KR20230103525A - 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20230103525A
KR20230103525A KR1020210194466A KR20210194466A KR20230103525A KR 20230103525 A KR20230103525 A KR 20230103525A KR 1020210194466 A KR1020210194466 A KR 1020210194466A KR 20210194466 A KR20210194466 A KR 20210194466A KR 20230103525 A KR20230103525 A KR 20230103525A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
pipe
ground bar
conductive line
processing apparatus
Prior art date
Application number
KR1020210194466A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102651516B1 (ko
Inventor
이정철
남정흠
김경모
정우진
민명근
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020210194466A priority Critical patent/KR102651516B1/ko
Priority to JP2022201229A priority patent/JP2023099487A/ja
Priority to US18/069,478 priority patent/US20240213077A1/en
Priority to CN202211716828.8A priority patent/CN116387191A/zh
Publication of KR20230103525A publication Critical patent/KR20230103525A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102651516B1 publication Critical patent/KR102651516B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/022Cleaning travelling work
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/02Carrying-off electrostatic charges by means of earthing connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05FSTATIC ELECTRICITY; NATURALLY-OCCURRING ELECTRICITY
    • H05F3/00Carrying-off electrostatic charges
    • H05F3/04Carrying-off electrostatic charges by means of spark gaps or other discharge devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

예시적인 실시예들에 따르면 기판 처리 장치가 제공된다. 기판을 지지하는 기판 서포터; 상기 기판에 처리 용액을 공급하는 처리 용액 공급 장치; 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 및 제2 회수 용기들; 상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관; 상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관; 상기 제1 배관과 접하는 제1 제전 장치; 상기 제2 배관과 접하는 제2 제전 장치; 상기 제1 및 제2 제전 장치들에 연결되는 복수의 제1 도전성 라인들;을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명의 기술적 사상은 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 잔류물, 그리고 금속 잔류물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이러한 기판 표면 상의 오염 물질을 제거하는 공정을 세정 공정이라 한다. 세정 공정은 반도체 제조 공정에 있어 핵심적인 요소이며, 반도체 소자의 제조를 위한 각 단위 공정의 전후 단계에서 수행된다.
세정 공정은 다양한 처리 용액을 반도체 기판 상에 적용하는 공정들을 포함하며, 세정 공정에 사용된 처리 용액은 세정 장비의 회수 용기들에 연결된 배관들에 의해 회수된다.
본 발명의 기술적 사상이 해결하고자 하는 과제는, 신뢰성이 제고된 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 상기 기판 처리 장치는, 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트를 회전시키도록 구성된 회전 구동기를 포함하는 기판 서포터; 상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 처리 용액 공급 장치;상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기; 상기 제1 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제2 회수 용기; 상기 제1 내지 제2 회수 용기들을 상기 기판 서포터에 대해 상하로 구동하도록 구성된 승강 구동기; 상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관; 상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관; 상기 제1 배관과 접하는 제1 제전 장치; 상기 제2 배관과 접하는 제2 제전 장치; 상기 제1 및 제2 제전 장치들에 연결되는 복수의 제1 도전성 라인들;을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 기판 처리 장치가 제공된다. 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 기판 서포터; 상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 노즐을 포함하는 처리 용액 공급 장치; 상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기; 상기 제1 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제2 회수 용기; 상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관; 상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관; 및 상기 제1 배관에 의해 생성된 정전기를 제거하도록 구성된 제1 제전 장치를 포함하되, 상기 제1 제전 장치는 도전성 물질을 포함하고, 상기 제1 배관의 굽은 부분을 둘러싸며, 상기 제1 배관의 굽은 부분과 접할 수 있다.
기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트를 회전시키도록 구성된 회전 구동기를 포함하는 기판 서포터; 상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 처리 용액 공급 장치; 상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기; 상기 제1 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제2 회수 용기; 상기 제2 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제3 회수 용기; 상기 제1 내지 제3 회수 용기들을 상기 기판 서포터에 대해 상하로 구동하도록 구성된 승강 구동기; 상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관; 상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관; 상기 제3 회수 용기에 연결되고 도전성 물질을 포함하는 제3 배관 상기 제1 배관의 굽은 부분과 접하는 제1 제전 장치; 상기 제2 배관의 굽은 부분과 접하는 제2 제전 장치; 상기 제1 및 제2 제전 장치들 및 상기 제3 배관에 정전기를 방전시키기 위한 경로를 제공하는 복수의 제1 도전성 라인들; 상기 회전 구동기 및 승강 구동기에 동작을 위한 기준 전위를 제공하도록 구성된 복수의 제2 도전성 라인들; 상기 복수의 제1 도전성 라인들과 연결된 제1 접지 바; 상기 복수의 제2 도전성 라인들과 연결되고 상기 제1 접지 바로부터 이격된 제2 접지 바; 상기 제1 접지 바와 연결된 제3 도전성 라인; 상기 제2 접지 바와 연결된 제4 도전성 라인; 상기 제3 도전성 라인 및 상기 제4 도전성 라인과 연결된 제3 접지 바; 및 상기 제3 접지 바와 어스 그라운드를 연결하는 제5 도전성 라인을 포함할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따르면, 기판 처리 장치의 처리 용액을 회수하기 위한 배관에 의해 발생하는 정전기(Electrostatic Charge)를 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 정전기에 의한 통신 장애 및 노이즈를 완화할 수 있는바, 신뢰성이 제고된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예들에서 얻을 수 있는 효과는 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 아니하며, 언급되지 않은 다른 효과들은 이하의 설명으로부터 본 개시의 예시적인 실시예들이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 도출되고 이해될 수 있다. 즉, 본 개시의 예시적인 실시예들을 실시함에 따른 의도하지 않은 효과들 역시 본 개시의 예시적인 실시예들로부터 당해 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 도출될 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템을 설명하기 위한 평면도이다.
