CN116387191A - 衬底处理设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 170
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 101
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 77
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 40
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N Dimethyl ether Chemical compound COC LCGLNKUTAGEVQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 organic residues Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000004148 unit process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
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- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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Abstract
提供了一种衬底处理设备。所述衬底处理设备可以包括支撑衬底的衬底支撑件、向所述衬底供应处理溶液的处理溶液供给器、被配置成回收处理溶液的第一回收容器和第二回收容器、连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料的第一管道、连接到第二回收容器并且包括绝缘材料的第二管道、与所述第一管道接触的第一静电消除器、与所述第二管道接触的第二静电消除器、以及连接到所述第一静电消除器和所述第二静电消除器的多根第一导线。
Description
相关专利申请的交叉引用
本申请基于、并且根据35 U.S.C.§119要求于2021年12月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0194466号的优先权,所述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及衬底处理设备。
背景技术
残留在衬底表面上的诸如颗粒、有机残留物、和金属残留物之类污染物极大地影响半导体器件的特性和生产良率。去除衬底表面上的污染物的工艺称为清洁工艺。所述清洁工艺是半导体制造工艺中的关键因素,并且在用于制造半导体器件的每个单元工艺之前和之后执行所述清洁工艺。
所述清洁工艺包括将各种处理溶液施加到半导体衬底上的工艺,并且所述清洁工艺中使用的处理溶液通过与清洁设备的回收容器连接的管道被回收。
发明内容
提供了具有改善的可靠性的衬底处理设备。
将在下面的描述中部分地阐述另外的方面,并且,所述另外的方面将部分地根据所述描述而是显而易见的,或者可以通过本公开所呈现的实施例的实践而被理解。
根据本发明的一个方面,提供了一种衬底处理设备。所述衬底处理设备可以包括:衬底支撑件,所述衬底支撑件包括被配置成支撑板的支撑板和被配置成旋转所述支撑板的旋转致动器;处理溶液供给器,所述处理溶液供给器被配置成向所述衬底供给处理溶液;第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;第二回收容器,所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;提升致动器,所述提升致动器被配置成相对于所述衬底支撑件上下移动所述第一回收容器和所述第二回收容器;第一管道,所述第一管道连接至所述第一回收容器并且包括绝缘材料;第二管道,所述第二管道连接至所述第二回收容器并且包括绝缘材料;第一静电消除器,所述第一静电消除器与所述第一管道接触;第二静电消除器,所述第二静电消除器与所述第二管道接触;和多根第一导线,所述多根第一导线连接至所述第一静电消除器和所述第二静电消除器。
根据本发明的另一个方面,提供了一种衬底处理设备。所述衬底处理设备可以包括:衬底支撑件,所述衬底支撑件支撑衬底;处理溶液供给器,所述处理溶液供给器包括喷嘴,所述喷嘴被配置成向所述衬底供给处理溶液;第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;第二回收容器,所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液;第一管道,所述第一管道连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料;第二管道,所述第二管道连接到所述第二回收容器并且包括绝缘材料;和第一静电消除器,所述第一静电消除器被配置成去除由所述第一管道产生的静电荷;其中,所述第一静电消除器可以包括导电材料,可以围绕所述第一管道的弯曲部分,并且可以与所述第一管的所述弯曲部分接触。
