JP2023099487A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置が提供され、基板を支持する基板サポータと、基板に処理溶液を供給する処理溶液供給装置と、処理溶液を回収するように構成された第１回収容器及び第２回収容器と、第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管と、第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管と、第１配管と接する第１除電装置と、第２配管と接する第２除電装置と、第１除電装置及び第２除電装置に連結される複数の第１導電性ラインと、を含むものでもある。【選択図】図２
Description
本発明は、基板処理装置に関する。
基板表面に残留するパーティクル（ｐａｒｔｉｃｌｅ）、有機残留物そして金属残留物のような汚染物質は、半導体素子の特性と、生産収率とに多くの影響を及ぼす。そのような基板表面上の汚染物質を除去する工程を洗浄工程と言う。該洗浄工程は、半導体製造工程において核心的な要素であり、半導体素子製造のための各単位工程の前後段階で遂行される。
該洗浄工程は、多様な処理溶液を半導体基板上に適用する工程を含み、該洗浄工程に使用された処理溶液は、洗浄装備の回収容器に連結された配管によって回収される。
本発明が解決しようとする課題は、信頼性が向上された基板処理装置を提供することである。
前記技術的課題を達成するための例示的な実施形態によれば、基板処理装置が提供される。前記基板処理装置は、基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータ；前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置；前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器；前記第１回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第２回収容器；前記第１回収容器及び前記第２回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器；前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管；前記第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管；前記第１配管と接する第１除電装置；前記第２配管と接する第２除電装置；前記第１除電装置及び前記第２除電装置に連結される複数の第１導電性ライン；を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、基板処理装置が提供される。該基板処理装置は、基板を支持する基板サポータ；前記基板に処理溶液を供給するように構成されたノズルを含む処理溶液供給装置；前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器；前記第１回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第２回収容器；前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管；前記第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管；及び前記第１配管によって生成された静電気（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈａｒｇｅ）を除去するように構成された第１除電装置を含むものの、前記第１除電装置は、導電性物質を含み、前記第１配管の折り曲がった部分を取り囲み、前記第１配管の折り曲がった部分と接することができる。
基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータ；前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置；前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器；前記第１回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第２回収容器；前記第２回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第３回収容器；前記第１回収容器ないし前記第３回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器；前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管；前記第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管；前記第３回収容器に連結され、導電性物質を含む第３配管；前記第１配管の折り曲がった部分と接する第１除電装置；前記第２配管の折り曲がった部分と接する第２除電装置；前記第１除電装置、前記第２除電装置及び前記第３配管に静電気を放電させるための経路を提供する複数の第１導電性ライン；前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に動作のための基準電位を提供するように構成された複数の第２導電性ライン；前記複数の第１導電性ラインと連結された第１接地バー；前記複数の第２導電性ラインと連結され、前記第１接地バーから離隔された第２接地バー；前記第１接地バーと連結された第３導電性ライン；前記第２接地バーと連結された第４導電性ライン；前記第３導電性ライン及び前記第４導電性ラインと連結された第３接地バー；及び前記第３接地バーとアースグラウンドとを連結する第５導電性ライン；を含むものでもある。
本発明の技術的思想によれば、基板処理装置の処理溶液を回収するための配管によって生じる静電気（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈａｒｇｅ）を効果的に除去することができる。それにより、前記静電気による通信障害及びノイズを緩和させることができるが、信頼性が向上された基板処理装置を提供することができる。
本発明の例示的な実施形態から得られる効果は、以上で言及された効果に制限されるものではなく、言及されていない他の効果は、以下の説明から、本開示の例示的な実施形態が属する技術分野において当業者に明確に導き出されて理解されうるであろう。すなわち、本開示の例示的な実施形態を実施に導く意図されていない効果も、本開示の例示的な実施形態から、当該技術分野の当業者によって導き出されうるものである。