도 2는 도 1의 제1 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 제1 제전 장치 및 제1 배관을 나타내는 사시도이다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 제1 기판 처리 장치의 제전 작용을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 다른 예시적인 실시예들에 따른 제1 기판 처리 장치를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템(100)을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(100)은 인덱스 모듈(1000) 및 공정 모듈(2000)을 포함할 수 있다.
인덱스 모듈(1000)은 외부로부터 기판(S, 도 2 참조)을 전달받아 공정 모듈(2000)로 기판(S, 도 2 참조)을 전달하고, 공정 모듈(2000)은 세정 공정 및 초 임계 유체를 이용한 건조 공정을 수행할 수 있다.
인덱스 모듈(1000)은 설비 전단 모듈(EFEM: equipment front end module)로서, 로드 포트(1100) 및 이송 프레임(1200)을 포함할 수 있다.
로드 포트(1100)는 기판(S, 도 2 참조)이 저장되는 용기들(C)을 수용하도록 구성될 수 있다. 비제한적 예시로서 용기들(C)은 전면 개방 일체형 포드(FOUP: front opening unified pod)일 수 있다. 용기들(C)은 오버헤드 트랜스퍼(OHT: overhead transfer) 시스템에 의해 외부로부터 로드 포트(1100)로 수입되거나 로드 포트(1100)로부터 외부로 수출될 수 있다.
이송 프레임(1200)은 로드 포트(1100)에 놓인 용기들(C)과 공정 모듈(2000) 간에 기판(S, 도 2 참조)을 전달할 수 있다. 이송 프레임(1200)은 인덱스 로봇(1210) 및 인덱스 레일(1220)을 포함할 수 있다. 인덱스 로봇(1210)은 인덱스 레일(1220) 상에서 이동하도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 인덱스 로봇(1210)은 기판(S, 도 2 참조)이 인출되거나 수납되는 용기들(C) 및 공정 모듈(2000) 중 어느 하나에 인접한 위치로 이동할 수 있다.
공정 모듈(2000)은 반도체 소자를 제조하기 위해 기판을 처리하는 모듈로서, 버퍼 챔버(2100), 이송 챔버(2200), 복수의 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 복수의 제2 기판 처리 장치들(4000)을 포함할 수 있다.
버퍼 챔버(2100)는 인덱스 모듈(1000)로부터 공정 모듈(2000)로 또는 공정 모듈(2000)로부터 인덱스 모듈(1000)로 전달되는 기판(S, 도 2 참조)을 임시로 저장할 수 있다. 버퍼 챔버(2100)는 기판(S, 도 2 참조)이 놓이는 버퍼 슬롯을 포함할 수 있다.
이송 챔버(2200)는 이송 레일(2220)에 인접하게 배치된 버퍼 챔버(2100), 제1 기판 처리 장치(3000) 및 제2 기판 처리 장치(4000)에 기판(S, 도 2 참조)을 전달할 수 있다. 이송 챔버(2200)는 이송 로봇(2210) 및 이송 레일(2220)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(2210)은 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 제2 기판 처리 장치들(4000)에 기판(S, 도 2 참조)을 전달하도록, 이송 레일(2220) 상에서 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 제2 기판 처리 장치들(4000)에 인접한 위치로 이동할 수 있다.
복수의 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 복수의 제2 기판 처리 장치들(4000)은 세정 공정을 수행할 수 있다. 세정 공정은 복수의 제1 기판 처리 장치들(3000)중 하나 및 복수의 제2 기판 처리 장치들(4000) 중 하나에 의해 순차적으로 수행될 수 있다. 복수의 제1 기판 처리 장치들(3000) 각각은 기판(S, 도 2 참조)에 케미컬 공정, 린스 공정 및 유기 용제 공정을 포함하는 세정 공정을 수행하도록 구성되고, 제2 기판 처리 장치들(4000) 각각은 세정 공정이 수행된 상기 기판(S, 도 2 참조)에 초임계 유체를 이용한 건조 공정을 수행하도록 구성될 수 있다.
복수의 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 복수의 제2 기판 처리 장치들(4000)은 이송 챔버(2200)의 측면을 따라 배치될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 기판 처리 장치들(3000) 및 복수의 제2 기판 처리 장치들(4000)은 이송 챔버(2200)를 사이에 두고 서로 이격될 수 있다.
제1 기판 처리 장치(3000)와 제2 기판 처리 장치(4000) 각각의 개수 및 배치는 상술한 예로 한정되지 않고, 기판 처리 시스템(100)의 풋프린트나 공정효율 등과 같은 다양한 요소를 고려하여 적절히 변경될 수 있다.
도 2은 도 1의 제1 기판 처리 장치(3000)를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3은 제1 제전 장치(3441) 및 제1 배관(3410)을 나타내는 사시도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 제1 기판 처리 장치(3000)는 케미컬 공정, 린스 공정 및 유기 용제 공정을 수행할 수 있다. 제1 기판 처리 장치(3000)는 케미컬 공정, 린스 공정 및 유기 용제 공정 중 일부만을 선택적으로 수행할 수도 있다.
