、GPUのような複雑なプロセッサ;ソフトウェアによって構成されたプロセッサ;専用ハードウェアまたはファームウェアを含むものでもある。前記コントローラは、例えば、汎用コンピュータまたはDSP(digital signal processor)、FPGA(field programmable gate array)及びASIC(application specific integrated circuit)のようなアプリケーション特定ハードウェアによっても具現される。
前述のコントローラについて説明された動作、または以下で説明される任意の工程を遂行するためにも、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令語が構成されうる。例えば、前記コントローラは、回転駆動器3130の駆動、ノズル軸駆動器3240の駆動、及び昇降駆動器3350の駆動などを制御するための信号を生成するように構成されたソフトウェアによっても具現される。前述のコントローラの動作は、コンピュータ装置、プロセッサ、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン及び命令語などを実行する他の装置からも引き起こされる。
例示的な実施形態によれば、第1基板処理装置3000は、外部サーバと通信するためのイーサキャット(EtherCAT:Ethernet(登録商標) for Control Automation Technology)ネットワークを含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441及び第2除電装置3442により、第1配管3410及び第2配管3420から生成される静電気を効果的に除去することができる。それにより、該静電気から誘発される回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラに係わるノイズ、及びイーサキャットネットワークの通信障害を防止することができる。
図4は、例示的な実施形態による第1基板処理装置3000の除電作用について説明するためのブロック図である。
図2及び図4を参照すれば、第1基板処理装置3000は、第1接地バー(bar)3510、第2接地バー3520、第3接地バー3530、第1導電性ライン3541、第2導電性ライン3542、第3導電性ライン3543、第4導電性ライン3544及び第5導電性ライン3545をさらに含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510は、第1除電装置3441及び第2除電装置3442に蓄積された電荷を放電させるようにも構成される。第1導電性ライン3541それぞれの第1端子は、第3配管3430、並びに第1除電装置3441及び第2除電装置3442のうち一つにも連結される。第1導電性ライン3541それぞれの第2端子は、第1接地バー3510にも連結される。第3配管3430、並びに第1除電装置3441及び第2除電装置3442は、第1導電性ライン3541を介し、第1接地バー3510に電気的に連結されるようにも構成される。
例示的な実施形態によれば、第2接地バー3520は、第1基板処理装置3000の電子部品の動作のためのグラウンド電位GNDを提供することができる。例えば、第2接地バー3520は、回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラ、及び各種センサを含む第1基板処理装置3000の電子部品に、グラウンド電位GNDを提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第2接地バー3520は、第2導電性ライン3542を介し、回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラ、及び各種センサを含む第1基板処理装置3000の電子部品に電気的に連結されるようにも構成される。例示的な実施形態によれば、第2導電性ライン3542それぞれの第1端子は、回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラ、及び各種センサを含む第1基板処理装置3000の電子部品のうち一つにも連結され、第2導電性ライン3542それぞれの第2端子は、第2接地バー3520にも連結される。
例示的な実施形態によれば、第3導電性ライン3543の第1端子は、第1接地バー3510にも連結され、第3導電性ライン3543の第2端子は、第3接地バー3530にも連結される。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510は、第3導電性ライン3543を介し、第3接地バー3530に電気的に連結されるようにも構成される。
第4導電性ライン3544の第1端子は、第2接地バー3520にも連結され、第4導電性ライン3544の第2端子は、第3接地バー3530にも連結される。例示的な実施形態によれば、第2接地バー3520は、第4導電性ライン3544を介し、第3接地バー3530に電気的に連結されるようにも構成される。
例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510及び第2接地バー3520は、互いに離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510及び第2接地バー3520は、互いに電気的に直接連結されないのである。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510は、第3導電性ライン3543、第3接地バー3530及び第4導電性ライン3544を介し、第2接地バー3520に電気的に連結されるようにも構成される。
第5導電性ライン3545は、第3接地バー3530にも連結される。例示的な実施形態によれば、第5導電性ライン3545は、第3接地バー3530にグラウンド電位GNDを印加することができる。例示的な実施形態によれば、第5導電性ライン3545は、第1除電装置3441及び第2除電装置3442により、第1配管3410及び第2配管3420から除去された静電気を放出するための経路を提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第5導電性ライン3545は、アースグラウンドEG(earth ground)にも連結される。例示的な実施形態によれば、アースグラウンドEGは、第1除電装置3441及び第2除電装置3442から伝達された静電気を保存する電荷保存所(charge reservoir)でもある。例示的な実施形態によれば、アースグラウンドEGは、電力系統上のグラウンドであると共に、第2接地バー3520は、回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラ、及び各種センサを含む第1基板処理装置3000の電子部品の動作のための基準電位を提供するシャーシグラウンド(chassis ground)でもある。
