KR20090069977A - 습식세정장치 및 기판처리방법 - Google Patents

습식세정장치 및 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090069977A
KR20090069977A KR1020070137820A KR20070137820A KR20090069977A KR 20090069977 A KR20090069977 A KR 20090069977A KR 1020070137820 A KR1020070137820 A KR 1020070137820A KR 20070137820 A KR20070137820 A KR 20070137820A KR 20090069977 A KR20090069977 A KR 20090069977A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
processing
substrate
processing line
line
cleaning
Prior art date
Application number
KR1020070137820A
Other languages
English (en)
Inventor
김건우
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020070137820A priority Critical patent/KR20090069977A/ko
Publication of KR20090069977A publication Critical patent/KR20090069977A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

기판의 처리 시간을 단축하고 처리 효율을 향상시킬 수 있는 습식세정장치 및 기판처리방법이 개시된다. 습식세정장치는 기판이 준비되는 세정준비부, 세정준비부에 인접하게 제공되어 기판을 처리하는 제1처리라인, 제1처리라인을 마주하도록 제공되어 기판을 처리하는 제2처리라인을 포함하는 세정처리부; 및 제1처리라인 및 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 기판을 이송하는 이송유닛을 포함한다.
세정준비부, 제1처리라인, 제2처리라인, 세정처리부, 이송유닛

Description

습식세정장치 및 기판처리방법{WET STATION AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 습식세정장치 및 기판처리방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 기판의 처리 시간을 단축하고 처리 효율을 향상시킬 수 있는 습식세정장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 리소그래피, 증착 및 에칭 등의 공정을 반복적으로 수행한다. 이러한 공정들을 거치는 동안 기판(예를 들어 실리콘 웨이퍼) 상에는 각종 파티클, 금속 불순물, 유기물 등이 잔존하게 된다. 이와 같은 오염 물질은 제품의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미치기 때문에 반도체 제조 공정에서는 기판에 잔존된 오염 물질을 제거하기 위한 세정 공정이 수행되고, 세정 공정 후에는 웨이퍼에 대한 건조 공정이 수행된다.
이와 같이 기판을 세정하는 방식은 처리 방식에 따라 크게 건식(Dry)세정방식과, 습식(Wet)세정방식으로 구분될 수 있다. 그 중 습식세정방식은 여러 가지 약액이 일정 비율로 혼합된 세정액이 수용된 세정조 내부에 기판을 일정시간 침지시켜 기판을 세정하는 방식을 말한다.
일반적으로 습식세정장치에서 기판은 세정처리부의 처리 경로를 따라 이송되며 일련의 처리 과정을 거치게 된다.
그런데, 종래 습식세정장치는 기판의 세정 처리가 이루어지는 세정처리부가 단일 라인(single line) 방식으로 구성됨에 따라 기판의 처리 시간 및 처리 효율을 일정 이상 향상시키기 어려운 문제점이 있다. 더욱이 단일 라인 방식의 세정처리부가 채용된 습식세정장치는 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 다양한 공정을 구현하기 어려운 문제점이 있다.
이에 따라, 최근에는 기판의 처리 시간을 단축하고 처리 능력을 향상시킬 수 있도록 한 다양한 방식의 습식세정장치에 관한 여러 가지 검토가 이루어지고 있다.
본 발명은 기판의 처리 시간을 단축할 수 있으며, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있는 습식세정장치 및 기판처리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 기판의 처리 플로우를 다양하게 변경할 수 있는 습식세정장치 및 기판처리방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 공간활용성을 향상시킬 수 있으며, 장비의 소형화에 기여할 수 있는 습식세정장치 및 기판처리방법을 제공한다.
상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 습식세정장치는 기판이 준비되는 세정준비부, 세정준비부에 인접하게 제공되어 기판을 처리하는 제1처리라인, 제1처리라인을 마주하도록 제공되어 기판을 처리하는 제2처리라인을 포함하는 세정처리부; 및 제1처리라인 및 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 기판을 이송하는 이송유닛을 포함한다.