以下、添付図面を参照し、本発明の実施形態について詳細に説明する。図面上の同一構成要素については、同一参照符号を使用し、それらに係わる重複説明は、省略する。
図１は、例示的な実施形態による基板処理システム１００について説明するための平面図である。
図１を参照すれば、基板処理システム１００は、インデックスモジュール１０００及び工程モジュール２０００を含むものでもある。
インデックスモジュール１０００は、外部から、基板Ｓ（図２）を伝達され、工程モジュール２０００に基板Ｓ（図２）を伝達し、工程モジュール２０００は、洗浄工程、及び超臨界流体を利用した乾燥工程を遂行することができる。
インデックスモジュール１０００は、設備前端モジュール（ＥＦＥＭ：ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ ｆｒｏｎｔ ｅｎｄ ｍｏｄｕｌｅ）であり、ロードポート１１００及び移送フレーム１２００を含むものでもある。
ロードポート１１００は、基板Ｓ（図２）が保存される容器Ｃを収容するようにも構成される。非制限的例示として、容器Ｃは、前面開放一体型ポッド（ＦＯＵＰ：ｆｒｏｎｔ ｏｐｅｎｉｎｇ ｕｎｉｆｉｅｄ ｐｏｄ）でもある。容器Ｃは、オーバーヘッドトランスファ（ＯＨＴ：ｏｖｅｒｈｅａｄ ｔｒａｎｓｆｅｒ）システムにより、外部からロードポート１１００に取り込んだり、ロードポート１１００から外部に取り出したりすることができる。
移送フレーム１２００は、ロードポート１１００に置かれた容器Ｃと、工程モジュール２０００との間に基板Ｓ（図２）を伝達することができる。移送フレーム１２００は、インデックスロボット１２１０及びインデックスレール１２２０を含むものでもある。インデックスロボット１２１０は、インデックスレール１２２０上で移動するようにも構成される。それにより、インデックスロボット１２１０は、基板Ｓ（図２）が引き出されたり収納されたりする容器Ｃと、工程モジュール２０００とのうちいずれか一つに隣接した位置に移動することができる。
工程モジュール２０００は、半導体素子を製造するために、基板を処理するモジュールであり、バッファチャンバ２１００、移送チャンバ２２００、複数の第１基板処理装置３０００、及び複数の第２基板処理装置４０００を含むものでもある。
バッファチャンバ２１００は、インデックスモジュール１０００から工程モジュール２０００に、または工程モジュール２０００からインデックスモジュール１０００に伝達される基板Ｓ（図２）を臨時に保存することができる。バッファチャンバ２１００は、基板Ｓ（図２）が置かれるバッファスロットを含むものでもある。
移送チャンバ２２００は、移送レール２２２０に隣接するように配されたバッファチャンバ２１００、第１基板処理装置３０００及び第２基板処理装置４０００に、基板Ｓ（図２）を伝達することができる。移送チャンバ２２００は、移送ロボット２２１０及び移送レール２２２０を含むものでもある。移送ロボット２２１０は、第１基板処理装置３０００及び第２基板処理装置４０００に基板Ｓ（図２）を伝達するように、移送レール２２２０上において、第１基板処理装置３０００及び第２基板処理装置４０００に隣接した位置に移動することができる。
複数の第１基板処理装置３０００、及び複数の第２基板処理装置４０００は、洗浄工程を遂行することができる。該洗浄工程は、複数の第１基板処理装置３０００のうち一つ、及び複数の第２基板処理装置４０００のうち一つによって順次に遂行されうる。複数の第１基板処理装置３０００それぞれは、基板Ｓ（図２）に、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程を含む洗浄工程を遂行するように構成され、第２基板処理装置４０００それぞれは、洗浄工程が遂行された前記基板Ｓ（図２）に、超臨界流体を利用した乾燥工程を遂行するようにも構成される。
複数の第１基板処理装置３０００、及び複数の第２基板処理装置４０００は、移送チャンバ２２００の側面に沿っても配される。例えば、複数の第１基板処理装置３０００、及び複数の第２基板処理装置４０００は、移送チャンバ２２００挟み、互いに離隔されうる。
第１基板処理装置３０００と第２基板処理装置４０００とのそれぞれの個数及び配置は、前述の例に限定されるものではなく、基板処理システム１００のフットプリントや工程効率のような多様な要素を考慮し、適切に変更されうる。
図２は、図１の第１基板処理装置３０００について説明するための断面図である。
図３は、第１除電装置３４４１及び第１配管３４１０を示す斜視図である。
図２及び図３を参照すれば、第１基板処理装置３０００は、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程を遂行することができる。第１基板処理装置３０００は、ケミカル工程、リンス工程及び有機溶剤工程のうち一部のみを選択的に遂行することもできる。
ここで、該ケミカル工程は、基板Ｓに洗浄剤を提供し、基板Ｓ上の異物を除去する工程であり、該リンス工程は、基板Ｓにリンス剤を提供し、基板Ｓ上に残留する洗浄剤を除去する工程であり、該有機溶剤工程は、基板Ｓに有機溶剤を提供し、基板Ｓの回路パターン間に残留するリンス剤を、前記リンス剤の表面張力より低い表面張力を有する有機溶剤で置換する工程である。
基板サポータ３１００は、基板Ｓを支持して固定し、基板Ｓの上面に垂直な方向を軸に基板Ｓを回転させることができる。基板サポータ３１００は、支持プレート３１１０、支持ピン３１１１、チャッキングピン３１１２、回転軸３１２０及び回転駆動器３１３０を含むものでもある。
ここで、基板Ｓは、半導体ウェーハでもある。基板Ｓは、例えば、シリコン（Ｓｉ）を含むものでもある。基板Ｓは、ゲルマニウム（Ｇｅ）のような半導体物質、またはＳｉＣ（ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ）、ＧａＡｓ（ｇａｌｌｉｕｍ ａｒｓｅｎｉｄｅ）、ＩｎＡｓ（ｉｎｄｉｕｍ ａｒｓｅｎｉｄｅ）及びＩｎＰ（ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）のような化合物半導体を含むものでもある。
支持ピン３１１１及びチャッキングピン３１１２は、支持プレート３１１０の上面上にも配される。支持ピン３１１１は、基板Ｓを支持し、チャッキングピン３１１２は、支持された基板Ｓを固定することができる。例示的な実施形態によれば、支持ピン３１１１及びチャッキングピン３１１２は、基板Ｓのピックアンドプレース（ｐｉｃｋ ａｎｄ ｐｌａｃｅ）を容易にし、基板背面の汚染を防止するために、基板Ｓの背面を支持プレート３１１０の上面から離隔させることができる。