例示的な実施形態によれば、第1導電性ライン3541それぞれの断面積は、第2導電性ライン3542それぞれの断面積と実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第1導電性ライン3541それぞれの単位長当たり抵抗値(resistance)は、第2導電性ライン3542それぞれの単位長当たり抵抗値と実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510と第2接地バー3520とのそれぞれの大きさ及び抵抗は、互いに実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510と第2接地バー3520は、同一物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510と第2接地バー3520は、金属物質のような導電性物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510の抵抗値と、第2接地バー3520の抵抗値は、互いに実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第3導電性ライン3543の断面積は、第4導電性ライン3544の断面積と実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第3導電性ライン3543の単位長当たり抵抗値は、第4導電性ライン3544の単位長当たり抵抗値と実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第3導電性ライン3543及び第4導電性ライン3544それぞれの断面積は、第12導電性ライン3541及び第2導電性ライン3542それぞれの断面積よりもさらに大きくなる。例示的な実施形態によれば、第3導電性ライン3543及び第4導電性ライン3544それぞれの単位長当たり抵抗値は、第12導電性ライン3541及び第2導電性ライン3542それぞれの単位長当たり抵抗値よりもさらに小さい。
例示的な実施形態によれば、第3接地バー3530の大きさは、第1接地バー3510及び第2接地バー3520それぞれの大きさよりもさらに大きくなる。例示的な実施形態によれば、第3接地バー3530の抵抗値は、第1接地バー3510及び第2接地バー3520の抵抗値よりもさらに小さい。
例示的な実施形態によれば、第5導電性ライン3545の断面積は、第3導電性ライン3543及び第4導電性ライン3544それぞれの断面積よりもさらに大きく。例示的な実施形態によれば、第5導電性ライン3545の単位長当たり抵抗値は、第3導電性ライン3543及び第4導電性ライン3544それぞれの単位長当たり抵抗値よりもさらに小さい
例示的な実施形態によれば、第1接地バー3510が、第2接地バー3520と直接連結されないので、第1接地バー3510を介して放出される静電気が、第2接地バー3520を介し、回転駆動器3130、ノズル軸駆動器3240、昇降駆動器3350、コントローラ、及び各種センサを含む第1基板処理装置3000の電子部品に伝達することを防止することができる。
また、第5導電性ライン3545の単位長当たり抵抗値は、第3導電性ライン3543及び第4導電性ライン3544それぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいので、第3導電性ライン3543を介し、第3接地バー3530に逹した静電気のほとんどは、第4導電性ライン3544を介し、第2接地バー3520に流れる代わりに、第5導電性ライン3545を介し、アースグラウンドEGに流れうる。それにより、第1接地バー3510を介して放出される静電気のほとんどが、第1導電性ライン3541、第3導電性ライン3543及び第5導電性ライン3545を介し、アースグラウンドEGに放出されうる。
例示的な実施形態によれば、第1配管3410、第2配管3420及び第3配管3430から生成される静電気の蓄積によるアーク(arc)を防止することができるが、第1基板処理装置3000の信頼性が向上されうる。
図5は、他の例示的な実施形態による第1基板処理装置3001について説明するための概略的な断面図である。
図5を参照すれば、第1基板処理装置3001は、基板サポータ3100、処理溶液供給装置3200、第1回収容器3130、第2回収容器3120及び第3回収容器3330、第1配管3410、第2配管3420及び第3配管3430、並びに第1除電装置3441’、第2除電装置3443、第3除電装置3444及び第4除電装置3445を含むものでもある。
基板サポータ3100、処理溶液供給装置3200、第1回収容器3130、第2回収容器3120及び第3回収容器3330、並びに第1配管3410、第2配管3420及び第3配管3430は、図2ないし図4を参照して説明されたところと実質的に同一であるので、それらに係わる重複説明は、省略する。
例示的な実施形態によれば、第1除電装置3441’は、第1配管3410の折り曲がった部分を取り囲む第1部分、及び第1配管3410の真っ直ぐな部分を取り囲む第2部分と、をさらに含むものでもある。第1除電装置3441’の第2部分は、第1配管3410の折れ曲がった部分から、第1配管3410に沿っても延長される。第1除電装置3441’の第2部分は、第1配管3410の真っ直ぐな部分と接することができる。
例示的な実施形態によれば、第2除電装置3443は、第2配管3420の折り曲がった部分の一部をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第2除電装置3443は、第2配管3420の折り曲がった部分の外側面3422をカバーし、内側面3421を露出させることができる。ここで、第2配管3420の折り曲がった部分の内側面3421は、第2配管3420の折り曲がった方向にあり、外側面3422は、内側面3421の反対でもある。
例示的な実施形態によれば、第2除電装置3443は、第2配管3420の折り曲がった部分の外側面3422と接し、第2配管3420の折り曲がった部分の内側面3421から離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第2配管3420の折り曲がった部分のうち外側面3422のみをカバーする第2除電装置3443を提供することにより、第2除電装置3443の製造コストを節減することができる。