衬底处理设备可以包括:衬底支撑件,所述衬底支撑件包括被配置成支撑衬底的支撑板和被配置成旋转所述支撑板的旋转致动器;处理溶液供给器,所述处理溶液供给器被配置成向所述衬底供给处理溶液;第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;第二回收容器,所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液;第三回收容器,所述第三回收容器围绕所述第二回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液;提升致动器,所述提升致动器被配置成相对于衬底支撑件上下移动所述第一回收容器、所述第二回收容器和所述第三回收容器;第一管道,所述第一管道连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料;第二管道,所述第二管道连接到所述第二回收容器并且包括绝缘材料;第三管道,所述第三管道连接到所述第三回收容器并且包括绝缘材料;第一静电消除器,所述第一静电消除器与所述第一管道的弯曲部分接触;第二静电消除器,所述第二静电消除器与所述第二管道的弯曲部分接触;多根第一导线,所述多根第一导线提供用于将静电荷释放到第一静电消除器和第二静电消除器以及所述第三管道的路径;多根第二导线,所述多根第二导线被配置成向所述旋转致动器和所述提升致动器提供用于使所述旋转致动器和所述提升致动器进行操作的接地电位;第一接地条,所述第一接地条连接到所述多根第一导线;第二接地条,所述第二接地条连接到所述多根第二导线并且与所述第一接地条间隔开;第三导线,所述第三导线连接到所述第一接地条;第四导线,所述第四导线连接到所述第二接地条;第三接地条,所述第三接地条连接到所述第三导线和所述第四导线;和第五导线,所述第五导线将所述第三接地条连接到接地线。
附图说明
本公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将根据结合所附附图进行的下列描述而变得更加显而易见,在附图中:
图1是用于说明根据实施例的衬底处理系统的平面图;
图2是用于说明图1的第一衬底处理设备的横截面视图;
图3是示出第一静电消除器和第一管道的透视图;
图4是用于说明根据实施例的第一衬底处理设备的静电消除动作的框图;和
图5是用于说明根据其他实施例的第一衬底处理设备的横截面视图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例,其示例如附图中所图示,贯穿所有附图中相同的附图标记指代相同的元件。在这方面,当前实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为受限于本文所阐述的描述。因此,以下仅通过参考附图来描述实施例,以解释本说明书的各方面。
以下,将参考附图详细描述实施例。附图中相同的附图标记用于相同的部件,并且将省略其冗余描述。
图1是用于说明根据实施例的衬底处理系统100的平面图。
参考图1,衬底处理系统100可以包括移载传送模块1000和处理模块2000。
所述移载传送模块1000可以从外部接收衬底S(见图2),并且将衬底S(参见图2)转移到所述处理模块2000,所述处理模块2000可以使用超临界流体执行清洁工艺和干燥工艺。
所述移载传送模块1000是设备前端模块(EFEM),并且可以包括装载端口1100和传输框架1200。
装载端口1100可以容纳容器C,衬底S(见图2)被存储在容器C中。作为非限制性示例,容器C可以是前开式传送盒(FOUP)。容器C可以通过悬架转移(OHT)系统从外部输入到装载端口1100或从装载端口1100输出到外部。
转移框架1200可以在被置于装载端口1100中的容器C和处理模块2000之间传送衬底S(参见图2)。所述转移框架1200可以包括移载传送机器人1210和移载传送轨道1220。移载传送机器人1210可以配置为在移载传送轨道1220上移动。因此,移载传送机器人1210可以移动到与处理模块2000和容器C中的一个相邻的位置以及移动至处理模块2000,衬底S(见图2)从容器C中被取出或衬底S(图2)被存储在容器C中。
处理模块2000是处理衬底以制造半导体器件的模块,并且可以包括缓冲室2100、转移室2200、多个第一衬底处理设备3000、和多个第二衬底处理设备4000。
缓冲室2100可以临时存储从移载传送模块1000转移到处理模块2000或从处理模块2000转移到移载传送模块1000的衬底S(见图2)。缓冲室2100可以包括缓冲槽,衬底S(参见图2)被放置在缓冲槽中。
转移室2200可以将衬底S(见图2)转移到缓冲室2100、第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000,缓冲室2100、第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000布置成与转移轨道2220相邻。转移室2200可以包括转移机器人2210和转移轨道2222。转移机器人2210可以移动到转移轨道2220上的与第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000相邻的位置,以便将衬底S(参见图2)转移到第一衬底处理装置3000和第二衬底处理装置4000。