支持プレート３１１０は、回転軸３１２０とも連結される。回転軸３１２０は、支持プレート３１１０を回転させるように、回転駆動器３１３０からのトークを、支持プレート３１１０に伝達することができる。それにより、支持プレート３１１０に載置された基板Ｓが回転することができる。このとき、チャッキングピン３１１２は、基板Ｓが定位置を離脱することを防止することができる。
処理溶液供給装置３２００は、基板Ｓに処理溶液を噴射するようにも構成される。前記処理溶液は、洗浄剤、リンス剤及び有機溶剤などを含むものでもある。処理溶液供給装置３２００は、ノズル３２１０、ノズルバー３２２０、ノズル軸３２３０及びノズル軸駆動器３２４０を含むものでもある。
非制限的例示として、洗浄剤は、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、アンモニア（ＮＨ４ＯＨ）、塩酸（ＨＣｌ）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）及びフッ酸（ＨＦ）などを含むものでもある。非制限的例示として、リンス剤は、純水（ｐｕｒｅ ｗａｔｅｒ）を含むものでもある。
非制限的例示として、有機溶剤は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、エチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、１－プロパノール（ｐｒｏｐａｎｏｌ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、４－ヒドロキシ４－メチル２－ペンタノン（４－ｈｙｄｒｏｘｙｌ ４－ｍｅｔｈｙｌ ２－ｐｅｎｔａｎｏｎｅ）、１－ブタノール（ｂｕｔａｎｏｌ）、２－ブタノール、メタノール（ｍｅｔｈａｎｏｌ）、エタノール（ｅｔｈａｎｏｌ）、ｎ－プロピルアルコール（ｎ－ｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ）、ジメチルエーテル（ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）を含むものでもある。
ノズル３２１０は、ノズルバー３２２０の一端の下面にも位置する。ノズルバー３２２０は、ノズル軸３２３０にも結合される。ノズル軸駆動器３２４０は、ノズル軸３２３０を昇降または回転させ、ノズル３２１０の位置を調節することができる。
処理溶液供給装置３２００により、基板Ｓに処理溶液が供給されれば、基板サポータ３１００は、基板Ｓを回転させることができる。該処理溶液は、スピンコーティングを介し、基板Ｓの全領域に均一に分配されうる。基板Ｓが回転すれば、基板Ｓから処理溶液のうち一部が飛散しうる。該処理溶液は、回収装置３３００によっても回収される。
回収装置３３００は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０、昇降バー３３４０及び昇降駆動器３３５０を含むものでもある。
第１回収容器３３１０は、基板サポータ３１００を取り囲むリング形状を有しうる。第２回収容器３３２０は、第１回収容器３３１０を取り囲むリング形状を有しうる。第３回収容器３３３０は、第２回収容器３３２０を取り囲むリング形状を有しうる。第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０は、互いに固定されうる。
第１回収容器３３１０の内部空間は、処理溶液が流入される第１回収容器３３１０の第１流入口３３１１でもあり、第１回収容器３３１０と第２回収容器３３２０との間の空間は、処理溶液が流入される第２回収容器３３２０の第２流入口３３２１でもあり、第２回収容器３３２０と第３回収容器３３３０との間の空間は、処理溶液が流入される第３回収容器３３３０の第３流入口３３３１でもある。
第３流入口３３３１は、第２流入口３３２１より上に（すなわち、ノズル３２１０に近く）配され、第２流入口３３２１は、第１流入口３３１１よりも上に配される。それにより、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０は、処理溶液のうち互いに異なる処理溶液を回収することができる。
昇降バー３３４０は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０にも連結される。昇降バー３３４０は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０を上下に移動させるように、昇降駆動器３３５０からの駆動力を、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０に伝達することができる。
基板Ｓが基板サポータ３１００上に置かれるか（ｐｌａｃｅｄ）、あるいは基板サポータ３１００から持ち上げられる（ｐｉｃｋｅｄ）とき、基板サポータ３１００が第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０に対して上部に突出されるように、昇降バー３３４０及び昇降駆動器３３５０は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０を下降させることができる。
また、基板Ｓが処理される間、基板Ｓから飛散された処理溶液が、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０に流入されうるように、昇降バー３３４０及び昇降駆動器３３５０は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０の位置を調節することができる。
第１配管３４１０は、第１回収容器３３１０の下面にも連結され、第２配管３４２０は、第２回収容器３３２０の下面にも連結され、第３配管３４３０は、第３回収容器３３３０の下面にも連結される。例示的な実施形態によれば、第１配管３４１０、第２配管３４２０及び第３配管３４３０は、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０で収集された処理溶液を、薬剤再生システムに伝達することができる。
例示的な実施形態によれば、第１回収容器３３１０、第２回収容器３３２０及び第３回収容器３３３０は、処理溶液のうち互いに異なる物質を回収することができ、それにより、第１配管３４１０、第２配管３４２０及び第３配管３４３０は、処理溶液のうち互いに異なる物質を伝達することができる。例えば、第１配管３４１０は、洗浄剤を伝達し、第２配管３４２０は、リンス剤を伝達し、第３配管３４３０は、有機溶剤を伝達することができる。他の例として、第１配管３４１０及び第２配管３４２０は、互いに異なる洗浄剤を伝達し、第３配管３４３０は、洗浄剤、リンス剤及び有機溶剤の組み合わせを伝達することもできる。