例示的な実施形態によれば、第3除電装置3444は、第1配管3410の一部をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第3除電装置3444は、第1配管3410の折り曲がった部分から離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第3除電装置3444は、第1配管3410の真っ直ぐな部分のうち摩擦電気のような静電気が生じやすい部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第3除電装置3444は、第1配管3410の真っ直ぐな部分のうち、摩擦電気のような静電気が生じやすい部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第3除電装置3444は、第1配管3410の折り曲がった部分以外の静電気が生じやすい部分に追加しても提供され、それにより、第1配管3410によって生じる静電気をさらに効果的に除去することができる。
例示的な実施形態によれば、第4除電装置3445は、処理溶液供給装置3200の部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第4除電装置3445は、処理溶液供給装置3200の部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第4除電装置3445は、ノズル3210とノズルバー3220との接合部のように、処理溶液供給装置3200の静電気が生じやすい部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第4除電装置3445は、ノズル3210とノズルバー3220との接合部のように、処理溶液供給装置3200の静電気が生じやすい部分と接することができる。
第1導電性ライン3541が第1除電装置3441’に連結されており、さらなる第1導電性ライン3541は、第2除電装置3443、第3除電装置3444及び第4除電装置3445にも連結される。さらなる第1導電性ライン3541は、第2除電装置3443、第3除電装置3444及び第4除電装置3445に、基準電位GNDを印加することができる。さらなる第1導電性ライン3541は、第2除電装置3443、第3除電装置3444及び第4除電装置3445に、静電気を放電するための経路を提供することができる。さらなる第1導電性ライン3541は、接地バー3510(図4)にも連結される。
以上のように、図面と明細書途において、例示的な実施形態が開示された。本明細書において、特定の用語が使用され、実施形態について説明されたが、それらは、単に本開示の技術的思想について説明するための目的に使用されたものであり、意味を限定したり、特許請求の範囲に記載された本開示の範囲を制限したりするために使用されたものではない。従って、本技術分野の当業者であるならば、それらから多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本開示の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
100 基板処理システム
1000 インデックスモジュール
1100 ロードポート
1200 移送フレーム
2000 工程モジュール
2100 バッファチャンバ
2200 移送チャンバ
3000,3001 第1基板処理装置
3100 基板サポータ
3110 支持プレート
3200 処理溶液供給装置
3210 ノズル
3220 ノズルバー
3230 ノズル軸
3240 ノズル軸駆動器
3300 回収装置
3310 第1回収容器
3320 第2回収容器
3330 第3回収容器
3340 昇降バー
3350 昇降駆動器
3410 第1配管
3420 第2配管
3430 第3配管
4000 第2基板処理装置

Claims (20)

  1. 基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータと、
    前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置と、
    前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器と、
    前記第1回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器と、
    前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管と、
    前記第1配管と接する第1除電装置と、
    前記第1除電装置に連結される第1導電性ラインと、を含む、基板処理装置。
  2. 前記第1除電装置は、導電性物質を含み、前記第1配管の折り曲がった部分をカバーすることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  3. 前記第1導電性ラインは、前記第1配管によって生成された静電気を放電させるための経路を提供することを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  4. 前記基板処理装置は、基準電位が印加されるように構成された第1接地バーをさらに含み、
    前記第1除電装置は、前記第1導電性ラインを介し、前記第1接地バーに連結されることを特徴とする請求項1に記載の基板処理装置。
  5. 前記基板処理装置は、前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に連結され、前記基準電位を提供するように構成された第2接地バーをさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の基板処理装置。
  6. 前記第1接地バー及び前記第2接地バーは、互いに離隔されたことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  7. 前記基板処理装置は、前記回転駆動器及び前記昇降駆動器を前記第2接地バーに連結させる第2導電性ラインをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
  8. 前記基板処理装置は、
    第3接地バーと、
    前記第3接地バーと前記第1接地バーとを連結する第3導電性ラインと、
    前記第3接地バーと前記第2接地バーとを連結する第4導電性ラインと、