여기서, 케미컬 공정은 기판(S)에 세정제를 제공하여 기판(S) 상의 이물질을 제거하는 공정이고, 린스 공정은 기판(S)에 린스제를 제공하여 기판(S) 상에 잔류하는 세정제를 제거하는 공정이며, 유기 용제 공정은 기판(S)에 유기 용제를 제공하여 기판(S)의 회로패턴 사이에 잔류하는 린스제를 상기 린스제의 표면 장력보다 낮은 표면 장력을 갖는 유기 용제로 치환하는 공정이다.
기판 서포터(3100)는 기판(S)을 지지하고 고정하며, 기판(S)의 상면에 수직한 방향을 축으로 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 기판 서포터(3100)는 지지 플레이트(3110), 지지 핀(3111), 척킹 핀(3112), 회전축(3120) 및 회전 구동기(3130)를 포함할 수 있다.
여기서 기판(S)은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 기판(S)은 예를 들면, 실리콘(Si, silicon)을 포함할 수 있다. 기판(S)은 게르마늄(Ge, germanium)과 같은 반도체 물질, 또는 SiC (silicon carbide), GaAs(gallium arsenide), InAs (indium arsenide), 및 InP (indium phosphide)와 같은 화합물 반도체를 포함할 수 있다.
지지 핀(3111) 및 척킹 핀(3112)은 지지 플레이트(3110)의 상면 상에 배치될 수 있다. 지지 핀(3111)은 기판(S)을 지지하고, 척킹 핀(3112)은 지지된 기판(S)을 고정할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 지지 핀(3111) 및 척킹 핀(3112)은 기판(S)의 픽 앤 플레이스(Pick and Place)가 용이하게 하고, 기판의 후면의 오염을 방지하기 위해, 기판(S)의 후면을 지지 플레이트(3110)의 상면으로부터 이격시킬 수 있다.
지지 플레이트(3110)는 회전축(3120)과 연결될 수 있다. 회전축(3120)은 지지 플레이트(3110)를 회전시키도록 회전 구동기(3130)로부터의 토크를 지지 플레이트(3110)에 전달할 수 있다. 이에 따라, 지지 플레이트(3110)에 안착된 기판(S)이 회전할 수 있다. 이때, 척킹 핀(3112)은 기판(S)이 정위치를 이탈하는 것을 방지할 수 있다.
처리 용액 공급 장치(3200)는 기판(S)에 처리 용액을 분사하도록 구성될 수 있다. 상기 처리 용액은 세정제, 린스제 및 유기 용제 등을 포함할 수 있다. 처리 용액 공급 장치(3200)는 노즐(3210), 노즐 바(3220), 노즐 축(3230) 및 노즐 축 구동기(3240)를 포함할 수 있다.
비제한적 예시로서, 세정제는 과산화수소(H2O2), 암모니아(NH4OH), 염산(HCl), 황산(H2SO4) 및 불산(HF) 등을 포함할 수 있다. 비제한적 예시로서, 린스제는 순수(pure water)를 포함할 수 있다.
비제한적 예시로서, 유기 용제는 이소프로필알코올(isopropyl alcohol, 이하 IPA), 에틸렌 글리콜(ethylene glycol), 1-프로파놀(propanol), 테트라하이드로퓨랑(tetra hydraulic furanc, 이하 THF), 4-하이드록시 4-메틸 2-펜타논(4-hydroxyl 4-methyl 2-pentanone), 1-부타놀(butanol), 2-부타놀, 메탄올(methanol), 에탄올(ethanol), n-프로필알코올(n-propyl alcohol), 디메틸에테르(dimethylether)을 포함할 수 있다.
노즐(3210)은 노즐 바(3220)의 일단의 하면에 위치할 수 있다. 노즐 바(3220)는 노즐 축(3230)에 결합될 수 있다. 노즐 축 구동기(3240)는 노즐 축(3230)을 승강 또는 회전시켜 노즐(3210)의 위치를 조절할 수 있다.
처리 용액 공급 장치(3200)에 의해 기판(S)에 처리 용액이 공급되면, 기판 서포터(3100)는 기판(S)을 회전시킬 수 있다. 처리 용액은 스핀 코팅을 통해 기판(S) 전 영역에 균일하게 분배될 수 있다. 기판(S)이 회전하면 기판(S)으로부터 처리 용액 중 일부가 비산할 수 있다. 처리 용액은 회수 장치(3300)에 의해 회수될 수 있다.
회수 장치(3300)는 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330), 승강바(3340) 및 승강 구동기(3350)를 포함할 수 있다.
제1 회수 용기(3310)는 기판 서포터(3100)를 둘러싸는 링 형상을 가질 수 있다. 제2 회수 용기(3320)는 제1 회수 용기(3310)를 둘러싸는 링 형상을 가질 수 있다. 제3 회수 용기(3330)는 제2 회수 용기(3320)를 둘러싸는 링 형상을 가질 수 있다. 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)은 서로 고정될 수 있다.
제1 회수 용기(3310)의 내부 공간은 처리 용액이 유입되는 제1 회수 용기(3310)의 제1 유입구(3311)일 수 있고, 제1 회수 용기(3310)와 제2 회수 용기(3320)의 사이의 공간은 처리 용액이 유입되는 제2 회수 용기(3320)의 제2 유입구(3321)일 수 있으며, 제2 회수 용기(3320)와 제3 회수 용기(3330)의 사이의 공간은 처리 용액이 유입되는 제3 회수 용기(3330)의 제3 유입구(3331)일 수 있다.