例示的な実施形態によれば、第１配管３４１０及び第２配管３４２０は、第３配管３４３０と異なる物質を含むものでもある。例えば、第１配管３４１０及び第２配管３４２０は、絶縁性物質を含むものでもあり、第３配管３４３０は、導電性物質を含むものでもある。
非制限的例示として、第１配管３４１０及び第２配管３４２０は、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）のような耐腐食性物質を含むものでもある。第３配管３４３０は、炭素ファイバパイプなどを含むものでもある。第３配管３４３０は、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のような腐食性が強い物質を伝達することができる。
例示的な実施形態によれば、第３配管３４３０が炭素ファイバパイプであるので、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のような物質を安全に伝達することができる。また、第１配管３４１０及び第２配管３４２０がポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）パイプであるので、低コストでもって、第１配管３４１０及び第２配管３４２０を提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１は、第１配管３４１０と接することができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４２は、第２配管３４２０と接することができる。例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１は、第１配管３４１０の部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４２は、第２配管３４２０の部分を取り囲むことができる。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２は、第１配管３４１０及び第２配管３４２０に蓄積された電荷を放電させることができる物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２は、導電性物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２は、カーボン、シリコン及び金属などを含むものでもある。非制限的例示として、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２それぞれは、導電性スレッド（ｔｈｒｅａｄ）、導電性フィルム及び導電性鋳物（すなわち、テンプレート工程によって製造された要素）を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１は、第１配管３４１０の静電気（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈａｒｇｅ）が蓄積されやすい部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４２は、第２配管３４２０の静電気が蓄積されやすい部分と接することができる。それにより、第１配管３４１０及び第２配管３４２０に誘導された静電気を除去することができる。
一例として、処理溶液と、第１配管３４１０及び第２配管３４２０それぞれの折り曲がった部分との摩擦は、該処理溶液と、第１配管３４１０及び第２配管３４２０それぞれの真っ直ぐな部分との摩擦よりもさらに大きくなる。例えば、該処理溶液と、第１配管３４１０及び第２配管３４２０との摩擦は、第１配管３４１０及び第２配管３４２０それぞれの折り曲がった部分において極大化され、それにより、第１配管３４１０及び第２配管３４２０それぞれの折り曲がった部分に、摩擦電気のような静電気が容易に誘導されうる。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１は、第１配管３４１０の折り曲がった部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４２は、第２配管３４２０の折り曲がった部分を取り囲むことができる。例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１は、第１配管３４１０の折り曲がった部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４２は、第２配管３４２０の折り曲がった部分と接することができる。
例示的な実施形態によれば、第１導電性ライン３５４１は、第３配管３４３０、並びに第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２にも連結される。前述のように、第３配管３４３０は、導電性物質を含むが、第１導電性ライン３５４１は、第３配管３４３０に直接連結されうる。第１導電性ライン３５４１にグラウンド電位ＧＮＤが印加されうる。第１導電性ライン３５４１は、第３配管３４３０、並びに第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２に蓄積された電荷を放出するための経路を提供することができる。非制限的例示として、第１導電性ライン３５４１は、銅（Ｃｕ）を含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第１基板処理装置３０００は、コントローラをさらに含むものでもある。前記コントローラは、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組み合わせによっても具現される。例えば、前記コントローラは、ワークステーションコンピュータ、デスクトップコンピュータ、ラップトップコンピュータ、タブレットコンピュータのようなコンピュータ装置を含むものでもある。前記コントローラは、単純コントローラ；マイクロプロセッサ、ＣＰＵ、ＧＰＵのような複雑なプロセッサ；ソフトウェアによって構成されたプロセッサ；専用ハードウェアまたはファームウェアを含むものでもある。前記コントローラは、例えば、汎用コンピュータまたはＤＳＰ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＦＰＧＡ（ｆｉｅｌｄ ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ ｇａｔｅ ａｒｒａｙ）及びＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）のようなアプリケーション特定ハードウェアによっても具現される。