    前記第3接地バーとアースグラウンドとを連結させる第5導電性ラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項7に記載の基板処理装置。
  9. 前記第3導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第1導電性ラインの単位長当たり抵抗よりさらに小さく、
    前記第4導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第2導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
  10. 前記第5導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第3導電性ラインの単位長当たり抵抗値よりさらに小さく、
    前記第5導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第3導電性ラインの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
  11. 前記第1接地バーは、前記第3導電性ライン、前記第3接地バー及び前記第4導電性ラインを介し、前記第2接地バーと間接的に連結されたことを特徴とする請求項8に記載の基板処理装置。
  12. 基板を支持する基板サポータと、
    前記基板に処理溶液を供給するように構成されたノズルを含む処理溶液供給装置と、
    前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器と、
    前記第1回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第2回収容器と、
    前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管と、
    前記第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管と、
    前記第1配管によって生成された静電気を除去するように構成された第1除電装置と、を含むが、
    前記第1除電装置は、導電性物質を含み、前記第1配管の折り曲がった部分を取り囲み、前記第1配管の折り曲がった部分と接することを特徴とする基板処理装置。
  13. 前記第1除電装置は、前記第1配管の前記折り曲がった部分を取り囲む第1部分、及び前記第1配管の真っ直ぐな部分を取り囲む第2部分を含むことを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
  14. 前記第2配管によって生成された静電気を除去するように構成された第2除電装置をさらに含むが、
    前記第2除電装置は、前記第2配管の折り曲がった部分の一部をカバーすることを特徴とする請求項12に記載の基板処理装置。
  15. 前記第2除電装置は、前記第2配管の前記折り曲がった部分の外側面と接し、
    前記第2配管の前記折り曲がった部分の内側面から離隔されたことを特徴とする請求項14に記載の基板処理装置。
  16. 前記第1配管によって生成された静電気を除去するように構成された第3除電装置をさらに含むが、
    前記第3除電装置は、前記第1配管の前記折り曲がった部分から離隔されたことを特徴とする請求項15に記載の基板処理装置。
  17. 前記処理溶液供給装置によって生成された静電気を除去するように構成された第4除電装置をさらに含むが、
    前記第4除電装置は、前記ノズルに接することを特徴とする請求項16に記載の基板処理装置。
  18. 前記第1除電装置ないし前記第4除電装置に静電気を放出する経路を提供するように構成された複数の第1導電性ラインをさらに含むことを特徴とする請求項17に記載の基板処理装置。
  19. 基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータと、
    前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置と、
    前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第1回収容器と、
    前記第1回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第2回収容器と、
    前記第1回収容器及び前記第2回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器と、
    前記第1回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第1配管と、
    前記第2回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第2配管と、
    前記第1配管の折り曲がった部分と接する第1除電装置と、
    前記第2配管の折り曲がった部分と接する第2除電装置と、
    前記第1除電装置及び前記第2除電装置に静電気を放電させるための経路を提供する複数の第1導電性ラインと、
    前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に動作のための基準電位を提供するように構成された複数の第2導電性ラインと、
    前記複数の第1導電性ラインと連結された第1接地バーと、
    前記複数の第2導電性ラインと連結され、前記第1接地バーから離隔された第2接地バーと、
    前記第1接地バーと連結された第3導電性ラインと、
    前記第2接地バーと連結された第4導電性ラインと、
    前記第3導電性ライン及び前記第4導電性ラインと連結された第3接地バーと、
    前記第3接地バーとアースグラウンドとを連結する第5導電性ラインと、を含む基板処理装置。
  20. 前記第5導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第3導電性ライン及び前記第4導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さく、
    前記第3導電性ライン及び前記第4導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値は、前記第1導電性ライン及び前記第2導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項19に記載の基板処理装置。
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