제1 및 제2처리라인의 구조 및 방식은 요구되는 조건 및 처리환경에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 제1 및 제2처리라인은 적어도 하나의 세정조 및 건조챔버를 포함하여 구성될 수 있다. 아울러, 제1처리라인 및 제2처리라인은 서로 동일 또는 다른 처리 플로우를 갖도록 구성될 수 있다. 여기서 각 처리라인이 서로 다른 처리 플로우를 갖는다 함은 각 처리라인을 구성하는 세정조 또는 건조챔버의 종류 및 순서가 서로 상이하게 배치됨을 의미한다.
이송유닛은 제1처리라인 및 제2처리라인의 사이에 배치될 수 있으며, 이송유닛으로서는 직선이동 및 회전이동 가능한 통상의 로봇이 사용될 수 있다. 아울러, 이송유닛의 배치구조 및 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 이송유닛은 제1처리라인(또는 제2처리라인)을 따라 이송될 수 있으며, 기판은 이송유닛에 파지된 상태로 제1처리라인(또는 제2처리라인)의 처리 경로를 따라 이송되며 일련의 처리 과정을 거치게 된다. 다른 일 예로서, 이송유닛은 제1처리라인과 제2처리라인 사이를 오가며 제1처리라인 또는 제2처리라인을 따라 기판을 이송하도록 구성될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 기판이 준비되는 세정준비부, 세정준비부에 인접하게 제공되어 기판을 처리하는 제1처리라인 및 제1처리라인을 마주하도록 제공되어 기판을 처리하는 제2처리라인을 포함하는 세정처리부, 제1처리라인 및 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 기판을 이송하는 이송유닛을 포함하는 습식세정장치의 기판처리방법은, 기판을 세정준비부에 준비시키는 단계, 준비된 기판을 제1처리라인 및 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 처리하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 습식세정장치 및 기판처리방법에 의하면, 듀얼 라인 방식으로 구성된 두개의 처리라인을 통해 기판이 세정 처리될 수 있게 함으로써, 기판의 처리 시간을 단축할 수 있으며, 기판의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 두개의 처리라인을 동시에 이용하여 기판을 처리할 수 있기 때문에 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 기판의 처리 플로우를 다양하게 변경할 수 있다. 더욱이, 본 발명에 따르면 두개의 처리라인을 동시에 이용하여 기판을 처리할 수 있기 때문에 장비의 길이를 보다 소형으로 제작할 수 있으며, 공간활용성 및 설계자유도를 향상시킬 수 있다.
이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 참고로, 본 설명에서 동일한 번호는 실질적으로 동일한 요소를 지칭하며, 상기 규칙 하에서 다른 도면에 기재된 내용을 인용하여 설명할 수 있고, 당업자에게 자명하다고 판단되거나 반복되는 내용은 생략될 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 습식세정장치의 구조를 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 습식세정장치로서, 세정처리부의 구조 및 처리 플로우를 도시한 도면이다. 또한, 도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 습식세정장치로서, 세정처리부의 구조 및 처리 플로우를 도시한 도면이다.
본 발명에 따른 습식세정장치는 세정준비부, 듀얼 처리라인을 구비한 세정처리부 및 이송유닛을 포함한다. 아울러 듀얼 처리라인을 구비한 세정처리부의 기술적 구성은 통상의 프론트타입 습식세정장치 및 통상의 사이드타입 습식세정장치 등에 적용될 수 있으며, 습식세정장치의 처리 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
여기서 사이드타입 습식세정장치라 함은 처리될 기판이 장비의 일측으로 로 딩되고, 처리가 완료된 기판이 다시 로딩된 측으로 언로딩되도록 구성된 습식세정장치를 의미한다. 그리고, 프론트타입 습식세정장치라 함은 기판이 장비의 일측으로 로딩되고, 처리가 완료된 기판은 장비의 다른 일측으로 언로딩되도록 구성된 습식세정장치를 의미한다. 이하에서는 본 발명이 사이드타입 습식세정장치에 적용된 예를 들어 설명하기로 한다.
도 1 내지 도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 습식세정장치는 사이드타입 습식세정장치로서, 반출입부(110), 세정준비부(120), 세정처리부(200) 및 이송유닛(300)을 포함한다.