前述のコントローラについて説明された動作、または以下で説明される任意の工程を遂行するためにも、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令語が構成されうる。例えば、前記コントローラは、回転駆動器３１３０の駆動、ノズル軸駆動器３２４０の駆動、及び昇降駆動器３３５０の駆動などを制御するための信号を生成するように構成されたソフトウェアによっても具現される。前述のコントローラの動作は、コンピュータ装置、プロセッサ、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン及び命令語などを実行する他の装置からも引き起こされる。
例示的な実施形態によれば、第１基板処理装置３０００は、外部サーバと通信するためのイーサキャット（ＥｔｈｅｒＣＡＴ：Ｅｔｈｅｒｎｅｔ(登録商標) ｆｏｒ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）ネットワークを含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２により、第１配管３４１０及び第２配管３４２０から生成される静電気を効果的に除去することができる。それにより、該静電気から誘発される回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラに係わるノイズ、及びイーサキャットネットワークの通信障害を防止することができる。
図４は、例示的な実施形態による第１基板処理装置３０００の除電作用について説明するためのブロック図である。
図２及び図４を参照すれば、第１基板処理装置３０００は、第１接地バー（ｂａｒ）３５１０、第２接地バー３５２０、第３接地バー３５３０、第１導電性ライン３５４１、第２導電性ライン３５４２、第３導電性ライン３５４３、第４導電性ライン３５４４及び第５導電性ライン３５４５をさらに含むものでもある。
例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０は、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２に蓄積された電荷を放電させるようにも構成される。第１導電性ライン３５４１それぞれの第１端子は、第３配管３４３０、並びに第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２のうち一つにも連結される。第１導電性ライン３５４１それぞれの第２端子は、第１接地バー３５１０にも連結される。第３配管３４３０、並びに第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２は、第１導電性ライン３５４１を介し、第１接地バー３５１０に電気的に連結されるようにも構成される。
例示的な実施形態によれば、第２接地バー３５２０は、第１基板処理装置３０００の電子部品の動作のためのグラウンド電位ＧＮＤを提供することができる。例えば、第２接地バー３５２０は、回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラ、及び各種センサを含む第１基板処理装置３０００の電子部品に、グラウンド電位ＧＮＤを提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第２接地バー３５２０は、第２導電性ライン３５４２を介し、回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラ、及び各種センサを含む第１基板処理装置３０００の電子部品に電気的に連結されるようにも構成される。例示的な実施形態によれば、第２導電性ライン３５４２それぞれの第１端子は、回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラ、及び各種センサを含む第１基板処理装置３０００の電子部品のうち一つにも連結され、第２導電性ライン３５４２それぞれの第２端子は、第２接地バー３５２０にも連結される。
例示的な実施形態によれば、第３導電性ライン３５４３の第１端子は、第１接地バー３５１０にも連結され、第３導電性ライン３５４３の第２端子は、第３接地バー３５３０にも連結される。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０は、第３導電性ライン３５４３を介し、第３接地バー３５３０に電気的に連結されるようにも構成される。
第４導電性ライン３５４４の第１端子は、第２接地バー３５２０にも連結され、第４導電性ライン３５４４の第２端子は、第３接地バー３５３０にも連結される。例示的な実施形態によれば、第２接地バー３５２０は、第４導電性ライン３５４４を介し、第３接地バー３５３０に電気的に連結されるようにも構成される。
例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０及び第２接地バー３５２０は、互いに離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０及び第２接地バー３５２０は、互いに電気的に直接連結されないのである。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０は、第３導電性ライン３５４３、第３接地バー３５３０及び第４導電性ライン３５４４を介し、第２接地バー３５２０に電気的に連結されるようにも構成される。
第５導電性ライン３５４５は、第３接地バー３５３０にも連結される。例示的な実施形態によれば、第５導電性ライン３５４５は、第３接地バー３５３０にグラウンド電位ＧＮＤを印加することができる。例示的な実施形態によれば、第５導電性ライン３５４５は、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２により、第１配管３４１０及び第２配管３４２０から除去された静電気を放出するための経路を提供することができる。
例示的な実施形態によれば、第５導電性ライン３５４５は、アースグラウンドＥＧ（ｅａｒｔｈ ｇｒｏｕｎｄ）にも連結される。例示的な実施形態によれば、アースグラウンドＥＧは、第１除電装置３４４１及び第２除電装置３４４２から伝達された静電気を保存する電荷保存所（ｃｈａｒｇｅ ｒｅｓｅｒｖｏｉｒ）でもある。例示的な実施形態によれば、アースグラウンドＥＧは、電力系統上のグラウンドであると共に、第２接地バー３５２０は、回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラ、及び各種センサを含む第１基板処理装置３０００の電子部品の動作のための基準電位を提供するシャーシグラウンド（ｃｈａｓｓｉｓ ｇｒｏｕｎｄ）でもある。