제3 유입구(3331)는 제2 유입구(3321)보다 위에(즉, 노즐(3210)에 가깝게) 배치될 수 있고, 제2 유입구(3321)는 제1 유입구(3311)보다 위에 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)은 처리 용액 중 서로 다른 처리 용액을 회수할 수 있다.
승강바(3340)는 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)에 연결될 수 있다. 승강바(3340)는 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)을 상하로 이동시키도록, 승강 구동기(3350)로부터의 구동력을 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)에 전달할 수 있다.
기판(S)이 기판 서포터(3100) 상에 놓이거나(Placed), 기판 서포터(3100)로부터 들어올려질(Picked) 때 기판 서포터(3100)이 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)에 대해 상부로 돌출되도록, 승강바(3340) 및 승강 구동기(3350)는 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)을 하강시킬 수 있다.
또한, 기판(S)이 처리되는 동안, 기판(S)으로부터 비산된 처리 용액이 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)로 유입될 수 있도록, 승강바(3340) 및 승강 구동기(3350)는 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)의 위치를 조절할 수 있다.
제1 배관(3410)은 제1 회수 용기(3310)의 하면에 연결될 수 있고, 제2 배관(3420)은 제2 회수 용기(3320)의 하면에 연결될 수 있으며, 제3 배관(3430)은 제3 회수 용기(3330)의 하면에 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 내지 제3 배관들(3410, 3420, 3430)은 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)에서 수집된 처리 용액을 약제 재생 시스템으로 전달할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 내지 제3 회수 용기들(3310, 3320, 3330)은 처리 용액 중 서로 다른 물질을 회수할 수 있고, 이에 따라 제1 내지 제3 배관들(3410, 3420, 3430)은 처리 용액 중 서로 다른 물질을 전달할 수 있다. 예컨대, 제1 배관(3410)은 세정제를 전달하고, 제2 배관(3420)은 린스제를 전달하며, 및 제3 배관(3430)은 유기 용제를 전달할 수 있다. 다른 예로, 제1 배관(3410) 및 제2 배관(3420)은 서로 다른 세정제를 전달하고, 제3 배관(3430)은 세정제, 린스제 및 유기 용제의 조합을 전달할 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)은 제3 배관(3430)과 다른 물질을 포함할 수 있다. 예컨대, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)은 절연성 물질을 포함할 수 있고, 제3 배관(3430)은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
비제한적 예시로서, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)은 폴리염화 비닐 (Polyvinyl chloride, 이하 PVC) 등의 내부식성 물질을 포함할 수 있다. 제3 배관(3430)은 탄소 섬유 파이프 등을 포함할 수 있다. 제3 배관(3430)은 IPA와 같이 부식성이 강한 물질을 전달할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 배관들(3430)이 탄소 섬유 파이프이므로 IPA 등의 물질을 안전하게 전달할 수 있다. 또한, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)이 PVC 파이프이므로, 낮은 비용으로 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)을 제공할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441)는 제1 배관(3410)과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3442)는 제2 배관(3420)과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441)는 제1 배관(3410)의 부분을 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3442)는 제2 배관(3420)의 부분을 둘러쌀 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)은 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)에 축적된 전하를 방전시킬 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)은 카본, 실리콘, 및 금속 등을 포함할 수 있다. 비제한적 예시로서, 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442) 각각은 도전성 실(Thread), 도전성 필름 및 도전성 주물(즉, 주형 공정에 의해 제조된 요소)을 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441)는 제1 배관(3410)의 정전기(Electrostatic Charge)가 축적되기 쉬운 부분과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3442)는 제2 배관(3420)의 정전기가 축적되기 쉬운 부분과 접할 수 있다. 이에 따라, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)에 유도된 정전기를 제거할 수 있다.
일 예로, 처리 용액과 제1 및 제2 배관들(3410, 3420) 각각의 굽은 부분 사이의 마찰은 처리 용액과 제1 및 제2 배관들(3410, 3420) 각각의 곧은 부분 사이의 마찰보다 더 클 수 있다. 예컨대, 처리 용액과 제1 및 제2 배관들(3410, 3420) 사이의 마찰은 제1 및 제2 배관들(3410, 3420) 각각의 굽은 부분에서 극대화될 수 있고, 이에 따라, 제1 및 제2 배관들(3410, 3420) 각각의 굽은 부분에 마찰 전기와 같은 정전기가 쉽게 유도될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441)는 제1 배관(3410)의 굽은 부분을 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3442)는 제2 배관(3420)의 굽은 부분을 둘러쌀 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441)는 제1 배관(3410)의 굽은 부분과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3442)는 제2 배관(3420)의 굽은 부분과 접할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 도전성 라인들(3541)은 제3 배관(3430) 및 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)에 연결될 수 있다. 전술한 것과 같이 제3 배관(3430)은 도전성 물질을 포함하는 바, 제1 도전성 라인(3541)은 제3 배관(3430)에 직접 연결될 수 있다. 제1 도전성 라인들(3541)에 그라운드 전위(GND)가 인가될 수 있다. 제1 도전성 라인들(3541)은 제3 배관(3430) 및 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)에 축적된 전하를 방출하기 위한 경로를 제공할 수 있다. 비제한적 예시로서, 제1 도전성 라인들(3541)은 구리(Cu)를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판 처리 장치(3000)는 컨트롤러를 더 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러는, 하드웨어, 펌웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합으로 구현될 수 있다. 예컨대, 상기 컨트롤러는 워크 스테이션 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 랩 탑 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터 등의 컴퓨팅 장치를 포함할 수 있다. 상기 컨트롤러는 단순 컨트롤러, 마이크로 프로세서, CPU, GPU 등과 같은 복잡한 프로세서, 소프트웨어에 의해 구성된 프로세서, 전용 하드웨어 또는 펌웨어를 포함할 수도 있다. 상기 컨트롤러는, 예를 들어, 범용 컴퓨터 또는 DSP(Digital Signal Process), FPGA(Field Programmable Gate Array) 및 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 등과 같은 애플리케이션 특정 하드웨어에 의해 구현될 수 있다.