多个第一衬底处理设备3000和多个第二衬底处理设备4000可以执行清洁工艺。可以由所述多个第一衬底处理设备3000中的一个以及所述多个第二衬底处理设备4000中的一个来循序地执行清洁工艺。所述多个第一衬底处理设备3000中的每一个可以被配置成在衬底S(参见图2)上执行包括化学工艺、冲洗工艺和有机溶剂工艺的清洁工艺,并且所述多个第二衬底处理设备4000中的每一个可以被配置成在已经执行了所述清洁工艺的衬底S(见图2)上使用超临界流体执行干燥处理。
所述多个第一衬底处理设备3000和所述多个第二衬底处理设备4000可以沿着转移室2200的侧表面布置。例如,所述多个第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000可以彼此间隔开,其中,所述转移室2200位于所述多个第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000之间。
第一衬底处理设备3000和第二衬底处理设备4000中的每一种设备的数量和布置不限于上述示例,并且可以考虑各种因素(诸如衬底处理系统100的占地面积和处理效率)而被适当地改变。
图2是用于说明图1的第一衬底处理设备3000的横截面视图。
图3是示出第一静电消除器3441和第一管道3410的透视图。
参考图2和图3,第一衬底处理设备3000可以执行化学工艺、冲洗工艺和有机溶剂工艺。第一衬底处理设备3000可以选择性地仅执行化学工艺、冲洗工艺和有机溶剂工艺中的一些工艺。
就此而言,所述化学工艺是通过向衬底S提供清洗剂来去除衬底S上的异物的工艺,冲洗工艺是通过向衬底S提供冲洗剂来去除残留在衬底S上的清洁剂的工艺,并且有机溶剂工艺是通过向衬底S提供有机溶剂,利用具有比冲洗剂的表面张力更低的表面张力的有机溶剂替换残留在衬底S的电路图案之间的冲洗剂的工艺。
衬底支撑件3100支撑并且固定所述衬底S,并且可以沿垂直于衬底S的上表面的作为轴线的方向旋转所述衬底S。所述衬底支撑件3100可以包括支撑板3110、支撑销3111、夹紧销3112、旋转轴3120、和旋转致动器3130。
在这方面,所述衬底S可以是半导体晶片。所述衬底S可以包括例如硅(Si)。所述衬底S可以包括半导体材料,诸如锗(Ge),或化合物半导体,诸如碳化硅(SiC)、砷化镓(GaAs)、砷化铟(InAs)和磷化铟(InP)。
支撑销3111和夹紧销3112可以被设置在支撑板3110的上表面上。支撑销3112可以支撑衬底S,且夹紧销3111可以固定被支撑的衬底S。根据实施例,支撑销3111和夹紧销3112可以便于拾取和放置衬底S,并且衬底S的后表面可以与支撑板3110的上表面间隔开,以防止衬底S的后表面受到污染。
支撑板3110可以连接至旋转轴3120。旋转轴312可以将扭矩从旋转致动器3130传递至支撑板3112,以便旋转所述支撑板3110。因此,位于支撑板3110上的衬底S可以旋转。此时,夹紧销3112可以防止衬底S偏离其常规位置。
处理溶液供给器3200可以被配置成将处理溶液喷洒到衬底S上。处理溶液可以包括清洁剂、冲洗剂和有机溶剂。处理溶液供给器3200可以包括喷嘴3210、喷嘴杆3220、喷嘴轴3230和喷嘴轴致动器3240。
作为非限制性示例,清洁剂可以包括过氧化氢(H2O2)、氨(NH4OH)、盐酸(HCl)、硫酸(H2SO4)和氢氟酸(HF)。作为非限制性示例,冲洗剂可以包括纯水。
作为非限制性实例,有机溶剂可以包括异丙醇(IPA)、乙二醇、1-丙醇、四氢呋喃(THF)、4-羟基-4-甲基-2-戊酮、1-丁醇、2-丁醇、甲醇、乙醇、正丙醇和二甲醚。
喷嘴3210可以位于喷嘴杆3220的一端的下表面上。喷嘴杆3220可以联接至喷嘴轴3230。喷嘴轴致动器3240可以通过提升、降低或旋转喷嘴轴3232来调整喷嘴3210的位置。
当由处理溶液供给器3200向衬底S供应处理溶液时,衬底支撑件3100可以旋转所述衬底S。所述处理溶液可以经由旋涂而被均匀地分布在衬底S的整个区域上。当衬底S旋转时,一些处理溶液可能从衬底S散开。处理溶液可以由回收设备3300回收。
回收设备3300可以包括第一回收容器3310、第二回收容器3320、和第三回收容器3330、提升杆3340和提升致动器3350。
第一回收容器3310可以具有围绕衬底支撑件3100的环形形状。第二回收容器3320可以具有围绕第一回收容器3310的环形形状。第三回收容器3330可以具有环绕第二回收容器3320的环形形状。第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330可以固定到彼此。
第一回收容器3310的内部空间可以是处理溶液流入其中的第一回收容器3310的第一入口3311,第一回收容器3310和第二回收容器3320之间的空间可以是处理溶液流入其中的第二回收容器3320的第二入口3321,并且第二回收容器3320和第三回收容器3330之间的空间可以是处理溶液被引入到其中的第三回收容器3330的第三入口3331。
第三入口3331可以设置在第二入口3321上方(即,布置成更靠近喷嘴3210),并且第二入口3321可以设置于第一入口3311上方。因此,第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330可以从处理溶液中回收不同的处理溶液。