例示的な実施形態によれば、第１導電性ライン３５４１それぞれの断面積は、第２導電性ライン３５４２それぞれの断面積と実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第１導電性ライン３５４１それぞれの単位長当たり抵抗値（ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）は、第２導電性ライン３５４２それぞれの単位長当たり抵抗値と実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０と第２接地バー３５２０とのそれぞれの大きさ及び抵抗は、互いに実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０と第２接地バー３５２０は、同一物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０と第２接地バー３５２０は、金属物質のような導電性物質を含むものでもある。例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０の抵抗値と、第２接地バー３５２０の抵抗値は、互いに実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第３導電性ライン３５４３の断面積は、第４導電性ライン３５４４の断面積と実質的に同一でもある。例示的な実施形態によれば、第３導電性ライン３５４３の単位長当たり抵抗値は、第４導電性ライン３５４４の単位長当たり抵抗値と実質的に同一でもある。
例示的な実施形態によれば、第３導電性ライン３５４３及び第４導電性ライン３５４４それぞれの断面積は、第１２導電性ライン３５４１及び第２導電性ライン３５４２それぞれの断面積よりもさらに大きくなる。例示的な実施形態によれば、第３導電性ライン３５４３及び第４導電性ライン３５４４それぞれの単位長当たり抵抗値は、第１２導電性ライン３５４１及び第２導電性ライン３５４２それぞれの単位長当たり抵抗値よりもさらに小さい。
例示的な実施形態によれば、第３接地バー３５３０の大きさは、第１接地バー３５１０及び第２接地バー３５２０それぞれの大きさよりもさらに大きくなる。例示的な実施形態によれば、第３接地バー３５３０の抵抗値は、第１接地バー３５１０及び第２接地バー３５２０の抵抗値よりもさらに小さい。
例示的な実施形態によれば、第５導電性ライン３５４５の断面積は、第３導電性ライン３５４３及び第４導電性ライン３５４４それぞれの断面積よりもさらに大きく。例示的な実施形態によれば、第５導電性ライン３５４５の単位長当たり抵抗値は、第３導電性ライン３５４３及び第４導電性ライン３５４４それぞれの単位長当たり抵抗値よりもさらに小さい
例示的な実施形態によれば、第１接地バー３５１０が、第２接地バー３５２０と直接連結されないので、第１接地バー３５１０を介して放出される静電気が、第２接地バー３５２０を介し、回転駆動器３１３０、ノズル軸駆動器３２４０、昇降駆動器３３５０、コントローラ、及び各種センサを含む第１基板処理装置３０００の電子部品に伝達することを防止することができる。
また、第５導電性ライン３５４５の単位長当たり抵抗値は、第３導電性ライン３５４３及び第４導電性ライン３５４４それぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいので、第３導電性ライン３５４３を介し、第３接地バー３５３０に逹した静電気のほとんどは、第４導電性ライン３５４４を介し、第２接地バー３５２０に流れる代わりに、第５導電性ライン３５４５を介し、アースグラウンドＥＧに流れうる。それにより、第１接地バー３５１０を介して放出される静電気のほとんどが、第１導電性ライン３５４１、第３導電性ライン３５４３及び第５導電性ライン３５４５を介し、アースグラウンドＥＧに放出されうる。
例示的な実施形態によれば、第１配管３４１０、第２配管３４２０及び第３配管３４３０から生成される静電気の蓄積によるアーク（ａｒｃ）を防止することができるが、第１基板処理装置３０００の信頼性が向上されうる。
図５は、他の例示的な実施形態による第１基板処理装置３００１について説明するための概略的な断面図である。
図５を参照すれば、第１基板処理装置３００１は、基板サポータ３１００、処理溶液供給装置３２００、第１回収容器３１３０、第２回収容器３１２０及び第３回収容器３３３０、第１配管３４１０、第２配管３４２０及び第３配管３４３０、並びに第１除電装置３４４１’、第２除電装置３４４３、第３除電装置３４４４及び第４除電装置３４４５を含むものでもある。
基板サポータ３１００、処理溶液供給装置３２００、第１回収容器３１３０、第２回収容器３１２０及び第３回収容器３３３０、並びに第１配管３４１０、第２配管３４２０及び第３配管３４３０は、図２ないし図４を参照して説明されたところと実質的に同一であるので、それらに係わる重複説明は、省略する。
例示的な実施形態によれば、第１除電装置３４４１’は、第１配管３４１０の折り曲がった部分を取り囲む第１部分、及び第１配管３４１０の真っ直ぐな部分を取り囲む第２部分と、をさらに含むものでもある。第１除電装置３４４１’の第２部分は、第１配管３４１０の折れ曲がった部分から、第１配管３４１０に沿っても延長される。第１除電装置３４４１’の第２部分は、第１配管３４１０の真っ直ぐな部分と接することができる。
例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４３は、第２配管３４２０の折り曲がった部分の一部をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４３は、第２配管３４２０の折り曲がった部分の外側面３４２２をカバーし、内側面３４２１を露出させることができる。ここで、第２配管３４２０の折り曲がった部分の内側面３４２１は、第２配管３４２０の折り曲がった方向にあり、外側面３４２２は、内側面３４２１の反対でもある。
例示的な実施形態によれば、第２除電装置３４４３は、第２配管３４２０の折り曲がった部分の外側面３４２２と接し、第２配管３４２０の折り曲がった部分の内側面３４２１から離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第２配管３４２０の折り曲がった部分のうち外側面３４２２のみをカバーする第２除電装置３４４３を提供することにより、第２除電装置３４４３の製造コストを節減することができる。