상기 컨트롤러에 대해 설명한 동작, 또는 이하에서 설명하는 임의의 공정을 수행하기 위한 또한, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴, 명령어들이 구성될 수 있다. 예컨대, 상기 컨트롤러는 회전 구동기(3130)의 구동, 노즐 축 구동기(3240)의 구동 및 승강 구동기(3350)의 구동 등을 제어하기 위한 신호를 생성하도록 구성된 소프트웨어에 의해 구현될 수 있다. 상술된 컨트롤러의 동작은 컴퓨팅 장치, 프로세서, 펌웨어, 소프트웨어, 루틴 및 명령어 등을 실행하는 다른 장치로부터 야기될 수도 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 기판 처리 장치(3000)는 외부 서버와 통신하기 위한 이더캣(Ethernet for Control Automation Technology, EtherCAT) 네트워크를 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)에 의해 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)로부터 생성되는 정전기를 효과적으로 제거할 수 있다. 이에 따라, 상기 정전기로부터 유발되는 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러에 대한 노이즈 및 이더캣 네트워크의 통신 장애를 방지할 수 있다.
도 4는 예시적인 실시예들에 따른 제1 기판 처리 장치(3000)의 제전 작용을 설명하기 위한 블록도이다.
도 2 및 도 4를 참조하면, 제1 기판 처리 장치(3000)는 제1 접지 바(Bar)(3510), 제2 접지 바(3520), 제3 접지 바(3530), 제1 도전성 라인들(3541), 제2 도전성 라인들(3542), 제3 도전성 라인(3543), 제4 도전성 라인(3544) 및 제5 도전성 라인(3545)을 더 포함할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)는 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)에 축적된 전하를 방전시키도록 구성될 수 있다. 제1 도전성 라인들(3541) 각각의 제1 단자는 제3 배관(3430) 및 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442) 중 하나에 연결될 수 있다. 제1 도전성 라인들(3541) 각각의 제2 단자는 제1 접지 바(3510)에 연결될 수 있다. 제3 배관(3430) 및 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)은 제1 도전성 라인들(3541)을 통해 제1 접지 바(3510)에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 접지 바(3520)는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품의 동작을 위한 그라운드 전위(GND)를 제공할 수 있다. 예컨대, 제2 접지 바(3520)는 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러, 및 각종 센서를 포함하는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품에 그라운드 전위(GND)를 제공할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 접지 바(3520)는 제2 도전성 라인들(3542)을 통해 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러, 및 각종 센서를 포함하는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 도전성 라인들(3542) 각각의 제1 단자는 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러, 및 각종 센서를 포함하는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품 중 하나에 연결될 수 있고, 제2 도전성 라인들(3542) 각각의 제2 단자는 제2 접지 바(3520)에 연결될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 도전성 라인(3543)의 제1 단자는 제1 접지 바(3510)에 연결될 수 있고, 제3 도전성 라인(3543)의 제2 단자는 제3 접지 바(3530)에 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)는 제3 도전성 라인(3543)을 통해 제3 접지 바(3530)에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
제4 도전성 라인(3544)의 제1 단자는 제2 접지 바(3520)에 연결될 수 있고, 제4 도전성 라인(3544)의 제2 단자는 제3 접지 바(3530)에 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 접지 바(3520)는 제4 도전성 라인(3544)을 통해 제3 접지 바(3530)에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510) 및 제2 접지 바(3520)는 서로 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510) 및 제2 접지 바(3520)는 서로 전기적으로 직접 연결되지 않을 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)는 제3 도전성 라인(3543), 제3 접지 바(3530) 및 제4 도전성 라인(3544)을 통해서 제2 접지 바(3520)에 전기적으로 연결되도록 구성될 수 있다.