提升杆3340可以被连接至第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330。提升杆334可以将驱动力从提升致动器3350传递至第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330,以便上下移动第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330。
当衬底S被放置在衬底支撑件3100上或从衬底支撑件3100上拾起时,升降杆3340和升降致动器3350可以降低第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330,使得衬底支撑件3100相对于第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330向上突出。
此外,在处理衬底S时,升降杆3340和升降致动器3350可以调节第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330的位置,使得从衬底S散开的处理溶液可以流入第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330。
第一管道3410可以被连接至第一回收容器3310的下表面,第二管道3420可以被连接至第二回收容器3320的下表面,并且第三管道3430可以被连接至第三回收容器3330的下表面。根据实施例,第一管道3410、第二管道3420和第三管道3430可以将从第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330收集的处理溶液转移到化学回收系统。
根据实施例,第一回收容器3310、第二回收容器3320和第三回收容器3330可以从处理溶液中回收不同的材料,并且因此,第一管道3410、第二管道3420和第三管道3430可以从处理溶液中传送不同的材料。例如,第一管道3410可以传送清洁剂,第二管道3420可以传送冲洗剂,且第三管道3430可以传送有机溶剂。作为另一示例,第一管道3410和第二管道3420可以传送不同的清洁剂,且第三管道3430可以传送清洁剂、冲洗剂和有机溶剂的组合。
根据实施例,第一管道3410和第二管道3420可以包括与第三管道3430的材料不同的材料。例如,第一管道3420和第三管道3420可以包括绝缘材料,并且第三管道3410可以包括导电材料。
作为非限制性示例,第一管道3410和第二管道3420可以包括耐腐蚀材料,诸如聚氯乙烯(PVC)。第三管道3430可以包括碳纤维管道。第三管道3430可以传送强腐蚀性材料,诸如IPA。
根据实施例,由于第三管道3430是碳纤维管道,第三管道3420可以安全地传送诸如IPA之类的材料。此外,由于第一管道3410和第二管道3420是PVC管道,则可以用低成本提供第一管道3411和第二管3420。
根据实施例,第一静电消除器3441可以与第一管道3410接触。根据实施例,第二静电消除器3442可以与第二管道3420接触。根据实施例,第一静电消消器3441可以围绕第一管道3411的一部分。根据实施例,第二静电消除器3442可以围绕第二管道3420的一部分。
根据实施例,第一静电消除器3441和第二静电消除器3442可以包括能够释放积聚在第一管道3410和第二管道3420中的电荷的材料。根据实施例,第一静电消除器3441和第二静电消除器3442可以包括导电材料。根据实施例,第一静电消除器3441和第二静电消除器3442可以包括碳、硅和金属。作为非限制性示例,第一静电消除器3441和第二静电消除器3442中的每一个可以包括导线、导电膜和导电铸件(即,通过模制工艺制造的元件)。
根据实施例,第一静电消除器3441可以与第一管道3410的其中容易积聚静电荷的部分接触。根据实施例,第二静电消除器3442可以与第二管道3420的其中容易积聚静电荷的部分接触。因此,可以移除在第一管道3410和第二管道3420中感应的静电荷。
例如,处理溶液与第一管道3410和第二管道3420中的每个管道的弯曲部分之间的摩擦力可以大于处理溶液与第一管道3410和第二管道3420中的每个管道的笔直部分之间的摩擦力。例如,处理溶液与第一管道3410和第二管道3420之间的摩擦力可以在第一管道3410和第二管道3420中的每个管道的弯曲部分处最大化,因此,可以容易地在第一管道3420和第二管3410中的每个管道的弯曲部分中感应诸如摩擦电之类的静电荷。
根据实施例,第一静电消除器3441可以围绕第一管道3410的弯曲部分。根据实施例,第二静电消除器3442可以围绕第二管道3420的弯曲部分。根据实施例,第一静电消除器3441可以与第一管道3411的弯曲部分接触。根据实施例,第二静电消除器3442可以与第二管道3420的弯曲部分接触。
根据实施例,第一导线3541可以分别连接到第三管道3430以及第一静电消除器3441和第二静电消除器3442。如上所述,第三管道3430包括导电材料,因而,第一导线3541可以直接地连接到第三管道3420。接地电位GND可以施加到第一导线3541。所述第一导线3541可以提供用于释放积聚在第三管道3430以及第一静电消除器3441和第二静电消除器3442中的电荷的路径。作为非限制性示例,第一导线3541可以包括铜(Cu)。