상기 반출입부(110)는 소정 매수의 기판이 그룹 단위로 수용되는 풉(FOUP : Front Opening Unified Pod)(미도시)이 로딩 및 언로딩될 수 있도록 제공된다. 즉, 상기 반출입부(110)는 장비 일측에 제공되며, 이 반출입부(110)에서는 처리될 기판이 수용된 풉이 로딩되거나, 처리 완료된 기판이 수용된 풉이 언로딩될 수 있다. 또한, 상기 반출입부(110)의 일측에는 풉보관부가 제공될 수 있으며, 풉보관부의 선반 상에는 복수개의 풉이 예비 적재될 수 있다.
상기 세정준비부(120)는 반출입부(110)에 인접하게 제공되며, 처리될(또는 처리 완료된)기판이 적당한 형태로 배치 및 배열될 수 있다. 즉, 상기 세정준비부(120)에서는 반출입부(110)에 로딩된 풉으로부터 기판이 세정 처리전에 적당한 배열 형태로 준비될 수 있으며, 이러한 세정준비부(120)의 구조 및 방식은 요구되는 조건 및 설계환경에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
일 예로, 세정준비부(120)에는 풉 내부에 수납된 처리될 기판 그룹을 풉 외 부로 반출해 내거나 처리 완료된 기판 그룹을 풉 내부로 반입시키는 덤핑로봇(130), 기판 그룹을 인계받아 정렬시키는 푸셔유닛(140), 기판 그룹이 처리될 또는 처리 완료된 기판이 대기되는 버퍼유닛(150)이 구비될 수 있다. 이러한 구조에 의해, 세정 처리될 기판은 덤핑로봇(130)에 의해 인출된 후 푸셔유닛(140)을 거쳐 버퍼유닛(150)에서 대기될 수 있으며, 그 후 세정처리부(200)를 따라 일련의 처리 과정을 거치게 된다.
상기 세정처리부(200)는 세정준비부(120)에 준비된 기판을 세정 및 건조 처리하기 위해 제공되는 바, 상기 세정준비부(120)에 인접하게 제공되어 기판을 처리하는 제1처리라인(210), 상기 제1처리라인(210)을 마주하도록 제공되어 기판을 처리하는 제2처리라인(220)을 포함하여 구성된다.
상기 제1 및 제2처리라인(210,220)의 구조 및 방식은 요구되는 조건 및 처리환경에 따라 다양하게 변경될 수 있다. 일 예로, 상기 제1 및 제2처리라인(210,220)은 적어도 하나의 세정조 및 건조챔버를 포함하여 구성될 수 있는 바, 기판의 세정 공정은 여러 가지 약액이 일정 비율로 혼합된 세정액이 수용된 세정조 내부에 기판을 일정시간 침지 시킴으로써 구현될 수 있고, 기판의 건조 공정은 기판을 순수(DIW : Distilled Water) 안에서 수직 방향으로 건조챔버로 끌어올림과 동시에 이소프로필 알콜(IPA : Iso-Propyl Alcohol) 및 질소가스를 기판 표면의 기액(氣液)계면 부근에 불어 넣는 것에 의해 마란고니 효과(Marangoni effect)를 발생시킴으로써 구현될 수 있다.
아울러, 상기 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220)은 서로 동일 또는 다른 처리 플로우를 갖도록 구성될 수 있다.
일 예로, 세정처리부(200)를 구성하는 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220)은 동일한 처리 플로우를 갖도록 구성될 수 있다. 즉, 도 2에서 도시한 바와 같이, 제1처리라인(210)은 SPM(sulfuric acid peroxide mixture) 세정액을 이용하는 제1 SPM 세정조(211) 및 제2 SPM 세정조(212), 핫 퀵 드레인 린스(hot quick drain rinse)를 수행하는 제1 HQDR 세정조(213), LAL 용액을 이용하는 LAL 세정조(214), 오버 플로우(over flow) 린스를 수행하는 O/F 세정조(215), SC-1(standard clean-1) 세정액을 이용하는 SC-1 세정조(216), 제2 HQDR 세정조(217), 건조 처리를 수행하는 건조챔버(218)가 순차적으로 배치되어 구성될 수 있다. 또한, 제2처리라인(220) 역시 제1처리라인(210)과 동일일 방식으로 SPM(sulfuric acid peroxide mixture) 세정액을 이용하는 제1 SPM 세정조(221) 및 제2 SPM 세정조(222), 핫 퀵 드레인 린스(hot quick drain rinse)를 수행하는 제1 HQDR 세정조(223), LAL 용액을 이용하는 LAL 세정조(224), 오버 플로우(over flow) 린스를 수행하는 O/F 세정조(225), SC-1(standard clean-1) 세정액을 이용하는 SC-1 세정조(226), 제2 HQDR 세정조(227), 건조 처리를 수행하는 건조챔버(228)가 순차적으로 배치되어 구성될 수 있다.