例示的な実施形態によれば、第３除電装置３４４４は、第１配管３４１０の一部をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第３除電装置３４４４は、第１配管３４１０の折り曲がった部分から離隔されうる。例示的な実施形態によれば、第３除電装置３４４４は、第１配管３４１０の真っ直ぐな部分のうち摩擦電気のような静電気が生じやすい部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第３除電装置３４４４は、第１配管３４１０の真っ直ぐな部分のうち、摩擦電気のような静電気が生じやすい部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第３除電装置３４４４は、第１配管３４１０の折り曲がった部分以外の静電気が生じやすい部分に追加しても提供され、それにより、第１配管３４１０によって生じる静電気をさらに効果的に除去することができる。
例示的な実施形態によれば、第４除電装置３４４５は、処理溶液供給装置３２００の部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第４除電装置３４４５は、処理溶液供給装置３２００の部分と接することができる。例示的な実施形態によれば、第４除電装置３４４５は、ノズル３２１０とノズルバー３２２０との接合部のように、処理溶液供給装置３２００の静電気が生じやすい部分をカバーすることができる。例示的な実施形態によれば、第４除電装置３４４５は、ノズル３２１０とノズルバー３２２０との接合部のように、処理溶液供給装置３２００の静電気が生じやすい部分と接することができる。
第１導電性ライン３５４１が第１除電装置３４４１’に連結されており、さらなる第１導電性ライン３５４１は、第２除電装置３４４３、第３除電装置３４４４及び第４除電装置３４４５にも連結される。さらなる第１導電性ライン３５４１は、第２除電装置３４４３、第３除電装置３４４４及び第４除電装置３４４５に、基準電位ＧＮＤを印加することができる。さらなる第１導電性ライン３５４１は、第２除電装置３４４３、第３除電装置３４４４及び第４除電装置３４４５に、静電気を放電するための経路を提供することができる。さらなる第１導電性ライン３５４１は、接地バー３５１０（図４）にも連結される。
以上のように、図面と明細書途において、例示的な実施形態が開示された。本明細書において、特定の用語が使用され、実施形態について説明されたが、それらは、単に本開示の技術的思想について説明するための目的に使用されたものであり、意味を限定したり、特許請求の範囲に記載された本開示の範囲を制限したりするために使用されたものではない。従って、本技術分野の当業者であるならば、それらから多様な変形、及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本開示の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって定められるものである。
１００ 基板処理システム
１０００ インデックスモジュール
１１００ ロードポート
１２００ 移送フレーム
２０００ 工程モジュール
２１００ バッファチャンバ
２２００ 移送チャンバ
３０００，３００１ 第１基板処理装置
３１００ 基板サポータ
３１１０ 支持プレート
３２００ 処理溶液供給装置
３２１０ ノズル
３２２０ ノズルバー
３２３０ ノズル軸
３２４０ ノズル軸駆動器
３３００ 回収装置
３３１０ 第１回収容器
３３２０ 第２回収容器
３３３０ 第３回収容器
３３４０ 昇降バー
３３５０ 昇降駆動器
３４１０ 第１配管
３４２０ 第２配管
３４３０ 第３配管
４０００ 第２基板処理装置
１０００ インデックスモジュール
１１００ ロードポート
１２００ 移送フレーム
２０００ 工程モジュール
２１００ バッファチャンバ
２２００ 移送チャンバ
３０００，３００１ 第１基板処理装置
３１００ 基板サポータ
３１１０ 支持プレート
３２００ 処理溶液供給装置
３２１０ ノズル
３２２０ ノズルバー
３２３０ ノズル軸
３２４０ ノズル軸駆動器
３３００ 回収装置
３３１０ 第１回収容器
３３２０ 第２回収容器
３３３０ 第３回収容器
３３４０ 昇降バー
３３５０ 昇降駆動器
３４１０ 第１配管
３４２０ 第２配管
３４３０ 第３配管
４０００ 第２基板処理装置
Claims (20)
- 基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータと、
前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置と、
前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器と、
前記第１回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器と、
前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管と、
前記第１配管と接する第１除電装置と、
前記第１除電装置に連結される第１導電性ラインと、を含む、基板処理装置。 - 前記第１除電装置は、導電性物質を含み、前記第１配管の折り曲がった部分をカバーすることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記第１導電性ラインは、前記第１配管によって生成された静電気を放電させるための経路を提供することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、基準電位が印加されるように構成された第１接地バーをさらに含み、
前記第１除電装置は、前記第１導電性ラインを介し、前記第１接地バーに連結されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に連結され、前記基準電位を提供するように構成された第２接地バーをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
- 前記第１接地バー及び前記第２接地バーは、互いに離隔されたことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、前記回転駆動器及び前記昇降駆動器を前記第２接地バーに連結させる第２導電性ラインをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
- 前記基板処理装置は、
第３接地バーと、