根据实施例,第一衬底处理设备3000还可以包括控制器。可以通过硬件、固件、软件或其任何组合来实现控制器。例如,控制器可以包括计算设备,例如工作站计算机、台式计算机、膝上型计算机、平板计算机。控制器可以包括简单的控制器、诸如微处理器、中央处理单元(CPU)和图形处理单元(GPU)之类的复杂处理器、由软件、专用硬件或固件配置的处理器。控制器可以由例如通用计算机或专用硬件来实现,诸如数字信号处理器(DSP)、现场可编程门阵列(FPGA)和专用集成电路(ASIC)。
固件、软件、例程或指令可以被配置成执行上文所描述的与控制器相关或与下文所述的任何工艺相关的操作。例如,控制器可以由软件实现,该软件被配置成生成用于控制对旋转致动器3130的驱动、对喷嘴轴致动器3240的驱动、和对提升致动器3350的驱动的信号。控制器的操作可以由计算设备、处理器和执行固件、软件、例程和指令的其他设备产生。
根据实施例,第一衬底处理设备3000可以包括用于控制自动化技术的以太网(EtherCAT)网络,以用于与外部服务器通信。
根据实施例,第一管道3410和第二管道3420产生的静电荷可以通过第一静电消除器3441和第二静电消除器3442被有效地去除。因此,可以防止由静电荷引起的关于旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350和控制器的噪声,以及EtherCAT网络的通信故障。
图4是用于说明根据实施例的第一衬底处理设备3000的静电消除动作的框图。
参考图2和图4,第一衬底处理设备3000可以包括第一接地条3510、第二接地条3520、第三接地条3530、第一导线3541、第二导线3542、第三导线3543、第四导线3544和第五导线3545。
根据实施例,第一接地条3510可以被配置成释放积聚在第一静电消除器3441和第二静电消除器3442中的电荷。每根第一导线3541的第一端子可以被连接到第一静电消除器3441和第二静电消除器3442以及第三管道3430中的一个。每根第一导线3541的第二端子可以被连接到第一接地条3510。第三管道3430以及第一静电消除器3441和第二静电消除器3442可以经由第一导线3540电连接到第一接地条3510。
根据实施例,第二接地条3520可以为第一衬底处理设备3000的电子部件的操作提供接地电位GND。例如,第二接地棒3520可以向第一衬底处理设备3000的包括旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350、控制器和各种传感器的电子部件提供接地电位GND。
根据实施例,第二接地条3520可以经由第二导线3542电连接到第一衬底处理设备3000的包括旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350、控制器和各种传感器的电子部件。根据实施例,每根第二导线3542的第一端子可以连接到第一衬底处理设备3000的包括旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350、控制器和各种传感器的电子部件中的一个,并且每根第二导线3542的第二端子可以连接到第二接地条3520。
根据实施例,第三导线3543的第一端子可以连接至第一接地条3510,并且第三导线3543的第二端子可以连接至第三接地条3530。根据实施例,第一接地条3510可以经由第三导线3543电连接至第三接地条3530。
第四导线3544的第一端子可以连接到第二接地条3520,并且第四导线3544的第二端子可以连接至第三接地条3530。根据实施例,第二接地条3520可以经由第四导线3524电连接到第三接地条3530。
根据实施例,第一接地条3510和第二接地条3520可以彼此间隔开。根据实施例,第一接地条3510和第二接地条3520可以不是彼此直接电连接的。根据实施例,第一接地条3510可以经由第三导线3543、第三接地条3530和第四导线3544电连接到第二接地条3520。
第五导线3545可以连接到第三接地条3530。根据实施例,第五导线3545可以向第三接地条3530施加接地电位GND。根据实施例,第五导线3545可以提供用于释放由第一静电消除器3441和第二静电消除器3442从第一管道3410和第二管道3420移除的静电荷的路径。
根据实施例,第五导线3545可以连接至接地线EG。根据实施例,接地线EG可以是存储从第一静电消除器3441和第二静电消除器3442转移的静电荷的电荷库。根据实施例,接地线EG可以是电力系统上的接地线,并且同时,第二接地条3520可以是为第一衬底处理设备3000的包括旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350、控制器和各种传感器的电子部件的操作提供接地电势的底盘接地线。
根据实施例,每根第一导线3541的横截面面积可以与每根第二导线3542的横截面面积大致相同。根据实施例,每根第一导线3541的每单位长度的电阻可以与每根第二导线3542的每单位长度的电阻基本相同。
根据实施例,第一接地条3510和第二接地条3520各自的尺寸和电阻可以是基本相同的。根据实施例,第一接地条3510和第二接地条3520可以包括相同的材料。根据实施例,第一接地条3510和第二接地条3520可以包括导电材料,如金属材料。根据实施例,第一接地条3510的电阻和第二接地条3520的电阻可以是基本相同的。
根据实施例,第三导线3543的横截面视图可以与第四导线3544的横截面视图是基本相同的。根据实施方案,第三导线3543的每单位长度的电阻可以与第四导线3544的每单位长度的电阻是基本相同的。