경우에 따라서는, 세정처리부(200')를 구성하는 제1처리라인(210') 및 제2처리라인(220')이 서로 다른 처리 플로우를 갖도록 구성될 수 있다. 즉, 도 3에서 도시한 바와 같이, 상기 제1처리라인(210')은 SPM(sulfuric acid peroxide mixture) 세정액을 이용하는 제1 SPM 세정조(211') 및 제2 SPM 세정조(212'), LAL 용액을 이 용하는 LAL 세정조(213'), 오버 플로우(over flow) 린스를 수행하는 O/F 세정조(214'), SC-1(standard clean-1) 세정액을 이용하는 SC-1 세정조(215'), 핫 퀵 드레인 린스(hot quick drain rinse)를 수행하는 HQDR 세정조(216'), 건조 처리를 수행하는 건조챔버(217')가 순차적으로 배치되어 구성될 수 있다. 이에 반해, 제2처리라인(220')은 SPM(sulfuric acid peroxide mixture) 세정액을 이용하는 제1 SPM 세정조(221') 및 제2 SPM 세정조(222'), 핫 퀵 드레인 린스(hot quick drain rinse)를 수행하는 HQDR 세정조(223'), LAL 용액을 이용하는 LAL 세정조(224'), 오버 플로우(over flow) 린스를 수행하는 O/F 세정조(225'), SC-1(standard clean-1) 세정액을 이용하는 SC-1 세정조(226'), 건조 처리를 수행하는 건조챔버(227')가 순차적으로 배치되어 구성될 수 있다.
한편, 상기 이송유닛(300)은 제1처리라인(210,210') 및 상기 제2처리라인(220,220')의 사이에 배치되어 제1처리라인(210,210') 및 제2처리라인(220,220') 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 기판을 이송하기 위해 제공된다. 따라서, 기판은 이송유닛(300)에 파지된 상태로 제1처리라인(210,210') 및/또는 제2처리라인(220,220')의 처리 경로를 따라 이송되며 일련의 처리 과정을 거치게 된다. 이러한 이송유닛(300)으로서는 직선이동 및 회전이동 가능한 통상의 로봇이 사용될 수 있으며, 이송유닛(300)의 구조 및 방식에 의해 본 발명이 제한되거나 한정되는 것은 아니다.
일 예로, 상기 이송유닛(300)은 제1처리라인(210)(또는 제2처리라인(220))을 따라 이송될 수 있으며, 기판은 이송유닛(300)에 파지된 상태로 제1처리라인 (210)(또는 제2처리라인(220))의 처리 경로를 따라 이송되며 일련의 처리 과정을 거치게 된다.
경우에 따라서는 상기 이송유닛(300)이 제1처리라인(210')과 제2처리라인(220') 사이를 오가며 제1처리라인(210') 또는 제2처리라인(220')을 따라 기판을 이송하도록 구성될 수 있다. 이와 같은 구조에서는 기판의 전체적인 처리 경로가 제1처리라인(210') 처리 경로의 일부 및 제2처리라인(220') 처리 경로의 일부에 의해 결정될 수 있다. 일 예로, 상기 이송유닛(300)은 상기 제1처리라인(210')의 어느 하나의 세정조로부터 인접한 제1처리라인(210')의 다른 세정조로 기판을 이송할 수 있고, 그 후 이송유닛(300)은 제1처리라인(210')의 세정조로부터 제2처리라인(220')의 세정조로 기판을 이송할 수 있다.
아울러, 전술한 바와 같이 제1처리라인(210') 및 제2처리라인(220')을 오가며 기판을 처리하는 구조에서는 두개의 처리라인을 동시에 이용할 수 있기 때문에 장비의 길이를 보다 소형으로 제작할 수 있다. 즉, 도 3과 같이 세정처리부(200')의 길이를 보다 소형으로 제작할 수 있다.