제5 도전성 라인(3545)은 제3 접지 바(3530)에 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제5 도전성 라인(3545)은 제3 접지 바(3530)에 그라운드 전위(GND)를 인가할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제5 도전성 라인(3545)은 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)에 의해 제1 및 제2 배관들(3410, 3420)로부터 제거된 정전기를 방출하기 위한 경로를 제공할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제5 도전성 라인(3545)은 어스 그라운드(Earth ground)(EG)에 연결될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 어스 그라운드(EG)는 제1 및 제2 제전 장치들(3441, 3442)로부터 전달된 정전기를 저장하는 전하 저장소(Charge Reservoir)일 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 어스 그라운드(EG)는 전력 계통 상의 그라운드인 동시에, 제2 접지 바(3520)는 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러, 및 각종 센서를 포함하는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품들의 동작을 위한 기준 전위를 제공하는 섀시 그라운드(Chasis ground)일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 도전성 라인들(3541) 각각의 단면적은 제2 도전성 라인들(3542) 각각의 단면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 도전성 라인들(3541) 각각의 단위 길이당 저항 값(Resistance)은 제2 도전성 라인들(3542) 각각의 단위 길이당 저항 값과 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)와 제2 접지 바(3520) 각각의 크기 및 저항은 서로 실질적으로 동일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)와 제2 접지 바(3520)는 동일한 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)와 제2 접지 바(3520)는 금속 물질과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)의 저항 값과 제2 접지 바(3520)의 저항 값은 서로 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 도전성 라인(3543)의 단면적은 제4 도전성 라인(3544)의 단면적과 실질적으로 동일할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 도전성 라인(3543)의 단위 길이당 저항 값은 제4 도전성 라인(3544)의 단위 길이당 저항 값과 실질적으로 동일할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 및 제4 도전성 라인들(3543, 3544) 각각의 단면적은 제1 및 제2 도전성 라인들(3541, 3542) 각각의 단면적보다 더 클 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 및 제4 도전성 라인들(3543, 3544) 각각의 단위 길이당 저항 값은 제1 및 제2 도전성 라인들(3541, 3542) 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 접지 바(3530)의 크기는 제1 및 제2 접지 바들(3510, 3520) 각각의 크기보다 더 클 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 접지 바(3530)의 저항 값은 제1 및 제2 접지 바들(3510, 3520)의 저항 값 보다 더 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제5 도전성 라인(3545)의 단면적은 제3 및 제4 도전성 라인들(3543, 3544) 각각의 단면적보다 더 클 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제5 도전성 라인(3545)의 단위 길이당 저항 값은 제3 및 제4 도전성 라인들(3543, 3544) 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작을 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 접지 바(3510)가 제2 접지 바(3520)와 직접 연결되지 않으므로, 제1 접지 바(3510)를 통해 방출되는 정전기가 제 2 접지 바(3520)를 통해 회전 구동기(3130), 노즐 축 구동기(3240), 승강 구동기(3350), 컨트롤러, 및 각종 센서를 포함하는 제1 기판 처리 장치(3000)의 전자 부품에 전달되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 제5 도전성 라인(3545)의 단위 길이당 저항 값은 제3 및 제4 도전성 라인들(3543, 3544) 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작으므로, 제3 도전성 라인(3543)을 통해 제3 접지 바(3530)에 도달한 정전기의 대부분은 제4 도전성 라인(3544)을 통해 제2 접지 바(3520)로 흘러가는 대신, 제5 도전성 라인(3545)을 통해 어스 그라운드(EG)로 흘러갈 수 있다. 이에 따라, 제1 접지 바(3510)를 통해 방출되는 정전기의 대부분이 제1 도전성 라인들(3541), 제3 도전성 라인(3543) 및 제5 도전성 라인(3545)을 통해 어스 그라운드(EG)로 방출될 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 내지 제3 배관들(3410, 3420, 3430)로부터 생성되는 정전기의 축적으로 인한 아크(Arc)를 방지할 수 있는 바, 제1 기판 처리 장치(3000)의 신뢰성이 제고될 수 있다.
도 5는 다른 예시적인 실시예들에 따른 제1 기판 처리 장치(3001)를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 5를 참조하면, 제1 기판 처리 장치(3001)는 기판 서포터(3100), 처리 용액 공급 장치(3200), 제1 내지 제3 회수 용기들(3130, 3230, 3330), 제1 내지 제3 배관들(3410, 3420, 3430) 및 제1 내지 제4 제전 장치들(3441', 3443, 3444, 3445)을 포함할 수 있다.
기판 서포터(3100), 처리 용액 공급 장치(3200), 제1 내지 제3 회수 용기들(3130, 3230, 3330) 및 제1 내지 제3 배관들(3410, 3420, 3430)은 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 것과 실질적을 동일하므로 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제1 제전 장치(3441')은 제1 배관(3410)의 굽은 부분을 둘러싸는 제1 부분 및 제1 배관(3410)의 곧은 부분을 둘러싸는 제2 부분을 더 포함할 수 있다. 제1 제전 장치(3441')의 제2 부분은 제1 배관(3410)의 굽은부분으로부터 제1 배관(3410)을 따라 연장될 수 있다. 제1 제전 장치(3441')의 제2 부분은 제1 배관(3410)의 곧은 부분과 접할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3443)는 제2 배관(3420)의 굽은 부분의 일부를 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3443)는 제2 배관(3420)의 굽은 부분의 외측면(3422)을 커버하고, 내측면(3421)을 노출시킬 수 있다. 여기서 제2 배관(3420)의 굽은 부분의 내측면(3421)은 제2 배관(3420)의 굽은 방향에 있을 수 있고, 외측면(3422)은 내측면(3421)의 반대일 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제2 제전 장치(3443)는 제2 배관(3420)의 굽은 부분의 외측면(3422)과 접하고, 제2 배관(3420)의 굽은 부분의 내측면(3421)으로부터 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제2 배관(3420)의 굽은 부분 중 외측면(3422)만을 커버하는 제2 제전 장치(3443)를 제공함으로써, 제2 제전 장치(3443)의 제조 비용을 절감할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제3 제전 장치(3444)는 제1 배관(3410)의 일부를 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 제전 장치(3444)는 제1 배관(3410)의 굽은 부분으로부터 이격될 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 제전 장치(3444)는 제1 배관(3410)의 곧은 부분 중 마찰 전기 같은 정전기가 발생하기 쉬운 부분을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 제전 장치(3444)는 제1 배관(3410)의 곧은 부분 중 마찰 전기 같은 정전기가 발생하기 쉬운 부분과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제3 제전 장치(3444)는 제1 배관(3410)의 굽은 부분 이외의 정전기가 발생하기 쉬운 부분에 추가적으로 제공될 수 있고, 이에 따라 제1 배관(3410)에 의해 발생하는 정전기를 더욱 효과적으로 제거할 수 있다.