根据实施例,第三导线3543和第四导线3544中的每一根导线的横截面积可以大于第一导线3541和第二导线3542中的每一根导线的横截面面积。根据实施例,第三导线3543和第四导线3544中的每一根导线的每单位长度的电阻可以小于第一导线3541和第二导线3542中的每一根导线的每单位长度的电阻。
根据实施例,第三接地条3530的尺寸可以大于第一接地条3510和第二接地条3520中的每一个接地条的尺寸。根据实施例中,第三接地条3530的电阻可以小于第一接地条3510和第二接地条3520中的每一个接地条的电阻。
根据实施例,第五导线3545的横截面积可以大于第三导线3543和第四导线3544中的每一根导线的横截面面积。根据实施例,第五导线3545的每单位长度的电阻可以小于第三导线354和第四导线3544中的每一根导线的每单位长度的电阻。
根据实施例,由于第一接地条3510不直接连接到第二接地条3520,则可以防止经由第一接地条3510释放的静电荷经由第二接地条3520转移到所述第一衬底处理设备3000的包括旋转致动器3130、喷嘴轴致动器3240、提升致动器3350、控制器和各种传感器的电子部件。
此外,由于第五导线3545的每单位长度的电阻小于第三导线3543和第四导线3544中的每一根导线的每单位长度的电阻,则经由第三导线3543到达第三接地条3530的大部分静电荷可以经由第五导线3545流到接地线EG,而不是经由第四导线3544流到第二接地条3520。因此,经由第一接地条3510释放的大部分静电荷可以经由第一导线3541、第三导线3543和第五导线3545释放到接地线EG。
根据实施例,由于防止了由从第一管道3410、第二管道3420和第三管道3430产生的静电荷的积聚引起的电弧,则可以提高所述第一衬底处理设备3000的可靠性。
图5是用于说明根据其他实施例的第一衬底处理设备3001的示意性横截面视图。
参考图5,所述第一衬底处理设备3001可以包括衬底支撑件3100、处理溶液供给器3200、第一回收容器3310、第二回收容器3320、第三回收容器3330、第一管道3410、第二管道3420、第三管道3430、第一静电消除器3441’、第二静电消除器3443、第三静电消除器3444、和第四静电消除器3445。
衬底支撑件3100、处理溶液供给器3200、第一回收容器3310、第二回收容器3320、第三回收容器3330、第一管道3410、第二管道3420、第三管道3430分别与参考图2至图4描述的衬底支撑件3100、处理溶液进给器3200、第一回收容器3310、第二回收容器3320、第三回收容器3330、第一管道3410、第二管道3420、第三管道3430是基本相同的,并且将省略对它们的冗余描述。
根据实施例,第一静电消除器3441’还可以包括围绕第一管道3410的弯曲部分的第一部分和围绕第一管道341的笔直部分的第二部分。第一静电消除器3441’的第二部分可以从第一管道3411的弯曲部分沿第一管道3412延伸。第一静电消除器3441’的第二部分可以与第一管道3410的笔直部分接触。
根据实施例,第二静电消除器3443可以覆盖第二管道3420的弯曲部分的一部分。根据实施例,第二静电消除器3443可以覆盖第二管3420的弯曲部分的外表面3422并且使第二管3420的弯曲部分的内表面3421暴露。在这方面,第二管3420的弯曲部分的内表面3421可以朝向第二管道3420弯曲的方向,并且外表面3422可以与内表面3421相对。
根据实施例,第二静电消除器3443可以与第二管道3420的弯曲部分的外表面3422接触,并且可以与第二管道3420的弯曲部分的内表面3421间隔开。根据实施例,通过提供仅覆盖第二管道3420的弯曲部分的外表面3422的第二静电消除器3443,可以降低第二静电消除器3443的制造成本。
根据实施例,第三静电消除器3444可以覆盖第一管道3410的一部分。根据实施例,第三静电消除器3444可以与第一管道3410的弯曲部分间隔开。根据实施例,第三静电消除器3444可以覆盖第一管道3410的笔直部分的一部分,其中,该部分是容易产生诸如摩擦电之类的静电荷的部分。根据实施例,第三静电消除器3444可以与第一管道3410的笔直部分的一部分接触,其中,该部分是容易产生诸如摩擦电之类的静电荷的部分。根据实施例,除了不设置在第一管道3410的弯曲部分上之外,第三静电消除器3444可以附加地设置在第一管道3410的容易产生静电荷的部分上,并且因此,可以更有效地去除由第一管道3410所产生的静电荷。
根据实施例,第四静电消除器3445可以覆盖所述处理溶液供给器3200的一部分。根据实施例,第四静电消除器3445可以与所述处理溶液供给器3200的一部分接触。根据实施例,第四静电消除器3445可以覆盖所述处理溶液供给器3200的一部分,如介于喷嘴3210与喷嘴杆3220之间的接头,其中,该部分是容易产生静电荷的部分。根据实施例,第四静电消除器3445可以与所述处理溶液供给器3200的一部分接触,如与介于喷嘴3210与喷嘴杆3220之间的接头接触,其中,该部分是容易产生静电荷的部分。
另外的第一导线3541可以分别被连接到第二静电消除器3443、第三静电消除器3444和第四静电消除器3445。另外的第一导线3541可以向第二静电消除器3443、第三静电消除器3444和第四静电消除器3445施加接地电位GND。另外的第一导线3541可以提供用于向第二静电消除器3443、第三静电消除器3444和第四静电消除器3445释放静电荷的路径。另外的第一导线3541可以连接到第一接地条3510(见图4)。