한편, 전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 세정처리부가 두개의 처리라인을 포함하여 구성된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 세정처리부가 3개 이상의 처리라인을 포함하여 구성될 수도 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 기판처리장치를 이용한 기판처리방법을 설명하기로 한다. 아울러, 전술한 구성과 동일 및 동일 상당 부분에 대해서는 동일 또는 동일 상당한 참조 부호를 부여하고, 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 습식세정장치의 기판처리방법은 기판을 세정준비부(120)에 준비시키는 단계, 준비된 상기 기판을 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220) 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 처리하는 단계를 포함한다.
먼저, 반출입부(110)에 로딩된 풉으로부터 처리될 기판을 세정준비부(120)에 준비시킨다. 전술한 바와 같이 세정준비부(120)에는 덤핑로봇, 푸셔유닛 및 버퍼유닛이 제공될 수 있으며, 처리될 기판은 덤핑로봇에 의해 풉으로부터 인출된 후 푸셔유닛을 거쳐 버퍼유닛에서 대기될 수 있다.
다음, 준비된 기판을 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220) 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 이송하며 처리한다. 이 단계에서 기판은 이송유닛(300)에 의해 파지된 상태로 세정처리부(200)의 제1처리라인(210) 또는 제2처리라인(220)을 따라 이송되며 세정 및 건조 처리될 수 있다. 다르게는 이 단계에서 기판이 이송유닛(300)에 의해 파지된 상태로 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220)을 오가며 처리될 수 있는 바, 이와 같은 방식은 기판의 전체적인 처리 경로가 제1처리라인(210) 처리 경로의 일부 및 제2처리라인(220) 처리 경로의 일부에 의해 결정될 수 있게 한다.
일 예로, 기판을 처리하는 단계에서 기판은 도 2의 P1 및 P2와 같이 제1처리라인(210) 또는 제2처리라인(220)을 따라 처리될 수 있다. 다른 일 예로서, 기판을 처리하는 단계에서 기판은 도 3의 P3와 같이 제1처리라인(210') 처리 경로의 일부 및 제2처리라인(220') 처리 경로의 일부를 통해 처리될 수 있다.
아울러 상기 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220)은 요구되는 조건 및 세 정 환경에 따라 다양하게 변경될 수 있으며, 제1처리라인(210,210') 및 제2처리라인(220,220')은 도 2 또는 도 3과 같이 서로 동일 또는 다른 처리 플로우를 갖도록 구성될 수 있다.
전술 및 도시한 본 발명의 실시예에서는 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220)이 서로 다른 처리 플로우를 갖도록 구성된 상태에서, 이송유닛(300)이 제1처리라인(210)과 제2처리라인(220)을 오가며 도 3의 P3과 같은 처리 경로가 결정된 예를 들어 설명하고 있지만, 경우에 따라서는 제1처리라인 및 제2처리라인이 서로 동일한 처리 플로우를 갖도록 구성된 상태에서도 도 3의 P3과 같은 처리 경로(미도시)가 구현될 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 두개의 처리라인을 동시에 이용하여 기판을 처리할 수 있는 바, 이와 같은 방식은 기판의 처리 시간을 단축하고 스루풋을 향상시킬 수 있게 한다. 더욱이 본 발명에 따르면 두개의 처리라인을 동시에 이용하여 기판을 처리할 수 있기 때문에 요구되는 조건 및 처리 환경에 따라 기판의 처리 플로우를 다양하게 변경할 수 있다.