예시적인 실시예들에 따르면, 제4 제전 장치(3445)는 처리 용액 공급 장치(3200)의 부분을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제4 제전 장치(3445)는 처리 용액 공급 장치(3200)의 부분과 접할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제4 제전 장치(3445)는 노즐(3210)과 노즐 바(3220)의 접합부와 같이 처리 용액 공급 장치(3200)의 정전기가 발생하기 쉬운 부분을 커버할 수 있다. 예시적인 실시예들에 따르면, 제4 제전 장치(3445)는 노즐(3210)과 노즐 바(3220)의 접합부와 같이 처리 용액 공급 장치(3200)의 정전기가 발생하기 쉬운 부분과 접할 수 있다.
추가적인 제1 도전성 라인들(3541)은 제2 내지 제4 제전 장치들(3443, 3444, 3445)에 연결될 수 있다. 추가적인 제1 도전성 라인들(3541)은 제2 내지 제4 제전 장치들(3443, 3444, 3445)에 기준 전위(GND)를 인가할 수 있다. 추가적인 제1 도전성 라인들(3541)은 제2 내지 제4 제전 장치들(3443, 3444, 3445)에 정전기를 방전하기 위한 경로를 제공할 수 있다. 추가적인 제1 도전성 라인들(3541)은 접지 바(3510, 도 4 참조)에 연결될 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

Claims (20)

  1. 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트를 회전시키도록 구성된 회전 구동기를 포함하는 기판 서포터;
    상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 처리 용액 공급 장치;
    상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기;
    상기 제1 회수 용기를 상기 기판 서포터에 대해 상하로 구동하도록 구성된 승강 구동기;
    상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관;
    상기 제1 배관과 접하는 제1 제전 장치;
    상기 제1 제전 장치에 연결되는 제1 도전성 라인;을 포함하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 제전 장치는 도전성 물질을 포함하고, 상기 제1 배관의 굽은 부분을 커버하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 도전성 라인은 상기 제1 배관에 의해 생성된 정전기(Electrostatic Charge)를 방전시키기 위한 경로를 제공하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기준 전위가 인가되도록 구성된 제1 접지 바(Bar)를 더 포함하고,
    상기 제1 제전 장치는 상기 제1 도전성 라인을 통해 상기 제1 접지 바에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 회전 구동기 및 상기 승강 구동기에 연결되고 상기 기준 전위를 제공하도록 구성된 제2 접지 바를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1 접지 바 및 상기 제2 접지 바는 서로 이격된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 상기 회전 구동기 및 상기 승강 구동기를 상기 제2 접지 바에 연결시키는 제2 도전성 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    제3 접지 바;
    상기 제3 접지 바와 상기 제1 접지 바를 연결하는 제3 도전성 라인;
    상기 제3 접지 바와 상기 제2 접지 바를 연결하는 제4 도전성 라인; 및
    상기 제3 접지 바와 어스 그라운드(Earth Ground)를 연결시키는 제5 도전성 라인을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값(Resistance)은 상기 제1 도전성 라인의 단위 길이당 저항보다 더 작고,
    상기 제4 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값은 상기 제2 도전성 라인들 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제5 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값은 상기 제3 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값보다 더 작고, 및
    상기 제5 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값은 상기 제3 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값보다 더 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제1 접지 바는 상기 제3 도전성 라인, 상기 제3 접지 바 및 상기 제4 도전성 라인을 통해 상기 제2 접지 바와 간접적으로 연결된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 기판을 지지하는 기판 서포터;
    상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 노즐을 포함하는 처리 용액 공급 장치;
    상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기;
    상기 제1 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제2 회수 용기;
    상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관;
    상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관; 및
    상기 제1 배관에 의해 생성된 정전기를 제거하도록 구성된 제1 제전 장치를 포함하되,
    상기 제1 제전 장치는 도전성 물질을 포함하고, 상기 제1 배관의 굽은 부분을 둘러싸며, 상기 제1 배관의 굽은 부분과 접하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 제전 장치는, 상기 제1 배관의 상기 굽은 부분을 둘러싸는 제1 부분 및 상기 제1 배관의 곧은 부분을 둘러싸는 제2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제2 배관에 의해 생성된 정전기를 제거하도록 구성된 제2 제전 장치를 더 포함하되,
    상기 제2 제전 장치는 상기 제2 배관의 굽은 부분의 일부를 커버하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 제전 장치는 상기 제2 배관의 상기 굽은 부분의 외측면과 접하고상기 제2 배관의 상기 굽은 부분의 내측면으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 배관에 의해 생성된 정전기를 제거하도록 구성된 제3 제전 장치를 더 포함하되,
    상기 제3 제전 장치는 상기 제1 배관의 상기 굽은 부분으로부터 이격된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 처리 용액 공급 장치에 의해 생성된 정전기를 제거하도록 구성된 제4 제전 장치를 더 포함하되,
    상기 제4 제전 장치는 상기 노즐에 접하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 내지 제4 제전 장치들에 정전기를 방출하는 경로를 제공하도록 구성된 복수의 제1 도전성 라인들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 기판을 지지하도록 구성된 지지 플레이트 및 상기 지지 플레이트를 회전시키도록 구성된 회전 구동기를 포함하는 기판 서포터;
    상기 기판에 처리 용액을 공급하도록 구성된 처리 용액 공급 장치;
    상기 기판 서포터를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제1 회수 용기;