应该理解,应仅在描述性意义上而不是出于限制目的考虑本文中描述的实施例。每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可以用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参考附图描述了一个或更多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由以下权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下,可以在其中进行形式和细节的各种改变。
Claims (20)
1.一种衬底处理设备,包括:
衬底支撑件,所述衬底支撑件包括被配置成支撑衬底的支撑板和被配置成旋转所述支撑板的旋转致动器;
处理溶液供给器,所述处理溶液供给器被配置成向所述衬底供给处理溶液;
第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;
提升致动器,所述提升致动器被配置成相对于所述衬底支撑件上下移动所述第一回收容器;
第一管道,所述第一管道连接至所述第一回收容器并且包括绝缘材料;
第一静电消除器,所述第一静电消除器与所述第一管道接触;和
第一导线,所述第一导线连接至所述第一静电消除器。
2.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中,所述第一静电消除器包括导电材料并且覆盖所述第一管道的弯曲部分。
3.根据权利要求1所述的衬底处理设备,其中,所述第一导线提供用于释放由所述第一管道产生的静电荷的路径。
4.根据权利要求1所述的衬底处理设备,还包括被配置成接收接地电位的第一接地条,
其中,所述第一静电消除器经由所述第一导线连接到所述第一接地条。
5.根据权利要求4所述的衬底处理设备,还包括第二接地条,所述第二接地条被连接到所述旋转致动器和所述提升致动器并且被配置成向所述旋转驱动器和所述提升致动器提供接地电位。
6.根据权利要求5所述的衬底处理设备,其中,所述第一接地条和所述第二接地条彼此间隔开。
7.根据权利要求5所述的衬底处理设备,还包括将所述旋转致动器和所述提升致动器连接到所述第二接地条的第二导线。
8.根据权利要求7所述的衬底处理设备,还包括:
第三接地条;
第三导线,所述第三导线将所述第三接地条连接到所述第一接地条;
第四导线,所述第四导线将所述第三接地条连接到所述第二接地条;和
第五导线,所述第五导线将所述第三接地条连接到接地线。
9.根据权利要求8所述的衬底处理设备,其中,所述第三导线的每单位长度的电阻小于所述第一导线的每单位长度的电阻,并且
所述第四导线的每单位长度的电阻小于所述第二导线中的每一根导线的每单位长度的电阻。
10.根据权利要求8所述的衬底处理设备,其中,所述第五导线的每单位长度的电阻小于所述第三导线的每单位长度的电阻,并且
所述第五导线的每单位长度的电阻小于所述第四导线的每单位长度的电阻。
11.根据权利要求8所述的衬底处理设备,其中,所述第一接地条经由所述第三导线、所述第三接地条和所述第四导线间接地连接到所述第二接地条。
12.一种衬底处理设备,包括:
衬底支撑件,所述衬底支撑件支撑衬底;
处理溶液供给器,所述处理溶液供给器包括喷嘴,所述喷嘴被配置成向所述衬底供给处理溶液;
第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;
第二回收容器,所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液;
第一管道,所述第一管道连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料;
第二管道,所述第二管道连接到所述第二回收容器并且包括绝缘材料;和
第一静电消除器,所述第一静电消除器被配置成去除由所述第一管道产生的静电荷,
其中,所述第一静电消除器包括导电材料,围绕所述第一管道的弯曲部分,并且与所述第一管的所述弯曲部分接触。
13.根据权利要求12所述的衬底处理设备,其中,所述第一静电消除器包括围绕所述第一管道的所述弯曲部分的第一部分和围绕所述第二管道的笔直部分的第二部分。
14.根据权利要求12所述的衬底处理设备,还包括第二静电消除器,所述第二静电消除器被配置成移除由所述第二管道所产生的静电荷,
其中,所述第二静电消除器覆盖所述第二管道的弯曲部分的一部分。
15.根据权利要求14所述的衬底处理设备,其中,所述第二静电消除器与所述第二管道的所述弯曲部分的外表面接触,并且与所述第一管道的所述弯曲部分的内表面间隔开。
16.根据权利要求15所述的衬底处理设备,还包括第三静电消除器,所述第三静电消除器被配置成移除由所述第一管道所产生的静电荷,
其中,所述第三静电消除器与所述第一管道的所述弯曲部分间隔开。
17.根据权利要求16所述的衬底处理设备,还包括第四静电消除器,所述第四静电消除器被配置成移除由所述处理溶液供给器所产生的静电荷,
其中,所述第四静电消除器与所述喷嘴接触。
18.根据权利要求17所述的衬底处理设备,还包括多根第一导线,所述多根第一导线被配置成提供用于将静电荷释放至第一静电消除器、第二静电消除器、第三静电消除器和第四静电消除器的路径。