한편, 도 2의 P1 및 P2와 같이 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220) 중 어느 하나를 따라 기판이 처리되는 동안에는 제1처리라인(210) 및 제2처리라인(220) 중 다른 하나가 새로운 처리 플로우를 갖도록 세팅될 수 있다. 이와 같은 방식은 처리라인의 세팅을 위한 별도의 대기 시간 및 세팅 시간없이 기판의 처리 플로우를 변경할 수 있게 하며, 기판의 처리 시간을 단축하고 처리 효율을 향상시킬 수 있게 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 습식세정장치의 구조를 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 습식세정장치로서, 세정처리부의 구조 및 처리 플로우를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 습식세정장치로서, 세정처리부의 구조 및 처리 플로우를 도시한 도면이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110 : 반출입부 120 : 세정준비부
200 : 세정처리부 210 : 제1처리라인
220 : 제2처리라인 300 : 이송유닛

Claims (7)

  1. 기판이 준비되는 세정준비부;
    상기 세정준비부에 인접하게 제공되어 상기 기판을 처리하는 제1처리라인, 상기 제1처리라인을 마주하도록 제공되어 상기 기판을 처리하는 제2처리라인을 포함하는 세정처리부; 및
    상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 상기 기판을 이송하는 이송유닛;을 포함하는 습식세정장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인은 서로 동일 또는 다른 처리 플로우를 갖는 것을 특징으로 하는 습식세정장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인은 적어도 하나의 세정조 및 건조챔버를 포함하고,
    상기 이송유닛은 상기 제1처리라인과 상기 제2처리라인 사이를 오가며 상기 제1처리라인 또는 상기 제2처리라인을 따라 상기 기판을 이송하는 것을 특징으로 하는 습식세정장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 이송유닛은 상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인의 사이에 직선이동 및 회전운동 가능하게 제공되는 것을 특징으로 하는 습식세정장치.
  5. 기판이 준비되는 세정준비부, 상기 세정준비부에 인접하게 제공되어 상기 기판을 처리하는 제1처리라인 및 상기 제1처리라인을 마주하도록 제공되어 상기 기판을 처리하는 제2처리라인을 포함하는 세정처리부, 상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 상기 기판을 이송하는 이송유닛을 포함하는 습식세정장치의 기판처리방법으로서,
    기판을 세정준비부에 준비시키는 단계; 및
    준비된 상기 기판을 상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인 중 적어도 어느 하나의 처리 경로를 따라 처리하는 단계;를 포함하는 습식세정장치의 기판처리방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 기판을 처리하는 단계에서 상기 이송유닛은 상기 제1처리라인과 상기 제2처리라인 사이를 오가며 상기 제1처리라인 또는 상기 제2처리라인을 따라 상기 기판을 이송하는 것을 특징으로 하는 습식세정장치의 기판처리방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1처리라인 및 상기 제2처리라인은 서로 동일 또는 다른 처리 플로우를 갖도록 제공되는 것을 특징으로 습식세정장치의 기판처리방법.
KR1020070137820A 2007-12-26 2007-12-26 습식세정장치 및 기판처리방법 KR20090069977A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137820A KR20090069977A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 습식세정장치 및 기판처리방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070137820A KR20090069977A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 습식세정장치 및 기판처리방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090069977A true KR20090069977A (ko) 2009-07-01

Family

ID=41321568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070137820A KR20090069977A (ko) 2007-12-26 2007-12-26 습식세정장치 및 기판처리방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090069977A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012108712A2 (ko) * 2011-02-10 2012-08-16 Jeong In Kwon 반도체 기판 세정 장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012108712A2 (ko) * 2011-02-10 2012-08-16 Jeong In Kwon 반도체 기판 세정 장치
WO2012108712A3 (ko) * 2011-02-10 2012-11-29 Jeong In Kwon 반도체 기판 세정 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8235061B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20110135428A1 (en) Substrate-processing apparatus and method of transferring substrate in the same
US6620260B2 (en) Substrate rinsing and drying method
US20060237033A1 (en) Cleaning apparatus and method
US20090139548A1 (en) Apparatus and method of rinsing and drying semiconductor wafers
JP2002050600A (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
CN114068302A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
TWI776077B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
KR100920323B1 (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
KR20090069977A (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
JP2009239000A (ja) 基板処理システム
JP7560354B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4541422B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR100921638B1 (ko) 습식 세정 장치
JPH11145105A (ja) 洗浄装置
JP2011060895A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR20090055422A (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
KR100872995B1 (ko) 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
JPH08195372A (ja) 洗浄装置およびその方法
KR20060059785A (ko) 3베쓰 1배치식 웨이퍼 자동세정장치
KR20100024220A (ko) 기판 처리장치 및 이의 기판 이송 방법
KR100930823B1 (ko) 습식세정장치 및 기판처리방법
KR20080057088A (ko) 웨이퍼 습식 세정 장비 및 이를 이용한 습식 세정 방법
US20240116086A1 (en) Substrate processing facility and substrate processing method
JPH1140531A (ja) 洗浄システム，洗浄装置及び洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application