    상기 제1 회수 용기를 둘러싸고, 상기 기판으로부터 비산된 상기 처리 용액을 회수하도록 구성된 제2 회수 용기;
    상기 제1 및 제2 회수 용기들을 상기 기판 서포터에 대해 상하로 구동하도록 구성된 승강 구동기;
    상기 제1 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제1 배관;
    상기 제2 회수 용기에 연결되고 절연성 물질을 포함하는 제2 배관;

    상기 제1 배관의 굽은 부분과 접하는 제1 제전 장치;
    상기 제2 배관의 굽은 부분과 접하는 제2 제전 장치;
    상기 제1 및 제2 제전 장치들에 정전기를 방전시키기 위한 경로를 제공하는 복수의 제1 도전성 라인들;
    상기 회전 구동기 및 승강 구동기에 동작을 위한 기준 전위를 제공하도록 구성된 복수의 제2 도전성 라인들;
    상기 복수의 제1 도전성 라인들과 연결된 제1 접지 바;
    상기 복수의 제2 도전성 라인들과 연결되고 상기 제1 접지 바로부터 이격된 제2 접지 바;
    상기 제1 접지 바와 연결된 제3 도전성 라인;
    상기 제2 접지 바와 연결된 제4 도전성 라인;
    상기 제3 도전성 라인 및 상기 제4 도전성 라인과 연결된 제3 접지 바; 및
    상기 제3 접지 바와 어스 그라운드를 연결하는 제5 도전성 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제5 도전성 라인의 단위 길이당 저항 값은 상기 제3 및 제4 도전성 라인들 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작고, 및
    상기 제3 및 제4 도전성 라인들 각각의 단위 길이당 저항 값은 상기 제1 및 제2 도전성 라인들 각각의 단위 길이당 저항 값보다 더 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
KR1020210194466A 2021-12-31 2021-12-31 기판 처리 장치 KR102651516B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210194466A KR102651516B1 (ko) 2021-12-31 2021-12-31 기판 처리 장치
JP2022201229A JP2023099487A (ja) 2021-12-31 2022-12-16 基板処理装置
US18/069,478 US20240213077A1 (en) 2021-12-31 2022-12-21 Substrate processing apparatus
CN202211716828.8A CN116387191A (zh) 2021-12-31 2022-12-26 衬底处理设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210194466A KR102651516B1 (ko) 2021-12-31 2021-12-31 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20230103525A true KR20230103525A (ko) 2023-07-07
KR102651516B1 KR102651516B1 (ko) 2024-03-28

Family

ID=86966263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210194466A KR102651516B1 (ko) 2021-12-31 2021-12-31 기판 처리 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240213077A1 (ko)
JP (1) JP2023099487A (ko)
KR (1) KR102651516B1 (ko)
CN (1) CN116387191A (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170137238A (ko) * 2016-06-02 2017-12-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2019029492A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社Screenホールディングス 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
KR20200062831A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170137238A (ko) * 2016-06-02 2017-12-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
JP2019029492A (ja) * 2017-07-28 2019-02-21 株式会社Screenホールディングス 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
KR20200062831A (ko) * 2018-11-27 2020-06-04 삼성전자주식회사 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN116387191A (zh) 2023-07-04
US20240213077A1 (en) 2024-06-27
KR102651516B1 (ko) 2024-03-28
JP2023099487A (ja) 2023-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102675393B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템
US6615854B1 (en) Wafer cleaning apparatus
US20150228518A1 (en) Fume removal device and substrate treatment device
KR102465644B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
TWI568892B (zh) 用以清潔電鍍用基板支架的清潔裝置及使用清潔裝置移除電鍍用基板支架上的污染物的方法
US10497557B2 (en) Integrated platform for improved wafer manufacturing quality
KR102493554B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR102573015B1 (ko) 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체
KR102651516B1 (ko) 기판 처리 장치
EP1697969B1 (en) Edge wheel dry manifold
TWI714925B (zh) 半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法
JP7370259B2 (ja) 基板処理装置
KR102175119B1 (ko) 처리 유체 공급 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP7170733B2 (ja) 基板処理方法および基板処理システム
KR20230129812A (ko) 기판 처리 장치 및 이를 모니터링 하는 방법
KR20080057087A (ko) 웨이퍼 습식 세정 장비 및 이를 이용한 습식 세정 방법
JP3228915B2 (ja) 半導体処理装置および処理方法
KR101550526B1 (ko) 클러스터형 반도체 제조장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20240068548A (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기판
CN117941049A (zh) 用于基板的湿式清洁喷洒处理腔室
CN112825303A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
KR20200077118A (ko) 기판 세정 장치
KR20080020387A (ko) 웨이퍼 세정방법
KR20090069977A (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
KR20080057088A (ko) 웨이퍼 습식 세정 장비 및 이를 이용한 습식 세정 방법

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right