19.一种衬底处理设备,包括:
衬底支撑件,所述衬底支撑件包括被配置成支撑衬底的支撑板和被配置成旋转所述支撑板的旋转致动器;
处理溶液供给器,所述处理溶液供给器被配置成向所述衬底供给处理溶液;
第一回收容器,所述第一回收容器围绕所述衬底支撑件并且被配置成从所述衬底回收被散开的处理溶液;
第二回收容器,所述第二回收容器围绕所述第一回收容器并且被配置成从所述衬底回收所述被散开的处理溶液;
提升致动器,所述提升致动器被配置成相对于衬底支撑件上下移动所述第一回收容器和所述第二回收容器;
第一管道,所述第一管道连接到所述第一回收容器并且包括绝缘材料;
第二管道,所述第二管道连接到所述第二回收容器并且包括绝缘材料;
第一静电消除器,所述第一静电消除器与所述第一管道的弯曲部分接触;
第二静电消除器,所述第二静电消除器与所述第二管道的弯曲部分接触;
多根第一导线,所述多根第一导线提供用于将静电荷释放到第一静电消除器和第二静电消除器的路径;
多根第二导线,所述多根第二导线被配置成向所述旋转致动器和所述提升致动器提供用于使所述旋转致动器和所述提升致动器进行操作的接地电位;
第一接地条,所述第一接地条连接到所述多根第一导线;
第二接地条,所述第二接地条连接到所述多根第二导线并且与所述第一接地条间隔开;
第三导线,所述第三导线连接到所述第一接地条;
第四导线,所述第四导线连接到所述第二接地条;
第三接地条,所述第三接地条连接到所述第三导线和所述第四导线;和
第五导线,所述第五导线将所述第三接地条连接到接地线。
20.根据权利要求19所述的衬底处理设备,其中,所述第五导线的每单位长度的电阻小于所述第三导线和所述第四导线中的每一根导线的每单位长度的电阻,并且
所述第三导线和所述第四导线中的每一根导线的每单位长度的电阻小于所述第一导线和所述第二导线中的每一根导线的每单位长度的电阻。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2021-0194466 | 2021-12-31 | ||
KR1020210194466A KR102651516B1 (ko) | 2021-12-31 | 2021-12-31 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116387191A true CN116387191A (zh) | 2023-07-04 |
Family
ID=86966263
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211716828.8A Pending CN116387191A (zh) | 2021-12-31 | 2022-12-26 | 衬底处理设备 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240213077A1 (zh) |
JP (1) | JP2023099487A (zh) |
KR (1) | KR102651516B1 (zh) |
CN (1) | CN116387191A (zh) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101910796B1 (ko) * | 2016-06-02 | 2018-10-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
JP6876570B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-05-26 | 株式会社Screenホールディングス | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム |
KR20200062831A (ko) * | 2018-11-27 | 2020-06-04 | 삼성전자주식회사 | 약액 공급 장치 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
-
2021
- 2021-12-31 KR KR1020210194466A patent/KR102651516B1/ko active IP Right Grant
-
2022
- 2022-12-16 JP JP2022201229A patent/JP2023099487A/ja active Pending
- 2022-12-21 US US18/069,478 patent/US20240213077A1/en active Pending
- 2022-12-26 CN CN202211716828.8A patent/CN116387191A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20230103525A (ko) | 2023-07-07 |
US20240213077A1 (en) | 2024-06-27 |
KR102651516B1 (ko) | 2024-03-28 |
JP2023099487A (ja) | 2023-07-13 |
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