前記第３接地バーと前記第１接地バーとを連結する第３導電性ラインと、
前記第３接地バーと前記第２接地バーとを連結する第４導電性ラインと、
前記第３接地バーとアースグラウンドとを連結させる第５導電性ラインと、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 - 前記第３導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第１導電性ラインの単位長当たり抵抗よりさらに小さく、
前記第４導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第２導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。 - 前記第５導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第３導電性ラインの単位長当たり抵抗値よりさらに小さく、
前記第５導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第３導電性ラインの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。 - 前記第１接地バーは、前記第３導電性ライン、前記第３接地バー及び前記第４導電性ラインを介し、前記第２接地バーと間接的に連結されたことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
- 基板を支持する基板サポータと、
前記基板に処理溶液を供給するように構成されたノズルを含む処理溶液供給装置と、
前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器と、
前記第１回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第２回収容器と、
前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管と、
前記第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管と、
前記第１配管によって生成された静電気を除去するように構成された第１除電装置と、を含むが、
前記第１除電装置は、導電性物質を含み、前記第１配管の折り曲がった部分を取り囲み、前記第１配管の折り曲がった部分と接することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第１除電装置は、前記第１配管の前記折り曲がった部分を取り囲む第１部分、及び前記第１配管の真っ直ぐな部分を取り囲む第２部分を含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
- 前記第２配管によって生成された静電気を除去するように構成された第２除電装置をさらに含むが、
前記第２除電装置は、前記第２配管の折り曲がった部分の一部をカバーすることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。 - 前記第２除電装置は、前記第２配管の前記折り曲がった部分の外側面と接し、
前記第２配管の前記折り曲がった部分の内側面から離隔されたことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。 - 前記第１配管によって生成された静電気を除去するように構成された第３除電装置をさらに含むが、
前記第３除電装置は、前記第１配管の前記折り曲がった部分から離隔されたことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。 - 前記処理溶液供給装置によって生成された静電気を除去するように構成された第４除電装置をさらに含むが、
前記第４除電装置は、前記ノズルに接することを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。 - 前記第１除電装置ないし前記第４除電装置に静電気を放出する経路を提供するように構成された複数の第１導電性ラインをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
- 基板を支持するように構成された支持プレート、及び前記支持プレートを回転させるように構成された回転駆動器を含む基板サポータと、
前記基板に処理溶液を供給するように構成された処理溶液供給装置と、
前記基板サポータを取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第１回収容器と、
前記第１回収容器を取り囲み、前記基板から飛散された前記処理溶液を回収するように構成された第２回収容器と、
前記第１回収容器及び前記第２回収容器を前記基板サポータに対して上下に駆動するように構成された昇降駆動器と、
前記第１回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第１配管と、
前記第２回収容器に連結され、絶縁性物質を含む第２配管と、
前記第１配管の折り曲がった部分と接する第１除電装置と、
前記第２配管の折り曲がった部分と接する第２除電装置と、
前記第１除電装置及び前記第２除電装置に静電気を放電させるための経路を提供する複数の第１導電性ラインと、
前記回転駆動器及び前記昇降駆動器に動作のための基準電位を提供するように構成された複数の第２導電性ラインと、
前記複数の第１導電性ラインと連結された第１接地バーと、
前記複数の第２導電性ラインと連結され、前記第１接地バーから離隔された第２接地バーと、
前記第１接地バーと連結された第３導電性ラインと、
前記第２接地バーと連結された第４導電性ラインと、
前記第３導電性ライン及び前記第４導電性ラインと連結された第３接地バーと、
前記第３接地バーとアースグラウンドとを連結する第５導電性ラインと、を含む基板処理装置。 - 前記第５導電性ラインの単位長当たり抵抗値は、前記第３導電性ライン及び前記第４導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さく、
前記第３導電性ライン及び前記第４導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値は、前記第１導電性ライン及び前記第２導電性ラインそれぞれの単位長当たり抵抗値よりさらに小さいことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
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